SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA

Ing. Luis Zevallos Alvarez

 OBJETIVOS

Analizar las caractersticas de los

semiconductores de potencia.
Estructura de los sistemas
Electrnicos de Potencia
E. Elctrica
Circuito
E. Elctrica Salida
De
Entrada
Potencia
Sistema a
Accionar
Circuito de
Disparo y
Bloqueo

Circuito
Referencia
De
Control
 Funcionamiento Ideal

Estado de Bloque o Corte

Dispositivo Semiconductor
de Potencia
Terminal Terminal
Principal 1 Principal 2

I= 0

Terminal
de control
 Funcionamiento Ideal

Estado de Conduccin o Saturacin

Dispositivo Semiconductor
de Potencia
Terminal Terminal
Principal 1 Principal 2

Terminal
de control
 Funcionamiento Ideal

Cmo se controla un dispositivo de potencia?

a. La polarizacin de los terminales principales debe

ser la correcta.
b. Se aplica una seal (de corriente o voltaje segn el
tipo de dispositivo) al terminal de control
c. El nico dispositivo de potencia que no tiene
terminal de control es el Diodo Rectificador, cuyo
control depende de la polaridad de la fuente de
alimentacin que lo alimenta.
 Funcionamiento Ideal
Caractersticas Ideales

a) Baja corriente de fugas en estado de bloqueo.

b) Alta tensin de bloqueo.
c) Alta corriente nominal.
d) Baja cada de tensin en el estado de conduccin.
e) Proporcionalidad directa entre la cada de tensin y la
intensidad de corriente.
f) Cortos tiempos de conexin y desconexin.
g) Buena posibilidad de admitir valores altos de dv/dt y
di/dt.
h) Bajas tensiones e intensidades de control, es decir,
potencia de control reducida.
 Funcionamiento Ideal

Caractersticas Reales

a) Tensin de utilizacin
b) Intensidad nominal de empleo
c) Tiempo de conmutacin desde bloqueo a conduccin
(Tiempo de encendido tON).
d) Tiempo de conmutacin de conduccin a bloqueo
(Tiempo de apagado tOFF).
e) Velocidad de conmutacin.
f) Control con pequea potencia (tensin o intensidad)
 Diodos Rectificadores
Principio de Funcionamiento

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -

Ejemplo de Vlvula Check

Solo deja conducir la corriente en un solo sentido

 Diodos Rectificadores

Principio de Funcionamiento
 Diodos Rectificadores
Principio de Funcionamiento
 Diodos Rectificadores
Principales caractersticas

En polarizacin inversa: (Estado de bloqueo)

VRRM: Voltaje de pico inverso repetitivo.

VRSM: Voltaje de pico inverso no repetitivo
(transitorio).
IRRM : Valor pico de la corriente de fugas con VRRM.
 Diodos Rectificadores

Principales caractersticas

En polarizacin directa: (Estado de conduccin)

IF(AV) : Corriente directa media (ADC).

IF(RMS): Corriente directa eficaz (ARMS).
IFSM : Corriente directa instantnea mxima, no repetitiva
que soporta en el tiempo de un semiciclo.
 Diodos Rectificadores
Tipos de encapsulado

Tipo HR-16
Tipo SR-75
Tipo DO-4
 Diodos Rectificadores

PRUEBAS CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO

0.45V Cable rojo nodo

Cable negro

Ctodo
 Diodos Rectificadores

PRUEBAS CON MULTMETRO EN ESCALA DE DIODO

OL Cable rojo Ctodo

Cable negro

Anodo
 Tiristores (SCR)

Principio de Funcionamiento

Estado de Bloqueo

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
ANODO CATODO

GATE
 Tiristores (SCR)
Principio de Funcionamiento

Disparo del Tiristor

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
ANODO CATODO

GATE
 Tiristores (SCR)
Principio de Funcionamiento

Estado de Conduccin

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
ANODO CATODO

GATE
 Tiristores (SCR)
Principio de Funcionamiento

Tiristor bloquendose

presin presin
de agua cero de agua cero
flujo casi cero
- -
ANODO CATODO

GATE
 Tiristores (SCR)
Silicon Controlled Rectifier
 Tiristores (SCR)
Principales caractersticas
En polarizacin inversa:
VRRM: Voltaje de pico inverso repetitivo.
VRSM: Voltaje de pico inverso no repetitivo (transitorio).
IRRM: Valor pico de la corriente de fugas con VRRM.

En polarizacin directa:
IF(AV): Corriente directa media (ADC).
IF(RMS): Corriente directa eficaz (ARMS).
IFSM: Corriente directa instantnea mxima, no
repetitiva que soporta en el tiempo de un semiciclo.
 Tiristores (SCR)
Principales encapsulados

HT-23

TO-93

TO-48
 Tiristores (SCR)
Principales encapsulados

Ctodo
0.45V Cable rojo
Gate

Cable negro

GND Anodo
 Tiristores (SCR)
Resultados de pruebas

Cable Rojo Cable Negro Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro

A K OL
K A OL
A G OL
G A OL
K G Valor pequeo 0
G K Valor pequeo 0
Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Principio de funcionamiento

Estado de Corte (Bloqueo)

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
COLECTOR EMISOR

BASE
Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Principio de funcionamiento

Estado de Saturacin (Conduccin)

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
COLECTOR EMISOR

BASE
Transistor Bipolar de Junta (BJT)

Principales Caractersticas

En estado de Corte:
BVCEO: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales
de potencia C y E.
BVCBO: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales C
y B.
 Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Principales Caractersticas

Transistor de Potencia en
En estado de Corte: Corte

C E

+ I= 0 -

B
Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Principales Caractersticas

En estado de Saturacin:

IC: Mxima corriente que pueden soportar los terminales de

potencia C y E.
BVEBO: Mximo voltaje inverso que pueden soportar los
terminales B y E.
PD: Mxima potencia de disipacin del dispositivo. PD= ICxVCE
(Watts).
hFE: Ganancia de corriente. hFE= IC/IB. (No tiene unidades).
ft: Mxima frecuencia de trabajo del transistor. (Unidades en
Hz).
 Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Principales Caractersticas

Transistor de Potencia en
Saturacin
En estado de Saturacin:

C E

+ I -

B
 Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Tipo de encapsulado

TO-220
TO-63

TO-3
Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Pruebas con multmetro en escala de diodo

rojo

negro

Cable Rojo Cable Negro Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro
C E OL NPN
E C OL
C B OL
E B OL
B E Ejm: 0.431
B C Ejm: 0.425
Transistor Bipolar de Junta (BJT)
Pruebas con multmetro en escala de diodo

Cable Rojo Cable Negro Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro
C E OL
E C Ejm: 0.6
C B OL
E B OL
B E Ejm: 0.431
B C Ejm: 0.425

Tabla con resultados para un transistor NPN y diodo damper

Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor
 Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Principio de Funcionamiento

Estado de Corte (Bloqueo)

mayor presin menor presin

de agua de agua
+
DRENADO
-
SURTIDO
R R

GAT
E
(sin seal de voltaje)
 Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Principio de Funcionamiento

Estado de Saturacin (Conduccin)

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
DRENADOR SURTIDOR

GATE
(seal de voltaje)
 Transistor de Efecto de
Campo (Mosfet)
Principales Caractersticas (Corte)

BVDSS: Mximo voltaje que pueden soportar los terminales de

potencia D y S.
 Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Principales Caractersticas (Saturacin)
ID: Mxima corriente continua que pueden soportar
los terminales de potencia D y S.
BVGS: Mximo voltaje que puede soportar el terminal
de control G y su retorno por S.
VGS(th): Voltaje umbral mximo en G y S necesario
para hacer conducir al MOSFET.
PD: Mxima potencia de disipacin del dispositivo. PD=
IDxVDS.
gfs: Transconductancia
mhos(gfs=ID/VGS), es la amplificacin
de corriente respecto del voltaje de control aplicado.
Sus unidades son
 Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Tipo de Encapsulado

TO-220J
TO-220
TO-3

Por lo tanto los transistores MOSFET pueden trabajar con

altas frecuencias de conmutacin.
 Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Pruebas con multmetro en escala de diodo

Cable Rojo Cable Negro Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro
D S OL
S D OL
D G OL
G D OL
G S OL
S G OL

Resultado de la prueba para un mosfet canal tipo n

 Transistor de Efecto de Campo
(Mosfet)
Pruebas con multmetro en escala de diodo

Cable Rojo Cable Negro Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro
D S OL
S D Ejm: 0.6
D G OL
G D OL
G S OL
S G OL

Resultado de la prueba para un mosfet canal tipo n con

diodo damper
 Transistor Bipolar de
compuerta aislada (IGBT)

Principio de funcionamiento

Estado de Corte (Bloqueo)

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
COLECTOR EMISOR

GAT
E
(sin seal de voltaje)
 Transistor Bipolar de
compuerta aislada (IGBT)

Principio de funcionamiento

Estado de Saturacin (Conduccin)

mayor presin menor presin

de agua de agua
+ -
COLECTOR EMISOR

GATE
(seal de voltaje)
 Transistor Bipolar de
compuerta aislada (IGBT)
Principio de funcionamiento
En estado de Corte:
VCES: Mximo voltaje que pueden soportar los
terminales de potencia C y E.
En estado de Saturacin:
IC: Mxima corriente continua que pueden soportar los terminales de
potencia C y E.
VGES: Mximo voltaje que puede soportar el terminal de control G y su
retorno por E.
VGE(th): Voltaje umbral mximo en G y E necesario para hacer conducir
al IGBT.
PD: Mxima potencia de disipacin del dispositivo. PD= ICxVCE.
VCE(on): Cada de voltaje en C y E durante la saturacin del IGBT.
 Transistor Bipolar de
compuerta aislada (IGBT)

Tipo de encapsulado

TO-3PJ
TO-220J
TO-3PJ
 Transistor Bipolar de
compuerta aislada (IGBT)
Pruebas

Cable Rojo Cable Negro Valor Medido (V)

Multmetro Multmetro
C E OL
E C Ejm: 0.6
C G OL
G C OL
G E OL
E G OL
Resultado de la prueba para un IGBT con damper
Trabajo grupal (5 o 6 integrantes mximo)

Elabore un cuadro sinptico / resumen de

Semiconductores de Potencia.

Que sabe de Rectificadores de:

Onda Media?
Onda Completa?
GRACIASPrxima Clase

Rectificadores No Controlados
Onda Media
Onda Completa