Está en la página 1de 8

UNIVERSIDAD POLITCNICA

GMEZ PALACIO
10EPO0002D

ACTIVIDAD
Investigacin Diodos

ALUMNO:
Baltazar Dominguez Juan Jose

INGENIERA EN TECNOLOGAS DE
MANUFACTURA
(ITM 6N)

FUNDAMENTOS DE LA ELECTRICIDAD
Ing Martin Gutierrez

Gmez Palacio, Dgo., a 15 de Mayo del 2017


Definicin de diodo
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor
que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran
parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es
grande y en un semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres
de un semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y
magnticos aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos testigos de la
influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la tecnologa. Es inconcebible la vida
moderna sin los medios de comunicacin (radio, televisin, telefona), sin los sistemas de
manejo de informacin (computacin), sin la electrnica de consumo en el hogar, sin los
avances de la medicina auxiliados por la tcnica. Todo ha sido posible gracias a los
trabajos de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a
partir de la invencin de los diodos y transistores. Estos dispositivos basados en
materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los
sistemas electrnicos actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico
en las economas de los pases desarrollados.
De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las
sustancias se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y semiconductores.
La facilidad del movimiento depende de la estructura atmica de la sustancia.
Rojas Ponce y Atagua Lpez
Caractersticas, funcionamiento y aplicacin de los siguientes diodos: Zener, Vericap, Tnel,
Foto Diodo, Gunn, Schockley

Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos
definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo
normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido
inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una
tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso
convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una
tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir,
como dispositivos reguladores de tensin.
Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es,
en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una
capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de
radio en FM.
Representacin en Circuito

Smbolo
Grfica del Diodo

Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que
respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero
en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La
intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin
hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida
de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor
de la tensin.
Smbolo Representacin en circuito

Grfica
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea
excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con
el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de
luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin


grabada en el surco hipottico del CD transformando la luz del haz lser reflejada en el
mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como
resultado el audio o los datos grabados en el CD.

Smbolo Grafica

Representacin en un Circuito
Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no
es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor
de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y
ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al
ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos
superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en
una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas
de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un
constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los
impulsos.

Smbolos
Polarizados inversos y directos
Representacin en Circuito
Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de
barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente.
Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia
(OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se
aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia
del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se
incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la
regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih,
corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava
ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II,
hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I

Representacin en Grafica
Smbolo
Representacin en Circuito

Transistor, Caracterstica, Composicin y Configuracin

Transistor (smbolo, tipos, curva caracterstica y funcionamiento)


El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se
desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la
operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del
ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un
portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Caractersticas de los Transistores:
El consumo de energa es relativamente bajo.
El tamao de los transistores es relativamente ms pequeo que los tubos de vaco.
El peso.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecnica elevada.
Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos
sensibles a la luz).

Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura


4.14a. La operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran las
funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el
transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El espesor de la regin de agotamiento
se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy
considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a,
segn se muestra en la figura 4.16. En resumen:
Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene
polarizacin inversa ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp,
con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores
de las regiones de agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene polarizacin
directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de portadores mayoritarios a
travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la pregunta
sera si acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si
pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy
delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar
esta trayectoria de alta resistencia hacia la Terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los micro
amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La
mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con
polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la Terminal del colector. La
razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la
unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para
el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern
como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados
aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la
regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los
portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesarn la unin con polarizacin
inversa de un diodo puede atribursele el flujo.