LASER

Conceptos Bsicos
Laser - Light Amplification by Stimulate
Emission of Radiation
Amplificacin de Luz por Emisin
Estimulada de Radiacin
Como Funciona?
Usa a emisin estimulada para
desencadenar una avalancha de fotones
coherentes.
 tomo de Bhor y su diagrama de
Energa
Energa del Fotn

Estdos del tomo:

Estado Fundamental (es el de menor energia).
Estado Excitado (con energia).
 Emisin de Fotones
Para un material que se encuentre en equilbrio trmico la
emisin de luz (fotones) es el resultado de la absorcin de
energa y la posterior emisin espontnea de enrgia

La Emisin de Fotones puede ser:

Emisin espontnea.
Emisin estimulada
Emisin Espontnea de Radiacin
Fisica III - 05
Anlisis energtico
Espectro de Emisin y de Absorcin
Fisica III - 05
Diferentes espectros Espectros

Fisica III - 05
 Fotones

Fotones coherentes

Fotones no-coherentes
Emisin Estimulada de fotones
tomo en estado excitado con inversin de
Poblacin
Incide un Fotn de energa E = E2-E1

El Fotn incidente induce a dexecitarse al

tomo emitiendo dos fotones de energa
E = E2-E1 coherentes
 Inversin de Poblacin

En condiciones de equilibrio trmico la cantidad de tomos por

unidad de volumen en estado excitado siempre es menor que la
cantidad de tomos en estado fundamental.
Para un gas est dada por la relacin de Boltzmann
N2/N1 = exp(E2-E1)/kT
En un slido existen bandas de energa y la emisin de un foton
ocurre cuando un electrn de la banda de conduccin se recombina
con un hueco de la banda de balencia y la poblacin esta
determinada por la relacin de FERMi DIRAC
 Inversion de la Poblacin
En condiciones de Inversin de la poblacin la cantidad de tomos por
unidad de volumen en estado excitado es mayor que la cantidad de
tomos en estado fundamental.

Cmo se consigue la Inversin de la poblacin ?

Siempre por un proceso de excitacin tambin llamado Bombeo
(descargas lumnicas, corrientes elctricas y otras)
La clave para la inversin de la poblacin es que el tiempo medio
que un tomo pueda estar en estado excitado no sea muy pequeo,
por que si no se tiene una emisin espontnea.
Por lo general estos tiempos son del orden de 10-15 seg
Emisin Espontnea y Estimulada
Amplificacin por medio de emisin
estimulada
Laser Hipottico

Ejemplo con un tomo

 Amplificacin
Para obtener el efecto laser se necesita el medio activo en
condiciones de inversin de poblacin, pero debera ser lo
suficientemente largo para que en la medida que avance el rayo
laser se vaya amplificando y as obtener mas potencia.
Para lograr esto se lo encierra al medio activo en una cavidad ptica
y al rayo laser se lo hace pasar repetidas veces por el mismo.
Esto se logra encerrando el medio activo entre dos espejos
reflectantes: uno con reflexin 100% y otro con reflexin < 100%

Esta es la cavidad de FabryProt o Resonador ptico

Componentes Bsicos de un LASER

Excitacin Bombeo

Haz Laser

Medio activo

Reflector
Reflector 99%
100%
Lser de Rub
 Modos Longitudinales de la cavidad

Dentro de la cavidad se producen ondas estacionarias, como en un

tubo de rgano. Si tiene una longitud L en ella entran un nmero
entero n de medias longitudes de onda:
n* = L
La frecuencia de cada modo es :fm = n*c/2L con * fm= C
La separacin entre modos es fm / n = c/2L
La respuesta o salida espectral de la cavidad sera:

Potencia

tiempo

c/2L
 Sensibilidad espectral del Laser

Curva de sensibilidad
espectral del material activo
S()

Modos de la cavidad de
Fabry Perot

c/2L

 Lser Semiconductor
Relacionando con la teora de lser:
Al medio activo lo provee la juntura P-N altamente contaminada. Esta juntura est
formada por materiales N y P degenerados por su alta contaminacin.
La cavidad resonante de Fabry Perot se logra en la pastilla semiconductora de la
Juntura al terminar de forma recta y pulida el material. La reflexin se produce por la
discontinuidad entre el medio semiconductor y el aire.
La direccin en la que se forma la cavidad es paralela al plano de la juntura PN y
est en la zona de deplexin , que es la zona activa del semiconductor
La inversin de la poblacin se logra en la juntura por la inyeccin de electrones
provistos por la corriente de polarizacin directa. Justo en la zona de juntura se logra
la inversin de poblacin.
La Oscilacin lser se logra cuando la ganancia a lo largo del recorrido del has en el
LD es mayor que las perdidas sufridas en el camino.
Las principales perdidas son debidas a las inhomogeneidades, impurezas, y al
fenmeno de absorcin. El resonador ptico, que es el que provee la realimentacin
ptica se forma debido al alto ndice de refraccin del material semiconductor, que
permite que la reflectancia en las paredes sea suficientemente grande , lo que hace
que las mismas acten como espejos reflectores. Este LD es el llamado Lser de
Fabry Perot
 Lser Semiconductor
La Excitacin Bombeo
es la corriente del diodo

Haz Laser
Zona P
Medio activo
Zona N

Reflector
Reflector 99%
100%
 Lser Semiconductor
Es importante destacar que la accin de amplificacin ptica es
transversal al sentido de circulacin de corriente.
Otra cuestin importante a destacar es que las densidades de
corriente que se manejan son muy altas del orden de 400A/cm2 .
Esto hace que este LD no pueda funcionar en forma continua por la
gran disipacin de energa que provoca
Otra cuestin a destacar es la radiacin o potencia lumnica
emitida en funcin la corriente de polarizacin.
Se observa netamente una corriente de umbral, llamada corriente
de laseo a partir de la cual aparece el efecto lser, o sea que el
haz de luz es coherente. Por debajo de este valor de corriente
umbral de laseo, la emisin es espontanea, o sea luz incoherente.
En esta regin el diodo no es mas que un LED de potencia.
Se observa que el ndice de refraccin en la zona activa o zona de
inversin de poblacin es mayor comportndose como una gua de
onda dentro del material
 HETEREOJUNTURA LASER
Como resultado de procesos de investigacin se logr reducir
drsticamente la corriente de laseo a partir de hacer un sandwich de GaAs
y Gax Al1-x As como se indica en la figura.
Cuando se contamina el Ga con aluminio en la proporcin x se logra
ensanchar el ancho de la banda prohibida. Si el material es tipo P el
ensanchamiento se hace hacia la banda de conduccin. Si el material es N
el ensanchamiento se hace hacia la banda de valencia.
Con esto se logra tener la mayor probabilidad de recombinacin en la zona
de juntura, debida a que es la zona mas probable de recombinacin pues
las zonas vecinas son mas anchas y por lo tanto los saltos menos
probables. Tambin en esta zona es justo en la juntura d{dnde se produce
la inversin de poblacin.
Otra cuestin importante es que el ndice de refraccin en esta zona
central de GaAs es mayor que en las dos zonas adyacentes de Gax Al1-x
As, pues esta contaminacin{ con Aluminio tiene la propiedad de hacer
reducir el ndice de refraccin, formndose como el ncleo de una fibra
ptica que hace de gua de onda de la radiacin ptica generada