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ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL INDUSTRIAL


LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

INFORME
Prctica #: 10 Tema: Transistor de Efecto de Campo

Fecha de Realizacin: 21/01/2016

REALIZADO POR:
Alumno(s): Csar Chilln Grupo: GR7-SG3
Jefferson Moreno
Santiago Sarasti

(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: ____ / ____ / ____ f. ______________________
ao mes da Recibido por:
Sancin: ________________________________________________

2015-B

1
OBJETIVO: Analizar e implementar un circuito de polarizacin para JFET. Analizar e implementar
un amplificador usando JFET.

1. Tabular un cuadro en el cual consten los valores medidos, los tericos del preparatorio
y calcular el error, justificar su respuesta.

Valor terico Valor medido Error (%)


ID 2.97 mA 2.9 mA 2.35
VG 3.1V 2.8 V 9.67
V GS 1.35 V 1.4 V 3.57
V 200 mV 264 mV 32
Vo 4.9 V 3.56 V 27.34

Para el clculo de los valores de polarizacin del FET se extrajeron los datos tcnicos necesarios
del Datasheet del 2N3819 (dispositivo usado en la prctica) y se usaron sus valores tpicos.
Debido a que no es un dispositivo ideal y que las resistencias tienen un valor de tolerancia los
valores presentan un grado de erros; aunque se puede notar que no es muy elevado.

El valor de voltaje de entrada presenta un valor elevado de error ya que la fuente al calibrarla
para tener el valor de voltaje de entrada que deseamos, se la hizo sin tener conectada ninguna
carga a esta y al momento de corregir este inconveniente no se pudo calibrarla adecuadamente.

Tambin se incrementa el error debido a que el multmetro presenta una resistencia interna al momento
de medir corriente, esta idealmente debera ser de cero ohmios, pero en la realidad su resistencia est
en decenas de ohmios; as afectando en la lectura de las medidas.

Como nuestro circuito est armando en un protoboard, no est aislado adecuadamente por lo que las
seales de ruido pueden entrar en circuito, lo que afecta en la estabilidad de las medidas a la hora de
tomarlas con el osciloscopio.

2. Realizar los clculos necesarios para determinar la ganancia de voltaje, compararla con
el valor terico y calcular los errores.

Teniendo los voltajes pico-pico de entrada y de salida medidos en el laboratorio, como:

V inp =264 mV
V O=3.56 V

Se obtiene la ganancia de voltaje como:

V op
Av =
V inp
3.56 V
Av =
264 mV

2
Av =13.48

%Err=100 |9.8813.48
9.88 |=36.43
Causa de errores:
Debido a que la fuente no se la calibro para tener una impedancia de salida (propia de
ella) de 50 , en el display de la fuente no se puede observar claramente el voltaje
de salida que esta proporciona.

Tambin debido a que el voltaje de entrada vara al conectar una carga, en este caso
nuestro diseo de amplificador, varia este voltaje de entrada y el voltaje de polarizacin.

Tambin se debe a que ciertas cantidades las sobredimensionamos durante los clculos
para el diseo y que al momento de armarlo, las resistencias usadas tienen una
tolerancia del 5% de su valor real.

3. Graficar en hojas de papel milimetrado las seales observadas en el osciloscopio.

ANEXO #1

4. Conclusiones y recomendaciones:

Jefferson Moreno

Conclusiones:

--El JFET se encuentra caracterizado por su alta impedancia de entrada tanto como su impedancia
de salida, esto garantiza la proteccin de los circuitos acoplados a este dispositivo.

- Los terminales del JFET son anlogos al anlisis de los terminales de un TBJ siendo los del JFET:
fuente, compuerta y drenaje y en un TBJ son: emisor, base y colector.

- El JFET es un dispositivo de corriente controlado por voltaje, este voltaje es el VGS o voltaje
compuerta fuente, el control se logra al polarizar inversamente estas terminales por lo que la
corriente de drenaje tendera a aumentar o disminuir dependiendo de voltaje compuerta fuente.

Recomendaciones:

- Asegurarse que el JFET a usarse en la prctica sea el requerido de tal modo que se logre la seal
de salida esperada tanto como los valores de voltajes y corrientes calculados en el preparatorio.

- En caso de no tener la resistencia salida de 18M reemplazar est por resistencias en serie con
el fin de obtener un valor aproximado a la resistencia de carga.

3
Csar Chilln

Conclusiones:

-Al FET se lo puede modelar como una fuente de corriente controlada por voltaje.

- El FET es el dispositivo preferido en aplicaciones de conmutacin de bajo voltaje porque en general son
ms rpidos que los BJT cuando se prenden y apagan.

-La alta resistencia de entrada de un JFET se debe a la unin compuerta-fuente polarizada en


inversa.

Recomendaciones:

-Se debe tener presente como estn distribuidos los terminales en el JFET 2N3819 ya que no se
distribuyen en el mismo orden como en el caso del BJT 2N3904

-Se debe conectar la seal de entrada al amplificador para luego calibrar el voltaje de salida de la fuente
con una impedancia de 50 ohmios propia de esta, para que as se tenga el mismo valor de voltaje de
entrada que se us en el anlisis.

Santiago Sarasti:

Conclusiones:

-Esta configuracin de JFET es muy similar a la de amplificador en emisor comn con TBJ ya que en
ambos casos se presenta una inversin de la seal de salida con respecto a la entrada, es decir un
desfase de 180, representado en el signo negativo de la ganancia.

- Las condiciones de operacin del JFET en la realidad difieren mucho de lo establecido tericamente, ya
que los valores de IDSS y de VP, al medirlos son diferentes a los valores usados para los clculos tericos
del preparatorio, y por lo tanto en la prctica se presentan errores mucho ms grandes.

- En este caso la impedancia de entrada del JFET es mucho ms alta que en un TBJ debido a la utilizacin
de resistencias en el orden de los M , en el anlisis de AC del circuito, el paralelo de dichas
resistencias resultar en una resistencia equivalente mucho mayor y por ende una impedancia de
entrada ms grande.
Recomendaciones:

-Se recomienda llevar resistencias y capacitores adicionales de diferentes valores, para efectuar cambios
de diseo si fuesen necesarios. Para cumplir con los valores de la simulacin terica

- Se recomienda trabajar en la zona de mayor estabilidad y esto se logra calculando previamenre


los valores de resistencias y voltajes de polarizacion.

4
Bibliografa:

[1] Robert L. Boylestad y Louis Nashelsky, Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos,
10ma edicin, Pearson.

[2] Hojas gua de Dispositivos electrnicos/ Ing. Ricardo Llugsi

Anexo #1