Resolviendo esta ecuacién por analogia con la ecuacién para &lomo de hidrdgeno, obteneiios Ja expresién para los valores propi de Ja energia del electrén de impureza ne Ex= 2— Wel S, ase (2 am Be EE (n h @-13 donde la energia del electrén se cuenta desde el fondo de la bam de conduccién. Esta férmula se puede escribir del modo siguicnte: mie f m* 1 Ey Ene (3) ome (2.13 Si se pone el valor numérico de e, m, h, & y la energia se expre en electrén-voltios, obtenemes: 52z3 i £. E,=E.— (F) R=e. Bah 2..) (2-13 donde 13,52 corresponde a ta magnitud de la energia de ionizaci de! dtomo de eer en electrén-vol tios: a ee Bene ) (2-18 es la energia del estado fundamental (n=1) del atomo de impure donadora. De la (2-134) se deduce que ef nivelde energla de la impureza dor dora, correspondiente al estado fundamental (n=1), se encuentra en banda prohibida det semiconductor debajo del fondo de la banda de cc ducctén E, a ta magnitud Ey. La energia de ionizacidn de la impureza donadora (Ee—E4), acuerdo con Ja igualdad (2-135), es e? yeces menor que la energia ionizacién del 4tomo de hidrégeno. Ademés, la energia de ionizaci depende de Z. Esto significa que el nivel del ion de impureza dor 68