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Introduccion A Los Varistores Sus Propiedades y Aplicaciones PDF
Introduccion A Los Varistores Sus Propiedades y Aplicaciones PDF
PROPIEDADES Y APLICACIN
INAEL, S.A.
1 Introduccin......................................................................................................................................... 3
2 Transitorios electromagnticos en redes elctricas. ............................................................................. 5
2.1 Sobretensiones atmosfricas. ..............................................................................................5
2.2 Sobretensiones de maniobra o conmutacin. ......................................................................6
2.3 Sobretensiones inducidas por acoplamiento electromagntico............................................7
3 Aplicacin de varistores a la proteccin contra sobretensiones en equipos conectados a redes
elctricas. .................................................................................................................................................... 7
3.1 Generalidades. ....................................................................................................................7
3.2 Comportamiento inductivo intrnseco en el rgimen de ruptura: su influencia e impacto
sobre el diseo de protecciones. ................................................................................................... 10
4 Parmetros elctricos funcionales para la aplicacin de varistores como dispositivos de
proteccin contra sobretensiones. ............................................................................................................. 13
5 Ejemplo de utilizacin de los parmetros elctricos: optimizacin de las prestaciones de un
varistor de alta tensin. ............................................................................................................................. 16
6 Propiedades fsicas macroscpicas no elctricas relevantes para la aplicacin de varistores como
dispositivos de proteccin contra sobretensiones: modos de fallo. ............................................................ 21
6.1 Puncin. ............................................................................................................................ 22
6.2 Fractura trmica. ............................................................................................................... 23
7 Influencia del desorden ...................................................................................................................... 23
8 Referencias ........................................................................................................................................ 27
Los equipos electrnicos domsticos que todos utilizamos diariamente, desde la televisin al
telfono mvil, son cada vez ms sensibles en cuanto a la estabilidad elctrica de sus condiciones de
funcionamiento. Muchos de estos aparatos electrnicos, alimentados a partir de grandes redes de
transmisin y distribucin de energa elctrica, son muy vulnerables ante los fenmenos transitorios
(sobretensiones y/o sobreintensidades de corriente) que habitualmente se producen en dichas
redes. Otros, como los telfonos mviles, que obtienen la energa elctrica a partir de bateras ms o
menos autnomas, se mantienen acoplados al entorno mediante diversos fenmenos
electromagnticos: en realidad los circuitos internos de estos aparatos se comportan precisamente
como una lnea de distribucin de energa elctrica, amenazada por el mismo tipo de fenmenos
transitorios que las grandes redes de distribucin/transmisin en baja, media, o alta tensin. Por este
motivo, los dispositivos de proteccin frente a fenmenos transitorios electromagnticos han
cobrado una gran importancia a la hora de garantizar la fiabilidad del complejo entramado
tecnolgico moderno.
10
campo elctrico - E (kV / cm )
Punto 2
UB
Punto 1 Punto 3
1
onda de sobretensin
0,1
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
2
densidad de corriente - J (A / cm )
Figura 6.1. Caracterstica JE de un varistor comercial. En el Punto 1, el campo a travs del varistor es debido a
una d.d.p. VC entre sus terminales. En el punto 2, la d.d.p. en bornes ha aumentado hasta un cierto valor VB y el
dispositivo conmuta a un estado conductor.
Figura 6.2. Oscilograma tpico de un varistor en el Punto 1 de la Fig. 6.1: el dispositivo est actuando en
rgimen capacitivo, consumiendo una potencia despreciable (0.017W). Siendo las ondas de tensin y corriente
armnicas, con distorsin armnica total <0.5%, la componente resistiva de la corriente se calcula como
2P/Vmx12A.
Originadas por impactos de rayo directos al sistema (ya sea a un conductor, elemento metlico
estructural, o a cualquier otra parte del sistema), o por induccin debida al impacto de rayos en las
inmediaciones del sistema. Cada uno de estos fenmenos es fuente de un conjunto de ondas viajeras
que se propagan por el circuito, cuyas amplitudes iniciales pueden ser enormes, dado que cada
impacto de rayo puede inyectar corrientes de 100 kA o ms en una lnea elctrica.
A
Ei E e, i E m ,i . (6.1)
t
1 2V 1 2Vi
V . (6.2)
c 2 t 2 c 2 t 2
La ecuacin se transcribe slo por completitud: su solucin es, como salta a la vista, compleja
e intrnsecamente dependiente del modelo desde el primer momento (desde el propio
clculo del potencial inductor). Docenas de casos especficos han sido analizados y pueden
encontrarse en la literatura [2-9]. No obstante, para lo que concierne a este breve resumen,
la conclusin final es: una onda de sobretensin ha aparecido en el sistema y se propaga a
velocidad prxima a la de la luz. Evidentemente, esta onda no puede tener informacin
sobre lo que le espera al final de la lnea a varios kilmetros de su origen y se propaga con
mayor o menor atenuacin y distorsin hasta que llega al punto en el que se encuentra el
equipo sensible y, por tanto, los varistores que deben protegerlo contra la onda de
sobretensin incidente. Cmo acta dicha proteccin ser el objeto del siguiente epgrafe.
En general, los frentes de onda de valores muy altos quedan pronto cortados por la
ruptura dielctrica de los sistemas de aislamiento. De este modo, ondas viajeras con frentes
de onda muy abruptos (i.e., con dV/dt muy grande) alcanzan frecuentemente los equipos
conectados a la red (v.g., transformadores), sometindoles a solicitaciones que, casi siempre,
exceden sus capacidades: la proteccin, no slo contra sobretensiones en general, sino
especficamente contra sobretensiones de frente de onda escarpado, ser uno de los puntos
que discutiremos a la hora de caracterizar las prestaciones de un varistor. Lo cierto es que,
desde su origen, la onda que se propaga por la red se atena y distorsiona debido,
bsicamente, a las prdidas en los conductores, efecto corona, conductividad finita del suelo
y cambios locales en los parmetros que definen la impedancia de onda de la red. De este
modo, la variedad de formas de onda de sobretensin que pueden alcanzar los puntos
sensibles de la red y a las que, por tanto, debe hacer frente el sistema de proteccin, es
ilimitada.
La variedad de sistemas de proteccin desarrollados a lo largo del tiempo para proteger los
equipos conectados a las redes elctricas contra estos fenmenos, las peculiaridades, ventajas e
inconvenientes de cada uno de ellos y la sucesin de tecnologas involucradas en su diseo y
fabricacin podran ocupar todo un libro. Nos limitaremos a resear, por su relevancia en posteriores
secciones, que todos ellos adolecan de un problema comn: la lentitud e inadecuacin de su
respuesta ante transitorios escarpados (entendiendo por tales, sobretensiones propagadas por la red
y cuyo frente de onda presenta una pendiente muy elevada).
3.1 Generalidades.
Consideremos la situacin representada en la Figura 6.3. Una onda de sobretensin,
originada en el punto A como consecuencia de cualquiera de los eventos mencionados en la seccin
6.2, se propaga por una red elctrica y amenaza con alcanzar el equipo sensible situado en el punto
C. Ubicado en el punto B, entre el origen de la perturbacin y el equipo a proteger, encontramos un
pararrayos, cuyos principios de funcionamiento y proceso de actuacin pretendemos describir. El
pararrayos no es sino un varistor encapsulado en un recubrimiento aislante y dotado de un
recubrimiento y del conjunto de elementos mecnicos que permiten su instalacin en la red
elctrica. Para fijar ideas, supongamos que la distancia entre los puntos B y C es de 30m, como
aparece en la Figura 3.
Pasemos ahora a la Figura 6.1, en la que se presenta la respuesta I-V de un tpico varistor
comercial, obtenida mediante los procedimientos desarrollados por los autores y que describiremos
en las siguientes secciones. Ntese que la curva se ha obtenido en parmetros intensivos, i.e.,
representa en realidad una caracterstica de densidad de corriente frente a campo elctrico. El
campo elctrico correspondiente al punto marcado como Punto 2 en la Figura 6.1 es el campo de
conmutacin entre los estados aislante y conductor del dispositivo y, para fijar ideas,
supondremos que corresponde a un voltaje total (marcado Ub en la Figura 6.1) de 40 kV a travs del
dispositivo pararrayos representado en la Figura 6.3. Asimismo, supondremos que en el rgimen
operativo normal el pararrayos se encuentra en un punto tal y como el Punto 1 de la Figura 6.1 en el
que, como fcilmente se puede apreciar a partir de las Figuras 6.1 y 6.2, el comportamiento del
varistor es, a todos los efectos, aislante: no slo la corriente total que fluye a su travs es
extraordinariamente pequea sino que, de hecho, es esencialmente capacitiva, como la que se
podra encontrar en cualquier aislador.
En la Figura 6.3, una onda viajera de sobretensin, con una pendiente de 100 kV/s (valor
este muy prudente pues, en realidad, los valores alcanzados suelen ser mucho mayores, del orden de
1000 kV/s), alcanza la localizacin del pararrayos en el instante t=0 s y comienza a elevar la tensin
en el mismo a un ritmo de 100 kV/s . Hasta ese momento, la onda se ha propagado por la red, con
mayor o menor atenuacin y distorsin desde su origen en el punto A. Cuando la perturbacin
alcanza B, en t=0, encontrando a los varistores en el estado 1 de la Figura 6.2, la onda no ve nada
anormal: el pararrayos se comporta como un circuito abierto, y no tiene lugar fenmeno alguno de
refraccin o reflexin. En t=0.1s, la onda alcanza el equipo situado en el punto C el cual, por lo
comn, constituye una muy alta impedancia, i.e., casi un circuito abierto. En estas condiciones,
cuando la onda llega a C, la tensin en dicho punto comienza a crecer a un ritmo de 200 kV/s,
debido a los bien conocidos fenmenos de reflexin y refraccin de ondas en extremos abiertos
[3,4]. En el mismo instante t=0.1s, una onda reflejada desde C, con una pendiente de 100 kV/s,
comienza a viajar de nuevo hacia el punto B, donde se encuentra el pararrayos, alcanzndolo en
t=0.2s. En este momento, la tensin en el pararrayos comienza a crecer, no ya a 100 kV/s sino a
200 kV/s. As, la diferencia de potencial entre los extremos del pararrayos alcanza la tensin de
60
50
40
voltaje - kV
30
20
voltaje en el pararrayos
10
voltaje en el transform ador
-0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
tiempo - s
Figura 6.4. Evolucin del voltaje entre terminales del pararrayos y del equipo al que protege, el cual soporta
una tensin superior a la de descarga del pararrayos, debido a distancia entre ambos y al tiempo finito de
propagacin de la perturbacin. Existe otra fuente de sobretensin, no considerada en el presente anlisis, que
puede elevar an ms el voltaje en los terminales del equipo sensible con respecto a la tensin de descarga del
pararrayos: la inductancia parsita del cable que los une.
Como hemos dicho en los captulos anteriores, la respuesta dinmica de los bordes de grano
viene controlada por los tiempos de relajacin para la carga atrapada en la interfase y en trampas
profundas, y por el tiempo de recombinacin de portadores minoritarios atrapados en la interfase
(huecos) y portadores mayoritarios (electrones). Los retardos en el llenado y vaciado de los estados
de interfase y trampas modulan la respuesta dinmica en el BG, que deviene retardada con respecto
al potencial aplicado. Los efectos de este posible retardo en el disparo de los mecanismos de
conduccin son fciles de entender: supongamos una situacin como la descrita en 2.3.1, pero en la
que el frente de onda incidente tenga una pendiente de ms de 1000 kV/s; la situacin
evolucionara como en 2.3.1, salvo que la tensin de conmutacin VB se alcanzara en el pararrayos
en menos de 30ns, i.e., el pararrayos pasara del Punto 1 al Punto 2 de la Fig. 2 en unos pocos
nanosegundos; en estas circunstancias, a pesar de haber entrado ya en el codo de conmutacin, el
material an tardara un cierto tiempo en poder desencadenar los mecanismos que llevan al colapso
de las barreras y a la conduccin en rgimen de alta corriente. El tiempo adicional necesario es del
orden de algunos nanosegundos, pero es suficiente para que la rapidsima sobretensin incidente
tenga tiempo de crecer por encima del valor de descarga (correspondiente al Punto 3 de la Figura
2), al que finalmente se ver reducida cuando el pararrayos conmute por fin a su estado de alta
conduccin. En consecuencia, aparecer entre los terminales del varistor una sobreoscilacin inicial
en la onda de voltaje (Figura 6.5) y la sobretensin mxima en bornes del equipo protegido no estar
en fase con la corriente descargada, sino que se adelantar al mximo de dicha corriente
(comportamiento inductivo). Adems, la amplitud de esta sobretensin no ser la correspondiente a
la corriente mxima descargada de acuerdo con la correspondiente curva I-V, sino que ser superior,
tanto ms grande cuanto ms abrupta sea la pendiente de crecimiento del voltaje en el frente de
onda y cuanto mayor sea el retardo de la conduccin. El resultado final equivale a un carcter no
univaluado de la caracterstica I-V: en la Figura 6.5 vemos que, para un mismo valor de corriente,
existen dos valores distintos de voltaje: uno en el frente de la onda (que sera el afectado por el
retardo en el disparo del mecanismo de conduccin) y otro en la cola (que sera el valor que
podramos considerar como natural o intrnseco al dispositivo, una vez plenamente alcanzado el
rgimen de alta conductividad). La sobreoscilacin est adelantada con respecto a la onda de
intensidad y, por tanto, es equivalente a un efecto inductivo. Por este motivo, la primera
preocupacin al intentar obtener una caracterizacin fiable de la respuesta de un varistor en este
rgimen es eliminar todo efecto inductivo parsito de los circuitos y sistemas de medida [96], a fin de
poder aislar el efecto intrnseco al varistor; por ejemplo, la propia longitud de la muestra introduce
una inductancia en el circuito que produce un efecto de sobreoscilacin similar al descrito. En 7.X
planteamos la descripcin cuantitativa del fenmeno y describimos los mtodos experimentales
desarrollados para discriminar entre todos los efectos inductivos externos o parsitos y el efecto
inductivo intrnseco debido a la dinmica retardada en BG.
La Figura 6.5 ilustra la naturaleza multivaluada de la caracterstica I-V dinmica, i.e., obtenida
bajo condiciones no estacionarias. En el siguiente captulo describiremos los circuitos y sistemas de
medida (altamente no estndar) que hemos diseado para medir este tipo de respuestas. Lo
importante ahora es ver cmo el valor del voltaje a travs del varistor (para un mismo valor I0 de la
corriente que lo atraviesa) es mayor cuando se mide en el frente de la onda (V1) que cuando se mide
en la cola (V2). La magnitud de este fenmeno se cuantifica mediante la obtencin de una curva de
sobreoscilacin inicial en voltaje frente a tiempo hasta la cresta de corriente para un valor mximo
fijo de la amplitud de la onda de corriente inyectada en la muestra [104].
10
cod o de rem onte
UB
Ures @ 10 kA
1
Uc
0,1
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
2
densidad de corrie nte - J (A / cm )
Figura 6.6. descripcin de las distintas regiones de funcionamiento de un varistor. (i) UC corresponde a algn
punto en la zona de corrientes de fuga; (ii) UB es el voltaje correspondiente a algn punto en el codo de
conmutacin, cuya definicin exacta difiere entre diversos autores (vase 4.1.1); (iii) la tensin
correspondiente a una corriente de 10 kA es un parmetro de control estndar.
- Coeficiente de no linealidad :
d (ln I )
(V ) ( I ) (6.3)
d (ln V )
VQkA := tensin residual a Q kA (valor cresta), medida con un pulso de pendiente en el frente
de onda 1 kA/s para evitar efectos espreos debidos a la sobreoscilacin inicial en voltaje.
El valor correspondiente a 10 kA (V10kA) se designa por convenio como la tensin nominal de
descarga del elemento.
VNmA := tensin de referencia a N mA (valor d.c. o a.c.-cresta). Valores tpicos para N son 5
mA, 20 mA el valor correspondiente a 1mA/cm2.
La tensin residual nominal (tensin residual bajo impulso de corriente de amplitud igual a
10kA y forma de onda 8/20s) de un varistor se puede escribir, en general, como suma de una
contribucin de los bordes de grano ms una contribucin que proviene del interior de los granos:
y el FB:
(1) V10kA debe localizarse en torno al codo de conmutacin, de modo que la cada de tensin en
bordes de grano domine an sobre la cada de tensin en los granos. Esta condicin es
necesaria para que el resto (2)-(4) sean tiles.
(3) Unos pocos parmetros del tratamiento trmico permiten pequeas variaciones, dentro de
las cuales slo controlan el tamao promedio de grano, sin alterar otras propiedades
microscpicas del varistor.
Ntese que si V10kA se encuentra en una zona en la que la cada de tensin en los granos es
comparable con la correspondiente a los bordes de grano, entonces el aumento en el gradiente de
tensin de referencia se refleja en el FB, mejorndose la no linealidad aparente de la caracterstica I-
V del varistor: el FB se comporta como si la conductividad de los granos se hubiera aumentado en un
factor n. Las pequeas fluctuaciones remanentes en el FB pueden achacarse influencias del
desorden estructural o a contribuciones de segundo orden del sumando V10kA;G, variables debido a
una cierta dispersin en la conductividad de los granos. En un prximo trabajo, el anlisis mediante
espectroscopia de impedancia, permitir discernir cual es el efecto dominante.
Para terminar, la Figura 6.7 pretende mostrar el enorme potencial de informacin que el
anlisis sistemtico de las curvas completas puede aportar. Para ello, en Fig. 6.7(a) se indican
posibles variaciones sobre una curva buena y las implicaciones microestructurales y posibles
orgenes de dichas variaciones; en Fig. 6.7(b) se presenta una tpica secuencia de optimizacin de los
parmetros de composicin y proceso de un varistor, basada en las alteraciones esperadas en la
caracterstica I-V del dispositivo. Ntese que las curvas utilizadas en la Fig. 6.7 no son reales sino
construcciones ad hoc para ilustrar la potencia del procedimiento de caracterizacin desarrollado.
(2)
tensin aplicada - U (V)
4
10 3
9x10
3
8x10
3
7x10
3
6x10
3
5x10
3
4x10
3
3x10 (1)
(4)
3
2x10
10 kA
5 mA
3
10
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Figura 6.7(a): Supongamos que [(1)] es una buena curva, que presenta todas las caractersticas
(1)-(3) establecidas arriba y, en especial, cuya V10kA est lejos de la zona dominada por la
respuesta del grueso del material. En principio, nada impide que una curva con V10kA en la regin
de altas corrientes sea perfectamente aceptable. En la prctica, sin embargo, la presencia de
V10kA en la regin de altas corrientes suele significar que dicha regin comienza demasiado pronto
(curva [(3)]), como consecuencia de (i) una resistencia demasiado alta en los granos, o bien (ii) de
que RBG cae por debajo de RG demasiado pronto, debido a que la propia RBG es demasiado
pequea, lo cual implica corrientes de fuga muy altas: este es el caso de la curva [(4)], que
presenta la misma regin de alta corriente que la curva [(3)] (misma conductividad de grano)
pero cuya regin de corrientes de fuga se ha desplazado hacia la derecha con respecto a la curva
[(3)].
Ntese que la presencia de V10kA en el codo de conmutacin no es, en s misma, ninguna garanta.
De hecho, la curva [(2)] representa un caso notoriamente peor que [(1)] en el que, sin embargo,
V10kA se mantiene lejos de la regin grano-dominada. As, incluso teniendo una RG alta, poco
optimizada, caso de la variante [(2a)], la V10kA se queda en el codo de conmutacin porque RBG se
mantiene tambin muy alta y durante un mayor rango de valores de la corriente (vase Fig. 2(c)),
de modo que a 10kA, RBG an est lejos de caer por debajo de RG. Est bastante claro que esta
situacin es desastrosa a todos los niveles: ciertamente, la mayor resistividad de los BGs
desplazar el valor del FB muy por encima de lo deseable y la lenta cada de RBG equivaldr a una
prdida en la no linealidad.
(1)
tensin aplicada - U (V)
4
10 3
9x10 (1)
3
8x10
3
7x10 (2)
3
6x10
3 5 mA
5x10
3
4x10
3
3x10 (3)
(2)
3
2x10
10 kA
3
10
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
10
7 resistencia tpica de los granos: 0.1
2
10 kA = 760 A / cm
6 curva {C}
10
resistencia (G + BG) -
5
10
4
10
3
10
curva {A}
2
10 curva {B }
1
10
0
10 5 mA = 0.38 mA / cm
2
-1
10
-2
10
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Figura 6.7(c): Podemos ver la evolucin de la resistencia equivalente del varistor en un caso real
(curva {A}) y en dos casos ficticios utilizados como ilustracin (curvas {B} y {C}). El caso {B}
equivale a la curva [(4)] de Fig. 2(a): la resistencia equivalente de los BGs cae muy pronto por
debajo de la resistencia del grueso del material, dando lugar a un codo de remonte muy
desplazado a la izquierda y, debido a la baja resistividad, a un incremento de las corrientes de
fuga. El caso {C} equivale a las curvas [(2a-b)] de Fig. 2(a): con independencia de que la
conductividad de los granos sea buena o mala, el mantenimiento de un rgimen de alta
resistividad en BG durante un mayor rango de corrientes, hace que el codo de remonte (definido
aproximadamente por la interseccin de las dos resistencias) se desplace hacia regiones de
mayor corriente.
Un varistor puede fallar de formas muy diversas durante el proceso de absorcin de energa
inherente a la descarga a tierra de una sobretensin. Incluso aunque el fallo no sea inmediato, la
estabilidad trmica del dispositivo y su capacidad de recuperacin pueden verse comprometidas
debido a que, an tras la desaparicin de la sobretensin, el varistor contina energizado a la tensin
de red. Por este motivo, se ha dedicado gran atencin a los distintos modos de fallo de varistores [6-
14,24,26,30-33] y a la relacin de dichos modos con parmetros cermicos tales como la
homogeneidad (elctrica y microestructural) o la porosidad del elemento.
Figura 6.7. Varios ejemplos de varistores de alta tensin en los que se ha producido el fallo por puncin. Los
signos de fusin y vaporizacin del material son evidentes. Una vez que comienza a fundirse material a lo largo
del camino de corriente localizada, salta un arco elctrico de altsima temperatura que tiende a buscar oxgeno
saliendo al exterior de la muestra, como se puede ver en las imgenes (a) y (b). En la imagen (c), en cambio, el
arco se mantuvo confinado en el interior del cuerpo cermico y slo se extendi al salir de l, derritiendo por
contacto el material en la superficie de la muestra.
Existe alguna evidencia, a partir del trabajo original de Eda [7], de que ambos tipos de fallo
ocurren cuando la absorcin de energa por parte del elemento activo (el material varistor) supera un
cierto valor umbral. Esta circunstancia ha llevado al diseo de una serie de experimentos con la
finalidad de ser aplicados rutinariamente a toda una produccin (o a una muestra significativa de la
misma) a modo de herramientas de control de calidad. Algunos de estos experimentos sern
descritos en el Captulo 7. Sin embargo, en lo referente al origen microscpico preciso de cada uno
de los dos tipos de fallo, la situacin es en todo similar a la descrita en el captulo anterior con
respecto a la degradacin: dicho origen no se ha identificado positivamente an y constituye un
tpico activo de investigacin. A continuacin, resumimos el estado del conocimiento actual
respecto a cada uno de estos modos de fallo.
6.1 Puncin.
El fallo por puncin se atribuye al proceso de desbocamiento trmico antes descrito, el cual, a
su vez, se ha relacionado recientemente [30-32] con el fenmeno de aparicin de corrientes
localizadas en regiones determinadas de un semiconductor policristalino. Conceptualmente, el
fenmeno se puede describir como un proceso retroalimentado: comienza con la aparicin de
corrientes localizadas en algunos caminos dbiles formados a travs de la microestructura; estas
corrientes provocan un calentamiento local (por simple efecto Joule) el cual, debido a la naturaleza
trmicamente activada del transporte de carga a travs de los bordes de grano, produce un ulterior
incremento de la corriente que fluye a travs de dichos caminos; este incremento de corriente
produce un mayor calentamiento, que de nuevo produce ms corriente ... y este proceso se
mantiene hasta que el material en el camino de la corriente se funde, causando el cortocircuito de la
muestra. Las cuestiones que esta imagen deja abiertas, tanto en varistores como en otras cermicas
Las simulaciones y clculos [63] demuestran que casi cualquier pequea fluctuacin
microestructural en las propiedades elctricas o morfolgicas lleva inevitablemente a la localizacin
de corriente, la cual se hace ms intensa en el rgimen de no linealidad. Sin embargo, aunque la
localizacin es una condicin necesaria, el desbocamiento trmico no se produce a menos que el
material sea incapaz de disipar por conduccin el calor localmente generado por efecto Joule. Por
tanto, la conductividad trmica del material se erige en parmetro de vital importancia a la hora de
minimizar el riesgo de fallo por puncin.
Regin de conmutacin y codo de remonte. Aqu la cada de tensin total se reparte entre los
granos y los bordes de grano, de manera que VQkA= VQkA;G + VQkA;BG. En estas condiciones, la
importancia relativa de cada uno de los dos sumandos (que es funcin del voltaje aplicado,
de la conductividad de los granos y de la caracterstica de las interfases) determinar el grado
de sensibilidad ante el desorden .
Regin de altas corrientes. La tensin total aplicada aparece por completo en los granos de
ZnO: VQkA= VQkA;G. En principio, desde el punto de vista elctrico, esta regin es totalmente
insensible al grado de desorden y depende tan slo de las dimensiones fsicas globales del
dispositivo. Semejante afirmacin debe, no obstante, ser matizada: la conductividad de los
granos depende, en ltima instancia, de parmetros de formulacin y proceso tales como la
presencia de impurezas donadoras y el correcto suministro de la energa trmica necesaria
para activar su difusin hacia el interior de los granos; estos mismos parmetros pueden
influenciar severamente el grado de desorden presente en la muestra y, por tanto, pueden
aparecer correlaciones indirectas entre ambas propiedades.
Diferentes experimentos han indicaron de forma consistente que las curvas I-V
correspondientes a bordes de grano individuales pueden ser agrupadas en tres conjuntos
razonablemente bien definidos: (A) buenos bordes de grano (buenas barreras): elctricamente
activos, con resistencia de fuga elevada, VB3.3-3.7 V y alto coeficiente de no linealidad [tipo 5.4(a)-
(b)-(c)]; (B) malos bordes de grano (malas barreras): elctricamente activos pero con resistencia de
Desorden
(3)
Propiedad Refs. Elctrico
(2)
Estructural % buenos BGs % malos BGs % microuniones hmnicas
63, 92 En todos los casos, el impacto del desorden en las zonas de conmutacin, codo de
remonte y regin de altas corrientes es muy inferior a su impacto en la regin de
prdida de no linealidad corrientes de fuga y codo de conmutacin. No obstante, especialmente si la
aparente (codo de remonte) resistividad de los granos es alta y la tensin residual nominal a 10 kA se encuentra
antes del codo de remonte, todas las formas de desorden se traducen en aumentos en
el FB y, por tanto, en deterioro de la no linealidad aparente, tal y como queda
cuantificada por el FB
(1)
Notas cdigo: (i) casilla en blanco implica que la presencia e importancia relativa de determinado tipo de desorden no
es relevante para el fenmeno en cuestin; (ii) casilla con anotaciones implica que el desorden es influyente en el
(3)
el desorden elctrico se supone en principio cuantificado por el porcentaje de bordes de grano de cada tipo
presentes en la muestra. De nuevo, en un anlisis ms fino, este parmetro no rene toda la informacin necesaria:
la asimetra estructural en la distribucin del desorden elctrico (v.g., predominancia de barreras malas en las
regiones profundas del varistor) puede resultar determinante para algunas de sus propiedades (v.g.,
comportamiento frente a impulsos de alta energa).
La aseveracin inicial de 5.5 en cuanto a que ...VB se mantiene en torno a 3.3-3.7 V/BG
independientemente de los detalles de formulacin y proceso... necesita ser cuidadosamente
matizada. En primer lugar se debe subrayar que, en lo que tiene de cierta, se refiere slo a bordes de
grano individuales, i.e., a medidas de microcontactos a travs de un nico borde de grano, nunca a
muestras macroscpicas, en las que la suma de la dispersin aceptada en BG (3.3-3.7 V/BG) ms el
desorden estructural puede conducir a fluctuaciones importantes en la VB medida. En segundo lugar,
la VB=3.3-3.7 V/BG se refiere nicamente a las barreras formadas en buenos bordes de grano cuyas
propiedades, en efecto, no presentan mucha dispersin.
8 Referencias