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UNIDAD I
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
1. TTULO
2. OBJETIVO GENERAL
3. RESULTADOS DE APRENDIZAJE
4. MARCO TERICO
5.1 Introduccin
1 Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, R.L Boylestad, L. Nashelsky. 8Ed., Editorial PHH, Cap. 5,
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Drenaje (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por
medio de un contacto hmico a una terminal referida como fuente (S). Los dos
materiales de tipo p se encuentran conectados entre s y tambin con la terminal de
compuerta (G). Por lo tanto, el drenaje y la fuente se encuentran conectados a los
extremos del canal de tipo n y la compuerta a las dos capas de material tipo p. En
ausencia de potencial alguno aplicado, el JFET cuenta con dos uniones p-n bajo
condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada
unin como se muestra en la figura 5.2, la cual se asemeja a la misma regin de un
diodo bajo condiciones sin polarizacin. Recuerde tambin que una regin de
agotamiento es aquella regin que no presenta portadores libres y es, por tanto,
incapaz de soportar la conduccin a travs de ella.2
2 Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, R.L Boylestad, L. Nashelsky. 8Ed., Editorial PHH, Cap. 5,
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Protoboard.
Cables 24AWG.
Papel milimetrado, al menos unas 10 hojas.
Hojas cuadriculadas A4, un paquete de 50 hojas.
6. PROCEDIMIENTO
Preparatorio:
Prctica:
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7. DIAGRAMAS Y FIGURAS
8. TABULACIONES Y RESULTADOS
ID
V DS (V)
V GS
(V) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 4.5
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
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ID
V DS (V)
V GS
(V) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 4.5
-0.5
-1
-1.5
-2
9. SIMULACIONES
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10. CLCULOS
12. BIBLIOGRAFA
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15. ANEXOS
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