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Transistores bipolares

Se los denomina como un dispositivo elctrico por lo cual podemos controlar cierta cantidad de
corriente, estos dispositivos consta de 3 pines, el colector, base en el que el diodo debe estar
polarizado directamente, emisor en la que el diodo base emisor tiene que estar polarizado
inversamente. La base emisor se tiene que polarizar en forma directa para hacer operar el
transistor en la regin actica.

La configuracin de polarizacin fija nos dice que aun cuando la red emplea un transistor, las
corrientes son direcciones.

La malla colector-emisor son las que nos indica la direccin de las corriente para eso necesitamos
que los transistores tengan cadas de voltaje idnticas entre la base y el emisor, y valores idnticos
de beta, lo cual se logra mejor cuando los transistores se forman al mismo tiempo en la fabricacin
de circuitos integrados.
Circuitos de espejo de corriente
Se produce una corriente constante y se lo utiliza principalmente en circuitos integrados, para La
corriente del colector de cada transistor lo cual sera el espejo de la corriente constante ese decir
desarrollada en un lado del circuitos.
El Transistor de Efecto de Campo (FET)

Es un dispositivo que opera como una fuente de corriente controlada por voltaje lo cual son mas
comunes que hay los transistores de compuerta aislada llamada Mosfet y la otra compuerta de
unin llamada jfet
sus caractersticas
el voltaje aplicado que contiene la compuerta y la controlada a la corriente entre la fuente y el
drenado, tambin dice que es un dispositivo unipolar pues su corriente es transportada por
portadores de una polaridad

LOS TRANSISTORES MOSFET.


Este transitor no se basa a uniones de PN como el transistor bipolar sino es aquella que en el
movimiendo de sus cargas se produce por la existencias que tiene los campos elctricos en el
interior del dispositivos. El trmino enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.
su calidad y su estabilidad con que es posible fabricacin estas finas capas de xido es la principal
causa del xito alcanzado con este transistor, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT,
Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo N, se crea un
campo elctrico bajo la capa de xido que incide perpendicularmente sobre la superficie del
semiconductor P. Si el campo elctrico es muy intenso se logra crear en dicha superficie una regin
muy fuerte en electrones, denominada canal N
Transistor tipo JFE
Es un dispositivo lo cual puede controlar el paso de una cierta cantidad de corriente que hace
variar una tensin hay dos tipos de jfe de canal n los de canal p.