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La estructura atmica de los materiales, formada por un ncleo rodeado de electrones, determina
segn la ENERGIA de los electrones de su ltima capa (llamada de valencia), que estos se
clasifiquen en Conductores, Aisladores y Semiconductores. Adems y segn lo determina la fsica
moderna, la energa de los electrones se encuentra cuantificada en bandas, de modo que los
electrones que existen en cierto sector deben poseer energa para estar all, existiendo espacios
energticos prohibidos entre una banda y la siguiente. El ancho de esta banda prohibida define a
los materiales como conductores, aisladores y semiconductores.
Aisladores: En estos materiales, a temperatura ambiente los electrones de la ltima capa del
tomo se encuentran fuertemente ligados al tomo, de modo que no pueden soltarse de los
tomos y en la estructura no existen cargas que puedan considerarse libres para conducir
corriente. La energa necesaria para liberar electrones es muy grande (el ancho de la banda
prohibida) con niveles que van desde 6 eV hasta 15 Ev.
A 0K todos los enlaces covalentes estn fuertemente amarrados y no existen electrones que
puedan soltarse, con lo cual se puede decir que es un aislador. Sin embargo, a temperatura
ambiente (300K), algunos electrones adquieren la energa necesaria para romper el enlace y
abandonar la banda de valencia, pasando a la banda de conduccin como electrn libre (figura 1).
Pero esto trae consigo un fenmeno que no se produce en el conductor. El hecho que un electrn
abandone el enlace deja tras de si un ion positivo de carga equivalente a la del electrn. A esta
carga positiva se la llama hueco y por una lgica elemental, en el material existen siempre la
misma cantidad de electrones que de huecos, ya que su generacin es simultnea: Par electrn
hueco. Es por lo tanto la temperatura la que produce esta generacin de pares electrn-hueco ,
dejando DOS tipos de cargas para la conduccin: Electrones libres y el hueco en el tomo.
Conduccin por huecos: Este fenmeno se produce debido a que por la cercana y similar energa
de los electrones de un enlace vecino, es relativamente fcil que un electrn abandone su enlace
para ocupar el lugar de un hueco
existente. Sin embargo, este electrn
deja un hueco tras de si en el enlace
anterior. Supongamos que un electrn
se mueve hacia el hueco que est a su
izquierda, dejando un hueco atrs. Si
se observa desde el punto de la
existencia del hueco, ste habr
avanzado hacia la derecha, por lo que
se podr considerar que es el hueco el
que se mueve, una carga positiva de
igual magnitud a la del electrn y que
coincide con el sentido de la corriente
convencional. Por lo tanto, aparece
conduccin de corriente por huecos,
independiente de la que pueda ocurrir debido a los electrones libres pero con el mismo sentido.
Ntese que este mecanismo NO SE DEBE a los electrones libres.
Habiendo establecido que en un semiconductor existen ambos tipos de cargas para conduccin de
corriente, es posible asumir que existir una movilidad de estas cargas cuando se aplique un
campo elctrico. Esta movilidad es diferente debido a que unos son electrones libres y los otros
son huecos que se trasladan, siendo esperable que los huecos sean ms lentos que los electrones
ya que en realidad se trata de iones en movimiento. La movilidad de los electrones ser (n) y la
de huecos ser (p).
Recombinacin de pares electrn hueco: La generacin del par electrn hueco debida a la
temperatura deja un electrn libre en la malla cristalina. Sin embargo, este electrn puede
encontrar un enlace incompleto y llenar ese hueco desapareciendo simultneamente un electrn
y un hueco. Esto se llama recombinacin y a ella est ligada un cierto tiempo de vida del par, tema
que va ms all de los alcances del presente curso. Es necesario destacar que la velocidad de
GENERACION de pares electrn hueco es igual a la velocidad de RECOMBINACION y ambas
aumentan con la temperatura.
Difusin: Siendo el material una estructura neutra y en equilibrio, si por alguna razn existiere una
diferencia de concentraciones de huecos y electrones, se producir la difusin o el traslado de
cargas hasta igualarla, ya que una diferencia de concentraciones significara que habra diferencias
de energa dentro del material. Este movimiento produce corriente por difusin y no es un
fenmeno elctrico sino estadstico existiendo una CONSTANTE de Difusin tanto para electrones
(Dn) como para huecos ( Dp). Asociada a la difusin existe una distancia dentro del material en la
cual se producen todas las recombinaciones, las que nominaremos Lp para los huecos y Ln para los
electrones. (No son iguales pues el tiempo de vida ni la velocidad lo son. Esto es un tema que va
ms all de los alcances de este curso)
= = =
11600
= ( + )
= 2
Adems por neutralidad elctrica, dentro del material las cargas positivas deben ser iguales a las
negativas. Con esto podemos anotar
+ = +
= +
Como son los electrones de un material tipo N, usaremos el sub ndice n, nn=Nd. Entonces la
concentracin de huecos en este material ser
Pn=ni2/Nd
De modo anlogo, en un material tipo P, los huecos son portadores MAYORITARIOS pp= Na y los
electrones sern minora con una concentracin np=ni2/Na
JUNTURA P-N
POLARIZACION INVERSA:
La polarizacin inversa tiene como efecto aumentar la cantidad de iones fijos de la juntura ya que
por el efecto de la batera los electrones y huecos se alejan de la juntura y se dirigen hacia los
extremos. Esto hace que existan electrones y huecos que abandonan sus tomos y aumente la
cantidad de iones a ambos lados de la barrera. Sin embargo, los portadores minoritarios de ambos
lados de la juntura siguen estando sometidos a la diferencia de potencial causada por estos iones,
lo que produce una corriente de arrastre que no es compensada por la difusin (no hay
recombinacin). Esta corriente es la Corriente Inversa de Saturacin. Se puede demostrar que la
corriente inversa de saturacin Is puede ser calculada con la siguiente expresin:
= 2 ( + )
Con
A= Area de la juntura
ni = concentracin intrnseca
q= carga del electrn
Nd=concentracin de material donador (nn)
Na=concentracin de material aceptador(pp)
Ln= longitud de difusin de los electrones
Lp= longitud de difusin de los huecos
Dp=Constante de difusin de los huecos
Dn=constante de difusin de los electrones
Al reemplazar ni2/Na por np y ni2/Nd por pn se observa que esta corriente es debida a los
portadores de carga minoritarios presentes en ambos lados de la juntura.
En principio esta corriente depende de la temperatura y de los dopados, por lo que a una
temperatura constante debera ser constante. Sin embargo, si la diferencia de potencial inverso
aplicado alcanza un cierto valor ocurre que los portadores minoritarios adquieren suficiente
energa como para colisionar a los iones y tomos vecinos rompiendo enlaces covalentes y
generando ms portadores minoritarios, los que a su vez harn lo mismo, producindose un
efecto de multiplicacin por avalancha en el cual la corriente inversa seguir aumentando sin que
exista un aumento en la tensin de la juntura. El valor de la corriente inversa estar limitado por el
circuito externo. Este fenmeno se conoce como efecto Ruptura por Avalancha y la tensin a la
que se produce es la Tensin Inversa de Ruptura. Otra posibilidad de aumento de la conduccin
inversa es que la misma tensin aplicada, aunque sea baja, forme un campo elctrico capaz de
romper los enlaces covalentes lo cual se logra con zonas fuertemente dopadas y de juntura
estrecha. En este caso se trata de tensiones bajas y el efecto recibe el nombre de Zener. Algunos
diodos se construyen de modo que su tensin Zener est entre 3 y 30 V, soportando corrientes de
algunos cientos de miliamperes o potencias hasta unos 5 W. Estos son llamados Diodos Zener y se
utilizan como referencia de tensin, debido a que una vez que se produce la avalancha, la tensin
permanece ms o menos constante ante cambios en la corriente inversa. Los dos efectos
descritos son similares y para el caso del diodo comn se debe evitar que la tensin supere la
ruptura pues la juntura se destruir
POLARIZACION DIRECTA
En este caso el lado p se conecta al positivo de una batera y el lado n al negativo. Con esto, la
batera entrega energa suficiente para que los portadores de carga atraviesen la juntura y se
recombinen en la zona correspondiente. Se produce una gran corriente de portadores
mayoritarios la cual se puede calcular segn la siguiente expresin:
= (exp ( ) 1)
Como ejemplo se calcula una tabla de valores de ID(VD) para un VT= 0,025. Se aprecia que para
una tensin directa menor que 0,5 V la corriente es muy baja, pero al acercarse a 0,7 crece
rpidamente:
V DIODO ID Amperes
0.4 1,0663E-07
0.5 5,822E-06
0.6 0,00031787
0.65 0,00234876
0.7 0,01735508
0.75 0,12823769
0.8 0,94755552
0.85 7,00154091
0.9 51,7347786
En la curva del diodo se pueden definir dos tipos de resistencia. La primera es la ESTATICA que es
sencillamente el cociente entre la tensin y la corriente en un punto VD,ID
RD= VD/ID
Sin embargo, existe una resistencia llamada ac o dinmica, rd, la cual corresponde a la pendiente
de la curva del diodo en el entorno a un punto de operacin VD, ID. Para determinar esta
resistencia se recurre a una simplificacin de la expresin de la curva ID, eliminando el 1
VD dID dIS VT
VD
dID 1 VD
ID IS * e VT derivando * e lo que da IS * e VT
dVD dVD dVD VT
dID VT
Ahora si consideramos rd = 25mV/ID
dVD ID
Es decir, la resistencia dinmica de un diodo polarizado con una corriente directa ID resulta ser la
tensin VT dividida por esta corriente. Como ejemplo, si ID=25 mA, entonces rd=1 Ohm.
Diodo IDEAL:
Puede entenderse como un diodo IDEAL en serie con una fuente dc de 0.7V. Este modelo evita el
efecto tan drstico de cortocircuitar un diodo directo y muestra la tensin de encendido que
aparece entre Ay K de un diodo en conduccin., Su resistencia
rd=0, en el entendido que todas las resistencias del circuito
son mucho mayores que 10 ohm, valor tpico de rd.
En este caso, una vez determinado el valor de la resistencia dinmica, se utiliza el siguiente
modelo:
RECTIFICADORES:
El uso ms difundido de los diodos es en la conversin de corriente ac en dc. A partir de una
fuente de tensin ac se coloca en serie con una resistencia de carga RL un diodo. El efecto es que
el diodo est directo y conduciendo por un semiciclo, en tanto que en el siguiente queda inverso y
no conduce. Se obtiene as una corriente que circula en un sentido y aunque es pulsante posee un
valor medio, es decir tiene una
componente continua la que puede
ser utilizada por algunas
aplicaciones directamente. Sin
embargo, para la mayora de las
aplicaciones electrnicas, ser
necesario eliminar al mximo la
pulsacin acercndola ms al ideal
de una corriente continua esto es,
una funcin que no posee
componentes alternas.
La entrada es una sinusoide de valor mximo Vmax. . Durante los semiciclos positivos de la tensin
de entrada el diodo conduce y durante los ciclos negativos no lo hace, por lo que la tensin en la
carga debida a la corriente que pasa por RL es la indicada en la figura 8, en la que se aprecia
claramente una Tensin (y
corriente) de semiciclos
positivos con un valor
mximo y un valor medio.
Con esto, una aplicacin
como un motor dc o una
batera pueden funcionar
para girar o recibir carga,
respectivamente.
En la forma de onda de la figura 8 se pueden distinguir ciertos factores o cifras que se definen para
indicar cuan buena es la conversin.
Vrms( salida )
r que para el caso que se est analizando queda convertido en
VDC
2
Ief I I
r 1 el cual evalundolo con Ief max y con Icc max resulta 1.21, valor que es
Icc 2
independiente de RL . Se aprecia que la corriente alterna es mayor que la continua lo que hace que
muchas aplicaciones electrnicas no puedan utilizar esta tensin, por lo que se recurre a agregar
un condensador en paralelo con la carga, de modo que almacene corriente durante la subida de la
tensin y entregue corriente cuando el diodo no conduce, descargndose sobre RL manteniendo
una tensin mayor y algo ms pareja que las pulsaciones de semiciclos.
Este circuito se llama Rectificador de Media Onda con filtro Capacitivo. El trmino filtro indica
que el condensador C est all para filtrar la
tensin de salida y permitir que sea slo la
componente DC la que pase a RL. Por ende es un
cortocircuito para las corrientes alternas y las pone
a tierra. Al menos esta es la idea.
VR Icc
VDC V max V max
2 2* f *C
Donde VR es la tensin peak to peak del rizado de la onda triangular (aproximacin para la de
sinusoide de carga y la descarga exponencial)
Icc
VR
f *C
1
En este caso el valor del FACTOR DE RIZADO es r
2 * 3 * f * C * RL
2 * Vmax
VDC
Y el factor de rizado es
2
Ief
r 1 0.48
Icc
Con Filtro de Condensador: Para
disminuir el rizado se puede agregar un
condensador en paralelo con la carga RL
como se muestra en la figura 13.
VR Icc Icc
VDC V max V max con VR
2 4* f *C 2* f *C
1
Y el factor de rizado queda como r
4 * 3 * f * C * RL
FILTRO LC:
Existe un filtro llamado tambin de seccin en L el cual resulta muy aplicable cuando la frecuencia
de la red es alta.
El circuito es el siguiente:
En este circuito se cumple que
2 * V max 2
VDC y el factor de rizado es r
48 * * f 2 * L * C
2
Si L fuera muy pequea (en el lmite un cortocircuito) el filtro quedara como un filtro capacitivo
puro y en ese caso la corriente proveniente de los diodos se cortara al cargar el condensador y
volvera a circular por un instante lo suficiente para recuperar la carga en cada semiciclo. Para
evitar que la corriente deje de circular por los diodos es necesario que L tenga un valor mnimo
llamado Inductancia Crtica que est determinado por
RL
Lc
6* * f
VDC
No hay que olvidar que RL
IDC