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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD 1

ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA


PROGRAMA DE INGENIERA

Informe Prctica Electrnica de Potencia Curso 203039


JAIRO LUIS GUTIERREZ DIRECTOR DEL CURSO
Cristian Alfonso Jerez Hernndez; Cdigo: 91473493; Grupo 6.
Juan Camilo Mercado Lpez Juan Camilo; Cdigo: 1096223039
Luis Ivn Amaya Bautista; Cdigo: 1049622597: Grupo 6.
John Alexander Roldan Cdigo: 1088241872; jaroldano@unadvirtual.edu.co ; Grupo 22.
Escuela de Ciencias Bsicas Tecnologas e Ingeniera ECBTI.
Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD.
23 de Mayo de 2017.

III. DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD


RESUMEN
Materiales estudiantes.
El presente documento corresponde al informe sobre el Todos los componentes electrnicos de cada circuito.
desarrollo del componente prctico del curso de Electrnica de Protoboard.
potencia, mediante el cual se procura experimentar y ampliar Cables de conexin.
los conocimientos propuestos de forma terica en el curso sobre Pinza y corta frio.
los semiconductores de potencia y sus circuiros de disparo.
Practica llevada a cabo en las instalaciones de la sala CISCO Materiales centro.
del CEAD Bucaramanga de la UNAD.
Multmetro.
Osciloscopio (incluir puntas de prueba).
Fuente de poder regulada variable. (incluir cables).
I. INTRODUCCIN
Generador de seal. (incluir cables).
El presente trabajo contiene la evidencia del desarrollo de las
de las actividades requeridas para el componente prctico del PROCEDIMIENTO
curso, las cuales estn indicadas en la gua de actividades y cuyo 1. El estudiante debe inscribirse para realizar las prcticas a
objetivo es desarrollar habilidades de identificaciones, travs del aplicativo de oferta integrada de laboratorios en
seleccin y utilizacin de circuitos convertidores y campus virtual
acondicionadores de seales; basados en el uso de http://academia.unad.edu.co/laboratorios/programacion.
Semiconductores de potencia. Todo esto contextualizado en la 2. El intervalo de tiempo para desarrollar la prctica es
estrategia de aprendizaje basado en proyectos en la cual se informado en el momento que el estudiante se inscribe por
enmarca el curso y que garantiza la asimilacin de los el Aplicativo Oferta Integrada de Laboratorios - OIL.
conocimientos propuestos. 3. Es necesario que el estudiante verifique los componentes
electrnicos solicitados en los experimentos, en caso tal
que amerite la realizacin de clculos previos por favor
II. OBJETIVOS darle cumplimiento, con el fin que puedan adquirir los
elementos antes de ir al centro a realizar la prctica.
Identificar y desarrollar los circuitos de disparo requeridos 4. El producto esperado es la asistencia participacin y un
para semiconductores de potencia. SCR, MOSFET e IGBT. informe final en formato IEEE que el estudiante debe
entregar a su tutor de prcticas.
Desarrollar un anlisis terico-prctico sobre el 5. El tutor de prcticas de laboratorio asignado en el centro
comportamiento de estos componentes bajo diferentes orientara y evaluara el desempeo del estudiante. El tutor
voltajes y corrientes de disparo. deber reportar la calificacin final en el aplicativo de
Realizar las actividades prcticas propuestas para oferta integrada de laboratorios.
contextualizar el desarrollo de los componentes tericos del 6. Los estudiantes que se les haga imposible asistir a las
curso de Electrnica de Potencia. prcticas (in-sito presencial) deben informar al tutor de
prcticas asignado en su centro con soportes de justa causa
la razn por la cual no podrn asistir, para que este decida
si le autoriza la realizacin de la prctica de manera auto
dirigida.
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PRACTICA No.1 CARACTERSTICAS DEL SCR 3. Ajuste la corriente de puerta IG = IG1 (valor de corriente de
puerta para disparo No 1) Tal que el voltaje nodo ctodo
VAK de ruptura en directa VBO este entre 15 y 20V ajstelo
variando R2 y V2.

R3
-0.00
mA 4k

R1 RV2
2k
75
74%

+9.39 +20.0
mA Volts
V2
15V

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

Ig=9.3mA SCR aun no conduce - simulador Proteus.


RV1
75
R3
+88.8 28%

mA 4k

R1 RV2
10k R3
-0.01
75
50% mA 4k
U1 R1 RV2
+88.8 SCR +88.8
mA Volts
2k
V2 V1 75
1.5V 2.5V 73%

+9.51 +20.0
mA Volts
V2
15V

Montaje del circuito en el simulador Proteus.


Ig=9.5mA SCR conduce- simulador Proteus.

Para realizar este paso, fue necesario reducir el valor de R2 de


10k a 2k para generar una variacin de corriente ms baja y as
poder determinar de forma precisa el valor de corriente de
puerta para el disparo del SCR.

Se puede evidenciar entonces que para un voltaje de 15V en V2,


un valor de 74% de resistencia para un potencimetro de 2K, es
decir 1480, una corriente de puerta de 9.3mA, y un voltaje
Montaje del circuito practica CEAD Bucaramanga. VAK de 20V; el SCR an no se encuentra conduciendo. Sin
embargo, al reducir dicho valor de resistencia a 73%, es decir
2. Lleve a R1 y R2 al valor medio y V1 y V2 al valor mnimo. 1460, se obtiene una corriente de perta de 9.5mA y a partir de
all se evidencia que ya hay paso de corriente en el punto IAK.
Por ende se puede concluir que la corriente de disparo para el
SCR debe ser mnimo de 9.5mA.

Resistencias y fuentes tanto del simulador como de la prctica


en el CEAD en los valores requeridos.
Variacin fuente V2 practica CEAD Bucaramanga.
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4. Lentamente vari el valor de V1 en aumentos de 2 voltios


anote el valor del voltaje nodo ctodo VAK y de la
corriente nodo ctodo IAK en cada aumento hasta que el
SCR conduzca. Cul es el valor mximo de VAK antes que
el SCR conduzca?

Voltaje V1 Voltaje VAK Corriente IAK


(V) (V) (mA)
2.5 2.47 0
4.5 4.47 0
6.5 6.47 0
8.5 8.47 0
10.5 10.5 0
12.5 12.5 0
14.5 14.5 0
16.5 16.5 0 = 7 ; 1 = 2.5 = 14.57
18.5 18.5 0.01 Practica CEAD Bucaramanga

RV1
75
R3
-0.00 50%

mA 4k

V1
16.5V
+9.51 +16.5
mA Volts

= 7 ; 1 = 4.5 = 14.58
Practica CEAD Bucaramanga
Ig=9.3mA SCR aun no conduce- simulador Proteus.

RV1
75
R3
-0.01 50%

mA 4k

V1
18.5V
+9.51 +18.5
mA Volts

Ig=9.3mA SCR aun no conduce- simulador Proteus. = 7 ; 1 = 8.4 = 14.47


Practica CEAD Bucaramanga
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5. Asegrese que el SCR est en estado de conduccin. Pregunta: Qu crees que va a pasar en el circuito de la figura
1 si se dispara el SCR, y luego se reduce la corriente de puerta
6. Inicie reduciendo el voltaje VAK en decrementos de 2 a cero de nuevo?
voltios, revise el estado del SCR al estar apagada la fuente
V 2. A medida que la corriente de puerta tiende a cero, la corriente
IAK re reducir tendiendo a cero tambin evidenciado que el
VGS =VGS1=VTH SCR deja de conducir.
VDS V IDS (mA)
Pregunta: Qu observas ahora que repentinamente usted
. aumenta y reduce la corriente de puerta?
.
. Como ya se concluy en el punto anterior al reducir la corriente
. de puerta el SCR dejara de conducir paulatinamente, sin
. embargo al aumentar dicha corriente de puerta cerca al punto
. de disparo se notaran corrientes de fuga dado la cercana del
. dispositivo a su punto de conduccin.
8V (max) .

PRACTICA No.2: CARACTERSTICAS DEL MOSFET


RV1
75
R3
-0.01 50%

mA 4k

V1
16V
+16.0
Volts

VKA=16V IAK=0.01mA - simulador Proteus

RV1
75
R3
-0.00 50%

mA 4k

V1
14V
+14.0
Volts

VKA=14V IAK=0mA - simulador Proteus Caractersticas de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.


Segn lo obtenido en la simulacin, al reducir el voltaje VKA
RV1
se encuentra el punto de disparo en un voltaje superior a 15V, 4k
R2
siendo que al inducir un voltaje de 16V se obtiene una corriente RV2
+88.8
mA
50%

75
10k
de IAK igual 0.01 mA. R1
50%
75

Q1 V1
7. Desconecte temporneamente el pin puerta (GATE) y poco IRF740
+88.8
Volts
30V

V2
a poco reducir la tensin de alimentacin hasta que la 15V
+88.8
Volts

corriente del SCR repentinamente cae a cero. Tenga en


cuenta el valor de la corriente anterior a cero este es el
valor de la corriente de mantenimiento IH.

Montaje del circuito ene l simulador Proteus.


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Montaje del circuito practica CEAD Bucaramanga.


= () = .
2. Ajuste VGS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente
mayor a del valor total.

RV2
10k
R1
30%
75

V2 +10.00
10V VGS Volts

= () = .

VGS =VGS1=VTH
Determinado el valor de R2 en el 30% de su capacidad, es decir
VDS V IDS (mA)
3k, y el valor de VGS en 10V.

.
3. Cambie el valor de VGS variando el valor de V2. .
(mantenga R2 en el valor mnimo) y observe como cae el .
valor de IDS cada 0.5V de variacin del voltaje VGS. .
.
4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores de .
VDS2 = 15V. .
8V (max) .

V1=VDS1 = 10V
Caractersticas de drenaje:
1=VDS2 = 15V
VGS V IDS (mA) Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH.
. . VGS V IDS (mA)
. . 5. Variar VDS cambiando el valor de V1 en variaciones de
. . . 2.13 0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que IDS sea constante)
. . 2.21
. . . 2.33 6. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2
. . 2.47 = VTH 0.1V.
. . . 2.61
. . 2.75
. .
.
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7. Tabla 3. Tabla 4. Caractersticas de transferencia


VGS=VGS2 VGS=VGS2
=VTH 0.1V =VTH 0.1V 1. Realice el montaje del circuito de la figura.
VDS V IDS (mA) RV1
R2 10k
VDS V IDS (mA) 0.5 0.35 +88.8 50%

0.5 0.10 Amps 75

1 0.84
1 0.11 Q1
1.5 1.31 RV2
10k
IRG4BC10U

1.5 0.12 R1
2 1.8 75
51%
+88.8

2 0.13 Volts
V1
2.5 2.29 30

2.5 0.14 V2
3 2.76 10
3 0.15
3.5 3.24
3.5 0.16
4 3.75
4 0.17
4.5 4.24
4.5 0.18 Montaje del circuito en el simulador Proteus.
5 0.19
5 4.73
5.5 0.20 5.5 5.22
6 0.21 6 5.7
6.5 0.22 6.5 6.07
7 0.23 7 6.56
7.5 0.24 7.5 7.04
8 0.24 8 7.51

Pregunta: Por qu los MOSFET no son implementados en


aplicaciones de elevadas potencias?
Montaje del circuito practica CEAD Bucaramanga.
Los transistores MOSFET son dispositivos de gran utilidad
y que presentan un bajo consumo, sin embargo el terminal
gate es muy sensible, la capa de xido es muy delgada y se 2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mnimo.
puede perforar y por ende daar con facilidad el dispositivo; 3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
se deben manipular con mucho cuidado, teniendo en cuenta
que se pueden destruir con facilidad si hay alta tensin o hay
4. Lentamente vari V2 (VGE) y anote VGE e IC en cada
electricidad esttica. Por esta ltima razn, no son 0.5V de cambio tenga en cuenta que el VGE mximo debe
implementados en circuitos de lata potencia. ser 8 voltios.

Su funcionamiento est limitado por niveles de tensin, 5. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.


correspondientes a redes de baja tensin y menores 400 ;.
por lo que son empleados en soluciones de baja y mediana V2=VGE V1 IC
potencia.

PRACTICA No.3: CARACTERSTICAS V-I DEL IGBT
. 9.19 0.01
. 9.19 02.5
. 9.19 07.0
. 9.19 12.5
. 9.19 15.3
. 9.19 20.9
. 9.19 14.1
. 9.19 28
. 9.19 32.5
. 9.19 36.6
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6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y


dibuje la grfica de VGE vs IC.

V2=VGE V1 IC


. . .
. . .
. . .
. . .
. . .
. .

VGE vs IC 0,4
0,3 0,3 0,3
= . = . = . 0,3

IC (A)
0,1 0 0

-0,1 0 5 10 15

VGE (V)
Grfica de VGE vs IC

= . = . = .

= . = . = .

= . = . = .

= . = . = .
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PRACTICA No.4: 4.1. Montar en el simulador el circuito de la Figura 2. (Anexe


CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA imagen del circuito al informe).
Cuando se pretende desarrollar un control del ngulo de
encendido del SCR partiendo de la misma tensin que alimenta

AC Volts
+88.8
a la carga, es preciso recurrir a circuitos capaces de retardar la
seal de disparo durante un intervalo regulable mientras R1
330
transcurre todo el semiciclo de conduccin del dispositivo.
R2 RV1
La configuracin ms sencilla para conseguirlo se puede
820
materializar utilizando una red desfasadora serie R-C, a cuyos

100%
+88.8
AC Volts
U1
extremos se aplica una fraccin de la tensin que ha de estar D1 R3 5k
presente en la carga. La propia naturaleza de la red R-C
820
introduce un desfase variable entre 0 y 90 respecto de la SCR 1N4007
C1
tensin aplicada, pudindose conseguir con una adecuada 0.1uF

relacin de valores resistencia-capacidad un control pleno de la


corriente por la carga entre los 0 y prcticamente los 180.

Montaje del circuito en el simulador Proteus.

4.2. Realizar la simulacin anexe la grfica que muestre al


menos 4 ciclos de la tensin entrada V1 y la de la tensin en la
carga RL Que ha notado?

Podemos evidenciar en la grfica obtenida al simular el circuito


propuesto, que al no obtener un voltaje suficiente, y por ende
no alcanzar la corriente de disparo, para que el SCR pueda
conducir, la seal es la misma que la que se aplica a la entrada
En el circuito de la figura 2 la red desfasadora est formada por del circuito. Esto con un valor de P1 mximo es decir 5K, es
R1 + P1 y C, que tiene aplicada la tensin presente entre nodo decir un periodo de 0.1667ms
y ctodo del SCR. La seal de control, variable en fase y
amplitud por la accin de P1 se extrae en extremos de C y se
aplica entre puerta y ctodo a travs de la resistencia limitadora
R2 y el diodo D1 que previene la descarga de C durante los
semiciclos negativos.

En el anlisis del funcionamiento del control debe tenerse


presente que cuando el valor de la reactancia que presenta C es
mucho mayor que el de la resistencia serie asociada con ste R1
+ P1 (P1 al mnimo), el circuito se comporta como capacitivo,
la tensin que se extrae del condensador es mxima y se puede
considerar en fase con la tensin aplicada; la conduccin del
SCR se produce casi al inicio de cada semiperiodo positivo. Podemos evidenciar en la grfica anterior obtenida al simular el
circuito propuesto con un valor de P1 mnimo, para la cual se
obtiene la corriente y voltaje de conduccin para el SCR.
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4.3. Observar la tensin de salida para diferentes valores del 4.4. Para qu valor de P1 la potencia entregada a la carga es la
potencimetro P1. Qu sucede cuando la resistencia mitad de la potencia mxima?
disminuye?

Para un 70% de P1(3.5k) se observa que an no se alcanza ni la


corriente de disparo no el voltaje requerido para que el SCR se Siendo que la mxima transferencia de potencia para el circuito
encuentra en modo de conduccin. se da cuando P1 est en su valor mnimo, tenemos que:

Siendo: = 23.9
= 48
Por lo tanto:
() = .

= 23.9 0.0048 0.115 115

Por lo tanto, para obtener la mitad de la potencia (57.5)

0.0575 = 23.9
Para un 64% de P1(3.2k) se observa que ya se sobrepas la 0.0575
corriente mnima de disparo la cual corresponde a 32.2mA; por = = 2.4103 24
ende el SCR se encuentra en modo de conduccin y en la grfica 23.9
se puede observar tanto el periodo como el ngulo de disparo.
Siendo que la corriente mnima de conduccin para el SCR es
de 32.5mA; se puede concluir, soportado en la grfica, que la
mitad de la potencia se entrega a RL cuando P1 vale el 64% de
valor real, es decir 3.2k.

4.5 Calcule los ngulos de disparo y conduccin para al menos


6 valores distintos de P1 Registrar los valores en una tabla.
Utilizar como referencia la Figura 3 y emplear las siguientes
Para un 40% de P1(2k) se observa que ya se sobrepas la ecuaciones.
corriente de disparo y por ende el SCR se encuentra en modo
de conduccin.

Para un 1% de P1(50) se observa la corriente mxima y el


ngulo de disparo mnimo para el SCR. Figura No.6
ngulo de conduccin t2 = 180 - ngulo de disparo t1
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Para determinar el ngulo de disparo en cada valor seleccionado IV. CONCLUSIONES


para P1 se tendrn en cuenta los siguientes datos:
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La
= 60 puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el
1 1 nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo
= = 0.01667 16.67 rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un
60
solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la
Por lo tanto, para cuando el potencimetro trabaja el 100% de puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en
su capacidad, el SCR no conduce y la seal tiene la misma que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. El
frecuencia de la onda de entrada; en consecuencia: pulso de disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien,
repetitivo. Segn se atrase o adelante ste, se controla la
Para 1 = 100% corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos
16.67 360 anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo
hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
Luego entonces, determinando mediante el osciloscopio de corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el
Proteus el tiempo de disparo para cada uno de los valores SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando
seleccionados tenemos que: en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo
forzado.
Valor Angulo de Disparo 1 Angulo de conduccin
% / 16.67 360 2 = 180 1 Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo
60% / 4.31 4.31 93 180 93 = 87 y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en
50% / 3.73 3.73 81 180 81 = 99 conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como
40% / 3.33 3.33 72 180 72 = 108 caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite
30% / 3.08 3.08 67 180 67 = 113 mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
2.65 57 condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
20% / 2.65 180 57 = 123
10% / 2.39 2.39 52 180 52 = 128
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia,
en el campo del control, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrnico.

V. BIBLIOGRAFIA

Introduccin a los sistemas electrnicos de potencia.


Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrnica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseo (pp. 3-14).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=22&docID=10565530&tm=1482450097688

Angulo de disparo 60% y 40% de P1 Dispositivitos de potencia.


Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrnica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseo (pp. 445-582).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=464&docID=10565530&tm=1482450513143
Circuitos de disparo.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrnica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseo. (pp. 608-637).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=627&docID=10565530&tm=1482451710573
Angulo de disparo 20% y 10% de P1