PREVIO N2

DISPARO DE UN TIRISTOR
CON CIRCUITOS INTEGRADOS
UJT Y PUT

CURSO: ELECTRNICA DE POTENCIA

ALUMNO: SERGIO ALEXANDER MONDRAGN SILVA
CDIGO: 20132597I
SECCIN: B

28 de abril el 2017
 2
INDICE
1 OBJETIVOS
..3
2 EQUIPOS Y
MATERIALES
...3

3 FUNDAMENTO
TERICO
..4
3.1DISPARO POR
UJT
4
3.2NOMENCLATURA DEL
UJT.7
3.3DISPARO POR
PUT..
8

4 PROCEDIMIENTO.....................................................
.................10
4.1PRIMERA PARTE:
UJT
.10
4.2SIMULACIN PRIMERA
PARTE.10
4.3SEGUNDA PARTE:
PUT
11
4.4SIMULACION SEGUNDA
PARTE11

5 LINKOGRAFIA
.12
 3

PREVIO DEL LABORATORIO N1

DISPARO DE UN TIRISTOR CON COMPONENTES
DISCRETOS
1.OBJETIVOS:
Comprobar experimentalmente el disparo de un tiristor con elementos
discretos y este est conectado a una carga.

Disear circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados

UJT y PUT.

Armar circuitos de activacin de un tiristor y observar las ventajas y

desventajas de cada uno de ellos.

2. EQUIPOS Y MATERIALES:

1 Osciloscopio digital
1 Multmetro digital
1 Tiristor 2N3669 o equivalente.
 1 Protoboard 4
1 Foco con su socket (carga)o motor monofsico
Condensadores de 0.22, 0.5 y 1.5,10,30 uF a 50 v
Resistencias cuyos valores determino en el diseo
1 Potencimetro de 100K y 2W de potencia

3. FUNDAMENTO TERICO:
3.1 DISPARO POR UJT.
El Transistor Uniunin, UJT es un popular dispositivo usado en los
osciladores de relajacin para el disparo de Tiristores. El UJT est
constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en dos
electrodos o bases denominadas B1 y B2. El valor de esta resistencia
est comprendido entre 4 y 9 K. En un punto de ella se crea un diodo
PN que realiza la funcin de emisor
del UJT. Circuito de regulacin de
voltaje eficaz aplicado a la carga
 5

Para que el UJT trabaje correctamente, es necesario polarizarlo de forma

adecuada.
Si los terminales B1 y B2 estn polarizados en directo con una tensin
VBB, se crea un divisor de tensin entre el contacto de la regin P y los
terminales B1 y B2, tal que el voltaje entre la regin P y el terminal B1
ser:

RB1
V RB 1= V BB =V BB
R B 1+ R B 2

Donde:

RB1
=
R B 1 + RB 2

El valor tpico del coeficiente, lo suministra el fabricante y est

comprendido entre 0.5 y 0.8
 Si con esta configuracin
6 se aplica una tensin VE < VC, el
diodo se polariza en inverso y no conducir. Pero si por el contrario, se
aplica una tensin VE tal que se verifica que VE VP, (siendo VP = VC +
VD y VD la tensin directa de saturacin del diodo), el diodo quedar
polarizado en sentido directo, circulando una corriente entre el emisor E
y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de resistencia R1 una
corriente de portadores (huecos). La nueva concentracin de portadores
en esa zona hace que la resistencia R1 disminuya haciendo a su vez que
baje el voltaje VC, con lo que aumentar la intensidad IE. De esta
manera, se crear una zona de resistencia negativa inestable. Si se
disminuye la tensin VEB1, entonces disminuye IE. Cuando el dispositivo
alcance un valor inferior a la corriente de valle, IV aumentar el valor de
VEB1 pasando a polarizar el diodo en sentido inverso.

La secuencia de
trabajo del oscilador de
relajacin con UJT se
puede comprender
mejor observando la
figura. El condensador
se carga a travs de la
fuente hasta alcanzar
un valor que depende
de la constante de
tiempo aproximada del
circuito, T

La frecuencia del oscilador depende del valor del condensador, CT y de

la resistencia, RT Cuando la tensin del condensador se iguala al valor VE
(VE = VC + VD), se llega a la tensin de pico VP. La resistencia entre el
emisor y la base B1 baja rpidamente descargndose el condensador a
travs de la resistencia R1, apareciendo un pulso en la puerta del Tiristor.
Cuando el UJT no conduce la tensin en extremos de R1 debe ser menor
que la tensin de disparo del SCR
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Es
importante escoger
una tensin
VBB de

alimentacin adecuada, y un UJT con la suficiente capacidad de impulso

VOB1. Si el pulso cae hasta alcanzar un valor cero, el UJT recupera el
estado de bloqueo, volviendo el condensador a cargarse para repetir de
nuevo el ciclo. La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad
del UJT frente a la temperatura. En la mayora de los casos, el valor de
esta resistencia puede ser calculado aproximadamente utilizando la
siguiente expresin:

El UJT es un dispositivo muy utilizado para el disparo de los Tiristores.

3.2 Nomenclatura del UJT

A la hora de manejar las hojas de caractersticas para aplicaciones
prcticas y durante el desarrollo de problemas, es muy importante
conocer la nomenclatura especfica usada para determinar los
parmetros principales del UJT
IE
Corriente de emisor.
IEO
 Corriente inversa de emisor.
8 Medida entre el emisor y la base 2
para una tensin dada y la base 1 en circuito abierto.
IP
Intensidad de pico de emisor. Mxima corriente de emisor que
puede circular sin que el UJT alcance la zona de resistencia
negativa.
IV
Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el
emisor cuando el dispositivo est polarizado en el punto de la
tensin de valle.
rBB
Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2
medida para una tensin interbase dada.
VB2B1
Tensin entre la base 2 y la base 1, tambin llamada
tensin interbase.
VP
Tensin de pico de emisor. Mxima tensin vista desde el
emisor antes de que el UJT alcance la zona de resistencia
negativa.
VD
Cada de tensin directa de la unin de emisor. Tambin
llamada VF(EB1) VF. VEB1 Tensin de emisor en al base B1.
VEB1(sat.)
Tensin de saturacin de emisor. Cada de tensin directa entre
el emisor y la base B1 con una corriente mayor que IV y una
tensin interbase dada.
VV
Tensin de valle de emisor. Tensin que aparece en el punto de
valle con una VB2B1 dada.
VDB1
Tensin de pico en la base B1. Tensin de pico medida entre
una resistencia en serie y la base B1 cuando el UJT trabaja
como un oscilador de relajacin.

Relacin intrnseca.
rBB
 Coeficiente de temperatura9 de temperatura de la resistencia
interbase. Variacin de la resistencia B2 y B1 para un rango de
temperaturas dado y medido para una tensin interbase y
temperatura con emisor a circuito abierto dada.

3.3 DISPARO POR PUT

El Transistor Uniunin Programable, PUT es un dispositivo de disparo
muy usado en los circuitos de disparo por puerta para los Tiristores.
Tiene tres terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y
puerta (G). El PUT, es un pequeo Tiristor con puerta de nodo,
presentando unas caractersticas de disparo parecidas a las del UJT,
cuando es utilizado en los osciladores de relajacin, pero presenta la
ventaja de poder ser programado para determinar el valor de los
parmetros , VP e IV mediante un sencillo circuito externo de
polarizacin. Una vez fijada la tensin de alimentacin tambin es cte; IV
es cte.) El PUT permite variar estos parmetros y por tanto se pueden
obtener periodos de mayor duracin.

La operacin del PUT, depende de la tensin que se tenga aplicada entre

el nodo y la puerta del Dispositivo. El voltaje de puerta es fijado por un
divisor de tensin que es utilizado para programar el disparo del
dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el voltaje de nodo, el
PUT queda en estado de corte. Si se incrementa el voltaje de nodo
hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la unin P-N), el
voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de
tiempo muy corto (menos de 1s). La tensin de nodo (VP) que hace
que el dispositivo se dispare, es ajustada cambiando el voltaje de puerta,
es decir, alterando la relacin:

En la figura se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias

R1, R2 y el condensador C, actan ajustando el retraso del voltaje de
pico VP. En el paso de corte a conduccin, aparece un pulso de tensin
VG (mayor de 6 V) en el ctodo del PUT. Este ser el pulso que
apliquemos a la puerta del Tiristor. El condensador se descargar a
travs de la resistencia de ctodo10
haciendo que la corriente caiga hasta
cero, cortando de esta manera al PUT. En este momento el voltaje de
nodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzar a cargarse de
nuevo el condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitindose de
nuevo el ciclo. Cuando la tensin de nodo, VA es superior a VG + VGA,
comienza a conducir y tiene una caracterstica similar a la del UJT como
se puede observar en la curva caracterstica V-I del PUT Tanto IP como IV
dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG,
siendo:

Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta

valores muy bajos usando valores grandes de RG. Esta caracterstica es
muy til en circuitos con tiempos de retardo largos. (No hay que olvidar
que se vio en el caso del UJT que Rmx dependa de IP). Los lmites de
resistencia de carga del condensador RT se determinan de la misma
forma que para el UJT. En el problema siguiente se tratar de disear el
oscilador de relajacin con PUT a partir de las caractersticas dadas por
el fabricante y para una determinada frecuencia.

 4. PROCEDIMIENTO: 11

4.1 Primera Parte: UJT

1. Disear e implementar el circuito de disparo de la figura para
VZ=24V Observamos que el circuito de acoplamiento solo permite
que el zener funcione la mitad del periodo por lo cual se rediseara
para un voltaje de Vz=15V

2. Para C=50uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego

cierre el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP
observe y anote.
3. Cambiar el valor de C por 30, 5 uF y repita el paso 3.
4. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del
condensador y grafique la forma de onda

4.2 SIMULACIN PRIMERA PARTE

 12

Grafica obtenida en el osciloscopio

4.3 Segunda Parte: PUT 2N6027
1. Disear e implementar el circuito de la figura para V Z=30V

2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.

4.4 SIMULACIN SEGUND PARTE
5. LINKOGRAFIA 13

http://enciclopediapotencia.net78.net/Unidad%204.php

http://www.unicrom.com/tut_variantes_SCR.asp

http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el3212/Libro/Tema12.pdf

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N6027-D.PDF