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COMUNICACIONES Y ELECTRNICA UACM

COMUNICACIONES Y
ELECTRNICA
UACM
MODULADOR AM
vila Gmez Carlos. [09-003-0325] y Karina Limon Gregorio [07-003-0175]
COMUNICACIONES Y ELECTRNICA UACM

Introduccin. Este dispositivo contiene 8 Transistores


Activo
El MC1496 es un dispositivo que permite
obtener a su salida el producto de dos seales Paquete de Pb-Libre es disponible
y, por tanto, puede utilizarse como modulador
Carrier pasante
balanceado, mezclador doblemente
balanceado, detector coherente, doblador de Feedthrough Carrier se define como la
frecuencia, y cualquier aplicacin que haga tensin de salida en frecuencia portadora con
uso de dicha operacin. slo el portador aplica (voltaje de la seal =
0).
Estos dispositivos fueron diseados para el
uso donde la tensin de salida es una Nula Carrier se logra mediante el equilibrio
producto de una tensin de entrada (seal) y de las corrientes en el amplificador
una funcin de conmutacin (portador). diferencial por medio de un potencimetro de
ajuste de sesgo R1 de la figura.
Las aplicaciones tpicas incluyen soporte y
amplitud suprimidos modulacin, deteccin
sincrnica, la deteccin de FM, deteccin de
fase, y aplicaciones helicptero. Ver ON
Semiconductor Nota de aplicacin AN531
para obtener informacin adicional de diseo.

Supresin Carrier

Supresin de la portadora se define como la


relacin de cada salida de banda lateral a la
salida de soporte para el transportista y la
seal niveles de tensin especificados.
Caractersticas Supresin de la portadora es muy dependiente
de entrada de la portadora nivel, como se
Excelente Supresin Carrier -65 dB tip @ 0,5
muestra en la figura.
MHz

-50 DB tip @ 10 MHz

Ganancia ajustable y manejo de seales

Equilibrado Entradas y Salidas

Modo comn de alta rechazo -85 dB tpica


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para siempre supresin de la portadora y la


banda lateral mnimo espuria generacin.
Un valor bajo de la portadora hace No
encienda completamente los dispositivos de A frecuencias ms altas trazado del circuito
conmutacin superiores, y los resultados en es muy importante en reducir al mnimo
menor ganancia de la seal, la supresin de feedthrough portadoras. Blindaje puede ser
portadora, por tanto, ms bajo. Un mayor que necesaria con el fin de evitar el acoplamiento
los resultados ptimos niveles de soporte en capacitivo entre la entrada de la portadora
el dispositivo innecesario y feedthrough conduce y la salida conduce.
soporte de circuito, que de nuevo el degenera
figura la supresin. El MC1496 se ha Objetivo.
caracterizado con una seal de entrada de la
Se pretende hacer uso del MC1496 como lo
portadora sinusoidal 60 mVrms. Este nivel
demanda la clase de comunicaciones y
proporciona supresin de la portadora ptima
electrnica, es decir se pretende usar el
en frecuencias portadoras en la proximidad de
MC1496 como un demodulador, que en otras
500 kHz, y se recomienda generalmente para
palabras se pretende estudiar la modulacin
aplicaciones modulador equilibrado
de amplitud mediante la generacin de una
Feedthrough Carrier es independiente del
seal. Para esta tarea no solo tendremos a la
nivel de seal, VS. Por lo tanto supresin de
mano el dispositivo ya que se ha detectado
la portadora se puede maximizar mediante
que es muy sensible para su construccin con
operativo con grandes niveles de seal. Sin
los dems circuitos, se usaran software de
embargo, un modo de funcionamiento lineal
manera numrica y de forma de
se debe mantener en el par de transistores de
implementacin como es el caso de MatLab
entrada de seal o se generarn armnicos
para observar el comportamiento de las
de la seal de modulacin y aparecer en la
grficas en cuestin, pero el circuito no puede
salida del dispositivo como bandas laterales
ser estudiado en este Software, pera esta tare
espurias de la portadora suprimida. Este
se necesitar usar software Proteus 8.3 que se
requisito coloca un lmite superior en
espera que no solo de manera grfica
amplitud la seal de entrada (vase la Figura
observar la seal de salida, tambin se puede
siguiente).
ver los valores de esta en cuestin.

Desarrollo.

Para la implementacin de este circuito en


cuestin se acude a la hoja de
especificaciones que ofrece el proveedor en la
siguiente direccin electrnica
http://www.datasheetcatalog.com/ para la
matricula que tiene el encapsulado se han
encontrado dos proveedores como Motorola y
ON semiconductor y en ambos casos se
sugiere que se implemente el circuito tala
Tenga en cuenta tambin que un nivel de la
cual como se muestra en la imagen siguiente.
portadora ptima se recomienda en la Figura
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Tal como se muestra la imagen se han


Modulador de doble banda lateral con seguido los pasos de forma que
portadora suprimida no es posible encontrar
implementarlo de manera fsica para hacer las
en algn software el encapsulado como tal
implementaciones necesarias como lo
para esto se ha hecho un arreglo como lo demanda la gua que se nos ha proporcionado
marca la imagen de la hoja especificaciones
y el circuito se muestra en la siguiente
para reemplazar dicho encapsulado.
imagen.

De este arreglo cabe mencionar que se han


usado los siguientes materiales para hacer la
simulacin en Proteus 8.3. Por ltimo exponemos el cdigo utilizado
para los diferentes coeficientes de
Transistores de propsito general modulacin (m), el cual lo hemos logrado
2n2222. desarrollar con la utilizacin de la ecuacin
que describe la modulacin en AM, para con
Diodos de propsito general 1N914 ella presentar grficamente la modulacin;
Resistencias de los valores sealados mientras que para la descripcin de las
en la imagen que el proveedor seala. potencias de las seales portadora y de las
bandas laterales, hemos utilizado la
Quedando el arreglo como se muestra en la transformada rpida de Fourier (fft).
siguiente imagen, cabe mencionar que la
imagen muestra el arreglo total, es decir no En el siguiente cdigo podemos observar que
solo se muestra la parte interna del las especificaciones como: la frecuencia de la
encapsulado tambin se muestra los seal portadora se encuentra ingresada en la
elementos que lo acompaan en el arreglo lnea 6 del cdigo, tambin la frecuencia de la
que se usara finalmente implementado. seal moduladora est ingresada en la lnea 7,
la amplitud de la portadora se encuentra
ingresada en la lnea 8, mientras que en la
lnea 9 colocamos los valores de la amplitud
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de la seal moduladora con los cuales se A = Vc + Emoduladora;


cumple con los coeficientes de modulacin, %Creacion de la envolvente
m = A.*[cos(2*pi*Fc*t)];
en este cdigo que observamos a el %Modulacin
coeficiente de modulacin (m= Vm/Vc). Mf = 2/N*abs(fft(m,N));
%Espectro mediante fft
En las lneas 13 y 14 creamos las seales a f = Fs*(0:N/2)/N;
modular como la portadora y la moduladora, %Anaisis de espectro
en la lnea 15 creamos la envolvente, en la close all;
lnea 16 obtenemos la modulacin
multiplicando la envolvente con la seal figure ('Name','Portadora,
portadora, en las lneas 17 y 18 realizamos el Moduladora, Amplitud modulada');
subplot(2,2,1); plot(t(1:N/2),
anlisis de Fourier que nos servir para
Emoduladora(1:N/2));
graficar el espectro en la cual podremos title('Seal moduladora'), grid
observar la variacin de las potencias en las on, xlabel('Tiempo'),
bandas laterales as como tambin de la ylabel('Sm(t)');
subplot(2,2,2); plot(t(1:N/2),
portadora dependiendo del coeficiente de Ecarrier(1:N/2));
modulacin. En las lneas siguientes hacemos title('Seal portadora'), grid
un arreglo para presentar en dos grficos la on, xlabel('Tiempo'),
modulacin y el anlisis del espectro. ylabel('Sp(t)');
subplot(2,2,3:4); plot(t(1:N/2),
m(1:N/2),t(1:N/2),A(1:N/2),'r',t(
%Modulacion de AM ===>
1:N/2),-A(1:N/2),'r');
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title('Seal modulada AM'),
<===
grid on, xlabel('Tiempo'),
%%
ylabel('Sam(t)');
clear; clc; N=1024; %Nmero de
hold on;
muestras
Fs=4026; %Frecancia de
muestreo pause;
t=(0:N-1)/Fs;%Intervalos de figure('Name','Potencias');
tiempo plot(f(1:50),Mf(1:50));
Fc=input('Valor de la frecuencia title('Potencia de la portadora y
fc:\n');%90; %Frecuancia de de las bandas laterales');
la portadora xlabel('Frecuancias(KHz)');ylabel
Fm=input('Valor de la frecuencia ('Magnitud'); grid on;
fm:\n');%17; %Frecuancia de
la moduladora (informacion) Es importante sealar que el cdigo fue
Vc=input('Valor del voltaje de copiado directamente del espacio de trabajo
Vc:\n');%5; %Amplitud de
laportadora de MatLab, las proporciones de este cdigo
Vm=input('Valor del voltaje de no corresponden a las que aqu se sealan, es
Vm:\n');%4.75; %Amplitud de la decir las lneas que aqu tiene el cdigo no
Moduladora (Informacin)
corresponden al texto anterior.
%================================
=================================
========= En la grfica de los espectros podemos
% observar que la potencia de las bandas
Modualcin en la Amplitud laterales en (m2/2) veces la potencia de la
%================================
portadora, matemticamente tenemos:
=================================
=========
Ecarrier = Vc*cos(2*pi*Fc*t);
Emoduladora = Vm*cos(2*pi*Fm*t);
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Los datos mostrados en la siguiente tabla


estn relacionados con los obtenidos
directamente del osciloscopio

Vc Vm Laterales Portadora

60 100 -28.125 -34.38


60 120 -24.25 -34.38
60 150 -24.375 -34.38
60 200 -23.25 -34.38
60 220 -21.25 -34.38
60 250 -20.01 -34.38
60 260 -19.375 -34.38
60 300 -18.125 -34.38
60 350 -17.5 -34.39
60 370 -17 -34.39
Las imgenes obtenidas del sistema de
60 390 -16.5 -34.39
implementado en la simulacin de porteus 8.3
60 420 -15 -34.39
son muy parecidas con una diferencia de estar
60 450 -14.375 -34.39
en escalas diferentes tal y como se muestra en
60 470 -14.375 -34.39 la imagen siguiente.
60 510 -13.75 -34.39
60 530 -13.125 -34.39
60 540 -13.00 -34.39
60 560 -12.93 -34.39
60 580 -12.82 -34.39
60 600 -12.758 -34.39

Las imgenes obtenidas son muy parecidas


unas de las otras la diferencia son los valores Para en caso de la simulacin de forma
obtenidos, los instrumentos usados para la numrica por medio de una interface grfica
obtencin de las imgenes de la de MatLab se ha movido el muestreo N=100
implementacin son los siguientes para reducir el tiempo y poder graficar un
poco ms clara la grfica como es el caso de
(1) Osciloscopio tektronix tds2022b. la imagen siguiente.
(2) Generador de funciones agilent
33220.
(1) Fuente de voltaje bk precision
precios 1672.
(4) Puntas para Osciloscopio sin
atenuacin.
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Por ltimo se puede observar el espectro de La simulacin fue hecha de la manera en que
frecuencias de esta misma simulacin como los parmetros estn dictados tal como se
la siguiente imagen muestran en la tabla.

Con este punto damos por concluido esta La imagen de la implementacin es la


parte de la prctica dando paso al siguiente siguiente.
punto.

De este mismo modo que se obtuvieron en el


punto anterior podemos darnos a la tarea de
citar los puntos siguientes dando paso a la
siguiente parte de la prctica.

Vc Laterales Portadora

10 -34.98 -46.57
20 -24.35 -39.85
40 -20.65 -36.86
50 -18.12 -34.75
70 -16.88 -32.3 La imagen de la simulacin se tom con los
80 -15.62 -32.3 mismos valores de muestreo que el modelo
anterior.
90 -15 -32.3
110 -14.370 -32.3
130 -14.370 -32.3
140 -14.370 -32.3
160 -14.370 -32.3
170 -14.370 -32.3
190 -14.370 -32.3
200 -14.370 -32.3
220 -14.370 -32.3
240 -14.370 -32.3
260 -14.370 -32.3 Para la siguiente parte de la prctica se han
considerado los valores de otros circuitos ya
270 -14.370 -32.3
que el valor real del circuito con el que se
280 -14.370 -32.3
empez, a partir de este momento cambia ya
300 -14.370 -32.3
que como se dijo anteriormente el circuito es
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muy delicado a cualquier cambio en este


momento se desconoce cules fueron las
causas de que el circuito anterior dejara de
funcionar correctamente se sospecha de
posible polaridad de este en pleno
funcionamiento, es decir que las fuentes no
entraran al mismo a exitar al mismo tiempo el
circuito.

Los valores obtenidos al momento son los La imagen obtenida de nuestro circuito est
siguientes muy relacionada a la imagen anterior de lo
que se puede observar.
Vc(mV) laterales Portadora

*** *** ***


10 -46.25 ***
25 -43.75 -61.75
40 -41.25 -58.75
55 -39.375 -56.875
70 -38.125 -54.375
85 -37.5 -53.75
100 -37.5 -53.75 La imagen obtenida de nuestro sistema de
115 -36.875 -53.75 forma numrica es la siguiente
130 -36.25 -52.5
145 -35 -51.875
160 -35 -51.875
175 -35 -51.875
190 -35 -51.875
205 -35 -51.875
220 -35 -51.875
235 -35 -51.875
250 -35 -51.875
265 -35 -51.875 A lo que podemos observar que las imgenes
280 -35 -51.875 de los sistemas son muy parecidas a pesar que
295 -35 -51.875 son simuladas. Siguiendo con la siguiente
El espectro de frecuencia que acompaa a parte de la prctica tenemos que a la salida de
est simulacin es como el que se muestra en
la imagen siguiente los valores se han
considerado para el primero de los casos que
se muestran en la tabla anterior.
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nuestro sistema es la imagen siguiente

Y tenemos a la salida

Amplitud de la frecuencia central -20.625 dB

Amplitud de las frecuencias laterales -30.625


dB
Conclusiones.

Con la presente prctica podemos darnos


cuenta de la importancia del coeficiente de
modulacin, resaltamos que es mejor que esta
tenga como mximo el valor de 1 para que la
potencia en las bandas laterales sea la ptima,
es decir que en el mejor caso la potencia de
las bandas laterales sea la mitad de la
potencia de la portadora.
En el caso que el coeficiente de modulacin
sea mayor que 1, estaremos sobremodulando,
la inconveniencia de la sobremodulacin es
Pasando a la ltima parte de nuestra prctica que se necesita de sistemas ms complejos
donde se ha vuelto un poco ms complicada para la demodulacin ya que en estos casos se
debe tener en cuenta la fase a ms de
Tenemos que las frecuencias espurias son las deteccin de los picos de la onda modulada.
que nos muestra el osciloscopio.
Bibliografa

-Problemas de ingeniera de control


utilizando MatLab, Katsuhiko Ogata

-Modulacin de seales digitales, Joaqun


Luque Rodriguez Sebastin Clavijo Suero

-Procesamiento Digital de seales, Dr. Jos


Pablo Alvarado Moya.

http://es.slideshare.net/lonely113/procesamie
nto-digital-de-seales-con-matlab
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http://ing.ens.uabc.mx/~manuales/electronica/
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-Diseo, implementacin y evaluacin de un


Modulador AM, Jairo H. Tamayo S. Jorge
M. Vuelvas Q.

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http://www.forosdeelectronica.com/f22/modu
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http://www.tsc.uc3m.es/docencia/LEC/docs/P
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http://dspace.universia.net/bitstream/2024/13
00/1/informe+modulador+y+demodulador.pd
f

Sistemas de comunicaciones electrnicas,


Cuarta edicin, Thomas.

Electrnica aplicada a los sistemas de las


comunicaciones 3ra edicin Frenzel

Electrnica de Comunicaciones, Sierra Prez,


Jos Luis Fernndez, Manuel Sierra

*Documento de respaldo de prctica encontrada en la red.