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El Transistor Bipolar de Unin (BJT)

(Spanglish Version 2006)


Operacin del BJT

El comportamiento de un BJT puede analizarse a


travs de sus curvas caractersticas, de forma
EL TRANSISTOR BIPOLAR similar a como se hace con el diodo de unin. El
DE UNIN (BJT) es un fenmeno de la corriente en el transistor, en
dispositivo que amplifica la configuracin BASE COMN es un fenmeno
intensidad de corriente. que se puede representar de la siguiente forma:
Se caracteriza porque la N P N
corriente de salida es ----- + -----
----- + -----
controlada por la corriente E
----- + ----- C
de entrada y amplificada en - - - - - ++ - - - - -
----- + -----
un factor llamado . De ah - - - - - - -+-+-+-+-
++++
que se dice que la corriente B
de salida es una variable
que depende tanto de la VBE VCB
intensidad de corriente a la
entrada como de la del
transistor.
- + + -
MILIAMPERMETROS

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Operacin del BJT
El comportamiento de un BJT puede analizarse a
travs de sus curvas caractersticas, de forma
EL TRANSISTOR BIPOLAR similar a como se hace con el diodo de unin. El
DE UNIN (BJT) es un fenmeno de la corriente en el transistor, en
dispositivo que amplifica la configuracin BASE COMN es un fenmeno
intensidad de corriente. que se puede representar de la siguiente forma:
Se caracteriza porque la N P N
corriente de salida es - -- -- -- -- + -- -- -- -- -
- -- -- -- -- + -- -- -- -- -
controlada por la corriente E
- -- -- -- -- + -- -- -- -- - C
de entrada y amplificada en - -------- ++ -- -- -- -- -
- -------- + -- -- -- -- -
un factor llamado . De ah - -------- - -+-+-+- +-
++++++++
que se dice que la corriente B
de salida es una variable
VBE 1 VCB
que depende tanto de la
intensidad de corriente a la 100 99
entrada como de la del
transistor.
- + - +
MILIAMPERMETROS
Operacin del BJT

El BJT se comporta como un gran nodo en el cual se cumple la Ley de


Kirchhoff de corrientes:

Corriente entrante = Corriente saliente


Corriente de Emisor = Corriente de Base + Corriente de Colector.

N P N
IE = IB + IC - -- -- -- -- + -- -- -- -- -
- -- -- -- -- + -- -- -- -- -
E
- -- -- -- -- + -- -- -- -- - C
- -------- ++ -- -- -- -- -
- -------- + -- -- -- -- -
- -------- - -+-+-+- +-
Sin embargo, la corriente de ++++++++
colector est formada por dos B
componentes: los portadores 1
VBE VCB
mayoritarios y los minoritarios.
A la corriente minoritaria se le 100 99
denomina ICO por lo que:
- + - +
IC = IC mayoritaria + ICO MILIAMPERMETROS

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Configuraciones del BJT.

Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse de


manera que quede una terminal comn en su circuito de
polarizacin; es decir, un elemento que forma parte tanto del lazo de
entrada como del lazo de salida. ste puede ser cualquiera de las
tres terminales del dispositivo. As entonces, se tienen tres
configuraciones:

BASE COMN. EMISOR COMN. COLECTOR COMN.


C E
E C
B B Tipo NPN
B
E C
C E
E C
B B Tipo PNP
B
E C

Configuracin Base Comn

La base es comn a la entrada (emisor base) y a la salida (colector base)

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Caractersticas de Base comn.

Para describir un dispositivo de


3 terminales, se requiere de 2
conjuntos de caractersticas:
Uno para la entrada.
Otro para la salida

Corriente de entrada IE vs tensin de entrada VBE para varas tensiones de salida VCB.

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Output Caractersticas
Characteristics de
forsalida
a Common-Base
Base comn.Amplifier
a
S alid
de
nte
rrie

Entrada
Co

Tensin de Salida
Corriente de salida IC vs tensin de salida VCB para varias corrientes de entrada IE.

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3 Regiones de Operacin

Activa
Amplificador.

Corte
Apagado. Hay tensin pero poca corriente.

Saturacin
Encendido. Baja tensin y corriente alta.

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Emisor (P) Colector (P)


Uniones:
Emisor-Base, directamente
B (N)
Colector-Base, inversamente
VEB VBC
Cmo son las corrientes por los terminales
del transistor?
E (P) C (P)
B (N)
IE = IB + IC IB
IE +
VEB
- -
VCB
+ IC
VEB VBC

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Output Caractersticas
Characteristics de
forsalida
a Common-Base
Base comn.Amplifier
a
S alid
de

mA
nte

=0
rrie

E
I
Co

do
an
Cu
Tensin de Salida
Corriente de salida IC vs tensin de salida VCB para varias corrientes de entrada IE.

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Cuando IE = 0mA
IC = ICBO = ICO 0mA
(no se nota en la fig. anterior por la
escala!)

Pero por tratarse de una corriente de saturacin


inversa no debe olvidarse que puede convertirse
en un factor importante al aumentar la
temperatura

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As, en la regin activa:

IC IE [Formula 3.3]

En la regin de corte, tanto la unin base-emisor como


colector-base se encuentran polarizadas
inversamente.(regin donde IC es cero.)

En la regin de saturacin (aquella a


la izq. de VCB =0), tanto la unin base-
emisor como colector-base se
encuentran polarizadas en directa.

Por otro lado, se puede ver que


variaciones de VCB no provocan grandes
cambios en la corriente de salida IE una
vez que se supera el umbral de la unin
base-emisor; por lo que se puede
aproximar tambin que:

V BE = 0.7

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Alfa ()

Alfa () relaciona las corrientes en DC debidas a los portadores mayoritarios IC con IE :

IC
dc = [Formula 3.5]
IE

Idealmente = 1, pero en dispositivos reales est entre 0.9 y


0.998.
Tenamos que
IC = IC mayoritaria + ICBO
Sustituyendo alfa:
IC = IE + ICBO

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Alfa ()

Para condiciones de ac, donde el punto de operacin se desplaza sobre la curva


caracterstica:

IC
ac =
IE V CB = constante
[Formula 3.6]

ac se denomina: factor de amplificacin de base comn de corto circuito.


Aunque su valor difiere ligeramente de dc generalmente son muy parecidas
y se les puede utilizar indistintamente en los clculos.

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Accin amplificadora del transistor

Vi 200mV
IE = Ii = = =10mA
Ri 20
IC IE as que IL Ii = 10mA

VL = IL * R = (10mA)(5k) = 50V

VL 50V
Av = = = 250
Vi 200mV

Vase que la accin de amplificacin se


produjo mediante la transferencia de una
corriente desde un circuito de baja
resistencia a uno de alta resistencia.

transferencia + resistor = transistor.

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Accin amplificadora del transistor

La resistencia ac de entrada es muy pequea


(tpicamente entre 10 y 100 ohms) .

Por ejemplo 0.7V @ 8ma

Pero a la salida generalmente es


muy alta (tpicamente entre 50 kilo
y 1 mega ohm) .

Por ejemplo 10V @ 2ma

Configuracin Emisor-comn.

Salida
Entrada

El emisor es comn tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-emisor).


La entrada est en la base y la salida en el colector.
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Aunque cambia la configuracin, las siguientes relaciones siguen siendo aplicables:
IC = IE + ICBO IE = IB + IC
0

Caracterstica del colector = caracterstica de salida.


Caracterstica de la base = Caracterstica de entrada.

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Ntese que las grficas de IB no son tan horizontales como las de IE base-comn; por ello
la tensin colector-emisor tendr influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.

En la regin activa de un
amplificador emisor comn, la
unin base-emisor se
encuentra polarizada en
directa, mientras que la de
colector-base en inversa.

Vase tambin que la regin


de corte no est bien definida,
ya que IC no es cero cuando
IB=0

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La razn de lo anterior es:
Cosiderando el caso en que IB=0, y un
IC = IE + ICBO valor tpico de =0.996:

IC = (IC + IB)+ ICBO (0 A) I CBO


IC = +
1 1 0.996
IC = IC + IB+ ICBO
I C = 250 I CBO
IC = IC + IB+ ICBO
Como referencia general, la corriente de
IC - IC= IB+ ICBO colector cuando IB=0, ser:

IC (1- )= IB+ ICBO ICBO


corrriente de corte = ICEO =
1
I B I CBO
I B =0

IC = +
1 1

Beta ()

IC
En DC : dc = [Formula 3.10]
IB
IC
En CA: ac = [Formula 3.11]
IB VCE = constante

indica el factor de amplificacin del transistor de CD en emisor comn, y en las hojas de


datos se le refiere como hfe
Modelo Hbrido

cd = hFE ca = h fe
Ntese que

maysculas minsculas

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Determinando beta () de la curva
(3.2mA 2.2mA) 1mA
AC = = (paraVCE = 7.5) = 100
(30A 20A) 10A

Note: AC = DC
2.7mA
DC = (paraV CE = 7.5) = 108
25 A

Characteristics in which ac is the same everywhere and ac = dc.

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Relationship between and
Both indicate an amplification factor.

[Formula 3.12a]

=
+1

[Formula 3.12b]
=
1

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provides a Relationship between Currents

IC = IB [Formula 3.14]

[Formula 3.15]
IE = ( + 1)IB

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Common Collector

The input on the Base and the output is on the Emitter.


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Characteristics of Common Collector


The Characteristics are similar to those of the Common-Emitter.
Except the vertical axis is IE.

IE

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FIGURE 3-21 Common-collector configuration used for impedance-matching purposes.

Alta impedancia de entrada y baja


impedancia de salida (contrario a base-
comn y emisor-comn

Pobre

Deseable

Sobre-
acoplado

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Limitations of Operation for Each Configuration

Note: VCE is at maximum and IC is at minimum (ICmax=ICEO) in the cutoff region.


IC is at maximum and VCE is at minimum (VCE max = VCEsat = VCEO) in the
saturation region.
The transistor operates in the active region between saturation and cutoff.
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Power of Dissipation

Common Base: PCmax = VCBIC [Formula 3.18]

Common Emitter: PCmax = VCEIC [Formula 3.16]

Common Collector:
PCmax = VCEIE

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Transistor Specification Sheet

Valores nominales (mximos

Caractersticas trmicas
Apagado
Encendido

Caractersticas elctricas
Pequea seal
(amplificador)

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Transistor Testing
1. Curve Tracer
Provides a graph of the characteristic curves.
2. DMM
Some DMMs will measure DC or HFE.
3. Ohmmeter

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Transistor Terminal Identification

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