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CARACTERISTICAS GENERALES TECNICAS

DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS TTL
Villacrs Miranda Fernando: fvillacresm@est.ups.edu.ec
Luzn Carrin Jonathan: jluzonc@est.ups.edu.ec
Procel Feijoo Carlos: cprocelf@est.ups.edu.ec
Ortiz Morejn Andrs: aortizm@ups.edu.ec
Toral Aleman Esteban: etoral@ups.edu.ec
Vega Fernando: fvega@est.ups.edu.ec
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA
Electrnica Digital - Grupo 1

AbstractEn el presente informe daremos a conocer las

caractersticas mas relevantes de los circuitos integrados de la
familia TTL, los voltajes que se manejan para que funcionen a
toda su capacidad, la terminologa empleada en su uso y las tablas
que describen el encapsulado correspondiente a cada circuito
integrado.
Index Termsencapsulado, voltaje, terminologa, estado,
lgico, compuerta.

I. INTRODUCCCION
Figure 1. Circuito integrado de memoria de Silicio

Todas las familias o tecnologas de fabricacin de circuitos

integrados digitales se agrupan en dos categoras generales: B. TERMINOLOGA DE CIS DIGITALES
bipolares y MOS. Las caractersticas ms relevantes de un Aunque hay muchos fabricantes de CIs digitales, la mayor
circuito integrado digital con su velocidad, su consumo de parte dela nomenclatura y la terminologa estn estandarizadas.
potencia, su inmunidad al ruido y su confiabilidad. A con- Definiremos los trminos ms tiles:
tinuacin se definen estos trminos, desde un punto de vista
general.
Una familia lgica es un conjunto de componentes digitales
que comparten una tecnologa comn de Fabricacin y tienen
estandarizadas sus caractersticas de entrada y salida; es decir,
son compatibles unos con otros. Como consecuencia de la
estandarizacin, la interconexin entre dispositivos lgicos de
una misma familia es particularmente sencilla y directa: no
requiere de etapas adicionales de acoplamiento.
Figure 2. Corrientes y voltajes en los 2 estados lgicos

II. MARCO TERICO C. PARMETROS DE VOLTAJE Y CORRIENTE

A. CIRCUITO INTEGRADO
Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip
o microchip, es una pastilla pequea de material semicon-
ductor, de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la
que se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante
fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado
de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores
metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y
un circuito impreso.
VIH(mn)= voltaje de entrada en nivel alto. El mnimo
nivel de voltaje requerido para un 1 lgico en una entrada,
el circuito no aceptara ningn voltaje por debajo de este
nivel.
VIL(mx)= voltaje de entrada en nivel bajo. El mximo
nivel de voltaje requerido para un 0 lgico en una entrada,
el circuito no aceptara ningn voltaje por encima de este
nivel.
VOH(mn)= voltaje de salida en nivel alto. El mnimo
nivel de voltaje en la salida de un circuito lgico en el
estado 1, bajo condiciones de carga especficas.
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VOL(mx)= voltaje de salida en nivel bajo. El mximo

nivel de voltaje en la salida de un circuito lgico en el
estado 0, bajo condiciones de carga especficas.
IIH= corriente de entrada en nivel alto. La corriente que
fluye hacia una entrada cuando se le aplica a sta un
voltaje especfico de alto nivel.
IIL= corriente de entrada en nivel bajo. La corriente que
fluye hacia una entrada cuando se le aplica a sta un
voltaje especfico de bajo nivel.
IOH= corriente de salida en nivel alto. La corriente
que fluye desde una salida en el estado 1 lgico, bajo
condiciones de carga especficas. Figure 4. IccH-IccL
IOL= corriente de salida en nivel bajo. La corriente
que fluye desde una salida en el estado 0 lgico, bajo En algunos circuitos ICCH e ICCL son iguales en estos
condiciones de carga especficas. casos la corriente promedio se calcula as:

1) Capacidad de carga: Se define como el nmero mximo (IC CH + IC CL)

Ic c(prom) =
de entradas lgicas que puede controlar una salida de manera 2
confiable, la capacidad de carga depende de la naturaleza de Y su energa promedio es:
los dispositivos de la entrada que se conecten.
PD (prom) = IC C(prom VC C)
4) Inmunidad al ruido: La inmunidad al ruido de un
circuito lgico se refiere a la habilidad que tiene este circuito
para tolerar el ruido sin producir cambios espurios en el voltaje
de salida, la medida cuantitativa de inmunidad al ruido se lo
conoce como MARGEN DE RUIDO. El margen de ruido en
estado alto es:
VN H = VO H(mn) V1 H(mn)
El margen de ruido en estado bajo es:
VN L = VI L(max) VO L(max)

Figure 3. Tiempos de propagacin

2) Tiempos de propagacin: Una seal lgica siempre

experimenta un retraso al pasar por un circuito. Los dos
tiempos de propagacin se definen de la siguiente manera:
tPLH= tiempo que tarda la compuerta en cambiar del
estado 0 lgico al de 1 lgico (de BAJO a ALTO).
tPHL= tiempo que tarda la compuerta en cambiar del
estado 1 lgico al de 0 lgico (de ALTO a BAJO).
3) Requerimientos de energa.:
Es la cantidad de energa elctrica que requiere un CI
para poder operar, esta energa se suministra mediante
uno o ms voltajes de fuente de energa conectados a
las terminales de energa del chip, la cuales se etiquetan
como Vcc (para TTL) o VDD (para los dispositivos
MOS).
Esta cantidad de energa se determina con base en la
corriente ICC(o IDD) que se consume de la fuente VCC(o
VDD), y la energa real es el producto (ICC*VCC). Para
muchos CIs, la corriente que se consume de la fuente
varia con base en los estados lgicos de los circuitos en
el chip.
Figure 5. Mrgenes de ruido de corriente directa
5) Niveles de voltaje Invlidos: Para la correcta operacin
de un CI los niveles de voltaje de entrada para un circuito
lgico deben mantenerse fuera del intervalo indeterminado que
se muestra en la figura; estos deben ser meno que VI L(max)
o mayores a VI H(min)
6) Accin de suministro y drenado de corriente: En la
figura se ilustra el suministro de corriente la cual fluye entre
la salida de un circuito lgico y la entrada del otro circuito.
La accin de drenado tambin se ilustra en la figura es lo
contrario al suministro en este caso la corriente fluye de la
entrada de un circuito a la salida del otro.
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en la figura a continuacin tenemos la compuerta NAND TTL

bsica a la izquierda y el equivalente en diodos para Q1 a la
derecha:

Figure 6. Comparacin de las acciones de suministro de corriente y drenado

de corriente

7) Encapsulados de CI: Los desarrollos y avances en los

circuitos integrados continan a un ritmo acelerado. Lo mismo
se aplica en el encapsulado de CI. Estos pueden variar por su
tamao, condiciones del ambiente y su consumo de energa.
Figure 9. Compuerta NAND TTL bsica y equivalente en diodos para Q1

En la figura a continuacin podemos ver el caso en que la

Figure 7. Encapsulados de CI
En la siguiente tabla veremos la definicin de las abre-
viaturas de los diferentes encapsulados conjuntamente con las
dimensiones:
salida est en BAJO, esto se debe a que sus entrada esta en
+5V, y estos en los ctodos D1 y D2 empujaran la corriente a
travs de R1 y D4 hacia la base de Q2 el cual se encender,
provocando que Q2 fluya a la base de Q4 y este se encienda.
Q2 producir un cada de voltaje a de R2 lo que provocara
que se reduzca el voltaje de colector de Q2 a tal punto que
no se podr encender Q3.

Figure 8. Encapsulados de CI

III. FAMILIA LGICA TTL

Esta clase de dispositivos a estado disponibles desde
Figure 10. Compuerta NAND TTL en su estado de salida bajo
hace aproximadamente 30 aos, ests han tenido mucha
influencia sobre las caractersticas de los diferentes dis-
positivos lgico actuales.
Algunos de sus usos son como pagamento pues conectan
dispositivos muy complejos en los sistemas digitales,
tambin se pueden usar como circuitos de interfaces para
dispositivos que requieren operar a grandes corrientes. B. OPERACIN DE CIRCUITO: ESTADO ALTO
El circuito lgico TTL ms bsico es la compuerta
NAND.
Aunque esta familia este casi obsoleta nos ensea mucho En la figura a continuacin podemos ver el caso en que la
sobre los circuito en su forma ms simple. salida est en ALTO, esto se produce al conectar una o ambas
entradas a un nivel bajo. La conexin de la entraba B a tierra
A. OPERACIN DE CIRCUITO: ESTADO BAJO nos producir la polarizacin directa de D3 de forma que la
Simplificando el anlisis utilizamos el equivalente en diodos corriente fluir del a terminal de alimentacin de + 5V de R1
del transistor de mltiple emisor Q1, tal como se puede ver y D3 y como ya sabemos la terminal B a tierra.
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un transistor separado. A la salida el circuito NOR se puede

observar que se utiliza e mismo arreglo en forma de ttem que
el circuito NAND.

Figure 11. Compuerta NAND TTL en su estado de salida bajo

C. ACCIN DE DRENADO DE CORRIENTE

Este caso se da cuando se est trabaja en un estado Bajo,
ya que recibe corriente de la entrada de la compuerta que
est controlando. En la figura vemos una compuerta TTL que Figure 13. Circuito TTL de compuerta NOR
maneja la entrada de otra compuerta para los estados de voltaje
de salida. IV. ANEXOS
En esta seccin adjuntaremos una tabla comparativo de las
D. ACCIN DE SUMINISTRO DE CORRIENTE familias lgicas.
En el estado alto una salida TTL acta como suministro
de corriente. Es importante saber que existen transistores de
puertas en alto. En algunos casos estos poseen 2 transistores
en vez de un transistor y el diodo.

E. CIRCUITO DE SALIDA EN FORMA DE TTEM

Una de las ventajas de este circuito se puede ver cuando
su estado de salida es ALTO. En este caso Q3 acta como
un seguidor de emisor con una impedancia de salida baja.
Esta impedancia me provoca una constante de tiempo corta
para cargar cualquier carga capacitiva en la salida. Esta accin
se la conoce generalmente como ascenso (pull-up) activo,
proporcionando formas de onda con un tiempo de elevacin
muy rpido en las salidas TTL.

Figure 12. Cuando la salida TTL se encuentra en el estado Bajo, Q4 acta

como drenador de corriente y deriva su corriente de carga. (b) En el estado
de salida ALTO, Q3 acta como suministro de corriente para la compuerta
de carga
Figure 14. Cuadro comparativo entre familias logicas

F. COMPUERTA NOR TTL V. CONCLUSIONES

Es importante saber cmo se est comparando este con En los parmetros de voltaje y de corriente en la (Fig 2)
el circuito NAND de la figura, observando que el circuito la direccin de la corriente puede ser opuesta a las que se
NOR no utiliza un transistor con mltiples emisores en vez muestran en la mima grafica dependiendo de la familia
de ellos. Sabiendo que cada entrada se conecta al emisor de lgica con la que estemos trabajando.
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En la Fig 3 podemos observar el retraso de la salida al

cambiar de alto a bajo y vemos que este este caso se
est midiendo entre los 50 puntos porcentuales en las
transacciones de entrada y salida y esto depende de las
condiciones de carga capacitiva.
En algunos de los encapsulados de los CI es necesario
colocar zcalo que se utiliza con frecuencia en disposi-
tivos que requieren reparacin o actualizacin.
Referente a la familia lgica TTL en la operacin del
circuito estado bajo observamos que las entradas en alto
en Ay B tendrn que suministrar solo una corriente de
fuga muy pequea en el diodo, en cambio en la operacin
del circuito en estado alto existe una corriente sustancial
que fluye de vuelta a travs de la terminal de entrada B
a tierra, cuando B se mantiene en bajo.
En el circuito de salida en forma de Ttem existe una
desventaja y se produce durante la transicin de Bajo a
Alto y esto es porque Q4 se apaga con ms lentitud que
cuando Q3 se enciende por lo que hay un periodo en que
ambos transistores estn conduciendo y se drena una cor-
riente relativamente grande dela fuente de alimentacin.

R EFERENCES
[1] Tocci, Ronald J Neal S. Widmer, Gregory I. Moss. Sistemas digitales
Principios y aplicaciones. Decima Edicin. ISBN 978-970-26-0970-
4(reaIngeniera)
[2] http:// www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Familias_logicas-2009.pd