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Trabajo Participativo Familias Logicas PDF
Trabajo Participativo Familias Logicas PDF
Elaborado Por:
Prof.:
Carlos Alberto Ortega
Grupo 3T2 - EO
Familias lgicas.
Una familia lgica de dispositivos circuitos integrados digitales monolticos, es un
grupo de compuertas lgicas construidas usando uno de varios diseos diferentes,
usualmente con niveles lgicos compatibles y caractersticas de fuente de poder dentro
de una familia.
Las caractersticas funcionales de una familia que es preciso tener en cuenta para su
utilizacin en el diseo, montaje y comprobacin de sistemas digitales son las
siguientes:
DL (Lgica Diodo)
RTL (Lgica Resistencia-Transistor)
DTL (Lgica Diodo-Transistor)
HTL (Lgica de alto umbral)
ECL (Lgica de Acoplamiento de Emisor)
TTL (Lgica Transistor-Transistor)
MOS (Semiconductor xido Metal)
o PMOS (MOS tipo-P)
o NMOS (MOS tipo-N)
o CMOS (MOS Complementario)
o BiCMOS (CMOS Bipolar)
IIL I2L (Lgica Inyeccin Integrada).
IIL
En ella se puede apreciar como en serie con la base de cada uno de los transistores se ha
colocado una resistencia de compensacin (Rc) de un valor lo suficientemente elevado
para que la reparticin de corrientes sea lo ms igualada posible y no se produzca el
fenmeno antes descrito.
Esta disposicin de circuito presenta el inconveniente de que con la adicin de la
resistencia Rc aumenta el retardo de conmutacin, al tener que cargarse y descargarse a
travs de la misma la capacidad de entrada de los transistores aunque, por otra parte,
tiene la ventaja de un mayor factor de salida (fan-out). Por ello en el diseo de estos
circuitos es necesario un compromiso entre factor de salida y retardo de conmutacin.
Valores normales son, un factor de salida de 4 5, con un retardo de conmutacin de 50
nanosegundos.
Por otra parte, tiene una inmunidad al ruido relativamente pobre. El margen de ruido de
la tensin lgica 0 a la tensin del umbral es de unos 0.5 voltios, pero de la tensin
lgica 1 a la tensin de umbral es de solamente unos 0.2 voltios.
Diode-transistor Lgic
En cuanto a velocidad y a consumo es mejor que la RTL, esto es posible combinando
una compuerta "y" de diodos con un transistor inversor en emisor comn; as se
configur la compuerta "y-negada" (Nand) base de la familia DTL (lgica de
transistores y diodos) que fue la primera que lleg a alcanzar una difusin apreciable.
Diode-transistor Lgic (DTL) es un diodo que trabaja con tensiones de Vbase = 2V y
VCC = 4V.Al tener una tensin de base de -2V se necesitaba una fuente adicional y por
ello aparece en 1964 la DTL modificada.
Caractersticas tpicas:
Descripcin
Es una variante de la tecnologa DTL llamada "Lgica de alto umbral" que incorpora
diodos zener para crear un gran desplazamiento entre los estados de voltaje lgicos 1 y
o. Estos dispositivos operan con una fuente de tensin de 15 Voltios y los encontramos
en controles industriales en donde la intensin es minimizar los efectos del ruido.
Fan Out = 10
Potencia disipada = 55mW
Tiempo de propagacin = 150nS
Vcc = 14-15 V
VoH mx. = 15V
VoH min = 8.5V
VoL mx. = 6.5V
VoL min = 0V
Se caracteriza por tener una alta inmunidad al ruido
Las familias lgicas que utilizan los transistores con atrapamiento Schottky son las
nicas en las que sus transistores no alcanzan la saturacin, y por ello, son ms
rpidas.
La familia ECL utiliza el principio de no conseguir la saturacin de sus transistores,
para ello utiliza la lgica de emisores acoplados (ECL) en vez de los diodos
Schottky.
Existen dos series:
o ECL serie 10000 o ECL 10K
o ECL serie 100000 o ECL 100K (ms rpida y estable frente a T)
Son las ms rpidas del mercado, pudiendo alcanzar los GHz; tambin son las que
ms consumen.
Su tensin de alimentacin es negativa, con lo que da problemas de conexin con el
resto de familias lgicas.
NMOS
El NMOS (Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor) es un tipo de
semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se enciendan o
apaguen con el movimiento de los electrones. El NMOS es ms veloz que el PMOS,
pero tambin es ms costosa su fabricacin.
PMOS
Los PMOS (Positive-channel MOS), tambin un tipo de semiconductor que funcionan
moviendo las valencias de electrones. Los PMOS su funcionamiento es el contrario al
de los NMOS. La utilizacin de MOS de canal P es ms lenta que los de canal N, por
ser la movilidad de los huecos menor que la de los electrones.
Aplicaciones:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Microprocesadores
Memorias RAM
ICs Programables del tipo matricial
PROM, PAL, PLA, PLS
Tendencias Futuras
En primer lugar, las puertas bipolares que condujeron a la gran familia TTL (cuya
amplia difusin consolid la lgica integrada); luego las tecnologas MOS, hasta llegar
a la predominante HCMOS; la mezcla BiCMOS (bipolar-CMOS) que resulta muy
apropiada para circuitos interbs (en medio de los buses); y la derivacin actual hacia
series de bajo voltaje (pasando de la alimentacin habitual de 5 V a slo 3 V).
Esta lnea de evolucin de las puertas con transistores bipolares constituye la edad
antigua de los circuitos integrados digitales; actualmente, apenas se utilizan las
familias bipolares, salvo en determinadas aplicaciones especficas, en particular, para
sistemas de muy alta velocidad.