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Diodo PIN PDF
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1.-Objetivos:
a.- Curvas del modulador PIN: frecuencia y periodo de modulacin.
b.- Hallar las frecuencias de corte y resonancia.
Antecedentes:
Funcin Deseada:
Varias aplicaciones en tecnologa de microondas requieren el uso de elementos conmutadores
y atenuadores, cuyas caractersticas (esto es, estados ON y OFF o valores de la atenuacin)
pueden ser afectadas por una seal elctrica de control. Tales componentes pueden ser
realizados con la ayuda de, por ejemplo, moduladores PIN, que son conmutadores
electrnicamente controlables, atenuadores, desfasadores y filtros conmutadores, todos
estos son ejemplos de componentes de microondas, los cuales utilizan diodos PIN.
Un atenuador, cuya atenuacin es afectada por la aplicacin de voltaje control, puede ser
usado como un modulador.
En la siguiente seccin se tratar con la teora del diodo PIN usado en la construccin del
modulador, solo para dar un alcance, esto es explcitamente necesario para la comprensin del
experimento. Basado en esta informacin la interaccin del diodo PIN y el circuito de RF es
explicado despus de la seccin siguiente con un diagrama del circuito equivalente del
modulador utilizado.
Diodo PIN
Si se aplica una seal de RF a un diodo PIN o Schottky que ha sido polarizado directamente con
la ayuda de un voltaje D.C. Uo, entonces este diodo acta como una resistencia hmica en el
circuito AC. Como este valor depende de Uo, obtenemos por tanto una resistencia en AC
controlable va Uo. Sin embargo, esta resistencia es slo lineal, es decir, independiente de la
amplitud del voltaje AC, siempre que el rango de la caracterstica modulada por el voltaje AC
pueda aproximarse por una lnea recta (condicin de "pequea seal"). En el caso de
amplitudes de voltaje AC ms grandes, la resistencia es no lineal, lo que lleva a la distorsin de
las seales (multiplicacin de frecuencias, etc.). Se utiliza el diodo PIN descrito a continuacin
para evitar esta no-linealidad indeseada de la resistencia en AC que ocurre en muchas
aplicaciones con grandes amplitudes. La Figura 1.2 muestra la seccin transversal de un diodo
PIN en representacin esquemtica en la parte superior y en la parte inferior de la figura, la
distribucin espacial de la concentracin de portadores de carga (sin polarizacin). Para el
comportamiento en radiofrecuencia es esencial la capa I intrnseca ubicada entre las capas P y
N altamente dopadas. Si se aplica un voltaje DC al diodo en directa (polo positivo a la capa P),
se inyectan en la capa I prcticamente tantos electrones provenientes de la capa N como
huecos desde la capa P. Si la carga debida a los portadores de carga positiva (huecos) suman Q,
luego los portadores de carga negativa suman -Q, y, por tanto, la capa I est libre de carga
espacial. Los portadores de carga positiva y negativa se recombinan unos con otros. Si el
tiempo de vida medio se denota por , luego los portadores de carga Q = Q t/ se
recombinan durante el intervalo de tiempo t. En el caso estacionario (es decir, Q
independiente del tiempo), esta reduccin de Q debe ser compensada con una inyeccin de
portadores de carga de las capas P y N. Esto significa que debe fluir una corriente:
Io = Q/ t = Q/
Q = Io .............................. .....................(1)
Este resultado es la clave para entender el comportamiento en radiofrecuencia del diodo PIN:
la carga Q de los portadores de carga mviles en la capa I es controlada slo por la corriente de
polarizacin Io (corriente DC o corriente AC de baja frecuencia) y no por la seal de RF ( >>
1) superpuesta. Esto se aplica incluso si la amplitud de la corriente AC es mucho ms grande
que Io.
dQ = idt - Qdt/
De aqu obtenemos la ecuacin diferencial para Q(t) con i(t) como el "parmetro de control":
Se observa que el efecto sobre Q(t) de la corriente AC, tal como lo describe el segundo trmino
puede despreciarse, incluso para > Io, siempre que >> 1.
La corriente AC que fluye a travs de la capa I consiste de electrones y huecos, con lo cual la
conductividad elctrica est dada por el producto de la densidad de carga (Q por unidad de
volumen) de los portadores de carga libres y sus movilidades (aproximadamente n = p = ):
=( n + p ) Q/V 2 (Q/V)
= 2 ( Io/Aw)
Por tanto, el diodo PIN brinda la corriente AC con una resistencia de radiofrecuencia R, cuyo
valor es inversamente proporcional a la corriente de polarizacin Io (modulacin de la
conductividad) y, de acuerdo a las consideraciones anteriores, esta resistencia se mantiene
lineal incluso para grandes amplitudes AC (siempre que no aparezcan fenmenos de ruptura o
alcances de efectos trmicos).
Si se aplica un voltaje de polarizacin inversa al diodo PIN, es decir, Uo 0, se forma una capa
desrtica en la juntura PI, que cubre una porcin de la capa I. La porcin restante forma una
zona autoconductora. Como tal, el comportamiento en radiofrecuencia se describe por la
conexin en serie de un capacitor sin prdidas (capa desrtica) y un capacitor con prdidas
(zona autoconductora). Ambos capacitores pueden combinarse para altas frecuencias, por lo
que se aplica aproximadamente lo siguiente:
Las prdidas (representadas por un resistor en serie o en paralelo) disminuyen cuando hay un
aumento en el voltaje de polarizacin negativo, debido a que la capa desrtica se expande y
cubre finalmente la zona I completa.
El modulador PIN se realiza con tecnologa de guas de onda. Esto se puede realizar en una
forma sencilla instalando una impedancia en paralelo, electrnicamente conmutable, en la
lnea de transmisin. La magnitud de esta impedancia en paralelo debe ser muy pequea en el
intervalo "OFF" de modo que la lnea est prcticamente en cortocircuito (reflexin de la seal
de microondas), y muy grande en el intervalo "ON", de modo que la reflexin y la absorcin
sean tan despreciables como sea posible.
El diodo PIN puede ser acoplado a la gua de onda mediante un poste metlico (vea el lado
izquierdo de la Fig. 1.5). El centro de la fig. 1.5 muestra el circuito equivalente para esta
estructura. Los recuadros punteados simbolizan la seccin de la lnea (impedancia de onda
caracterstica Zo). El poste metlico acta como una inductancia (reactancia XL) colocada en
serie con el diodo PIN. Cuando el diodo se polariza en inversa (Uo 0) se representa por la
conexin en serie de un capacitor con una resistencia hmica pequea, la cual, en conjunto
con el poste metlico, produce un circuito resonante (Fig. 1.5, centro superior). Si las
dimensiones del poste son tales que el circuito resonante serie se encuentra en resonancia a la
frecuencia de operacin, luego, a esta frecuencia resulta una "pequea" impedancia en
paralelo. Esto se aproxima al cortocircuito deseado debido a que RS << Zo (vea Fig. 1.5,
superior derecha). En consecuencia se realiza la funcin en el intervalo "OFF".
Si se aplica al diodo una polarizacin positiva suficientemente grande, ste acta como un
pequeo resistor R << Zo y R << XL. La conexin en serie de XL y R puede ser transformada (para
la frecuencia de operacin) en un circuito en paralelo (Fig. 1.5 inferior derecha), con lo cual es
vlida la aproximacin X'L XL debido a que XL >> R. Debido al hecho de que la impedancia en
paralelo debe ser mucho ms grande que Zo para el intervalo "ON", XL debera ser mucho
mayor que Zo. Pero, como ste no es el caso, an debe modificarse el circuito. Esto se
consigue conectando una capacitancia en paralelo, la cual se puede realizar en tecnologa para
frecuencias altas, utilizando un disco metlico mostrado en la Fig. 1.6. La capacitancia en
paralelo puede elegirse de tal forma que junto con la inductancia forme un circuito resonante
paralelo a la frecuencia de operacin (Fig. 1.6 centro inferior). Finalmente, el alto valor de la
resistencia lateral, sigue siendo tal que R' >> Zo, lo cual es una excelente condicin para el
estado "ON" (baja reflexin y absorcin). El hecho de que la capacitancia se encuentre ahora
en paralelo con la resistencia hmica en el estado "OFF" (Fig. 1.6 superior derecha) no tiene
efecto en la funcin, debido a que X >> RS.
Fig. 1.2. Representacin esquemtica de la seccin de corte del diodo PIN y la distribucin de
concentracin del portador de carga (sin polarizar).
(1) Capa de conduccin p con gran concentracin de carga portadora.
(2) Capa de conduccin n con gran concentracin de carga portadora.
(3) Capa de conduccin intrnseca con ancho W y con rea A de seccin de corte.
Fig. 1.3. Diagrama de circuito equivalente en paralelo y serie para la respuesta en alta
frecuencia del diodo PIN como una funcin (positiva) de la corriente de polarizacin Io y
(negativo) del voltaje de polarizacin Vo.
Fig. 1.5. Gua de onda rectangular con un diodo PIN acoplado va un poste metlico.
Fig. 1.6. Estructura de acuerdo con la figura 1.4 con capacidad adicional de disco de metal
Fig 1.7. Montaje experimental. Configuracin del oscilador Gunn con placa de corto circuito en
el lado izquierdo (cerca del elemento Gunn) y diafragma con hueco en el lado derecho.
3. Mediciones de la curva de voltaje con respecto al tiempo del voltaje del diodo detector
con el modulador PIN instalado.
3.4 Observar el voltaje del diodo detector en la curva UD(t) con respecto al tiempo en el
osciloscopio. Leyendo el valor del on como una funcin de pin e ingresando los valores
en la tabla 1.1. Ver la figura 1.8 para la definicin de estos parmetros.
Nota: Cuando un osciloscopio de canal doble est disponible, las curvas de Upin(t) y de UD(t)
con respecto a tiempo pueden ser observadas simultneamente. Si solo un canal
simple del osciloscopio est disponible, las seales pueden ser observadas uno a la vez
alternando la conexin de las lneas al osciloscopio. Aqu es importante considerar que
la conexin del modulador PIN no se puede mover para la medida de Upin(t).
4. Registrar las componentes de voltaje AC (1Khz) de las seales del diodo detector con el
voltmetro selectivo de frecuencia (Equipo de medicin).
4.1. Ahora la seal de salida del diodo detector se mide con el voltmetro selectivo de la
frecuencia (vase la conexin en lnea punteada en la figura 1.7) en vez de usar el
osciloscopio (parte 3 de los experimentos).
4.2 Fije el voltaje del modulador al valor mximo (pin=0.9V).Para esto la pantalla del
voltmetro selectivo de frecuencia est calibrada a 0 dB. Despus reduzca el pin en
pasos de 0.1V y registre los valores de la pantalla del voltmetro selectivo de la frecuencia
en funcin de pin. Incorpore los valores en la tabla 1.2.
Nota: El valor en la pantalla (en dB) corresponde a la cantidad 10log(n/ no), por lo cual n
es la amplitud de los componentes AC de voltaje a 1KHz de la seal del diodo detector
(vase la figura inferior 1.8). El no es el valor que corresponde a pin = 0.9V.
Fig. 1.8. Diversas curvas de seales con respecto al tiempo y definiciones de los
correspondientes parmetros de la seal.
Arriba: Caracterstica del voltaje de modulacin Upin(t) en la entrada del modulador PIN.
Centro: Caracterstica del voltaje del diodo detector UD(t).Por comparacin la caracterstica de
UD=UDo tiene que ser dibujado para el caso del modulador PIN removido.
Abajo: Componentes del voltaje AC (1 KHz) UD(t) de la curva del voltaje del diodo detector
UD(t) con respecto al tiempo.
Tabla 1.1
Parmetros para las caractersticas del voltaje del diodo detector y su dependencia en la
modulacin de voltaje (ver fig. 1.8).
Modulador-PIN removido u D0 = V
Con modulador-PIN
u off V
U PIN 0.9V u ON V
U PIN 0.8V u ON V
U PIN 0.7V u ON V
U PIN 0.6V u ON V
U PIN 0.5V u ON V
U PIN 0.4V u ON V
U PIN 0.3V u ON V
U PIN 0.2V u ON V
U PIN 0.1V u ON V
Tabla 1.2. Dependencia de las componentes de voltaje AC de 1kHz u N de la seal del
diodo detector sobre el voltaje de modulacin.
(Con referencia a la amplitud u N , 0 para u PIN 0.9V )
u PIN en [V] 10 log(u N u N ,0 ) en [dB]
0.9 0
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
4.- Preguntas:
Nota:
2. De acuerdo con los resultados de la pregunta 1 discuta la conveniencia del uso del
modulador PIN como un "interruptor de microonda electrnicamente controlado".
4. Dibuje la curva del valor mostrado en el voltmetro selectivo de frecuencia (tabla 1.2) en
funcin de pin en el diagrama 1.2.
1. La seal disponible en el puerto de salida del oscilador de Gunn contiene, adems de los
componentes deseados en la frecuencia fundamental (aqu cerca a 9.5 GHz), armnicos
superiores. Las amplitudes de estos armnicos superiores son ms bajas por algunas
rdenes de la magnitud de amplitud de la frecuencia fundamental. El cociente de las
amplitudes de armnicos ms altos con la frecuencia fundamental depende del voltaje de
polarizacin Ug del elemento de Gunn.
3. El voltmetro selectivo de fase indica la diferencia de los valores del detector de seales
para el estado "OFF" y "ON" del modulador PIN. Las propiedades del modulador PIN como
"se observa" de los armnicos superiores son diferentes de las propiedades de la
componente de la frecuencia fundamental. Para el estado "off" la amplitud de los
armnicos superiores pueden exceder la amplitud del estado "on". Esto puede ocurrir
especialmente cuando el modulador PIN est conectado con una carga que refleja
altamente y que conduce a resonancias en la seccin de lnea de transmisin entre
modulador PIN y la carga.
4. Si la seal del diodo detector es ms alta en el estado "OFF" que en el estado "ON", hay un
defasaje de 180 grados entre la seal usada para controlar el modulador PIN y la seal del diodo
detector. Esto lleva a mostrar valores negativos en el voltmetro sensor de fase.
Los valores negativos no siempre pueden ser evitados si se selecciona un rango de medicin de
50 dB en el voltmetro selectivo. Pero para el rango de 45dB (y menos) las medidas siguientes
pueden servir para evitar este efecto perturbador:
Fig. 1.10. Alternativas para la realizacin del oscilador de microondas de pulso formado y
amplitud modulada.
6.- Bibliografa:
E.A. Wolf, R Kaul: Microwave and system application, Wiley & Sons, New york,
1988
R.V. Garver: Microwave Diode Control Devices Artech House, Deadham (MA) 1976
M. Caulton et al: IN-Diodes for low frequency-High Power Switching Application IEEE Trans.
Microwave Theory tech. MTT-30, 875 (1982)