Está en la página 1de 13

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

INFORME PREVIO
N7
EXPERIMENTO N7 : Rgimen Transitorio de Circuitos
....R-L-C

ASIGNATURA : Lab. de Circuitos Elctricos I

DOCENTE : Judith Luz Betetta Gmez

CDIGO DE CURSO : EE131

SECCIN : S
CICLO : 2016-I

ALUMNA:

Rodas Lpez, Melanie Elena 20132619B

2016
NDICE

1. OBJETIVO ...............................................................................................................................1
2. CUESTIONARIO: ...................................................................................................................1
3. ANEXO: ..................................................................................................................................11
3.1. Hoja de datos: .....................................................................................................................11
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
ESPECIALIDAD: INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES

RGIMEN TRANSITORIO DE CIRCUITOS


R-L-C
1. OBJETIVO
Observar la respuesta de un sistema de 2do orden R-L-C, con amortiguamiento
subcritico y critico.
Medir experimentalmente el periodo T y el coeficiente de amortiguamiento de
la respuesta.
Definir el inductor
Estudiar la estructura de la inductancia
Estudiar el almacenamiento de energa en un inductor
Simulaciones

2. CUESTIONARIO:
1) En el circuito del mdulo de trabajo para valores de resistencia de carga de 30K y 50
K respectivamente haga las simulaciones de voltaje correspondientes, considere los
casos crticamente amortiguado, subamortiguado, y sobreamortiguado.
PARA R=29.38K:

SOBREAMORTIGUADO(R=resistencia del potencimetro.)

Pgina 1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

CRTICAMENTE AMORTIGUADO

Pgina 2
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

SUBAMORTIGUADO

Pgina 3
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

PARA R=49.28K:
SOBREAMORTIGUADO(R=resistencia del potencimetro.)

Pgina 4
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

CRTICAMENTE AMORTIGUADO

Pgina 5
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

SUBAMORTIGUADO

Pgina 6
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

2) En el circuito del mdulo de trabajo para el caso de resistencia de carga de 0 K, haga


las simulaciones de voltaje correspondientes, considere los casos crticamente
amortiguado, subamortiguado, y sobreamortiguado.

CRTICAMENTE AMORTIGUADO

Pgina 7
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

SUBAMORTIGUADO

Pgina 8
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

SOBREAMORTIGUADO

Pgina 9
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

3) Compare el comportamiento de las grficas en los 3 casos (resistencia de carga de


30K , 50K y 0 K) haga los comentarios necesarios

Para el caso de 29.88k, observamos que la amplitud del voltaje en el


sobreamortiguado y crticamente amortiguado es menor que el voltaje
suministrado por la fuente .
Para el caso de 49.28k, observamos que la amplitud del voltaje en el
sobreamortiguado y crticamente amortiguado es mayor que el voltaje
suministrado por la fuente .
Para el caso de 0k, la amplitud del voltaje resultante es el mismo voltaje
suministrado por al fuente.
Se puede ver que el periodo en todos es aproximadamente de 50ms.

Pgina 10
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

3. ANEXO:
3.1. Hoja de datos:

:
Pgina 11

También podría gustarte