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XIX Simposio Peruano de Energa Solar y del Ambiente (XIX SPES), Puno, 12-17.11.

2012

CLCULO DE BANDA DE ENERGA PROHIBIDA DE CdTe POR EL


MTODO DE PUNTO DE INFLEXION.

Oswaldo Morales Morales - wal23do@gmail.com


Kleber Janampa Quispe Kleber_jq@yahoo.es
Universidad Nacional de San Cristbal de Huamanga, Departamento Acadmico de Matemtica y Fsica.
Octavio Cern Balboa ocb4567@hotmail.com
Julio Or Garca - info@hi5.com
Universidad Nacional de San Cristbal de Huamanga, Departamento Acadmico de Matemtica y Fsica.

Resumen. El Teluro de Cadmio (CdTe) es un semiconductor intrnseco que se torna en semiconductor de tipo p, en
el proceso de su fabricacin, por la incorporacin de Oxgeno. Este material es ampliamente utilizado en la
fabricacin de clulas solares CdS/CdTe que son los ms econmicos en el mercado Mundial. El objetivo de este
trabajo fue calcular la banda de energa prohibida de CdTe. La fabricacin del semiconductor CdTe en forma de
lmina fina, depositado sobre un vidrio, fue realizado por el mtodo de Sublimacin en el espacio cerrado (CSS). El
clculo de la banda de energa prohibida de CdTe fue efectuado utilizado el mtodo del punto de inflexin en la curva
de transmitancia obtenido con un espectrmetro Ultravioleta visible. El valor obtenido de 1.501 eV como resultado,
concuerda plenamente con los valores que se encuentra en la literatura de semiconductores; los procedimientos
involucrados en este clculo es sumamente sencillo comparado con otros mtodos que sirven para calcular lo mismo.
Palabras clave:
Teluro de Cadmio, CdTe, semiconductor tipo p.

Abstract. Cadmium telluride (CdTe) is a semiconductor that becomes intrinsic semiconductor type "p" in the
manufacturing process, for the incorporation of oxygen. This material is widely used in the manufacture of solar cells
CdS / CdTe which are cheaper in the world market. The aim of this study was to calculate the energy band gap of CdTe.
CdTe semiconductor manufacturing thin sheet form, deposited on a glass, was performed by the method in the closed
space sublimation (CSS). The calculation of the energy band gap of CdTe was performed used the method of turning
point in the transmittance curve obtained with a UV visible spectrometer. The obtained value of 1.5010 eV as a result,
is fully consistent with the values found in the literature of semiconductors; the procedures involved in this calculation
is very simple compared to other methods used to calculate the same.
Keywords:
Cadmium telluride, CdTe, p-type semiconductor.

1. Introduccin
Este trabajo fue motivado por la escasa o casi nula referencia bibliogrfica en cuanto al mtodo de punto de
inflexin utilizado para determinar las bandas de energa prohibida de los semiconductores; tambin, por la importancia
de caracterizar semiconductores por sus grandes demandas en muchas de sus aplicaciones en la actualidad.
Consideramos necesario dar una informacin breve del material de investigacin y mtodo que ha sido utilizado
en este trabajo; por tanto, sealamos tres puntos esenciales:
1.1 Teluro de Cadmio (CdTe): Es un material con muchas aplicaciones tecnolgicas que en la actualidad
despierta gran inters a los investigadores. Como semiconductor intrnseco tiene una banda de energa prohibida de 1.5
eV aproximadamente, correspondiente a la regin del infrarrojo prximo (827 nm) del espectro electromagntico y
presenta un alto coeficiente de absorcin del orden de (Romeo et al., 2004). Este semiconductor binario,
compuesto por el grupo II-VI de la tabla peridica, cuya estructura cristalina se muestra en la Fig.1, se puede tornar
semiconductor de tipo p o de tipo n dependiendo de los elementos dopantes que se pueden introducir en el proceso de
fabricacin: cuando de introduce oxgeno en el proceso de fabricacin el CdTe se torna en un semiconductor de tipo p.
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Por esta razn, se presta para muchas aplicaciones: capas finas de CdTe son ideales para la construccin de clulas
solares, detectores de radiacin infrarrojo, detectores de rayos X e de rayos gama, as como la fabricacin de
dispositivos opto electrnicos. El teluro de cadmio tiene una estructura cristalina cubica del tipo sulfato de zinc con
parmetro a = 6.48 (Guimares, 2006).

Fig. 1. Estructura cristalina cubica de CdTe.

1.2 Bandas de energa Prohibida de semiconductores.


Es la energa mnima necesaria para romper los enlaces covalentes de los semiconductores (Shalinova, 1975). En
otros trminos es la energa necesaria para promover los electrones de la banda de valencia a la banda de conduccin
(Hamaguchi, 2009).

1.3 Mtodo de punto de inflexin para determinar la banda de energa prohibida de los semiconductores se basa
en el criterio del nivel de energa mnima necesaria de los fotones para romper el enlace covalente de la red cristalina y
promover los electrones de este semiconductor de la banda de valencia hasta la banda de conduccin. Indicando que a
partir de un punto correspondiente a una longitud de onda, la absorcin de fotones ya no promueve electrones a la banda
de conduccin, porque la energa de los fotones es menor al ancho de la banda prohibida. Este punto est caracterizado
por el punto de inflexin de la curva de transmitancia del semiconductor.

2. Materiales y Mtodos
Para detallar los procedimientos experimentales, tenemos:
2.1. Implementacin del sistema CSS.
Construir un sistema de sublimacin en espacio cerrado (closed space sublimation -CSS) para depositar una capa
fina de teluro de cadmio, requiere conocer el principio y condiciones de funcionamiento del sistema CSS, igualmente
las condiciones de sublimacin de CdTe. La caracterstica fundamental de este sistema de deposicin es la pequea
distancia que se establece entre fuente de CdTe y el porta substrato, que es del orden de 2 mm; el gradiente de
temperatura que se estable para sta distancia es del orden de 60 oC; la temperatura de deposicin de CdTe es mayor a
500 oC, y el proceso de sublimacin debe ser realizado en vaco. El fundamento de este mtodo es quebrar las
molculas de CdTe en sus componentes Cd y Te por efecto de la temperatura para formar gas de partculas, los que se
difundirn hacia el porta substrato, por gradiente de temperatura establecida. Este proceso es posible gracias a la
reversibilidad de CdTe para reaccionar despus de ser quebrado en sus componentes.
Teniendo en cuentas estas condiciones y particularidades de sublimacin, fue diseado un sistema CSS de
cermica cuyo componente principal, el horno, el que est mostrado en la Fig.2 y su implementacin con sensores de
vaco y otros medidores estn mostrados en la Fig.3. Los detalles de su fabricacin y dimensiones sern publicados en
otro trabajo.
El Horno est montado sobre un disco de aluminio implementado de conexiones que sirven para entrada de
corriente, sensores de temperatura y orificios que sirven para hacer el vacio y entrada de gas al sistema.
Este horno equipado con los otros accesorios como bomba de vaco, sensor de vaco, termmetro, ampermetro,
variador de tensin entre otros est armado en una mesita metlica, tal como muestra la Fig. 3
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Fig. 3. Sistema CSS implementado con cermica


Fig. 2. Horno de cermica para sublimacin de CdTe.
para sublimacin de CdTe ( Morales, 2011).

2.2. Preparacin de muestra.


El teluro de cadmio en polvo fue previamente molido en mortero de gata para disminuir el tamao de sus granos,
despus 0.2g fue esparcido uniformemente sobre el porta muestra del sistema CSS fabricado, seguidamente se coloc el
porta substrato sujetndolo al cilindro mayor con un fijador metlico.
2.3. Deposicin de lmina fina de CdTe.
Seguidamente, en el sistema CSS se hace el vaco hasta 300 mTorr., calentado con 3,6 Amperios de corriente AC
hasta 520 oC durante 15 minutos y mantenindose a esa temperatura por 5 min para la deposicin de la lmina de CdTe,
finalmente desconectado la fuente para su enfriamiento. Como resultado se obtiene una capa fina de CdTe depositado
sobre un vidrio, del orden de 1m a 3m. el que se muestra en la Fig.4.

3. Resultados y Discusin.
Fue necesario realizar dos medidas: Difraccin de rayos X y Transmitancia del material elaborado. La primera
medida, para ver su pureza y la segunda para calcular su banda de energa prohibida.
3.1. Difraccin de rayos X de CdTe.

50000

CdTe

40000

(111)
30000
ua

20000

10000

(220) (311) (422) (511)


(400) (331)
0
20 30 40 50 60 70 80
0
2 ( )
Fig. 4. Lmina fina del semiconductor de CdTe
depositado sobre vidrio. Fig. 5. Difraccin de Rayos X del semiconductor de
CdTe, elaborado en este trabajo.
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Despus de haber caracterizado los picos del difractograma de este material, fue contrastado con el padrn de
difraccin de rayos X de CdTe PDF 15-0770, observndose la coincidencia perfecta; por tanto, se afirma que el material
elaborado no presenta impurezas significativas que puedan alterar la estructura cristalina.
3.2. Transmitancia de CdTe.
Como puede observar la grfica de la transmitancia de CdTe en Fig. 6, presenta un punto de inflexin en torno a
o = 826 nm, a partir de ello el proceso de absorcin se torna insignificante para la promocin de electrones: los
fotones que inciden con longitudes onda mayores a 826nm ya no tienen energa suficiente para promover los electrones
de valencia a la banda de conduccin del semiconductor CdTe.

B
100

80

CdTe
Transmitancia %

60

40

20

0
350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950 1000
Longitud de onda (nm)
Fig. 6. Curva de transmitancia del semiconductor de CdTe.

3.3. Clculo de banda de energa prohibida.


Aprovechando este criterio, la absorcin ocurre cuando hv Ec Ev Eg (o ) . Por tanto la mnima energa
hc
capaz de promover un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin est dado por: Eg Eg (o ) .
o
Reemplazando los valores: el valor de o = 825.945 eV, la que se obtiene derivando la curva de transmitancia de CdTe
usando el programa Origin 8.5 (Morales, 2011); los otros valores h y c son conocidos, pues son constante de Planck
(4.135667 x 10-15 eV.s) y velocidad de luz ( 3x 108 m/s), respectivamente, se tiene la siguiente tabla.

Tabla 1. Banda d energa prohibida del semiconductor de CdTe, en funcin de la longitud de onda.

Material (nm) Eg(eV)


CdTe 825.9450 1.5010
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3.4. Conclusiones:
a. El valor encontrado de la banda de energa prohba para el teluro de cadmio, elaborado en este trabajo, es de
1.501 eV.

b. El mtodo de punto de inflexin, para el clculo de banda de energa prohba de semiconductores en este caso
mostr ser eficiente por su sencillez y operaciones fciles involucrados; el valor obtenido concuerda muy bien
con los valores estndares que se encuentra en la literatura de semiconductores.

c. Se mostr la importancia y la sencillez del mtodo de punto de inflexin para el clculo de bandas de energa
prohibida de semiconductores que presentan punto de inflexin en su curva de transmitancia.

d. No es necesario, previamente calcular la curva de reflectancia, para calcular el coeficiente de absorcin que se
utiliza para calcular la banda de energa prohibida como lo hacen para otros mtodos.

4. Referencia Bibliogrfica.
Bonnet, D., Rabenhorst H. 1972. New results on the evelopment of a thin film p-CdTen-CdS heterojunction solar
cell. In: Proceedings of the 9th Photovoltaic Specialists Conference, pp. 129131.
Guimares, Luciano de Moura. Electrodeposio galvanosttica de Telureto de Cdmio sobre silcio
monocristalino (111). 2006. 67 f. Disertao de Mestrado. Universidade federal de Viosa. Brasil.
Hamaguchi, C. 2009. Basic Semiconductor Physics. 2.ed. Osaka. Japan. 581p.
Morales, O. 2011. Construo e caracterizao de clulas solares de filmes finos de CdTe. 2011. 80f. Disertao
de Mestrado. Universidade Estadual Paulista de So Paulo Ilha Solteira.
Romeo, N., Bosio, A., Canevari, V., Podesta, A. 2004. Recent progress on CdTe/CdS thin film solar cells. Solar
Energy 77, 795801.
Shalinova, K.V. 1975 Fsica de los semiconductores. Mosc. Ed.. MIR. 320p.

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