BOLETIN IA - SEMICONDUTORES 1. Se dopa silicio con f6sforo en una proporcién de 1 ppm (partes por millén). 2) Caleular la concentracién intrinseca del $i. b) Indicar el tipo de conduecién del $i. ¢) Calcular la concentracién de impurezas y la concentracion de electrones y huecos (1 yp) @ temperatura ambiente si todas estén ionizadas. 4) Caleular ta posicién del nivel de Fermi. ¢) Dibujar el diagrama de bandas. f) {Qué pasa si la concentracion de impurezas igualase el valor de No? (DATO: Constante de red del Si a = 5,431 A). 2. Una muestra de Si esti dopada con 6 - 107 atomos de As por cm’. 4) {Cual es la concentracién de portadores en la muestra de Si a temperatura ambiente? 4) ,Cuél es la concentracién de portadores a 470 K? c) Para cada una de las condiciones determinar la posicion de Ei, caloular Ep — By y dibujar a escala el diagrama de bandas de energia para la muestra de Si, d) Si dopamos el Si con 10% étomos donadores y 5 x 10% dtomos aceptores por cm®, iCuél es la concentracién de portadores a temperatura ambiente?. e) Y si dopamos con con 10" stomos donadores y 10’ Atomos aceptores por cm*. Comprobar que la concentracién de portadores coincide con la intrinseca. ;Por qué? ‘Tener en cuenta que Eg = 1,08 eV a 470 K y suponer que m3/m}, ~ 0,69 es independiente de la temperatura. 3. Cuestiones sobre el nivel de Fer a) Calcular la temperatura T para que el nivel de Fermi de un cristal de Silicio tipo N con Np = 10" cm~* quedara a una energia Eg/3 por debajo de la banda de conduccion. Suponer que Ne y Eg son constantes con la temperatura e iguales a sus valores a temperatura ambiente. 6) En un semiconductor determinado, la probabilidad de que los electrones ocupen un estado de energia KT, por encima del extremo inferior de la banda de conduceién es e~"°. Determinar la posicién del nivel de Fermi en dicho material. c) {Cual es la probabilidad de que un estado de energia KT por debajo del nivel de Fermi esté ocupado por un hueco? 4. Cuestiones sobre la resistividad y mobilidad: 4) La resistividad de un material tipo n es por lo regular més pequeia que la resistividad de un material tipo p de dopado comparable. Explicar por qué. 1») Calcular la resistividad del Si si se dopa con fosforo con una concentracién de 10” cin“. Repetir el célewlo para el caso en que dopemos con aluminio con la misma concentracién, Calcular la corriente de arrastre en ambos casos considerando ‘un campo eléetrico de 10° V/cm. ¢) Caleular la densidad de impurezas necesarias para tener un cristal de Si tipo P con recistividad 10 2-cm. {Qué proporcion hay de étomos de impurezas sobre el ntimero de atomos de $i? (DATO: Constante de red del Si ay ~ 5,431 A). d) Se sabe que ip = 500 cm?/V-s a 300 K. Si el semiconductor es no degenerado, jouanto vale Dj? 5. Un semiconductor esté caracterizado por el diagrama de bandas de energia siguiente: a) Si el semiconductor de Si se mantiene a temperatura ambiente, determinar la resis- tividad del semiconductor para la region « > W/2. b) Un electron localizado en « = W/2 intenta moverse a la region © < —W/2, sin modificar su energia total. ;Cuél es la minima energia cinética que debe tener el electron para conseguir este objetivo? c) Dibujar el potencial electrostatico interno en funcion de sr. d) Dibujar el campo eléctrico en el interior del semiconductor en funcién de e) El semiconductor esté en equilibrio. ,Cmo se deduce este hecho del diagrama de bandas de energia? f) Cusl es la densidad de corriente de electrones (Jn) y la densidad de corriente de Iuecos (Jp) en = 0? 0) {Existe corriente de arrastre de electrones en x = 07. Si asf fuera, oul es la direccién Cel fiujo de corriente de arrastre? h) {Existe corriente de difusi6n de electrones en «= 02. En tal caso, jcusil es la direceion del fujo de eorriente de difusién? 6, Interpretacion de un diagrama de bandas de energfa:a) {Cusl seria. la forma del potencial electrosttico en el interior del semiconductor?. Dibujarla y explicarla. 6) {Cul serfa la forma del campo eléctrico en el interior del semiconductor?. Dibujarlo y explicarlo. ©) {Se dan condiciones de equilibrio? 4) {El semiconductor es degenerado en algin punto? e) En =p, (a qué es igual p? £) iCuél es la densidad de corriente de electrones J, que fuye en a = 2? 4g) {Cuél es la densidad de corriente de arrastre de huecos J? que fluye en «= 2? ‘h) ,Cudnto vale la energia cinética del hueco que aparece en el diagrama?BUBUU CU UU SU UU UU UU EU EU UU UU UU UE UU UU UE CUBOLETIN I B - SEMICONDUCTORES 1. (a) A temperatura ambiente (300 K) la densidad efectiva de estados en la banda de valencia es 2,66 x 10" cm” para el silicio y 7 x 10!* cm~* para el GaAs. Calcular sus correspondientes masas efectivas para los huecos. Comparar estas masas con la masa del electron en el vacio. (b) Caleular para un electrén libre con velocidad de 107 cm/s la longitud de onda de De Broglie. En GaAs, la masa efectiva de los electrones en la banda de conduecién es 0,063mp. Si tienen le misma velocidad, calcular su correspondiente longitud de onda de De Broglie. 2. (a) Calcular la posicién de nivel intrfnseco en silicio a temperatura ambiente y a 1000 °C. (tomamos m, = 1,0mp y my = 0,19m9). {Es razonable asumir que E; se encuentra en la mitad de la banda prohibida? (b) En InSb a 300 K, Eg = 0,18 eV, mi,/mg = 0,0116, m}/mo = 0,40 y ng = 1,06 x 10" cm~®. Explicar cualitativamente (sin utilizar la formula que calcula el valor de E;) si el nivel de Fermi intrinseco en InSb estaré mas proximo a la Ee 0 a la Ey. Comprobarlo a continuacién usando la formula. (c) Las distribuciones de portadores, o nimero de portadores en funcién de la energia en Jas bandas de conduccién y de valencia presentan un maximo una energia préxima a Jos bordes de las bandas. Considerando el semiconductor como no degenerado, calcular Ja energia a la que se encuentra el maximo en la distribucion de electrones. 3. Dibujar un diagrama de bandas para el silicio dopado con 10% étomos/em? de arsénico a 300 K y 600 K. Mostrar el nivel de Fermi, Ee, Ey y utilizar el nivel de Fermi intrinseco como energia de referencia. Asumir ionizacién total. La variacién del bandgap con la temperatura viene dada por la expresi6n: af? T+B Para el silicio a = 4,73 x 10 &V/K, 8 = 636 K y Eg(0) = 1,17 eV. Suponer que las masas efectivas son constantes e independientes de la temperatura. Ec(T) = Ba(0) — 4, Caleular el nivel de Fermi de silicio dopado con 10%, 107 y 10! atomnos/em? de P (Ep = 0,045 eV) a temperatura ambiente suponiendo ionizacién total de las impurezas. A partir del nivel de Fermi calculado comprobar si esta suposicion es correcta para cada valor de dopado. Asumir que los itomos donadores ionizados vienen dados por la expresi6u: 7 Np Nb * Ty 3empl(Er ~ Eoy/KT] 5. (a) Utilizando la expresion para los atomos donadores ionizados dada en el ejercicio ante- rior, calcular le concentracion de donadores sin ionizar para una muestra de silicio dopadacon 10" étomos/cm® de P (Ep = 0,045 eV) a una temperatura de 77 K. Bl nivel de Fermi esté situado a 0,0459 eV por debajo de la banda de conducci6n. (b) Una muestra de silicio a T = 300 K contiene una concentracién de impurezas aceptaras N4 = 10" cm~%. Determinar la concentracién de étomos donantes que debe ser afiadida para que el silicio sea tipo n y la energfa de Fermi esté 0,20 eV por debajo del borde de la banda de conduccion. (a) Calcular la resistividad del GaAs intrinseco a temperatura ambiente (in = 9200 em?/Vs, lp = 320 cm?/Vs). (b) La movilidad de los electrones en el silicio es 4, = 1300 cm?/Vs a temperatura ambiente. Si asumimos que la. movilidad est limitada principalmente por la dispersion con la red cristalina, calcular la movilidad a T= 200 K. (©) Dos mecanismos de dispersion tienen lugar en un semiconductor. Si sélo el primer de los mecanismos esta presente la. movilidad es de 250 cm?/Vs. Si s6lo el segundo de los mecanismos esta presente la movilidad es de 500 cm?/Vs. Calcular la movilidad cuando os dos mecanismos de dispersién estén presentes, . Obtener las concentraciones de electrones y huecos, movilidades y resistividades de mues- tras de silicio a 300 K, para las siguientes concentraciones de impurezas: (a) 5 x 10" Atomos/cm* de boro, (b) 2 x 10° étomos/cm® de boro y 1,5 x 10°* étomos/cm’ de arsé- nico y (c) 5 x 10% étomos/em de boro, 10°” atomos/cm® de arsénico y 10°? atomos/em® de galio. Considerar que: Para portadores mayoritarios: (ea oor 101100/PRoc.n6r #123) 1265 inp) = 65 + Fe ° T+ (pate) ™™ 447 no A+ (saetom)" pla) = 48+ Para. portadores minoritarios: (es 90x s9so1/com120s5):2006) 1180 1+ (ey 370 4 Ga . (a) Una muestra de silicio intrinseco es dopada desde un lateral con donadores de tal forma que Np = Noexp(—az). Suponiendo unas condiciones de equilibrio, encontrar la expresién del campo eléctrico interno que se genera E(sr) considerando Np >> ni. Evaluar B(2) cuando a= 10-* m. (b) Si ahora el perfil de dopado es N(x) = No+(Nz—No)(#/L). Obtener una expresion para el campo eléctrico en un plano « dentro del dispositivo si consideramos constantes Ha(Na) = 282 + Hl Np) = 130+ 2 AAA RAR AAR ARRAN ARAN ONAASI AAAS ONNOOG10. i. el coeficiente de difusion y la movilidad. Cusl es la expresién de la diferencia de poten- cial entre las superficies frontal y trasera de la muestra. si la muestra es de longitud L? Consideraremos condiciones de equilibrio térmico y eléetrico. ‘Una muestra de Si tipo N tiene una resistividad a temperatura ambiente de 0,6 em. En dicha muestra se introducen Ny = 4 x 104 cm~* impurezas metélicas que crean un nivel energético en el interior de la banda prohibida a una profundidad Ee ~ Ep = 0,530 eV. Si los tiempos de vida media de electrones y huecos son, respectivamente, t, = 1,25 x 10°* s ¥ % = 3,13 x 10-8 8, 4) Calcular la tasa de recombinacién de portadores en una zona sin portadores méviles. {Cual es el fenémneno dominante, la generacion o la recombinacién? ) Suponer que s6lo los portadores minoritarios han desaparecido, mientras que la con- centracién de mayoritarios es similar a Ja del equilibrio. Calcular la tasa de recom- binacién de portadores. (a) Calcular ta concentracion de electrones y hmecos en un semiconductor de $i dopado tipo N (Np = 105 cm), que se encuentra bajo iluminacién en estado estacionario con Gy, = 10 cm-5~! y rT, = 7 = 10 us. (b) Dibujar el diagrama de bandas antes y después de iluminar. Asumir bajo nivel de inyeccién. La corriente total en un semiconductor es constante y esté compuesta de dos componentes, un término de arrastre de electrones y un término de difusién de huecos. La concentracion de clectrones es constante ¢ igual a 10 cm™®. La concentracion de huecos viene dada por: (2) = 10 exp (—n/L) cm™, para x > 0 siendo L = 12 jum. El coeficiente de difusion de hnecos es D, = 12 cm?/s y 1a movilidad electrénica es 1000 cm?/Vs. La densidad de corriente total es 4,8 A/em?. Calcular (a) la corriente de difusién de huecos en funcién de x, (b) la densidad de corriente de electrones en funcién de x y (¢) el campo eléctrico en funcién de x.ORV SV VOU CUS SUSU UU UU UU SU SUE SS PSEBOLETIN II A - PROBLEMAS UNION PN 1. Queremos estudiar las caracteristicas de una unién abrupta PN de silicio a temperatura ambiente con boro (10° em-) y fosforo (5,0 x 10" cm™), siendo la longitud de la zona P de 0,002 cm y la de la zona N de 0,002 cm y el dren del contacto de 10°? cm®. Las mo- vilidades de electrones y huecos son 1360 cm?/(V-seg) y 460 cm?/(V-seg) respectivamente ¥ T= Tm = 10" seg. a) En situacién de equilibrio, calcula y representa lo siguiente: 1) La anchura de todas las regiones del dispositive. 2) Las bandas de energia incluyendo la banda de condueci6n, la de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco. Caleula la distancia relativa entre todos esos niveles. 4) Si polarizamos la zona N con 0,2 voltios respecto a la zona P, calcula y representa: 1) La anchura de todas las regiones del dispositivo. 2) Las bandas de energia incluyendo la banda de conduccién, la de valencia, el nivel de Fermi, y el de Fermi intrinseco. Calcula la distancia relativa entre todos esos niveles. 3) El campo eléetrico, densidad de carga y el voltaje en todo el dispositivo. 4) Calcula y representa las corrientes que existen a lo largo de todo el dispositivo. €) Calcula los incrementos de los portadores minoritarias en los bordes de las zonas de vaciamiento para los voltajes 0.3 y -0.3. Representa gréficamente la distribucion de los portadores minoritarios ¢ indica razonadamente si se podria aplicar la hipétesis de bajo nivel de inyeccién para esas polarizaciones. 2. Partimos de una uni6n escal6n realizada con un cristal semiconductor de germanio con Na = 10° em? y Np = 10° cm”, en cada zona, siendo la longitud de la zona P de 0,001 cm y la de la zona N de 0,002 em y el érea de 10- cm?. La permitividad para el germanio es de 1,4337 x 10-1 F/cm, las movilidades de electrones y huecos son 3900 cm?/(V-seg) y 1900 cm?/(V-seg) respectivamente y 7, = T, = 10° seg. 2) Para la situacién de equilibrio, comprobar que no esté degenarado y calcular el potencial de contacto, el ancho de la regién de vaciamiento y el campo eléctrico maximo. 4) Calcula los incrementos de los portadores minoritarios en los bordes de las zonas de vyaciamiento para los voltajes 0,3 y -0,3. Representa graficamente la distribucién de los portadores minoritarios e indica razonadamente si se podrfa aplicar la hipétesis de bajo nivel de inyeecion para esas polarizaciones. ¢) Calcula la relacién entre la corriente total y las componentes de cortiente de elec- trones y huecos en la zona de vaciamiento, Representa gréficamente como varfan las cottientes de electrones y huecos a lo largo de todo el dispositivo 3. Una muestra de Si de las dimensiones mostradas en la figura, se impurifica uniformemente. El lado derecho, desde x=0, se dopa con 10” atomos de In por cm*, El lado izquierdo, desde x=0, se dopa con 10! atomos de P por cm’. Como consecuencia se forma una union.5. Una unién escalon de silicio tiene un dopado Ng = 10* em” y Ny a) Prepresentat gréficamente los valores de Np y Na a lo largo del dispositivo. Indicar cual es la region N y cual la P. Calcular las concentraciones de electrones y huecos en las regiones masivas. 5) Caloular las penetraciones de la regién de vaciamiento en los lados N (tq) y P (ap), ast como la longitud de las regiones masivas correspondientes. Representarlo gréficamente. c) Caleular y representar gréficamente la carga total almacenada en Ia region de vacia- miento. Cuénta carga hay almacenada en el lado P?. Considerar que el sirea trans- versal del dispositivo es Lmm?. 2) Obtener las expresiones que indican el valor del campo eléctrico en cada punto det dispositivo. Representar dicho campo gréficamente y calcular el valor maximo del campo indicando el punto donde se produce. e) Dibujar el diagrama de bandas del dispositivo completo. Para ello se marcarén los limites de la regién de vaciamiento y las distancias entre bandas y de éstas con los niveles de Fermi incluido el intrinseco. Es necesario indicar el valor numérico de les separaciones entre los diferentes niveles de energia en las regiones masivas. {f) Indicar si existe corriente de arrastre de huecos en el punto z ~ 22, siendo — = 10-® cm. Calcular dicha corriente suponiendo variaciones lineales oon la posicién en las bandas de energia. =o << Team Ton 4. En la Sgura se representa Ja distribucién del campo eléctrico en un diodo polarizado con una cierta tension VA. ‘= Razonar, por la forma, de diche representacién, si se trata de una unién simétrica 0 asimétrica. 1 Determinar la concentracién de impurezas en el dispositivo y el potencial de contacto. « Calcular la tensién aplicada externamente, especificando si est polarizado en directa o inversa. ee) Sum 04. um [408 viem 10* cm™*. Caleular: 2 ( i fi c0) Apa(ta) si Va = 0,6 V. 5) Ang(—ap) si Va = 0,4 V. e) Son vélidas en los puntos (a) y (b) las condiciones de inyeccion de bajo nivel? 6. Calcular el voltaje de polarizacién positiva para el cual la corriente ideal en una unién pn a T = 300 K alcanza el 95 % del valor de Ja corriente de saturacién. 7. Obtener las concentraciones de impurezas introducidas en una unién pn de silicio para que Jn = 25 A/om? y Jp = 7 A/em? a Va = 0,7 V. (Dn = 21 cm?/s, Dy = 10 cm?/s, Tp = Tog = 5X 10? 8) 8. Si tenemos una uni6n np polarizada en directa, V4 = 0,5 V: 4) Representar el diagrama, de bandas de energia. ») Obtener el valor de la corriente total para esta polarizacién. Datos: A = 2 mm?, T = 300 K, 24 = 1002», Np = 10" om, jay 900 cm?/Vs, Hp = 450 cm?/Vs, Ty = 20 ns, T, = 10 ns, Ne = Nv = 22,5010" em™ 0 cm. nscorte ere rrr rrr rr errr wwrwwewwrvuwwevuuvywewwuwy. BOLETIN IV - MOSFET - Indicar la condicién de polarizacion y dibujar los diagramas de bandas de energia y densidad de carga para un MOS ideal en las siguientes condiciones. 4) dp = 0,312, ds = 0,312 5) dp = —0,234, bs = 0,078 ©) bs 234, bs = —0,468 d) dp = 0,390, ds = 0,936 e) dp = —0,390, ds = 0,0 Un MOS se mantiene constante a un 0,1 jm con una contaminacién del Si de N, = 10% cm (la constante dicléctrica relativa para el éxido es de 3,9). Calcular: 9) 4, d) in anchura de la regién de vaciamiento cuando dp = $s ©) El campo eléctrico cuando ¢p = és d) La tensién aplicada en la puerta cuando $p = ds . Dibujar la distribucion de carga, de campo eléctrico y de potencial en un MOS ideal con sustrato tipo N bajo condiciones de inversion (incluir en la representacién las tres zonas que componen el dispositivo: metal, éxido y semiconductor) Para un dispositivo MOS $iO,-Si ideal con un espesor de 6xido de 5nm, N, = 10"? em~* y una constante dieléctrica relativa para el 6xido de 3,9, calcular la tension de puerta y el campo eléctrico en la interfaz necesarios para que el silicio en la interfaz sea intrinseco, La concentracién de electrones en los contactos de fuente y drenador de un MOSFET de silicio es de 10°7 cm”, y la tensién aplicada bajo la puerta hace que la concentracién de electrones sea de 10° cm™*. Si suponemos que la corriente que fuye es despreciable, calcular la barrera que ven los portadores. . Para un MOSFET de canal tipo n, con un espesor de la capa de éxido de 8nm, No = 107 cm y una tensién de puerta de 3V, calcular el valor de Vos: para las dos aproxi- maciones vistas en teorfa. (Kox=3.9, Ksi=11.9)DOCOOOODOCODCUC UL Sees UUUGU UE Ue2 > a > 3 > 3 3 > 2 > a > 3 db > > Formulario de Electrénica Fisica Semiconductores en equilibrio térmico Intrinsecos: n=pan; m= VNoNve BoAkt General: 2 ay 2 1 MNF VO! P= NFA Os 6) = ee Br-Be | _ Be~ Ep Sa we a, 5 3 [m ps | = 48286-10873 (em) No dogenerados: eee neeNeBeBOVRT, pyre Ng(be-n/KT Otres expresiones: tag = Nee BBOIND — yy e(Be- BART namelBP-BOIKT, y= pyelE-BRI/AP (2B); mepenk pone ng —Ne Union PN Situacion de equlibrio We) = Fite) — He] 5 (29) ~ (3) Veale Va KE ip Hayey/KT (2) = me pe) = pe Unién abrupta y aproximacién de vaciamiento MAG 29) ty S250 =aNp Pic —2); 0S <5sven eee @ No(No + Na)’ Problema electrocinético Vj=Vu-Va Pi(z) = peoletVA/KE — jel 9/49; 2D ay rife) = np(ealRE relia; 2

Scope Sian Po une poprach & Appar (pure por all. (025818 po Si) ©) Gluke la eaearhacich pohsece bl Si Asumicers que extams trubgiad> o tempetshin ombele T=.200 K, y supers ge a Ses ro ceaererads ch mb ge: a= Uacennen eo AT at, ug, eb = ge Nos tase 0 7% ( a ead vo 3,246 10% on? Ny (T= MaReswBT% (Hh) Coys) > Ay CDR)= 4318-10 cw? C G&i:w Ig = 862-10 *eV/K by haber dip comma Al Ss AP tee be a k dlhna age (oop LZ), & meh qe anbsbuye or ue” ala PN (ander por € ol bor de exch) Ly dias impuresas son docras ©) Globe b cocoa cb inpreras yb caverhacish ck electra y hues (ny 9) a tempore ambiente i tudes eth ievtodes. ne da exokwach cb dine d ils ©, dd ge bral e fle con bese donborion: |, pas ce re pret. Oi, & chr pce Alon cobuw ge hyn chm de? prod Hd Si —s > Spied taaesh hl, NS=Wy ; Apindo niche m dgneech (atsyp) y wha dom: NEtpe not 7m > Nie ofan 2,ho Com se ve ox bat mobs fechas, ge hoior chl nisaw md aye MMs (BF, pe Ks tite A he & ce lr’ ab expeme => Apliocd b ley ce aca mains (sonicndictver ow czsierdor a exh): neat Rg dy Calor ta gosiouh eel nel de Femi 1m denerle aneetietitty p= E+kth[ite|- Eee oir > To G 2 bebe. OleteV at igeeds | ape Nite tee Ey hatte [GBy]= Eve Sahar > Ep, Ey: 0,453 ‘ oy Wage dl ding & bonds f Glos ots wel & Tomi thier: ‘ agen Se, gS, Wa Mt) « Pole. elec * 2 Ae Ny) a Goby Be lot 4 [uch oH) = [y+ Os6el- “nt Eatiel E E vt S 1 weld yy x x of6 el (244) Ege AdeeV --4f----- - & | 0,56eV (£6) Ey Y) Qe usa sibs creeteocd ce inprtios jah el whe Ne? S Ny KeCn4, acon, = 31160" on? tment bl amnrece w deoend y revalid dope mz tow No = 3:2i6-10%an? —_, Wo E.-fg=-betals,]= 0 eh gel fasts & yo dwencss ele,» pam arnt hdibihns FD ye cagh web« Alechoiva, Fiske. Polehs TA, Seneordetoes (i) = ee « Gereicio 2 Un wuate && ek. dyods cm Ny= GIO ans ctr dh As Cla) eb ovadeach & rhc otf ma & & a T= 300 KF Gow yo. vies, pan ad Sa WOK nye G55:10% cw? y spr tanto: oe Ghee WW, (ae gw ok 6-10 ont er S03 ° 4a We 0, NE =Ny si opment Toizoon owe re ieetly > open (ede) Towr ec cxh le 4 ; eB 2 cd by bles brevorbner d prides a T= 470K ' (Sex, oan uy Delors cle cha a, a T=kAO Ke rgCte JRGINCD 6 falar ae (ET (cals ; Es Ig e286 10°. [ml (cu) = 6,307-10an"> - “dton’® wh ot Nya asso 7" [ae]* Gil 39 i Ernglando oborw ge dope Ga (WOK) = 408 eV s fi (Si, 40K) = HAM-10" on® Moen & credo gr futo Tomar Nao? 5 pobror corhnsr soprndh intzooh fll dhinbge WEEN = 640%00?) he wen (WAY oat a) ry = 0410" ow KES fo pay) ———>] P= 4g 920 -lo*em"? 6) Pera. cs ca. bas edits abemiter b porta de G;, ccborke E,~ bi dibyer a cab el digrame a bacs & epi pac b muerte c& 5. Tacs E> Els, SE 6 (th ) wees tak, Ej a Lyfe @- Fae ‘Gre . JAK, Ey £,4OSheV ~ 0,011 Ct bop,Peres 0 exke mrel itkiviad podoms cblow' dd Tym? cons 3 T-4io K Tews as i+ 0,084eV (028A eV) guert Joanie! Glin ouvev oe net & 05832 howe Ey baT= 0,078 = 10 deperondo Mg = 0,122eV > ro dpererc dy Sidopanos el Si cor 40" toner dredores y 5-10 coms acephrer por am’, coud!l C5 la cometbracich ch yortuceres a temperesture, crmbicite? Ye obbvias n; (80 K)2 455-108 on”? de erch qye on lax expresines prada (ye ermer shaoss & ayitbrs, onircichre dyerench, itch Jk nek lie & cg fe = Nuoh (eehfee => |1ng = 5:10!%en* (< Nyt) zt ay 2 G po = A 82:10 ‘om? ote [p= Aeon | RY ws dopans on Ny=Nq=l0"on3 T Comper ge la ncertoush de gorfecre cinch mb nbrhieon.. ¢'Be que? pe tren if na Gr bo expesih previa pea Nn =N 2 cho qe t= Q,85-l0lms Eto care jorge atoms Kalajands cnn cenandoctr conpeaudo, w el ge los iate- 25 doodiras cats €° qe tn a hevkliawe on bs hes amends pbs otepbes. 4 « Benicio Gaashoes she erie! Tin ae] 6) Gla Femperahse, T por que el nivel de Ferm deen cishl. de Sto Lawes wh ox te Wan Ny= DNcn® gece a we crept E/y par dabnjo ch bs bak cada Sper ge Ney Ge on cartel a be femprke e pula aur wbes « TEI0K, Terenos, 0 un senicendctir ox exyclibae, dpeweds ; ye ne Nine EMT Ne eok)= 3246-10"? —» &-Ee= bro fro]* Elec “Fi Fite - ia Polehin JA, Semicardichres (am) «Gn 3 lo “Bile at euninds ees Ne CT) Ne (00 Ks 3.21610%en3 y ge sen E.-Ee= == 0593 MV. Como ones Ny = NE = Witee 4 (courrerdy iizaacr Al, Jedkons nt Ny = lo'Scnr? _ Fiche: A E-& _.,| T= 536,2aK “TEe] Ly Faun senator cbhomitace, bs pobbitd d ge bs derbies eager an etch de enept igT peor eco. do exteo infer dla binds db endxcich @ &® Debormher ke pach dl nel de Femi o dicho maou. cla rbabiDided & cupoesh de x aac con opie E lek b dohiknon de “Fon -Dirae: 4s av a += gio P(Ectat) = el Aveo poled” > tall] gate » ge fea oy Ge eplabldd d genckee hese. re ch Fermi este exch pr on hero? Ba hews b pobbilid & cwparh di eke ce oot Ea bangers & le dod prbdais & Tr! Dies FR=1-Ple-tat)-! re we oe ee]+ Geo 4 Chines abr ceshuiced y nobilibad “eet 4 dectesshyided & uw model bpm ex pr leper mds pega ge brevshrided! de Un abel Ap & eopach epee, Explor tr 4. En gerecd Sereno ’ ben Fi t ( @ + p= Aoi PE alwr ep) Swprporms che nebvide tip sy p an dots Nyy deh: : Fi Bu. fe | 5 z7— a]. fy ape EO athe fen NE Wing >P pein Udshaacde «oe ge hamitld dees apr ob chew, lige py

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