ELEMENTOS ELECTRNICOS DE JUNTURA - TRANSISTORES

Vaca David
Ingeniera Mecnica, Escuela Politcnica Nacional

Quito, Ecuador

david_avt93@hotmail.com

I. TRABAJO PREPARATORIO cumple que IC=IB, se dice que tanto la juntura base-
emisor como la base colector se encuentran
polarizados directamente, por lo que se cumple la
1. Presentar y explicar las regiones de trabajo de siguiente condicin:
un transistor TBJ: zona de corte, zona de VBE=VBEsat=0.8
saturacin, regin activa normal. VCE=VCEsat=0.2

2. Consultar las caractersticas del transistor

2N3904 (incluir diagrama de pines, valor de
beta (hfe), voltaje colector emisor mximo
VCEO, corriente mxima de colector IC,
potencia mxima PMAX).

Figura 1. Zonas de trabajo de un transistor [1]

En un transistor de juntura bipolar el tipo de

operacin del transistor (regin de trabajo), est dado
por la tensin que se aplique en cada uno de los
terminales del mismo, ya que en cada regin se
tendrn diferentes corrientes y tensiones, y las
mismas cumplirn con una relacin especfica.

Regin de corte: Haciendo la analoga con un switch,

se puede decir que en la regin de corte no circular
corriente entre los terminales Colector-Emisor, es
decir no hay circulacin de corriente entre base-
emisor (VBE=0). Con la condicin IE=0, IE<0

Regin activa: es la regin normal de operacin para

un transistor, bsicamente la corriente circula entre
colector-emisor y base-emisor, es decir se cumple
que existe polarizacin directa entre base-emisor y
polarizacin inversa ente colector-base.

Regin de saturacin: igualmente realizando la

analoga con un switch, se puede decir que en la
regin de saturacin existir circulacin de corriente
entre los terminales Colector-Emisor, pero no se
Figura 2. Caractersticas del transistor 2N3904 [2]
 3. Simular el circuito de la fig1. Tomando en
cuenta los siguientes datos:

Fig. 1. Transistor como amplificador en configuracin de

emisor comn

- Vcc=15V (Voltaje DC) - RE2 = 820

- R1= 12 k - RL = 10 k
- R2= 3 k - CB = 33 F
- Rc= 3 k - CE = 330 F
- RE1= 180 - CC = 22 F
- Vin=0.1sen(wt) V
f= 1khz

REFERENCIAS

[1] BOYLESTAD, Teora de Circuitos y Dispositivos

Electrnicos 10ma edicin

[2]http://www.alldatasheet.es/view.jsp?Searchword=2N3
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