Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
TRABAJO:
AMPLIFICADORES OPTICOS.-
- EDFA
- RAMAN
- SOA
- REGENERADORS OPTICOS
Alumnos:
Nmero de amplificadores
Alrededor de 12.
Adicionalmente, la amplificacin:
Al mismo tiempo,
Efecto Raman.-
Cuando una seal ptica de bombeo encuentra una fibra ptica,
experimenta un cierto grado de dispersin espacial causada por vibraciones
moleculares (o fonones).
Lseres de bombeo.-
El diseo de un amplificador Raman es ms simple que el de un
EDFA de banda ancha. Escogido las longitudes de onda y las potencias de los
bombeos, se reduce a una cuestin de cmo disear una unidad capaz de
generar estas salidas y multiplexarlas en el interior de un sistema de fibra. El
mdulo se compone bsicamente de una serie de fuentes lser, un esquema
de multiplexacin (longitud de onda y polarizacin), un sistema de
monitorizacin ptica y un multiplexor de fibra (figura 3).
Las fuentes lser de bombeo son el principal motor del mercado de los
amplificadores Raman. Se necesitan lseres de bombeo con altas potencias de
salida en el margen de longitudes de onda de 14xx nm para la amplificacin de
seales en banda C y banda L. Mltiples fabricantes ofrecen lseres de
bombeo de alta eficiencia con potencias entre 300 y 500 mW (figura 4).
Tambin se han demostrado lseres con ms de 1 W de potencia a mltiples
longitudes de onda y ms de 700 mW en la fibra. Adicionalmente, algunas
empresas comercializan mdulos de bombeo con integracin hbrida que
proporcionan ms de 400 mW. Por ejemplo, dos chips lser de bombeo de 400
mW multiplexados en polarizacin pueden proporcionar 720 mW a una nica
longitud de onda con un haz de salida despolarizado.Pueden encontrarse
tambin mdulos con varios lseres de bombeo multiplexados en longitud de
onda. La seguridad ocular (eye-safety) es una de las principales
preocupaciones asociadas a los amplificadores Raman, ya que tpicamente se
trata de dispositivos lser de Clase 4 (potencias de salida superiores a los 500
mW).
Ej. Con un laser de bombeo a 1450 nm, el centro de la ventana raman estar a
1550 nm.
AMPLIFICADOR PTICO DE SEMICONDUCTOR
SOA
2. Conceptos.-
En un LS-FP(Laser de semiconductor Fabry-Perot). La
regin activa es una gua de onda ptica que esta limitada en sus
extremidades por dos espejos que se forman naturalmente en el
momento de clivar la estructura. Este corte de la estructura produce una
interface: semiconductor aire, que refleja la luz que viaja dentro la
regin activa, dado que el ndice de refraccin del semiconductor es
aproximadamente 3 veces mayor que el ndice de refraccin del aire.
Para obtener un AOS a partir de un LS-FP, es entonces necesario
disminuir drsticamente la reflexividad de las facetas del laser. Esto se
logra depositando pelculas antirreflectoras en las facetas del LS-FP.
Al depositar las pelculas y reducir las reflectividad de las facetas, el LS-
FP se convierte en un AOS con amplificacin de un solo paso, dado que
no hay retroalimentacin ptica. ste es comnmente llamado
amplificador de ondas progresivas (TWA traveling wave amplification),
su diagrama se observa en la figura 1 para un AOS masivo guiado por
ndice.
Especficamente, una pelcula de algn material, tiene por efecto
producir interferencia entre las reflexiones producidas en cada interface
por donde pasa la seal ptica, como se puede observar en la fig. 2.
Dependiendo de los fase de los haces reflejados estos
pueden interferir entre si de manera:
- Constructiva o
- Destructiva.
Siendo el espesor ptico del material y el ndice de
refraccin de las pelculas del semiconductor, los parmetros que rigen
el desfasamiento.
Fig 2. Pelcula antirreflectora entre dos medios de propagacin n1 y n2 y i1, i2 son las
intensidades reflejadas de la seal incidente Io en las fronteras de la pelcula delgada
Recorrido del haz en el air, en la pelcula antirreflectora y en el semiconductor.
(1)
(2)
Por otra parte la admitancia Y de la pelcula est definida de acuerdo a la
siguiente expresin:
(3)
La cual permite calcular el coeficiente de reflexin de la pelcula establecido de
la siguiente manera:
(4)
Donde n0 es el ndice de refraccin del aire. Por otro lado la reflectividad R se
define:
(5)
De la ec.(5) se puede ver que para que la reflectividad sea igual a cero, es
necesario que (rho) sea igual a cero. Esto se logra de acuerdo a la Ec (4),
cuando la admitancia es igual a 1. Ya que n0 = 1 (aire). Esta condicin se
puede cumplir cuando la diagonal de la matriz caracterstica es igual a cero, es
decir, cuando = /2 o bien cuando el espesor ptico es igual a /4. Una vez
que: nd = /4 y = /2 son sustituidos dentro de la ec.(1), la admitancia
definida por la ec (3) toma la forma:
Sin embargo, en la actualidad, las prestaciones no son tan buenas como las
que presentan los EDFAs. Los SOAs presentan mayor factor de ruido, menos
ganancia, son sensibles a la polarizacin, son muy no lineales cuando se
operan a elevadas velocidades...
Explicacin Ilustracin
Una seal deja al Tx en 0 dB.
Al viajar la seal por la fibra, va
perdiendo potencia. Al momento de
llegar al Rx, la seal lleva una perdida
de -20 dB si esto esta en el rango
operativo del Rx se tiene un sistema
en buenas condiciones.
Para compensar la perdida de
potencia de una seal se aade un
amplificador al sistema. Una seal
deja el Tx a 0 dB. Cuando alcanza
una perdida de -10 dB un
amplificador se aade para aadir
potencia a la seal y asi llegar a
-20dB
En la post-amplificacin el
amplificador se coloca justo despus
del transmisor. Un
post-amplificador puede ser que d el
alcance necesario para llegar al otro
extremo sin
necesidad de tener un sitio
intermedio.
En la pre-amplificacin el amplificador
se coloca justo antes del receptor, si
un post
amplificador no es suficiente.
Introduccin.-
Regenerador ptico
Repetidor ptico
Notas adicional.