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25/4/2017 TransistoresWeb

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Eltransistorcomoamplificador
Historiasobrelostransistores

Caractersticasdeltransistor
1.Introduccin
Introduccin 2.Parmetrosdeltransistor
3.Regionesdetrabajo
Lanecesidaddeamplificarlassealesescasiunanecesidadconstanteenlamayorade 4.Curvascaractersticas
5. Eltransistorcomo
los sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel amplificador
fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga 6.Otrosdatos
unapotenciadesealmayordelaqueabsorben.
Comprobacindelostransistores
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red de dos
Tiposdetransistores
puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de
1.Eltransistorbipolar
parmetros relativamente simples que nos proporcionan informacin sobre su 2.Transistoresdeefectocampo
comportamiento. (FET)
JFET
Enlosamplificadores,graciasalostransistoresse MOSFET
consigue la intensidad de los sonidos y de las 3.TransistoresUJT
4.TransistoresIGBT
seales en general. El amplificador posee una 5.Transistoresdepotencia
entradapordondeseintroducelasealdbilyotra
pordondesealimentaconC.C.Lasealdesalida Tiposdetransistoressegn
procesodefabricacin
se ve aumentada gracias a la aportacin de esta
1.Introduccin
alimentacin,siguiendolasmismasvariacionesde 2.Disipacintrmica
ondaqueladeentrada. 3.Fabricacindetransistores
4.Circuitosintegradosmonolticos
5.Otrosmtodosdefabricacin
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas que
siguenlasmismasvariacionesquelasprimeras),sensorestrmicos,luminosos,etc.
Cuando un amplificador realiza la
funcin de elevar la seal que ha sido
aplicada a su entrada, se dice que ha
producido una determinada ganancia. Se
puede decir que la ganancia de un
amplificador es la relacin que existe
entre el valor de la seal obtenida a la
salidayeldelaentrada.Dependiendode
lamagnitudelctricaqueestemostratando,sepuedenobservartrestiposdeganancia:
gananciaentensin,gananciaencorrienteygananciaenpotencia.
Deestaformapodemosdefinirlossiguienteasparmetros:
1.Gananciadetensin(normalmenteendecibelios):Av=Vo/Vi
2.Impedanciadeentrada(ohmnios):Zi=Vi/Ii
3.Impedanciadesalida(ohmnios):Zo=Vo/Io(paraVg=0)
4.Gananciadecorriente(normalmenteendecibelios):Ai=Io/Ii
5.Gananciadepotencia(normalmenteendecibelios):Ap=Po/Pi
Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor
sea su ganancia y menor sea su impedancia de
entradaysalida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores
dependendeesta,deformaqueloqueesvlidopara
un margen de frecuencias no tiene porqu serlo
necesariamenteparaotro.Detodasformas,entodo
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amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece
prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de un
amplificadoreslamayorvariacinsimtricadelasealqueescapazdepresentar sin
distorsinalasalidanormalmenteexpresadoenvoltiosdepico(Vp)oVoltiospicopico
(Vpp).

Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir del
circuitodelafigura,enelqueeltransistorseconectaenlaconfiguracindenominada
deemisorcomn.
El generador Veb asegura que la unin baseemisor
estpolarizadaensentidodirecto.UnabateraVc(Vc
>> Vbe) proporciona la tensin de polarizacin
inversaalaunindelemisor.
Elcircuito de entrada, en el que seaplicarlaseal
quesedeseaamplificar,eselquecontienealabasey
el emisor. El circuito de salida est conectado a las
terminales del colector y del emisor. Rc es la
resistenciadecargadelcircuitodesalida.
Supondremos que, cuando la tensin de entrada es
nula (terminales de entrada cortocircuitadas), las
corrientesquecirculanporcadaterminalsonIe,IbeI0,conlossentidosindicadosenla
figura.
A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se producen en dichas
intensidadessisemodificaligeramentelatensinWeb,aplicandounaddpadicionalala
entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo
suficientemente pequeo para que las variaciones de intensidad que provoca estn
relacionadaslinealmenteconl.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de una
diferenciadepotencial,aplicadamuylentamente.
a.Variacindelaintensidaddesalida(I0).
Comosemuestraenlafigurasiguiente,lacorrientedesalidaesI0.Dicha
intensidadtiene,trescomponentes:Ipb,IbbeInc.Ahorabien,enuntransistor
polarizadoenelmodoactivo,lacorrienteIpbesmuysuperioralasotrasdos
(unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de
clculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible
suponerque:

Suponiendo que la variacin de Veb, incremento de V, es pequeo, la


variacindelacorrientedesalidaes:

...yllamandotransconductancia,gm,alfactorI0/VT,resultaque:

Latransconductanciatienelasdimensionesdeunaconductanciaysuvalor
dependedelatemperaturaydelpuntodefuncionamiento.Alatemperatura
ambiente,gmvaleunos0.04mOhmniospormAdeintensidadenelcolector.
b.Variacindelaintensidaddeentrada(Ib)
Lacorrientedebase,tiene,segnhemosexpuesto,trescomponentes:Ine,Ibb
eInc.Deellas,tanslolasdosprimerasdependendirectamentedelatensin
Veb.Noslimitaremos,portantoacalcularsusvariaciones.
Delasecuacionesanterioressededuceque:
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Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en funcin de la


intentsidaddelcolector:

Elincrementodelacorrientedebasees:

Denominandoatodoeltrminoentrecorchetes,tendremosque:

Elparmetroocuantificaelefectoque,sobrelacorrientedebase,produce
unincrementodelatensinVeb.Asaldisminuirlabarreradepotencialen
launinemisorbase,seproduceunaumentodehuecosinyectadosdesdeel
emisor,aumentando la concetracin de portadores minoritarios en la base,
loqueconduceaunincrementodelatasaderecombinacin.Debidoaello,
Ibbcrece.
Porotraparte,ladisminucindelabarreradepotencialantescitada,supone
un incremento del nmero de electrones inyectados en el emisor desde la
base,conloqueseproduceunaumentodelacorrienteIne.
c. Variacindelatensincolectoremisor(Vce).
Latensincolectoremisores:

Portanto,siVebseincrementa,Vcevariarcomo:

La expresin anterior implica que el incremento de la tensin colector


emisorpuedeaumentarsinlmite,sinmsqueincrementarsuficientemente
laresistenciadecargaR0.Talsuposicinnoesciertaciertayaquehayque
tenerpresenteque,enelmodelosimplificadoquesehadesarrollado,nose
hatenidoencuentaelefectodelatensindepolarizacininversaVcbsobre
la anchura de la base, W. Valores muy elevados de gmRm suponen una
importantevariacindeVcb,loquemodificaranotablementelaanchuraW,
nosiendovlidasentonceslaspremisasdelmodeloutilizado.
d. Gananciasdecorrienteydetensin:
Supongamosque,alaentradadelcircuitodelasiguientefigura,seaplica
una seal alterna de pequea amplitud, y frecuencia lo suficientemente
pequeaparaquepuedanserdespreciadoslosefectosdinmicosquenohan
sidotenidosencuentaenelmodeloanterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente
alternaIbAIb.Esdecir,sobrelacorrienteIbqueexistaparaunincremento
detensin0,sesuperponeunacorrientealternadeamplitudincrementode
laintensidaddebase.
Deformaanloga,enelcircuitodesalidaaparecerunacorrientealternade
amplitudigualalincrementodelaintensidaddecolector,superpuestaaIc
(corrientedecolectorparaunincrementodetensin0).
Sedefinegananciaenintensidadcomo:

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Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad
puedetomarvaloresmuyelevados.
Deformaanloga,sedefinalagananciadetensincomo:

En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad


comoentensin.

Proyectorealizadopor: lvaroLenRuiz.
Directoras: PilarMartnezJimnez. Mapaweb
MartaVaroMartnez. Otroslaboratoriosvirtualesdisponiblesen:
http://rabfis15.uco.es/lvct/index.php?q=node/18

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