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APUNTES DE

AVIONICA
UNIDAD 1. ELECTRONICA
ANALOGICA. PARTE IV
GRADO EN INGENIERIA AEROESPACIAL EN AERONAVEGACION

TERCER CURSO / SEGUNDO CUATRIMESTRE

CURSO 2016-2017

PROFESOR: OSCAR JIMENEZ / JESUS MAS

oscar.jimenez.rubio@urjc.es

jesus.mas@urjc.es
APUNTES DE AVIONICA CURSO 2016-2017

APUNTES DE AVIONICA......................................................................................................... 131


1.38 TRANSISTORES....................................................................................................... 134
1.38.1 INTRODUCCION............................................................................................... 134
1.38.2 TRANSISTORES BIPOLARES. TIPOS ............................................................ 134
1.38.2.1 CONFIGURACIONES ................................................................................................ 135
1.38.2.2 TENSIONES Y CORRIENTES DEL TRANSISTOR EN CORRIENTE CONTINUA ... 136
1.38.2.3 EL TRANSISTOR EN CONFIGURACION DE EMISOR COMUN (EC) ...................... 137
1.38.2.3.1 CARACTERISTICAS DE SALIDA ........................................................................ 137
1.38.2.3.2 CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA ......................................................... 139
1.38.2.3.3 CARACTERISTICA DE ENTRADA ...................................................................... 140
1.38.2.3.4 COEFICIENTE DE READMISION ........................................................................ 140
1.38.2.4 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO ELEMENTO AMPLIFICADOR .......................... 141
1.38.2.5 ESTADOS DEL TRANSISTOR .................................................................................. 143
1.38.2.6 POLARIZACION Y ESTABILIZACION ....................................................................... 144
1.38.2.6.1 RECTA DE CARGA .............................................................................................. 144
1.38.2.6.2 MAGNITUDES Y PARAMETROS QUE GENERAN LA INESTABILIDAD ............ 146
1.38.2.6.3 POLARIZACION UNIVERSAL .............................................................................. 147
1.38.2.6.3.1 ANALISIS DEL CIRCUITO ............................................................................ 149
1.38.2.6.3.2 NORMAS PARA EL DISEO DEL CIRCUITO .............................................. 150
1.38.2.7 AMPLIFICADOR COMPLETO MONTAJE EN EC ..................................................... 151
1.38.2.7.1 RECTA DE CARGA DINAMICA ........................................................................... 152
1.38.2.8 AMPLIFICADORES MONTAJE CC Y BC .................................................................. 153
1.38.2.9 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR EN EC ............................................................... 154
1.38.2.9.1 ESTUDIO EN CORRIENTE ALTERNA ................................................................ 154
1.38.2.9.2 ANALISIS GRAFICO ............................................................................................ 157
1.38.2.10 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INTERRUPTOR ........................................... 158
1.38.3 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO..................................................... 160
1.38.3.1 TRANSISTORES FET DE UNION ............................................................................. 160
1.38.3.1.1 TENSIONES Y CORRIENTES DEL FET EN CORRIENTE CONTINUA .............. 160
1.38.3.1.2 FUNCIONAMIENTO DEL FET DE UNION ........................................................... 161
1.38.3.1.3 CARACTERISTICAS DE UN FET EN MONTAJE SC .......................................... 163
1.38.3.1.3.1 CARACTERISTICAS DE SALIDA ................................................................. 163
1.38.3.1.3.2 CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA ................................................ 164
1.38.3.1.4 HOJA DE CARACTERISTICAS DE LOS FET ...................................................... 165
1.38.3.2 TRANSISTORES MOS .............................................................................................. 166
1.38.3.2.1 TIPOS DE MOS .................................................................................................... 166
1.38.3.2.2 FUNCIONAMIENTO DEL MOS ............................................................................ 168
1.38.3.2.3 DIFERENCIAS ENTRE LOS MOS DE ENRIQUECIMIENTO Y LOS DE
EMPOBRECIMIENTO ............................................................................................................. 169
1.38.3.2.4 CARACTERISTICAS DE LOS MOS ..................................................................... 169
1.39 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ....................................................................... 170
1.39.1 EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ................................................................. 170
1.39.1.1 GANANCIA DIFERENCIALY GANANCIA EN MODO COMUN ................................. 172
1.39.1.2 FACTOR DE MERITO ................................................................................................ 174
1.39.1.3 CIRCUITO REAL ........................................................................................................ 175
1.39.2 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ............................................................... 176
1.39.2.1 CARACTERISTICAS DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ................................... 177
1.39.3 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO CIRCUITO
REALIMENTADO .............................................................................................................. 178

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1.39.3.1 CALCULO DE LA TENSION DIFERENCIAL.............................................................. 179
1.39.4 OTROS CIRCUITOS LINEALES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
180
1.39.4.1 AMPLIFICADOR NO INVERSOR .............................................................................. 180
1.39.4.2 SEGUIDOR DE TENSION ......................................................................................... 181
1.39.4.3 CONVERTIDOR DE TENSION EN CORRIENTE ...................................................... 182
1.39.4.4 CONVERTIDOR DE CORRIENTE EN TENSION ...................................................... 184
1.39.4.5 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ................................................................................ 184
1.39.5 CIRCUITOS OPERATIVOS .............................................................................. 185
1.39.5.1 SUMADOR ................................................................................................................. 186
1.39.5.2 INTEGRADOR Y DIFERENCIADOR ......................................................................... 187
1.39.6 CIRCUITOS NO LINEALES CONSTRUIDOS CON AMPLIFICADORES
OPERACIONALES ............................................................................................................ 188
1.39.6.1 COMPARADORES .................................................................................................... 189
1.39.6.2 RECTIFICADORES .................................................................................................... 191
1.39.6.3 LIMITADOR ................................................................................................................ 192
1.39.7 ESPECIFICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ........................ 193

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1.38 TRANSISTORES

1.38.1 INTRODUCCION

Los transistores son dispositivos semiconductores que realizan la funcin de


amplificacin de las seales.

Existen varios tipos, los transistores bipolares y los transistores de efecto de campo
(FET), que a su vez se pueden incluyen tambin a los MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor FET).

Los transistores bipolares se comportan como amplificadores de corriente y se


controlan mediante una corriente a su entrada.

Los transistores de efecto de campo amplifican la corriente en funcin de una tensin


a su entrada.

Mediante estos dispositivos es posible construir circuitos que amplifican seales de


tensin, de corriente, o de ambas cosas a la vez.

1.38.2 TRANSISTORES BIPOLARES. TIPOS

Los transistores bipolares son componentes semiconductores constituidos por la unin


de tres cristales de silicio contaminados con algn tipo de impureza. El orden de
colocacin de los cristales, pnp o npn, da nombre a los dos tipos de transistores
bipolares existentes. Tanto los transistores pnp como los npn son elementos
electrnicos bsicos con tres terminales, conectados internamente a cada uno de los
cristales que lo constituyen, y que se conocen con los nombres de emisor, base y
colector. En la Figura 156 se muestran los smbolos usados para representar los dos
tipos de transistores bipolares.

Figura 156. Smbolos del transistor bipolar

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El emisor recibe este nombre porque es el que se encarga de emitir las cargas mviles
(electrones o huecos, segn el tipo) que atraviesan el transistor. El colector es aquella
parte del componente que recibe la mayor parte de las cargas que parten del emisor.
La base se encuentra entre el emisor y el colector y recibe este nombre porque
constitua el soporte de ambos cuando los transistores se fabricaban por el
procedimiento de aleacin. En la actualidad el mtodo empleado es el de difusin.

El transistor es un solo cristal (p o n), en el cual se efectan dos difusiones para


obtener tres capas diferentes.

1.38.2.1 CONFIGURACIONES

El transistor es un elemento amplificador capaz de proveer una corriente proporcional


a la aplicada a la entrada y, como hemos sealado, tiene tres terminales
denominados: emisor, base y colector. Un amplificador requiere cuatro terminales, dos
de entrada y dos de salida; por tanto, cuando el transistor se utiliza como elemento
amplificador, no queda ms remedio que usar una de sus tres patillas como terminal
comn a la entrada y a la salida. Caben, pues, tres montajes o configuraciones
diferentes cuyos nombres son: emisor comn (EC), base comn (BC) y colector
comn (CC). El anlisis de cada uno de los diferentes circuitos, constituidos por el
transistor y el resto de componentes, lo realizaremos ms adelante; no obstante, es
conveniente realizar previamente un estudio de carcter cualitativo, comparando las
tres configuraciones, con el fin de identificar el montaje que ms se aproxima al
amplificador de corriente ideal.

En la configuracin BC la seal procedente del generador de entrada se aplica entre el


emisor y la base, y la resistencia de carga se coloca entre el colector y la base. La
corriente de salida es prcticamente del mismo valor que la de entrada, por tanto su
ganancia es la unidad. La resistencia de entrada es muy pequea y la de salida muy
grande.

En el montaje CC la seal se aplica entre la base y el colector, y la carga se acopla


entre el emisor y el colector. La ganancia de corriente es, en este caso, elevada, la
resistencia de entrada, muy grande, y la de salida, muy pequea.

Por ltimo, en la configuracin EC el generador de entrada se aplica entre la base y el


emisor, y la carga, entre el colector y el emisor. La ganancia de corriente es elevada,
del mismo orden que en el montaje CC, la resistencia de entrada, pequea, y la de
salida, grande.

El montaje que ms se aproxima a un amplificador ideal de corriente es el EC y, por


consiguiente, es el que ms se utiliza para amplificar. Los otros dos se emplean para
acoplar resistencias. La configuracin BC, para adaptar una fuente de baja resistencia
que ataca a una carga de alta resistencia y la de CC, para adaptar una fuente de alta
resistencia a una carga de bajo valor.

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Figura 157. Configuraciones de los transistores bipolares

1.38.2.2 TENSIONES Y CORRIENTES DEL TRANSISTOR EN CORRIENTE CONTINUA

Para que el transistor bipolar pueda funcionar es necesario polarizar cada una de sus
patillas, tal y como se muestra en la Figura 158, sea cual sea el tipo de montaje que
realicemos.

Figura 158. Polarizacin del transistor bipolar a) NPN, b) PNP

En el tipo npn la base y el colector han de ser siempre positivos respecto del emisor,
mientras que en el tipo pnp la base y el colector han de ser negativos respecto al
emisor. Cuando el transistor est correctamente polarizado (la unin base-emisor debe
estar en polarizacin directa y la unin base-colector en polarizacin inversa), se
originan tres corrientes diferentes, que son la de base, I B , la de colector I C y la de
emisor I E , de manera que en todos los casos (tipos y montajes) se cumple la siguiente
igualdad:

= +

Como ya hemos sealado, la corriente que circula por la base es pequea respecto a
la del colector, por tanto, la corriente de colector es muy parecida a la de emisor. A
continuacin se indican las dos relaciones entre las corrientes de un transistor, que
tienen un gran significado:

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Las magnitudes y son conocidas como las ganancias de corriente en corriente


continua de las configuraciones BC y EC, respectivamente. Los valores de y varan
de unos transistores a otros en funcin de la potencia entre otras caractersticas, pero
para hacernos una idea y poder comparar, si vale 0,98, =50, ya que si combinamos
las ecuaciones anteriores podremos comprobar que ambas se encuentran
relacionadas mediante la siguiente expresin:

=
1

La ganancia de corriente en corriente continua en la configuracin CC es muy parecida


a la del montaje EC, ya que I E /I B I C /I B . Concretamente, si =50, la ganancia de
corriente en continua en montaje CC es (+1)=51.

La base y el emisor constituyen una unin pn, de manera que cuando se polariza
directamente se produce la misma cada de tensin que en un diodo, es decir, 0,7V
(para el caso del Si). V BE representa dicha d.d.p., V CE es la tensin de continua entre
el colector y el emisor. Su valor depende de muchas variables y puede oscilar desde
aproximadamente 0,2V hasta el valor de la f.e.m. del generador de alimentacin. La
tensin colector-base V CB , en funcionamiento normal, es prcticamente la misma que
V CE , ya que la cada entre base y emisor es muy pequea (del orden de los 0,7V).

1.38.2.3 EL TRANSISTOR EN CONFIGURACION DE EMISOR COMUN (EC)

En este apartado, vamos a ver el comportamiento del transistor en emisor comn (EC)
que como ya hemos mencionado antes es la configuracin ms comn de trabajo con
un transistor, ya que en esta configuracin, el transistor se comporta como un
amplificador de corriente.

1.38.2.3.1 CARACTERISTICAS DE SALIDA

Las caractersticas de salida nos proporcionan la variacin de la corriente de colector


I C , cuando vara la tensin entre el colector y el emisor, V CE , permaneciendo constante
la corriente de base.

En la Figura 159 se puede ver el circuito de polarizacin usado para poder realizar las
medidas de EC.

En la Figura 160 se pueden ver el conjunto de las curvas de respuesta de las


corrientes de colector en funcin de la V CE y para I B constante.

Como se puede apreciar en la Figura 160, para valores pequeos de tensin colector-
emisor, la corriente crece rpidamente, pero posteriormente se estabiliza,

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permaneciendo casi paralela al eje de abcisas. Esta ltima parte recibe el nombre de
zona activa.

Figura 159. Circuito de polarizacin del transistor en EC

Figura 160. Caractersticas de salida de un transistor npn en configuracin EC

Si una vez finalizada la obtencin de una curva para un determinado valor de la


corriente de base sta se incrementa, obtendremos una nueva curva diferente a la
anterior, donde el valor de estabilizacin de la corriente de colector ser superior a la
de la primera. Por existir una curva diferente para cada valor de I B , se dice que las
caractersticas de salida constituyen una familia.

La zona activa, donde las grficas son prcticamente rectas y equidistantes es la que
se utiliza en amplificacin para reducir lo ms posible la distorsin alineal.

La resistencia de salida de un transistor, funcionando como un amplificador en montaje


EC, se puede obtener de estas caractersticas, fijando un punto e incrementando la
tensin VCE. El valor de la resistencia vendr dado por la relacin entre dicho
incremento y el de la corriente de colector, obtenido al proyectar la caracterstica sobre
el eje de ordenadas:

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La letra griega (rho) se utiliza para representar la resistencia de salida. El subndice


e indica que es el valor de la resistencia de salida en montaje EC.

1.38.2.3.2 CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA

Esta caracterstica relaciona los valores de la corriente de colector y la corriente de


base cuando la tensin colector-emisor V CE , permanece constante.

Figura 161. Caracterstica de transferencia de un transistor npn en EC.

En transistores de pequea potencia se aproxima a una recta, tal y como se puede ver
en la Figura 161. A medida que se aumenta la potencia, se va perdiendo linealidad.

En este caso existe nicamente una recta. Esto quiere decir que la caracterstica
permanece prcticamente invariable, aunque se alteren los valores de V CE .

A partir de la caracterstica de transferencia se puede obtener la ganancia de corriente


del transistor cuando se aplica una seal variable. Este parmetro es la relacin entre
el incremento de la corriente de colector y el de la corriente de base:

Es necesario distinguir la ganancia de corriente en continua , a la que los fabricantes


representan como h FE , y que se obtiene sencillamente dividiendo la corriente de
colector (I C ) entre la de base (I B ). Esto es:


= =

Esta ganancia (h FE ) , es necesario diferenciarla de la ganancia de corriente en


pequea seal, o h fe .

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La diferencia entre ambos parmetros es debida a la falta de linealidad de la


caracterstica. Para valores bajos de la corriente de colector, h fe >h FE y para valores
altos de I C , hfe<h FE .

1.38.2.3.3 CARACTERISTICA DE ENTRADA

La entrada de un transistor en montaje EC es un diodo polarizado en directa. Ver


Figura 162.

Figura 162. Corriente de entrada de un transistor npn en EC

La curva de la Figura 162 se obtiene manteniendo constante la VCE, aunque


variaciones de esta tensin, no modifican sensiblemente la caracterstica.

La resistencia de entrada se puede obtener mediante la relacin de incrementos de las


magnitudes V BE e I B :

Para representar el valor de la resistencia de entrada de un transistor utilizado como


amplificador se emplea la letra minscula r. El subndice e indica que se trata del
montaje EC.

1.38.2.3.4 COEFICIENTE DE READMISION

Tambin es posible obtener la variacin de la tensin base-emisor cuando vara la


tensin colector-emisor, permaneciendo constante la corriente de base, igual que en el
caso de las caractersticas de salida. Aqu nos encontramos con un conjunto de curvas

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que constituyen tambin una familia, cada una de las cuales corresponde a una
corriente de base diferente.

La relacin entre el incremento de tensin base-emisor y el incremento de tensin


colector-emisor se denomina coeficiente de readmisin y se representa con la letra
griega :

Tanto en EC como en BC este parmetro es prcticamente cero y, por tanto,


despreciable cuando se analiza o disea una etapa amplificadora de alguna de las
configuraciones sealadas; sin embargo, en el caso de un montaje CC, C 1 y por
tanto es necesario tenerlo en cuenta junto a los otros tres a la hora de calcular una
etapa amplificadora de estas caractersticas.

1.38.2.4 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO ELEMENTO AMPLIFICADOR

Nos hemos referido anteriormente en relacin al transistor como elemento


amplificador. Vamos a ver cmo se comporta un transistor npn en EC a la hora de
realizar la funcin de amplificacin.

En el circuito de la Figura 163, se puede ver como polarizamos el transistor con un


nico generador. En relacin al circuito de la Figura 159, se ha eliminado la pila E B y la
resistencia R B se ha conectado al polo positivo del generador EC. Las tensiones y las
corrientes que se generan son las que aparecen en la Figura 163.

Figura 163. Polarizacin del transistor mediante un solo generador

La corriente de base en continua IB se puede calcular mediante la siguiente ecuacin:

La corriente de base dar origen a una corriente de colector en continua I C , de valor:

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Dicha corriente de colector provocar una d.d.p. en la resistencia de carga R C , de


manera que la f.e.m. del generador se repartir entre el transistor y dicha resistencia,
con arreglo a la ecuacin:

= +

En la prctica el circuito se disea de tal manera que la cada de tensin entre el


colector y el emisor del transistor sea aproximadamente la mitad que la f.e.m. del
generador E C :

Si examinamos las ecuaciones planteadas hasta ahora, podemos comprobar que la


corriente de colector I C depende de la corriente de base y que la tensin colector-
emisor, depende de la corriente de colector y, como consecuencia, indirectamente de
la base.

Si aplicamos una pequea seal alterna entre la base y el emisor 1 = , tal y


como se muestra en la Figura 164, se produce un incremento en la corriente de base
(I B ), tambin se producir un incremento en la corriente de colector (I C ), cuyo valor
ser:

Figura 164. Amplificador de corriente alterna con transistor npn en EC

Al aumentar la corriente de colector, la d.d.p. en la resistencia de carga sufrir un


incremento que podemos cuantificar, suponiendo , mediante el producto
I C R C.

Como la f.e.m. del generador E C permanece constante, la tensin colector-emisor V EC


disminuir en la misma cantidad que se incrementa la d.d.p. de la resistencia R C :

= 2 =

El signo menos indica que para un incremento en la seal de entrada se produce una
disminucin en la de salida, es decir, la seal amplificada se encuentra desfasada
180 respecto a la de entrada, tal y como se puede ver en la Figura 165.

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Figura 165. Relacin seal de entrada y seal de salida en amplificador con transistor npn en EC

El condensador C permite el paso de la corriente alterna hacia la base del transistor,


pero impide que la corriente continua que atraviesa R B circule por la fuente que genera
seal v 1 .

1.38.2.5 ESTADOS DEL TRANSISTOR

El transistor no solamente se emplea como elemento amplificador, sino que tambin


puede ser utilizado en circuitos de conmutacin, hacindolo trabajar en las zonas
extremas de sus caractersticas.

Los estados posibles del transistor son corte, saturacin y conduccin o zona activa.
En amplificacin, trabaja en la zona activa, es decir, en la parte lneal de la
caracterstica de salida, y cuando se utiliza como conmutador opera alternativamente
en corte y saturacin.

Se dice que un transistor est en corte cuando el valor de las magnitudes, tomando
como referencia el montaje en EC, son las siguientes:

= 0, = 0, = < 0,7

Su comportamiento en este estado es equivalente a un interruptor abierto. Esta


situacin es tambin conocida como estado de bloqueo.

Un transistor se encuentra en zona activa cuando sus tensiones y corrientes valen:

> > 0,2, = 0,7 =

Como ya hemos sealado, el diseo del amplificador se realiza con la condicin de


que V CE sea aproximadamente la mitad de la tensin del generador E C .

Por ltimo, se considera que un transistor est saturado cuando:

= 0,2, = 0,7

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El comportamiento de un transistor saturado es equivalente a un interruptor cerrado.


Este estado es muy particular, ya que aunque aumente la corriente de base, la de
colector permanece constante.

1.38.2.6 POLARIZACION Y ESTABILIZACION

Hasta ahora, hemos visto que los transistores bipolares pueden ser usados como
elementos activos en circuitos de amplificacin.

Cuando se construye un amplificador con transistores es necesario, en primer lugar,


polarizar el transistor con generadores de c.c. para obtener los valores de tensin y
corriente correctos. Una vez realizada esta operacin, suponiendo que se trate de una
etapa en EC, los valores de corriente de base I B , corriente de colector I C y tensin
colector-emisor V CE determinan el punto de reposo o de funcionamiento en continua
Q. Este punto de reposo ha de ser lo ms estable posible, es decir, las desviaciones
de I B , I C y V CE deben ser pequeas; por tanto, es necesario incorporar al dispositivo
los elementos pasivos adecuados para que se cumpla la condicin sealada.

Una vez establecido el punto de funcionamiento Q, el dispositivo est preparado para


que le sea aplicada la seal de c.a. a su entrada. La ganancia del amplificador y la
seal de salida son independientes de las tensiones y corrientes de polarizacin, as
como los elementos necesarios para determinar el valor de Q. El valor de la
amplificacin depende exclusivamente de los parmetros del transistor o de la cadena
de retorno, en el caso de un amplificador realimentado.

En la Figura 163, vimos un generador de c.c. conectado a un transistor junto con dos
resistencias, este sistema recibe el nombre de circuito de polarizacin fija y determina
el punto de reposo del transistor para unos valores dados de tensin de generador y
resistencias de base y colector.

El circuito de polarizacin fija es el ms sencillo, pero tambin es el ms inestable, y


por esta razn es el menos recomendable cuando el transistor trabaja en la zona
activa, es decir, como amplificador.

1.38.2.6.1 RECTA DE CARGA

Del circuito de la Figura 163 es fcil obtener la relacin que existe entre la corriente de
colector y la tensin colector-emisor del transistor:

= +

Esta expresin se conoce como ecuacin de la recta de carga. En ella, la f.e.m. del
generador E C y la resistencia de carga R C son constantes y V CE e I C son las variables.

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La recta de carga tiene un enorme inters, porque la interseccin de la misma con las
caractersticas de salida del transistor determina el punto de reposo Q. Para su
trazado con el plano I C =f(V CE ) es suficiente establecer los puntos de corte con los ejes
de coordenadas. Cuando la corriente de colector vale cero, la tensin colector-emisor
es igual a la f.e.m. del generador E C :

= 0 ; =

Por otra parte, cuando la tensin colector-emisor es igual a cero, la corriente de


colector se obtiene dividiendo la f.e.m. del generador E C entre la resistencia de carga:


= 0 ; =

En la Figura 166 se encuentra representada la recta de carga para unos determinados


valores de E C y R C . El punto de funcionamiento Q ha de estar situado en un lugar
equidistante de los cortes de la recta con los ejes de tensin y corriente.

Figura 166. Recta de carga y punto de reposo Q

Existe una recta de carga para cada valor de E C o R C . Si en la ecuacin se mantiene


el valor de la f.e.m. del generador E C y variamos el valor de R C , obtendremos una
nueva recta de carga cuyo corte con el eje de abcisas ser el mismo que el de la recta
anterior. El corte con el eje de la corriente I C se encontrar por encima si el valor de la
nueva resistencia es inferior, y por debajo si se trata de una resistencia ms grande. Si
mantenemos el valor de la resistencia de carga y variamos el valor de la f.e.m. del
generador, la recta de carga resultante ser paralela a la primitiva. En la Figura 167 se
muestran distintas rectas de carga obtenidas para diferentes valores de E C y R C . De
las dos rectas paralelas, la ms exterior corresponde a una ecuacin, en la cual el
valor de E C es superior.

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Figura 167. Rectas de carga para diferentes valores de Ec y Rc

1.38.2.6.2 MAGNITUDES Y PARAMETROS QUE GENERAN LA INESTABILIDAD

El punto de reposo Q debe estar situado lo ms centrado posible respecto a los


extremos de la recta de carga para evitar que el transistor salga de la zona activa y
pase a saturacin o corte, provocando distorsin cuando la seal de salida tiene una
amplitud elevada. La estabilidad del punto de trabajo puede ser perturbada por el
efecto de la temperatura, que tiene una enorme influencia sobre ciertas magnitudes, o
por la dispersin de valores de ciertos parmetros. En la Figura 168 se muestran las
desviaciones que se producen en las caractersticas de salida de un transistor bipolar
y, como consecuencia, el desplazamiento del punto de reposo Q.

Figura 168. Desplazamiento del punto de reposo Q por efecto de la temperatura

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La inestabilidad puede ser compensada mediante una adecuada polarizacin con un


circuito que veremos ms adelante, que es ms eficaz, aunque ms complejo de
implementar y analizar.

Las magnitudes y parmetros que provocan la inestabilidad son: la denominada, en las


caractersticas del transistor, corriente de corte de colector I CB0 , la tensin base-emisor
V BE y la ganancia de corriente continua .

La I CB0 es conocida tambin como corriente inversa de saturacin o simplemente como


corriente de fugas. Esta corriente se debe a los portadores minoritarios existentes en
los cristales n o p, que constituyen el transistor, y su valor es despreciable frente a la
corriente de colector, pero tiene el inconveniente de duplicarse cuando la temperatura
del transistor sube 10C. La I CB0 , que indica la hoja de caractersticas, es la corriente
que circula por el colector cuando la unin colector-base est polarizada inversamente
y no hay corriente por el emisor. En el montaje BC esta magnitud no tiene importancia,
a pesar de las variaciones de temperatura, debido a su bajo valor (del orden de nA);
pero en el montaje en EC, la corriente de colector, cuando la base est en circuito
abierto, es decir, cuando no hay corriente de entrada al amplificador, vale:

Esta corriente circula de colector a emisor y en el mismo sentido que IC, de manera
que la corriente total por el colector ser:

= + 0

El aumento de la corriente I CB0 con la temperatura provoca, en parte, el


desplazamiento de las caractersticas que se muestran en la Figura 168..

La ganancia de corriente en continua es un parmetro que influye considerablemente


en la estabilidad del punto de reposo, ya que puede existir una enorme diferencia de
valor de un transistor a otro del mismo tipo y adems porque vara con la temperatura.

Por ltimo, la temperatura provoca variaciones sobre la tensin base-emisor V BE y


sta, a su vez, tambin genera inestabilidad en el punto de reposo. V BE disminuye del
orden de 2,5mV por cada grado centgrado que aumenta la temperatura.

En definitiva, el aumento de la temperatura provoca un aumento de la I CB0 , de y una


disminucin de V BE y todo ello origina un incremento de la corriente de colector.

La polarizacin ideal sera aquella que proporcionase una corriente de colector en la


que no interviniese ninguna de las tres magnitudes sealadas: I CB0 , y V BE . En la
prctica, ser necesario disear un sistema de polarizacin donde la influencia de
dichas magnitudes sea mnima.

1.38.2.6.3 POLARIZACION UNIVERSAL

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 147 de 195


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En la Figura 169 se muestra un circuito con polarizacin universal capaz de


compensar los desequilibrios producidos por I CB0 , y V BE . El sistema est constituido
por un divisor de tensin, formador por R 1 y R 2 , conectado a la base del transistor, y
por una resistencia de emisor R E . Como hemos dicho, las variaciones de I CB0 , y V BE ,
la cada de tensin en la resistencia de emisor tiende a hacerse mayor y la corriente
de base, debido al intento de aumento de la cada en R E , disminuye. El resultado es
que la subida de la corriente de colector queda compensada, en gran parte por la
disminucin de la corriente de base.

Figura 169. Circuito de polarizacin universal

Al utilizar un sistema de polarizacin universal, la ecuacin de la recta de carga viene


dada por la siguiente expresin:

+ ( + )

El punto de corte con el eje de ordenadas (cuando la tensin colector-emisor V CE =0)


tendr como valor:


=
+

En la Figura 170 se muestra la recta de carga correspondiente a la ecuacin planteada


junto a la recta de carga de un circuito equivalente donde la resistencia de emisor
fuera cero.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 148 de 195


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Figura 170. Variacin de la recta de carga debido a R E

1.38.2.6.3.1 ANALISIS DEL CIRCUITO

En este apartado vamos a hacer un anlisis aproximado del circuito de polarizacin


universal.

Las resistencias R 1 y R 2 del circuito de la Figura 169 proporcionan un determinado


nivel de tensin en la base del transistor. Para determinar el valor de dicha tensin
podemos calcular el Thevenin equivalente entre la base del transistor y la tierra del
circuito.

Si desconectamos el punto de unin de R 1 y R 2 de la base y mantenemos la conexin


con el generador E C , obtendremos un circuito como el de la Figura 171 del que es fcil
deducir las siguientes ecuaciones:

1 2
= =
1 + 2 1 + 2 2

Figura 171. Circuito para calcular el equivalente Thevenin del circuito de polarizacin universal
(base)

Si ahora conectamos el circuito Thevenin equivalente a la base del transistor, el


circuito de la Figura 171 se transformar en el circuito de la Figura 172.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 149 de 195


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Figura 172. Circuito equivalente de un circuito de polarizacin universal

Del circuito de la Figura 172 podemos deducir la siguiente ecuacin:

= + +

En la cual si I B R B <<E T o I E I C , podemos escribir la siguiente expresin:

Esta ecuacin nos indica que la corriente de colector es independiente de la ganancia


de corriente en continua del transistor y, por tanto, la sustitucin de un elemento por
otro de la misma serie, con un valor de distinto, no perturba el punto de reposo Q.

1.38.2.6.3.2 NORMAS PARA EL DISEO DEL CIRCUITO

La estabilidad del punto de funcionamiento en continua Q es mayor cuanto mayor sea


la resistencia de emisor R E , pero un valor muy elevado de la misma reducira
considerablemente la corriente de colector y, por consiguiente, la amplitud de la
posible seal de salida del amplificador. Debido a esta razn es necesario encontrar
un valor de compromiso para la resistencia de emisor. La R E suele ser menor que la
R C , siendo vlida la siguiente regla:

1
=
4

De lo cual deducimos que la resistencia de emisor debe tener un valor


aproximadamente del 25% del valor de R C .

Conocido el valor de R E y de la corriente de colector podemos calcular la d.d.p. en


dicha resistencia:

Si como ya hemos hecho anteriormente, despreciamos el trmino I B R B , el valor de la


tensin en la base del transistor ser la misma que el del generador de Thevenin, y

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 150 de 195


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ste ser el de la d.d.p. en la resistencia de emisor ms la cada de tensin en la unin


base-emisor del transistor:

= + = +

La estabilidad del punto de reposo tambin depende de la relacin entre la resistencia


del generador Thevenin R B y la resistencia de emisor, siendo ms estable cuanto
menor es dicha relacin. Para limitar el consumo de energa de las resistencias R 1 y
R 2 se suele utilizar una R B de valor comprendido entre cinco y diez veces el
correspondiente a R E :

10 > 5

Una vez determinado el valor de R B , es fcil obtener los valores de R 1 y R 2 mediante


las ecuaciones planteadas.

1.38.2.7 AMPLIFICADOR COMPLETO MONTAJE EN EC

En la Figura 173 se muestra un circuito con todos los elementos necesarios para
amplificar una seal elctrica. El elemento activo es un transistor bipolar npn y el
montaje es del tipo emisor comn.

Figura 173. Amplificador en EC completo

La polarizacin del circuito es del tipo universal, conocida tambin como


autopolarizacin o polarizacin por resistencia de emisor, mediante la cual se obtiene
un punto de reposo sobre la recta de carga lo ms centrado y estable posible. El
condensador C E , en paralelo con la resistencia de emisor R E , se comporta como un
circuito abierto para la corriente continua y como un cortocircuito en corriente alterna.
Por tanto, la reactancia capacitiva para todas las frecuencias de funcionamiento del
amplificador, ha de ser muy pequea frente al valor de R E (X CE <<R E ). Este
condensador evita que la resistencia de emisor influya en el funcionamiento en c.a. y,
por consiguiente, en el valor de la ganancia del amplificador.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 151 de 195


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El condensador C 1 permite el paso de la corriente alterna, procedente del generador


de entrada, hacia la base del transistor, pero impide que la corriente continua que
atraviesa R 1 circule por el generador v g .

RC es, como ya sabemos, la resistencia de carga y sobre ella queda aplicada la seal
ondulada de tensin amplificada. Dicha tensin es una seal ondulada formada por
una componente continua y una ondulacin que no es otra que la seal alterna
amplificada. A veces es necesario separar las dos componentes porque a la salida se
desea obtener exclusivamente la seal alterna amplificada. La operacin de separar la
c.c. de la c.a. la realiza el condensador C 2 , que como podemos observar, tiene una
finalidad equivalente a la de C 1 .

El valor de los condensadores C E , C 1 y C 2 ha de ser lo suficientemente grande como


para que a las frecuencias ms bajas de funcionamiento del amplificador ofrezcan muy
poca resistencia al paso de la c.a.

1.38.2.7.1 RECTA DE CARGA DINAMICA

La conexin de una resistencia R L a la salida del amplificador, como ocurre en la


Figura 173, da lugar a la aparicin de una nueva caracterstica denominada recta de
carga dinmica. La resistencia de carga R para al corriente alterna es en este caso,
como veremos en el anlisis de c.a. la equivalente en paralelo de R C y R L :


=
+

La recta de carga dinmica se obtiene como se indica a continuacin. Se traza la recta


de carga esttica, considerando exclusivamente el valor de R C +R E , tal y como ya
hemos expuesto en apartados anteriores. La recta de carga dinmica ha de pasar por
el punto de reposo Q y tener una pendiente de valor -1/R. Es posible que al trazar la
recta de carga dinmica el punto de reposo quede descentrado respecto a los puntos
de corte de dicha recta con los ejes de coordenadas. En ese caso ser necesario
situar previamente el punto Q sobre la recta de carga esttica, ms prximo al eje de
I C que al de V CE . En la Figura 174 se muestran las rectas de carga esttica y dinmica
para un circuito como el de la Figura 173.

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Figura 174. Rectas de carga esttica y dinmica

1.38.2.8 AMPLIFICADORES MONTAJE CC Y BC

El amplificador en CC se caracteriza, fundamentalmente, por tener una ganancia de


tensin prxima a la unidad y el montaje en BC por tener una ganancia de corriente de
aproximadamente uno. Por este motivo, el uso de estas dos etapas queda reservado
casi exclusivamente al acoplamiento de resistencias.

En la Figura 175 se muestra una etapa amplificadora con un transistor npn en montaje
CC. La seal de entrada vg se aplica entre la base y el colector, aunque en la figura
resulte algo difcil comprobarlo. Cuando se representa el circuito en c.a. este hecho se
apreciar ms fcilmente.

Figura 175. Amplificador en CC completo

La polarizacin de la base se realizar mediante el divisor de tensin formado por R 1 y


R 2 . El colector se conecta directamente al positivo del generador E C y la resistencia de
carga se encuentra entre el emisor y la tierra del circuito.

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Este montaje recibe el nombre de seguidor de emisor debido a que el valor en dicho
terminal es aproximadamente el mismo que el de la base. Como la seal de entrada,
como ya hemos indicado, se aplica entre la base y tierra, y la salida se obtiene entre el
emisor y tierra, la ganancia de tensin es muy prxima a la unidad. Sin embargo, la
ganancia de corriente (+1) es algo superior a la del montaje EC.

Los condensadores C 1 y C 2 cumplen la misma misin que en el caso del montaje EC.

En la Figura 176 se muestra un amplificador en montaje BC. El circuito mostrado


necesita dos generadores para polarizar el transistor. La base ha de ser positiva
respecto al emisor, y por tanto, es necesario conectar sta ltima patilla a un
generador de tensin negativa respecto de tierra, a travs de la resistencia R E .

Figura 176. Amplificador en BC completo

Como se puede observar la corriente de entrada del amplificador es la de emisor y la


de salida es la corriente de colector. Al ser prcticamente iguales dichas corrientes, la
ganancia de corriente del circuito tiene un valor prximo a la unidad. La ganancia de
tensin en cambio, es del mismo orden que la del montaje EC.

Los condensadores C 1 y C 2 juegan el mismo papel que en los casos anteriores.

1.38.2.9 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR EN EC

El anlisis de la polarizacin, o dicho de otra forma, el estudio en c.c. de un circuito


como el de la Figura 173 ya est realizado, por lo que no es necesario volver a hacerlo
y nos centraremos en el anlisis del circuito amplificador en EC en c.a. En este anlisis
seremos capaces de deducir los valores de las ganancias de tensin y corriente y de
las resistencias de entrada y de salida. Completaremos la exposicin con el anlisis
grfico, representado sobre las caractersticas del transistor el proceso de
amplificacin de una pequea seal de tensin.

1.38.2.9.1 ESTUDIO EN CORRIENTE ALTERNA

Para realizar el estudio del amplificador en c.a. es necesario dibujar el circuito


equivalente a partir del amplificador completo de la Figura 173, representando

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 154 de 195


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exclusivamente los elementos que intervienen en el clculo de las ganancias de


tensin y corriente y de las resistencias de entrada y salida del amplificador.

Vamos a efectuar un anlisis aproximado y nos vamos a ceir al caso particular de un


montaje EC.

El generador E C y las resistencias R 1 , R 2 y R E tienen la misin de situar y estabilizar el


punto de reposo, pero no intervienen en el proceso de amplificacin de la seal
elctrica aplicada a la entrada.

Para obtener el circuito equivalente de la Figura 173 hemos de partir del amplificador
de la Figura 173 y proceder como sigue:

1) Cortocircuitar el generador E C .
2) Eliminar R 1 y R 2 .
3) Cortocircuitar los condensadores C E , C 1 y C 2 .
4) Sustituir el circuito base-emisor del transistor por la resistencia de entrada re.
5) Sustituir el circuito colector-emisor por un generador de corriente de valor i 1 y
por una resistencia en paralelo igual a e .
6) Conectar el generador de entrada v g con su resistencia interna R g .
7) Conectar la resistencia R (equivalente de R C y R L ) en paralelo con el
generador de corriente y la resistencia de salida del transistor.

Observando el circuito de la Figura 177 podemos comprobar que la entrada del


transistor se comporta como la resistencia re. La salida es un circuito Norton que
genera una corriente de valor i 1 y cuya resistencia e es la obtenida de las
caractersticas de salida del transistor. El sentido de la corriente i 1 es de colector a
emisor, lo mismo que en la Figura 173. El parmetro e no tiene ninguna influencia en
el anlisis simplificado que estamos haciendo ( e =0).

Figura 177. Circuito equivalente para corriente alterna de un amplificador en EC

La resistencia R E no aparece, ya que se encuentra en paralelo con C E y este se


comporta como una resistencia de valor nulo para la c.a. R 1 y R 2 deberan conectarse
en paralelo con la resistencia de entrada re, pero como su valor suele ser muy elevado
con respecto a sta, se pueden eliminar del circuito. La resistencia R, como ya hemos
sealado, es la equivalente de R C y R L . Cuando RL no existe, la resistencia de carga
la constituye exclusivamente R C ; en este caso particular R=R C .

La resistencia de entrada de un amplificador es la relacin entre la tensin y la


corriente de entrada al amplificador, con la resistencia de carga conectada:

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1
= =
1

La resistencia de salida se obtiene cotocircuitando el generador v g , eliminando la


resistencia de carga R y aplicando una tensin a la salida, del mismo valor que v 2 , tal y
como se muestra en la Figura 178. Al cortocircuitar vg, la corriente de entrada i 1 =0 y,
por tanto, i 1 =0. La corriente i 2 circula exclusivamente por la resistencia e, ya que el
generador se comporta como un circuito abierto. La relacin entre v 2 e i 2 ser:
2
= =
2

Si ,

Figura 178. Circuito equivalente para el clculo de la resistencia de salida de un amplificador en EC

La ganancia de corriente es la relacin entre la corriente de salida y la de entrada:

2
=
1

La corriente i 1 procedente del generador es la suma de i 2 y de i :

2
1 = 2 + = 2 1 +

Dividiendo ambos miembros por i 1 y despejando la relacin i 2 /i 1 tendremos:

2
= =
1
1+

Si , =

La ganancia de tensin se define como la relacin entre la tensin de salida y la de


entrada:
2
=
1

La d.d.p. en el conjunto formado por R y ser:


2 = 1
+

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Por otro lado, la tensin de entrada v 1 , vale:

1 = 1

Dividiendo v 2 entre v 1 :

2
= =
1 ( + )

Dividiendo por e :


=

1 +

Si ,

El signo negativo de la ganancia de tensin indica que la seal de salida se encuentra


desfasada 180 respecto a la de entrada.

1.38.2.9.2 ANALISIS GRAFICO

En la Figura 179 se muestra, de una manera grfica, el proceso de amplificacin de


una seal elctrica aplicada a la entrada del dispositivo. En el cuadrante
correspondiente a las caractersticas de salida se han representado la recta de carga
esttica y dinmica. Tambin se ha trazado la caracterstica de transferencia dinmica
(lnea continua) a partir de los cortes de la recta de carga dinmica con las
caractersticas de salida. La variacin de la caracterstica de transferencia dinmica
respecto de la esttica ser mayor cuanto menor sea la resistencia de carga R.

Hay que recordar que la caracterstica de transferencia esttica se obtiene


manteniendo constante el valor de la tensin colector-emisor.

La ganancia de corriente se obtiene fcilmente dividiendo el valor de pico de la


corriente de salida i 2 entre el valor de pico de la de entrada i 1 . La ganancia de tensin,
obtenida de manera anloga, es la relacin entre los valores mximos de v 2 y v 1 . En el
caso concreto de la : A i =100 y A v =50.

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Figura 179. Estudio grfico de un amplificador en EC

1.38.2.10 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INTERRUPTOR

En la Figura 180 se muestra un interruptor conectado en serie con una resistencia de


carga y una fuente de alimentacin. En la Figura 181 se muestra la recta de carga y
los puntos de corte de la misma con los ejes. En la Figura 182 sustituimos el
interruptor de la Figura 180 por un transistor, siendo la corriente de colector la
corriente del interruptor y la tensin colector-emisor la tensin del interruptor; vc es una
seal que controla el interruptor.

La tensin de control vc determina el estado del interruptor tomando dos valores, un


valor alto que produce una corriente de base i B =I B suficientemente grande para saturar
el transistor y un valor bajo, menor que la tensin en directa de la unin base-emisor,
es decir, que i B =0. De todas las posibles curvas del transistor, solo las mostradas en la
Figura 181 son relevantes para el funcionamiento como interruptor.

Si R L es lo suficientemente grande y V CEsat sufientemente pequea, la conmutacin del


transistor se parece mucho a la conmutacin ideal. Cuando vc es baja, la corriente de
carga es cero y toda la tensin V CC cae en el transistor. Cuando vc es alta, una
corriente de aproximadamente V CC /R L circula a travs de R L y casi toda la tensin V CC
cae en R L . La pequea cada de tensin en el interruptor, V CEsat , normalmente no es
un problema.

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Figura 180. Interruptor ideal

Figura 181. Curvas V-I de un transistor con recta de carga superpuesta

Figura 182. Transistor como interruptor y tensin de control vc

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 159 de 195


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1.38.3 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

El nombre del transistor bipolar se debe a que en su funcionamiento intervienen dos


tipos diferentes de cargas (portadores mayoritarios y minoritarios). Sin embargo, el
transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) opera con un solo tipo de
cargas (portadores mayoritarios); por eso recibe el nombre de transistor unipolar.

Existen dos clases diferentes de FET, los de unin (JFET o simplemente FET) y los de
puerta aislada, conocidos estos ltimos tambin como MOS (por la tecnologa utilizada
para su construccin), MOST o MOSFET. El principio de funcionamiento es el mismo
en ambos casos.

Los transistores de efecto de campo, cuando funcionan como amplificadores,


suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la
entrada. Son, por consiguiente, amplificadores de transconductancia y se aproximan
ms al modelo ideal de amplificador de corriente que los transistores bipolares, ya que
los FET presentan una resistencia de entrada muy elevada (prcticamente infinita) y
una resistencia mayor que la de los bipolares.

1.38.3.1 TRANSISTORES FET DE UNION

Los transistores de efecto de campo de unin se dividen en FET de canal n y FET de


canal p. Los primeros estn construidos a partir de una barra de semiconductor tipo n.
En una determinada zona de la misma se realizar una difusin con impurezas del tipo
p, originndose un canal en la barra o sustrato que, como veremos, puede estrecharse
o ensancharse por donde circula la corriente principal. En los FET canal p la barra es
un semiconductor del tipo p y la difusin se realiza con impurezas del tipo n. En la X se
muestra la estructura bsica (no real) de un FET canal n, con las polarizaciones
correspondientes. En este caso, para explicar ms fcilmente su funcionamiento, se
representan dos difusiones situadas en caras opuestas.

Los FET tienen tres terminales denominados: surtidor o fuente, drenador y puerta
(gate, en ingls). Los portadores mayoritarios entran al transistor por el surtidor y salen
por el drenador. Mediante la polarizacin inversa aplicada a la unin formada por la
puerta y el surtidor se regula la corriente creada por el paso de los portadores de
carga.

Con los FET, de la misma manera que con los transistores bipolares, se pueden
realizar tres montajes diferentes. En este caso las distintas configuraciones son:
surtidor comn (SC), drenador comn (DC) y puerta comn (PC). La que ms se
emplea es la equivalente a la de emisor comn, es decir, la de surtidor comn (SC).

1.38.3.1.1 TENSIONES Y CORRIENTES DEL FET EN CORRIENTE CONTINUA

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 160 de 195


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En la Figura 183 se muestra la representacin simblica de los dos tipos de FET, con
las polarizaciones necesarias para el correcto funcionamiento de los mismos y con las
corrientes que se generan.

Figura 183. Smbolos de los FET. Izquierda canal n y derecha canal p

En el FET de canal n la flecha de la puerta indica el sentido convencional de la


corriente si dicho terminal se polarizase positivamente respecto al surtidor. Como ya
hemos sealado, la tensin puerta-surtidor V GS ha de ser negativa para controlar la
corriente de drenador I D . Esta corriente circula de drenador a surtidor, por tanto la
tensin entre estos dos terminales debe ser positiva (V DS >0). En funcionamiento
normal la corriente de puerta es tan pequea que no se tiene en cuenta.

En el FET de canal p la flecha de la puerta tambin indica el sentido de la corriente si


la tensin puerta-surtidor fuera negativa. La corriente de drenador, en este caso,
circula de surtidor a drenador. Las polarizaciones para un correcto funcionamiento
deben ser: V GS >0 y V DS <0.

1.38.3.1.2 FUNCIONAMIENTO DEL FET DE UNION

Para explicar el funcionamiento del FET de unin, usaremos un FET de canal n.

El circuito de la Figura 184 est formado por un FET de canal n, una resistencia de
drenador y dos generadores: E GS y E DS . Como se puede comprobar, es anlogo al
circuito de la Figura 159, donde el elemento activo es un transistor bipolar npn.

La estructura interna puerta-surtidor es una unin pn polarizada en sentido inverso. En


las inmediaciones de dicha unin se crea una zona despoblada de carga, es decir, una
zona no conductora. La existencia de una zona no conductora da origen a un canal por
donde circula la corriente de drenador. Este canal se puede regular de dos maneras
distintas. La primera consiste en fijar un valor de tensin entre la puerta y el surtidor
(por ejemplo, V GS =0) e ir aumentando progresivamente la tensin drenador surtidor. La
corriente de drenador crea una cada de tensin en la barra de silicio que constituye el
FET, de manera que la zona ms prxima al drenador es ms positiva que la situada
junto a la fuente. Por este motivo, la regin despoblada o de empobrecimiento

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adquiere la forma de la Figura 185. Existe un valor de la tensin V DS a partir del cual el
canal se estrangula o contrae en la zona prxima al drenador.

Figura 184. Polarizacin de un FET canal n en montaje SC

Figura 185. Estructura interna de un FET de unin canal n

La otra forma de estrechar el canal consiste en hacer la tensin V DS =0 e ir


aumentando la polarizacin inversa entre la puerta y el surtidor. En este caso no se
produce mayor estrechamiento por la zona prxima al drenador (ver la Figura 185)
porque no hay corriente por el canal (I D =0). Para un determinado valor de la tensin
V GS , la regin despoblada es tal que el canal queda totalmente cerrado. En
funcionamiento normal el empobrecimiento en las inmediaciones de la unin es debido
a las dos causas expuestas. La tensin necesaria para estrangular totalmente el canal
recibe el nombre de tensin de contraccin (pinch off, en ingls) y se representa como

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Vp. Esta d.d.p. se puede alcanzar, como hemos visto, aumentando la tensin V DS , la
V GS o ambas a la vez, por tanto, podemos escribir la siguiente e importante igualdad:

= + | |

1.38.3.1.3 CARACTERISTICAS DE UN FET EN MONTAJE SC

Puesto que la resistencia de entrada de un FET, como ya hemos visto, es


prcticamente infinita, en este apartado analizaremos nicamente las caractersticas
de salida y la de transferencia, para lo cual nos apoyaremos en la Figura 184.

En la Tabla 5 se muestra el margen de los valores de los parmetros de los FET


obtenidos a partir de las curvas caractersticas que describiremos a continuacin.

Tabla 5. Valores extremos de los parmetros de los FET y los MOSFET

1.38.3.1.3.1 CARACTERISTICAS DE SALIDA

Las caractersticas de salida proporcionan la variacin de la corriente de drenador I D


cuando vara la tensin drenador-surtidor V DS , permaneciendo constante la tensin
puerta-surtidor V GS .

Las caractersticas, tal y como se muestra en la Figura 186 son un conjunto de curvas
de forma que cada una de ellas se corresponde con una tensin puerta-surtidor
diferente.

Si fijamos un valor negativo de V GS , podemos comprobar que la corriente de drenador


crece rpidamente cuando aumenta la tensin V DS . Esta regin de la curva recibe el
nombre de hmica, y en ella an no se ha contrado el canal. Si seguimos aumentando
la tensin V DS , llega un punto (poco definido) a partir del cual la corriente se satura y
permanece prcticamente constante. Si la tensin negativa de puerta disminuye, la
corriente de drenador crece respecto a la obtenida anteriormente, pero tambin se
satura llegado un determinado valor de V DS . Es especialmente interesante la curva
correspondiente a una tensin puerta-surtidor cero (V GS =0). Para este valor de V GS se

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 163 de 195


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obtiene el valor mximo de corriente de drenador. Esta corriente I DSS es conocida


como la corriente de saturacin cuando la puerta est cortocircuitada.

Figura 186. Caractersticas de salida de un FET canal n en montaje SC

Cuando el transistor funciona como amplificador, la hace en la regin saturada. De ella


se puede obtener la resistencia de salida, incrementando la tensin V DS , para un valor
de tensin de puerta constante, y dividiendo el valor V DS entre el incremento de
corriente I D correspondiente:

Tambin es posible obtener el valor de la transconductancia g m dividiendo el


incremento de corriente de drenador I D que se consigue al incrementar la tensin de
puerta V GS , permaneciendo constante la tensin drenador-surtidor:

1.38.3.1.3.2 CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA

La caracterstica de transferencia nos ofrece la variacin de la corriente de drenador


en funcin de la tensin de puerta. En la Figura 187 se muestra la forma de la curva,
que se aproxima a una parbola. Matemticamente esta relacin se puede escribir de
la siguiente manera:

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 164 de 195


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2
= 1

Donde I DSS es la corriente de saturacin cuando V GS =0 y V P la tensin de contraccin


(pinch-off).

Figura 187. Caracterstica de transferencia de un FET canal n en montaje SC

De la caracterstica de transferencia tambin es posible deducir el valor de la


transconductancia g m , incrementando la tensin V GS representada en el eje de abcisas
y dividiendo por l el incremento de la corriente de drenador que se obtiene al
proyectar la curva sobre el eje de ordenadas.

1.38.3.1.4 HOJA DE CARACTERISTICAS DE LOS FET

Al igual que en los transistores bipolares, los FET tienen una serie de parmetros
caractersticos:

- Tensin puerta-surtidor V GS y tensin puerta-drenador V GD . Son los valores de


tensin inversa mximos soportables por la unin pn.
- Corriente de puerta I G . Es la corriente mxima que puede circular por la unin
puerta-surtidor cuando sta se polariza directamente.
- Potencia mxima, P D . Es la potencia total disipable.
- Tensin de corte puerta-surtidor, V P . Es la tensin de contraccin (pinch-off).
En todos los FET hay un amplio margen entre los valores mximo y mnimo de
este parmetro.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 165 de 195


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- Corriente de saturacin de drenador I DSS . Es la corriente de saturacin cuando


la V GS =0. Como en el caso de la V GS , el margen entre los valores mximo y
mnimo es muy grande.
- Corriente inversa de puerta I GSS . Es la corriente que circula por el circuito de
puerta cuando la unin puerta-surtidor se encuentra polarizada en sentido
inverso.
- Transconductancia o conductancia mutua g m .
- Conductancia de salida g DS . Es la inversa de la resistencia de salida r DS

1.38.3.2 TRANSISTORES MOS

Los transistores de efecto de campo de puerta aislada son conocidos tambin como
MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) debido a los elementos que lo constituyen. El
terminal de puerta est conectado a una placa metlica que se encuentra separada de
un bloque semiconductor o sustrato por una fina pelcula de cristal aislante de xido de
silicio, tal como se muestra en la Figura 188. Esta configuracin interna proporciona al
componente una elevada resistencia de entrada (mayor que la de un FET de unin). El
surtidor o fuente y el drenador se conectan a dos zonas donde se han realizado
sendas difusiones con portadores de carga de distinto signo que las que contiene el
sustrato. El drenador y el surtidor se comunican por un canal que se encuentra en la
parte superior del sustrato. De manera anloga a lo que ocurre en un FET de unin, la
anchura del canal, en algunos tipos de MOS, es tambin irregular debido a la cada de
tensin que la corriente de drenador provoca en l.

Figura 188. Estructura interna de un MOS de enriquecimiento canal n

1.38.3.2.1 TIPOS DE MOS

En primer lugar, los transistores de efecto de campo se puerta aislada se pueden


clasificar en MOS de enriquecimiento y MOS de empobrecimiento. Cada uno de estos
puede ser a su vez de canal n o de canal p.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 166 de 195


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Los MOS de enriquecimiento se llaman tambin de llenado y estn normalmente


bloqueados, esto quiere decir, que en ausencia de tensin en la puerta, el drenador y
el surtidor se encuentran incomunicados y no circula corriente de un terminal a otro. El
canal, como veremos ms adelante, se forma por el efecto de la polarizacin puerta-
surtidor.

Los MOS de empobrecimiento se llaman tambin de vaciado y son normalmente


conductores. En ausencia de tensin en la puerta, el drenador y el surtidor se
encuentran comunicados por el canal que se crea en el proceso de fabricacin.

En la Figura 189 se muestran los cuatro tipos diferentes de transistores MOS, con las
polarizaciones correspondientes. La lnea gruesa de trazos indica que el canal se crea
por influencia de la tensin de puerta. La lnea continua indica que el canal se crea en
el proceso de fabricacin. El sentido de la flecha depende de la polaridad de la unin
pn que se origina entre el canal y el sustrato. Si por ejemplo si por ejemplo el canal es
n y el sustrato p la flecha apunta hacia el canal. El sustrato suele estar conectado
internamente al surtidor. En la Figura 190 se puede ver la estructura interna de todos
los MOS.

Figura 189. Representacin y polarizaciones de los cuatro tipos de MOS

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 167 de 195


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Figura 190. Estructura interna de los cuatro tipos de transistores MOS, a) Enriquecimiento canal n,
b) Empobrecimiento canal n. c) Enriquecimiento canal p, d) Empobrecimiento canal p

1.38.3.2.2 FUNCIONAMIENTO DEL MOS

Para explicar el funcionamiento de un MOS, tomemos como referencia el representado


en la Figura 188, que es un componente del tipo enriquecimiento canal de inversin n.
Con un d.d.p. igual a cero entre la puerta y el surtidor, el transistor est bloqueado, es
decir, no hay corriente drenador a surtidor, aunque se aplique una d.d.p. entre ambos
terminales.

Al aplicar tensin positiva a la puerta respecto del surtidor, a se produce una


acumulacin de cargas mviles negativas (electrones) en la zona superior del sustrato
prximo a la capa de xido de silicio. La cantidad de cargas aumenta cuando la
tensin de puerta es mayor. Las cargas no son otra cosa que los portadores
minoritarios del sustrato, que es un cristal tipo p.

El almacenamiento de carga es debido al efecto del condensador formado por la


puerta y la parte superior del semiconductor, cuyo dielctrico lo constituye la capa de
xido de silicio. La acumulacin de carga en la zona sealada se convierte en un canal
que comunica drenador con el surtidor. Por dicho canal fluir corriente siempre y
cuando exista una d.d.p. entre ambos terminales. La corriente de drenador, como enel
FET, es proporcional a la tensin aplicada al terminal de puerta.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 168 de 195


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1.38.3.2.3 DIFERENCIAS ENTRE LOS MOS DE ENRIQUECIMIENTO Y LOS DE


EMPOBRECIMIENTO

Como acabamos de observar, en los MOS de enriquecimiento el canal, ya sea a n o p,


se crea mediante la aplicacin de tensin en la puerta por el efecto de la capacidad
puerta-sustrato. En los denominados MOS de empobrecimiento se difunde, durante el
proceso de fabricacin, un canal que comunica a entrenador con el surtidor. Este canal
va desapareciendo conforme va aumentando la tensin (positiva o negativa, segn el
tipo de canal) aplicada a la puerta del transistor. La corriente que circula de drenador a
surtidor disminuye a medida que se reduce el canal.

Los transistores de empobrecimiento pueden ser utilizados tambin como MOS de


enriquecimiento, basta con invertir la polaridad de la tensin puerta surtidor.

1.38.3.2.4 CARACTERISTICAS DE LOS MOS

En la Figura 191 se muestra las caractersticas de salida y de transferencia de un


transistor MOS de enriquecimiento canal n, como el representado en la Figura 188.

Figura 191. Caractersticas de transferencia y de salida de un MOS de enriquecimiento canal n

La caracterstica de salida es anloga a la de un FET de unin. La corriente de


drenador crece muy rpidamente para valores bajos de la tensin V DS . Sin embargo si
dicha tensin sigue creciendo, la corriente se satura debido a que el canal se contrae
al alcanzarse la tensin de pinch-off, V P , que, como en el caso de los FET, se contrae
por acumulacin de la V DS ms la V GS .

De estas curvas se pueden obtener los valores de los parmetros g m y r DS ,


incrementando las magnitudes V DS y V GS . Las expresiones que proporcionan el valor
de dichos parmetros son idnticas a las sealadas en el apartado 1.38.3.1.3.1.

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La caracterstica de transferencia es una parbola que relaciona la corriente de


drenador con la tensin de puerta. En este caso la corriente es mayor cuanto ms
positiva la d.d.p. puerta-surtidor.

La ecuacin que relaciona la corriente drenador con la tensin de puerta, es en todos


los casos, idntica a la de un FET de unin.

En la Figura 192 se muestra las caractersticas de transferencia de los cuatro tipos de


MOS. Como se puede observar, los transistores de empobrecimiento pueden
funcionar como transistores de enriquecimiento, es decir, el canal inicial puede
ensancharse invirtiendo la polaridad de la tensin aplicada la puerta y, por
consiguiente, aumentar la corriente de drenador. El funcionamiento de los FET de
unin se asemeja al de los MOS de empobrecimiento cuando se emplean como tal, es
decir, cuando la tensin aplicada la puerta reduce las cargas del canal.

Figura 192. Caractersticas de transferencia de los cuatro tipos de MOS

1.39 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL


1.39.1 EL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

Antes de abordar el estudio del amplificador operacional (AO) es conveniente analizar


aunque sea de manera sucinta el amplificador diferencial (AD) ya que ste constituye
la estructura bsica del AO.

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El amplificador diferencial es conocido como amplificador de acoplamiento directo por


la forma en que se encuentran conectados los elementos activos que lo forman y
tambin, amplificador de corriente continua porque es capaz de amplificar seales de
frecuencia cero.

La configuracin ms universal del AD es aquella que est formada por dos al


transistores con sus correspondientes resistencias de carga y por una resistencia RE a
la que se conectan los emisores de los dos transistores tal como se muestra en la
Figura 193. La resistencia de emisor ha de conectarse a una fuente de tensin
negativa. El diseo del circuito debe realizarse de manera que la tensin de
polarizacin en las bases de los transistores tenga un valor prximo a cero.

Entre colector y emisor de los transistores, de la misma forma que un montaje EC


normal, existe una tensin VCE de valor constante, en ausencia de seal en las
entradas.

Figura 193. Amplificador diferencial con transistores

El AD consta de dos entradas y de dos salidas. Cuando las tensiones variables v1 y


v1 aplicadas en las entradas valen cero o son iguales la d.d.p. entre las dos salidas es
nula.

Cuando se aplica tensin a las entradas, en las salidas aparecen dos seales cuyos
valores son:

2 = (1 1 )

2 = (1 1 )

Donde A d es la ganancia diferencial de cada una de las dos etapas.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 171 de 195


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El nombre de AD es debido a que las seales de salida, como se puede observar en


las expresiones anteriores, son funcin de la diferencia entre las tensiones aplicadas a
las entradas.

La diferencia de potencial entre las dos salidas ser:

2 2 = (1 1 ) (1 1 ) = 2 (1 1 )

En el amplificador diferencial, de la misma manera que en el AO, se suele utilizar


exclusivamente una de las dos salidas, por esta razn a partir de ahora vamos a
considerar solamente la salida correspondiente a la seal v 2 .

Si nos fijamos la expresin de v 2 , podremos comprobar que s v 1 =0 y v 1 >0 el valor de


v 2 ser:

2 = 1

De manera semejante si v 1 =0 y v 1 >0 la expresin de v 2 quedar reducida y el v 2


ser:

2 = 1

La entrada correspondiente a la seal v 1 se denomina no inversora y la


correspondiente a la seal v 1 es conocida como entrada inversora.

1.39.1.1 GANANCIA DIFERENCIALY GANANCIA EN MODO COMUN

En el estudio realizado hasta este momento se supuesto que la tensin de salida (v 2 )


depende exclusivamente de la tensin diferencial aplicada las entradas; sin embargo,
en un amplificador diferencial real la seal de salida v 2 tambin depende del umbral de
tensin comn a las dos entradas. La seal de salida no es la misma s los valores de
tensin aplicados a las entradas v 1 y v 1 son +20mV y -20mV, respectivamente, que si
v 1 =520mV una v 1 =480mV, aunque la diferencia de tensin ambos casos ser la
misma.

La forma ms general de expresar el valor de la tensin de salida en funcin de los de


entrada es la siguiente:

2 = +

En dnde A c es la ganancia en modo comn, vd la seal diferencial y v c la seal de


modo comn.

Lo ideal sera tener una ganancia diferencial de valor elevado y ganancia en modo
comn de valor nulo para que el valor de v 2 fuera independiente de la seal comn a
las dos entradas.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 172 de 195


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Los valores de v d y v c en funcin de v 1 y v 1 sern:

= 1 1

1 + 1
=
2

Para analizar el comportamiento en modo comn, el amplificador se puede desdoblar


en dos circuitos como el de la Figura 194. Si la tensin aplicada a cada entrada es la
misma, es decir, si v 1 =v 1 =v c , la corriente que circular por la resistencia R E del circuito
de la Figura 193 es el doble que la que circula por cada emisor y, por tanto, es posible
obtener el circuito equivalente sealado donde la resistencia de emisor ha de ser el
doble que en el circuito completo para que la d.d.p. en dicha resistencia sea la misma.

Figura 194. Circuito equivalente de un AD para la seal en modo comn

En el circuito de la Figura 194 nos recuerda al amplificador en montaje EC con


resistencia de emisor, cuya ganancia de tensin viene dada por la expresin
simplificada. En el caso que nos ocupa la ganancia de tensin de cada etapa en modo
comn ser:

2
=
2

Si las seales aplicadas a las entradas son iguales pero de distinta polaridad, es decir,

si 1 = 1 = , el circuito de la Figura 193 se puede desdoblar en dos como el de la
2
Figura 195. La seal diferencial v d provoca una d.d.p. nula en la resistencia de emisor
R E , ya que las corrientes de emisor son, en todo momento, iguales y de sentido
contrario.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 173 de 195


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Figura 195. Circuito equivalente de un AD para la seal diferencial

El circuito de la Figura 195 se comporta exactamente igual que un amplificador


montaje EC cuando se le aplica una seal a su entrada. La ganancia de tensin se
puede obtener mediante la ecuacin simplificada. En este caso, teniendo en cuenta
que la seal de entrada vale 2, la ganancia diferencial de cada etapa ser:

2
=
2

1.39.1.2 FACTOR DE MERITO

Lo que se persigue con amplificador diferencial es que la seal amplificada depende


exclusivamente de la seal diferencial aplicada a sus entradas, pero como hemos
podido comprobar las tensiones comunes a dichas entradas tambin tienen influencia
sobre la salida. Afortunadamente la ganancia de tensin en modo comn depende de
magnitudes que no tienen influencia en la ganancia diferencial.

Para jugar la calidad del amplificador diferencial se establece un factor de mrito que
se denomina relacin de rechazo en modo comn RRMC (CMRR en ingls), y es la
relacin entre A d y A c :

Para que un AD sea de una calidad aceptable es necesario que RRMC tenga como
mnimo un valor del orden de 1000.

La ganancia en modo comn es menor y a su vez la relacin de rechazo es mayor


cuanto ms grande es la resistencia de emisor R E , pero el valor de dicho elemento

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tiene sus limitaciones ya que de R E depende la corriente de emisor en reposo de los
transistores.

Si se desea tener una resistencia de emisor mayor, sin reducir la corriente de los
transistores, ser necesario emplear un circuito comn de la Figura 196, en el cual R E
ha sido sustituida por una fuente de corriente constante utilizando un transistor con
resistencia en el emisor. El diodo D contrarresta la variacin producida en la tensin
base-emisor del transistor T 3 . De esta manera la corriente de colector I C , es insensible
a los cambios que la temperatura provocada en V BE .

Figura 196. Amplificador diferencial con fuente de corriente constante

En el apartado 1.38.2 demostramos que la resistencia de salida de un amplificador


montaje EC con resistencia de emisor es muy elevada. Segn lo que vimos, la
resistencia de salida de una configuracin como la indicada vale:

1
1 +

Si por ejemplo, h oe =0,02mA/V y h fe =100, que son valores normales en un transistor de


mediana potencia, la resistencia existente entre los emisores de los transistores T 1 y
T 2 y el polo negativo de la fuente E E tendr un Valor de 5000K.

1.39.1.3 CIRCUITO REAL

El amplificador diferencial se utiliza en muchas aplicaciones donde las seales de


entrada son de corriente continua. Tambin se emplea como etapa de entrada en

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 175 de 195


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aparatos de medida tales como voltmetros y osciloscopios por su reducido consumo,
sobre todo si los elementos que lo constituyen son transistores de efecto de campo.

Es muy difcil, prcticamente imposible, obtener un AD con transistores, que funcione


correctamente, ya que para ello es necesario que los dos elementos tengan idnticas
caractersticas para que el circuito se encuentre perfectamente equilibrado.

El desequilibrio que se pueda producir por la falta de igualdad de los transistores,


cuando el amplificador est en reposo, puede ser eliminado mediante algn sistema
de ajuste (por ejemplo un potencimetro) para conseguir que la diferencia de tensin
v 2 -v 2 sea cero cuando no haya seal en las entradas.

El verdadero problema no es la diferencia entre los parmetros de los transistores del


AD, sino la variacin que se produce en los valores de magnitudes tales como I CB0 , y
V BE debido a los cambios de temperatura, ocasionando aumento o disminucin de la
corriente de colector, segn pudimos comprobar en el apartado 1.38.2. La diferencia
de temperatura en los dos transistores es inevitable ya que cuando aplicamos una
seal diferencial en sus entradas, la I C de un transistor aumenta y la del otro disminuye
respecto a la de reposo. Esto origina un desigual calentamiento de los mismos y, por
tanto, un desequilibrio del punto de reposo.

El intento de mantener la temperatura constante o de minimizar las variaciones de


dicha magnitud, generando calor con elementos externos al dispositivo, es intil.

La nica manera de construir un amplificador diferencial que funcione correctamente


es utilizando las tcnicas de los circuitos integrados. Las caractersticas de los
transistores sern muy parecidas y las variaciones por calentamiento de las
magnitudes sealadas anteriormente sern las mismas en ambos ya que los dos
elementos se encuentran prximos y sobre un sustrato comn.

1.39.2 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

El amplificador operacional es un dispositivo integrado en una sola pastilla cuya


caracterstica fundamental es su elevada ganancia de tensin. El nombre de
operacional se debe al uso que de l se haca en los primitivos ordenadores
analgicos, capaces de realizar operaciones aritmticas de distinto grado de
complejidad. Es conocido tambin como circuito integrado lineal o analgico. En la
actualidad el AO es un elemento muy utilizado en aplicaciones tales Como, por
ejemplo, amplificacin, filtros, rectificacin, generadores de seal, contadores, etc.,
que son muy distintas que aquellos para los que fue diseado inicialmente.

El amplificador operacional es un dispositivo con entrada diferencial, es decir, tiene


dos entradas en oposicin de fase, lo mismo que el AD. En la Figura 197 se muestra el
smbolo utilizado para representar el AO. La entrada negativa es inversora, esto quiere
decir que la seal de salida se encuentra en oposicin de fase respecto a la aplicada a
dicho terminal. La entrada positiva es la no inversora. Es necesario aclarar que tanto

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en la entrada negativa como la positiva se pueden aplicar tensiones de distinta
polaridad elctrica o seales alternas cuya polaridad sea cambiante en el tiempo.

El amplificador operacional est constituido, bsicamente, por varias etapas


diferenciales y por una etapa de salida. Las entradas (- y +) del circuito son las
correspondientes a la primera etapa diferencial, la cual suele tener una configuracin
anloga a la de la Figura 196, ya que se desea obtener una elevada resistencia de
entrada. Las siguientes etapas diferenciales, conectadas a la salida de la primera,
proporcionan una ganancia de tensin adicional. Para la etapa de salida se suele
emplear una configuracin CC o seguidor de emisor para amplificar en corriente y para
facilitar una baja resistencia de salida.

Figura 197. Smbolo del amplificador operacional

Los amplificadores operacionales suelen ir asociados a una red externa de


realimentacin que limita la elevada ganancia de tensin que proporciona el dispositivo
cuando funciona en bucle abierto.

Una de las muchas ventajas de los AO respecto a los amplificadores diferenciales


analizados anteriormente es la ausencia de una componente de tensin continua a la
salida. Esto quiere decir que cuando no existe seal en las entradas la tensin de
salida vale cero. En estas condiciones se dice que el dispositivo est equilibrado.

1.39.2.1 CARACTERISTICAS DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

En primer lugar de escribiremos las caractersticas ideales ms significativas de un


amplificador operacional y posteriormente sealaremos las caractersticas reales de un
AO de uso general.

Los valores caractersticos de un AO ideal son los siguientes:

- Ganancia de tensin el bucle abierto: Infinita.


- Resistencia de entrada: Infinita.
- Resistencia de salida: Cero.
- Ancho de banda: Infinito.

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Adems el AO ideal proporciona una tensin de salida nula cuando se aplica la misma
tensin a sus dos entradas. Por otra parte, la variacin de la temperatura no altera el
valor de sus caractersticas.

Los valores de la resistencia de entrada y salida sealados nos recuerdan al


amplificador de tensin ideal. De todos los elementos capaces de amplificar seales,
el AO es el que ms se aproxima a un amplificador ideal. Seguidamente relacionamos
los valores tpicos reales del amplificador operacional para poder comparar con los
anteriormente sealados:

- Ganancia de tensin el bucle abierto: |100.000|.


- Resistencia de entrada: 1M.
- Resistencia de salida: 100.
- Ancho de banda (ganancia unidad): 1MHz.

En todos los clculos que realicemos en apartados sucesivos utilizaremos las


caractersticas ideales del AO.

1.39.3 ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO CIRCUITO REALIMENTADO

La configuracin bsica de un amplificador operacional la constituye el circuito de la


Figura 198, que es la correspondiente a un amplificador inversor. El generador que
proporciona la seal que se desea amplificar se conecta a la entrada negativa y la
positiva se conecta directamente a masa. La seal amplificada v 2 se obtiene entre la
salida y masa.

El circuito de la Figura 198 es un amplificador con realimentacin tensin-paralelo.

Figura 198. Amplificador inversor

La corriente de realimentacin ser:


1 2
=
2

Como la ganancia de tensin de AO en bucle abierto es infinita, la tensin diferencial a


la entrada (v d =v 1 ) ser cero y, por tanto:

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 178 de 195


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2
=
2

De donde se deduce que la corriente de realimentacin es del tipo tensin-paralelo. El


factor de la red de retorno ser:

1
=
2

La ganancia que se estabiliza es la transresistencia, cuyo valor es:

2 1
=

= = 2
1

La ganancia de tensin del amplificador inversor ser:


2
=
1

Como hemos supuesto que 1 = 0: 1 = 1 1 , por tanto:



2 2
= =
1 1 1 1

La ganancia de tensin con realimentacin depende exclusivamente de los valores de


las resistencias R 1 y R 2 . El signo negativo de la expresin de A v indica un desfase de
180 entre las seales de entrada y salida.

1.39.3.1 CALCULO DE LA TENSION DIFERENCIAL

En el apartado anterior hemos puesto que el AO del circuito inversor era ideal y, por
tanto, que la tensin diferencial era cero. Sin embargo, por muy elevada que sea la
ganancia del AO, siempre existir una pequea diferencia de potencial entre las
entradas negativa y positiva del amplificador.

Para conocer el orden de la magnitud de v d supondremos que la ganancia real es la


sealada en el apartado 1.39.2.1 es decir, del orden de -100.000. Supongamos
tambin que los valores de R 1 y R 2 del circuito de la Figura 198 son 1K y 10 K,
respectivamente, y que la ganancia de tensin de entrada v 1 =10mV.

La ganancia de tensin A v tendr un valor de -10 y la tensin de salida v 2 =-100mV. La


relacin de rechazo en modo comn de un AO, como tendremos ocasin de
comprobar ms adelante, en el apartado 1.39.7, es muy elevada. Por tanto, podemos
suponer, sin cometer apenas error, que la ganancia vale:
2
=

Despejando el valor de v d :

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 179 de 195


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2 100
= = = 1
100.000

Observando el valor obtenido podemos suponer en los clculos que realicemos que la
tensin diferencial es cero cuando exista realimentacin, es decir, cuando el AO

funciona en bucle cerrado. En el circuito de la Figura 198 la tensin en la entrada


negativa ser la misma que en la positiva, es decir, cero. La entrada negativa se
puede considerar como una masa virtual, tal como se muestra en la Figura 199. Esto
quiere decir que aunque la resistencia entre ambas entradas es infinita, las dos se
encuentran al mismo nivel de tensin.

Figura 199. Circuito equivalente de un amplificador inversor

1.39.4 OTROS CIRCUITOS LINEALES CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Tanto en el caso del amplificador inversor como en los que analizaremos en este
apartado, la seal de salida mantiene la misma forma que la de entrada. Los
dispositivos que operan de esta manera reciben el nombre de circuitos lineales.

1.39.4.1 AMPLIFICADOR NO INVERSOR

En la Figura 200 se muestra un amplificador no inversor al cual se le aplica la seal


entre la entrada no inversora y masa, por tanto la tensin de salida estar en fase con
la de entrada. Como en el caso el amplificador inversor, consideraremos la resistencia
de entrada infinita y la de salida nula.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 180 de 195


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Figura 200. Amplificador no inversor

La red formada por las resistencias R 1 y R 2 proporciona, en este caso, una


realimentacin del tipo tensin-serie.

El factor de realimentacin B, ser:

1
= =
2 1 + 2

La ganancia de tensin con realimentacin vale:

1 1 + 2 2
= =1+
1 1

Al resultado de la expresin anterior es posible llegar tambin considerando el


amplificador como ideal y, por tanto, suponiendo que i 1 =i 2 :

1 = 1 1 ; 2 = 1 1 + 2 2 = 1 (1 + 2 )

La ganancia de tensin ser:

2 1 + 2 2
= = =1+
1 1 1

1.39.4.2 SEGUIDOR DE TENSION

El seguidor de tensin de la Figura 201 es un caso particular del amplificador no


inversor de la Figura 200, donde la resistencia R 1 vale infinito y la R 2 vale 0.

UNIDAD 1. ELECTRONICA ANALOGICA. PARTE IV Pgina 181 de 195


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Figura 201. Seguidor de tensin

La tensin de salida tiene el mismo valor que la de entrada y, por tanto, la ganancia de
tensin vale la unidad: A v =1.

El circuito se comporta como un amplificador de corriente. Existen AO especiales para


esta aplicacin en los cuales le entrada inversora est conectada internamente a la
salida.

Por ejemplo el LM110 de National Semiconductor.

1.39.4.3 CONVERTIDOR DE TENSION EN CORRIENTE

Este dispositivo denominado tambin amplificador de transconductancia, suministra


una corriente a la carga que es proporcional a la tensin de entrada.

Si la carga es flotante, es decir, si no tiene ningn extremo conectado a masa, el


circuito de la Figura 202 realiza correctamente esta operacin. La carga se conecta en
lugar de la resistencia R2 del amplificador inversor de la Figura 198. La corriente por la
carga ser:
1
2 =
1

La ganancia de transconductancia es:

2 1
= =
1 1

El generador de entrada del circuito de la Figura 202 ha de ser capaz de proporcionar


la corriente que precisa la resistencia de carga. El dispositivo de la Figura 203 opera
idnticamente igual al de la Figura 202, con la ventaja de que en este caso la corriente
que ha de suministrar el generador de entrada es muy pequea debido a la elevada
resistencia de entrada del amplificador operacional.

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Si la carga est conectada a masa, es necesario utilizar el circuito de la Figura 204 en
el cual la corriente por la carga i 2 es proporcional a la tensin de entrada. Si se cumple
la igualdad 4 3 = 2 1 , la corriente por la carga ser:
1
2 =
3

Figura 202. Convertidor de tensin en corriente para una carga flotante R

Figura 203. Convertidor de tensin en corriente de elevada resistencia de entrada para una carga
flotante R

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Figura 204. Convertidor de tensin a corriente con resistencia R conectada a masa

1.39.4.4 CONVERTIDOR DE CORRIENTE EN TENSION

El dispositivo de la Figura 205 genera una tensin de salida v 2 que es proporcional a la


corriente de entrada i 1 . Por este motivo el circuito es conocido tambin como
amplificador de transresistencia.

El circuito de la Figura 205 se ha obtenido a partir del amplificador inversor de la


Figura 198 en el cual se ha cortocircuitado la resistencia R 1 . La tensin a la salida del
amplificador ser:

2 = 1 2

La ganancia de transresistencia valdr:


2
= = 2
1

Figura 205. Convertidor de corriente en tensin

1.39.4.5 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

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En la Figura 206 se muestra un amplificador diferencial, denominado tambin
amplificador de instrumentacin por el uso que de l se hace para amplificar seales
procedentes de transductores que miden deformaciones, temperaturas, etc. Las
prestaciones que han de ofrecer los AO que se utilizan para construir amplificadores
de instrumentacin son, fundamentalmente, una elevada resistencia de entrada y una
elevada relacin de rechazo en modo comn, ya que, por lo general, las seales que
se han de amplificar contienen una componente de cc de elevado valor, comn en
ambas entradas del dispositivo. Los fabricantes ofrecen amplificadores de
instrumentacin especiales que integran en una sola pastilla dos seguidores de
tensin y un amplificador diferencial, como por ejemplo el circuito LH0036 de National
Semiconductor.

Las tensiones de entrada al circuito de la Figura 206 sern:

1 = 1 1 + 3 3 2 1 = 2 2 + 4 4

Como i 1 =i 3 e i 2 =i 4 , el valor de la tensin de salida, si R 1 =R 2 y R 3 =R 4 , ser:

3
2 = (1 1 )
1

Figura 206. Amplificador diferencial con un AO

1.39.5 CIRCUITOS OPERATIVOS

Los dispositivos que vamos a escribir en este apartado realizan operaciones


matemticas de diferente nivel de complejidad. Estos circuitos, como indicamos
anteriormente, constituan la base de los antiguos ordenadores analgicos, hoy da
superados por los potentes ordenadores digitales. Mediante los AO era posible realizar
operaciones elementales de suma, resta, productora y divisin. Adems, mediante la
adecuada interconexin de varios AO se podan resolver sistemas de ecuaciones con
varias incgnitas. Tambin era posible resolver complejas operaciones matemticas,
como la integracin y la diferenciacin de funciones.

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En este apartado analizaremos el circuito operativo ms elemental que es el sumador
y tambin al integrador y diferenciador poseen circuitos de una enorme sencillez, como
que se obtienen por la simple sustitucin del elemento pasivo del circuito bsico de la
Figura 198.

1.39.5.1 SUMADOR

En la Figura 207 se muestra un circuito sumador que suministra una tensin de salida
que es proporcional a la suma de las seales aplicadas a sus entradas.

El nmero de entradas ha de ser igual al nmero de tensiones que se desean sumar.

La corriente por la resistencia de realimentacin R 2 ser la suma de las corrientes que


circulan por cada entrada:

2 = + +

Sustituyendo cada corriente por su valor:


2
= + +
2

Despejando el valor de v 2 :

2 2 2
2 = + +

Si R a =R b =R c :

2
2 = ( + + )

Si la relacin R 2 /R a es igual a la unidad, la seal de salida ser exactamente la suma


de las tensiones aplicadas a las entradas, pero si dicha relacin es superior a la
unidad, la tensin de salida ser el resultado de multiplicar la suma de las seales de

entrada por un factor que depender de los valores de R 2 y de R a . Si R a tiene un valor


superior a R 2 , el producto de se transformar en cociente.

Mediante el circuito de la Figura 207 tambin es posible realizar una operacin de


resta, para ello basta con aplicar la tensin correspondiente al sustrayendo invertida
respecto a la del minuendo en un sumador de dos entradas. Por otra parte el
amplificador diferencial de la Figura 206 es capaz de restar dos seales sin necesidad
de invertir ninguna de ellas.

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Figura 207. Sumador

1.39.5.2 INTEGRADOR Y DIFERENCIADOR

Es muy sencillo o obtener dispositivos que realizan las complejas operaciones


matemticas de integrar y derivar, sustituyendo una de las dos resistencias del circuito
bsico de la Figura 198 por un condensador. Si la resistencia que se sustituye es la
R 2 , el circuito resultante es un integrador, cuya configuracin se muestra en la Figura
208. Si se sustituye la resistencia R 1 , obtenemos un diferenciador, como el que se
muestra en la Figura 209.

Las expresiones que relacionan la tensin de salida con la de entrada son:

a) En el caso del integrador:

1
2 = 1 ()

b) En el caso del diferenciador:

1
2 =

Las formas de onda representadas en la Figura 208 y la Figura 209 indican la


respuesta de ambos circuitos cuando se aplica a la entrada una seal en forma al

escaln, en el caso del integrador, y una seal en rampa en el caso del diferenciador.
Como se puede apreciar, las operaciones que realizan estos circuitos son inversas.

El amplificador operacional sera un integrador o un diferenciador perfecto si la


ganancia de tensin en bucle abierto y el ancho de banda fueran infinitos. Otro
inconveniente del AO a la hora de efectuar estas operaciones es la limitacin de la
tensin de alimentacin, que, suele estar en torno a los 18V, en un dispositivo normal.

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Figura 208. a) circuito integrador, b) respuesta a una entrada tipo escaln

Figura 209. a) circuito diferenciador, b) respuesta a una entrada tipo rampa

1.39.6 CIRCUITOS NO LINEALES CONSTRUIDOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Los circuitos no lineales son aquellos que proporcionan a su salida una seal cuya
forma es diferente a la aplicada a la entrada. Los dispositivos analizados en el

apartado 1.39.5 estaran comprendidos dentro de este grupo, pero debido a su


especialidad los hemos tratado por separado.

Las posibilidades de los AO para construir los ms diversos circuitos no lineales son
enormes, por este motivo es prcticamente imposible describir todas las aplicaciones
de los AO. Nos limitaremos a examinar las ms comunes, recomendando la lectura de

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textos especficos relativos a esta materia y la consulta de catlogos e informacin
tcnica que proporcionan los fabricantes de semiconductores.

1.39.6.1 COMPARADORES

La funcin de comparar se puede realizar mediante dispositivos digitales para


establecer la relacin existente entre dos palabras de un determinado nmero de bits,
pero tambin es posible comparar dos tensiones analgicas para detectar cuando
alcanzan el mismo valor.

Normalmente una de las entradas se conecta a una tensin fija de referencia, tal como
se muestra en la Figura 210, y a la otra se le aplica la tensin variable que se desea
comparar. Mientras la seal v 1 es menor que la de referencia, la salida del AO estar
al nivel ms bajo de la tensin de alimentacin. Cuando el valor de v 1 sobrepasa
mnimamente al aplicado a la entrada negativa, el comparador conmuta y la salida v 2
pasa a tener un valor positivo, aproximadamente igual al de alimentacin.

Figura 210. Comparador de tensin

Existen dispositivos especiales que realizan la operacin de comparacin ms


eficazmente que los amplificadores operacionales de aplicacin general.

En los catlogos se denominan comparadores de tensin (voltaje comparators) y se


encuentran agrupados en una seccin especfica de los linear databooks.

La caracterstica que diferencia a un comparador de una AO normal es el tiempo de


respuesta, es decir, el tiempo que transcurre desde que se igualan las tensiones de
entrada hasta que se produce la conmutacin en la salida.

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En el caso de un comparador se requiere una respuesta ms rpida que un
amplificador. Por lo general, la ganancia de tensin en bucle abierto suele ser mayor
en un comparador que en un AO.

Las aplicaciones de los compradores son muy variadas. En la Figura 210 se ha


representado la manera ms general de uso de un comparador. A continuacin, se
exponen un par de casos concretos donde este dispositivo puede ser utilizado.

En la Figura 211 se muestra un circuito que por su sencillez es tratado en este


apartado. Sin necesidad de otros componentes, el comparador conectado
correctamente transforma una seal senoidal en otra cuadrada. La amplitud de la
seal de salida depende del valor de la tensin de alimentacin.

Figura 211. Generador de onda cuadrada

En la Figura 212 se muestra un comparador funcionando en bucle cerrado. El circuito


corresponde a un sencillo montaje mediante el cual se puede obtener una fuente de
alimentacin regulable de baja potencia. La corriente de salida se puede aumentar
colocando un transistor a la salida del comparador. El dispositivo estabiliza y regula la
tensin v 2 . En condiciones normales los valores de tensin en las entradas negativa y
positiva son los mismos, pero s la tensin de salida disminuye, la cada en R 3 pasa a
ser menor. La tensin en la entrada positiva se hace mayor que la de la entrada
negativa y el comprador reacciona aumentando el valor de la tensin a su salida,
compensando la disminucin que se produjo. El proceso es anlogo si lo que se
produce es un incremento de la tensin de salida.

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Figura 212. Fuente de alimentacin regulable

Esta magnitud puede modificarse variando la relacin R 2 /R 3 ya que:

2 + 3
2
3

1.39.6.2 RECTIFICADORES

Un amplificador operacional mejora sensiblemente la materializacin de funciones,


tales como la rectificacin, ya que debido a la posibilidad de ser realimentado elimina
la tensin de prdidas que se produce los diodos. En este apartado estudiaremos un
circuito rectificador de precisin para seales de bajo nivel y un rectificador de media
onda.

En la Figura 213 se muestra un rectificador de precisin capa de realizar la


rectificacin de seales de tensin de valor inferior a 1V. Esta operacin no se puede
realizar exclusivamente con diodos, ya que el resultado a la salida sera una tensin
prcticamente nula debido a las prdidas en dichos elementos.

Con el circuito de la Figura 213 es posible rectificar tensiones de valor , siendo


V F la cada de tensin el diodo y A V la ganancia de tensin en bucle abierto del AO.

Figura 213. Rectificador de precisin

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Si v 1 es positiva y superior a la relacin , la tensin a la salida del AO se hace
positiva, D queda polarizado en sentido directo y en estas condiciones conduce.
Debido a la realimentacin que produce el diodo, la entrada inversora estar al mismo
nivel de tensin que la no inversora y, por tanto, v 1 =v 2 . El AO suministra corriente a la
carga a travs del diodo.

Cuando v 1 es negativa, la salida del AO se hace tambin negativa y el diodo se


bloquea. La corriente por la carga es cero y, por tanto, la tensin a la salida es nula.
En la Figura 214 se muestra un rectificador activo de media onda capaz de rectificar y
amplificar la seal al mismo tiempo. Si valor de v 1 es negativo, la tensin a la salida
del AO ser positiva y, por tanto, D 1 conducir y D 2 quedar bloqueado.

Figura 214. Rectificador de media onda

El circuito se comporta, en este caso, como un amplificador inversor cuya tensin de


salida valdr:

2
2 =
1 1

S, por el contrario, v 1 es positivo, la salida del AO ser negativa y, en consecuencia,


D 2 conducir y D 1 quedar bloqueado. La entrada negativa quedar alimentada queda
realimentada a travs de D 2 y su tensin se igualar a la de la entrada positiva, es
decir, pasar a valer 0V. La tensin de salida v 2 ser la misma que en la entrada
negativa y, por tanto, nula.

1.39.6.3 LIMITADOR

En la Figura 215 se muestra un limitador activo cuyo nivel de tensin positiva


depender del valor de la tensin de referencia aplicada a la entrada positiva del AO.
Cuando la tensin en la entrada negativa es menor que la de referencia (v 1 <v 2 ), la
salida del AO es positiva y el diodo queda polarizado inversamente. La tensin de
salida del circuito v 2 seguir a la de entrada. El valor de R 1 ha de ser pequeo
respecto al de la carga para que en las condiciones anteriores las prdidas en dicha
resistencia sean pequeas.

Cuando la tensin en la entrada negativa es igual a la de referencia aplicada a la


entrada positiva, la salida del AO se hace negativa, el diodo conduce, se produce una

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realimentacin de la salida a la entrada negativa y la tensin de salida se hace igual a
la de referencia.

Figura 215. Circuito limitador y forma de onda de entrada y salida

1.39.7 ESPECIFICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

La informacin suministrada por los fabricantes de AO se encuentra en los


denominados datasheets y suele comenzar como en casi todos los dispositivos, por la
relacin de valores mximos permitidos.

En el caso de un AO las magnitudes lmites ms significativas son:

- Tensin de alimentacin.
- Tensin diferencial de entrada.
- Tensin de entrada.
- Potencia disipada.

Adems se suelen indicar los mrgenes de temperatura tanto de almacenamiento


como de operacin.

Las caractersticas elctricas ms importantes de un AO son las siguientes:

1) Tensin offset de entrada. Es la tensin que hay que aplicar a la entrada para
que en ausencia de seal la salida sea cero, es decir, para que el dispositivo
est equilibrado.
2) Desviacin de la tensin offset de entrada. Es la variacin que se produce en
dicha tensin cuando vara la temperatura. Se mide en V/C.
3) Corriente offset de entrada. Es la diferencia entre las corrientes de entrada al
amplificador cuando ste est equilibrado (tensin de salida cero).
4) Desviacin de la corriente offset de entrada. Es la variacin que se produce en
esta corriente debida a los cambios de temperatura. Se suele medir en nA/C.

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5) Corriente de polarizacin media. Es la semisuma de las corrientes de entrada
cuando el AO est equilibrado.
6) Resistencia de entrada (diferencial). Es la relacin entre la tensin y la
corriente de entrada para unas determinadas condiciones de tensin de
alimentacin y resistencia de carga.
7) Ganancia de tensin en bucle abierto. El valor de este parmetro suele ir ligado
a unas determinadas condiciones de las tensiones de alimentacin y salida, de
temperatura y al valor de la carga.
8) Corriente de salida en cortocircuito. Es el valor mximo de corriente que puede
suministrar el dispositivo.
9) Relacin de rechazo en modo comn. Es la razn entre la ganancia diferencial
y la ganancia en modo comn. Se expresa en dB.
10) Ancho de banda para ganancia unidad. Los catlogos suelen indicar el valor de
la frecuencia ms elevada que puede ser amplificada cuando la ganancia de
tensin es la unidad. El ancho de banda disminuye al aumentar la ganancia
11) Pendiente mxima de la seal de salida (Slew rate). Indica el ritmo de
crecimiento de la tensin a la salida cuando se aplica una seal en escaln de
gran amplitud en la entrada.

Tabla 6. Valores mximos del AO 741C

En la Tabla 6 y en la Tabla 7 se relacionan los valores mximos y los parmetros


ms significativos del amplificador operacional 741C.

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Tabla 7. Caractersticas tpicas del 741C

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