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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR

DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y
ELECTRICA

INFORME 1

Tema: ENSAYO DE VACÍO

Profesor:
Ing. José Miguel Puican Vera
Alumno:
Gonzales Gallegos, Abel 15190012
Gerardo
Ipanaqué
Horario:
Lunes 12 pm - 2 pm

Curso:
Máquinas Eléctricas I

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA -2017- Ciudad universitaria, Junio 2017

Junio 2017 . Como quiera que las perdidas 𝑅1 𝐼𝑜2 en vacío son despreciables (debido al pequeño valor de 𝐼𝑜 ) la potencia absorbida en vacío coincide prácticamente con la perdidas de hierro. Al mismo tiempo debe de medirse la potencia absorbida 𝑃𝑜 . de acuerdo con la conexión siguiente: En la practica se realiza alimentando el devanado B. por que normalmente su tensión de régimen esta comprendida en las escalas de medida empleados y pues además existe menos peligro para el operador al trabajar con el lado de baja tensión (B.T. FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Ciudad universitaria.ENSAYO DE VACIO: Esta prueba consiste en aplicar al primario del transformador la tensión asignada.T). la corriente de vacío 𝐼𝑜 y la tensión secundaria. estando el secundario en circuito abierto.

6w 20.e. FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Ciudad universitaria.De esta manera se puede obtener el factor de potencia en vacío: 𝑃𝑜 = 𝑉1𝑛 𝐼𝑜 cos 𝜑 DATOS DE LA EXPERIMENTACION: 𝑉1𝑛 30v 40v 50v 60 v 70 v 80 v 90 v 100 v 110 v 120 v 𝐼𝑜 0.m. Junio 2017 .3w 75w CONCLUSIONES: Es decir el ensayo de vacío permite determinar las perdidas del hierro del transformador y también los parámetros de la rama paralelo del circuito equivalente del mismo.5w 13.14A 0.65A 𝑤 2.4w 5.33A 0.15A 0. merced a que la tensión 𝑉1𝑛 aplicada consiste con 𝐸1 .05A 0.13A 0. 𝐸2 es igual a la tensión medida en el secundario en vacío.26A 0.13A 0. De este ensayo también puede obtenerse la relación de transformación.7w 26w 39.5 w 8.23A 0.17A 0. además la f.4 w 10.2w 6.

45 3.88 3.77 0.76 0.55 10.0011 𝑗 𝑜ℎ𝑚−1 Prueba de Cortocircuito 𝑰𝒄𝒄𝟏 = 𝑰𝟏𝑵 = 𝟒.74 0.44 𝑰𝟏 4.75 0.0032 𝑜ℎ𝑚−1 𝑉𝑜2 1102 𝐼𝑜2 0.73 0.33 12.9 16.00322 = 0.4 6.71 FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Ciudad universitaria.75 0. Junio 2017 .95 2. 𝟓 𝑽 𝑷𝒄𝒄𝟏 = 𝟖𝟐 𝑾 V 24.5 3.85 5.0030 𝑜ℎ𝑚−1 𝑉𝑜2 110 𝑏𝑜2 = √𝑦𝑜2 2 − 𝑔𝑜2 2 = √0.2 14.1 2.33 𝑦𝑜2 = = = 0.54 3.55 1. 𝟓𝟒 𝑨 𝑽𝒄𝒄𝟏 = 𝟐𝟒.Evaluando en 110 v: 𝑃𝑜2 39.2 17.3 W 82 56 44 36 28 22 14 9 5 fp 0.3𝑊 𝑔𝑜2 = 2 = = 0.23 8.7 2.7 7.7 2.5 20.9 1.55 5.74 0.00302 − 0.28 𝑰𝟐 8.74 0.35 1.2 4.20 6.

𝟔𝟑 𝛀 Modelamiento del Transformador FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Ciudad universitaria. Junio 2017 . 𝟑𝟗 𝜴 𝑰𝒄𝒄𝟏 𝑿𝒆𝒒𝟏 = √𝒁𝒆𝒒𝟏 𝟐 − 𝒓𝒆𝒒𝟏 𝟐 = 𝟑. 𝟗𝟕𝟖 𝜴 𝑰𝒄𝒄𝟏 𝟐 𝑽𝒄𝒄𝟏 𝒁𝒆𝒒𝟏 = = 𝟓. 𝑷𝒄𝒄𝟏 𝒓𝒆𝒒𝟏 = = 𝟑.

71 𝑰𝑳 0 0.97 0.7 108.99 0.85 5.54 3 W 14 154 226 331 430 537 621 fp 0.6 𝑰𝟏 0.34 1.02 2.99 Segunda Parte W lado 1 FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Ciudad universitaria.01 1.99 0.68 1.9 113 118 110.8 202.7 211.8 194.99 0.8 204. Prueba bajo carga Primera Parte W lado 2 𝑽𝟏 115 113.8 197.52 2.99 0.97 2.35 0.5 𝑽𝟐 219.94 3.6 214.8 109.87 4. Junio 2017 .35 1.

4 109.64 5.5 192.90 2. 𝟎𝟔 FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA Ciudad universitaria.5 211.6 210 205.66 1 1. Junio 2017 .1 197. 𝑽𝟏 115 112.35 1.02 2.9 𝑽𝟐 218.09 W 0 137 209 308 410 485 584 fp 0 1 1 1 1 1 1 Porcentaje de plena carga (𝑰𝒍 = 𝟑) 𝑰𝒍 %𝑷𝒄 = × 𝟏𝟎𝟎% 𝑰𝟏𝑵 %𝑷𝒄 = 𝟔𝟔% Eficiencia(n) 𝑷𝒔𝒂𝒍𝒊𝒅𝒂 𝒏= 𝑷𝒆𝒏𝒕𝒓𝒂𝒅𝒂 𝒏 = 𝟏.6 112 110.85 4.5 202.54 3.4 𝑰𝟏 0.8 3.51 2.33 1.7 106.80 𝑰𝑳 0 0.8 108.