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C ENTRO UNIVERSITARIO DE C IENCIAS E XACTAS E

I NGENIERAS

I NGENIERA EN C OMUNICACIONES Y E LECTRNICA


S EMINARIO DE S OLUCIN DE P ROBLEMAS DE C IRCUITOS A NALGICOS I

Actividad 1: Preguntas del libro

Alumnos
O RLANDO A LVARADO G ALVN Profesor
Ing. V ICTOR G ARCA G UTIERREZ
F ERNANDO H ENRANDEZ
C ASILLAS

24 de Agosto de 2017
P REGUNTAS DEL L IBRO
1. Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un
dispositivo o a un sistema.
Es un sistema donde los componentes no tienen ni ganancias ni perdidas cuando la corriente
pasa a travs de el.

2. Describa, con sus propias palabras, las caractersticas del diodo ideal y cmo se determinan
los estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qu son adecuados
los equivalentes de circuito cerrado y circuito abierto.
Es un diodo que acta como un conductor perfecto cuando el voltaje se aplica hacia adelante
sesgado y como un aislante perfecto cuando el voltaje se aplica en polarizacin inversa.
Cuando el voltaje positivo se aplica a travs del nodo al ctodo, el diodo conduce la corriente
delantera inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la inversa, el diodo no conduce ninguna
corriente.

3. Cul es la diferencia ms importante entre las caractersticas de un simple interruptor y


aquellas de un diodo ideal?
El interruptor conducir electricidad solo si se encuentra cerrado, en cambio el diodo conducir o
no electricidad dependiendo del voltaje aplicado a sus uniones.

4. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y


resistencia de contactos hmicos.
Un semiconductor es un material que se comporta como conductor, o como aislante
dependiendo de diversos factores.
La resistividad es la resistencia que opone un material segn su longitud y anchura.

5.

Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un
rea de 1cm2 y una longitud de 3cm.
Respuesta: 150 103

Repita el inciso a si la longitud es de 1cm y el rea de 4cm2 .


Respuesta: 12.5 103

Repita el inciso a si la longitud es de 8cm y el rea de 0.5cm2


Respuesta: 800 103

Repita el inciso a para el cobre y compare los resultados.


Respuestas:

1. 3x105
2. 2.5x106
3. 1.6x104

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7. Defina, con sus propias palabras. un material intrnseco, un coeficiente de temperatura
negativo y una unin covalente.
Los materiales intrnsecos son aquellos que han sido refinados para reducir las impurezas a un
nivel muy bajo. Se dice que un material tiene un coeficiente de temperatura negativo, cuando su
resistencia se reduce al incrementar la temperatura. Una unin covalente es cuando se unen
tomos debido al comportamiento de los electrones.

8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente


de temperatura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.
Coeficiente negativo: Germanio, silicio, carbn. Coeficiente positivo: Plata, cobre, aluminio.

9. Cunta energa en joules se necesita para mover una carga de 6C a travs de una diferencia
en potencial de 3V?
Respuesta: 2.88 1018 J

10. Si se requieren 48eV de energa para mover una carga a travs de una diferencia de
potencial de 12V, determine la carga involucrada.
Q = 6.4 1019 C.
11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de Eg para GaP y ZnS, dos materiales
semiconductores de valor prctico. Adems. determine el nombre escrito para cada material.
Zns: Sulfuro de Zinc Eg = 3.68eV
GaP: Fosfuro de Galio (III) Eg = 2.26eV

12. Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo n y tipo p.


Los materiales tipo n donan electrones, mientras que los p tienen huecos, y de esta manera
aceptan o toman electrones.

13. Explique las diferencias entre las impurezas donoras y aceptoras.


Las impurezas donadoras se crean al dopar un semiconductor con un elemento pentavalente, ya
que un semiconductor cuenta con 4 electrones de valencia, al insertar un elemento pentavalente,
se tendr un electrn libre para moverse en dicha unin.
Las impurezas aceptoras se crean al insertar un elemento con 3 electrones de valencia a un
semiconductor, creando de esta forma un hueco en los enlaces el cuan deja un espacio libre para
aceptar un electrn en dicha unin.

14. Describa las diferencias entre los portadores mayoritarios y minoritarios.


Al dopar elementos semiconductores se pueden generar materiales tipo N o tipo P, los
portadores mayoritarios y minoritarios dependern del tipo de dopado, ya que puede haber ms
electrones libres o huecos libres, los portadores mayoritarios son la mayor cantidad de electrones
o huecos que genere el dopado, y los portadores minoritarios son la menor cantidad de
electrones o huecos que genere el dopado.

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15. Dibuje la estructura atmica del silicio e inserte una impureza de arsnico.

16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio.

17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicacin para el flujo de huecos
contra el de electrones. Utilizando ambas descripciones, seale con sus propias palabras, el
proceso de la conduccin de huecos.
Cuando se tiene un material semiconductor y este es dopado, dependiendo del material que se
desee, ya sea tipo P o tipo N, este dopaje genera huecos o electrones libres, para que se generen
huecos, al doparse con un elemento con 3 electrones de valencia, se generan huecos en las
uniones, ya que una unin perfecta se realiza con 8 electrones de valencia, pero al tener un elemento
semi conductor con 4 de valencia y otro con 3 de valencia, se crean huecos en las uniones los
cuales poseen carga positiva y son aceptores de electrones.