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FISI 3143: Laboratorio de Electrnica I

Departamento de Fsica y Electrnica


Universidad de Puerto Rico en Humacao
2014-2015

Prctica 7: Caractersticas y Polarizacin de Transistor BJT

Objetivo:
Estudiar propiedades y curvas caractersticas de transistor BJT.
Referencias:
1. Notas y enlaces en pgina del curso (http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3143.html).
2. Boylestad and Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 7th
Ed., Cap. 3.

Preguntas de repaso:
1. Explique las caractersticas del transistor de unin bipolar (BJT) y las diferencias
entre los BJT tipo NPN y tipo PNP.
2. Qu caractersticas tiene el BJT con polarizacin Emisor Comn?

1. Transistor de Unin Bipolar (BJT)


El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la seal de uno de
los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificacin,
regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de unin bipolar (BJT) est
formado por la unin de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n.
Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones
como por huecos. La figura 1 muestra la construccin de un BJT tipo npn (dos
semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo p) y su correspondiente
smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se identifican como Colector (C),
Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo pnp.

Figura 1. BJT tipo npn

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Figura 3. Foto de BJT con Figura 4. Terminales BJT vistos


terminarles. desde parte inferior.

La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemtico de la parte inferior de un BJT que


nos permite identificar sus terminales (Colector, Base y Emisor), respectivamente. Note
que los terminales son los mismos para NPN y PNP.
Como los transistores BJT pueden representarse internalmente como la unin de dos
diodos (ver figura 5), el DMM puede utilizarse para revisar cada diodo como aprendimos
en las prcticas anteriores.

Prctica 1: Verificar funcionamiento del BJT


1. Seleccione un par transistores BJT NPN y
PNP. Note que la codificacin comienza
con 2N. Los transistores ms utilizados en
el laboratorio son el 2N3904 y 2N3906.
Anote su cdigo e identifique sus
terminales.
2. Verifique que funcionan correctamente
utilizando la tcnica que utilizamos para
los diodos. Coloque las puntas de prueba
del DMM entre los terminales: BE, EB, BC
y CB. Explique sus resultados.
Figura 5. Representacin de transistors
3. Seleccione un transistor NPN que BJT como uniones de dos diodos: a) NPN
funcionen correctamente para la prxima y b) PNP.
prctica (2N3904 o similar).

2. Curvas Caractersticas de BJT


La operacin del transistor se obtiene polarizando las uniones pn o np. La figura 6
muestra un circuito polarizado en configuracin Emisor Comn. Las curvas
caractersticas de la entrada del Emisor Comn son las curvas de IB versus VBE para
distintos valores de VCE. Como usted puede deducir del circuito, estas curvas se
comportan como las curvas caractersticas de un diodo. La figura 7 muestra las curvas
caractersticas de la salida del emisor comn con sus correspondientes zonas de

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operacin (Amplificacin o Activa, Saturacin o Cut-Off). Aplicando las leyes de Kirchhoff


al circuito obtenemos:

I E =I C + I B
V CE =V CC RC I C
V BE =V BBR B I B

Para polarizacin dc la relacin entre IC e IB est dada por el parmetro donde:


I C . tambin se conoce como la ganancia dc porque es la razn entre la ganancia
=
IB
en la salida del circuito (C) y la entrada (B).

Prctica 2: Parmetros del BJT


1. Construya el circuito en la figura 7 utilizando el transistor NPN de la Prctica 1,
RB = 100k y RC= 1k. Anote los valores medidos de sus resistores y utilcelos para
sus cmputos. Utilice un voltaje VCC=7.5 V y ajuste el valor de VBB para que IB sea
igual a 10 A.
2. Mida los voltajes VCE y VBE en el circuito. Utilice los valores medidos para calcular
el valor de . Compare con el valor en la hoja de datos de su transistor. No rompa
el circuito porque lo utilizar en la prxima prctica.

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Prctica 3: Curvas Caractersticas del Transistor


1. Mantenga el voltaje VBB que utiliz en la Prctica 2. Calcule el voltaje VCC inicial
utilizando los valores obtenidos en la Prctica 2 y la ecuacin VCC= RCIB. Ajuste
la fuente VCC al valor calculado. Mida VCE y calcule IC.
2. Aumente VCC en pasos de 0.1 V, y repita la medida y cmputo de IC. Cundo IC se
haga constante, contine aumentando VCC en pasos de 1 V hasta alcanzar 15 V.
Trace la curva de IC versus VCE.
3. Duplique el valor de VBB y repita el procedimiento anterior.
4. Compare sus resultados con los de la figura 7.

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