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UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE CAMPECHE

CARRERA DE INGIENERA EN MECATRNICA

MATERIA:
MOTORES ELCTRICOS

UNIDAD III

ACTIVIDAD:
INVESTIGACIN DE TIRISTORES Y SIMULACIONES

ALUMNO:
OVANDO SALVADOR ELBER

PROFESOR:
M.I. EDUARDO BOCANEGRA MOO

GRADO Y GRUPO:
8 A

GENERACIN:
2016-2018

San Antonio Crdenas, Carmen, Campeche. 30 de marzo de 2017.

Carretera Federal 180 S/N San Antonio Crdenas, Carmen, Cam. C.P. 24381
Profesor responsable de la asignatura: Ing. Eduardo Bocanegra Moo

ISO 9001:2008
Cert. No. MQA 4000244
UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE CAMPECHE

ELECTRNICA DE POTENCIA
1. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo


para SCR y TRIACs.

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal
como se muestra en la siguiente figura:

Figura 1. Estructura y esquema de UJT.

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est


compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de
huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que
existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia
entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para
entender mejor cmo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito
equivalente de la figura siguiente:

Figura 2. Circuito equivalente del UJT.

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R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los


terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-
N entre el terminal del emisor y el cristal N.

Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es


igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos
bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en
el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1 = VBB.

El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V 1 y VBB.


As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85
y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la
base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar
para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una
tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe
un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que
dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una
tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms 0,7V de la tensin de barrera del
diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del
UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es
necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.

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1.1. APLICACIONES DEL UJT


Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente
de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de
TRIACS y SCR. En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos
circuitos.

Figura 3. Generador de pulsos en diente de sierra mediante UJT.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-C,
formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando
se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor
hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar
rpidamente, y en el terminal de B1 aparecer un impulso de tensin. Al disminuir
la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de
la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y
descarga del condensador.

As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en


forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo
de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con
modificar el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende la
constante de tiempo de carga del condensador.

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En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de


diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito
controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga:
estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre
medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la
frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor
del potencimetro RS.

Figura 4. Control de velocidad de un motor mediante SCR y UJT.

2. SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El tiristor SCR es un dispositivo electrnico que tiene la caracterstica de conducir


la corriente elctrica en un solo sentido tal como lo hace un diodo, pero para que
comience a conducir el tiristor SCR necesita ser activado, mientras el tiristor SCR
no sea activado este no conducir. Cuando el tiristor SCR no conduce se le puede
considerar como un interruptor abierto y mientras conduce como un interruptor
cerrado.

Figura 5. Smbolo del SCR.

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Los tiristores SCR cuentan con 3 pines a los cuales se les llama nodo, ctodo y
puerta o compuerta, cuando el tiristor SCR entra en conduccin o se activa la
corriente en el ir del nodo hacia el ctodo tal como ocurre en los diodos.

La activacin del tiristor SCR se puede dar de 2 maneras diferentes, una de ellas
ser cuando entre el nodo y el ctodo se presente una tensin llamada voltaje de
ruptura o voltaje de cebado y simbolizado mediante VDRM, ocurrir que mientras la
tensin entre el nodo y el ctodo sea menor al voltaje de ruptura este no conducir,
pero cuando la tensin entre el nodo y el ctodo del tiristor SCR alcance o sea
mayor a la tensin de ruptura, este se activar y conducir; en el momento que el
tiristor SCR comienza a conducir, la tensin entre el nodo y el ctodo baja de una
forma casi instantnea hasta un mnimo valor, haciendo que el SCR se comporte
como si fuera un cortocircuito, pero no lo es del todo ya que entre el nodo y el
ctodo habr esa mnima tensin a la cual se le llama tensin de encendido
simbolizado como VTM.

En la otra forma de activar o encender un tiristor SCR no es necesario que la tensin


entre el nodo y el ctodo llegue a la tensin de ruptura, por lo que si la tensin
entre el nodo y el ctodo es menor a la tensin de ruptura, el tiristor SCR se puede
activar o encender enviando una seal a la compuerta, con la condicin de que
esta seal sea capaz entregar a la compuerta una corriente mnima, a la que se
conoce como corriente de activacin o corriente de disparo y simbolizada como
IGT, esta corriente tiene que ser capaz de hacer que entre la compuerta y el ctodo
caiga una tensin que se conoce como la tensin de disparo del tiristor SCR la cual
se simboliza mediante VGT.

Una vez que el tiristor SCR se activa, entre el nodo y el ctodo circular una
corriente, pero el SCR solo es capaz de poder soportar una determinada corriente,
la cual si se sobrepasa el tiristor SCR se daar, esta corriente mxima que puede
soportar el SCR entre nodo y ctodo se la simboliza como IRMS, por supuesto que

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hay tiristores SCR que son capaces de soportar mucha ms corriente y el utilizar
uno u otro depender de las necesidades que se tenga.

Figura 6. SCR y su activacin.

2.1. APLICACIONES DEL SCR


Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en
reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.

En la Figura 7 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia


variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la
resistencia de la carga (por ejemplo, un elemento calefactor o el filamento de una
lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro
que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se
puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y
180, como se aprecia en la Figura 7

.
Figura 7. (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90.

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Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0),
como en la Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite
mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda,
como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se
transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede
retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta


el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada
ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje
negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

Figura 8. Disparos cclicos para control de potencia90.

3. TRIAC (TRIODE FOR ALTERNATING CURRENT)


El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar
el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en
ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la
corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado
independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente
de puerta positiva o negativa.

Figura 9. Diagrama equivalente del TRIAC.

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Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la
corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac
(dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa.

Figura 10. Construccin del TRIAC.

La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como un tiristor de


cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido
MT1-MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de
puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace mas delicado que un
tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se
fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde
400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los triac son fabricados para funcionar
a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores.

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En la figura 9 muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de


un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados
por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.

El triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo como
se muestra en la figura 11, este dispositivo es equivalente a dos latchs.

Figura 11. Diagrama esquemtico del TRIAC.

3.1. APLICACIONES DEL TRIAC


En la figura 12 puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de CA.
mediante un triac (TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un
circuito de mando exterior a la puerta inversora de un ULN2803 que a su salida
proporciona un 0 lgico por lo que circular corriente a travs del diodo emisor
perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo emite un haz luminoso
que hace conducir al fototriac a travs de R2 tomando la tensin del nodo del triac
de potencia.

Este proceso produce una tensin de puerta suficiente para excitar al triac principal
que pasa al estado de conduccin provocando el arranque del motor.

Debemos recordar que el triac se desactiva automticamente cada vez que la


corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario
redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control
activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Como podemos apreciar,
entre los terminales de salida del triac se sita una red RC cuya misin es proteger

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al semiconductor de potencia, de las posibles sobrecargas que se puedan producir


por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no deseados.
Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipador
de calor constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se
refrigere adecuadamente.

Figura 12. Diagrama de gobierno de un motor mediante un TRIAC.

4. DIAC (DIODE FOR ALTERNING CURRENT)


Es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo bidireccional
disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado sutensin de
disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para
ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas
direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo
de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara
de nen.

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac,
otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta


como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus
terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts
segn la referencia.

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Figura 13. Diagrama y junturas de un DIAC.

Existen dos tipos de DIAC:


DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base
y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la
unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo
simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti
paralelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

4.1. APLICACIONES DEL DIAC

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente


del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo
de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con intensidad
variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles de
velocidad de motores.

La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito, en que la


resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensin de
disparo del DIAC, producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente

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alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce


una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr
ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin
del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga,
obtenindose un simple pero eficaz control de potencia.

En la figura 14 se muestra un circuito practico de disparo de un triac utilizando un


UJT. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las
condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un transformador de
aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el
primario, para este caso asla el circuito de potencia C.A. del circuito de disparo.

Figura 14. Diagrama de disparo de un TRIAC.

La onda senoidal de C.A. del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en


puente y la salida de este, a una combinacin de resistor y diodo zener que
suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de C.A.

Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp


del UJT, el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del
transformador T2. Este se acopla al devanado secundario, y el pulso del secundario
es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el resto del semiciclo.
Las formas de onda del capacitor (Vc1), corriente del secundario de T2 (Isec) y
voltaje de carga (VLD), se muestran en la figura 2(b), (c),(d).

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La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que forman un


divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de C.D. de 24 v que alimenta al
circuito de disparo. Si RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una
gran parte de la fuente de 24 v, esto origina que el transistor pnp Q1 conduzca, con
una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado
al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el
UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta.

Por otra parte, si RF es grande en relacin a R1, entonces el voltaje a travs de R1


ser menor que en el caso anterior, esto provoca la aparicin de un voltaje menor a
travs del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector
y por consiguiente la razn de carga de C1 se reduce, por lo que le lleva mayor
tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto, el UJT y el triac se disparan despus
en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

6. BCT
Tiene la ventaja de ser ms compacto simplificando el sistema de enfriamiento,
mayor fiabilidad y menor costo final del convertidor. Tiene dos compuertas, una para
activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla en sentido
inverso (tiristor B). La desactivacin se logra por disminucin de la corriente andica
por debajo de la mnima de mantenimiento, similar a los SCR. El comportamiento
elctrico del BCT corresponde a dos tiristores fabricados en la misma oblea y
conectados en antiparalelo. Se integran dos medios tiristores en antiparalelo en una
pastilla de manera que no se interfieran entre s.

Los BCT son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estticos de


Volt Ampere reactivos (VAR), interruptores estticos, arrancadores suaves y
controles de motor Los tiristores controlados por fase suelen funcionar a la
frecuencia de la lnea inician la conduccin cuando se aplica un pulso de disparo de
corriente de la compuerta del ctodo.

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Figura 15. Equivalencia de un BCT con dos SCR.

6. LASCR (LIGHT ACTIVATED SILICON CONTROLLED RECTIFIER)


Dispositivo semiconductor de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR
normal, solamente que es activado por medio de energa luminosa que incide sobre
una de las junturas PN. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el
LASCR se dispara y permanece en ese estado, aunque desaparezca esa luz.

Figura 16. Representacin grfica de un LASCR.

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa de luz sobre el disco de silicio.
Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente
de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se
disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de
fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades
de di/dt y dv/dt).

En un circuito puede ser reconocido por la simbologa que muestra la figura I. Como
se observa el mismo cuenta con tres terminales Puerta (G), Anodo (A), Ctodo (K)
y una ventana transparente por donde entra la luz.

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La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500


A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250
A/ms y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms. La frecuencia de conmutacin
es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente disponen de conexiones especiales
para ser disparados con fibra ptica. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico
entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios.

6.1. APLICACIONES DEL LASCR


Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, por ejemplo,
transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva
esttica o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento
elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios.

Equipos en que se usa:


Alarmas antirrobo
Detectores de presencia en puertas y ascensores
Circuitos de control ptico en general
Relevadores
Control de fase
Control de motores
Y una variedad de aplicaciones en computadoras.

7. RCT (REVERSE CONDUCTING THYRISTOR)


Tiristor el cual cumple con las caractersticas de un tiristor comn y puede
considerarse como un tiristor con un diodo anti paralelo incorporado, este se usa en
la electrnica de potencia.

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Figura 17. Representacin grfica de un RCT y con un diodo en paralelo.

En muchos circuitos pulsadores e inversores se conecta un diodo anti paralelo a


travs de un SCR, con la finalidad de permitir el flujo de corriente inversa debido a
una carga inductiva y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de
conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 o 2 volt por
debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, en condiciones
transitorias el voltaje puede elevarse hasta 30 volt debido al voltaje inducido por la
inductancia dispersa en el circuito dentro del dispositivo. Un RCT es un intercambio
entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse
como un tiristor con un diodo anti paralelo incorporado.

Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El mismo cuenta con
tres pines nodo, ctodo y puerta. El voltaje de bloqueo directo varia de 400 a 2000
volts y la especificacin de corriente hasta 500A. El voltaje de bloque inverso es
tpicamente de 30 a 40 Volts. Dada las caractersticas de relacin entre la corriente
directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se
limitan a diseos de circuitos especficos.

8. GTO (GATE TURN-OFF)

Es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo


pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor
normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa

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en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado


de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).

Figura 18. Smbolo de GTO.

El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado


son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las
terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando
la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo
comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El
tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us.
Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la
corriente de nodo es conocido como corriente de cola.

La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la


puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo,
para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere
una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4


capas de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: nodo (A),
ctodo (C o K) y puerta (G).

La diferencia en la operacin radica en que una seal negativa en la puerta (G)


puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en
la puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una
corriente de fuga (IA leak) existe.

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Figura 19. (a)Modelo y estructura, (b) Circuito equivalente del GTO.

Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura
VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido.,
VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y
con la aplicacin de un voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA
leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra
un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin
para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa
forma.

Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la


corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de
holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda
forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms
recomendable porque proporciona un mejor control.

Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser


apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de

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dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que
los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados.

A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son


preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las
estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia,
como el factor de potencia.

9. FET-CTH

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como


se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un
voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo
para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se


puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en
las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento
elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del
convertidor de potencia.

Figura 20. Smbolo de FET-CTH.

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados
as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en

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gran nmero de aplicaciones, pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se
encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que


pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un slo tipo de portador de
cargas, y, por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material
p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen
sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente, sumidero (d-drain) y fuente
(s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

9.1. APLICACIONES DEL FET-CTH

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10. MTO (MOS TURN OFF)


El MTO (tiristor apagado por MOS) usa solo un interruptor de compuerta QG.
Durante el apagado, el interruptor de compuerta es encendido, desviando la
corriente a travs del diodo compuerta-ctodo del GTO y realizando un apagado
con ganancia unitaria.

Figura 21. Smbolo y junturas de MOS.

El MTO es un dispositivo de conmutacin basado en el GTO. El GTO requiere


una realizacin compleja de circuitos de potencia que implican diseos
cuidadosos de circuitos impulsores y snubbers. Las mejoras realizadas a
MTO son las siguientes: Mayor velocidad de conmutacin y menores
prdidas que el GTO.
Capacidad de corriente de algunos cientos de amperes, fuente de algunos
de amperes, capacidad de bloqueo de 6 KV.
Voltaje de saturacin en estado estable 4 V, la eficiencia en operacin de
convertidores de potencia es mejor que la eficiencia empleando IGBTs.
Tiempo de retardo similar al GTO, el tiempo de almacenamiento en el
apagado es ms bajo que el GTO.
El tiempo de cada de la corriente en el apagado es de 5 s. El
comportamiento de conmutacin en el encendido es limitado por el di/dt. En
el apagado en conmutacin dura las prdidas son similares al GTO.
La utilizacin de menos snubbers en el apagado del dispositivo es limitado
por la corriente crtica, porque la velocidad de subida de la corriente en el
impulsor en el apagado no es suficientemente rpida para mantener la
ganancia unitaria en la operacin de apagado.

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11. ETO (EMITTER TURN OFF)

Es otro tipo de tecnologa basada en dispositivos semiconductores superiores de


alta potencia, en este caso en la tecnologa desarrollada del GTO y del MOSFET de
potencia.

El tiristor de pagado por emisor es dispositivo semiconductor hbrido que apaga al


GTO por debajo de las condiciones de ganancia unitaria.

Figura 22. Smbolo y junturas de ETO.

El ETO combina las ventajas del GTO y del IGBT: del GTO rangos de corrientes y
voltajes grandes y voltajes pequeos de saturacin, del IGBT control por voltaje,
gran velocidad de conmutacin y un ancho RBSOA (rea de operacin segura
polarizada inversamente).

El ETO hace uso de dos interruptores para realizar una conmutacin de corriente
alta en el apagado. Durante el apagado, el interruptor de emisor QE es apagado
mientras que la compuerta del interruptor QG es encendida. Un voltaje tan alto como
el voltaje de ruptura de QE puede ser aplicado en el lazo de la compuerta de la
inductancia parsita, realizando una conmutacin de corriente rpida. Durante el
transitorio de encendido, QE es encendido y QG es apagado.

Un gran pulso de corriente es inyectado en la compuerta del GTO para reducir el


tiempo de retardo de encendido y mejorar el rango di/dt de encendido. El proceso
de apagado es controlado por voltaje y el impulsor de compuerta del ETO es muy
compacto y disipa menos potencia.

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12. IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los


atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el
MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura. Al igual que
el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario
como el TBJ.

La estructura del IGBT es similar a un MOSFET de canal n, una porcin de la


estructura es la combinacin de regiones n+, p y n- que forman el MOSFET entre el
source S y el gate G con la regin de flujo n- que es el drain D del MOSFET. Otra
parte es la combinacin de 3 capas p+ n- p, que crea un transistor de unin bipolar
entre el drain D y el source. La regin p acta como colector C, la regin n- acta
como la base B y la regin p+ acta como el emisor E de un transistor pnp. Entre el
drain y el source existen 4 capas p+n-pn+ que forman un tiristor. Este tiristor es
parsito y su efecto es minimizado por el fabricante del IGBT.

Figura 23. Smbolo de IGBT.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que


no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el
IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente ID persiste para el tiempo tON en
el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D
debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.

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Figura 24. Zonas de junturas del IGBT.

La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este


voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar
que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de
drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin
embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy
baja.

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal


gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 s, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los
50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor
el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente iD se autolimita.

Figura 25. Grficas de comportamiento de IGBT.

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El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como


de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

13. MCT (MOS-CONTROLLED THYRISTOR)


El tiristor controlado por mosfet es una mejora sobre un tiristor con un par de
MOSFET para encender y apagar actual. El MCT por sus siglas en ingls supera
varias de las limitaciones de los dispositivos existentes de poder y promete ser un
cambio mejor para el futuro. Si bien hay varios dispositivos en la familia MCT con
distintas combinaciones de canales y estructuras de la puerta.

Figura 26. Modelado de tiristor controlado por mosfet con mosfet y bjt.

Cuando el MCT est en estado de bloqueo directo, que puede ser activado mediante
la aplicacin de un pulso negativo a su puerta con respecto al nodo. El impulso
negativo se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya fuga de corriente a travs de
la unin base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende. La accin regenerativa
en Q1 Q2 convierte la conduccin en MCT on completo dentro de un tiempo muy
corto y la mantiene incluso despus del pulso de entrada se elimina. El MCT se
enciende sin una fase plasmas preading dando una alta capacidad de dI = dt y la
facilidad de proteccin contra la sobretensin.

La resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de un tiristor


equivalente debido a la degradacin de la eficiencia de la inyeccin de N? emisor =
p-base de la unin. Adems, la corriente de pico MCT es mucho ms alto que el

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promedio o calificacin de la corriente eficaz. MCT se mantendr en el estado ON


hasta que la corriente se invierte el dispositivo o un pulso a su vez-off se aplica a su
puerta.

La aplicacin de un impulso positivo a su puerta se apaga la realizacin de un MCT.


El impulso positivo se convierte en el NMOSFET (Off-FET), desviando as la base
de Q2 (PNP) hacia el nodo de la MCT y la ruptura del enganche de la accin SCR.
Esto evita que la realimentacin en el SCR y apaga la MCT.

Todas las clulas dentro del dispositivo se apagan al mismo tiempo para evitar un
sbito aumento en la densidad de corriente. Cuando el FET Off-estn activados, la
seccin de SCR es muy corto y esto se traduce en una alta dV dt = calificacin de
la MCT. La corriente ms alta que se puede apagar con la aplicacin de un sesgo
de la puerta se llama controlable corriente mxima. El MCT se puede controlar la
puerta si el actual dispositivo es menor que el actual mximo controlable. Para
corrientes de dispositivo ms pequeo, el ancho del pulso de apagado no es crtico.

Sin embargo, para las grandes corrientes, el pulso de la puerta tiene que ser ms
amplia y ms a menudo tiene que ocupar la totalidad del tiempo de parada del
interruptor.

Un MCT tiene:
1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin.
2. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de
desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v.
3. Bajas perdidas de conmutacin.
4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la

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especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a


partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin
continua a fin de evitar ambigedad de estado.

13.1. APLICACIONES DEL MCT


El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se encuentran
en la zona de ac-dc y la conversin de corriente alterna-alterna, donde la entrada
es de 60 Hz de corriente alterna. El f uncionamiento variable del factor de potencia
se logr mediante el MCT como una fuerza conmutado de interruptor de
alimentacin. El circuito de potencia de un controlador de voltaje de corriente alterna
capaz de operar a una de las principales, por detrs, y el factor de potencia se
muestra en la Ilustracin 3.

Debido a la frecuencia de conmutacin es baja, las prdidas de conmutacin son


insignificantes. Debido a la cada directa es baja, las prdidas de conduccin son
tambin pequeas. La MCT tambin se utiliza en los interruptores. Comparacin de
los MCT con otros dispositivos de potencia.

Figura 27. Aplicacin del MCT.

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14. SITH (STATIC INDUCTION THYRISTOR)


Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta,
como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo, as como una
baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y
corriente ms altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de


dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin
de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este
dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que
pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de

Figura 28. SITH.

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SIMULACIONES
1. CIRCUITO DE DISPARO PARA UN SCR
El tiristor SCR es un dispositivo electrnico que tiene la caracterstica de conducir
la corriente elctrica en un solo sentido tal como lo hace un diodo, pero para que
comience a conducir el tiristor SCR necesita ser activado, mientras el tiristor SCR
no sea activado este no conducir. Cuando el tiristor SCR no conduce se le puede
considerar como un interruptor abierto y mientras conduce como un interruptor
cerrado. Comprobaremos la operacin de un tiristor como elemento de control de
fase.
En esta prctica de simulacin se simular, vlgame la redundancia, un circuito con
ayuda del software Proteus 8 professional un circuito de disparo de potencia con el
tiristor la cual contralar la intensidad lumnica de una lmpara.

1.1. Componentes necesarios


1 SCR C-106B
1 Resistencia de 3.3 k- W (R1)
1 Resistencia Variable
1 Diodo rectificador IN4007 o equivalente
1 Lmpara miniatura 127 Vca
1 Fusible de 0.5 Amp. c/porta fusible
Fuente de alimentacin de 127 Vca
Osciloscopio
Voltmetro

1.2. Creacin en proteus


Antes de empezar a simular en Proteus es necesario obtener las caractersticas
elctricas y fsicas del SCR C106B o sustituto. Estas caractersticas se presentan
en la parte final de este apartado (SIMULACIONES) junto con las caractersticas
fsicas, includas en el datasheet y aplication note.

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Figura 29. Configuracin del SCR C-106B.

Calcular el valor de R2 para el circuito bsico de disparo mostrado en la sig. figura.

Figura 30. Circuito bsico para el disparo de un SCR C-106B.

Datos:
R1 = 3.3 K
VMax = 127 Vca
IGT = 200 f

Por ley de Ohm:


VMax = IGTRab

Despejando Rab y sustituyendo valores para obtener Rab


Rab = R1 + R2,

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Despejamos R2
R2= Rab - R1

Luego, con el osciloscopio determinar el ngulo mximo y mnimo de retardo en el


disparo para el SCR.

Los valores obtenidos en el osciloscopio fueron los siguientes:


tMax = 480 s (incremento o diferencia de tiempo)
tMin = 400 s
T=16.67ms (periodo)
Max Retardo.
Min Retardo.

A continuacin, se muestra la simulacin del circuito.

Figura 31. Circuito bsico simulado para el disparo de un SCR C-106B.

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Aqu se muestran las grficas obtenidas y las formas de onda en el tiristor, en la


carga para cada uno de los ngulos de retardo en el disparo.

Figura 32. Onda obtenida del SCR.

Figura 33. Onda obtenida del SCR.

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Figura 34. Onda obtenida del SCR.

Figura 35. Onda obtenida del SCR.

Como el ngulo mximo de retardo en el disparo era demasiado pequeo debido a


que se necesitaba un potencimetro de un valor mucho ms elevado para que se
pudiera observar con una mayor claridad. Se cambi el potencimetro de 1 M por
uno de 2M, en teora el potencimetro adecuado debera de ser de 1M, pero debido

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a la diferencia de propiedades elctricas y fsicas de tiristores no se alcanzaba


apreciar con claridad donde el SCR C106B se disparaba por eso es que cambie
dicho potencimetro por otro de mayor resistencia.

Conclusiones
Con el desarrollo de esta prctica-simulacin pudimos comprobar y obtener los
ngulos de retardo mximo y mnimo de un tiristor, ya que los anlisis para obtener
dichos ngulos se hacen por medio de anlisis en condiciones ideales, por eso es
que los resultados que nosotros obtuvimos al desarrollar esta prctica no coincidan
con los resultados deseados.

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2. CIRCUITO DE DISPARO DE UN TRIAC


El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar
el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en
ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la
corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado
independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente
de puerta positiva o negativa.

En esta prctica de simulacin se simular, vlgame la redundancia, un circuito con


ayuda del software Proteus 8 professional donde interactuar el Triac con el Diac y
se observar el comportamiento que provocan en una lmpara de 120 v a 60 Hz.

2.1. Componentes necesarios


Los componentes son de acuerdo a la nomenclatura que usa dicho programa ya
que, si en alguna instancia se desea reproducir de nuevo esta simulacin, slo basta
con introducir el nombre del componente en Proteus y automticamente lo buscar.
Alternator
Capacitor
Diac
TECCOR L201E3
Lamp
Pot-HG
Resistor

2.2. Creacin en Proteus


El primer paso es ensamblar el circuito en el simulador. Es importante sealar que
lo primero se tiene que tener hacer es conocer el circuito que se va a reproducir,
teniendo este en cuenta pasamos a simular.

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Figura 36. Simulacin del TRIAC.

Se puede observar que todos los componentes estn unidos de acuerdo a nuestra
Aplication Note y as evitar cualquier incertidumbre al momento de comprobar las
grficas en el osciloscopio.

El segundo paso es observar el comportamiento de los componentes de mayor


inters dentro del circuito en este caso ser el Diac, Triac, lmpara y el capacitor.
Primero observaremos la onda que nos genera la carga o la lmpara.

Figura 37. Obtencin de una seal mediante el osciloscopio.

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Estamos observando que es una onda sinuodal, que quiere decir esto que este ciclo
tiene parte negativa y parte positiva debido a que estamos utilizando un Triac o
tiristor que dispara en semi-ciclo positiv como en negativo. En segunda instancia
observaremos el comportamiento de la onda de voltaje que nos genera el triac.

Figura 38. Obtencin de una seal mediante el osciloscopio.

Se puede afirmar que tambin la onda del Triac nos genera los semi-ciclos positivo
y negativo ya que este componente nos permitir conducir la corriente en ambas
direcciones. La tercera observacin a la onda de voltaje de la compuerta.

Figura 39. Obtencin de una seal de voltaje de la compuerta.

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Confirmamos que tambin tiene el mismo comportamiento que el Triac, ya que la


compuerta est en sincrona con el Triac. Por ltimo, observemos l comporta
miento de la lmpara cuando manipulamos el potencimetro.

Figura 39. Manipulacin de la lmpara por un potencimetro.

Cuando el potencimetro est al 9% de su capacidad la lmpara no sufre ningn


cambio.

Figura 39. Manipulacin de la lmpara por un potencimetro con 9%.

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En este caso lo giramos hasta el 50% de su capacidad y observamos que si hay


cambios en el comportamiento de la lmpara.

Figura 40. Manipulacin de la lmpara por un potencimetro con 50%.

Colocamos el potencimetro al 100% y la lmpara aumento la intensidad de luz.

Figura 41. Manipulacin de la lmpara por un potencimetro con 100%.

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3. CIRCUITO DE DISPARO DE UN RC DIAC


Un Diac es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo
bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su
tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor
caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el
mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una
tensin de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es
similar a una lmpara de nen. Pasamos a realizar el circuito y nos queda de la
siguiente manera.

En esta prctica de simulacin se simular, vlgame la redundancia, un circuito con


ayuda del software Proteus 8 professional donde interactuar el Diac y se observar
el comportamiento que provocan en una lmpara de 120 v a 60 Hz.

Figura 42. Simulacin de un circuito de disparo de un Diac.

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Teniendo terminado el circuito pasamos a conectarle el osciloscopio, el canal 1 lo


colocamos a la carga (foco), el canal 2 al capacitor, y el canal 3 al DIAC, como se
muestra a continuacin.

Figura 43. Conexiones al osciloscopio.

En las siguientes imgenes se muestra las mediciones del ngulo de disparo del
DIAC.

Figura 43. Mediaciones del ngulo de disparo.

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A continuacin, se muestra el ngulo de disparo del Diac en 0% activa la lmpara,


se puede observar la forma que toma la seal, en forma de onda sinusoidal.

Figura 43. Mediaciones del ngulo de disparo a 0%.

El Angulo de disparo del Diac en 20% el voltaje disminuye provocando que baje la
intensidad de la lmpara.

Figura 44. Mediaciones del ngulo de disparo a 20%.

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En el ngulo de disparo del Diac a 50% el voltaje disminuye provocando que baje la
intensidad de la lmpara.

Figura 45. Mediaciones del ngulo de disparo a 50%.

El ngulo de disparo del Diac en 100%, el voltaje disminuye provocando la lmpara


se desactive.

Figura 46. Mediaciones del ngulo de disparo a 100%.

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Teniendo conectado pasamos hacer las mediciones el tiempo de carga y descarga


del capacitor.

Figura 46. Mediaciones al capacitor.

Tiempo de carga del capacitor 100%.

Figura 47. Mediaciones al capacitor al 100% de tiempo de carga.

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Tiempo de carga del capacitor 100%.

Figura 48. Mediaciones al capacitor.

Figura 49. Mediaciones al capacitor.

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A continuacin, se muestra el osciloscopio con los canales abiertos en los que se


puede mostrar las tres seales simultneamente.

Figura 50. Canales abiertos en el osciloscopio.

En la siguiente tabla podemos apreciar el tiempo de carga y descarga del capacitor


en sus diferentes resistencias.

Clculos matemticos.
1 1
= = = 16.67
60

Para una resistencia de 20 K.


16.67 = 360

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1.1 =

1.1
= (360) = 23.5
16.67

= (20)(220) = 4.4106

Para una resistencia de 50 K


16.67 = 360

3.1 =

3.1
= (360) = 66.9
16.67

= (50)(220) = 0.011

Para una resistencia de 100 K.

16.67 = 360

7.7 =

7.7
= (360) = 172.7
16.67

= (100)(220) = 0.022

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Conclusiones.
Como pudimos observamos en los tres diferentes circuitos que travs de las seales
el tiempo que tarda el capacitor para cargarse y descargarse, es lo que necesita el
DIAC para empezar a conducir y encender el foco, en el circuito RC, es exactamente
igual el tiempo de descarga que ocupa el TRIAC para llegar al punto mximo y hacer
que el foco nos enciende, y en el circuito RC DOBLE tarda el doble de tiempo en
encender y apagar.

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4. CIRCUITO DE DISPARO DE UN UJT


El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo
con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de
disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN.

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo


para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos
bases y un emisor. Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con
conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con
un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.

Figura 51. Smbolo de un transistor UJT.

Figura 52. Uniones del transistor UJT.

Donde:
n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

En esta prctica de simulacin se simular, vlgame la redundancia, un circuito con


ayuda del software Proteus 8 professional donde interactuar UJT y se observar
el comportamiento de las seales manipuladas por l mismo.

La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a


0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

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Control mnimo de la onda:

Figura 53. Simulacin del circuito de disparo de un UJT.

En este circuito lo que hace el UJT es que el capacitor se carga hasta llegar al voltaje
de disparo del transistor, cuando esto sucede este se descarga a travs de la unin
E-B1. Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor
inicia su carga otra vez.

El Diodo zener lo que hace es que si el diodo zener se polariza en sentido directo
se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona
polarizado inversamente mantiene entre sus terminales un voltaje constante.

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Control mximo de la onda:

Figura 54. Medicin de voltaje mximo en el circuito UJT.

Figura 55. Medicin de voltaje mximo en el circuito UJT.

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Figura 56. Medicin de voltaje mximo en el circuito UJT.

El potencimetro lo que hace es variar la frecuencia de oscilacin se puede


modificar con este elemento R3 lo que hace es proteger el E del UJT de una sobre
corriente. La frecuencia de oscilacin est aproximadamente dada por: F = 1/R2C .
Esto quiere decir que la frecuencia depende de cmo se vari el potencimetro.

Clculo matemtico.
Un UJT 2N4346 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de
disparo aproximado?

Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios.

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber
entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.

Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es


de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario.

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Este se comporta de igual forma que el UJT, pero con las polaridades de las
tensiones al revs.

Conclusin
En esta prctica-simulacin se comprendi los usos y aplicaciones del UJT los
conceptos bsicos. Detalles y contratiempos: El armado del circuito se llev a cabo
sin ningn problema ni contratiempo en el software Proteus 8.1.

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DATASHEET Y APLICATION NOTES

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