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Características de los FET

Objetivos
1. Estudiar las características del FET
2. Construir la curva característica del FET
Marco Teórico.- Un dispositivo que posee una alta impedancia de entrada es el
transistor de efecto de campo (FET). Este es un dispositivo unipolar que contiene
solo un tipo de corriente portador, huecos o electrones. El tipo de corriente
portador (huecos o electrones) depende del material escogido.
El funcionamiento del FET unipolar como una resistencia variable depende de la
formación de un canal de espesor variable a través del cual fluyen los portadores.
Un canal n se forma introduciendo impurezas tipo p en los lados opuestos de la
barra de silicio.
Una carga especial se desarrolla en las regiones de la compuerta tipo p la cual
proporciona un espesor efectivo de canal a través del cual los electrones pueden
fluir. Aplicando una polarización inversa entre los diodos fuente y compuerta,
incrementa la carga espacial, y disminuye el espesor eficaz del canal para el flujo
de electrones.

Cuando la tensión 𝑉𝐷𝐷 se aplica como se muestra en la Figura 4-8-4, el drenador
(D) se vuelve positivo con respecto a la fuente (S) y los electrones fluyen de la
fuente hacia el drenador a través del canal. La tensión de compuerta 𝑉𝐺𝐺 controla
la corriente mediante el mando del espesor eficaz del canal. Existe una tensión
crítica de drenador sobre la cual no hay argumento de corriente de drenador. Esta
se llama “tensión de estrangulamiento o contracción” 𝑉𝑃 y depende de la movilidad
de los electrones en la barra de silicio. Como se muestra en la Figura 4-8-2, una
traza de la tensión de drenador versus la corriente de drenador provee una familia
de curvas características cuando para una amplia gama de tensión de compuerta.

y luego localice el bloque e 2. De acuerdo con la figura 4-8-3 y la Figura 4-8-4. . complete el circuito del experimento con grapas de corto-circuito.Procedimiento 1. Ponga el modulo KL-13007 en la unidad Kl-21001.

25 𝑉 𝑉𝐷𝑠 1 2 3 4 5 6 7 8 𝐼𝐷 3.7 2. Mida la corriente de drenador 𝐼𝐷 indica por el miliamperímetro y anote el resultado en la tabla 4-8-1.3. Aplique -15V a V.88 5.82 2. Gire VR5 hasta obtener 𝑉𝐺𝑆 = −0.16 4.06 4. mida 𝐼𝐷 y anote los resultados.78 2.25 𝑉 indicada por el voltímetro.5 2. 9.83 3 2.22 5.27 5.13 5. Gire VR5 completamente a la Izquierda hasta obtener 𝑉𝐺𝑆 = 0 6.12 4. 7.19 4.01 4.75 2.27 .26 2 ID 1.31 Grafico 4-8-1 2. Tabla 4-8-2 𝑉𝐺𝑆 = −0 . Aplique +15v a V+ VR6 se usa para cambiar la tensión 𝑉𝐷𝑆 5.5 0 0 2 4 6 8 10 VDS 8.30 5. Para cada uno de los valores de 𝑉𝐷𝑠 en la tabla 4-8-2 mida 𝐼𝐷 y anote los resultados.61 2.8 2.21 4.VR5 se usa para cambiar la tensión 𝑉𝐺𝑆 4. Para cada uno de los valores de 𝑉𝐷𝑆 en la tabla 4-8-1.30 5.30 3.5 1 0.90 4. Tabla 4-8-1 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉 𝑉𝐷𝑠 1 2 3 4 5 6 7 8 𝐼𝐷 4.

25 𝑉 en la tabla 4-8-3.26 2. Para cada uno de los valores de 𝑉𝐺𝑆 = −0 .8 2.83 Grafica 4-8-3 3 2.75 2.61 2.21 4. 11.27 4.06 4 3.80 2.82 2.19 4.5 2.5 3 2. mida 𝐼𝐷 y anote los resultados.5 3.3 3.75 2.5 0 0 2 4 6 8 10 VDS 10.78 2.83 2.5 𝑉 𝑉𝐷𝑠 1 2 3 4 5 6 7 8 𝐼𝐷 2.7 2.5 ID 2 1.5 1 0.82 2.9 4.12 4. Grafico 4-8-2 4.70 2.5 1 0. Gire VR5 hasta obtener 𝑉𝐺𝑆 = −0 .16 4.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VDS .78 2.5 𝑉 indicada por el voltímetro.61 2. Tabla 4-8-3 𝑉𝐺𝑆 = −0 .26 2 ID 1.

16 2. Gire VR5 para obtener 𝑉𝐺𝑆 = −0.23 2.28 2. mida 𝐼𝐷 y anote los resultados.33 Grafico 4-8-4 2. Figura 4-8-5 6 5 4 ID 3 2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 VDS .23 2. Para cada uno de los valores de 𝑉𝐷𝑆 en la tabla 4-8-4.31 2.30 2.31 2. Dibuje los resultados de la Tabla 4-8-1 en el cuadro de la figura 4-8-5.12. Tabla 4-8-4 𝑉𝐺𝑆 = −0 .92 2 1.5 2. Esta curva será la curva de 𝑉𝐷𝑠 versus 𝐼𝐷 del FET para 𝑉𝐺𝑠 = 0.26 2.26 2.16 1. Repita el paso 14 para los resultados de las Tablas 4-8-2.75 𝑉 𝑉𝐷𝑠 1 2 3 4 5 6 7 8 𝐼𝐷 1. 15.5 ID 1 0.5 0 0 2 4 6 8 10 VDS 14. 4-8-3 y 4-8-4.92 2.28 2.33 2.75 𝑉 indicada por el voltímetro. 13. luego trace una curva suave a través de estos puntos y marque los valores de 𝑉𝐺𝑠 en la curva.3 2.

. De las curvas en la figura 4-8-5 usted puede observar que el FET está en corte 𝐼𝐷 = 0 cuando 𝑉𝐺𝑆 = −0.Resultados y Conclusión Usted ha construido las curvas características del FET a través de un método largo.75 𝑉 y en saturación 𝐼𝐷 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 Cuando 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝑝 .