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COMPONENTES EN

MICROONDAS

4-1 * Componentes en microondas

La miniaturizacin es una prioridad fundamental en la industria de los componentes


utilizados en microondas, pues las ventajas que ofrecen los circuitos integrados de muy
pequeo tamao no se pueden-materializar a menos que el tamao de los componentes se
reduzca tambin de forma anloga; adems, el comportamiento en frecuencias de
microondas mejora muchsimo al usar estos componentes. La realizacin de esta premisa es
la aparicin de los componentes cermicos CHIP, multicapas o monolticos. Trataremos de
exponer a travs de sus caractersticas y parmetros, un conocimiento que nos permita el
correctouso de estos elementos, imprescindibles en circuitos de alta frecuencia.

1'; 4-2* Capacitores


Amplificadores de microondas con FET de As Ga en banda 1,.
Los capacitores, elementos capaces de almacenar energa elctrica, son usados en la industria
electrnica en variadas aplicaciones: elementos de circuitos resonantes, en acoples,
desacoples, bloqueo de corriente continua, filtros, lneas de retardo y supresin de
transitorios.
La energa almacenada es proporcional a la tensin aplicada.

Q=CV 4-1

La capacidad e en un elemento, expresada en Faradios, depende de las propiedades del


material usado como dielctrico y de su geometra, es decir, el rea de los electrodos y su
separacin.
Podemos expresarla:
62 COMPONENTE)'EN MICROONDAS COMPONENTESEN MiCROONDAS 63
~---

C=Q/V=KA/e 4-2 Figura 4- 2 * Representacin de corte de un capacitor chip.


donde:
Hslu construccin, usada con cermicas de alta constante dielctrica y gran rigidez
K = cte dielctrica relativa del material colocado entre los
electrodos. dit:lctrica, permite tener una multitud de capas lllUYfinas, logrando sobrepasar la, eficiencia
volum6trica de otros tipos de capacitores.
A = rea que cubren los electrodos.
I,os capacitores conformados de esta manera reciben el nombre de capacitores tipo CHIP
e = espesor del dielctrico.
(c UP capacitors).
La capacidad se puede expresar como:

~ electrodo
C=KAN/e 4-3

dielctrico donde N es el nmero de capas dielctricas.


Si deseamos calcular la capacidad podemos usar la siguiente expresin, que pennite
determinar dicho valor en Faraday.

C = K A N / (11,3 10+6) e [11F] 4-4

donde A est dado en cm2 ,e en cm, y 11,3 106es un factor de conversin de unidades.

Figura 4-1* Representacin de corte de un capacitar.


4-3* Propiedades elctricas
La eficiencia volumtTcadel capacitor, Faradio/cm3,puede ser maximizada: Para entender los materiales dielctricos cermicas, veremos algunas propiedades elctricas
dc los dielctricos en general.
l-Incrementando K.
2-Incrementando A. . Constante dielctrica
3-Reduciendo e.
La constante dielctrica en cualquier material aislador, ocurre debido a la interaccin entre
un campo elctrico aplicado y ls cargas localizadas en el dielctrico. Las cargas no son
La construccin de multicapas en forma monoltica maximiza el factor geomtrico porque transferidas pero s desplazadas por el campo, las cargas positivas hacia el electrodo negativo
aumenta el rea de los electrodos manteniendo un pequeo volumen, como se observa en la y las negativas hacia el positivo. En los dielctricos cermicas con gran constante dielctrica,
figura 4-2.
- electrodos las cargas fcilmente polarizadas se corren creando un efecto de polarizacin con oposicin
al campo elctrico aplicado, produciendo mayores cargas en los electrodos.
- dielctrico Este crecimiento del efecto de polarizacIn se debe a cuatro mecamsmos:
1.- Desplazamiento electrnico.
----- 2.- Desplazamiento inico.
--- 3.- Orientacin de dipolos permanentes.
J<'- terminacin 4.- Polarizacin de carga espacial.
Todos estos mecanismos que contribuyen a formar la constante dielctrica son dependientes
de la temperatura, la tensin continua aplicada, frecuencia y tensin alterna.
COMPONENTESEN MICROONDAS 65
64 COMPONENTES EN MICJWONl>tlS
--

Se denomina Factor de Potencia a la relacin de la potencia real con la aparente de un


. Factor de disipacin y factor de potencia. sistema, y se representa por el coseno del ngulo de fase que forman los vectores de tensin
Cuando una tensin es aplicada a un capacitor, una corriente de cargas fluye a travs de l, y y corriente.
esta corriente est retardada con respecto a la tensin de un capacitor sin prdidas, en 90.
En un dielctricoreal ese ngulo de fase ideal es imposible por dos razones: cos e = Preal = 12. R = R /Z 4-5
a) Ningn dielctrico es un perfecto aislador, entonces ocurre una pequea corriente de V.I 12. Z
prdidas.
b) Los mecanismos de polarizacin de una cermica no son eficientes al 100%, es decir, el
capacitorno descarga el total de la energa absorbida en el ciclo de carga. El ngulo de prdidas O , que es el complemento del ngulo e, est determinado por los
Estasprdidas denominadas de relajacin se manifiestan en calor y en una desviacin de los vectores de tensin sobre la resistencia de prdidas y de tensin sobre la componente
90"de fase entre la corriente y la tensin (figura 4-3). reactiva. Este ngulo sirve para expresar el apartamiento entre las corrientes ideal y
verdadera, o, puesto de otra forma, las prdidas del capacitor con respecto a su reactancia,
que podemos expresar como:
It
1, yootor oonioo" idool
U"ootor oonioo" yerdado.. tg() =I.Rp/I.X=Rp/ X 4-6
V, vootor .oltojo

Expresin que recibe la denominacin de tangente del ngulo de prdidas o Factor de


Disipacin. Cuanto menor es la tg Oms se aproxima al ideal.

. Factor de mrito Q
'v Es la recproca del factor de disipacin:
Figura 4-3 * Representacin tensin-corrientes en un capacitor.
Q = 1/ tg () 4-7
Si considerarnosel diagrama vectorial tensin-corrientepara un capacitor real, donde Rp es
la resistenciade las prdidas y X es la reactancia total del capacitor, tendremos: Tambin podemos usar la expresin clsica del Q que relacione la potencia reactiva con la
potencia activa.

Q=1/21tfCRs 4-8

donde Rs es la resistencia serie equivalente de prdidas, y por 10tanto podemos decir que Q
depende de la frecuencia. Por ser dificultosa su medida en altas frecuencias debido a sus
IXr---/1"" bajos valores, es un parmetro no usado en ese rango de frecuencia.

j
!; . Coeficiente de temperatura (CT).
i El coeficiente de temperatura de un dielctrico cermico defme la desviacin en la capacidad
i cn un rango de temperatura determinado. Los dielctricos cermicos, especialmente los de
BaTiO3,sufren variaciones en la corriente dielctl'ica debido a efectos de energa trmica
producidos por la movilidad en los tomos de Ti.

Figura 4-4 * Diagrama vectorial tensin - corriente para un capacitor real.


66 COMPONENTESEN MICROONDAS COMPONENTES EN MICROONDAS 67

El CT se expresa cn porcicntos del cambio de temperatura, o en parte por milln por cada

~
grado ccntgrado, desde 25 C tomado como referencia.

. Coeficiente de tensiones continuas (CV).


Muestra el efecto de la disminucin de la constante dielctrica con el aumento de la tensin
continua, debido a que son afectados los mecanismos de polarizacin. Es expresado en ~ Z .
porcentajc de variacin de capacidad cn fw.ci6n de la tensin de cOH~enteconfIrma('lec),

. Coeficiente de temperatura-tensin.
Como los capacitores deben operar con diferentcs valores de tensin sobre ciertos rangos de
Donde:
Figura 4-5 * Circuito equivalente de un capacitar.

tcmperaturas, es necesario combinar el efecto de la temperatura y la tensin. Es expresado en Rs: Resistencia serie equivalente (RSE) consiste en la resistencia ohmica de los electrodos y
los tcrminales.
porcentaje dc capacidad en funcin de Vcc y CT.
L: Inductancia serie
exclusivamente d suequivalente
tamao. (LSE) o inductancia intrnseca del capacitor, que depende
. Resistencia de aislacin.
C: Capacidad.
La resistencia dc aislacin cs una medida de la habilidad del capacitar cargado para resistir
una corriente continua de prdidas. Las variaciones en la resistencia de aislacin se deben a: Rp: Resistencia de aislacin (RA).
a) Cambios en la resistividad superficial. La impedancia del circuito de la figura ser:
b) Cambio en la resistividad de masa del dielctrico, debido a causas internas o externas.
La aislacin en capacitores de alto valor es expresada como el producto R por C, en ohm- Z=Rs+jmL+
faradios o megaohm-mcrofaradios. Las normas RETMA especifican 1000 para e > 1 4-9
0,01 mcrofaradios, y para C < 0,01 se expresa directamente en ohms y son del orden de - + jmC
110. Rp

. Tensin de ruptura.
La tensin de ruptura es definida como el gradiante dc tensin que produce la ruptura
Luego:

1
elctrica del capacitar. Se expresa en VoltJcm de dielctrico. - + J' ,u C
' . R
Z = Rs TJmL+ p 4-10
. Tiempo de vida.
La variacin de la constante dielctrica exhibe una dependencia con el tiempo conocida
como AGEING que depende de la composicin y del proceso. Esta variacin, que C~;) 2 + (j mcf
generahnente decae logartmicamente con el tiempo, es expresada como porcentaje de
variacin de C, en trminos de dcadas de horas; como por ejemplo: ~C=2% dcadas de Simplificando ya que 1!Rp {l}2 C2, entonces:
horas, entre 0,1 Y 1 hora despus de enfi:iaral Punto de Curie, que es donde el material usado
como dielctrico cambia su estructura cristalina. 1

. Impedancia de un eapacitor. , Rp . 1
Z = Rs + . - ] -- mL 4-11
Para comprender el valor de la i..'Ilpedanciade un capacitor es conveniente tener bien cn claro m2 e2 [ mC ]
sus caractersticas reales.
Un circuito equivalente para explicar la variacin de la impedancia cn funcin de la
frecuencia es el mostrado cn la figura 4-5.
COMPONENTESEN MICROONDAS 69
68 COMPONENTESEN MICROONDAS
..---

. 1 -.t
S
1 (v 0= .JL C ' entonces
1
cuando (j) (j) O i ~

I

Z=Rs+ Rp
J2 C2
- J-
.
[
1

JC]
4-12
z

Q
w
...
:1
i ~~'-/
,
RSE
~."..
1

ycomo Rs + Rp
J2 C2
-
JC
.
PRECUENCIA [11Hz]

4-13
Z=l/JC Figura 4-6 * Impedancia de un capacitor vs frecuencia.

1
Si trabajamos en baja frecuencia, por lo general el diseador no tiene en cuenta o no conoce
si J = J O Ycomo ~ Rs entonces: cul es la frccuencia dc resonancia serie cuando elige un capacitor para acople o desacople.
J2 C2 Slo le interesa que tenga un alto Q o bajas prdidas.
En alta frecuencia la seleccin es ms compleja y conviene remarcar el problema de la
Z=Rs 4-14 resonanCiasene.

Si O) 0)0 y como Rs OJL, luego


4-15
4-4 * Resonancia serie
Z= OJL

Por lo tanto, si representamos Z=f(t) tendrcmos:


A la frecuencia en que se produce la resonancia serie, las resonancias capacitiva e inductiva
se cancelan y el capacitar presenta su menor impedancia, en un estado que algunos
denominan como Transparente a la energa.
Para conocer la frecuencia de resonancia serie de un capacitar CHIP se observan las prdidas
de retorno del capacitor montado en un probador sobre un rango amplio de frecuencias. A
medida que la ftecuencia aumenta, las prdidas dc retorno disminuyen hasta alcatIZar un
punto minimo y volver a incrementarse. En ese mininlO leemos la frecuencia de resonancia
serie. Recordamos que las prdidas de retorno se aplican como la relacin logaritmica entre
la onda reflejada e incidente expresadas en dE: 20 log E- /E+.
El mtodo para medir prdidas de retorno incluye un acoplador direccional de alta
directividad en un circuito como muestra la figura 4-7.
70 COMPONENTESENMICROONDAS COMPONENTESEN MICROONDAS 71

l
r>< t
GENERADOR
- 11~-
I

BARREDOR ~ I

- 1 ._.AIN1':cIONl ~ I , : , I
, ; ',e" ;
L

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,
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vertical

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L-I OSC1LOSCO~~
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00
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,. , J
Figura 4-7 * Circuito de medida de prdida de retorno.
.1 1 10 100 1000
Para un capacitor tpico mosiramos las prdidas de retorno en funcin de la frecuencia en la CAPACIDAD [pF]
figura 4-8.

~JO
. ~
I
I
-- Figura 4-9 * Grfico para diferentes tamaos de capacitores,
oz
'"
BUE,,"
ADAPTAClON
Mosiramos dos curvas para diferentes tamaos de capacitores: el tamao 2 es de menores
o
:.; dimensiones que el 1, por lo tanto tiene menos inductancia (ya que dijimos que depende
"'" exclusivamente del tamao); luego, para igual capacidad, el tamao 2 tiene mayor f de
..
"
.. resonanCIasene.
o

4-5* Prdidas de insercin.


'"1 FRECUENCIA [IIH<!
Un parmeiro muy importante para un diseador en microondas cs conocer las prdidas de
un capacitor CHIP. Ya que el valor de Q o el factor de disipacin (FD) son cxtremadamente
Figura 4-8 * Prdida de retorno ~sfrecuencia. dificultosos de medir en altas frecuencias, lo que se hace es medir las prdidas dcl capacitor
una vez que se instala en un circuito operativo. Este generalmente se consiruye con una,lnea
En bajas frecuencias la reflexin es grande, causada por la excesiva reactancia en serie con la de microtira de 50 ohms de impedancia caracterstica. Entonces se pueden medir las
lnea. prdidas, que fundamcntalmente se deben a ires factores:
Los fabricantes de capacitores presentan un grfico un poco diferente, ya que muesiran el 1.- Prdidas por reflexin: Generalmente, cuando un capacitor CHIP es insertado en una
valor de capacidad en funcin de la frecuencia de resonancia serie, como vemos en la figura microtira crea alguna desadaptacin. Es casi imposible consiruir un capacitar con la
4-9. impedancia caracterstica de la microtira; pequeas reflexiones siempre son generadas.
Algunos fabricantes SUmIll1stranesta inonnacin con los parmetros "S" del capacitar. Con
SIl se pueden calcular las prdidas por reflexin.

P R = 10 lag (1 - S 112) 4-16

Tambin podramos calcular el R.O.E. (Relacin de Onda Estacionaria) mediante:


R.a.E. = (1 + 811) 4-17
(1-S11)
COMPONENTESEN MICROONDAS COMPONENTES EN MICROONDAS 73
72
-.--------..- ---- ..--- .-
dB 6dB
FILTRO

Aclaramos que el dato de los parmetros "S" se da en mdulo y fase.


;l-
G~'NERADOR
RARREDOR
.-J
- PASA
"'JOS
OSCJLOSCOPIO I

CAPACITOR
2.- Prdidas por insercin: Estas prdidas se pueden calcular con el coeficiente de ,. PROBAR
transmisin 821.
4-18 Figura 4-11 * Mtodo de medida de prdidas de un capacitor.
P.I. = 10 log (1 / 8212)

3.- Prdidas por resonancia en paralelo; Esto se produce al resonar reactancias en paralelo Con este sistema de medidas obtenemos grficos como los siguientes.
produciendo absorcin de energa. Desde ya que el modelo circuital de un capacitor que
vimos al comienzono nos sirve para explicar este fenmeno, por eso debemos recurrir a otro

esquema.Algunosautu'" ptupoucneste

"T
ti
T-L
~ explicacin.
~
-<
" I
~ .5
p,.
2

1.5

.05 .1 .15
------
-----------------

.2 .25
~
-<
.4 1-

.3 1-

~.2r~
~ .1

.4
I
.6
I I
.8 I 1.5 2
FlFo FRECUENCIA [GHz]
a) b)
Figura 4-10 * Circuito equivalente de un capacitor.
Figura 4-11 * Grficas de prdidas de capacitor vsfrecuencia.
1 4-19
Resonancia serie:
(00 = .JL Co En la figura 4-12a se aprecia para un tipo de capacitor que en determinadas frecuencias
aumentan bruscamente las prdidas de insercin; eso se produce por resonancia paralelo,
1 cuya explicacin, que no daremos aqu, se puede encontrar en la referencia bibliogrfica.
(00 = 4-20 En la figura 4-12b mostramos en detalle los valores de las prdidas hasta la frecuencia de
Resonancia paralelo:
L Co CI resonancia serie, menor que 2 GHz para este capacitor, y que corresponde al tamao inicial
Co + el de la curva de la figura 4-12a. .
Para realizar esta medicin se coloc el capacitor con los electrodos paralelos a la lnea de
lnicrotira; si los colocamus en onna perpendicular a la microtira, veriamos que las
Esto explicar la resonanCiaparalelo, pero veamos qu sucede cuando procedemos a medir frecuencias de resonancia serie y paralelo se corren, tomando la frecuencia serie el valor de
las prdidas de insercin. El mtodo propuesto no discri..rninaentre las diferentes causas que la paralelo y sta un valor mayor, y as se corren todos los picos de resonancia. Tendremos
producen las prdidas, pues mide el total de las prdidas. Un esquema de medida es el de esa forma una mayor respuesta de frecuencia.
siguiente. El fenmeno que se produce al colocar los electrodos paralelos a la tierra de referencia, se
visualiza en la figura 4- i3.
74 COMPONENTESEN MICROONDAS COMPONENTESEN MICROONDAS 75
~._-----------_._-------- ." ..-.------- ------

4w6*Criterios de se~eccin y montaje.


Capacitores monolticos son comnmente usados para bloquear la corriente continua en una
conexin serie, como capacitar de paso en RF en conexin paralelo y como un elemento de
un filtro. Para las dos primeras aplicaciones, la impedancia medida es normalmente 50
ohro y los sistemas de transmisin son micratira o stripline.
Las aplicaciones en un filtro son ms diversas para poder generalizar. En conexin serie o
paralelo, la frecuencia de resonancia paralelo es un inconveniente, pues causa grandes
Figura 4-13 * Diferencia de recorrido en un capacitar con electrodos prdidas de insercin u oscilaciones parsitos en amplificadares.
paralelos. Por el contrario, la frecuencia de resonancia serie produce las menores prdidas de insercin,
y a veces resultan tan bajas que estn por debajo de los limites de la capacidad de medida.
Se produce una diferencia de fase debido a los caminos diferentes que toma la corriente, y El diseador del circuito puede elegir el centro de banda en la frecuencia de resonancia serie
esto en algunas frecuencias puede producir picos de prdidas de insercin. Por esta razn se aprovechando las bajas prdidas y tomando la precaucin de que el extremo superior de la
prefiere la posicin del capacitar con los electrodos perpendiculares a la referencia. banda est alejado de la frecuencia de resonancia paralelo.
Por ejemplo, si tuviramos la siguiente situacin:
En el circuito de la figura 4-14, Cl y C2 son los capacitares de bloqueo en corriente
continua. Si la f de trabajo es de 4 GHz con un ancho de banda de 500 MHz y dispongo de
la siguiente curva de f vs C de una determinada marca y tamao de capacitar:

1
N'
i "

I-~ :r:

~=~=~~
2
-<
~-IJ-- U
CI B
~
: Ro,"","""-"
U
51
'"
I ~ Resonancia serie

Figura 4-14 * Capacitores de paso en un circuito tpico. 30pF


CAPACIDAD [PF]

Figura 4~15 *Grfica capacidad vs frecuencia.

Por 10 tanto, el valor 30 pF ser el correcto para usar en Cl y C2. El montaje del capacitar,
recordemos que tiene que ver con los electrodos perpendiculares a la referencia; por lo
general la curva viene para este tipo de montaje y en los capacitores nonnalmente es su
dimensin menor la que debe ir sobrc la microtira.
El cambio de fase cerca de la frecuencia de resonancia serie puede ser importante para un
capacitar que fonna parte de un filtro. Tambin hay que pensar que el montaje del capacitor
76 COMPONENTESEN MICROONDAS COMPONENTES EN MICROONDAS 77
~-------

sobre la microtira puede afectar la frecuencia de resonancia. Es comn por otra parte dejar
algnelemento de ajuste o tomar en este caso una posicin ms conservadora y elegir el
capacitor por debajo de la frecuencia de resonancia serie.

d""odm
;n"mo, -~
,en"al"
~~
~, - ,

-;? CHIP PELLET

/
Figura 4-16 * Capacitor con electrodos verticales. MICROTIRA

Otra recomendacin para que los capacitores tengan los valores que los fabricantes ofrecen Figura 4-17 * Formas constructivas de capacitores.
en sus grupos es referente al montaje sobre el impreso: debe ir centrado con respecto a la
separacin sobre la lnea de microtira donde va montado. Damos a .continuacinuna serie de consideraciones para la eleccin de los capacitores CHIP
Las superficies a unir, tanto del capacitor como del impreso, deben estar muy limpias. Los que necesariamente deben cumplimentarse:
solventes que se pueden usar son acetona y alcohol. Por lo general se descarta ,cualquier tipo a) Estabilidad en temperatura: Estabilidad necesaria sobre el rango de temperatura de trabajo.
de pulido. b) Coefciente de tensin-temperatura: Estabilidad de temperatura para la tensin de trabajo.
Para unir el capacitar con el circuito se usan diversas tcnicas: ultrasonido, termo c) Capacidad-tamao-frecuencia resonancia serie- frecuencia paralelo.
compresin,resinas epoxy conductoras y pasta de soldar calentada con soldador manual. d) Tolerancia de capacidad.
En este ltimo caso se recomienda calentar indirectamente al capacitor para evitar el shock e) Tenninacin.
tnnico que se produce en los materiales cermicos. 1)Tensin de trabajo.
Las pastas usadas normalmente son: g) Tipo de capacitor. Configuracin.
Estao 60 Plomo 40 362-375 F
Estao 62 Plomo 36 Plata 2 350-372 F
Estao 60 Plomo 36 T_-'"- '"tA
HIlilU
'>AA '>U'OT"'
Y+U-J'+J r

Las configuraciones que presentan los capacitores CHIP ms comunes son las mostradas en
la figura 4-17.
A '"7* n eSI' S 4-~~ e ~ C "':-
l." lUI ~ lllp
78 COMPONENTES EN MICROONDAS COMPONENTESEN MICROONDAS 79
-------- ------

La resistencia tipo chip es un componente de micraondas que encuentra muchas


aplicaciones, como resistencia o como atenuador.
Una razn muy importante de su uso es su tamao, que va desde 0,76 mm por 0,51 mm con
espesor de 0,38 mm para potencias de 35 mW, para bajas potencias, hasta los tamaos
mayores de 25,4 mm por 25,4 mm para potencias de decenas de Watt. Entonces el tamao a
~
I
,
t
!
~
/<\~
~'"H'
.,
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\
\
\
\
I
elegir est relacionado directamente con la potencia en juego.
i
! \\
DistiJltasconfiguraciones de resistencias chip mostramos en la figura siguiente.
)
lnea de i / soidadura
microtira \ /

\r l
~
...
//

CJ~ a) "
""'"
\ , ,
\
)
Figura 4-19 * Soldadura de resisto res chip.

~,~\ /
contactos metlicos Los valores de resistencia se obtienen con pelculas de Nichrome o con tcnicas de
4:'/ deposicin de pelcula delgada. Mediante estos procesos una capa resistiva con una
detenninada resistencia por unidad de superficie es depositada en una base cermica, con
terminaciones metlicas y cubierta con una proteccin para conservar sus propiedades
proteccin elctricas aislndo1as del medio. Normalmente, como base cermica se usa almina. Como
c)
contactos metlicos plata ,nquel u oro con platino.
Para unir los chip con un circuito se usan dos mtodos, con epoxi o soldando. En el primero,
epoxi conductivo, es una pasta que se aplica sobre el rea a unir a 1490 C de temperatura.
Para el mtodo de soldar, recomendamos primero estaar los terminales del chip por
Figura 4-18 * Configuraciones de resistencias chip. inmersin, durante 2 a 5 segundos con 2200 C de temperatura, o con soldador de 35 Watt
durante 3 a 8 segundos. Para soldar conviene aplicar un soldador de 35 Watt durante menos
Las figuras 4-18 muestran los contactos metlicos en sombreado. La configuracin a) tiene de 15 segundos.
menor fijacin que el c), que se recomienda por su mayor superficie dc contacto.
El tipo b) es recomendable para una conexin a tierra, como una terminacin de 50 Ohm.
4-8* Algunas caractersticas elctricas

Los rangos de resistencia son de 1 Ohm a 10 Mohm con tolerancias de ::!:20%, 10%, 5%,
2% y 1%.
Los coeficientes de temperatura son de 50, 100, 200 y 300 ppmi C.
La temperatura mxima a plena potencia es 700C.
La temperatura mxima para cero potencia es 1250C.
El rango de temperatUraes de -550C a +1250C.
80 COMPONENTESEN MICROONDAS

El coeficiente de variacin de la resistencia por tensin es 0,01 % por Volt.

4-9* Inductores chip


Los inductores chip son componentes relativamente nuevos. Para realizar una inductanc
impriIr,imos una lnea de microtira de alta impedancia en un sustrato, con un laJ
determinado para ajustar su valor. Los inductores chip se consiguen con valores entre
nHy a 550 nHy en tamaos desde 30 rom2 hasta 75 rom2 con un espesor mximo de O,
rom.
Una forma bsica mostramos en la figura 4-20.

marca terminal
de entrada pelcula delgada
depsito al vacio

chip de
almina

~ base opcional
metalizada

Figura 4-20 * Inductor chip.

Los inductores chip son construidos sobre un sustrato de almina, depositando el element
conductor con tcnicas de pelcula delgada. El procedimiento consiste en depositar medi
vuelta de pelcula conductora, luego cubrirla parcialmente con material cermico, despu
agregarle otra media vuelta, aislada y as hasta completar el nmero de vueltas necesarias.
siendo tennmada con na capa de material aislante para sellado hermtico. Este procesl
permite construir simultneamente 100 inductores idnticos sobre un sustrato de almina dI
50,8 rom por 50,8 rom.
La fijacin se puede hacer por soldadura, con mezcla de indio, o por pegado con epox
conductor, de la misma forma que comentamos para los resistores.

--- -

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