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UNIVERSIDAD CATLICA SANTA

MARA
PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECNICA,
MECNICA ELECTRICA Y MECATRNICA

TEMA: TRANSISTOR BJT

ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRNICOS I

DOCENTE: ING. Juan Diego Cceres


ALUMNO:

- Romero anconeira alexander fabricio

GRUPO: 11
19-05-2017
OBJETIVOS:
Conocer cmo se componen los transistores teniendo como
ayuda manuales y documentacin de estos para
su anlisis de medicin.
Determinar lo parmetros electrnicos de conductividad de un
transistor.
Identificar los terminales de un transistor bipolar.
Con la utilizacin de instrumentos de medicin electrnica,
determinar las terminales para transistores NPN o PNP.
Conocer sus aplicaciones en componentes para electrnica as como
conocer su documentacin.
Calcular la curva de los transistores BJT.

MARCO TEORICO:

a) Qu son los Transistores

Definicin
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos.
Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La
conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones
y huecos. El germanio y el silicio son los materiales ms
frecuentemente utilizados para la fabricacin de los
elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar
prcticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrnicos,
incluyendo la ampliacin y la rectificacin, con muchsimas
ventajas.

Elementos de un transistor o transistores:


El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que
consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de
dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama
transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o
electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos
de vaco o "lmparas" electrnicas.
BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su
labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco
o "lmparas" electrnicas.
COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por
el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de
vaco o "lmparas" electrnicas.

a) Ventajas de los transistores electrnicos

El consumo de energa es sensiblemente bajo.


El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los
tubos de vaco.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede permanecer mucho tiempo en depsito
(almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecnica elevada.
Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la
foto sensibilidad.

Tipos de Transistores

1. Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )


- BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar
Junction Transistor).
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los
electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el
material polarizado de forma opuesta.
1. Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
2. JFET, De efecto de campo de unin (JFET): Tambin llamado
transistor unipolar, fu el primer transistor de efecto de campo en la
prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma ms bsica.

- MESFET, transistores de efecto de campo metal


semiconductor.
- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido
semiconductor. En estos componentes, cada transistor es
formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y
la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una
puerta, un electrodo de metal.

2. Transistores HBT y HEMT.


Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction
Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight
Electrn Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son
dispositivos de 3 terminales formados por la combinacin de
diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Cmo probar un transistor


Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de
este, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la
siguiente figura.
Se puede ver que los circuitos equivalentes de los transistores
bipolares NPN y PNP estn compuestos por diodos y se puede seguir
la misma tcnica que se sigue al probar diodos comunes. La prueba
se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C.
Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos. Al
igual que con el diodo si uno de estos "diodos del equivalentes del
transistor" no funcionan cono se espera hay que cambiar el transistor.

El Transistor Bipolar o BJT

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los


diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del
flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes


nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre,
el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si


le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en
un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y
es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que
alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente
Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos


para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta.

Regiones operativas del transistor


Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic =
Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.

Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los


amplificadores con transistores, cada una de ellas con caractersticas
especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se
dice que el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se
presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)

- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente


iguales, pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que
existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos
con transistores.

Aplicaciones de los Transistores


Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que
se encuentran:
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas,
emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de
rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de
lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen
3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que
dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden
estar distribuidos de varias formas.

Diferencias entre el transistor PNP y el NPN

Fjate en los 2 tipos, la principal diferencia es que en el PNP la


corriente de salida (entre el emisor y colector) entra por el
emisor y sale por el colector. Fjate que la flecha en el
smbolo "pincha a la base". Una regla para acordarse es que el
PNP pincha (la p del principio).

En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el


emisor, al revs. Si te fijas en la flecha la flecha "no pincha a
la base". Segn la regla NPN = no pincha (la N del NPN). Con
esta regla te acordars muy fcilmente si el smbolo es de un
PNP o NPN. Recuerda pincha PNP, no pincha NPN.

Otra cosa muy importante a tener en cuenta, es la direccin de


las corrientes y las tensiones de un transistor, sea NPN o PNP.
Fjate en la siguiente imagen. En este caso hemos puesto el
emisor abajo y el colector arriba, no pasa nada es lo mismo,
pero en algunos esquemas te los encontrars de esta forma y es
bueno verlos as tambin.
Si te fijas, es fcil averiguarlas por intuicin con la flecha del
smbolo. Si es PNP lgicamente la I del emisor (IE) tendr la
direccin del emisor, por que entra por l. Por donde entran
las corrientes estar el positivo de las tensiones. Si la
corriente del emisor entra por el emisor (PNP), la tensin
emisor colector tendr el positivo por donde entre, es decir en
el emisor, y se llamar Tensin emisor-colector (Ve-c). Si la
corriente entra por el colector, o lo que es lo mismo sale por el
emisor se llamara Tensin colector-emisor (Vc-e) y la
corriente saldr por el emisor. No te les que es muy fcil, solo
tienes que fijarte un poco, y no hace falta aprenderlas de
memoria.

Formulas del Transistor

Si te fijas en un PNP la corriente que entra es la del emisor, y


salen la del colector + la corriente de la base, pero al ser la de
base tan pequea comparada con las otras dos, se puede
aproximar diciendo que IE = IC. En realidad las intensidades
en un transistor seran:

IE = IC + IB; para los 2 tipos de transistores. Fjate en la


flecha del smbolo y las deducirs.

Si nos dan 2 intensidades y queremos calcular la tercera solo


tendremos que despejar.
Cmo seran las intensidades en corte? Pues todas cero.
Otro dato importante en un transistor es la ganancia, que nos
da la relacin que hay entre la corriente de salida IC y la
necesaria para activarlo IB (corriente de entrada). Se
representa por el smbolo beta .

= IC / IB
La ganancia es realmente lo que se amplifica la corriente
en el transistor.

Procedimiento experimental
Se empez identificando los tres terminales de un transistor emisor,
base y colector. Con ayuda del multmetro se puso cada una de las
patas del transistor en el multmetro y se identific las patas del
transistor tambin se determin si era NPN o PNP. Otro mtodo que
se us para identificar los terminales del transistor fue medir con el
multmetro el terminal rojo y negro en la escala de diodos. Se
determin el tipo de transistor y el material de este.
Se arm el primer circuito utilizando resistencias, dos
potencimetros y el transistor estudiado previamente. Se regulo el
voltaje colector-emisor (Vce) a 0 V, 0.5 V, 1 V, 1.5 V adems de la
intensidad de la base (Ib) a 25uA, 50uA, 75uA, 125Ua. Trabajando
sucesivamente se midi la intensidad del colector (Ic). Se trabaj con
varios cables para evitar errores y confusiones. La Ic se midi con el
multmetro en la escala indicada.
Se arm el segundo circuito con dos resistencias, dos potencimetros
y un transistor. Primeramente se fij el (VRB ) a 3.3 V y (VCE ) a 2
V hasta llegar a 16 V , aumentando a razn de 2 V el (VCE ) se
midi el (VRC ) y el voltaje VBE. As para diferentes casos se midi
(VRC ) y el voltaje VBE. . Con los datos dados y medidos se calcul
mediante expresiones matemticas IC , IE , y . A diferencia del
circuito anterior este fue ms sencillo de armar.

INTRODUCCIN:

El transistor es un nuevo componente utilizado en las prcticas de


electrnica. Este es un dispositivo semiconductor de tres terminales y
que se utiliza para una variedad de funciones de control en los
circuitos electrnicos.

Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificacin,


oscilacin, conmutacin y la conversin de frecuencias. En el reporte
siguiente podremos ver los elementos de un transistor, las ventajas de
la utilizacin de los transistores electrnicos, los tipos de
transistores, como realizar un test en un transistor, aplicaciones de
los transistores y sus encapsulados o materiales que estn
compuestos.

El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones


participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de
forma opuesta.

Transistor NPN Transistor PNP

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los


diodos, puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del


flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes


nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre,
el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si


le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en
un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y
es un dato propio de cada transistor
1. EQUIPO Y MATERIALES:

Los materiales que procedimos a utilizar en nuestra primera prctica


de circuitos elctricos son los siguientes:

Figura 01: transistor


Figura 02: Potencimetro de Figura 03: Dispositivo de
BC548B
5M Medida Mltiple (DMM)

Figura 04: Potencimetro de


Figura 05: resistencia de 4.7k Figura 06: resistencia de 100
10k

Figura 07: Fuente de corriente
contina
Figura 09: cables de conexin
Figura08: Protoboard

Figura 10: resistencia de 330k Figura


Figura 12:
11: Potencimetro
resistencia de
de 1k
5k

Figura 13: Potencimetro de


1M

2. PARTE PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

a) Para comenzar nuestra tercera prctica, el ingeniero nos dio


una introduccin para manejo correcto de los materiales que se
iban a tratar en la prctica.
b) Luego de una pautas y una explicacin sobre el funcionamiento
de los transistores, los tipos, sus caractersticas y su polaridad.

Identificacin del transistor

c) Para la identificacin de las terminales del transistor


seleccionamos la escala de prueba de Diodos en el DMM
d) Conectamos los terminales del DMM con el transistor de
acuerdo a la tabla 1. Y registramos la lectura del DMM.
e) Otra forma de identificar los terminales de un transistor, es
cuando algunos multmetros vienen con una escala para la
medicin de dichas terminales HFE
PARTE 1:
Identificar las caractersticas del Transistor en la siguiente tabla
f) Mediante el multmetro, obtuvimos las siguientes
caractersticas del transistor: deducimos que es un transistor
tipo NPN, PNP, configuracin de cada patilla y (hFE)
g) Para ello encontramos la situacin de lo diodos y su polaridad,
una vez conocidos la correspondencia en cada patilla
colocamos adecuadamente el multmetro para medir en el
caso de un BJT. Se dedujo que se trataba de un NPN.
h) Con la hoja de datos analizamos las siguientes caractersticas
del transistor:

Caractersticas del transistor


Terminal BASE 2
Terminal COLECTOR 1
Terminal EMISOR 3
Tipo de Transistor NPN
potencia mxima 0.5 W
Vce mxima 30 v
Ic mxima 0.1 A
Frecuencia de corte 300MHz

i) En el circuito, nos pide que usemos los siguientes componentes


T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1=
100 y Rc2 = 10K. Ajustamos Rb2 de tal manera que IB
alcance los 25uA. Luego variamos Rc2 de forma de VCE sea
0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la
corriente IC y anotando los resultados en tablas.
PARTE 2:
Caractersticas del colector:
a) Construimos el circuito de la fig 2.

b) Fijamos el voltaje VRB a 3.3V variando el potencimetro de 1M. Esto fijar IB =


VRB/RB a 10uA como se indica en la Tabla 3.

c) Luego fijamos VCE a 2V variando el potencimetro de 5K como se indica en la


primera lnea de la Tabla 3.

d) Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e) Variamos el potencimetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores


que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10uA en los diferentes
niveles de VCE.

f) Para cada valor de VCE mida y registramos VRC y VBE. Use la escala de mV para
VBE.

g) Luego repetimos los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla
3. Cada valor de VRB establecer un nivel diferente de IB para la secuencia de
valores de VCE.
h) Finalmente despus de haber obtenido todos los datos, calculamos el valor de IC
= VRC / RC y el valor de IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.

1. ANALISIS DE LOS RESULTADOS:

Identificacin del transistor


Identificamos los terminales del transistor BJT

e
b
c

Seleccionamos la escala de diodos en el DMM


Conectamos los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a
la tabla 1. Registramos la lectura del DMM.

Identificar las caractersticas del Transistor en la siguiente tabla


Observaciones:

Al Graduar el potencimetro Rb2= 5M a la intensidad


de corriente de la base que nos pide en la tabla

Graficas Vce vs Ic

Vce vs Ic (Ib 25 uA)


25
19.7 20.5
20 18.6

15
Ic (uA)

10

5
1.46
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
Vce (V)
Vce vs Ic (Ib 50 uA)
30
23.9 25.2
25 22.6
20
Ic (uA)

15
10
5
1.46
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
Vce (V)

Vce vs Ic (Ib 75 uA)


35 32.4 32.9
28.8
30
25
20
Ic (uA)

15
10
5
1.46
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
Vce (V)

Vce vs Ic (Ib 125 uA)


50
39.7 42.1
40 35
30
Ic (uA)

20
10
1.46
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
Vce (V)
Vce vs Ic
45 42.1
39.7
40
35
35 32.4 32.9
30 28.8
23.9 25.2
25 22.6
Ic (uA)

19.7 20.5
20 18.6
15
10
5
1.46
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
Vce (V)

Ic = 25 uA Ic = 50uA Ic = 50 uA Ic = 125 uA

Observaciones:

A medida que la corriente del colector aumenta los valores


de las pendientes de corriente por voltaje aumentan las
pocas proporciones.
Las 4 funciones crecen notablemente hasta
aproximadamente 0.5 V.
Luego de los 0.5 V su pendiente es mucho menor a
comparacin de la anterior.

Caractersticas del colector:

Construya el circuito de la figura 02:


Observaciones:
Una condicin es que la Ib << Ic
El parmetro del BJT es el cociente corriente colector y corriente
de emisor.
= Ic/Ie

oscila entre 0.9 y 0.999. As pues es el colector quien


proporciona la mayor parte de corriente del emisor
Aplicando la ley de kirchoff como si fuera un nodo nico
obtenemos que Ie = Ic + Ib
Ic Ie

Vce vs Ic (Vrb = 3.3 V)


3.100
3.042 3.052
3.050 3.011
3.000 2.970
2.940
2.950
2.899
Ic( mA )

2.900 2.859
2.850 2.818
2.800
2.750
2.700
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Vce (V)
Vce vs Ic (Vrb = 6.6 V)
4.900
4.800
4.700
4.600

Ic( mA )
4.500
4.400
4.300
4.200
4.100
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Vce (V)

Vce vs Ic (Vrb = 13.2 V)


9.100
9.000
8.900
8.800
8.700
Ic( mA )

8.600
8.500
8.400
8.300
8.200
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Vce (V)
Vce vs Ic (Vrb = 16.5 V)
11.400

11.200

11.000
Ic( mA )

10.800

10.600

10.400

10.200
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Vce (V)
Vce vs Ic (Vrb = 16.5 V)
12.000

10.000

8.000

Ic( mA )
6.000

4.000

2.000

0.000
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Vce (V)

Observaciones:

A diferencia del primer circuito, no parten de un mismo


punto, todas comienzan con el mismo voltaje, pero tienen
diferente corriente en un inicio.
Todas presentan una pendiente corriente por voltaje
mnima en relacin a los dems puntos de coordenadas.
A medida que se toma una funcin con una intensidad de
corriente mayor el voltaje mximo se reduce.

CUESTIONARIO FINAL:

a) La grfica Vce vs Ic, qu caractersticas tiene?, las


intersecciones con el eje x i y qu representan?

Esta grafica se caracteriza porque muestra la representacin


del punto de trabajo del transistor.
Este punto se encuentra localizado dentro de
una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en el
lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite
inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal.
Las intersecciones con el eje X y Y representan la recta de carga.

b) Qu diferencias encuentra entre las grficas para 25, 50,


75 y 125 uA?

Que a medida que la corriente del colector aumenta los valores


de las pendientes de corriente por voltaje aumentan las pocas
proporciones, pero todas se forman bajo un mismo patrn,
pendiente notable hasta aproximado de 0.5 V y luego reducen
drsticamente su pendiente, casi nulo.

c) Cundo se dice que un transistor est en corte?, se da


esta caso en la prctica?
Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando,
no hay cada de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
d) Cundo se dice que un transistor est en saturacin, se
logra en la prctica?

En saturacin: deja pasar toda la corriente, Un transistor est


saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente
mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
es lo suficientemente grande como para inducir una corriente
de colector veces ms grande.

d) Indique la relacin entre Ic e Ib que encontr en la


prctica.
La relacin que hay entre la corriente de salida IC y la
necesaria para activarlo IB (corriente de entrada). Se
representa por el smbolo beta atreves de una fraccin nos da
la ganancia
= IC / IB
La ganancia es realmente lo que se amplifica la corriente en el
transistor y es lo que se nos peda en la ltima prctica de
laboratorio

CONCLUSIONES:

Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente


o de tensin actuando como un interruptor o amplificador para
seales electrnicas.
La corriente directa en el emisor siempre es la corriente ms
grande de un transistor, en tanto que la corriente de la base es
la ms pequea. La corriente en el emisor siempre es la suma
de las otras dos.
En la regin activa de un transistor, la unin base-emisor se
polariza en directa, en tanto que la unin colector-base se
polariza en inversa. En la regin de corte las uniones base-
emisor y colector-base se polarizan en inversa. En la regin de
saturacin las uniones base-emisor y colector-base se
polarizan en directa.
Mediante mediciones se hall que la cantidad alfa ()
relaciona las corrientes en el colector y emisor y siempre est
cercana a uno

2. BIBLIOGRTAFIA:

http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-
aplicaciones/transistores-bjt-y-aplicaciones.shtml

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

Transistor bipolar o BJT: NPN, PNP


https://www.ecured.cu/Transistor
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm