04 Amplificadores Entrada Simple PDF

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE
Francisco J. Franco Pelez
Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior
Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.
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ri
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M
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id
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Pa
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h
1
Tema 4 Amplicadores de Entrada Simple
ndice
1. Nociones generales sobre amplicadores 4
1.1. Qu es un amplicador? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2. Insercin de la pequea seal 9
3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos 12

3.1. Conguracin de emisor/fuente comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
d
ri
3.1.1. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar . . . . . . . . . 12
d
3.1.2. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET . . . . . . . 15
a
3.1.3. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET . . . . . . . . . . 17
M
3.1.4. Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos . . . . . . . . . . . . . 17
e
3.1.5. Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar . . . . . . . . . . . . . . 18
d
3.1.6. Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET . . . . . . . . . . . . . 20
se
3.1.7. Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET . . . . . . . . . . . . . . . 22
n
la
3.2. Conguracin de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

te
3.2.1. Conguracin de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

de
lu
3.2.2. Conguracin de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

os
p
3.3. Conguracin de base/puerta comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

m
n
s
m
3.3.1. Conguracin de base comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . . 26

.e
o
alu
3.3.2. Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . . 27

m
C
3.3.3. Conguracin de puerta comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . 29

c
de
d
.u
3.3.4. Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . 31

a
so
w
id
3.4. Conguracin de colector/drenador comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

u
3.4.1. Conguracin de colector comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 33

rs
ra
3.4.2. Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 35

e
Pa
iv
3.4.3. Conguracin de drenador comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 36

:/
n
3.4.4. Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 39

U
p
tt
4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente 40

h
5. Circuitos amplicadores con varios transistores 44

5.1. Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC) . . . . . . . . . . . . . . 44
5.2. Conguracin Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.3. Conguracin Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.3.1. Tecnologa bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3.2. Tecnologa CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 2

5.4. Conguracin Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
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1. Nociones generales sobre amplicadores

1.1. Qu es un amplicador?
Antes de comenzar a estudiar su construccin, es conveniente saber qu se entiende en electrnica
analgica por amplicador . El alumno suele tener la idea de que un amplicador es un dispositivo
con un terminal de entrada y otro de salida de tal modo que la tensin de salida es una versin
agrandada de la de entrada. En otras palabras, el valor de la tensin de salida es dos, tres, o cien
veces la tensin aplicada a la entrada.
Sin dejar de ser cierto, esta concepcin adolece de varios defectos. En primer lugar, se suele
d
pensar que un amplicador solo trabaja con tensiones. ste es un fallo que no se debe cometer pues
ri
se puede trabajar indistintamente con tensiones o corrientes. Por otra parte, un amplicador no tiene
d
por qu agrandar el valor de la tensin de entrada. Podra recrearla tal cual es o incluso atenuarla.
a
M
Claro que hay que manejar cuidadosamente esta idea pues, segn ella, un simple divisor de
tensiones formado por dos resistencias podra ser un amplicador ya que proporciona una versin
e
de la tensin de entrada en el terminal de salida. Por ello, es conveniente resaltar que en todo
d
amplicador debe haber elementos activos como transistores, amplicadores operacionales, etc. En
se
consecuencia,
n
la
te
un amplicador es una sistema con elementos activos que recoge una magnitud elctrica (corriente
de
lu
y/o tensin) de un nudo o rama llamado de entrada y muestra una versin escalada de dicha
os
p
magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

m
n
s
m
.e
Esta denicin genrica nos permite decidir si una estructura es un amplicador o no. Sin embargo,
o
alu
m
C
los amplicadores pueden clasicarse de varios modos atendiendo a los siguientes criterios:
c
de
d
.u
1. Entrada simple / mltiple: Un amplicador puede tener un nico nudo o rama de entrada,
a
so
w
id
o varias. El primer caso no tiene mayor dicultad de comprensin en tanto que el segundo
u
w
rs
requiere una explicacin somera. En muchos casos, la salida es funcin de la diferencia existente
ra
w
e
entre las entradas por lo que se habla de amplicador diferencial. En otros, se pueden realizar
Pa
iv
operaciones diversas con dichas entradas: Suma, valor medio, suma ponderada, etc. Este tipo
:/
n
de funciones suelen ser fcilmente realizables con amplicadores operacionales.

U
p
tt
2. Salida simple / mltiple: Un mismo amplicador puede tener dos o ms salidas. Las salidas
h
pueden ser independientes de modo que cada una de ellas puede estudiarse sin tener en cuenta
las otras. En otros casos, no es as. As, hay amplicadores cuya salida es igual a la diferencia de
tensin entre dos nudos. Esto ocurre, por ejemplo, en los pares diferenciales que se estudiarn
en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.
3. Gran seal / pequea seal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de
entrada a la salida. As, esta magnitud es similar a la original. Estos amplicadores se llaman
de gran seal pues amplican incluso el modo DC. En otros casos, solo se amplican las

magnitudes de entrada situadas por encima de una frecuencia llamada umbral . As, la salida
es una seal oscilante en el tiempo y se pierde informacin acerca del valor DC de la entrada
y, por extensin, de las frecuencias bajas. Estos circuitos suelen estudiarse calculando primero
el punto de operacin del circuito y, en un segundo paso, cambiando cada componente por sus
equivalentes en pequea seal y volviendo a resolver el nuevo circuito. Aplicando el principio
de superposicin, la salida ser entonces la suma de ambas componentes. Por este motivo,
estos circuitos se llaman amplicadores de pequea seal .
4. Amplicadores lineales / No lineales: En algunos casos, la relacin que existe entre la entrada
y la salida es lineal. As, en un amplicador con entrada y salida en tensin la relacin entre
d
ambas podra ser:
ri
VOU T = VOS + K VIN (1)
d
a
siendo VOU T la tensin de salida, VIN la de entrada,
M
VOU T
e
K= (2)
VIN
d
se
la ganancia del amplicador y
n
VOS = VOU T (0) (3)

la
te
de
la tensin de oset de la salida. En este caso, nos encontramos con un amplicador lineal. En
lu
cambio, se dene como un amplicador no lineal aqul en el que la relacin entre la entrada
os
p
y la salida es del tipo

m
n
s
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.e
o
alu
2 3 4
m
VOU T = VOS + K1 VIN + K2 VIN + K3 VIN + K4 VIN + ... (4)

C
c
de
d
.u
relacin que aparece en los amplicadores no lineales. En estos, se puede mantener la denicin
a
so
de Eq. 3 como la de la tensin de oset pero Eq. 2 deja de ser completamente correcta pues
id
u
aparece una dependencia de VIN . As, se puede hacer que la ganancia de un amplicador sea,
rs
ra
simplemente, K1 , o bien denir la ganancia en torno al punto de operacin como

e
Pa
iv

VOU T
:/
n
K= (5)
VIN Q
U
p
tt
Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la aparicin de

h
distorsin. As, supongamos que introducimos una seal de tono puro, VIN (t) = VA sin ( t),

en un amplicador lineal. La salida que se obtendra sera:
VOU T = VOS + K VA sin ( t)
que es otro tono puro con una componente DC adicional. Sin embargo, si la introducimos en

un amplicador no lineal:
VOU T = VOS + K1 VA sin ( t) + K2 VA2 sin2 ( t) + K3 VA3 sin3 ( t) + . . .
1
que es igual a

1 2 3 3
VOU T = VOS + K2 VA + K1 VA + K3 VA sin ( t)
2 4
1 1
K2 VA2 cos (2 t) K3 sin (3 t) + . . .
2 4
d
En otras palabras, han aparecido armnicos de la frecuencia fundamental. En la realidad,
ri
los amplicadores lineales no existen pues todos los amplicadores son no lineales ya que la
d
a
tensin de salida siempre va a estar limitada por las tensiones de alimentacin. Este fenmeno,
M
llamado saturacin , implica que la funcin de salida de todo circuito solo puede ser lineal a
tramos. As, si un circuito est alimentado con dos fuentes de alimentacin +VCC y VEE se
e
2
d
va a cumplir que Eq. 1 es, concretamente :
se

VEE VOS

VEE VIN < K
n

la

VEE VOS +VCC VOS (6)
te
VOS + K VIN K
< VIN < K
de

+VCC VOS
lu

+VCC VIN > K
os
p
m
n
que es una funcin no lineal. Esto no quiere decir, sin embargo, que no sea sensato trabajar con
s
m
.e
las ecuaciones asociadas a circuitos lineales. En general, la mayor parte de los circuitos pueden
o
alu
m
C
considerarse prcticamente lineales de modo que es posible utilizar las ecuaciones derivadas
c
de
de esta simplicacin que, por lo normal, son muchsimos ms simples.

d
.u
a
so
w
id
5. Amplicadores de tensin, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

u
w
rs
objetos de inters, entrada y salida, y dos tipos de seales elctricas, tensin y corriente,
ra
los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categoras como se muestra en Tabla 1. En

e
Pa
iv
general, se dice que un amplicador pertenece a alguno de estos tipos siempre y cuando la
:/
n
ganancia asociada sea ms o menos constante e indepediente de las condiciones de polarizacin

U
como, por ejemplo, la impedancia que carga la salida.

tt
h
1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores

Podemos considerar que, independientemente de sus elementos, todo amplicador puede hacerse
equivalente a alguno de los cuatro modelos que se muestran en Fig. 1. En todos los casos, se entiende
1 Elalumno debe recordar que sin2 (x) = 1cos(2 x)

y que sin3 (x) = 43 sin (x) 41 sin (3x) .

2
2 Realmente, los amplicadores saturan un poco por encima de la tensin de alimentacin negativa y un poco por
debajo de la positiva.

Entrada Salida Nombre Ganancia

VOU T
Tensin Tensin Amplicador de tensin AV = VIN
IOU T
Tensin Corriente Transconductor GM = VIN
VOU T
Corriente Tensin Transresistor GR = IIN
IOU T
d
Corriente Corriente Amplicador de corriente AI = IIN
ri
d
a
Cuadro 1: Tipos de amplicadores en funcin de las magnitudes de entrada y salida.
M
que existen dos terminales de entrada, entre los que existe una diferencia de tensin VIN y circula
e
IIN .
d
una corriente de entrada, Esta concepcin es vlida para los amplicadores diferenciales y para
los de entrada simple ya que, en estos ltimos, basta con hacer el terminal negativo igual al nodo
se
de tierra. En estas circunstancias, es posible denir un parmetro llamado impedancia de entrada
n
la
como
te
VIN
de
ZIN = (7)
lu
IIN
os
p
Este parmetro puede depender de la frecuencia, ser aplicable solamente a la pequea seal, etc.
m
n
s
m
Por otra parte, la ganancia se suele representar como una fuente dependiente de tensin o corriente
.e
o
alu
segn las caractersticas de la salida. As, en el caso de un amplicador de tensin, es posible denir
m
C
una ganancia como la mostrada en Tabla 1 para modelar una fuente de tensin. Esta misma fuente
c
de
d
.u
aparece en los transresistores con la salvedad de que ahora la magnitud de control es la corriente
a
so
GR ,
id
de entrada y la ganancia es con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

u
corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

rs
ra
la entrada es IIN y la ganancia es un nmero puro. Si el amplicador es un transconductor, la seal

e
Pa
iv
de control es la tensin de entrada y la ganancia es GM , o transconductancia , que se mide en

:/
n
1 .
U
La impedancia de salida requiere un tratamiento aparte. En principio, se introduce porque toda

tt
fuente de tensin (corriente) tiene en serie (paralelo) una resistencia. Por ello, se ha introducido
h
ZOU T en todos los esquemas de Fig. 1. Su valor se calculara a travs de las variaciones sobre la
tensin/corriente tericas de salida que se observan en la salida a medida que cambia el valor de la
impedancia de carga, ZL .
Deben tenerse en cuenta algunos puntos de inters. Siempre es posible convertir una fuente de
tensin con una resistencia en serie en una fuente de corriente con una resistencia en paralelo gracias
a los teoremas de Thvenin y Norton. Por tanto, el circuito de Fig. 1a se puede transformar en 1d

(a) (b)
d
ri
d
(c) (d)
a
M
Figura 1: Amplicadores de tensin (a), de corriente (b), transresistor (c) y transconductor (d).
ZL es la impedancia de carga y no pertenece al amplicador propiamente dicho.
e
d
y viceversa aceptando que:
se
AV
GM = (8)
ZOU T
n
la
te
permaneciendo invariable el valor de ZOU T . Anlogamente, el circuito de Fig. 1b se transforma en

de
lu
el de 1c con el cambio
os
p
GR = ZOU T AI (9)
m
n
s
m
.e
Asimismo, teniendo en cuenta Eq. 7, se pueden establecer las siguientes relaciones:

o
alu
m
C
VOU T ZL IOU T ZL
AV = = = AI (10)
c
de
VIN ZIN IIN ZIN

d
.u
a
so
w
id
IOU T IOU T IIN AI

GM = = = (11)
u
VIN IIN VIN ZIN

rs
ra
IOU T VOU T 1 AV
e
GM = = = (12)
Pa

iv
VIN ZL VIN ZL
:/
n
VOU T VOU T VIN

GR = = = AV ZIN
U
(13)
p
IIN VIN IIN

tt
VOU T
h
GR = = AI ZL (14)
IIN
De lo que se deduce que, una vez deducidos algunos parmetros, los dems van cayendo como chas
de domin.

Figura 2: Insercin de una fuente de tensin a un amplicador de corriente.
1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada
d
La tensin que se aplica entre los terminales de entrada en cualquiera de los circuitos de Fig. 1
ri
puede suponerse proveniente de una fuente cuyo equivalente Thvenin es una tensin vS en serie
d
a
con una resistencia de valor RS . As, un modo realista de representar la insercin de una seal a
M
un amplicador es el mostrado en Fig. 2. En este caso, se ha supuesto que el amplicador es de
corriente aunque, en general, se puede suponer cualquier otra conguracin.
e
d
Si desconectramos la fuente de tensin y midiramos la amplitud, obtendramos un valor
se VS .
Este valor se llama salida en abierto . Sin embargo, si conectramos la fuente al amplicador, se
producira una cada de tensin de tal modo que

n
la
te
de
ZIN
VIN = VS
lu
ZIN + RS
os
p
m
n
AV , llamada ganancia en tensin

s
Esto nos permite denir una nueva ganancia en tensin, distinta de

m
.e
AV S ,
o
sobre la tensin de fuente , de valor:

alu
m
C
VO ZIN + RS
c
AV S = = AV (15)
de
d
.u
VS RS
a
so
w
id
que se utiliza en algunas ocasiones.

u
w
rs
ra
w
e
2. Insercin de la pequea seal

Pa
iv
/
:/
n
U
En el tema anterior, se dijo que los circuitos electrnicos constaban de una red principal en la
tt
que se jaba el punto de operacin y que, posteriormente, se aada una fuente en pequea seal
h
que actuara como perturbacin y que se transmitira al nodo de salida. Esto, aparentemente tan
sencillo, plantea una serie de problemas prcticos como los que se produciran en el circuto de Fig.
3.
En ella, se ha supuesto que se ha creado una red con degeneracin de emisor, perfectamente
calibrada, y que se acopla una perturbacin, VS , a la base del transistor con el objeto de modicar
la corriente de base y transmitir esta perturbacin, amplicada, a la corriente de colector. As, se
observara una modicacin signicativa de la tensin de colector, que es la salida del circuito.

Figura 3: Insercin directa de una fuente en pequea seal a una red con degeneracin de emisor.
d
ri
Este es, ms o menos, el funcionamiento deseable. Sin embargo, este circuito no puede funcionar.
d
a
El motivo es sencillo: En DC, la fuente aplicada en la entrada es un cortocircuito. En otras palabras,
M
estaramos conectando la base del transistor a tierra a travs de una resistencia de valor RS //R1
con lo qu se modicara el punto de operacin. Si RS tiene un valor sucientemente pequeo, podra
e
d
conducir al transistor a corte, abandonando la zona activa directa.
Cmo podemos solucionar esto? Existen varias estrategias para acabar con este problema:
se
n
la
1. Acoplo directo: En algunos casos, el diseador decide preparar cuidadosamente el circuito de

te
tal modo que su punto de operacin sea independiente de la tensin aplicada a la entrada.
de
lu
As, en el circuito anterior, una solucin sera hacer R1 << RS . Esta estrategia es til en
os
p
circuitos integrados y es, por ejemplo, la que se utiliza en algunos comparadores de tensin
m
n
s
m
.e
con salida de colector abierto en los que se ha preparado el circuito para que la corriente de
o
alu
base del transistor de salida dependa de la diferencia de tensiones aplicadas en las entradas.
C
c
de
d
2. Realimentacin: Muchos amplicadores diferenciales sacrican una entrada para conectarla a

.u
a
la salida. As, la realimentacin negativa que se produce permite que el punto de operacin se
so
w
id
ajuste de manera mecnica. Esta estrategia es ampliamente empleada en muchsimos dispos-

u
w
rs
itivos en los que existen amplicadores operacionales integrados.

ra
w
e
Pa
iv
3. Capacidades de acoplo: En el caso de diseo discreto, es posible utilizar condensadores de

:/
n
acoplo. Recordemos que un condensador es un dispositivo que en DC se comporta como un

U
circuito abierto pero que, a una frecuencia sucientemente alta, su impedancia puede ser
tt
despreciable frente al resto. As, en circuitos con amplicadores discretos, una solucin al
h
ejemplo de Fig. 3 hubiera sido el mostrado en Fig. 4.
En este circuito, una capacidad C1 se pone en serie con RS de tal modo que el nudo de base no
se ve alterado por esta fuente. Anlogamente, podemos conectar una resistencia de carga a travs
de otro condensador en serie, C2 , de tal modo que no se afecta al punto de operacin. Este tipo
de condesadores, puestos en serie con el elemento que se quiere aislar para no afectar al punto de
operacin, se denominan condensadores de bloqueo .

Figura 4: Uso de condensadores para insertar una pequea seal sin alterar el punto de operacin.
Podra darse el caso contrario. Existen elementos que deben estar presentes para jar el punto
d
ri
de operacin pero su presencia es incmoda al estudiar el circuito en pequea seal. Un ejemplo es
d
RE en Fig. 4, que estabiliza el punto de operacin pero degrada signicativamente la ganancia del
a
amplicador, como veremos en apartados posteriores. Para solucionarlo, podemos usar C3 . A una
M
frecuencia sucientemente alta, la impedancia asociada es mucho menor que la resistencia de emisor

RE // sC1 E
e
de tal modo que es posible considerar que el paralelo formado por ambos elementos, , es
d
prcticamente un cortocircuito. Estos condensadores, puestos en paralelo con elementos indeseables
se
y que sirven para sortearlos en pequea seal, se denominan condensadores de paso .
n
El problema de usar condensadores de paso y de bloqueo es que estamos sacricando la capacidad

la
te
de amplicacin en DC y, por tanto, en gran seal. Los circuitos con acoplo capacitivo solo funcionan
de
lu
en un rango de frecuencias medias, sucientemente altas como para que el mdulo de las impedancias
os
p
capacitivas sean mucho menores que aquellas resistencias que acompaan pero no tanto como para
m
n
que se puedan obviar las capacidades internas del condensador.

m
.e
o
alu
Un tercer grupo de condensadores son los condensadores de desacoplo como C4 . Se colocan

m
C
entre la alimentacin y tierra y, realmente, el circuito podra funcionar sin ellos. Sin embargo, su
c
de
d
.u
uso es recomendable por los siguientes motivos. En primer lugar, contribuyen a eliminar el ruido
a
so
proveniente de la fuente de alimentacin pues las componentes de alta frecuencia encuentran un

id
u
camino de baja impedancia hacia tierra y no afectan al ncleo del circuito. Por otra parte, a veces la
rs
ra
fuente de alimentacin se encuentra relativamente lejos del circuito. En caso de que se produzca un
e
Pa
iv
cambio brusco en la tensin de salida, el circuito puede necesitarse un aporte puntual de corriente
:/
n
de manera inmediata. Si la carga proveniente de la fuente no tiene tiempo de llegar al circuito,

U
ste no funcionar bien. La presencia de un condensador de desacoplo soluciona este problema pues
tt
este condensador proporciona la carga de manera instantnea y se vuelve a cargar una vez que el
h
aporte de corriente ha terminado. Esto tiene gran importancia, por ejemplo, en el diseo de circuitos
digitales de alta frecuencia con microprocesadores, FPGAs y CPLDs, en los que se recomienda
colocar condensadores de desacoplo a menos de 1 cm de cada una de las entradas de alimentacin.

(a) (b)
Figura 5: Amplicador en conguracin de emisor comn basado en BJT, con NPN (a) y PNP (b).
d
Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la base del transistor.
ri
3. Circuitos amplicadores de entrada simple con com-
d
a
ponentes discretos
M
e
En este apartado, vamos a estudiar las distintas conguraciones que pueden construirse con un
d
nico transistor y elementos discretos como resistencias y condensadores. El transistor puede ser de
se
cualquier tipo (NPN, PNP, NMOS, PMOS, NJFET, PJFET) y estar dentro de una red de emisor
n
la
(fuente) degenerado. La pequea seal se introducir con condensadores de acoplo, que tambin
te
de
se utilizarn para conectar nudos especcos del transistor a una tensin constante en el modelo
lu
equivalente de pequea seal.

os
p
Se van a estudiar distintas conguraciones cada una de las cuales tiene unas propiedades que
m
n
s
m
.e
son ptimas para determinadas circunstancias.

o
alu
m
C
3.1. Conguracin de emisor/fuente comn

c
de
d
.u
a
so
w
id
Estos circuitos constituyen una familia de amplicadores que proporcionan una alta ganancia
u
tanto en corriente como en tensin. Todos ellos son inversores por lo que la entrada y salida estarn
rs
ra
en contrafase en el rango de trabajo ptimo (frecuencias medias).

e
Pa
iv
/
:/
3.1.1. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar

n
U
p
tt
En primer lugar, estudiaremos los amplicadores en emisor comn, con un transistor bipolar como
h
nucleo (Fig. 5). Estas conguraciones son especialmente vlidas para amplicar tanto tensin como
corriente segn el valor de la carga. As, el valor de AV y AV S es practicamente independiente de la
carga aplicada, RL si sta es muy grande y, por el contrario, si RL es pequea AI es prcticamente
constante. Esta red se diferencia de otras parecidas, como la red con degeneracin de emisor, en
que existe una capacidad de paso en paralelo con la resistencia de emisor, CE , de tal modo que,
en el modelo en pequea seal, se puede considerar que el emisor del transistor est unido a tierra.
Por ello, esta conguracin se dice de emisor comn . Hay que resaltar que este postulado solo es
vlido a frecuencias medias y altas.

Figura 6: Equivalente en pequea seal del amplicador en emisor comn. Se ha eliminado RE y no

se incorporan parsitos al modelo del transistor.
Al hacer el modelo de pequea seal, se obtiene el circuito de Fig. 6 independientemente de si
d
el transistor es NPN o PNP. Se ha reemplazado el transistor por su modelo de pequea seal en
ri
d
emisor comn ya que se obtienen circuitos mucho ms fciles de resolver. As, se consigue que la
a
parte izquierda del circuito sea independiente de la parte derecha. Puede demostrarse fcilmente
M
que:
vS vin
iin =
e
(16)
RS
d
vin
ib =
se
(17)
hie
n
la
vin = iin (hie //R1 //R2 ) (18)

te
de
lu
y esto nos permite deducir el primer parmetro:

os
p
vin
m
n
ZIN = = (hie //R1 //R2 ) (19)

m
.e
iin
o
alu
Recordemos que, en el tema anterior, se hablaba de que la condicin adicional para calcular los valores
C
R1 y R2 poda venir de la impedancia de entrada del amplicador nal. ste es un ejemplo de ello.
c
de
de
d
.u
Si exigimos que ZIN tenga un valor alto, no podemos elegir valores de las resistencias de polarizacin
a
so
w
id
excesivamente bajos pues incumpliramos los requerimientos previstos. Por otra parte,
u
w
rs
hf e
ra
vout = hf e ib RC //h1 1

oe //RL = oe //RL vin
e
RC //h
Pa
hie
iv
/
:/
n
(RC //h1
oe //RL )
U
AV = hf e (20)
p
hie
tt
Ahora, utilizando Eq. 10-14, se deduce que

h
Zin (RC //h1

oe //RL ) (hie //R1 //R2 )
AI = AV = hf e (21)
RL hie RL
El clculo de la impedancia de salida no puede realizarse directamente a partir del circuito mostrado
en Fig. 6. En su lugar, es necesario hacer unas pequeas modicaciones:
Las fuentes independientes deben anularse. En otras palabras, se requiere cambiar vs por un
cortocircuito a tierra.

Figura 7: Equivalente en pequea seal del amplicador en emisor comn para el clculo de la
impedancia de salida.
d
No tiene sentido calcular la impedancia de salida con una resistencia de carga externa en el
ri
circuito. Precisamente, la impedancia de salida se utiliza para averiguar como afecta la carga
d
a la tensin de salida. Por ello, se cambia por un abierto.
a
M
Es necesario incorporar una fuente ideal, IX , aplicada al nodo de salida de tal modo que la
e
diferencia de tensin, VX , nos permite conocer la impedancia de salida.
d
Con todo esto, el circuito necesario para conocer la impedancia de salida es el mostrado en
se
Fig. 7. Su resolucin es sencilla pues toda la parte izquierda puede eliminarse al constar solo de
n
la
hf e ib
te
resistencias sin ninguna fuente que las alimente. Ello implica que la fuente tambin se puede
de
eliminar y que la nica resistencia que ve la fuente IX , y que coincide con la impedancia de salida,
lu
os
es:
p
VX
= RC //h1

m
n
ZOU T =
s
oe (22)
IX
m
.e
o
alu
Una vez visto esto, nos podemos plantear cuales son las mejores condiciones en las que emplear este
C
circuito. Supongamos, en un principio, que la resistencia de carga es mucho mayor que la impedancia
c
de
d
.u
de salida del dispositivo. En ese caso, las ecuaciones del circuito se convierten en:
a
so
w
id
vin
u
ZIN = = (hie //R1 //R2 )

w
rs
iin
ra
w
e
Pa
iv
(RC //h1 (RC //h1

/
oe ) oe )
AV hf e IC
:/
n
hie N VT
U
(RC //h1
oe ) (hie //R1 //R2 )
AI hf e
tt

hie RL
h
Se ha conseguido que la ganancia en tensin sea prcticamente constante y solo dependiente de
las caractersticas del punto de operacin elegido. En cambio, la ganancia en corriente depende
fuertemente de la resistencia de carga. En conclusin, este dispositivo funciona como un amplicador
de tensin cuando la resistencia de carga es muy alta comparada con la de salida, (RC //h1
oe ).
En cambio, si suponemos que la resistencia de carga es muy baja, las ecuaciones se reducen a:
RL
AV hf e
hie

(a) (b)
Figura 8: Amplicador en conguracin de fuente comn basado en MOSFET, con NMOS (a) y
d
PMOS (b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la puerta del transistor.
ri
d
RL (hie //R1 //R2 ) (hie //R1 //R2 )
a
AI hf e = hf e
M
hie RL hie
de modo que el circuito funcionara como un amplicador de corriente. Sin embargo, no se debe
e
olvidar un hecho signicativo: La corriente que llega a la carga proviene de la fuente y debe atravesar
d
la resistencia de colector de modo que estar siempre limitada por sta ya que un valor excesivamente
se
alto conducira al transistor a saturacin. En otras palabras, la corriente de salida no podra exceder
n
la
demasiado de IC . Anlogamente, en un amplicador de tensin, la salida completa (VOU T,Q + vout )

te
de
no puede exceder de los valores de la tensin de alimentacin pues, si no, se saturara.

lu
os
p
3.1.2. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET

m
n
s
m
.e
o
Los circuitos que se plantean son similares al del apartado anterior cambiando el transistor NPN
alu
m
C
por un NMOS y el PNP por un PMOS (Fig. 8). Hay que tener en cuenta, por otro lado, que es
c
de
d
importante indicar donde se ha conectado el terminal de sustrato: A la fuente del transistor o a la

.u
a
alimentacin. Ocurre que los transistores MOS discretos tienen el terminal de fuente y el sustrato
so
w
id
cortocircuitados, hecho que no ocurre en los dispositivos integrados. Por tanto, vamos a considerar,
u
w
rs
3
ra
a partir de ahora, que en estos circuitos ocurre as y que, por tanto, no existe efecto sustrato .
w
e
Pa
iv
En ambos casos, el circuito en pequea seal es el mostrado en Fig. 9. Se ha tenido en cuenta

/
:/
n
que, en pequea seal y a frecuencias medias, la fuente del transistor est conectada a la tierra de
U
modo que la tensin de entrada, situada en la puerta del transistor, es la de puerta-fuente en pequea
tt
seal. En consecuencia, los parmetros que se pueden deducir rpidamente son los siguientes:
h
vin
Zin = = (R1 //R2 ) (23)
iin
vout = gm vgs go1 //RD //RL

3 Realmente, la presencia de los condensadores CS impediran en cualquier caso la aparicin de este efecto. Sin
embargo, en los prximos apartados veremos conguraciones donde este condensador no est presente por lo que
conviene resaltar, desde un principio, que en transistores MOS discretos no hay efecto sustrato . Lamentable-
mente, la capacidad CJBD adquiere una relevancia que no se hubiera dado conectando el sustrato a una tensin
constante.

Figura 9: Equivalente en pequea seal del amplicador en fuente comn.
vout
= gm go1 //RD //RL

AV = (24)
d
vin
ri
iout Zin (R1 //R2 )
d
1

AI = = AV = gm g
o //RD //RL (25)
a
iin RL RL
M
Por otra parte, a partir del circuito de Fig. 9 es fcil obtener el que nos da la resistencia de salida.
En este caso, se puede demostrar que:
e
d
ZOU T = go1 //RD

(26)
se
n
la
A semejanza del emisor comn, en caso de que la impedancia de carga sea mucho mayor que la
te
de
resistencia de drenador y/o la conductancia del MOSFET, la ganancia del amplicador se convierte
lu
en:
os
p
AV gm go1 //RD

(27)
m
n
s
m
.e
(R1 //R2 )
o
1
alu

AI = gm g
o //RD (28)
m
C
RL
c
de
En otras palabras, funciona mejor como amplicador de tensin con ganancia conocida. Hay que
d
.u
a
RD << go1 , Eq. 27 se convierte en AV gm RD IDS,Q .

p
resear, adems, que en caso de que
so
w
id
gm
En cambio, si fuera al contrario, AV 1 . En otras palabras, existe un valor intermedio
u
go IDS,Q
rs
en el que la ganancia sera prcticamente independiente del punto de operacin.

ra
w
e
Pa
Por el contrario, si la resistencia de carga es mucho menor que las restantes:

iv
/
:/
n
AV = gm RL
U
(29)
p
tt
(R1 //R2 )
h
AI = gm RL = (R1 //R2 ) gm (30)

RL
Esta ganancia es tanto mayor cuanto mayores sean las resistencias de polarizacin de la puerta. Por
otra parte, hay que recordar que ni la tensin mxima de salida puede exceder la de las alimentaciones
ni la corriente de salida la de drenador.

(a) (b)
Figura 10: Amplicador en conguracin de fuente comn basado en MOSFET, con NMOS (a) y
d
PMOS (b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la puerta del transistor.
ri
d
3.1.3. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET
a
M
Los circuitos de esta clase se recogen en Fig. 10. Son exactamente iguales a los asociados a
e
los MOSFET con la salvedad de que un transistor JFET de canal n reemplaza a un PMOS y uno
d
de canal p a un NMOS. Por otra parte, puesto que se ha supuesto en el apartado anterior que el
se
sustrato est conectado a la fuente, el modelo en pequea seal de Fig. 9 sigue siendo vlido para
n
estos amplicadores y, por tanto, tambin el conjunto de ecuaciones deducidas para los MOSFET.
la
te
de
3.1.4. Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos

lu
os
p
Como se ha dicho, los resultados anteriores son vlidos solo para seales de entrada en alter-
m
n
s
m
.e
na situadas en el rango de frecuencias medias pero... qu se entiende por esto?. El rango de las
o
alu
m
C
frecuencias medias est determinado por aquellas frecuencias sucientemente altas como para con-
c
siderar los condensadores de acoplo despreciables en serie y dominantes en paralelo pero no tan altas
de
d
.u
a
como para que entren en juego las capacidades internas del condensador. En ese rango intermedio,
so
w
id
la ganancia de los amplcadores es prcticamente constante e independiente de la frecuencia. El

u
w
rs
lmite superior depende del tipo de transistor y se estudiar en los apartados siguientes. En cambio,
ra
w
e
el lmite inferior depende de parmetros comunes que pueden estimarse fcilmente.

Pa
iv
Sea Fig. 11 un amplicador en conguracin de emisor comn (aunque el resultado es rpida-

:/
n
mente extrapolable al caso de fuente comn).

U
p
tt
Este circuito podra resolverse pero, sin embargo, las expresiones que se obtendran seran bas-
h
tante complicadas. Existe otro modo de estimar la frecuencia de trabajo a travs de un simple
argumento: Entraremos en frecuencias medias cuando la impedancia del condensador sea mucho
menor que las impedancias que se encuentran en serie o paralelo con l. Por tanto:
1
<< mn (RS , ZIN )
CB
1
<< mn (RL , ZOU T )
CL

Figura 11: Modelo en pequea seal de un amplicador en emisor comn a bajas frecuencias.
d
ri
1
<< RE
d
CE
a
M
Estas condiciones no nos marcan donde estn los polos sino que nos permiten intuir el rango de
frecuencias apropiadas para el amplicador. Si se desea un examen ms detallado, se debe realizar
e
una medida real o un anlisis en SPICE. Se apreciara la existencia de un cero mltiple en s = 0 (en
d
este caso, triple al haber tres condensadores) y tres polos a bajas frecuencias en torno a los valores
se
estimados con las inecuaciones anteriores.
n
la
Estas inecuaciones se extrapolan al caso de los transistores FET con un simple cambio de
te
de
nomenclatura.
lu
os
p
3.1.5. Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar

m
n
s
m
.e
o
A muy altas frecuencias, los condensadores de acoplo desaparecen y aparecen las capacidades
alu
m
C
intrnsecas de los transistores. As, en el caso de los transistores bipolares, aparece la capacidad de
c
de
d
difusin en la unin base-emisor y una capacidad de vaciamiento en la unin base-colector. Cuando

.u
a
calculamos la frecuencia de transicin de un BJT, despreciamos esta capacidad pero, en este caso,
so
w
id
no es posible debido al llamado efecto Miller .

u
w
rs
Recordemos que el teorema de Miller establece que si existe una impedancia ZX entre dos nodos
ra
w
e
Pa
llamados 1 y 2 tales que la tensin del nudo 2 est controlada por el primero (V2 = K V1 ), se puede
iv
/
:/
obtener un circuito equivalente tal que:

n
U
1. No hay una impedancia conectando los nodos 1 y 2.

tt
h
1
2. Entre el nudo 1 y tierra aparece una impedancia de valor ZX
1K
K
3. Entre el nudo 2 y tierra, existe una impedancia de valor ZX .
K1
1
En nuestro caso en particular, la impedancia ZX = sC
y la ganancia es K = AV |AV |.
Ciertamente, AV depende de la frecuencia pero podemos suponer que, cuando empiezan los efectos
de alta frecuencia, AV (s) AV . Esto deja de ser cierto a una frecuencia superior pero, en la
prctica, el circuito ya ha dejado de funcionar correctamente por lo que pierde inters el modo
exacto en que dependen la ganancia de la frecuencia .

(a)
d
ri
d
a
(b)
M
Figura 12: Modelo en pequea seal de un amplicador en emisor comn a altas frecuencias. AV,DC
e
es el valor absoluto de la ganancia del inversor.
d
se
Fig. 12a representa el equivalente en pequea seal a alta frecuencia. Evidentemente, los valores
n
de las dos capacidades dependen del punto de operacin. Aplicando el teorema de Miller, se puede
la
te
demostrar que, cerca de la frecuencia mxima de trabajo, el circuito equivale al del Fig. 12b. En
de
lu
este circuito, se ha podido realizar la identicacin pues:

os
p
1 1 1 1 1
m
n
Z1 = ZX = =
m
.e
1K 1 AV C s (1 + |AV |) C s
o
alu
m
C
K AV 1 1 1
Z2 = ZX = =
c

de

K 1 AV 1 C s
d
1 + |A1V | C s
.u
a
so
w
id
No es difcil comprobar que Eq. 19 y 22, que nos dan las impedancias caractersticas, siguen siendo
u
w
rs
vlidas si se reemplaza hie por hie = hie // s(C +(1+|A

1
V |)C )
y hoe por hoe = hoe + s 1+ CA1 . En
| V |
ra
w
e
particular, a altas frecuencias la expresin de las impedancias se reducen a:

Pa
iv
/
:/
n
ZIN,0
ZIN (s) = (31)
U
s
1 + ZIN
tt
h
ZOU T,0
ZOU T (s) = s (32)
1 + ZOU T
siendo
1
ZIN = (33)
ZIN,0 CT
1
ZOU T = (34)
1 + |AV |1

ZOU T,0 C

donde CT = C + (1 + |AV |) C . La ganancia en tensin, AV , tambin se ve afectada de manera
parecida con lo que la ganancia se reduce a altas frecuencias segn la expresin
AV,0
AV (s) = s (35)
1 + AV
siendo
1
AV = (36)
(ZOU T,0 //RL ) C 1 + |AV |1

Cumplindose que AV ZOU T . Sin embargo, la ganancia en tensin respecto a la tensin de la
fuente en abierto se ve an ms degradada al disminuir la impedancia de entrada. As, es posible
d
demostrar que:
ri
AV S,0
d
AV S (s) = (37)
a
s s
1 + AV 1 + AV S
M
siendo
ZIN,0 + RS
e
AV S = (38)
d
RS ZIN,0 CT
1
se
expresin que tiende a
RS CT
si RS << ZIN,0 como acontece normalmente. Finalmente, la ganancia
en corriente presenta tambin dos polos pues

n
la
te
de
ZIN (s)
lu
AIN (s) = AV (s) =

RL
os
p
m
n
A
I,0
m
=
.e
(39)
o
s s
1 + AV 1+
alu
ZIN
C
En denitiva, con cuatro frecuencias podemos caracterizar los parmetros caractersticos del ampli-
de
d
.u
cador.
a
so
w
id
La pregunta pertinente es qu relacin tienen estas frecuencias de corte con las caractersticas
u
w
rs
del amplicador y su red de polarizacin. En primer lugar, CT es mayor cuanto mayor sea la corriente
ra
w
e
de emisor, que hace aumentar tanto C , y menor la tensin de alimentacin, que aumenta el valor de
Pa
iv
1
C a travs de VCB V
2 CC
V . Esto se reeja directamente en los valores de las tres frecuencias
:/
n
caracterstica. Sin embargo, los valores de ZIN,0 y ZOU T,0 podran compensar esta disminucin
U
1
pues, al aumentar la corriente de polarizacin, las componentes hie y hoe decrecen. No obstante,
tt
este efecto podra verse minimizado en caso de que ambas impedancias fuesen mucho mayores que
h
aquellas resistencias con las que se encuentran en paralelo.
3.1.6. Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET

A altas frecuencias entran en juego principalmente tres capacidades: La capacidad de puerta-
fuente, CGS , la capacidad de drenador-fuente, CGD y, en el caso de los transistores discretos en
los que la fuente y el sustrato estn cortocircuitados, la capacidad de sustrato-drenador, CBD , que

(a)
d
ri
d
a
M
(b)
e
Figura 13: Modelo en pequea seal de un amplicador MOSFET en fuente comn a altas frecuen-
d
cias. AV,DC es el valor absoluto de la ganancia del inversor.
se
n
comunica la fuente y el drenador. Estas capacidades se han representado en el circuito de Fig.

la
te
13a. En otras circunstancias, hubiera bastado con utilizar la primera capacidad pero, por efecto
de
lu
Miller, la capacidad CGD adquiere una importancia inusitada al ser multiplicada por la ganancia del
os
p
amplicador que, como en el caso del transistor bipolar, se supone igual a la ganancia en tensin a
m
n
frecuencias medias (Fig. 13b).

m
.e
o
alu
En estas circunstancias, el clculo de las expresiones en funcin de la frecuencia es inmediato.

m
C
CO,T = CBD + 1 + |AV |1 CGD ,

As, si denomino CIN,T = CGS + (1 + |AV |) CGD y se puede
c
de
d
.u
deducir que:
a
ZIN,0
so
ZIN (s) =
w
(40)
id
s
1 + ZIN
u
w
rs
ZOU T,0
ra
ZOU T (s) =
e
s (41)
1 + ZOU
Pa
iv
T
:/
n
siendo
1
U
ZIN = (42)
ZIN,0 CIN,T
tt
h
1
ZOU T = (43)
ZOU T,0 CO,T
Por otro lado, la ganancia en tensin adquiere un nico polo tal que:
AV,0
AV (s) = s (44)
1 + AV
1
AV = (45)
(ZOU T,0 //RL ) CO,T

en tanto que la ganancia en tensin respecto a la fuente en abierto presenta dos polos debido a la
disminucin de la impedancia de entrada:
AV S,0
AV S (s) = (46)
s s
1 + AV 1+ AV S
siendo
ZIN,0 + RS
AV S = (47)
RS ZIN,0 CIN,T
Finalmente, la ganancia en corriente presenta dos polos, uno en ZIN y otro en AV . Por tanto:
d
AI,0
ri
AI (s) = (48)
s s
1+ 1+
d

ZOU T ZIN
a
M
Cmo dependen estos parmetros del punto de operacin? En general, el efecto Miller hace que, en
CIN,T , la capacidad predominante sea la derivada de CGD al ser, en general, la ganancia en tensin
e
d
muy elevada. Por otra parte, cuanto mayores sean las resistencias de polarizacin de la puerta,
menor es la frecuencia asociada a la etapa entrada aunque ello redunda tanto en un incremento del
se
RS
consumo de corriente como en un aumento de la relacin , que en muchos casos interesa que
n
ZIN
la
sea muy alta.

te
de
Para combatir este problema existe un truco muy simple pero de una gran ecacia. En lugar de
lu
R1 y R2 , se inserta una resistencia RG de un valor

os
unir directamente la puerta al nodo de unin entre

p
m
n
muy alto entre ambos nodos. No se afecta el punto de operacin y, en general, si RG >> R1 , R2 ,
s
m
.e

tambin lo es de tal modo que ZIN
1
el mdulo de RG + = (R1 //R2 ) independientemente

o
sCIN,T
alu
m
C
de la frecuencia de trabajo.
c
de
d
.u
3.1.7. Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET

a
so
w
id
u
Dadas las similitudes existentes entre los modelos en pequea seal de los transistores MOS y los
rs
ra
JFET, todos los resultados del apartado anterior conservan su vigencia. La salvedad es que no existe
e
Pa
iv
el terminal de sustrato con lo que no se debe tener en cuenta CBD . Por otra parte, se considera
:/
n
1
CGS = CGD = 2
CG siendo CG la capacidad de unin entre puerta y canal. As, se cumplir que:
U
p
tt

1
CIN,T = CGS + (1 + |AV |) CGD = |AV | + 1 CG
(49)
h
1
1 + |AV |1 CG

CO,T = (50)
2
y el resto de frecuencias de inters se deduciran con facilidad.

Figura 14: Modelo en pequea seal de un amplicador en emisor degenerado a frecuencias medias.
d
3.2. Conguracin de emisor/fuente degenerado
ri
d
a
Un problema que presentan los amplicadores con emisor/fuente comn es que la ganancia nal
M
depende directamente de las caractersticas del transistor discreto, que no es fcilmente controlable.
Recordemos, por ejemplo, la considerable variacin que puede existir entre los valores posibles de
e
d
hf e en un transistor bipolar. Una variacin de la temperatura o un simple reemplazo de transistor
se
pueden cambiar enormemente el valor de este parmetro. Por otra parte, la impedancia de entrada
de un amplicador puramente bipolar es, en general, muy baja y puede ser necesario buscar un
n
la
te
mecanismo para aumentarla.

de
lu
Por ello, existe una conguracin llamada de Conguracin de emisor (fuente) degenerado que
os
minimiza la dependencia de la ganancia respecto a las caractersticas del transistor hacindola ms

p
m
n
bien dependiente de las resistencias de polarizacin y, en el caso, de los transistores BJT, aumenta
m
.e
4
o
la impedancia de entrada . Su construccin es muy sencilla pues basta con eliminar el condensador
alu
m
C
CE o CS de los circuitos de Fig. 5a,8a y 10a. Esto afecta a los circuitos equivalentes en pequea
c
de
d
seal pues el emisor o la fuente del transistor no se unen directamente a tierra.

.u
a
so
w
id
3.2.1. Conguracin de emisor degenerado

u
w
rs
ra
El circuito equivalente en pequea seal a frecuencias medias es el mostrado en Fig. 14. En este
e
Pa
iv
circuito, surge el siguiente conjunto de ecuaciones:

:/
n
vin
U
iin = ib +
tt
RP 1
h
vin ve
ib =
hie
vout
iout =
RL
ve
(hf e + 1) ib + hoe (vout ve ) =
RE
4 Tambin lo hace en el caso de los FET pero, como la impedancia de entrada es ya de partida prcticamente
innita, no es un benecio real.

vout
hf e ib + hoe (vout ve ) + =0
RP 2
siendo RP 1 el paralelo formado por R1 y R2 y RP 2 el formado por RC y RL . En principio, podra
chocar que hubiera seis incgnitas y cinco ecuaciones. Sin embargo, recordemos que una de ellas,
iin , no es una incgnita sino un parmetro pues es la fuente que excita el circuito. No es necesario
resolver el circuito completo sino obtener las relaciones entre ellos. Operando con estas ecuaciones,
puede deducirse que la impedancia de entrada tiene una expresin muy complicada que, suponiendo
que hie y RE son despreciables frente a h1

oe y a las expresiones multiplicadas por hf e :
Zin (R1 //R2 //hie + RE (1 + hf e )) (51)
d
ri
lo que, en la prctica, signica que se ha aumentado considerablemente el valor de la impedancia
d
de entrada. Esta expresin es exactamente la que se obtendra si en el circuito de Fig. 14 se hubiera
a
M
supuesto hoe = 0. El precio que hay que pagar por este incremento en la impedancia de entrada es
la disminucin de las ganancias. As, la ganancia en tensin se convierte en:
e
d
hf e h1
oe RE RP 2
AV = (52)
RE +h1 h1
se
hie + RE + hie oe
+ RE RP 2 (1 + hf e )
oe RE + hhfiee
RP 2
n
la
h1
te
Para hacer esta aproximacin, se ha supuesto que hie y RE son despreciables frente a oe y a las
de
hf e .
lu
expresiones multiplicadas por Continuando con la ganancia en corriente:

os
p
hf e Zin
m
n
AI (53)
hie 1 + hf e Rh E
m
.e
o
ie
alu
m
C
La impedancia de salida tambin se ve aumentada aunque, en cualquier caso, al estar RC en paralelo

c
de
d
ZOU T
.u
con el resto del circuito, el valor de no puede rebasar este lmite, que suele ser del orden de
a
unos cuantos k. Por otro lado, la reduccin de la ganancia implica un aumento del ancho de banda
so
w
id
u
del amplicador.
w
rs
ra
w
e
3.2.2. Conguracin de fuente degenerada

Pa
iv
/
:/
n
En este caso, la conguracin que se adopta es la de Fig. 8 y 10 prescindiendo de CS . En pequea

U
seal, se obtiene el de Fig. 15 teniendo en cuenta que en los transistores JFET y en MOS discretos
tt
con el sustrato unido a fuente no existe efecto sustrato con lo que gmb = 0. Operando con este
h
circuito, es fcil demostrar que:
vout vx
=
RP 2 RST
vout
gm (vin vx ) gmb vx + go (vout vx ) + =0
RP 2
vin = RP 1 iin

Figura 15: Modelo en pequea seal de un amplicador con fuente degenerada a frecuencias medias.
d
ri
vout = RL iout
d
a
siendo RP 1 = (R1 //R2 ) y RP 2 = (RD //RL ). Es fcil deducir entonces que:
M
vin
Zin = = RP 1 (54)
e
iin
d
vout RP 2
se
AV = = (55)
vin R 1+ gmb
+ go
+ go
RP 2
1
+ gm
n
ST
la
gm gm gm
te
ZIN RP 2 RP 1
de
AI = AV = (56)
lu

RL RL R 1+ gmb
+ go
+ go
RP 2
1
+ gm
os
ST gm gm gm
p
m
n
La resistencia de salida tendra que calcularse con un circuito ligeramente distinto, cortocircuitando
m
.e
o
vS , eliminando RL y colocando una fuente de corriente constante para excitar el nudo de salida. En
alu
m
C
estas circunstancias, se va a vericar que

c
de
d
.u

gm + gmb
a
1
ZOU T = RD // go + RST 1 + (57)
so
w
id
go
u
w
rs
ra
Es ligeramente ms grande que la que se obtiene con fuente degenerada pero, en cualquier caso,
w
e
Pa
iv
est acotada superiormente por el valor de la resistencia de drenador.

/
:/
n
U
3.3. Conguracin de base/puerta comn

p
tt
h
sta es una familia de circuitos que se construyen a partir de un circuito de polarizacin con
emisor o fuente degenerados. Despus, un conjunto de capacidades conectan en pequea seal la
base o puerta a tierra. As, se consigue un circuito capaz de replicar en la resistencia de carga la
corriente aplicada a la entrada. En otras palabras, puede utilizarse como seguidor de corriente.

(a) (b)
d
ri
Figura 16: Amplicador en conguracin de base comn basado en BJT, con NPN (a) y PNP (b).
d
Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es el emisor del transistor bipolar.
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
Figura 17: Modelo en pequea seal de un amplicador en base comn a frecuencias medias.
p
m
n
s
m
.e
3.3.1. Conguracin de base comn a frecuencias medias

o
alu
m
C
Dependiendo del caracter NPN o PNP del transistor bipolar que constituye el ncleo del am-
c
de
d
.u
plicador, las posibles conguraciones se muestran en Fig. 16. El clculo de la ganancia se realiza
a
so
pasando al equivalente en pequea seal teniendo en cuenta un par de puntos. En primer lugar, es
id
u
altamente recomendable usar el modelo en base comn del transistor dado que el circuito que se
rs
ra
genera es extremadamente sencillo de resolver. Por otra parte las resistencias R1 y R2 que sirven
e
Pa
iv
para polarizar la base desaparecen del modelo en pequea seal al estar los extremos de ambas
:/
n
unidos a tierra. De este modo, el circuito equivalente se convierte en el de Fig. 17.

U
Es evidente que, en este circuito, la impedancia de la entrada es:

tt
h
vin hie
Zin = = (RE //hib ) = RE // (58)
iin 1 + hf e
Por otra parte, la ganancia en tensin es
vout
= hf b RL //RC //h1
1
AV = ob hib (59)
vin

y en corriente ser:
iout Zin
AI = = AV (60)
iin RL
Veamos ahora qu expresin adoptan las ecuaciones en condiciones generales. Ocurre que
hie N VT N VT
=
1 + hf e IB (1 + hf e ) IE
que, en circunstancias normales, es del orden de unas decenas de ohmio. Por tanto, es mucho menor
que la resistencia de emisor con lo que:
N VT
d
Zin hib = (61)
ri
IE
d
Por otra parte, ocurre lo siguiente:
a
M
hf e
hf b = 1
1 + hf e
e
d
hoe IC IB
se
hob = =
1 + hf e VAF (1 + hf e ) VAF
n
la
con lo que, en condiciones de trabajo usuales en las que las resistencias son del orden de unos k y
te
de
1
la corriente de base del orden del A, el factor hob >> RC , RL . Por ello, las ganancias anteriores
lu
se convierten en:
os
p
AV (RL //RC ) h1
m
n
(62)
s
ib
m
.e
o
alu
y en corriente ser:
m
C
Zin RL //RC RC
AI = AV = (63)
c
RL RL RL + RC
de
d
.u
a
Suponiendo que la resistencia de carga es mucho menor que la de colector, AI 1. Por este motivo,
so
w
id
el dispositivo se llama seguidor de corriente ya que puede desplazar a la carga una rplica de la
u
w
rs
corriente de entrada. Finalmente, el clculo de la impedancia de salida es relativamente sencillo a

ra
w
e
Pa
partir del subcircuito de Fig. 17. Al eliminar la fuente de alimentacin, gran parte de los elementos
iv
/
:/
del circuito desaparecen de tal modo que la impedancia que se ve desde la salida es, simplemente,
n
U
p
tt
Zout = (RC //hob ) RC (64)

h
3.3.2. Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas

A frecuencias extremadamente bajas, los condensadores de desacoplo no pueden considerarse
como cortocircuitos. Para que esto pudiera realizarse, es necesario que las impedancias asociadas
fueran mucho menores que aquellos elementos con los que se encuentran en serie o en paralelo. Por
tanto, estaremos en frecuencias bajas si no se cumple alguna de estas condiciones:
1 N VT
Condensador de Emisor, CE : CE
<< RS , IE

Figura 18: Modelo en pequea seal de un amplicador en base comn a frecuencias altas.
1
Condensador de Base, CB : CB
<< R1 //R2
d
1
Condensador de Carga, CL : << RL //RC
ri
CL
d
El mal comportamiento a altas frecuencias se debe a la aparicin de dos capacidades, C y C ,
a
M
que se disponen de la forma mostrada en Fig. 18. Afortunadamente, la peculiar disposicin de los
condensadores hace innecesaria la utilizacin aproximada del teorema de Miller. Las ecuaciones del
e
apartado anterior son vlidas aceptando que se debe reemplazar RE por RE // sC1 y hob //RC por
d
hob //RC // sC1 . De este modo:
se
!
n
N VT 1 N VT N VT N VT 1 ZIN,0
la
ZIN (s) // = // = = (65)

te

s s
IE sC IE IE sT IE 1 + 1 1 + ZIN
de
T
lu
En otras palabras, la impedancia de entrada tiene un polo en ZIN = T1 , siendo este tiempo el
os
p
m
n
de trnsito de los portadores de la base. Este polo es independiente de las corrientes y tensiones del
s
m
.e
punto de operacin. En la impedancia de salida, el polo aparece en:

o
alu
m
C

1 1 RC
c
ZOU T (s) = RC //hob // RC // = (66)

de
d
s
.u
sC sC 1 + ZOU
a
T
so
w
id
1
siendo ZOU T = . Dado el pequeo valor de esta capacidad, este polo est a frecuencias
u
RC C
rs
bastante altas. Por otro lado, la ganancia en tensin adquiere el siguiente valor:
ra
w
e
Pa
iv

1 1 AV,0
:/
AV (s) RL //RC // h
ib = (67)
n
s
sC 1 + AV
U
p
tt
1
donde AV = C (RL //RC )
. La ganancia respecto a la fuente en abierto adquiere un polo adicional
h
pues
ZIN AV S,0
AV S (s) = AV (s) = (68)
ZIN + RS 1+ s
1+ s
AV AV S

ZIN,0
donde AV S = ZIN 1 + RS
. En cuanto a la ganancia en corriente, deben aparecer dos polos
ya que:
Zin 1
AI = AV (69)
RL 1+ s
1+ s
AV ZIN

(a) (b)
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
(c) (d)
os
p
m
n
Figura 19: Amplicador en conguracin de puerta comn basado en MOSFET, con NMOS (a) y
m
.e
PMOS (b), y JFET, de canal P (c) y canal N (d). Se considera que la entrada propiamente dicha
o
alu
m
C
del amplicador es la fuente del transistor.

c
de
d
.u
con lo que se completa el estudio de este dispositivo a altas frecuencias.

a
so
w
id
u
3.3.3. Conguracin de puerta comn a frecuencias medias

w
rs
ra
w
e
Pa
Por puerta comn se entiende el circuito equivalente al descrito en el Apartado 3.3.1 tras reem-
iv
/
:/
plazar el transistor NPN por un NMOS o un JFET de canal P y el PNP por un PMOS o un JFET
n
U
de canal N. Fig. 19 muestra esas conguraciones. Por semejanza con las conguraciones de base
tt
comn, se ha colocado una capacidad CG . Esta fuente aporta algunas mejoras el circuito, que se
h
discutirn ms adelante pero es prescindible.
En todos los casos, el circuito equivalente en pequea seal es el mostrado en Fig. 20. Se ha
incluido en este modelo la fuente de corriente asociada al efecto sustrato aunque solo es vlida en
transistores MOS con el sustrato conectado a una tensin constante. Al estar la fuente conectada a
tierra, vgs vS = vIN . En este circuito, surgen las siguientes ecuaciones:
iin = (gm + gmb ) vin + go (vin vout ) + RS1 vin

d
Figura 20: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias medias.
ri
d
vout vout
(gm + gmb ) vin + go (vin vout ) = +
a
RD RL
M
vout
iout =
RL
e
d
que, reordenadas, se permiten deducir que: se
gm + gmb + go gm + gmb + go
vout = 1 vin AV = (70)
n
1 1
+ RL1
la
go + RD + RL go + RD
te
de
1
+ RL1
lu
go + RD
Zin = (71)
os
gm + gmb + go + RS1 RD 1
+ RL1 + go RS1

p
m
n
Zin gm + gmb + go
m
.e
AI = AV = (72)
o
RL
alu
1
gm + gmb + go + RS 1 + RD + go RL RS1
RL
m
C
RS1 <<
de
Recordemos que, en la mayor parte de los casos, gmb = 0. Si suponemos que go 0, que
d
.u
a
gm + gmb + go y que RL << RD se puede realizar la siguiente aproximacin:

so
w
id
u
gm + gmb + go RD
rs
AI 1 (73)
ra

(gm + gmb + go ) 1 + RRDL + go RL RS1 RD + RL
e
Pa
iv
/
:/
n
ZIN (gm + gmb )1 (74)

U
p
tt
AV (gm + gmb ) RL (75)

h
con lo que se demuestra que este dispositivo funciona como un seguidor de corriente, transriendo
la corriente de entrada directamente a la salida. Finalmente, solo nos queda averiguar el valor de la
impedancia de salida. Para ello, procedemos como se hace habitualmente obteniendo el circuito de
Fig. 21. En este circuito, se puede demostrar que la impedancia de salida es:

1 gm + gmb
ZOU T = RD // go + (RA //RS ) 1 + (76)
go

Figura 21: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias medias para
el clculo de la impedancia de salida.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
Figura 22: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias bajas.
m
n
s
m
.e
o
alu
que, en general, es aproximadamente igual a RD si se toman valores tpicos de resistencias y trascon-

m
C
ductancias.
c
de
d
.u
a
3.3.4. Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas

so
w
id
u
w
rs
Se pueden denir como frecuencias bajas como aquellas que se encuentran en un rango en el que
ra
w
e
las impedancias de los condensadores no son despreciables frente a las resistencias que se encuentran
Pa
iv
en serie con ellos. El circuito en pequea seal a bajas frecuencias se muestra en Fig. 22. A partir
:/
n
de esta gura, pueden deducirse varios hechos signicativos. En primer lugar, las impedancias de los
U
p
tt
condensadores de bloqueo de la entrada y la salida deben vericar que:

h
1
<< RA , ZIN = (gm + gmb )1
CS
1
<< RL
CL
De aqu pueden deducirse cual es, aproximadamente, la zona de bajas frecuencias. Qu ocurre
con la capacidad CG ? Si observamos el dibujo, podemos apreciar que no tiene ninguna funcin ya
que, en pequea seal, vg = 0 est o no presente el condensador. Por ello, su uso es innecesario

d
ri
d
Figura 23: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias altas.
a
M
en estas conguraciones aunque se puede mantener por dos motivos: Por un lado, se mantiene la
simetra con la conguracin de base comn y, por otro, se elimina el ruido y las interferencias que
e
d
podran provenir de la fuente de alimentacin. se
En el caso de altas frecuencias, el circuito original de Fig. 20 se transforma en el de Fig. 23.
Debe tenerse en cuenta que la capacidad CBD solo aparece en transistores MOS discretos pues no
n
la
te
existe en JFET ni en transistores MOS integrados. En stos, el sustrato est normalmente a tensin
de
CBD CGD
lu
constante y est en paralelo con con lo que su efecto es despreciable. Examinando el

os
circuito, puede verse que la capacidad CGS est en paralelo con RS , CBD con go y, nalmente,
p
m
n
CGD con RD . Por ello, el conjunto de frmulas deducidas en el Apartado 3.3.3 pueden reutilizarse
m
.e
o
cambiando:
alu
m
C

1
c
de
RS RS //
d
.u
sCGS
a
so
w
id

1
RL RL //
u
w
rs
sCGD
ra
w
e
go go + sCBD
Pa
iv
/
:/
n
De este modo, puede deducirse cual es el comportamiento a muy altas frecuencias. Ojo, estos
U
cambios deben aplicarse sobre las expresiones sin simplicar (Eq. 70-72, 76) y no sobre las expre-
tt
siones simplicadas (Eq. 73-75). Si hiciramos eso, llegaramos, por ejemplo, al absurdo de que la
h
impedancia de entrada es constante a altas frecuencias.
3.4. Conguracin de colector/drenador comn

Esta familia de conguraciones se caracterizan por que el colector en los BJT y el drenador en los
FET se conecta en pequea seal a tierra. De este modo, se consigue recrear la tensin de entrada
en la salida con la posibilidad de disminuir la impedancia de salida. Por ello, estas conguraciones
suelen llamarse seguidor de emisor o seguidor de fuente .

(a) (b)
d
Figura 24: Amplicador en conguracin de colector comn basado en BJT, con NPN (a) y PNP
ri
(b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la base del transistor bipolar.
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
Figura 25: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias medias.
os
p
m
n
3.4.1. Conguracin de colector comn a frecuencias medias

m
.e
o
alu
m
C
Las conguraciones de colector comn tpicas, que utilizan transistores bipolares, se muestran
c
en Fig. 24. En pequea seal, ambos circuitos se reducen al mostrado en Fig. 25. Se ha utilizado
de
d
.u
a
como es habitual el modelo de colector comn en pequea seal. Debe tenerse en cuenta que, en
so
w
id
este modelo, hrc 1 y la fuente dependiente no puede despreciarse. Por otro lado, en esta gura,
u
w
rs
vec = vout .
ra
w
e
Si operamos con este circuito, surgen las siguientes ecuaciones:

Pa
iv
/
:/
n
vin vin
iin = ib + +
U
R1 R2
tt
vin hrc vout vin vout

ib = =
h
hic hic
= hf c ib RE //RL //h1

vout oc
Combinando estas ecuaciones, es fcil deducir que:
vin vout
vout = hf c ib RE //RL //h1 = hf c RE //RL //h1

oc oc
hic

hf c (RE //RL //h1

oc ) 1
AV = = hic
(77)
hic hf c (RE //RL //h1oc ) 1 hf c (RE //RL //h1
oc )
Por otra parte, es fcil deducir que:

hic
ZIN = R1 //R2 // (78)
1 AV
Antes de calcular el valor de la ganancia en corriente, expresemos las frmulas anteriores en funcin de
N VT IC
parmetros conocidos. Recordando que hic = hie = IB
, hf c = (1 + hf e ) y que hoc = hoe = VAF
,
las expresiones anteriores se reducen a:
d
1 1 1
ri
AV = hic
= N VT
N VT
(79)
1 1+ 1+
d
hf c (RE //RL //h1
oc ) (1+hf e )IB (RE //RL //h1
oc ) IC (RE //RL //h1
oc )
a
M
En circunstancias normales, estas expresin es muy prxima a 1 pues IC (RE //RL //h1
oc )
1 VCC
IC RE 1V >> N VT . En otras palabras, el dispositivo trasmite la seal de entrada
e

2 10
d
directamente a la carga. Sabiendo cuan cercana a 1 es la ganancia en tensin, se puede deducir que:
se
ZIN (R1 //R2 ) (80)
n
la
te
de
y que, por tanto,

lu
RL
AI = (81)
os
p
(R1 //R2 )
m
n
s
m
.e
El ltimo punto por calcular es la impedancia de salida. Es fcil ver, en estas circunstancias, que el
o
alu
circuito necesario para calcularla es el mostrado en Fig. 26. En este circuito, no puede prescindirse
C
de la parte izquierda ya que existe una fuente dependiente que se tiene que tener en cuenta. As, las
c
de
d
.u
ecuaciones que surgen son:

a

1
so
w
id
IX = + hoc VX + hf c ib

RE
u
w
rs
ra
hrc
w
e
ib = VX
Pa
iv
hic + (R1 //R2 //RS )

/
:/
n
Esta ltima ecuacin puede deducirse directamente al considerar la parte izquierda como una
U
fuente con dos resistencias en el que la corriente se mide en sentido inverso al natural. Por todo ello,
tt
se deduce de manera inmediata que:

h

1 hrc hf c
IX = + hoc VX

RE hic + (R1 //R2 //RS )
En otras palabras, puede considerarse que la impedancia de salida es el paralelo de tres trminos:

hic + (R1 //R2 //RS )
ZOU T = RE //h1
oc // =
hrc hf c

Figura 26: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias medias
para el clculo de la impedancia de salida.
d
ri

1 hie + (R1 //R2 //RS )
d
= RE //hoe // (82)
1 + hf e
a
M
En general, este dispositivo se utiliza como un adaptador de impedancias pues puede utilizarse para
reducir la resistencia de salida de una etapa puramente amplicadora. En estas circunstancias, Eq.
e
d
80 nos dice que la mejor manera de aumentar la impedancia de entrada es aumentar (R1 //R2 ) y,
de este modo, que no se produzca una reduccin drstica de AV S . Despreciando el efecto Early, la
se
impedancia de salida se puede aproximar a:
n
la
te

hie + RS
de
ZOU T RE // (83)
lu
1 + hf e
os
p
m
n
En consecuencia, se obtiene una impedancia de salida que, en cualquier caso, es menor que la
s
m
.e
resistencia de emisor y que una resistencia del orden de la de salida de la fuente dividida por la
o
alu
m
C
ganancia del transistor.

c
de
d
.u
3.4.2. Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas

a
so
w
id
u
A bajas frecuencias, los condensadores de paso y bloqueo no pueden despreciarse por lo que el
rs
ra
modelo en pequea seal adopta el aspecto mostrado en Fig. 27. Esto ocurre si, a la frecuencia de
e
Pa
iv
trabajo, no ocurren todas y cada una de las siguientes condiciones:

:/
n
1
U
<< RS , (R1 //R2 )

CB
tt
h
1
<< RL
CL
1
<< RC
CC
En cambio, a altas frecuencias, el circuito en pequea seal se convierte en el de Fig. 28. Debe
tenerse en cuenta que, segn el teorema de Miller, el condensador C puede cambiarse por dos
1

nuevos condensadores de valor C (1 AV ) y C 1 AV . Sin embargo, en esta estructura, la

d
Figura 27: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias bajas.
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
Figura 28: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias altas.
de
lu
os
p
ganancia en tensin es cercana a 1 en el rango de frecuencias de inters por lo que ambas capacidades
m
n
desaparecen. Este hecho no debe resultar extrao pues en este circuito, no se producen variaciones
m
.e
o
de la tensin BE del transistor con lo que la carga almacenada en C , que no es sino la capacidad
alu
m
C
de difusin CD , no cambia.
c
de
d
C
.u
En cualquier caso, podemos suponer que solo hay una capacidad en paralelo con las dos
a
resistencias de polarizacin. Por ello, Eq. 80, 81 y 82 deben modicarse cambiando (R1 //R2 ) por
so
w
id

R1 //R2 // sC1 . Es de notar que la ganancia en tensin, AV , no se ve
u
afectada. Sin embargo, la

w
rs
ra
ganancia respecto a la fuente en abierto s cae de manera considerable al depender del valor de la
w
e
Pa
iv
impedancia de entrada. Por otro lado, el hecho de que los polos de esta conguracin dependan de
:/
n
C nos hacen ver que el rango de frecuencias de trabajo es considerablemente alto. Esto tambin
U
se poda prever a partir de la relativamente baja ganancia en tensin.

tt
h
3.4.3. Conguracin de drenador comn a frecuencias medias

Las conguraciones que utilizan un transistor FET para conseguir una rplica de la tensin
de entrada en la carga se muestran en Fig. 29. Todas ellas reciben el nombre de conguracin
en drenador comn . Todas estas conguraciones tienen en comn el circuito en pequea seal
mostrado en Fig. 30 con la salvedad de que la fuente gmb solo aparece en los transistores MOS con
el sustrato conectado a una tensin constante. En caso de estar conectado a la fuente del transistor,
o ser JFET, no existe y los clculos que se suceden pueden utilizarse suponiendo gmb = 0.

d
ri
d
(a) (b)
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
(c) (d)
c
de
Figura 29: Amplicador en conguracin de drenador comn basado en MOSFET, con NMOS (a)
d
.u
a
y PMOS (b), y JFET, de canal P (c) y canal N (d). Se considera que la entrada propiamente dicha
so
w
id
del amplicador es la puerta del transistor. Tngase en cuenta, adems, que la resistencia de carga
u
puede estar conectada tanto a tierra como a la alimentacin positiva.

rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
Figura 30: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias medias
para el clculo de las ganancias e impedancia de entrada.

Figura 31: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias medias
para el clculo de la impedancia de salida.
d
Teniendo en cuenta que, en esta gura, vg = vin , vs = vout , se deduce que:
ri
d
a
vin = (R1 //R2 ) iin
M
vout vout
gm (vin vout ) = gmb vout + go vout + +
Rs RL
e
d
se puede deducir de manera inmediata que: se
Zin = (R1 //R2 ) (84)
n
la
te
vout gm
de
AV = = (85)
lu
vin gm + gmb + go + RS1 + RL1

os
p
Ocurre que siempre es posible reducir el valor de go utilizando transistores con un valor muy bajo del
m
n
s
m
.e
coeciente de modulacin del canal. Las conductancias asociadas a las resistencias de carga tambin
o
alu
se pueden hacer despreciables frente a gm usando un transistor de canal sucientemente ancho. Sin
C
gmb , no puede eliminarse fcilmente pues,

c
embargo, recordemos que el valor de la otra conductancia,

de
d
.u
g
en cualquier transistor, mb = 0,1 0,3 por lo que sera imposible alcanzar una ganancia cercana
a
gm
so
w
id
a 1. Esto puede obviarse en transistores discretos y en JFET. Por otra parte,

u
w
rs
Zin (R1 //R2 )

ra
w
e
AI = AV =
1
(86)
Pa
RL 1 + R g 1 g
RL + gm mb + go + RS
iv
L m
:/
n
El clculo de la impedancia de salida se realiza con el circuito de Fig. 31. En este circuito, puede
U
deducirse fcilmente ue vg = 0 y que gm vgs = gm VX . Por tanto, estas fuentes de corriente se

tt
comportan como conductancias de tal modo que la fuente de corriente testigo, IX , aprecia cuatro
h
resistencias en paralelo. Por ello, la impedancia de salida es, simplemente,
Zout = RS // [gm + gmb + go ]1

(87)

d
ri
d
Figura 32: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias bajas.
a
M
3.4.4. Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas
e
d
Utilizando el mismo razonamiento que en otros casos, volvemos a incorporar las capacidades
de paso y de bloqueo al modelo en pequea seal. En este caso, puede verse que el circuito se
se
transforma en el de Fig. 32. Es fcil ver entonces que nos encontraremos en el rango de bajas
n
la
frecuencias si no se cumple alguna de las siguientes condiciones:

te
de
lu
1
<< RA , (R1 //R2 )
os
p
CG
m
n
1
m
.e
<< RL
o
alu
CL
m
C
1
<< RD , (gm + gmb + go )1
c
de
d
CD
.u
a
so
En cambio, el comportamiento a muy altas frecuencias viene determinado por el circuito de Fig.
id
u
CGD
w
33. Examinando este circuito, puede apreciarse lo siguiente: En primer lugar, est en paralelo
rs
ra
con (R1 //R2 ). Por otra parte, CBD est en paralelo con go , las dos fuentes de corriente, RS y RL .
e
Pa
iv
Asimismo, solo existe en MOS con el sustrato unido a la fuente. Los mayores problemas provienen
:/
n
de CGS . Para resolverlo, debemos aplicar el teorema de Miller aunque se pueden dar dos casos: Que
U
exista o no el efecto sustrato. En el primer caso, no es posible que la ganancia se haga 1 como ocurri
tt
en el caso de la conguracin de colector comn. Por ello, debe ponerse en paralelo con CGD una
h
1 A1

capacidad de valor CGS (1 AV ) y, entre salida y tierra, otra capacidad de valor CGS V
que, curiosamente, es negativa. Esto implica que existe un riesgo de que el sistema sea inestable.
Si no existe efecto sustrato, la ganancia en tensin puede alcanzar un valor de 1 de tal modo que
desaparece cualquier inuencia de esta capacidad.

d
Figura 33: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias altas.
ri
d
4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en
a
M
fuentes de corriente
e
d
En el apartado anterior, se estudiaron diversas conguraciones tpicas capaces de amplicar
se
tensiones y corrientes, de aumentar la impedancia de entrada y reducir la de salida de un amplicador.
n
Todas ellas se basan en una red de polarizacin con resistencias, normalmente de emisor degenerado,
la
te
a la que se aaden capacidades de paso y bloqueo para obtener el equivalente apropiado en pequea
de
lu
seal. Sin embargo, ocurre que estas conguraciones presentan algunos problemas pues, en algunos
os
p
casos, la eleccin del valor de las resistencias es complicado. As, por ejemplo, en un amplicador
m
n
de base comn, que se modela como un trasconductor y que debe tener una altsima impedancia de
m
.e
o
alu
salida, interesa aumentar el valor de RC para aumentar este parmetro. El problema aparece pues
m
C
esta resistencia no puede crecer indenidamente ya que afecta al punto de operacin.

c
de
d
.u
Una tcnica habitual para solventar estos problemas consiste en usar fuentes de corriente. Fi-
a
so
jmonos, por ejemplo, en el circuito mostrado en Fig. 34. En este circuito, se reeja a travs del
id
VCC V
u
transistor 2 una corriente de valor IC que polariza el transistor 3, que es el que realmente
rs
RQ
ra
ejerce la amplicacin. Las resistencias RE , R1 y R2 deben ser elegidas para terminar de jar el
e
Pa
iv
punto de operacin. La tensin de colector depende del valor exacto de los parmetros Early de los
:/
n
transistores 1 y 2 pero, en cualquier caso, ambos transistores estarn en ZAD. Al hacer el modelo
U
en pequea seal, se deben utilizar los resultados del Apartado 3.3.1 reemplazando la resistencia de
tt
VAF,2
colector, RC , por la resistencia parsita de la fuente, que, al provenir de un espejo simple, es .
h
IC
Este valor es, en general, considerablemente ms alto que el de la resistencia de colector.
Esta solucin y otras similares plantean nuevos problemas como la estabilidad del punto de
operacin, el comportamiento en frecuencia, etc. Sin embargo, las ventajas que aporta esta solucin
(Resistencias de salida elevadsimas junto con corrientes no nulas, facilidad de clculo del punto de
operacin) han conseguido popularizar esta tcnica. Otra ventaja adicional es que la exibilidad que
muestran las fuentes de corriente para cambiar la cada de tensin entre sus extremos permite que
se pueda realizar un acople directo de la tensin de entrada sin necesidad de usar capacidades de

d
ri
Figura 34: Equivalente de la conguracin de base comn (Fig. 16) con una fuente de corriente.
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
(a) (b)
lu
os
p
Figura 35: Amplicador inversor en emisor/fuente comn con fuente de corriente como carga. RQ
m
n
simboliza la impedancia de salida de la fuente de corriente y RL una resistencia o bien la impedancia

m
.e
o
de entrada de la etapa siguiente.

alu
m
C
bloqueo. Un ejemplo clsico es la etapa de salida tipo A que veremos en temas posteriores.
de
d
.u
a
Otro ejemplo extremadamente importante y que vamos a estudiar en detalle es el amplicador

so
w
id
inversor polarizado con fuente de corriente. Tiene un amplsimo uso en el diseo de cirtcuitos
u
w
rs
integrados con insercin directa de la entrada. Por ello, no cuenta con capacidades de acoplo. En el
ra
w
e
caso de un transistor NPN con ganancia en corriente hF E , con tensin Early VAF (Fig. 35a), puede
Pa
iv
/
:/
deducirse que:
n

I V
IIN
S IN
U
= exp
hF E + 1 N VT
tt

VCC VOU T VOU T VOU T
h
IQ + = hF E 1 + IIN +
RQ VAF RL
Para esto ltimo, debe recordarse que VCC = VOU T . Renombrando IQ = IQ + VRCC
Q
, se puede deducir
rpidamente que:
VAF
IQ hF E IIN

VOU T = RL //RQ // (88)
hF E IIN


RL //RQ // hFVEAF
IIN
IQ hF E IIN

IOU T = (89)
RL
Puede verse que este dispositivo puede describirse adecuadamente suponiendo que es, bien un tran-
sresistor o bien un amplicador de corriente. Hay que resear que es un amplicador fuertemente
no lineal, sobre todo si se expresan los parmetros de salida en funcin de VIN en lugar de IIN . La
nica salvedad ocurre cuando RL << RQ , hFVEAF

IIN
ya que, en estas circunstancias,
VOU T RL IQ hF E IIN

(90)
IOU T IQ hF E IIN (91)
d
ri
Recordemos que, en cualquier caso, las tensiones de salida estn limitadas al rango 0 VCC y las
d

corrientes, al rango 0 IQ . Por otra parte, es interesante apreciar que, en estas expresiones, aparece
a
M
una dependencia implcita de las tensiones de alimentacin. En efecto, este fenmeno conduce a la
VOU T
aparicin de un nuevo parmetro, llamado Power Supply Rejection Ration (PSRR) , igual a ,
VCC
e
d
que es idealmente nulo.
En el caso de que el ncleo sea un MOSFET (Fig. 35b), las ecuaciones que aparecen son:
se
n
la
IIN = 0
te
de
lu
VCC VOU T VOU T

IQ + = F (VIN VT )2 (1 + VOU T ) +
os
RQ RL
p
m
n
Si renombramos los trminos como hicimos con anterioridad:

m
.e
o
alu

1
C
IQ F (VIN VT )2

VOU T = RL //RQ // 2 (92)
F (VIN VT )
c
de
d
.u
a

so
1
w
RL //RQ //
id
2
F (VIN VT )
IQ F (VIN VT )2

IOU T = (93)
u

w
rs
RL
ra
w
e
Expresin que es incluso ms no lineal que la anterior. Debe tenerse en cuenta, por otro lado,
Pa
iv
que no debemos preocuparnos por esta no linealidad. En general, nos interesa que la ganancia sea
:/
n
extraordinariamente alta pues se van a utilizar en circuitos realimentados como los amplicadores
U
operacionales, en los que se va a minimizar la distorsin gracias a la realimentacin, o en otros

tt
dispositivos como los comparadores, no realimentados, en los que nos interesa trabajar en los niveles
h
de saturacin.
Cmo podemos conocer esta ganancia? Podramos utilizar las ecuaciones anteriores y calcular
la ganancia mediante una derivada en torno al punto de operacin (Eq. 5). Claro que, directamente,
podramos haber obtenido derivar primero (En otras palabras, calcular el modelo en pequea seal)
y calcular despus. Fig. 36 muestra los modelos en pequea seal de estos dispositivos.
Con estos modelos, se pierde algo de informacin como la inuencia de la tensin de alimentacin,
la aparicin de distorsin, etc. Sin embargo, su resolucin es simplicsima. As, en el modelo basado

(a)
d
ri
d
(b)
a
M
Figura 36: Amplicador en conguracin de emisor comn cargado con fuente de corriente en
pequea seal: BJT (a) y MOSFET (b).
e
d
en BJT, los parmetros del amplicador seran:
se
n
la
ZIN = hie
te
de
lu
RL //RQ //h1
oe
AV = hf e
os
hie
p
m
n
RL //RQ //h1
m
.e
oe
AI = hf e
o
RL
alu
m
C
ZOU T = RQ //h1 (94)

c
oe
de
d
.u
a
y, en el caso de los MOSFET:

so
w
id
ZIN =
u
w
rs
AV = gm RL //RQ //go1

ra
w
e
Pa
iv
AI =
:/
n
U
ZOU T = RQ //go1
p
(95)
tt
Expresiones que, en el punto de operacin, coinciden con las que aparecen al derivar las ecuaciones
h
DC no lineales.
En general, la facilidad de clculo del punto de operacin as como la sustitucin de la resistencia
discreta RC por la resistencia RQ , que es generalmente mucho ms alta, ha hecho que, en la mayora
de los circuitos integrados, y en particular en los amplicadores operacionales y comparadores, los
subcircuitos amplicadores suelen estar polarizados con fuentes de corriente en lugar de resistencias.
Otra ventaja adicional consiste en el menor espacio que suele ocupar un transistor respecto a una
resistencia. No obstante, esto no es bice para que sea posible encontrar resistencias en los esquemas

de diversos dispositivos.
5. Circuitos amplicadores con varios transistores

Los circuitos mostrados en pginas anteriores muestran estructuras en las que, utilizando en su
ncleo un nico transistor, puede conseguirse la amplicacin deseada. Asimismo, es posible calcular
una serie de parmetros caractersticos del amplicador como las impedancias de entrada y salida.
Para mejorar las caractersticas de dichas estructuras existe la posibilidad de utilizar dos o ms
transistores. As, es posible que deseemos construir un amplicador en el que se quiera aumentar
d
la impedancia de entrada sin disminuir la ganancia. En un amplicador de emisor comn como el
ri
descrito en apartdos anteriores, aumentar la impedancia de entrada puede conseguirse disminuyendo
d
hie pero esto implica, forzosamente, una disminucin de AV aunque no de AI . Cmo podemos
a
M
resolver este problema?
La solucin est en el uso combinado de dos o ms transistores. As, es comn encontrar es-
e
tructuras que mejoran las caractersticas de los transistores individuales y que se estudiarn en este
d
apartado. Estas estructuras son:
se
1. Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)
n
la
te
de
2. Conguracin Darlington
lu
os
p
3. Conguracin Cascode
m
n
s
m
.e
4. Conguracin Cascode Activa

o
alu
m
C
Las dos primeras estructuras se caracterizan por recrear un transistor con una ganancia en corriente
c
de
d
.u
muy alta, una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida sin modicar. Como
a
su objetivo bsico es aumentar la impedancia de entrada, su uso no tiene sentido en tecnologas

so
w
id
u
CMOS por lo que nos centraremos en el caso de los transistores bipolares. En cambio, las tercera
w
rs
ra
y cuarta estructuras no modican ni la impedancia de entrada ni la ganancia en corriente pero

w
e
Pa
iv
aumentan espectacularmente la impedancia de salida. Por ello, se suelen utilizar tanto en tecnologas
:/
n
CMOS como bipolares. Hay que decir, adems, que la cuarta estructura suele utilizarse ms bien en
U
tecnologa CMOS por razones que se mostrarn en su momento.

tt
La estrategia que se va a utilizar en estos apuntes consistir, simplemente, en suponer que el

h
conjunto equivale a un transistor simple con nuevos parmetros de entrada. Estos parmetros se
calcularn a partir de las deniciones del modelo bipuerta estudiado en los temas anteriores.
5.1. Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)

Esta estructura se muestra en Fig. 37 utilizando transistores NPN aunque puede recrearse fcil-
mente una conguracin similar utilizando PNPs. En esta estructura, un primer transistor recibe la
corriente de entrada a travs de la base y, amplicada, llega a la base del segundo transistor. Ah

Figura 37: Par CC-CE construido con NPNs.
d
ri
d
a
M
e
d
Figura 38: Equivalente en pequea seal del par CC-CE.
se
n
la
vuelve a ser amplicada de tal modo que la corriente de salida, en el colector del segundo transistor,
te
de
ha sido amplicada 2 veces.

lu
En esta estructura, hay que resear dos hechos importantes. Por un lado, se ha aadido una
os
p
5
RX ,
m
n
resistencia opcional, que en algunos casos puede ser una fuente de corriente para conseguir
s
m
.e
que el transistor 1 no est nunca en corte. No es obligatorio incluirla aunque, en la prctica, la mayor
o
alu
m
C
parte de los dispositivos reales contienen una resistencia de este tipo. Por otra parte, como estamos
c
considerando que la entrada del conjunto es la base del transistor equivalente y la salida el colector,
de
d
.u
a
es obvio que tenemos que el modelo en pequea seal equivalente debe estar en conguracin de
so
w
id
emisor comn.
u
w
rs
El modelo en pequea seal de estos dispositivos se muestra en Fig. 38. En esta estructura, el
ra
w
e
transistor 1 se ha sustituido por su equivalente en colector comn y el 2 en emisor comn. Dado

Pa
iv
que las corrientes de polarizacin de ambos transistores son distintas, se mantendr el subndice
:/
n
U
asociado a cada transistor en los clculos que siguen. Por otra parte, se ha supuesto que el emisor
p
tt
del transistor 2 est conectado a tierra como suele ocurrir de modo habitual pues suele unirse a
h
tierra o a la alimentacin ms negativa del circuito. Finalmente, se han aadido unas hipotticas
fuentes externas, vb1 y vc2 , necesarias para calcular los parmetros del modelo bipuerta.
Analizando este circuito, es fcil llegar al siguiente conjunto de ecuaciones:
vb1 = hir1 ve1 + hic1 ib1 ve1 + hic1 ib1

5 En algunos amplicadores operacionales como el LM124, existe una estructura CC-CE en la etapa de ganancia
en la que el rol de RX lo desempea un transistor NPN con base en abierto.

ve1 = hf c1 h1

oc1 //R X //hie2 ib1
ve1
ib2 =
hie2
ic2 = hf e2 ib2 + hoe2 vc2
Calculemos ahora los parmetros del transistor equivalente. Recordemos que, de acuerdo con el

vb1
modelo bipuerta, hie,CCCE = ib1
. Combinando las dos primeras ecuaciones, se deduce que:
vc2 =0
hie,CCCE = hic1 hf c1 h1 1

oc1 //RX //hie2 = hie1 + (1 + hf e1 ) hoe1 //RX //hie2 (96)

ic2
d
Por otra parte, hf e,CCCE = ib1
con lo que:
vc2 =0
ri
d
h1 h1

oc1 //RX //hie2 oe1 //RX //hie2
a
hf e,CCCE = hf e2 hf c1 = hf e2 (1 + hf e1 ) (97)
M
hie2 hie2

e
ic2
y, nalmente, hoe,CCCE = vc2
cuyo valor es, simplemente, hoe2 . En conclusin, si jamos la
d
vb1 =0
corriente de colector del transistor 2, la impedancia de salida no vara respecto a la de un transistor
se
discreto. Sin embargo, la ganancia en corriente aumenta considerablemente pues, en general, hie2 =
n
hF E2 N VT
RX , h1 hf e,CCCE hf e2 (1 + hf e1 ).
la
IC2
<< oe1 con lo que Por otra parte, la impedancia de
te
entrada tambin se dispara ya que

de
lu
N VT N VT N VT
os
p
hie,CCCE hie1 + (1 + hf e1 ) hie2 = + (1 + hf e1 ) = [hF E1 + 2 + hf e1 ]

IB1 IB2 IB2
m
n
s
m
.e
o
alu
IE1 IB2
Puesto que IB1 = . Con lo que, en otras palabras, aumenta la impedancia de
m
C
hF E1 +1 hF E1 +1
entrada del transistor 2 un factor del orden de 2hF E1 .
c
de
d
.u
a
5.2. Conguracin Darlington

so
w
id
u
w
rs
Tambin conocida como par Darlington . En este caso, la estructura queda recogida en Fig. 39.
ra
w
e
Pa
La principal diferencia con la conguracin CC-CE consiste en que el colector del transistor 1 no se
iv
/
:/
conecta a la alimentacin sino al otro colector. En estas circunstancias, el equivalente en pequea

n
U
seal ser el mostrado en Fig. 40.

tt
En esta estructura, se han utilizado los modelos en emisor comn de ambos transistores. Por
h
otra parte, se ha supuesto que, como es el nudo de referencia, el emisor 2 es la tierra del circuito.
Finalmente, se ha supuesto que la corriente ic2 es la que proporciona la fuente vc2 y no la que
atraviesa el colector del transistor 2. Analizando el circuito en pequea seal, surgen las siguientes
ecuaciones:
vb1 = ve1 + hie1 ib1

1
(hf e1 + 1) ib1 + hoe1 (vc2 ve1 ) = ib2 + RX ve1

d
ri
d
a
Figura 39: Par Darlington construido con NPNs.
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
Figura 40: Equivalente en pequea seal del par Darlington.

ve1
ib2 =
hie2
ic2 = hf e1 ib1 + hoe1 (vc2 ve1 ) + hoe2 vc2 + hf e2 ib2
Si suponemos que vc2 = 0 en estas ecuaciones, es posible averiguar hie,D y hf e,D a partir de las
versiones simplicadas de las ecuaciones:
hie,D = hie1 + (hf e1 + 1) hie2 //RX //h1

oe1 (98)
Expresin equivalente a la del par CC-CE. La ganancia en corriente es, en este caso, de valor:
hie2 //RX //h1

d
oe1
hf e,D = hf e1 + (hf e1 + 1) (hf e2 hoe1 hie2 ) (99)
ri
hie2
d
a
Esta ganancia es, aproximadamente, el cuadrado de la ganancia en corriente de un transistor sencillo.
M
Finalmente, si suponemos vb1 = 0, podemos calcular la impedancia de salida del transistor original.
Sin embargo, la expresin que se obtiene es muy complicada y no diere demasiado de la que tendra
e
d
el transistor 2 aislado y polarizado en las mismas condiciones. Por ello, podemos concluir que esta
se
estructura tiene un comportamiento similar al par CC-CE.
Cul de los dos es mejor? El par Darlington presenta una ventaja sobre el otro. No depende
n
la
te
de una fuente de alimentacin externa por lo que pueden construirse de modo sencillo y utilizarlos
de
lu
como componentes discretos. As, es comn el uso de pares Darlington discretos en aplicaciones
os
p
de potencia ya que pueden dar corrientes bastante altas. El problema de los Darlington, que no
m
n
afecta a la otra conguracin, es el efecto Miller. Cada transistor del par aporta una pareja de
m
.e
o
capacidades parsitas que afectan al comportamiento en frecuencia. Este hecho se ve agravado en

alu
m
C
los pares Darlington, en los que la ganancia en tensin de la salida multiplica el valor efectivo de las
c
de
d
capacidades parsitas de los dos transistores. A mayor capacidad efectiva, ms lenta es la respuesta.
.u
a
Esto no aparece en el par CC-CE en los que la ganancia en tensin solo afecta a la segunda etapa.
so
w
id
u
w
rs
5.3. Conguracin Cascode

ra
w
e
Pa
iv
Tambin llamada Emisor Comn - Base Comn . A diferencia de los dos anteriores, su objetivo
:/
n
U
es aumentar la impedancia de salida y no tanto afectar a la impedancia de entrada o a la trascon-

p
tt
ductancia. Por ello, estas estructuras tambin tienen inters en tecnologas CMOS. Hay que resear
h
nalmente que los principios bsicos de funcionamiento de las estructuras cascode se remontan a
los primeros tiempos de la electrnica ya que se aplicaban a circuitos con vlvulas de vaco. As, la
primera patente data de 1939.
Todos las conguraciones cascode necesitan una fuente de tensin constante intermedia entre
los valores de las alimentaciones para funcionar correctamente. El modo en que se consigue esta
fuente de tensin depende de cada diseador.

Figura 41: Par cascode construido con NPNs.
d
ri
d
a
M
Figura 42: Equivalente en pequea seal del par cascode con transistores bipolares.
e
d
5.3.1. Tecnologa bipolar
se
n
la
En tecnologa bipolar, un par cascode tpico es el mostrado en Fig. 41. Esta estructura, que
te
solo puede tener transistores de un mismo tipo, utiliza transistores NPN en zona activa directa.
de
lu
Su equivalente PNP es inmediato. Se ha supuesto que el emisor est a tierra, que la entrada es
os
p
la base del primero y la salida el colector del segundo. Por ello, debemos buscar el equivalente del
m
n
s
m
VQ
.e
par completo con forma de emisor comn. Hay que sealar, asimismo, que la tensin debe ser
o
alu
2V
m
constante y mayor que para permitir que ambos transistores estn en ZAD.
C
En pequea seal, esta estructura se transforma en el circuito de Fig. 42. Se ha reemplazado

c
de
d
.u
el transistor 1 por su equivalente en pequea seal con emisor comn y el 2 con su equivalente
a
so
w
id
con base comn. Asimismo, se aaden dos fuentes de tensin cticias para calcular los parmetros
u
w
rs
bipuerta. Analizando el circuito, surgen las siguientes ecuaciones:

ra
w
e
vb1
Pa
iv
ib1 =
hie1
:/
n
U
ve2 = hf e1 hib2 //h1

oe1 ib1
tt
ve2
h
ie2 =
hib2
ic2 = hf b2 ie2 + hob2 vc2
Las ecuaciones que han surgido son muy sencillas y nos permiten deducir que

vb1
hie,CAS = = hie1 (100)
ib1 vc2 =0

hib2 //h1

ic2 oe1
hf e,CAS = = hf b2 hf e1 (101)
ib1 vc2 =0 hib2

ic2
hoe,CAS = = hob2 (102)
vc2 vb1 =0
Recordemos ahora que, si reexpresamos los parmetros de los dos ltimos en funcin de los de la
conguracin de emisor comn, obtenemos:

hib2 //h1
hie2
//h1

oe1 hf e2 1+hf e2 oe1
hf e2
hf e,CAS = hf b2 hf e1 = hf e1
hie2 = hf e1 (103)
hib2 hf e2 + 1 1+hf e2
hf e2 + 1
d
ri
hoe2
hoe,CAS = hob2 = (104)
d
hf e2 + 1
a
En otras palabras, ni la ganancia en corriente ni la impedancia de entrada se han visto signicativa-
M
mente afectadas. Sin embargo, la impedancia de salida de un transistor simple ha sido multiplicada
e
por un factor 1 + hf e2 . Si deseramos aumentar an ms la impedancia de salida podra ponerse
d
un nuevo transistor en conguracin cascode con el transistor 2. Evidentemente, tendra que tener
se
una tensin de polarizacin de la base, VQ2 superior a VQ
para que todos los transistores estn en
n
hf eX
la
ZAD. Cada nueva etapa reduce la ganancia un factor , apenas perceptible, pero aumenta la
hf eX +1
te
1 + hf eX
de
impedancia de salida un factor respecto a la versin con un transistor cascode menos.

lu
os
p
5.3.2. Tecnologa CMOS

m
n
s
m
.e
o
El principio de construccin es exactamente el mismo que en el caso de las tecnologas bipolares.

alu
m
C
Fig. 43 muestra el par tpico en esta tecnologa, construido con transistores NMOS. Obviamente,
c
ID2 IDS2 = IDS1 .

de
La tensin de polarizacin, VQ , debe ser tal que ambos transistores estn en

d
.u
a
saturacin. Para ello, es necesario que:

so
w
id
u
w
rs
VQ > VIN + (VT H,1 VT H,2 )

ra
w
e
Pa
iv
No puede aceptarse que ambas tensiones umbral sean las mismas debido al efecto sustrato pues
:/
n
VSB,1 = 0 pero VSB,2 = VD1 en el caso de los circuitos integrados. El equivalente PMOS es
U
sencillo de construir pues, simplemente, hay que invertir la posicin de los transistores, conectar la
tt
fuente del 1 a la alimentacin positiva e invertir el sentido de ID2 .

h
El equivalente en pequea seal de esta estructura es el mostrado en Fig. 44. Hay que tener en
cuenta una serie de puntos:
Se han incorporado las fuentes de alimentacin cticias vg1 y vd2 para calcular los parmetros
de la estructura equivalente.
Estrictamente, los transistores pueden tener distintas dimensiones con lo que se necesita pre-
cisar a qu transistor pertenece cada parmetro.

Figura 43: Par cascode construido con NMOS.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
Figura 44: Equivalente en pequea seal del par cascode con transistores MOS.
de
lu
os
p
La fuente del transistor 1 est conectada directamente a la tensin ms negativa del circuito.
m
n
Por tanto, no existe posibilidad de efecto sustrato y gmb1 desaparece. Por el contrario, s puede
m
.e
o
ocurrir efecto sustrato en el segundo transistor.

alu
m
C
La tensin vgs2 = vg2 vs2 = 0 vd1 = vd1 y como tal se ha incluido en el dibujo.
de
d
.u
a
Las ecuaciones que regulan este circuito son:

so
w
id
u
w
rs
id2 = gm1 vg1 + go1 vd1

ra
w
e
Pa
iv
id2 + (gm2 + gmb2 ) vd1 = go2 (vd2 vd1 )

:/
n
U
Estas ecuaciones deben permitir sacar los parmetros de la estructura equivalente. Ocurre que la
tt
fuente de esta estructura equivalente est unida a tierra (o a la tensin ms negativa del circuito).
h
Por tanto, carece de efecto sustrato y gmb,CAS = 0. Los otros parmetros se calcularan como sigue:

id2 go1
gm,CAS = = gm1 1 (105)
vg1 vd2 =0 go1 + go2 + gm2 + gmb2

id2 go1 go2
go,CAS = = (106)
vd2 vg1 =0 go1 + go2 + gm2 + gmb2

En general, goX << gmX . Por ejemplo, en un transistor con una transconductancia = 0,1 mA
V
,

Figura 45: Estructura cascode activo construida con NMOS.
un coeciente de modulacin de canal de valor = 0,05 V 1 y polarizado con una corriente IDS =
d

100 A, gm = 2 IDS 0,14 mA y go = IDS = 0,005
mA
ri
los valores de los parmetros seran .
V V
d
Esto implica que, en la mayor parte de los casos, la impedancia de salida de la celda cascode, de
a
valor
M
1 1 1 1 gm2 + gmb2
ZOU T,CAS = = go1 + go2 + go1
go,CAS go2
e
d
es aproximadamente igual a la impedancia de salida del transistor 1 multiplicada por un factor

se
gm2 + gmb2 22 (1 + )
= >> 1
n
la
go2 2 IDS
te
de
gmb2
donde = 0,1 0,3. Por otra parte, dado que es muy sencillo construir tensiones de
lu
gm2
os
referencia en tecnologa CMOS, pueden apilarse con facilidad ms niveles cascode por encima del
p
m
n
transistor 2 aumentando de este modo el valor de la impedancia de salida. Estas estructuras son la
m
.e
o
base de los amplicadores telescpicos, ampliamente desarrollados en tecnologa CMOS.

alu
m
C
5.4. Conguracin Cascode Activo

de
d
.u
a
so
w
id
Una modicacin de la estructura cascode, fcilmente realizable en tecnologas CMOS, es el

u
w
rs
cascode activo . En esta estructura, el transistor cascode no se polariza con una tensin directa-
ra
w
e
mente sino utilizando un amplicador operacional con ganancia diferencial AD (Fig. 45). La entrada
Pa
iv
se encuentra en la puerta del transistor 1 y la salida es la corriente de drenador-fuente, comn a

:/
n
ambos transistores.
U
La elevadsima impedancia de salida de esta estructura puede deducirse de modo cualitativo.

tt
Fijmonos que la tensin VD1 VQ y que es prcticamente constante independientemente de la

h
carga que se conecte a la salida. En otras palabras, el transistor 1 est aislado del resto del circuito
lo que, a efectos prcticos, es equivalente a decir que tiene una impedancia de salida elevadsima.
Para dar un valor exacto, planteemos el circuito equivalente en pequea seal recordando que la
tensin VQ no vara y que las nicas variaciones en la puerta del transistor 2 provienen de las de VD1 ,
amplicadas a travs de AD . De este modo, obtenemos la estructura de Fig. 46. Las ecuaciones que
gobiernan este circuito son:

d
ri
Figura 46: Equivalente en pequea seal de la estructura cascode activo con transistores MOS.
d
a
M
id2 = gm1 vg1 + go1 vd1
e
vgs2 = AD vd1 vd1 = (AD + 1) vd1
d
se
id2 + gmb2 vd1 = gm2 vgs2 + go2 (vd2 vd1 ) = gm2 (AD + 1) vd1 + go2 (vd2 vd1 )
n
la
Sin embargo, estas ecuaciones son formalmente similares a las obtenidas en el Apartado 5.3.2
te
de
sustituyendo gm2 gm2 (AD + 1). Por tanto, los parmetros de esta estructura pueden inferirse de
lu
Eq. 105 y 106 haciendo un cambio similar:

os
p
m
n

id2 go1
m
.e
gm,CAS = = gm1 1 gm1 (107)

o
vg1 vd2 =0 go1 + go2 + gm2 (AD + 1) + gmb2

alu
m
C

de
id2 go1 go2 go1 go2

d
.u
go,CAS = = (108)
a
vd2 vg1 =0 go1 + go2 + gm2 (AD + 1) + gmb2

gm2 (AD + 1)
so
w
id
En consecuencia, la transconductancia equivalente es la del primer transistor y la impedancia de

u
w
rs
ra
salida, la del cascode simple multiplicada por la ganancia del amplicador operacional si se desprecia
w
e
Pa
iv
el efecto sustrato (gmb = 0).

/
:/
n
Esta estructura tiene dos desventajas: Una, el comportamiento en frecuencia. Los cascodes son
U
muy populares debido a su magnco comportamiento en frecuencia pero, al introducir el amplicador

tt
operacional, se puede reducir grandemente el ancho de banda. Por otra parte, la insercin de un
h
amplicador operacional en un circuito integrado puede ser costosa desde el punto de vista de espacio
requerido. Por ello, esta tcnica no tiene xito en tecnologas bipolares aunque s en tecnologas
CMOS. En estas tecnologas, la salida del amplicador operacional no debe suministrar corriente ya
que ataca la puerta de un MOSFET. Por tanto, el amplicador operacional puede reducirse a un
6
simple par diferencial que consta de, al menos, 5 transistores pero no muchos ms .
6 La facilidad de uso de pares diferenciales como amplicadores operacionales ha hecho que estos sean muy
populares en tecnologas CMOS. Pongamos por ejemplo los casos de las etapas de salida, los circuitos S/H, los
circuitos de capacidades conmutadas, etc., que se vern en temas posteriores.

En cambio, en tecnologas bipolares, s sera necesario construir un amplicador operacional
tpico ya que la impedancia de entrada del transistor es relativamente baja. Esto implica el uso de
varias decenas de transistores lo que desaconseja el uso de estas estructuras en estas tecnologas.
Sin embargo, ste no es el problema ms importante. Conceptualmente, un FET es una fuente
de corriente controlada por tensin. En cambio, un bipolar es una fuente de corriente controlada
por corriente. Esto podra parecer una nimiedad pero eso implica que, en el equivalente bipolar de
Fig. 46, habra que aadir una resistencia nita entre la base (vg2 ) y el emisor (vd1 ).Y esto no
es una modicacin mnima ya que introduce cambios signicativos en las ecuaciones que tienen
como consecuencia que la resistencia de salida no se multiplique por la ganancia del amplicador
operacional sino, simplemente, por la ganancia en corriente del transistor cascode. En otras palabras,
d
ri
no aparecen ventajas de ningn tipo frente al par cascode simple.
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h

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TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE

Francisco J. Franco Pelez

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.

1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2. Insercin de la pequea seal 9

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos 12

3.2. Conguracin de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.1. Conguracin de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.2. Conguracin de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.3. Conguracin de base/puerta comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3.3.1. Conguracin de base comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . . 26

3.3.2. Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . . 27

3.3.3. Conguracin de puerta comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . 29

3.3.4. Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . 31

3.4. Conguracin de colector/drenador comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.4.1. Conguracin de colector comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 33

3.4.2. Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 35

3.4.3. Conguracin de drenador comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 36

3.4.4. Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 39

4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente 40

5. Circuitos amplicadores con varios transistores 44

5.2. Conguracin Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

5.3. Conguracin Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

5.3.1. Tecnologa bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

5.3.2. Tecnologa CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 2

5.4. Conguracin Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 3

1. Nociones generales sobre amplicadores

veces la tensin aplicada a la entrada.

magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

de funciones suelen ser fcilmente realizables con amplicadores operacionales.

en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.

3. Gran seal / pequea seal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 4

equivalentes en pequea seal y volviendo a resolver el nuevo circuito. Aplicando el principio

estos circuitos se llaman amplicadores de pequea seal .

VOS = VOU T (0) (3)

y la salida es del tipo

VOU T = VOS + K1 VIN + K2 VIN + K3 VIN + K4 VIN + ... (4)

simplemente, K1 , o bien denir la ganancia en torno al punto de operacin como

Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la aparicin de

en un amplicador lineal. La salida que se obtendra sera:

VOU T = VOS + K VA sin ( t)

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 5

VOU T = VOS + K1 VA sin ( t) + K2 VA2 sin2 ( t) + K3 VA3 sin3 ( t) + . . .

de esta simplicacin que, por lo normal, son muchsimos ms simples.

5. Amplicadores de tensin, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categoras como se muestra en Tabla 1. En

ganancia asociada sea ms o menos constante e indepediente de las condiciones de polarizacin

como, por ejemplo, la impedancia que carga la salida.

1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores

1 Elalumno debe recordar que sin2 (x) = 1cos(2 x)

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 6

Entrada Salida Nombre Ganancia

de entrada y la ganancia es con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

la entrada es IIN y la ganancia es un nmero puro. Si el amplicador es un transconductor, la seal

de control es la tensin de entrada y la ganancia es GM , o transconductancia , que se mide en

La impedancia de salida requiere un tratamiento aparte. En principio, se introduce porque toda

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 7

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos 12

3.2. Conguracin de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.1. Conguracin de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.2.2. Conguracin de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.3. Conguracin de base/puerta comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3.3.1. Conguracin de base comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . . 26

3.3.2. Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . . 27

3.3.3. Conguracin de puerta comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . 29

3.3.4. Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . 31

3.4. Conguracin de colector/drenador comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

3.4.1. Conguracin de colector comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 33

3.4.2. Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 35

3.4.3. Conguracin de drenador comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . 36

3.4.4. Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . 39

4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente 40

5. Circuitos amplicadores con varios transistores 44

5.2. Conguracin Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

5.3. Conguracin Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

5.4. Conguracin Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

1. Nociones generales sobre amplicadores

magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

de funciones suelen ser fcilmente realizables con amplicadores operacionales.

en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.

3. Gran seal / pequea seal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de

estos circuitos se llaman amplicadores de pequea seal .

simplemente, K1 , o bien denir la ganancia en torno al punto de operacin como

Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la aparicin de

en un amplicador lineal. La salida que se obtendra sera:

de esta simplicacin que, por lo normal, son muchsimos ms simples.

5. Amplicadores de tensin, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categoras como se muestra en Tabla 1. En

1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores

de entrada y la ganancia es con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

la entrada es IIN y la ganancia es un nmero puro. Si el amplicador es un transconductor, la seal

de control es la tensin de entrada y la ganancia es GM , o transconductancia , que se mide en

Figura 2: Insercin de una fuente de tensin a un amplicador de corriente.

corriente aunque, en general, se puede suponer cualquier otra conguracin.

AV , llamada ganancia en tensin

Esto nos permite denir una nueva ganancia en tensin, distinta de

sobre la tensin de fuente , de valor:

la corriente de base y transmitir esta perturbacin, amplicada, a la corriente de colector. As, se

2. Realimentacin: Muchos amplicadores diferenciales sacrican una entrada para conectarla a

itivos en los que existen amplicadores operacionales integrados.

operacin, se denominan condensadores de bloqueo .

El problema de usar condensadores de paso y de bloqueo es que estamos sacricando la capacidad

Un tercer grupo de condensadores son los condensadores de desacoplo como C4 . Se colocan

3.1. Conguracin de emisor/fuente comn

Figura 6: Equivalente en pequea seal del amplicador en emisor comn. Se ha eliminado RE y no

en Fig. 6. En su lugar, es necesario hacer unas pequeas modicaciones:

fuertemente de la resistencia de carga. En conclusin, este dispositivo funciona como un amplicador

demasiado de IC . Anlogamente, en un amplicador de tensin, la salida completa (VOU T,Q + vout )

Figura 9: Equivalente en pequea seal del amplicador en fuente comn.