2 PROCEDIMIENTOS DE DISENO DE EXCITADORES Y ETAPAS DE SALIDA CLASE A Este capitulo presenta procedimientos de disefio para cuatro com- binaciones comunes de acoplamiento de amplificadores entre el dis- positivo excitador y la etapa de salida de potencia y entre la etapa de salida de potencia y la carga. Al suministrar procedimientos comple- tos para las combinaciones mas comunes, se dan soluciones practi- cas, sencillas para los problemas de disefiu. Este enfoque practico requiere muchas aproximaciones y suposiciones basadas en la expe- riencia de disefio, Todas las suposiciones se indican en el texto. Para hacer el procedimiento de diserio completo para cada com- binacion de acoplamiento, se repiten algunas de las ecuaciones de disefio y los comentarios previos a dichas ecuaciones. Se utilizan mimeros en tipo negro para designar ecuaciones que aparecen por primera vez. Cuando las ecuaciones se repiten, se utilizan numeros en tipo claro. En el Cap. 6 se dan las derivaciones de ecuaciones im- portantes. ENTRADA ACOPLADA A TRANSFORMADOR, SALIDA ACOPLADA A TRANSFORMADOR En la Fig, 1 se muestra un diagrama de circuito y en la Fig. 2 se dan las caracteristicas dinamicas para esta combinacién de acopla- miento. 1. La disipacion mAxima ocurre en los amplificadores clase A en el punto quiescente de cero sefial de entrada. Normalmente las etapas clase A se polarizan para una corriente de sobrecarga de 25% , para compensar por un corrimiento en el punto quiescente del circuito pro-26 DISENO DE CIRCUITOS PARA AUDIO AM/FM ¥ TV ducido por variaciones en temperatura. Por lo tanto, la potencia de salida Pru.) se relaciona a la disipacién de potencia del dispositivo Pis) Segdn se muestra en la Ec. 1: Pus) = 3-12 Prcsms a)* 2. Esta capacidad de disipacién de potencia del dispositivo debe- r4 satisfacerse a las condiciones de temperatura de operacién. La temperatura méxima permisible del dispositivo que puede tolerarse sin exceder las especificaciones del mismo, se calcula mediante la Fic, 1. Diagrama esquemitico, etapa de salida clase A, entrada acoplada @ transformador, salida acoplada a transformador Ec. 2. La pendiente de correccién del transistor, ]a potencia nominal maxima del dispositivo y la temperatura T, correspondiente, se to- man de la hoja de datos del dispositivo. 7, = Powmy — Poo + KiTs @)* * Ecuacién derivada en el Cap. 6,PROCEDIMIENTOS DE DISENO DE EXCITADORES . - - 27 donde XK, = Pendiente de correccién del transistor — mW/°C T, = Temperatura m4xima de operacién del dispositive a Powis) — °C T, = Temperatura relacionada a la Poavom maxima del dis- positivo — °C ° Pom) = Potencia nominal maxima del dispositive - mW. Si el dispositivo esté en un paguete montado con perne, el dist- pador de calor deber4 evaluarse para determinar si es capaz de disipar Linea de carga cD entrada acoplada a transforma- Fic. 2. Caracteristicas dindmicas. Clase A, dor, salida acoplada a transformador28 DISENO DE CIRCUITOS PARA AUDIO AM/FM ¥ TV Especifieacién maxima de potencia a C-D Linea de carga excedida de Ia especificacién del dispositive Maxima curva segura de operacién Corriente de colector, Io gp Especificacién det ~ dispositive excedido Linea de carga que no excede la especificacién del dispositive —* Voltaje colector emisor Ver —p Fic. 3. Curva segura de operacién la Piois) requerida mientras se mantiene la temperatura del disposi- fivo a o abajo de T,. Este requerimiento debera calcularse a la temperatura ambiente mas alta deseada. 3. Consideremos ahora los requerimientos de voltaje del disposi- tivo. En las etapas de potencia, las impedancias de carga mas altas dan por resultado una ganancia de potencia mayor por etapa. Por lo tanto, las capacidades de voltaje del dispositivo deberan deter. minarse de la hoja de datos Para permitir la seleccién de voltajes Optimos de circuito. Los circuitos clase A con cargas a transformador requieren:A PROCEDIMIENTOS DE DISENO DE EXCITADORES . . 29 Vee < Zann 6 Aunque esta relacién representa el valor maximo absoluto de Vic posible sin exceder las especificaciones m4ximas del dispositivo, generalmente es un buen procedimiento de disefio el seleccionar V.. igual a aproximadamente 90% del Vc. derivado en la Ec. (3), Debera ejercerse cuidado adicional al seleccionar los voltajes maximos del circuito para dispositivos de potencia que presenten una reduccién en la especificacién de potencia del dispositive a elevados niveles de voltaje. Esta reduccién o correccién se conoce normalmente como curva segura de operacién (Fig. 3). La linea de carga de c-a debera checarse para asegurarse de que se ha escogido un valor del vol- taje de colector que permita que la linea de carga permanezca abajo de la curva segura de operacién. 4. Una de las primeras consideraciones que debe hacerse en el disefo de circuitos, en el peor de los casos, es el efecto de las varia- ciones de temperatura sobre los pardmetros criticos del dispositivo. Uno de los pardmetros més importantes de evaluar para estabilidad a temperatura es el cambio en el voltaje base-emisor sobre la escala de temperaturas de operacién. Este AVpz se calcula con la Ec. (4): AVoe = Ka (T: — T)) ® en donde K, = Factor dependiente de la temperatura base-emisor Silicio — 2.0 X 10° V/°C Germanio — 1.3 X 10* V/°C T, = Temperatura minima de operacién del dispositivo 5. Con V,, establecido, se puede calcular la impedancia reflejada de carga Ry’. El voltaje de carga V.., se determina aproximadamente por (Ve. — 8AVz — Veriaat). El término AVj, resulta de suponer un cambio maximo permisible en la corriente quiescente del colector de 10% sobre la escala de temperaturas de operacién. Esta condicién establece un valor para la caida de voltaje a través de la resistencia Rx del emisor en funcién de AVp,. — (ee 88V pp = Vers) 0 ie g, = Yee BBN ae Vea 6) 6. Se puede calcular ahora la corriente pico de c-a de colector en funcién de la potencia de salida y el Vo equivalente. © Beuacién derivada en el Cap. 6.30 DISENO DE CIRCUITOS PARA AUDIO AM/FM ¥ TV 2 2B tee = (Vc BV: = Veron) 9 © 7. La corriente quiescente del colector deberd calcularse para que sea 25% mayor que la corriente pico de colector para asegurar la operacién en la porcién lineal de la curva Yer. Es necesaria la opera- cién lineal sobre la curva yre del dispositivo para evitar distorsién de salida. =123 Is qa) 8. El requerimiento maximo de corriente de c-d de colector es Ja suma de la cortiente de punto quiescente be la corriente pico de colector de c-a durante la operacién a sefial maxima. Esta corriente maxima de colector Ic. debera ser menor que la especificaci6n maxi- ma de corriente de colector del dispositivo y dentro de la escala de corrientes de colector que tengan un valor utilizable de hrs. Tone = 2225 Tew (8) 9. Los requerimientos maximos del circuito, de potencia, voltaje y corriente, se han descrito y se puede confirmar el tipo de transistor para la aplicacién particular en cuestién. 10. La corriente Icgo de fuga colector-base es importante para evaluar el criterio de estabilidad del circuito. Esta fuga es una funcién de la temperatura y puede calcularse a cualquier temperatura supo- niendo que la corriente se duplica para un incremento en temperatura de 8°C para el germanio y de 12°C para el silicio Tesorry = Tenoery 2%" (9) en donde = Constantes empiricas dependientes de la temperatura Silicio — 12 Germanio — T, = Temperatura m4xima a Ico especificada en la hoja de datos Tesocr,) = Iono maxima especificada en la hoja de datos ala tem- peratura T, 11. La corriente de base de punto quiescente Inq se calcula a partir de la relacién de la corriente quiescente de colector Ing y la es- pecificacién minima de hy» del dispositivo, tomada de la hoja de datos. = le (0) 1 ciaPROCEDIMIENTOS DE DISENO DE EXCITADORES . . 31 12. La polarizacién de base que proporcione las corrientes quies- centes deseadas se puede calcular a continuacién. Para asegurar efectos minimos de temperatura sobre la estabilidad de punto Q debido a que Icuo incrementa el Vyzq de punto quiescente, la corriente de polarizacion de base I,, se hace considerablemente mayor que la Tenor, mAxima calculada en la Ec. (9). Inn = Ina + 10 Tenor ay 13. El voltaje Veeq base-emisor de punto Q, puede obtenerse a partir de la especificacién o curva yr de la hoja de datos. El valor de Vazg se lee de la curva a la corriente quiescente de colector Ica. Vore = Valor en hoja de datos a Icg (12) 14. Se utilizan resistencias en serie en el circuito de emisor de los amplificadores clase A para proporcionar estabilidad a c-d en la etapa de salida. Hay cos fuentes principales causantes de corrimien- tos en el punto Q a c-d con Ja temperatura. El voltaje base-emisor AVze disminuye con la temperatura y la corriente colector-base Icno aumenta con la temperatura. Ipn ha sido determinada igual a 10 veces Insocr,y, de tal manera que Inyo a través de R, no pueda cambiar a Verq més del 10% debido a Alcso. Si también se calcula IcgRx para que sea 10 veces la contribucién debida a AVpz, la corriente de colector Ing no deberé cambiar mas del 10% debido a efectos sobre los pard- metros del dispositivo por incrementos de temperatura. La Ec. (13) muestra el valor minimo de resistencia de emisor necesario para mantener el Alcg dentro del 10% del valor nominal calculado: = LOOAV pe + Va Ree 10 Teo 7 ye Si se requiere mas regulacién en el punto de estabilidad de corriente de colector, se puede incrementar la resistencia Ry con un incre- mento resultante en la pérdida de potencia de la fuente de poder de c-d. Los valores calculados de Rx pueden hacerse irrazonablemente grandes en circuitos que requieran un control estricto de la estabili- dad del punto Q. En tales casos, puede ser necesario un compromiso entre la pérdida de potencia permisible en Ry y la estabilidad de punto Q en la corriente de colector. No se han considerado aqui disposiciones de retroalimentacién aparte de Re, pero ésta es una solucién posible para mejorar el comprosimo si se requiriera una me- jor estabilidad de punto Q. * Ecuscin derivada en el Cap. 6.32 DISENO DE CIRCUITOS PARA AUDIO AM/FM ¥ TV 15. La corriente pico de base de c-a, I,, se calcula a partir de la relacién de la corriente de pico de colector y la hyx del dispositivo, en la Ec. (14): I — te beeinim (4) 16. El resistor de polarizacién R, se calcula para proporcionar el voltaje requerido de punto Q de base-emisor y la corriente correspon- diente de colector segtin lo descrito por la curva yyx del dispositivo. p, = ue t Vow Gs 10 Lenocry, 17. Se puede determinar ahora la resistencia de polarizacién R, a partir de la corriente de polarizacién de base y Ri. Veo = 10 Tenor Rs Ton 18. Para evitar degeneracién de la ganancia de c-a del circuito producida por la resistencia Re del emisor, se utiliza un capacitor C, para desacoplar Ry y R, nuevamente a la terminal comin del trans- formador de entrada. El valor necesario de la capacitancia se deter- mina por la cantidad de reduccién de ganancia que puede tolerarse sobre los limites degeados de la escala de frecuencias. La ecuacién mostrada supone una cafda de la salida de tres db a la frecuencia mas baja deseada. R= (16) Ga an* 2mfK, en donde: K, = Constante empfrica dependiente del material Silicio — 35 x 10° Germanio — 25 x 10° f£ = Frecuencia inferior deseada 19. Se puede calcular ahora la ganancia de potencia de la etapa en funcién de la potencia rms de salida y los pardmetros de entrada base-emisor. 2Permsy 26. <2 18 Vin Tis ey 20. Se requiere la impedancia secundaria del transformador de entrada a la etapa de salida de potencia, primero para el disefio * Ecuacién derivada en el Cap. 6PROCEDIMIENTOS DE DISENO DE EXCITADORES ... 33 del transformador y posteriormente para el calculo de la impedancia primaria del excitador. Puesto que en el circuito de entrada, ambos elementos serie Ry y R; han sido desacoplados, se puede calcular la impedancia secundaria Z, del transformador de entrada a partir de las corrientes y voltajes pico de base: y= Mew (19) _ Se han determinado asi todos los componentes y pardmetros del dispositivo necesarios para la etapa de salida. Normalmente una etapa de potencia, de salida, requiere una entrada excitadora y se evaluaran a continuacién las constantes del circuito de colector de una etapa excitadora. 21. La ganancia maxima de potencia en la etapa excitadora se logra mediante impedancia maxima de carga de colector. El reque- rimiento de potencia de salida del excitador usualmente es bajo y esto permite usar un transformador de entrada de primario de alta impedancia. Puesto que con una carga de alta impedancia se obtienen facilmente los requerimientos de oscilacién de voltaje de colector, se puede suponer un valor prdctico de alta impedancia Z,., primaria para el transformador del excitador. Los valores practicos son tan altos como 20 kilohms. Puede ser necesario un compromiso en apli- caciones en donde el voltaje de alimentacion V,..p) del excitador es extremadamente limitado y es necesario un sacrificio en la ganancia maxima de potencia. Se puede aproximar un valor de Za.) en la Ec. (20) en funcién del V.o», disponible. = Vea = 3V. Zeon = Veer lop 22. La corriente pico de colector del excitador es dependiente de los requerimientos de entrada de potencia de la etapa de salida y de la impedancia primaria Z.;p) del transformador. Este requerimien- to de corriente pico se puede calcular con la Ec. (21). lepeo = atx)? 7) (20) (21) 23. El punto quiescente de corriente de colector del excitador se determina por la corriente pico de colector antes calculada. La co- rriente quiescente deber4 ser mayor que la corriente pico de colector para evitar la operacién del dispositivo en la regién no lineal de la curva yey. Resultard una distorsién de la sefial del excitador si se deja operar al dispositivo a corte, asi que se escoge un valor minimo de corriente de colector que esté siempre arriba de la rodilla de la34 DISENO DE CIRCUITOS PARA AUDIO AM/FM ¥ TV curva Yu. Se puede calcular Ja corriente quiescente de colector con la Ec. (22): Team» = lem + 1.0 X 10-9A (22) 24. Los requerimientos de voltaje de alimentacién del excitador, pueden ser considerablemente menores que Jos requerimientos de la etapa de salida de potencia, debido a la menor potencia de salida del excitador. El voltaje minimo de alimentacién del excitador se puede calcular mediante la Ec. (23) en funcién de los parametros de base-emisor de la etapa de salida y el voltaje de saturacién del dispositivo excitador. Se puede entonces obtener este voltaje de ali- mentacion de excitador haciendo caer el voltaje de alimentacién de la etapa de salida a través de un resistor de desacoplo 0 suminis- trando una fuente separada de voltaje. Voy = eB + 3V erat @)* cow 25. Se han calculado asi los requerimientos criticos de colector del excitador y se puede determinar el resto de los pardmetros y componentes del excitador utilizando las ecuaciones apropiadas de- rivadas para el mismo arreglo de acoplamiento en una etapa de salida Fic. 4. Diagrama esquemético. Clase A, entrada acoplada a RC, salida aco- plada a transformador + Eouacién derivada en el Cap. 6. anPROCEDIMIENTOS DE DISENO DE EXCITADORES ... 35 de potencia. Se pueden calcular con la Ec. (24) los requerimien- tos de potencia de salida del dispositivo excitador, en funcién de los Tequerimientos del colector. Topeos” fun y (24) Pocrmsxmy = ENTRADA ACOPLADA A RC, SALIDA ACOPLADA A TRANSFORMADOR En la Fig. 4 se muestra un diagrama de circuito y en la Fig, 5 se dan caracteristicas dinamicas para esta combinacién de aco- plamiento. . 1. La disipacion maxima ocurre en los amplificadores clase A al punto quiescente de cero sefial de entrada. Normalmente, las etapas clase A se polarizan para una corriente de sobrecarga de 25% , para compensar un corrimiento en el punto quiescente del cir- cuito producido por variaciones de temperatura. Por lo tanto, la po- tencia de salida P,jms) se relaciona a la disipacién de potencia Pipis) del dispositivo, segtin se muestra en la Ec. (1): Ponts) = 3.12Pocoms) Cle 2. Esta capacidad de disipacién de potencia del dispositivo, de- berd satisfacerse a las condiciones de temperatura de operacién, La temperatura maxima permisible del dispositivo que puede tolerarse sin exceder las especificaciones del dispositivo se calcula de la Ec. (2). La pendiente de correccién del transistor, la especificacién maxima de potencia del dispositive y la temperatura correspondiente T., se toman de la hoja de datos del dispositivo. 1, = Pawn Fo + KT en donde: K, T, Pendiente de correccién del transistor — mW/°C Temperatura m4xima de operacién del dispositivo a Proisy — °C T. = Temperatura relacionada a la Poon) m4xima del dis- positivo — °C Pixon) = Potencia nominal maxima del dispositive — mW. * Ecuscién derivada en el Cap. 6.