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Juntura NP

Joan Mendoza y Marco A. Ramos C.

Octubre, 2015

Abstract
En el estudio del comportamiento de los dispositivos electrnicos y

de semiconductores las junturas NP, son en esencial importantes para el

anlisis y diseo de los posteriores componentes como transistores y otros.

En la presente prctica se encontrar las caractersticas del mismo como:

el tiempo de recuperacin reverso, la frecuencia mxima de operacin,

los parmetros de la ecuacin de corriente, la capacitancia de difusin, la

conductividad y su respuesta en frecuencia. Finalmente se observar el

efecto de ruptura en el diodo zener.

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1 Introduccin

El tiempo de recuperacin reversa, consta de la suma 2 tiempos; que despus de


que se retira su polarizacin directa, tarda en recuperar su estado inicial, que
surge del comportamiento y de la naturaleza de la juntura.

Figure 1: Diagrama de tiempos de un diodo debido a una seal peridica

El tiempo ts de la grca, llamado tiempo de almacenamiento, es el tiempo


en el cual se genera una corriente reversa debida a la recombinacin de los
electrones que estaban en transito en la zona de conduccin y regresan a la
zona de valencia, generando una pequea corriente reversa en ese tiempo que
es constante. Luego de ese tiempo, los pares electrn-hueco que vuelven a
recombinarse en la zona de agotamiento, durante un tiempo, tt , tiempo de
transicin hasta alcanzar el equilibrio. Durante este tiempo la corriente reversa
decae hasta llegar a la neutralidad, es decir a cero. La suma algebraica de estos
dos tiempos resulta en el tiempo de recuperacin reversa de un diodo (Figura
N. 1).
El comportamiento general de un diodo se puede observar en la siguiente
grca:

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Figure 2: Comportamiento general de un diodo en voltaje reverso y directo

Un diodo Zener tambien se lo conoce como diodo avalancha debido al


aumento de corriente llegado a un voltaje reverso. El efecto avalancha surge
cuando la polarizacin inversa incrementa hasta que la corriente, que permaneca
constante, aumenta considerablemente. El voltaje reverso crea un campo elc-
trico los sucientemente fuerte en la zona de agotamiento para generar pares de
electron-hueco por energa trmica. La vibracin de tomos ionizados produce
un efecto avalancha en los dems tomos provocando una alta corriente. En el
silicio, el efecto de ruptura causado por energa trmica es considerado hasta los
7V.
A pesar de que el diodo este altamente dopado y la regin de agotamiento
sea ancha, el campo elctrico es lo sucientemente fuerte para acelerar a los
electrones y provocar un efecto tunel a travs de la regin. De igual manera,
si el voltaje sobrepasa los 7V, el efecto tunnel es el causante principal de la
ruptura.

2 Resultados y anlisis.

2.1 Tiempo de recuperacin reversa.

En la recuperacin reversa se utiliz el circuito descrito en la gura N.2

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Figure 3: Regresin lineal del la conductividad en funcin de la temperatura

El objetivo fue encontrar la frecuencia mxima de funcionamiento del diodo.


Se envi una seal peridica a travs de un generador de onda cuadrada. Los
parmetros fueron:
*Amplitud: 10 V
*Seal: Cuadrada
La frecuencia mxima de funcionamiento se la obtuvo cuando la onda obtenida
por el osciloscopio se distorcion, y se observe un pico en el cambio de polar-
izacin de la seal.
La seal recibida en la caida de potencial en el diodo debido a una cuadrada
se observa en la siguiente gura

Figure 4: Regresin lineal del la conductividad en funcin de la temperatura

En este punto donde el tiempo de almacenamiento es mximo, se consider

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como el punto de funcionamiento a su frecuencia mxima.
A una mayor frecuencia se puede observar el que los tiempos de almace-
namiento y recuperacin disminuye adaptndose lo mejor posible al cambio de
polarizacin (Figura N.5)

Figure 5: Regresin lineal del la conductividad en funcin de la temperatura

En la grca anterior observamos que el tiempo de almacenamiento comienza


a reducirse de sta manera la corriente reversa contenida en el diodo no alcan-
zara llegar a la neutralidad es decir a cero; de la misma manera, los electrones
no alcanzan a recombinarse en la zona de agotamiento.

sta frecuencia determina el doble del tiempo mnimo que el diodo tiene para
recuperarse antes de dejar de funcionar, as el tiempo de recuperacin reverso
es el inverso de sta frecuencia.

Los resultados obtenidos se muestran en la siguiente tabla

Table 1: Resultados obtenidos del tiempo de recuperacin reversa


Frecuencia mxima Tiempo recuperacin
[Khz] reverse [s]

353,41 1,2148

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2.2 Caracterstica del Diodo Zener en polarizacin directa
e inversa.

El circuito para obtener la caracterstica del Zener:

Figure 6: Diagrama de circuito para la polarizacin directa e inversa del diodo Zener

En este caso, se vari la fuente de voltaje para obtener diferentes valores de


corriente I y voltaje V que pasa a travs del diodo. El mismo proceso se utiliz
para determinar el caso de la polzarizacin inversa del diodo. La resistencia
utilizada fue 680 y 12V de la fuente de tensin
Los valores obtenidos de tensin y corriente a travs del diodo zener se
muestran en las siguiente tabla:

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Table 2: Voltaje y corriente de un diodo zener en polarizacin directa e inversa
Voltaje [V] Corriente [I]

0,817 0,027
0,813 0,024
0,809 0,021
0,806 0,018
0,8 0,015
0,794 0,012
0,789 0,009
0,779 0,006
0,756 0,003
0,726 0,001
-2,003 -0,0015
-7,21 -0,001
-9,34 -0,0015
-10,33 -0,002
-11,86 -0,002
-11,9 -0,003
-11,92 -0,004
-11,95 -0,005
-12,13 -0,01
-12,16 -0,011

La caracterstica obtenida del diodo zener para polarizacin inversa y directa


se puede observar en la siguiente grca:

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Figure 7: Diagrama de circuito para la polarizacin directa e inversa del diodo Zener

Se puede observar que la gura 7 es muy similar al rgimen mostrado por la


gura 2.
En la caracterstica se debe poner atencin en varios puntos debido a la
caracterstica propia del Zener.
En la zona reversa:

1. La corriente vara muy poco conforme el voltaje disminuye, se lo puede


considerar como un circuito abierto.

2. Cuando se alcanza a los -12 V, se produce un aumento considerable en la


corriente conocido como Ruptura por avalancha. En este caso, tambin se
puede observar que la resistencia dinmica disminuye considerablemente
(Observar gura 7, relacin V-I).

(a) Resistencia dinmica en la zona de ruptura: RdB = 33, 3


(b) Resistencia dinmica en la zona de polarizacin inversa RdI = 19, 7k

En la zona directa:

1. Cuando se alcanza un valor aproximado de +1V, la corriente aumenta de


nuevo y la corriente retoma sus orgenes de una juntura NP normal. En
un diodo comn la corriente se conforma por la recombinacin de pares
de electrones-huecos y de difusin de portadores minoritarios en las zonas
quasi neutrales.

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Para comprobar el comportamiento comn de una juntura NP en la zona de
polarizacin directa se hizo una regresin exponencial obteniendo la siguiente
grca y sus respectivos parmetros:

Figure 8: Diagrama de circuito para la polarizacin directa e inversa del diodo Zener

Parmetros de ecuacin:

I(V ) = 1, 62 1015 (eV /0,026 1)

Por lo tanto se puede determinar que:

La corriente de saturacin es: Is = 1, 62 1015 [mA]

Se puede comprobar e valor de KT=0,026 en el denominador del exponente


del exponencial

2.3 Efecto capacitivo en la juntura NP

En este proceso se utiliz un LCR- metro para obtener los valores de Voltaje,
Conductancia y capacitancia para diferentes frecuencias. Las grcas de cada
caracterstica se muestra en la siguiente grca:

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Figure 9: Capacitancia en funcin de la frecuencia para cada voltaje aplicado

Se puede observar que a altas frecuencias la capacitancia disminuye consid-


erablemente, por otro lado variaciones de hasta tres rdenes de magnitud no
produce un cambio signicativo.
La baja capacitancia se debe a la incapacidad del diodo para responder a las
altas frecuencias, el tiempo de almacenamiento ya es muy corto para que pueda
trabajar normalmente.

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Figure 10: Conductancia en funcin de la frecuencia para cada voltaje aplicado

En este caso la variacin de seales es tan rpida que la conductancia au-


menta a casi el doble de su valor original en bajas frecuencias. En la gura 9, se
observ que a mayor frecuencia la capacitancia disminua, es decir, empezaba a
comportarse como un cortocicuito, con el aumento de la conductancia se puede
comrprobar esta aceveracin.
Los resultados obtenidos de las dos grcas se resume en la siguiente tabla

Table 3: Resultados obtenidos del efecto capacitivo de la juntura a bajas fre-


cuencias
Capacitancia promedio n
a baja frecuencia [nF] [seg ]
0,6754 3,85

3 Conclusin

Se pudo comprobar con gran ecacia el comportamiento de los diodos, es decir


de las junturas NP. En el caso del diodo Zener se pudo entender y determinar el
voltaje cuando se produce la ruptura en polarizacin reversa y determinar que
es debido al efecto tunel de los portadores a travs de la banda prohibda porque
supera los 7 voltios de tensin, nalmente se obtuvo la caracterstica del diodo

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para la polarizacin directa. Adems, se logr comprobar como se comporta
un diodo cuando la frecuencia de una seal supera el tiempo de respuesta,
por lo tanto no trabaja correctamente, el valor encontrado fue 353 Hz. Vale
la pena mencionar que el incremento de la frecuencia afecta ms al tipo de
almacenamiento que al de recuperacin por las razones antes determinadas.
Finalmente se pudo comprobar con xito el comportamiento de la juntura
NP cuando se le aplica bajas y altas frecuencias, en especco de la capacitancia
y la conductancia.

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4 Bibliografa

Sze, S., & Ng, K. (2007). Physics of semiconductor devices (3rd ed.). Hoboken,
N.J.: Wiley-Interscience.
Colinge, J., & Colinge, C., (2005). Physics of Semiconductor Devies. New
York. Kluwer Academic Publishers

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