Electromagnetismo, Circuitos y Semiconductores

ELECTROMAGNETISMO, CIRCUITOS Y
SEMICONDUCTORES
Manuel Array
as y Jos
e Luis Trueba
ELECTROMAGNETISMO, CIRCUITOS
Y SEMICONDUCTORES
Servicio de
Publicaciones

Reservados todos los derechos. Ni la totalidad ni parte de este libro, incluido el diseo de la cubierta, puede reproducirse o

transmitirse por ningn procedimiento electrnico o mecnico, incluyendo fotocopia, grabacin magntica o cualquier
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de informacin y sistemas de recuperacin, sin permiso escrito del AUTOR y de la Editorial DYKINSON, S.L.

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Universidad Rey Juan Carlos
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Los Autores
Madrid, 2007

Editorial DYKINSON, S.L. Melndez Valds, 61 - 28015 Madrid
Telfono (+34) 91 544 28 46 - (+34) 91 544 28 69
e-mail: info@dykinson.com
http://www.dykinson.es
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ISBN: 978-84-9849-089-3

Preimpresin realizada por los autores

A los que estan siempre ah,
incluso cuando se les necesita.
Manuel Array as
A mis chicas Maite, Ainhoa, Cristina y Luca,

y a todos los que nos han apoyado.
Jose Luis Trueba
Contenidos
Contenidos IX
Prefacio XV
1. Cinem atica y vectores 1

1.1. Unidades del Sistema Internacional 1
1.2. Magnitudes escalares y vectoriales 2
1.3. Vectores 3
1.4. Vector velocidad 7
1.5. Vector aceleraci
on 9
1.6. Componentes intrnsecas de la aceleracion 12
1.7. Ejercicios 15
2. Dinamica 17
2.1. Leyes de Newton 17
2.2. Trabajo 19
2.3. Energa 22
2.4. Sistemas de partculas: centro de masas 25
2.5. Momento angular 25
2.6. Rotaciones planas de un cuerpo rgido 28
2.7. Ejercicios 31
3. Carga electrica 33
3.1. Propiedades de las cargas electricas 33
3.2. Fuerza electrost
atica 34
3.3. Conductores y dielectricos 36
3.4. Procesos de carga en conductores y dielectricos 37
3.5. Ejercicios 39
4. Campo el ectrico 41
4.1. Campo electrico creado por cargas puntuales 41
4.2. Distribuciones continuas de carga 43
4.3. Movimiento de una carga de prueba 46
4.4. Energa potencial electrost
atica 47
4.5. Potencial electrostatico 48
4.6. Ejercicios 51
x Contenidos
5. Ley de Gauss 53
5.1. Flujo electrico 53
5.2. Ley de Gauss 54
5.3. Campo creado por una esfera homogenea 56
5.4. Campo creado por un cilindro homogeneo 58
5.5. Campo creado por un plano homogeneo 60
5.6. Campo creado por un condensador plano 62
5.7. Ejercicios 63
6. Campo el ectrico en los medios materiales 65
6.1. Conductores en equilibrio electrostatico 65
6.2. Campo y potencial creados por una esfera conductora 68
6.3. Campo electrico en un dielectrico 70
6.4. Capacidad y condensadores 73
6.5. Almacenamiento de energa electrica 76
6.6. Ejercicios 78
7. Corriente el ectrica 81
7.1. Corriente electrica en un cable conductor 81
7.2. Ley de Ohm 84
7.3. Fuerza electromotriz 88
7.4. Potencia en los circuitos electricos 90
7.5. Ejercicios 92
8. Magnetismo 95
8.1. Fuerza magnetica 95
8.2. Carga de prueba en un campo magnetico uniforme 97
8.3. Fuerza magnetica sobre una corriente electrica 101
8.4. Momento de torsi on magnetico sobre una espira 103
8.5. Ejercicios 107
9. Campo magn etico 109
9.1. Campo magnetico creado por cargas puntuales 109
9.2. Ley de Biot-Savart 110
9.3. Campo magnetico creado por una espira circular 113
9.4. Campo magnetico creado por un solenoide 115
9.5. Ley de Gauss del magnetismo 117
9.6. Ley de Ampère 119
9.7. Ejercicios 122
10.Materiales magn eticos 125
10.1. Momento magnetico de un electron 125
10.2. Magnetizaci
on 126
10.3. Diamagnetismo 128
10.4. Paramagnetismo 130
10.5. Ferromagnetismo 131
10.6. Ejercicios 133
Contenidos xi
11.Inducci on electromagn etica 135

11.1. Fem inducida 135
11.2. Fem de movimiento 135
11.3. Ley de Faraday 137
11.4. Ley de Lenz 139
11.5. Induccion mutua y autoinducci
on 140
11.6. Energa magnetica almacenada en un inductor 142
11.7. El generador electrico 143
12.Ondas electromagn eticas 149
12.1. Ecuaciones de Maxwell 149
12.2. Movimiento ondulatorio 152
12.3. Ondas electromagneticas en el vaco 155
12.4. Espectro electromagnetico 160
13.Circuitos elementales 163
13.1. Elementos localizados 163
13.2. Leyes de Kirchho 164
13.3. Resistencias 165
13.4. Resistencias en serie y en paralelo 166
13.5. Divisor de voltaje 167
13.6. El puente de Wheatstone 168
13.7. Multmetros 169
14.Circuitos equivalentes 173
14.1. Equivalente Thevenin 173
14.2. Equivalente Norton 176
14.3. El efecto de la carga 177
15.Circuitos que dependen del tiempo 183
15.1. Condensadores 183
15.2. Condensadores en serie y en paralelo 184
15.3. Carga de un condensador mediante una fuente de corriente 185
15.4. Descarga de un condensador a traves de una resistencia 185
15.5. Circuito RC - Integrador 187
15.6. Circuito CR - Diferenciador 188
15.7. Inductores 190
15.8. El transformador 191
16.Analisis en frecuencia de circuitos reactivos 195
16.1. Se
nales armonicas 195
16.2. Potencia y decibelios 197
16.3. Analisis en frecuencia 199
16.4. Fasores 200
16.5. Ley de Ohm generalizada 203
xii Contenidos
16.6. Potencia en circuitos reactivos 205

17.Filtros 207
17.1. Se
nales con ruido 207
17.2. Circuito CR - ltro pasa alta 208
17.3. Circuito RC - ltro pasa baja 209
17.4. Gr
acas de Bode 210
17.5. Circuitos resonantes - ltros de ancho de banda 212
17.6. Dise
no de un ltro 214
18.Semiconductores 217
18.1. Semiconductores, metales y dielectricos 217
18.2. Teora de bandas para la conducci
on 218
18.3. Semiconductores intrnsecos 220
18.4. Semiconductores extrnsecos 223
18.5. Movimiento de electrones y huecos 226
18.6. Difusion 230
19.Barreras y Uniones 235
19.1. La barrera del borde 235
19.2. Uniones p-n 239
19.3. Diodos 242
19.4. Polarizacion inversa de un diodo 242
19.5. Polarizacion directa 244
19.6. Aplicaciones de los diodos 247
20.Transistores bipolares 253
20.1. Un poco de historia 253
20.2. Transistores bipolares 253
20.3. La ecuacion de Ebers-Moll 257
20.4. La velocidad de respuesta del transistor 260
21.Transistores de efecto campo 265
21.1. Principios b
asicos 265
21.2. JFET, transistores de efecto campo de uni on p-n. 266
21.3. MOSFET, transistor de campo de oxido de metal. 267
21.4. Curvas universales caractersticas de los FET 268
21.5. Principales par
ametros de los FET 271
22.Circuitos con diodos 273
22.1. Curva caracterstica I-V para un diodo 273
22.2. Recticacion 274
22.3. Fuente de voltaje no regulada 274
22.4. Circuito regulador con diodo Zener 277
22.5. Limitadores 278
Contenidos xiii

23.Circuitos con transistores 281
23.1. Amplicador de corriente 281
23.2. Interruptor 282
23.3. Seguidor de emisor 284
23.4. Fuente de corriente 287
23.5. Amplicador de emisor com un 288
23.6. La ecuacion de Ebers-Moll aplicada 290
Referencias 295
Prefacio
Este libro esta pensado para impartir un curso introductorio de Electromag-

netismo, Teora de Circuitos y Semiconductores. Al estar dirigido principalmente a
alumnos de los primeros cursos de Ingeniera, Inform atica y Ciencias Experimentales,
no se presuponen mas conocimientos que los normales de cursos preuniversitarios.
Aunque el material se presenta de manera secuencial y unicada, cubrir todo en
un semestre sera una tarea demasiado ambiciosa. Cada captulo se divide en secciones,
algunas de las cuales pueden omitirse. Se ha incluido suciente material para que el
instructor tenga cierta exibilidad a la hora de dise nar el curso. Los temas 1 y 2 son un
breve resumen de algebra vectorial y mec anica. El resto de los conceptos necesarios se
introducen cuando se hace uso de ellos. Un curso de electromagnetismo basico debera
incluir los captulos del 3 al 12. Para una introduccion a la Teora de Circuitos podran
seguirse los temas 13, 14, 15, 16, 17, 22 y 23 de manera autocontenida. Para un curso
de Semiconductores, los captulos del 18 al 21.
El libro tambien incluye numerosos ejemplos, guras y problemas al nal de cada
captulo. Se ha dado la soluci on de cada problema para que el estudiante pueda por
s mismo comprobar su progreso. Al nal del libro se han incluido las referencias
b asicas que hemos manejado para escribirlo, as como un detallado ndice de los
conceptos y materias tratados.
Queremos agradecer a las doctoras Inmaculada Leyva e Irene Sendi na sus correc-
ciones y sugerencias. En un libro como este es inevitable que algunos errores hayan
sido pasados por alto, de los cuales somos los u nicos responsables. Finalmente, damos
las gracias a nuestros alumnos por lo que hemos aprendido de ellos.
Los autores
Fuenlabrada, 2007
xv
Captulo 1
Cinem
atica y vectores
1.1. Unidades del Sistema Internacional

Cualquier disciplina cientca trata de observar una parte de la naturaleza y cuan-
ticar sus propiedades. Para ello, hay que convertir lo observado en una magnitud
que pueda compararse con otras magnitudes semejantes, lo que se hace utilizando
ciertos patrones convencionales que conforman un sistema de unidades. As se elige
un conjunto de magnitudes fundamentales y sus correspondientes unidades para su
utilizaci
on pr
actica. Aqu se usara el Sistema Internacional (SI), en el cual las mag-
nitudes fundamentales y sus correspondientes unidades son las que se pueden ver en
la Tabla 1.1.
Ademas de estas unidades fundamentales se denen tambien las llamadas uni-
dades derivadas, que son productos y cocientes de las unidades fundamentales sin la
inclusi
on de factores numericos. Un ejemplo bien conocido es el newton (N), la uni-
dad de fuerza, que se puede expresar en terminos de unidades fundamentales como
1 N = 1 kg m s2 . Tambien utilizamos una unidad suplementaria para medir angulos
planos, el radian (rad), unidad denida de tal modo que la medida de un angulo en
radianes es la longitud del arco de la circunferencia de radio unidad que abarca ese
angulo.
La enorme diversidad de escalas que abarca la fsica (desde el electron y los quarks
a las galaxias y c umulos de galaxias) hace necesario adquirir cierta familiaridad con
Magnitud Unidad Smbolo

Longitud metro m
Tiempo segundo s
Masa kilogramo kg
Cantidad de sustancia mol mol
Temperatura kelvin K
Carga electrica culombio C
Intensidad luminosa candela cd
Tabla 1.1. Magnitudes y unidades fundamentales en el Sistema Internacional.
1
2 Cinematica y vectores
Prejo Signicado Smbolo

tera 1012 T
giga 109 G
mega 106 M
kilo 103 k
mili 103 m
micro 106
nano 109 n
pico 1012 p
Tabla 1.2. Algunos m

ultiplos y subm
ultiplos de las unidades del SI.
los prejos que se utilizan para indicar multiplos y subm

ultiplos de las unidades.
Algunos de estos prejos se pueden ver en la tabla 1.2.
An
alisis dimensional
Una tecnica que permite muchas veces valorar un problema de manera cualitativa es el
an alisis dimensional. Consiste en asignar una dimensi on a cada magnitud fsica, que
ha de relacionarse por productos y potencias con las dimensiones de las magnitudes
fundamentales de la tabla 1.3.
La dimension de una magnitud fsica cualquiera permite conocer su relacion con
las magnitudes fundamentales. Por ejemplo, la densidad de masa de un cuerpo tiene
dimensi on [Densidad] = ML3 , pues es una masa dividida por una longitud al cubo
(volumen), indistintamente del sistema de unidades usado. De aqu, la unidad de la
densidad en el Sistema Internacional es 1 kg m3 .
A veces se usan combinaciones de magnitudes fsicas cuyo resultado no tiene
dimensiones ni unidades. Como ejemplos, recordemos el ndice de refraccion de un
medio, la densidad relativa de un cuerpo respecto a la del agua, etc. Tambien hay
cantidades a las que se le asigna una unidad pero no tienen dimensi on. Ejemplos son
los angulos medidos en radianes o los niveles de ruido medidos en decibelios.
Uno de los aspectos m as u
tiles del an
alisis dimensional es que permite un sencillo
test para determinar la incorrecci on de una ecuaci on, pues cada termino de una ecua-
cion debe tener la misma dimension que el resto de terminos. Veamos un ejemplo.
Al hacer un problema de din amica hemos obtenido que la aceleracion de un cuerpo
es a = F/m + vt, donde F es una fuerza aplicada sobre el cuerpo, m es la masa del
cuerpo, v es su velocidad y t es el tiempo. Esta ecuaci on no puede ser correcta, pues la
dimensi on del tercer termino es L, mientras que la dimensi on del primer y del segundo
termino es LT2 .
1.2. Magnitudes escalares y vectoriales

La cinematica describe el movimiento de los cuerpos. Comenzaremos estudiando el
movimiento de una partcula puntual (un punto material sin volumen). Esto permite
describir aproximadamente el movimiento de los cuerpos cuando ni la forma ni las
Vectores 3
Dimensi
on Smbolo
[Longitud] L
[Tiempo] T
[Masa] M
[Cantidad de sustancia] N
[Temperatura]
[Carga electrica] Q
[Intensidad luminosa] Cd
Tabla 1.3. Dimensiones fundamentales.
dimensiones del cuerpo tienen importancia en el movimiento. Este es el caso de un

coche circulando por una autopista. Pero hay que tener cuidado, pues con el movi-
miento tipo partcula puntual no podramos analizar adecuadamente un trompo que
el coche sufriera durante el viaje. Otro ejemplo: la Tierra se puede considerar un
punto material cuando estudiamos su movimiento alrededor del Sol, pero no cuando
estudiamos su rotacion alrededor de un eje que pasa por su centro, en la cual inter-
vienen su forma y sus dimensiones. Dejaremos el estudio de las rotaciones para mas
adelante, centrandonos ahora en la cinem atica de la partcula.
En general, a medida que transcurre el tiempo, la posici on de la partcula cambia.
Para estudiar la relacion entre posici
on y tiempo, primero hemos de elegir un origen
de espacio y de tiempo. Para el tiempo, clasicamente no hay demasiados problemas,
pues podemos elegir el instante t = 0 como aquel en que nos interesa empezar a
estudiar el movimiento. Con respecto a el, cualquier instante posterior t viene dado
por un n umero y una unidad (en el SI es el segundo). Una cantidad fsica que, como
el tiempo, viene dada por un s olo n
umero y una unidad se llama magnitud escalar.
Otras magnitudes escalares son la masa, la carga, la temperatura, etc.
Para determinar la medida del espacio tenemos una complicaci on extra. Escoja-
mos un origen de espacios, que llamaremos punto O. Imaginemos que queremos dar
la posicion de otro punto P . Hay innitos puntos que estan a la misma distancia que
P del origen O (todos ellos situados en la supercie de una esfera). Con respecto
al origen, P no queda determinado por un u nico numero y una unidad. Esto ocurre
porque la posici on no es una magnitud escalar, sino una magnitud vectorial y nece-
sita en general mas de un n umero, adem as de una unidad, para determinarla. Otras
magnitudes vectoriales en fsica son la velocidad, la fuerza, el campo electrico, etc.
As como las magnitudes escalares se manipulan siguiendo las reglas de la aritmetica,
que suponemos bien conocidas, las magnitudes vectoriales se manipulan con las reglas
del algebra vectorial que resumimos en el siguiente apartado.
1.3. Vectores
Un vector a en el espacio tridimensional de la fsica clasica se puede representar
gr
acamente mediante un segmento de recta orientado con origen en un punto P y
extremo en un punto Q (gura 1.1).
El m
odulo del vector a es el valor numerico de la distancia entre el punto origen
a
ab a a+b
P b
Figura 1.2. Metodo gr aco para hallar

Figura 1.1. El vector a tiene como origen
la suma y la resta de dos vectores.
el punto P y como extremo el punto Q,
como indica la echa.
P y el punto extremo Q. Lo denotaremos por |a| o simplemente a.

La direcci
on de a es la dada por la recta sobre la cual estan P y Q.
El sentido de a viene determinado por la echa, que indica que el vector va desde
P hasta Q.
Modulo, direcci
on y sentido son las tres propiedades que determinan un vector. Es
conveniente denir lo que se conoce como vector unitario y vector opuesto a uno dado.
Un vector unitario es cualquiera que tenga modulo igual a uno (sin dimensiones).
Dado un vector a, su vector opuesto a es aquel que tiene mismo modulo y
direcci
on que a pero sentido contrario.
Se denen dos operaciones b
asicas que conforman lo que se conoce como algebra de
vectores.
Multiplicaci
on de un escalar p por un vector a. Esta multiplicaci on da como resul-
tado otro vector pa con las siguientes caractersticas: (1) tiene la misma direccion
que a, (2) su m odulo es igual al producto del valor absoluto de p multiplicado
por el modulo de a, es decir, |pa| = |p||a|, y (3) su sentido es igual al de a, si p es
positivo, y contrario al de a si p es negativo. Se dice que, con respecto al vector
a, el vector pa es paralelo si p es positivo y antiparalelo si p es negativo.
Suma de dos vectores. El vector suma a + b es otro vector que se calcula gra-
camente con la regla del paralelogramo (gura 1.2). Se dene tambien la resta
a b de dos vectores como el vector obtenido sumando el primero al opuesto del
segundo.
Sistema de referencia
Para manipular los vectores se elige un sistema de referencia dado por un punto origen
y una base de vectores. Una base, en el caso tridimensional, es un conjunto de tres
vectores diferentes, no paralelos y no coplanarios. De esta manera, cualquier vector
se puede escribir como combinaci on lineal de los vectores de la base.
Utilizaremos fundamentalmente el sistema de referencia cartesiano de coordena-
das rectangulares, que constituye el triedro de la gura 1.3. Esta formado por el punto
origen O, y tres vectores unitarios y mutuamente perpendiculares, con origen en O,
llamados i, j, k. Estos vectores se colocan de tal manera que el triedro que forman es
dextrogiro, esto es, el giro de cada uno de ellos hacia el siguiente se hace a derechas
(en sentido contrario al de las agujas de un reloj). La direcci
on que determina el vector
Vectores 5
z
az
k
j a
i a
x
a
O y y
x O
Figura 1.3. El sistema de referencia de

coordenadas cartesianas esta formado por Figura 1.4. Componentes de un vector a
el origen O y los vectores unitarios i, j y en el sistema de referencia de coordenadas
k, que son mutuamente perpendiculares. cartesianas.
i se conoce con el nombre de eje x, la que determina el vector j se llama eje y, y la

que determina el vector k se llama eje z.
Veamos como se expresa un vector a en el sistema de referencia de coordenadas
cartesianas (gura 1.4):
Lo primero es colocar el origen de a en el punto O.

El extremo de a se proyecta mediante planos perpendiculares sobre cada eje.
La distancia desde O hasta la proyeccion del extremo del vector a sobre el eje x se
llama componente x del vector a y se escribe ax (n otese que ax es una magnitud
escalar y esta dada por un numero y una unidad, por ejemplo ax = 0, 5 m). Del
mismo modo, la distancia del origen a la proyecci on del extremo del vector a
sobre el eje y se llama componente y del vector a y se escribe ay . Finalmente,
la distancia del origen a la proyecci
on del extremo del vector a sobre el eje z se
llama componente z del vector a y se escribe az .
Una vez se han determinado las componentes de a en el sistema de referencia, se
puede escribir
a = ax i + ay j + az k. (1.1)
Cuando se utiliza el sistema de referencia {O, i, j, k}, las operaciones entre vectores
que hemos denido quedan:
La multiplicaci
on de un n
umero p por un vector a tiene como resultado otro
vector (pa) de componentes
pa = (pax ) i + (pay ) j + (paz ) k. (1.2)
La suma de los vectores a y b es un vector que tiene por componentes
a + b = (ax + bx ) i + (ay + by ) j + (az + bz ) k. (1.3)
Por aplicaci
on directa de la regla dada por la ecuaci
on (1.2), el vector opuesto al
vector a es
a = ax i ay j az k. (1.4)
Tambien podemos escribir la resta de dos vectores como

a b = (ax bx ) i + (ay by ) j + (az bz ) k. (1.5)
Una aplicaci
on directa del teorema de Pitagoras permite obtener el m
odulo del
umero real positivo |a| = a dado por
vector a, que es un n

|a| = a = (ax )2 + (ay )2 + (az )2 . (1.6)
Aparte del modulo, el resto de la informacion sobre un vector a (su direccion y
sentido) viene descrita por un vector unitario ua , que es un vector de modulo uni-
dad y que tiene la misma direccion y sentido que a. Este vector, en componentes
cartesianas, se escribe
a a a a
x y z
ua = = i+ j+ k, (1.7)
|a| a a a
y se llama vector unitario asociado a a. Por la u
ltima expresion, tenemos que
a = a ua , (1.8)
es decir, todo vector se puede escribir como el producto de su modulo por un
vector unitario paralelo a el. En muchas aplicaciones utilizaremos esta descom-
posici
on.
Vector de posici
on
Se puede asociar a cada punto del espacio un vector para determinar su posici on
respecto al sistema de referencia elegido. Para ello, dado un punto P se dene su
on rP como aquel vector cuyo origen es el origen O del sistema de
vector de posici
referencia y cuyo extremo es el punto P (gura 1.5). Si se escribe rP en el sistema de
referencia en funci
on de sus componentes,
rP = xP i + yP j + zP k, (1.9)
los tres numeros (xP , yP , zP ) se llaman coordenadas del punto P en el sistema de
referencia {O, i, j, k}. Por tanto, la expresi
on (1.9) dene un punto P en este sistema.
A menudo, el movimiento del sistema estudiado se realiza sobre un plano. En
este caso, se suele escoger el sistema de referencia de manera que el movimiento tenga
lugar en alguno de los planos xy, xz o yz. Por ejemplo, si tomamos el plano xy, las
componentes de un vector a ser an s
olo dos, pues podemos olvidarnos de la componente
z, que es siempre nula. Se puede escribir entonces a = ax i + ay j. En otras ocasiones, el
movimiento que nos interesa es rectilneo, es decir, se realiza sobre una recta. Podemos
colocar entonces el sistema de referencia de manera que el movimiento se realice sobre
un eje, por ejemplo el eje x, y olvidarnos de los otros dos. Al hacerlo as, los vectores
tienen una u nica componente.
La posicion de una partcula puntual, en un instante determinado, con respecto a
un sistema de referencia cartesiano, vendr a dada por el punto P en el que se encuentra,
con vector de posicion rP . Las componentes del vector de posicion se miden en metros,
de manera que, por ejemplo, podemos tener rP = 1, 2 m i+0, 7 m j+3, 2 m k. Indicara
que la partcula se encuentra situada en un punto tal que, desde el origen, hay que
recorrer para llegar a ella 1, 2 m a lo largo del eje x, luego 0, 7 m paralelamente al eje
y, y nalmente 3, 2 m paralelamente al eje z.
Vector velocidad 7
z
P
r P
P
x y
P P
O
Figura 1.5. Vector de posici

on de un punto P y sus coordenadas en un sistema de referencia
cartesiano.
Q
r
O y
P
x
Figura 1.6. Trayectoria de una partcula puntual en 3 dimensiones. En general, la trayectoria

no coincide con el vector desplazamiento.
1.4. Vector velocidad

Supongamos que una partcula se mueve en el espacio siguiendo una curva C que
llamamos trayectoria (ver la gura 1.6). En un instante de tiempo dado t1 se encuentra
en un punto P con vector de posicion rP . Al transcurrir el tiempo, la posicion de la
partcula cambia en general. Esto quiere decir que su vector de posici on depende
del tiempo, lo cual escribimos mediante la notacion r(t). As, el vector de posicion
del punto P satisface rP = r(t1 ). En el intervalo de tiempo t, la partcula vara
su posicion a lo largo de la trayectoria C, de manera que en el instante t1 + t, se
encuentra en el punto Q con vector de posicion rQ = r(t1 + t).
Se dene el vector desplazamiento r entre P y Q a la diferencia dada por
r = rQ rP = r(t1 + t) r(t1 ), (1.10)
como se ve en la gura 1.6. La velocidad media de la partcula entre los puntos P y
Q es el cociente entre desplazamiento e intervalo de tiempo,
r r(t1 + t) r(t1 )
vm = = . (1.11)
t t
Es claro que, dado que el intervalo de tiempo t es siempre positivo, la velocidad
media es un vector paralelo al desplazamiento de la partcula. La unidad de velocidad
en el SI es la unidad de longitud dividida por la unidad de tiempo, es decir, 1 m s1 .
Pero, si miramos la gura 1.6 con atenci on, notaremos que existe una diferen-
cia clara entre la direccion del vector desplazamiento entre los puntos P y Q y la
trayectoria real que ha seguido la partcula entre esos puntos. Para minimizar esta
diferencia y tener m as informacion sobre la trayectoria real, una buena idea es hacer
muy peque no el intervalo de tiempo t, de manera que el vector desplazamiento r
tenga m odulo muy peque no y se asemeje a la trayectoria real C. En terminos de ve-
locidad, esto signica denir la velocidad instant anea en el instante t (o simplemente
velocidad) como el lmite de la velocidad media cuando el intervalo de tiempo tiende
a cero,
r(t + t) r(t)
v(t) = lm vm = lm . (1.12)
t0 t0 t
La expresion a la derecha de la ecuacion (1.12) se conoce con el nombre de derivada
del vector de posicion r(t) con respecto al tiempo y su notacion es
dr
v(t) = . (1.13)
dt
La velocidad es un vector ligado a la partcula, de manera que se suele dibujar con
origen en el punto en que est
a la partcula en cada instante de tiempo.
El modulo del vector velocidad indica el espacio recorrido por la partcula en la
unidad de tiempo.
La direcci
on del vector velocidad es la recta tangente a la trayectoria C en cada
punto (para verlo no hay m as que imaginar como es el vector desplazamiento
innitesimal, es decir, cuando P y Q estan muy pr oximos en la gura 1.6).
El sentido del vector velocidad indica hacia donde tiende a moverse la partcula
en un instante posterior.
Derivadas
Dado que podemos escribir los vectores por medio de sus componentes en el sistema
de referencia de coordenadas cartesianas, tenemos que el vector de posicion r(t) es
r(t) = x(t)i + y(t)j + z(t)k, (1.14)
donde x(t), y(t), z(t) son funciones reales del tiempo t. Es importante notar que
los vectores de la base i, j, k son constantes (no dependen de t), lo cual no ocurre,
en general, en otros sistemas de referencia (por ejemplo, en coordenadas polares).
Esta caracterstica del sistema de referencia de coordenadas cartesianas que estamos
utilizando hace que muchas operaciones del an alisis vectorial se simpliquen mucho.
En concreto, la derivada del vector r con respecto a t resulta
dr dx dy dz
v(t) = = i+ j + k, (1.15)
dt dt dt dt
es decir, basta derivar las componentes del vector, que son funciones reales. En otras
palabras, el vector velocidad es, en coordenadas cartesianas, una composici on de las
velocidades a lo largo de cada eje,
v(t) = vx i + vy j + vz k. (1.16)
Vector aceleracion 9
f (t) df /dt
ctn cntn1
sen (ct) c cos (ct)
cos (ct) c sen (ct)
ect cect
ln (ct) 1/t
Tabla 1.4. Derivadas de algunas funciones elementales. En estas expresiones, c y n son

constantes, et es la funci
on exponencial, y ln (t) es el logaritmo neperiano.
Conviene recordar algunas propiedades de las derivadas de funciones reales.
La derivada de una constante es igual a cero. La derivada de una constante c

multiplicada por una funci
on f (t) es
d df
(cf (t)) = c . (1.17)
dt dt
La derivada de una suma de funciones es
d df dg
(f (t) + g(t)) = + . (1.18)
dt dt dt
La derivada de un producto de funciones es
d dg df
(f (t)g(t)) = f +g . (1.19)
dt dt dt
Si f (x) es una funcion de x y x(t) es una funci
on de t, la derivada de f respecto
a t satisface la regla de la cadena,
d df dx
[f (x(t))] = . (1.20)
dt dx dt
Las derivadas de algunas funciones particulares aparecen en la tabla 1.4.
1.5. Vector aceleraci

on
Otro vector ligado a la partcula es el vector aceleraci
on, que describe como cambia
la velocidad de la partcula al transcurrir el tiempo. Se dene como la derivada del
vector velocidad con respecto al tiempo,

v(t + t) v(t) dv
a(t) = lm = . (1.21)
t0 t dt
Por su denici on en el SI es 1 m s2 . Las leyes de Newton

on, la unidad de aceleraci
proporcionan la aceleraci
on de una partcula a partir del estudio de las fuerzas que
act
uan sobre ella, como veremos en el siguiente captulo.
Si el vector velocidad no cambia con el tiempo, es decir, si es constante, entonces

la aceleracion es cero y se dice que la partcula sigue un movimiento uniforme. Por otro
lado, si el vector aceleracion es constante en el tiempo se dice que el movimiento es
uniformemente acelerado. Estos dos casos pueden ser sencillos pero no son en absoluto
los mas generales. La aceleracion de un cuerpo suele variar de alguna manera. Al
estudiar la ley de Coulomb veremos que la aceleracion de una partcula cargada en
un campo electrico depende de la posicion, es decir, es diferente en cada punto de la
trayectoria de la partcula.
El problema fundamental de la cinem atica es obtener la velocidad y la posici on
del cuerpo a partir de la aceleraci on. Supongamos que la aceleraci on de una partcula
a(t) es un vector conocido que depende del tiempo. Adem as conocemos la velocidad
v0 = v0x i + v0y j + v0z k, y la posicion del cuerpo r0 = x0 i + y0 j + z0 k, en el instante
inicial t = 0. Queremos obtener la velocidad v(t) y la posici on r(t) de la partcula en
todos los instantes de tiempo.
El primer paso es calcular la velocidad de la partcula. Para ello partimos de la
denicion a = dv/dt, donde la aceleraci on es conocida. Despejando dv,
dv = a(t) dt. (1.22)
Esta ecuacion indica que, en un intervalo de tiempo innitesimal dt (en el cual supone-
mos que la aceleracion no ha cambiado), la velocidad ha tenido un cambio innitesimal
dv. Podemos proceder ahora de la siguiente forma. Si queremos conocer el cambio v
de la velocidad ocurrida entre el instante t = 0 y el instante t, dividimos el intervalo de
tiempo t = t 0 en un n umero muy grande de intervalos innitesimales dt iguales.
En cada uno de ellos, el cambio en la velocidad est a dado por la ecuaci on (1.22), de
modo que el cambio total en t ser a la suma de los cambios en todos los dt. Esto se
escribe formalmente como

v = dv = a(t) dt, (1.23)
donde estamos sumando las contribuciones de cada intervalo innitesimal. Pero esta
no es una suma al uso, pues la longitud de los intervalos dt tiende a cero. En los casos
en que hay que hacer una suma de este tipo, en lugar de escribirla como (1.23) se
escribe v t
v = dv = a(t) dt, (1.24)
v0 0
y la suma se conoce con el nombre de integral.
Integrales
En una integral, la cantidad que se suma es una funci on de la variable que aparece
despues de la letra d. Por ejemplo, la primera integral de la ecuaci on (1.24) es una
suma en velocidades, y la segunda integral es una suma en tiempos. Si conocemos los
valores inicial y nal entre los que se esta sumando, decimos que la integral es denida.
En estos casos, los valores inicial y nal se llaman lmites de la integral denida y
se escriben abajo y arriba del smbolo integral, respectivamente. Por ejemplo, en la
ecuacion (1.24), la primera integral es una suma en velocidades de la cantidad 1 (lo
que aparece multiplicando a dv) desde el valor inicial v0 hasta el valor nal v. La
Vector aceleracion 11
R
f (t) f (t) dt
c ct
ctn ctn+1 /(n + 1), (n = 1)
c/t c ln (t)
sen (ct) (1/c) cos (ct)
cos (ct) (1/c) sen (ct)
ect (1/c)ect
Tabla 1.5. Integrales indenidas de algunas funciones elementales. En estas expresiones, c

y n son constantes. En cada caso, se puede sumar al resultado una constante arbitraria.
segunda integral es una suma en tiempos de la cantidad a(t) entre el valor inicial t = 0
y el valor nal t. Es importante notar que, en una igualdad de integrales denidas,
los lmites deben corresponderse: el lmite inferior del tiempo t = 0 corresponde a la
velocidad inicial v0 , y el lmite superior del tiempo t corresponde a la velocidad v en
ese mismo instante.
Como ocurre en el caso de las derivadas, si los vectores vienen expresados por
componentes en un sistema de referencia de coordenadas cartesianas, podemos escribir
la integral de cualquier vector a(t) entre los valores 0 y t como
t t t t
a(t) dt = ax (t) dt i + ay (t) dt j + az (t) dt k, (1.25)
0 0 0 0
de modo que integrar un vector en coordenadas cartesianas es una simple composicion

de integrales de funciones escalares.
En general, la integral de una funcion esta relacionada con el problema de calcular
el area bajo una curva y es la operaci on inversa de derivar. Se dice que g(t) es una
primitiva de f (t) si dg/dt = f . Ahora, si g(t) es una primitiva de f (t), se puede
calcular la integral indenida (sin lmites) de f (t) con respecto a t como

f (t) dt = g(t) + c, (1.26)
donde c es una constante. En el caso de una integral denida, lo que se tiene es

t2
f (t) dt = g(t2 ) g(t1 ). (1.27)
t1
La tabla 1.5 muestra las integrales de algunas funciones elementales.
Velocidad y posici
on en funci
on de la aceleraci
on
Si hacemos la primera integral de la ecuaci
on (1.24) obtenemos
t
v = v v0 = a(t) dt. (1.28)
0
ut
v
un
a
Figura 1.7. Vectores velocidad y aceleraci on en un punto P de la trayectoria de una partcu-

la. Se especican los vectores unitarios tangente y normal.
Dado que a es una funci on vectorial conocida del tiempo, en principio la integral
denida que falta se puede hacer en cada caso particular. Como consecuencia, se
encuentra una expresion para v(t), dada por
t
v(t) = v0 + a(t) dt, (1.29)
0
en donde la velocidad inicial v0 es un dato del problema. Una vez obtenida la velo-
cidad, el siguiente paso es encontrar la ley de movimiento de la partcula r(t). Para
ello usamos que v = dr/dt. Integrando de nuevo entre el instante inicial t = 0 y un
instante cualquiera t, se obtiene
t
r(t) = r0 + v(t) dt. (1.30)
0
Como vemos, todo se reduce a calcular dos integrales denidas, las de las ecuaciones
(1.29) y (1.30).
Un caso particular de las expresiones (1.29) y (1.30) es el del movimiento uni-
formemente acelerado, que es aquel en que la aceleracion a es constante. Al hacer las
integrales se obtienen las conocidas expresiones
v = v0 + at, (1.31)
1
r = r0 + v0 t + at2 . (1.32)
2
1.6. Componentes intrnsecas de la aceleraci

on
En la gura 1.7 vemos la trayectoria de una partcula. En un punto dado P de esta
trayectoria se han dibujado los vectores velocidad y aceleracion. Como ya sabemos,
el vector velocidad es tangente a la trayectoria, y su sentido apunta en la direcci
on
del movimiento en cada punto. Es posible denir en cada punto P un vector unitario
tangente a la trayectoria ut , de tal modo que
v = v ut , (1.33)
donde v es el modulo de la velocidad. Es importante notar que ut cambia de un punto

a otro de la trayectoria, pues la direccion y el sentido de la velocidad lo hacen. El
vector aceleracion en cada punto de una trayectoria curva se dirige siempre hacia
Componentes intrnsecas de la aceleracion 13
el lado c
oncavo de la trayectoria. Esto ocurre porque en una trayectoria curva la
direcci
on del vector velocidad vara hacia ese lado, como podemos ver en la gura 1.7.
Aplicando la denici on de la aceleracion en el punto P como la derivada de la
velocidad, de la ecuacion (1.33) se obtiene
dv dv dut
a= = ut + v . (1.34)
dt dt dt
Esta expresion indica que el vector aceleraci
on tiene dos componentes en cada punto
de la trayectoria de una partcula. La primera de ellas es la componente tangente y
se suele denominar aceleracion tangencial at , dada por
dv
at = , (1.35)
dt
es decir, es la componente de la aceleracion debida al cambio del m odulo de la ve-
locidad. Cuando s olo hay aceleracion tangencial, no cambia la direccion del vector
velocidad y como consecuencia, los vectores velocidad y aceleracion son paralelos.
Esto ocurre solo en un movimiento rectilneo.
Dado que la aceleracion tangencial tiene en cuenta los cambios en el modulo de la
velocidad, el segundo sumando de la ecuacion (1.34) s olo tiene en cuenta los cambios
en la direcci
on de la velocidad. Este segundo vector esta dirigido a lo largo de la recta
perpendicular al vector tangente en cada punto (ver Ejercicios). La componente de la
on normal an . Si denimos el
aceleracion a lo largo de esta direccion se llama aceleraci
vector unitario normal un como un vector perpendicular a la tangente y que apunta
al centro de curvatura1 de la trayectoria en cada punto, entonces podemos escribir
a = at ut + an un , (1.36)
en donde at y an reciben el nombre de componentes intrnsecas de la aceleracion; at

es la aceleracion tangencial dada por la ecuacion (1.35) y an es la aceleracion normal.
Por argumentos geometricos, la aceleraci on normal se puede escribir como
v2
an = , (1.37)
r
donde r es el radio de curvatura de la trayectoria en el punto dado. As, un movimiento
en el cual el modulo de la velocidad es constante esta acelerado si la trayectoria es
curva: tendr on normal dirigida a lo largo del vector unitario un .
a una aceleraci
Movimiento circular
Un tipo de movimiento sencillo para ver como act uan las componentes de la ace-
leraci
on, es el movimiento circular, en el que la trayectoria de la partcula es una
circunferencia de radio R (ver la gura 1.8). En la gura, se han dibujado los ejes
x e y de tal modo que, en el instante inicial, la partcula se encuentra en el eje x e
inicia un movimiento en sentido antihorario a lo largo de la circunferencia de radio
1 El centro de curvatura de un punto de la trayectoria es el centro de la circunferencia que mas se
aproxima a la trayectoria en ese punto. El radio de esta circunferencia se llama radio de curvatura
de la trayectoria en ese punto.
y v
ut
un
j
O i x
Figura 1.8. Componentes intrnsecas de la aceleraci

on en el movimiento circular.
R. Podemos escribir el vector de posicion de la partcula en todo instante de tiempo

como
r = x i + y j = R cos i + R sen j, (1.38)
siendo el angulo que forma el vector de posici
on con el eje x en cada instante de
tiempo. En la gura 1.8 se ve que los vectores tangente y normal a la trayectoria en
cada punto, para este tipo de movimiento, son
ut = sen i + cos j, (1.39)

un = cos i sen j. (1.40)
La velocidad se obtiene derivando la expresi

on (1.38) respecto al tiempo. Teniendo en
cuenta la expresion (1.39), se obtiene
d
v=R ut . (1.41)
dt
Esto implica que el modulo de la velocidad en un movimiento circular es
d
v=R . (1.42)
dt
La cantidad d/dt expresa como cambia el angulo con el tiempo. En consecuencia
se llama velocidad angular y se escribe
d
= , (1.43)
dt
de tal modo que resulta
v = R . (1.44)
La unidad SI de la velocidad angular es 1 rad s1 , como facilmente se deduce de
su denici on (1.43). En consecuencia, en un movimiento circular, las componentes
intrnsecas de la aceleracion a = dv/dt ut + v 2 /R un son
d
at = R , (1.45)
dt
an = R 2 . (1.46)
Ejercicios 15
La cantidad d/dt se llama aceleraci on angular y su unidad es 1 rad s2 .

Un caso particular es cuando la velocidad angular es constante (movimiento cir-
cular uniforme). En este caso se cumple que at = 0. La u nica aceleraci
on de la
partcula es normal, necesaria para que la trayectoria se curve. En el movimiento cir-
cular uniforme, dado que es constante, la partcula siempre tarda el mismo tiempo
en dar una vuelta completa a la circunferencia. Este tiempo T se llama periodo del
movimiento y esta dado por
2 2R
T = = . (1.47)
v
La posicion de la partcula en el movimiento circular uniforme satisface
r(t) = r(t + T ), (1.48)
es decir, cuando pasa un tiempo igual a T , la partcula vuelve al mismo punto. El

movimiento circular uniforme es un caso de movimiento peri odico.
1.7. Ejercicios
1. Consideremos la ecuacion v = ax/t + bt2 , donde x es una posicion, v es una
velocidad y t es un tiempo. Determinar las dimensiones de a y b para que la
ecuacion sea consistente.
on: [a] = 1, [b] = LT3 .
Soluci
2. atica F entre dos cargas puntuales q1 y q2 ,
La magnitud de la fuerza electrost
separadas por una distancia d, es
q1 q2
F =k ,
d2
donde k es una constante. Determinar la dimensi on de k y sus unidades en el
Sistema Internacional.
on: [k] = ML3 T2 Q2 , y sus unidades son kg m3 s2 C2 .
Soluci
3. Una partcula se mueve en un plano de manera que su posici on vara en el tiempo
seg
un
r(t) = x0 cos (t)i + (v0 /) sen (t)j,
donde x0 , v0 y son constantes. Calcular la velocidad y la aceleraci on de esta
partcula.
Soluci on: La velocidad es v(t) = x0 sen (t)i + v0 cos (t)j, y la aceleracion es
a(t) = x0 2 cos (t)i v0 sen (t)j.
4. Una partcula se mueve en una dimensi on en el seno de un uido con una ace-
leracion que depende de la velocidad seg un a = kv, donde k es una constante.
Su velocidad inicial era v0 y su posicion inicial era x0 . Encontrar la velocidad v
y la posicion x de la partcula en todo instante.
Soluci on: v(t) = v0 ekt , x(t) = x0 + v0 /k (1 ekt ).
5. La aceleracion de los cuerpos debida a la atraccion terrestre tiene un valor g =
9, 8 m s2 y se dirige perpendicularmente a la supercie terrestre y hacia abajo.
As, cuando un cuerpo se mueve bajo la acci on de la gravedad, su movimiento se
realiza en el plano que forman la velocidad inicial y la vertical. Considerar una
partcula que se encuentra inicialmente a una altura h sobre la supercie terrestre
y cuya velocidad inicial es v0 paralela a la supercie de la Tierra. Calcular su

velocidad y su posici on en todo instante.
Solucion: Si tomamos el eje x paralelo a la supercie de la Tierra y el eje y como
altura medida desde el suelo, resulta que las componentes de la velocidad son
vx = v0 , vy = gt, y las componentes de la posicion son x = v0 t, y = h(1/2)gt2 .
6. Un proyectil se lanza desde el suelo con velocidad inicial v0 formando un angulo
con la horizontal. Calcular el alcance del proyectil (distancia horizontal a la
que llega) y su altura m axima.
Solucion: d = (v02 /g) sen (2), h = (v02 /2g) sen2 .
7. Demostrar que la derivada du/dt de un vector unitario u(t) es perpendicular
al propio vector unitario. En general esto ocurre para todo vector de m odulo
constante.
8. Una partcula se mueve con una aceleracion a = 5 m s2 j. En t = 0, la partcula
se encontraba en r0 = 8 m j, y tena una velocidad v0 = 5 m s1 i. Determinar
la ley de movimiento r(t) de la partcula, la ecuaci on de su trayectoria y las
componentes intrnsecas de la aceleracion.
2 2 2
on: r(t) = 5t i + (8 + 2, 5 t )j, y = 8 + x /10, at = 5t/ 1 + t , an =
Soluci
5/ 1 + t .2
9. Una partcula que parte del reposo sigue una trayectoria circular de 2 m de radio
con una aceleraci on tangencial constante de 0, 5 m s2 . En un punto dado de su
trayectoria, tiene una velocidad de 3 m s1 . Calcular su velocidad angular y el
modulo de su aceleraci on en este punto y determinar la posici on del punto del
que hablamos.
Solucion: = 1, 5 rad s1 , a = 4, 53 m s2 . Tomando la posici
on inicial de la
partcula en = 0, la posici
on del punto del problema viene dada por = 4, 5 rad.
Captulo 2
Din
amica
2.1. Leyes de Newton

En el captulo anterior se ha descrito el movimiento de una partcula sin atender a lo
que lo provoca. Seg un Aristoteles, el movimiento de un cuerpo era provocado por la
accion continua de una causa. Mediante experimentos con planos inclinados, Galileo
demolio esta hip otesis y establecio que no era necesaria ninguna causa para que un
objeto en movimiento rectilneo continuara moviendose. Galileo llamo inercia a la
tendencia de los cuerpos a resistir cambios en su movimiento. En 1687, Isaac Newton,
basandose en parte en las intuiciones de Galileo (sus Discorsi fueron publicados en
1638) y desarrollando nuevos metodos de c alculo, estableci
o con la publicaci
on de sus
Principia las leyes del movimiento de los cuerpos. En la din amica de Newton, las
interacciones entre cuerpos se llaman fuerzas y la consecuencia de la existencia de
fuerzas sobre un cuerpo es el cambio de su estado de reposo o movimiento.
Las leyes de Newton son v alidas siempre que el movimiento se estudie con respecto
a un sistema de referencia inercial (un sistema de referencia en reposo o en movimiento
rectilneo uniforme). Un sistema de referencia jo en la Tierra es aproximadamente
inercial para los sistemas fsicos que vamos a estudiar.
Primera ley de Newton. Todo cuerpo permanece en su estado de reposo o de
movimiento rectilneo uniforme a menos que sea obligado a cambiar ese estado
por fuerzas que actuen sobre el. En ambas circunstancias, se dice que el cuerpo
esta en un estado de equilibrio mec anico. A esta tendencia de los cuerpos a
resistir cambios en su movimiento se le llama inercia. La magnitud asociada a
esta propiedad se llama masa. La masa m de un cuerpo es una cantidad escalar
y su unidad en el SI es el kg.
Segunda ley de Newton. El cambio de movimiento de un cuerpo es proporcio-
nal a la fuerza total que act
ua sobre el y ocurre en la direcci
on de la lnea recta
en la que la fuerza act
ua.
Para expresar matematicamente esta ley, denimos la cantidad de movimiento
que posee un cuerpo o su momento lineal p como
p = mv, (2.1)
cuya unidad es 1 kg m s1 . La fuerza debe de ser una magnitud vectorial, y se

mide en newtons (N), que es una unidad derivada tal que 1 N = 1 kg m s2 Si
17
18 Din
amica
F es la fuerza total (la suma vectorial de todas las fuerzas) que act
ua sobre un
cuerpo, el cambio de su momento lineal es igual a F, es decir,
dp
= F. (2.2)
dt
En los casos en que, durante su evoluci on, la masa del cuerpo permanece cons-
tante, la ecuacion (2.2) sirve para determinar la aceleraci
on del cuerpo como
1
a= F. (2.3)
m
No ocurre as en casos como el de un cohete que se propulsa en el vaco mediante
la emision de gases o en el de una partcula que se desintegra en otras.
Tercera ley de Newton. Si un cuerpo ejerce una fuerza F sobre otro, entonces
el segundo ejerce una fuerza en sentido opuesto F sobre el primero. Esta tercera
ley es, a veces, mal interpretada diciendo que las dos fuerzas se anulan entre s por
ser iguales y de signo opuesto, pero esto es falso porque cada fuerza act ua en un
cuerpo diferente.
Por tanto, en la din amica newtoniana los cuerpos interaccionan entre s a traves de
fuerzas, de tal manera que la fuerza total sobre un cuerpo determina su aceleraci on.
La (2.2) se llama ecuaci on de movimiento del cuerpo dado, a partir de la cual, como
se comento en el captulo anterior, se puede obtener la posici on del cuerpo en cada
instante de tiempo por integraci on con ayuda de las condiciones iniciales.
El ejemplo m as sencillo de ecuacion de movimiento es el caso de una partcula
libre. Se llama as a una partcula tal que la fuerza total sobre ella es nula. En este
caso, la ecuacion de movimiento se reduce a la expresion F = 0, es decir, a = 0, de
donde se deduce que la partcula sigue un movimiento uniforme. Si la velocidad inicial
es cero, la partcula permanece en reposo. Si es distinta de cero, la partcula sigue una
trayectoria recta. Estos son los dos casos recogidos en la primera ley de Newton.
Interacciones fundamentales
En la actualidad, se cree que todas las fuerzas son manifestaciones de cuatro u ni-
cas interacciones fundamentales entre las partculas elementales que forman toda la
materia del universo.
La interaccion gravitatoria es, seg

un la teora newtoniana, la atraccion entre
partculas que tienen masa. Si dos partculas tienen masas m1 y m2 y estan
separadas una distancia r, la fuerza gravitatoria con que una de ellas atrae a la
otra tiene un modulo
m1 m2
Fg = G 2 , (2.4)
r
donde G = 6, 67 1011 N m2 kg2 es la constante de Newton de la gravedad, y
esta dirigida a lo largo de la recta que une sus centros. La interacci
on gravitatoria
es la principal responsable del movimiento de estrellas, planetas, etc.
La interacci on electromagnetica es la que aparece entre partculas debida a la
carga electrica de estas. Es normalmente muchsimo mas intensa que la interac-
cion gravitatoria, de tal manera que es la principal responsable de la estructura
Trabajo 19
de los atomos. Del mismo modo, es la responsable de la aparici on de fuerzas de

rozamiento y cohesion molecular.
La interaccion fuerte se da entre los componentes de los n ucleos atomicos para
mantenerlos unidos. Tiene una intensidad a un mayor que las fuerzas electro-
magneticas pero su alcance es muy reducido, de modo que no se observa a nivel
macroscopico.
La interaccion debil no tiene un papel tan directo como el electromagnetismo y
la interacci
on fuerte en la estructura de la materia ordinaria, pero es relevante
en la transformaci on de un neutron en un proton, por ejemplo.
Este libro se reere sobre todo a las propiedades y consecuencias de interacciones a
nivel macroscopico y en especial de la electromagnetica. En este captulo haremos
un breve repaso de la gravedad terrestre al introducir los conceptos b asicos de la
din
amica.
La fuerza gravitatoria con que la Tierra atrae a un cuerpo de masa m situado a
una altura h de su supercie se llama peso. Su m odulo viene dado seg
un (2.4) por
mMT
Fg = G , (2.5)
(RT + h)2
siendo MT = 5,98 1024 kg la masa de la Tierra y RT = 6,37 106 m el radio medio

de la Tierra. Si h es mucho menor que RT , se puede aproximar RT + h por RT . De
este modo, Fg = mg, donde g = GMT /RT2 9,8 m s2 , es la llamada aceleracion de
la gravedad que se puede considerar la misma para todos los cuerpos en las cercanas
de la supercie terrestre.
Si un cuerpo de masa m se mueve u nicamente bajo la accion de la gravedad, de
la segunda ley de Newton se extrae que la aceleracion del cuerpo es
Fg
a= = g j, (2.6)
m
donde hemos tomado el eje y perpendicular al suelo y hacia arriba. En consecuencia,
el cuerpo sigue un movimiento uniformemente acelerado.
2.2. Trabajo
Segun las leyes de Newton, la consecuencia de la existencia de fuerzas sobre un cuerpo
es el cambio de movimiento del cuerpo. Es posible preguntarse si una fuerza es m as
o menos eciente para provocar que el cuerpo sobre el que act ua cambie de posicion.
La cantidad fsica que mide esta eciencia se llama trabajo.
El trabajo realizado por una fuerza constante F (es decir, una fuerza cuyo valor
no depende de la posicion ni del tiempo) durante el desplazamiento en lnea recta r
de una partcula sobre la que actua la fuerza, es igual a la componente de la fuerza
en la direcci
on del desplazamiento multiplicada por el m odulo del desplazamiento. La
operacion matematica que da este resultado recibe el nombre de producto escalar. Por
tanto, el trabajo en este caso se expresa como
W = F r. (2.7)
La unidad SI de trabajo es el julio, denido como 1 J = 1 N m.

20 Din
amica

b
a
b
Figura 2.1. El producto escalar de dos vectores es un n

umero real que depende del
angulo
que forman.
Producto escalar de dos vectores

El producto escalara b de dos vectores es un n
umero real dado por
a b = a b cos , (2.8)
donde es el angulo que forman entre s los vectores a y b (ver la gura 2.1). En
la ecuacion (2.8), a y b son los m
odulos de los vectores a y b, respectivamente. Esta
ecuacion permite tambien demostrar tres propiedades muy interesantes del producto
escalar.
El modulo a de un vector a cumple que a2 = a a.

Dos vectores no nulos tienen producto escalar igual a cero si y s
olo si son per-
pendiculares.
on de otro vector b es ab = (a b)/b
La proyeccion de un vector a en la direcci
(ver gura 2.1).
Los vectores unitarios i, j y k satisfacen las expresiones i i = j j = k k = 1,

i j = j k = i k = 0, de modo que en coordenadas cartesianas rectangulares, el
producto escalar de dos vectores se puede escribir como
a b = ax b x + ay b y + az b z . (2.9)
El trabajo que realiza una fuerza F en el desplazamiento en lnea recta de una

partcula es maximo (y la fuerza ser
a mas eciente para realizar ese desplazamiento),
cuando fuerza y desplazamiento son paralelos. El trabajo es cero cuando fuerza y
desplazamiento son perpendiculares.
Un ejemplo sencillo es el trabajo realizado por la fuerza de la gravedad en la cada
libre de un bloque de masa m desde un punto A, de altura hA , hasta un punto B, de
altura hB , seg
un la gura 2.2. Tomando el eje y como altura medida desde el suelo, la
fuerza gravitatoria se escribe Fg = mg j, y el desplazamiento es r = (hB hA )j.
Por tanto, el trabajo de la fuerza gravitatoria en este desplazamiento es
W = mg j (hB hA ) j = mghA mghB , (2.10)
pues j j = 1.
Trabajo 21
hA
hB
Figura 2.2. Cada libre de un bloque entre dos puntos A y B. Se elige el sistema de referencia
de manera que la cada se produce a lo largo del eje y.
Trabajo realizado por una fuerza variable

En general, la fuerza F sobre la partcula puede depender de la posici on y del tiempo,
en cuyo caso tenemos una fuerza variable. Adem as, la propia trayectoria puede no ser
rectilnea. La expresi
on (2.7) no es v
alida. Para generalizarla, se divide la trayectoria
de la partcula, entre los puntos inicial y nal, en un n umero indenido de desplaza-
mientos innitesimales dr, dentro de cada uno de los cuales se puede considerar que
la fuerza es constante y la trayectoria recta. El trabajo innitesimal dW en uno de
estos desplazamientos resulta, usando la expresion (2.7),
dW = F dr. (2.11)
El trabajo total realizado por la fuerza a lo largo de toda la trayectoria de la partcula,

entre un punto inicial A y un punto nal B (ver la gura 2.3), es una suma en
el continuo (se suma en desplazamientos innitesimales), de manera que se escribe
formalmente como la integral
B
W = F dr. (2.12)
A
Un ejemplo de calculo del trabajo para una fuerza variable aparece en el movimiento
de una masa atada al extremo de un muelle horizontal de constante el astica k. Consi-
deremos un muelle en reposo al que atamos un cuerpo. La posicion x = 0 corresponde
al punto de equilibrio del muelle. Estiramos el muelle hasta un punto x = A y lo
soltamos: el muelle se contrae. La fuerza con que el muelle actua sobre la masa que
tiene en su extremo es F = kx, siendo el signo negativo para expresar que el muelle
tira de la masa al contraerse hacia el punto de equilibrio. Calculemos el trabajo que
realiza esta fuerza en el movimiento de la masa desde x = A hasta x = 0. Tomamos
un desplazamiento innitesimal dx y usamos la expresi on (2.12). Obtenemos
0
1 2
W = (kx) dx = kA , (2.13)
A 2
on x es x2 /2.
donde se ha usado que una primitiva de la funci
22 Din
amica
F
A
dr
rA B
rB
O
Figura 2.3. En una trayectoria curva, el trabajo se calcula sumando las contribuciones
innitesimales de un conjunto de desplazamientos dr dentro de los cuales la fuerza es apro-
ximadamente constante y la trayectoria es aproximadamente recta.
Potencia
Resulta interesante conocer no solo el trabajo que realiza una fuerza, sino tambien la
velocidad con la que lo realiza. Se dene la potencia de una fuerza como el trabajo
que realiza por unidad de tiempo,
dW
P = . (2.14)
dt
Si usamos la expresion (2.11) para el trabajo innitesimal realizado por la fuerza en
un desplazamiento dr de la partcula, resulta
F dr
P = = F v, (2.15)
dt
es decir, se puede escribir la potencia como el producto escalar de la fuerza por la
velocidad de la partcula. La unidad de potencia es el vatio, siendo 1 W = 1 J s1 .
2.3. Energa
El concepto de energa esta ntimamente relacionado con el de trabajo. Consideremos
una partcula de masa m que, bajo la accion de las fuerzas F1 , F2 , . . . que act
uan sobre
ella, se mueve desde un punto inicial A hasta un punto nal B. El trabajo total W
realizado sobre la partcula en su desplazamiento entre estos puntos se puede calcular
sumando los trabajos que realizan cada una de las fuerzas que act uan sobre ella, es
decir B
W = (F1 + F2 + . . .) dr = W1 + W2 + . . . , (2.16)
A
siendo W1 el trabajo que realiza la fuerza F1 , W2 el trabajo que realiza la fuerza F2 ,
etc.
Energa cin
etica
La segunda ley de Newton ofrece un camino alternativo para obtener el trabajo total
realizado sobre una partcula. Si F = F1 +F2 +. . . es la fuerza total sobre la partcula,
Energa 23
ha de cumplirse F = ma, donde a es la aceleracion. Por tanto,

B
W =m a dr. (2.17)
A
Por las deniciones cinematicas de velocidad y aceleracion, tenemos que

dv 1
a dr = v dt = v dv = d(v 2 ), (2.18)
dt 2
pues por la propiedades del producto escalar, v v = v 2 , de manera que derivando se
obtiene la u
ltima igualdad de la expresi
on (2.18). Substituyendo en la ecuaci
on (2.17),
resulta B
1 1 1
W = m d(v 2 ) = mvB 2
mvA 2
, (2.19)
2 A 2 2
es decir, independientemente de las fuerzas que actuan, el trabajo total es igual al
valor de la cantidad (1/2)mv 2 calculada en el punto nal B menos el valor de la
misma cantidad evaluada en el punto inicial A. Se llama energa cinetica Ec de la
partcula a la cantidad
1
Ec = mv 2 , (2.20)
2
y el resultado (2.19) se expresa normalmente diciendo que el trabajo total es igual a
la variaci
on de energa cinetica,
W = Ec = Ec (nal) Ec (inicial). (2.21)
Por su denici on, la unidad SI de energa es el julio, igual que la unidad de trabajo.
Este resultado, conocido con el nombre de teorema trabajo-energa, dice que el trabajo
de la fuerza total sobre un cuerpo cambia el m odulo de la velocidad del cuerpo, es decir,
vara su energa cinetica. Un aspecto interesante del resultado dado por la ecuacion
(2.21) es que la energa cinetica de una partcula es el trabajo que esta partcula puede
realizar hasta que se para, por ejemplo al chocar con otra.
Energa potencial
En general, el trabajo realizado por una fuerza sobre una partcula depende de la
trayectoria que sigue esa partcula (por ejemplo el trabajo realizado por las fuerzas
de rozamiento). Sin embargo, existen determinadas fuerzas con la propiedad de que
el trabajo que realizan s
olo depende de las coordenadas de los puntos inicial y nal
de la trayectoria seguida. Estas fuerzas reciben el nombre de fuerzas conservativas.
Consideremos de nuevo el ejemplo en el que obtenamos el trabajo realizado por
la fuerza de la gravedad en la cada de un cuerpo desde un punto A hasta un punto
B (gura 2.2). Habamos calculado
W = mghA mghB . (2.22)
Esto se puede escribir como
W = [Ug (B) Ug (A)] = Ug , (2.23)

24 Din
amica
donde
Ug = mgh (2.24)
es una funci
on de la posicion del cuerpo (la altura h en este caso) y se llama energa
potencial gravitatoria. As, el trabajo que realiza la gravedad en el movimiento del
bloque es igual a menos la variaci on de la energa potencial entre los puntos inicial y
nal.
A cada fuerza conservativa F se puede asociar una funci on de las coordenadas
llamada energa potencial UF . El trabajo realizado por la fuerza conservativa F es
igual a menos la variaci
on de la energa potencial entre los puntos inicial y nal,
W = UF = [UF (nal) UF (inicial)]. (2.25)
Esto implica que el trabajo que realiza una fuerza conservativa a lo largo de cualquier
trayectoria cerrada es cero.
Conservaci
on de la energa
Si todas las fuerzas que act uan sobre un cuerpo son fuerzas conservativas, el trabajo
total realizado sobre el cuerpo es, por un lado, igual a menos la suma de las variaciones
de las energas potenciales asociadas a cada fuerza y, por otro lado, igual a la variaci
on
de la energa cinetica del cuerpo,
W = U1 U2 . . . = Ec . (2.26)
De aqu, resulta que

(Ec + U1 + U2 + . . .) = 0, (2.27)
es decir, se llega al principio de conservaci
on de la energa mec anica: cuando act
uan
sobre un sistema solo fuerzas conservativas, la energa total del sistema ET permanece
constante durante el movimiento, siendo
ET = Ec + U1 + U2 + . . . . (2.28)
En el ejemplo anterior del cuerpo que cae entre A y B, si despreciamos el rozamiento

del aire (que es una fuerza no conservativa), act
ua s
olo la fuerza gravitatoria. As, por
la conservacion de la energa, se tiene
1 1
mv 2 + mghA = mvB
2
+ mghB . (2.29)
2 A 2
Por tanto, como hA es mayor que hB , resulta que vA es menor que vB : el bloque se
acelera desde el punto A hasta el punto B.
Si act
uan fuerzas no conservativas, como el rozamiento, ocurre que estas no tienen
asociada una energa potencial, de manera que el principio de conservacion de la
energa mecanica no se cumple. En este caso, el trabajo Wnc que realiza esta fuerza
no conservativa se puede escribir como
Wnc = (Ec + U ) , (2.30)
donde U es la energa potencial de las fuerzas que son conservativas (si las hay).
Sistemas de partculas: centro de masas 25
2.4. Sistemas de partculas: centro de masas

Hasta aqu hemos considerado la mec anica de una partcula puntual. Para estudiar el
movimiento de sistemas materiales, es necesario considerar el conjunto de partculas
que lo componen.
Todo cuerpo o sistema de partculas posee un punto especial llamado centro
de masas. Si el cuerpo est a formado por un conjunto de N partculas de masas
{m1 , m2 , . . . , mN }, situadas en puntos con vectores de posicion {r1 , r2 , . . . , rN }, su
centro de masas es un punto situado en
N N
i=1 mi ri i=1 mi ri
rCM = N = , (2.31)
i=1 mi
M

donde M = mi es la masa total del sistema. Podemos ahora escribir el momento
lineal total del cuerpo como

N
d
N
p= pi = mi ri = M vCM , (2.32)
i=1
dt i=1
es decir, el momento lineal total es igual al producto de la masa total por la velocidad
del centro de masas. La segunda ley de Newton aplicada a todo el cuerpo dice que
dp
Fext = = M aCM , (2.33)
dt
donde Fext es la fuerza externa total sobre el cuerpo (la suma de todas las fuerzas
externas que actuan sobre cada partcula del sistema). Las fuerzas internas que ejercen
entre s las partculas del sistema no contribuyen a la expresi on (2.33) porque se
cancelan dos a dos usando la tercera ley de Newton. El resultado (2.33) implica que el
centro de masas de un cuerpo se mueve como si todas las fuerzas externas estuvieran
actuando sobre el, y toda la masa del cuerpo estuviera concentrada en este punto.
Si, por ejemplo, lanzamos hacia arriba una caja llena de pelotas de tenis, algunas
pelotas se saldran de la caja durante el movimiento y se alejaran, pero el centro de
masas del sistema se movera como una partcula puntual, con una masa igual a la
masa total del sistema, sobre la que act ua la fuerza de la gravedad seg un la segunda
ley de Newton. Este tipo de movimiento ya lo hemos estudiado, de manera que solo
nos queda considerar el movimiento de cada pelota con respecto al centro de masas.
2.5. Momento angular

La descripcion del movimiento de un sistema de partculas respecto a un origen de
coordenadas, sea o no este el centro de masas, resulta muy complicada en cuanto el
sistema consta de mas de dos partculas. Sin embargo, un caso particular en que esto se
simplica es el del cuerpo o s
olido rgido. Un cuerpo rgido es un sistema de partculas
en el que las distancias entre las partculas permanecen constantes durante todo el
movimiento. Si estudiamos como se mueve un cuerpo rgido y decidimos ignorar el
movimiento de su centro de masas, solo queda una cosa que el cuerpo pueda hacer:
rotar alrededor de el.
26 Din
amica
ab
a b

Figura 2.4. El producto vectorial de dos vectores es otro vector.
La cantidad mec
anica que determina c
omo rota una partcula respecto a un punto
jo dado se llama momento angular L, y se dene como
L = r p. (2.34)
Su unidad SI es 1 kg m2 s1 . En la ecuaci
on (2.34), r es el vector de posicion de
la partcula respecto al punto jo y p = mv es el momento lineal de la partcula.
El signo representa un nuevo tipo de producto entre vectores, llamado producto
vectorial.
Producto vectorial de dos vectores

El producto vectorial a b de dos vectores es otro vector c tal que su m
odulo c
esta dado por
c = a b sen , (2.35)
donde es el angulo que forman entre s los vectores a y b (ver la gura 2.4). Su
direcci
on es perpendicular al plano que forman los vectores a y b, y su sentido viene
dado por una de las siguientes reglas:
La primera dice que, si colocamos la mano derecha con los dedos ndice, coraz on
y pulgar formando un triedro, y tomamos el ndice en la direccion y sentido de a,
y el corazon en la direcci
on y sentido de b, entonces el pulgar nos da el sentido
del producto vectorial a b. Es la regla de la mano derecha.
La segunda regla es muy parecida, pero el triedro se compone con los dedos
ndice, coraz
on y pulgar de la mano izquierda. Se toma el corazon en la direccion
y sentido de a, el ndice en la direcci
on y sentido de b, y entonces el pulgar nos
da el sentido de a b. Es la regla de la mano izquierda.
La tercera regla se aplica con la mano derecha, colocando los cuatro dedos ma-
yores haciendo un barrido desde el vector a al vector b, de manera que el pulgar
nos da el sentido de a b. Es la regla del sacacorchos o regla del tornillo.
Una propiedad interesante del producto vectorial es que es anticonmutativo, es decir,

a b = b a, de modo que el producto vectorial de un vector por s mismo es
el vector nulo. Por otro lado, y dada la denici
on de este producto, resulta que dos
vectores no nulos tienen producto vectorial igual a cero si y s
olo si son paralelos.
El producto de cualquiera de los vectores de base i, j y k de nuestro sistema
de referencia de laboratorio por s mismo es, por tanto, nulo (i i = 0, etc). Con
Momento angular 27
r v
m
Figura 2.5. Momento angular de una partcula en movimiento circular.
respecto al producto vectorial de uno de ellos por otro, el resultado es siempre el

tercero con un signo dado por el orden en que se multiplican: si el producto tiene el
orden i j k i . . ., entonces lleva un signo + (por ejemplo, i j = +k),
pero si el producto lleva el orden contrario, entonces lleva un signo (por ejemplo,
k j = i). As, en coordenadas cartesianas rectangulares, el producto vectorial se
expresa como
a b = (ay bz az by ) i + (az bx ax bz ) j + (ax by ay bx ) k. (2.36)
Para recordar esta expresion, se puede escribir simbolicamente como un determinante

de la siguiente manera

i j k
a b =
ax ay az
(2.37)

bx by bz
Momento angular en un movimiento circular

Una buena manera de entender por que el momento angular describe las rotaciones
es calcular el momento angular de una partcula puntual que sigue un movimiento
circular. Consideremos que la trayectoria de una partcula de masa m es una circun-
ferencia de radio r en el plano xy, con centro en el origen. La partcula recorre la
circunferencia en sentido antihorario (ver la gura 2.5). Usando la ecuaci
on (2.34), el
momento angular de esta partcula con respecto al origen, en un punto cualquiera de
su trayectoria, es
L = m r v = mrv k = mr2 k, (2.38)
donde se han usado las reglas del producto vectorial aplicadas al caso en que los
vectores que se multiplican son perpendiculares, y tambien que la velocidad angular
viene dada por v = r. En esta expresi on, se puede ver que aparecen el radio de
la trayectoria, la velocidad con que la recorre y el eje con respecto al cual rota la
partcula, especicado mediante un vector unitario.
Es interesante notar como se relaciona la direccion y el sentido del momento
angular con el eje respecto al cual rota la partcula. En general, el vector unitario que
determina la direccion y el sentido del momento angular, que en el caso del ejemplo
es el vector k, nos determina el eje con respecto del cual rota el cuerpo. En el ejemplo
considerado, es el eje z positivo, as que la partcula gira en sentido antihorario: para
verlo, conviene utilizar la regla del tornillo, colocando el pulgar de la mano derecha
28 Din
amica

d1
r1
O r2
d2
Figura 2.6. Rotacion de un cuerpo rgido alrededor de un eje. Todos los puntos del cuerpo
giran con la misma velocidad angular.
apuntando a lo largo del vector k o eje z positivo, de modo que el resto de los dedos
nos indican c
omo rota el cuerpo.
2.6. Rotaciones planas de un cuerpo rgido

Vamos a suponer que, durante la rotacion de un cuerpo rgido, existe una lnea del
cuerpo que se mantiene ja (gura 2.6). Decimos entonces que el cuerpo realiza una
rotaci
on plana con respecto a este eje. En este caso, todos los puntos del cuerpo rgido
rotan alrededor de este eje con la misma velocidad angular , y es esta velocidad
angular la que queremos conocer.
Un punto del cuerpo, de vector de posicion ri respecto a un punto O del eje,
de masa mi , sigue un movimiento circular de radio di (siendo di la distancia entre el
punto i y el eje de rotacion) con velocidad angular (ver gura 2.6). El momento
angular de este punto respecto a O esta dado por
Li = mi ri vi , (2.39)
donde vi es su velocidad.
Supongamos que el eje jo de rotaci on es un eje principal de inercia, lo cual
sucede en dos casos: el eje de rotaci
on es un eje de simetra del cuerpo, o el plano
perpendicular al eje de rotacion en el punto O es plano de simetra del cuerpo. En
este caso, el momento angular total del cuerpo se puede escribir como

L= Li = mi d2i k, (2.40)
es decir, las contribuciones de cada punto que afectan al momento angular total son
del mismo tipo que el momento angular de una partcula en movimiento circular
respecto al centro del crculo. En consecuencia, el momento angular total tiene la
direcci
on y sentido del eje de rotacion. En la ecuaci
on (2.40) hemos supuesto que el
eje de rotacion es el eje z positivo.
Rotaciones planas de un cuerpo rgido 29
Momento de inerciay vector velocidad angular

La cantidad entre parentesis en la expresion (2.40) se conoce con el nombre de mo-
mento de inercia I del cuerpo rgido y es el producto de la masa total del cuerpo por
un factor geometrico (con dimensiones de area) que depende de la forma del cuerpo
y del eje de rotaci
on. Es una constante para un cuerpo rgido dado y un eje jo dado.
Por otro lado, interesa denir el vector velocidad angular del cuerpo , de tal
modo que
= k. (2.41)
Es un vector cuyo modulo es la velocidad angular = v/r y cuya direccion y sentido
son los del eje con respecto al cual rota el cuerpo. Con estas deniciones, el momento
angular del cuerpo rgido respecto a un eje jo es
L = I . (2.42)
Momento de torsi
on
En general, la variacion con
respecto al tiempo del momento angular total de un
sistema de partculas L = Li = ri pi es la suma de las variaciones del momento
angular de cada partcula, que se puede escribir como
dLi dri dpi
= pi + ri . (2.43)
dt dt dt
La derivada de la posicion es la velocidad, y la derivada del momento lineal es la
fuerza neta Fi aplicada a la partcula. Dado que la velocidad y el momento lineal son
paralelos, resulta
dLi
= ri Fi = i . (2.44)
dt
La cantidad que aparece en el segundo miembro de esta ecuaci on se conoce con el
nombre de momento de torsi on i de la partcula con respecto a un punto O tomado
como origen. Su unidad es 1 N m y expresa la eciencia de las fuerzas para provocar
un giro. Cuando sumamos las contribuciones de todas las partculas, el cambio del
momento angular total resulta
dL dLi
= = ri Fi = i = , (2.45)
dt dt
donde es el momento de torsion total del sistema. Para calcular el momento
de torsi
on total es necesario conocer en que punto se aplican las fuerzas. Cuando el
sistema de partculas que tenemos es un cuerpo rgido en rotacion plana, su momento
angular se puede escribir mediante la ecuacion (2.42). Su variaci
on temporal esta dada
por
dL d
=I . (2.46)
dt dt
Igualando ahora las expresiones (2.45) y (2.46), llegamos a lo que se conoce como
segunda ley de Newton para la rotacion plana de un cuerpo rgido
d
=I . (2.47)
dt
30 Din
amica
Figura 2.7. Una rueda gira al aplicar fuerzas iguales y de sentido opuesto sobre ella porque
el momento de torsi
on total es no nulo.
El momento de torsion total de las fuerzas exteriores sobre un cuerpo rgido es igual
al momento de inercia del cuerpo multiplicado por su aceleraci on angular.
Cuando la fuerza total aplicada sobre una partcula es nula, la primera ley de
Newton nos asegura que esta va a seguir un movimiento uniforme, sin aceleracion. Sin
embargo, cuando esto mismo ocurre sobre un cuerpo rgido, en general, hay no s olo
dinamica de traslacion, dada por el movimiento de su centro de masas, sino tambien
dinamica de rotacion. Y puede haber din amica de rotacion incluso cuando la suma de
las fuerzas sobre el cuerpo es nula. El truco esta en que estas fuerzas esten aplicadas
en puntos diferentes del cuerpo. Si es as, aunque la fuerza total sea cero y, por tanto,
el centro de masas del cuerpo no tenga ninguna aceleraci on, el momento de torsi on
sobre este cuerpo puede ser no nulo, en cuyo caso adquirir a una aceleracion angular
de rotacion con respecto a un eje.
Rotaci
on de una rueda
Un ejemplo es el caso de una rueda de radio R que hacemos girar con las manos
(gura 2.7). Si hacemos una fuerza de m odulo F hacia abajo con la mano izquierda,
y una fuerza del mismo modulo pero hacia arriba con la mano derecha en los puntos
indicados en la gura 2.7, la fuerza total sobre la rueda es cero, as que no hay
aceleracion del centro de masas de la rueda y este no se desplaza. El momento de
torsi
on con respecto al centro de la rueda es
= r1 F1 + r2 F2 = (R) i (F ) j + R i F j = 2RF k, (2.48)
que es un vector no nulo aunque la fuerza total sobre la rueda sea nula.
El m odulo del momento de torsi on = 2RF es proporcional a la aceleraci on
angular que adquiere la rueda al rotar respecto a un eje que pasa por su centro. El
vector unitario que determina la direcci on y el sentido del vector , que en este caso es
el vector k, nos determina el eje con respecto del cual rota la rueda. En este ejemplo,
es el eje z positivo, as que la rueda gira en sentido antihorario.
Ejercicios 31
2.7. Ejercicios
1. Sea un triangulo rect angulo, de manera que su hipotenusa est a colocada verti-
calmente. Un teorema debido a Galileo dice que el tiempo que tardara en caer
un cuerpo a lo largo de la hipotenusa es el mismo que tardara en hacerlo a lo
largo de uno de los catetos (con la hipotenusa siempre situada verticalmente).
Demostrarlo.
2. Un cohete se mueve en el espacio exterior a velocidad constante v0 . Su misi on
requiere que cambie su trayectoria en 45 sin variar el m odulo de la velocidad.
Para ello, el cohete expulsa, en un determinado instante, una masa de gas igual
a un 1/100 de su masa. Calcular la velocidad con la que es expulsado este gas.
Solucion: Tomando el eje x en la direcci on de la velocidad
inicial del cohete, la
velocidad nal del cohete es v
cohete = v0 (i + j) /
2 y la velocidad con que se
expulsa el gas es vgas = v0 (100 2 99)i 99j / 2.
3. Puesto que la Tierra rota alrededor de un eje que pasa por sus polos, la aceleraci on
efectiva de la gravedad en el ecuador es ligeramente inferior a la que existira si
la Tierra no rotase. Estimar la magnitud de este efecto.
Solucion: Usando que el radio de la Tierra es RT = 6,37 106 m y que su periodo
es de 24 horas, la gravedad en el ecuador resulta gef = 9, 77 m s2 .
4. Un bloque de masa m se encuentra en reposo sobre el borde izquierdo de un
bloque mas pesado, de masa M . La supercie de separacion entre ambos bloques
es una supercie horizontal que presenta una fuerza de rozamiento fr = mg
opuesta al movimiento de un bloque sobre otro. El bloque de masa M tiene
ruedas, de manera que su movimiento sobre el suelo no presenta rozamiento.
Una fuerza horizontal constante de m odulo F se aplica al bloque de masa m,
poniendolo en movimiento sobre el otro. Si el bloque de masa M recorre una
distancia D sobre el suelo, que distancia recorre el bloque de masa m sobre el
otro en el mismo tiempo?
Solucion: d = D(M F/(gm2 ) M/m 1).
5. Una partcula puntual de masa m se apoya sobre la parte superior de una esfera
lisa de radio R. Si la partcula comienza a moverse desde el reposo, en que punto
abandonar a la esfera?
Solucion: La partcula abandonar a la esfera cuando el angulo que forma su
vector de posicion desde el centro de la esfera con la vertical satisface cos = 2/3.
6. Dada la masa m de una esfera y el radio R del crculo, determinar la altura mni-
ma h, de la cual debe partir la esfera, para completar con exito la curva en lazo
mostrada en la gura 2.8. Suponer que la bola desliza sin girar y sin rozamiento
y que su velocidad inicial es nula. Calcular las reacciones de la supercie (fuerza
normal) sobre la bola en los puntos A y B.
Solucion: h = 5R/2, NA = 0, NB = 6mg.
7. Un vag on de ferrocarril de masa M = 1000 kg, sin techo y con un area en el
suelo de 10 m2 , se mueve sin rozamiento a lo largo de rales rectilneos con una
velocidad de 5 m s1 . En un momento dado, comienza a llover verticalmente
a razon de 0, 001 litros cm2 s1 . Calcular la velocidad y la aceleraci on del
vagon. Determinar la fuerza que se necesitara para mantenerlo a una velocidad
constante de 5 m s1 .
Solucion: v = 50/(10 + t), a = 50/(10 + t)2 , F = 500 N.
32 Din
amica
h
11111111111111111111
00000000000000000000
B
00000000000000000000
11111111111111111111
00000000000000000000
11111111111111111111
Figura 2.8.
8. Un cable inextensible y de masa despreciable esta enrollado en un cilindro solido

de masa M y radio R que puede girar alrededor de su eje. Se tira del cable con
una fuerza F . Determinar la aceleraci on angular del cilindro. Dato: el momento
de inercia del cilindro respecto a su eje es M R2 /2.
Solucion: d/dt = 2F/(M R).
9. Una varilla de longitud L y masa M puede girar sin rozamiento respecto a un
punto jo O situado a una distancia L/3 de uno de sus extremos (la varilla
esta clavada en la pared en ese punto). Inicialmente, la varilla est
a en reposo en
posicion horizontal, sujeta con una mano. Al soltarla, comienza a girar. Calcular
la aceleracion angular con la que rota si su momento de inercia con respecto al
punto O es I = M L2 /9.
Solucion: d/dt = 3g/(2L).
Captulo 3
Carga el
ectrica
3.1. Propiedades de las cargas el

ectricas
Faraday, uno de los padres del electromagnetismo, lleg o a comentar que alg un da se
cobraran impuestos por el uso de la energa electrica. Hoy, todos pagamos estos im-
puestos, pero no s olo eso. La interaccion electromagnetica es la principal responsable
de la estructura atomica, las neuronas transportan las ordenes del cerebro a traves de
impulsos electricos, diferentes formas de energa se transforman en energa electrica
para su transporte y uso, etc.
Si frotamos una varilla de vidrio con un pa no de seda, el espacio que rodea a
ambos cuerpos adquiere ciertas propiedades que podemos visualizar. Por ejemplo,
si se esparcen peque nos trozos de papel en las cercanas del vidrio, algunos de estos
trozos son atrados por la varilla. Esta atracci
on es parecida a la atraccion gravitatoria
que sienten todos los cuerpos entre s, pero millones de millones de veces mas intensa.
Experimentos sencillos como este muestran que los cuerpos maniestan una propiedad
llamada carga electrica, que es una magnitud escalar que puede ser positiva o negativa.
Tambien hay cuerpos que no poseen esta propiedad, debido a que la cantidad de carga
positiva es igual a la cantidad de carga negativa en ellos. Estos cuerpos se denominan
electricamente neutros.
La primera propiedad que se deduce de los experimentos con cuerpos cargados
es que las cargas del mismo signo se repelen y las cargas de signo opuesto se atraen.
Si colocamos una varilla de vidrio cargada positivamente al lado de una bola de acero
cargada negativamente y colgada por un hilo del techo, observaremos que la bola se
acerca a la varilla. Esto signica que se ha producido una interacci on entre la carga
negativa de la bola y la carga positiva de la varilla, y que esta interaccion es atractiva.
Si hacemos un experimento parecido entre dos cuerpos cargados negativamente, llega-
remos a la conclusion de que la interacci on es, en este caso, repulsiva. Podemos notar
aqu una diferencia fundamental entre la carga y la masa: la interacci on gravitatoria,
debida a la masa de los cuerpos, es siempre atractiva. La unidad SI de carga es el
culombio (C).
Un cuerpo puede tener una carga positiva de 0,17 C y otro una carga negativa de
5,4 mC. En principio cualquier valor de la carga electrica parecera posible, pero no
es as. Esta segunda propiedad es una consecuencia de la estructura fundamental de la
materia, y se conoce con el nombre de principio de cuantizaci on de la carga electrica.
Se puede expresar este principio de la siguiente forma: todos los cuerpos materiales
33
34 Carga electrica
poseen una carga electrica cuyo valor es siempre alg

un m
ultiplo entero de una carga
fundamental e = 1,6 1019 C. Es decir, si medimos la carga de un cuerpo y esta
carga vale Q, siempre se cumple que hay alg un n
umero entero n (positivo o negativo)
tal que
Q = ne. (3.1)
Por tanto, un cuerpo puede tener una carga igual a 8546 e, o igual a 17568 e, pero
no hay ning un cuerpo que tenga una carga igual a 157,25 e.
Una tercera propiedad es la aditividad de la carga electrica. Con esto se quiere
expresar que la carga neta de un conjunto de cargas es igual a la suma de las cargas
que forman este conjunto (cada una con su signo). Por ejemplo, si tenemos en una
on del espacio tres cargas de valores Q1 = 4,5 C, Q2 = 3,6 C y Q3 = 0,2 C, la
regi
carga neta de esta regi on sera Q = Q1 + Q2 + Q3 = 1,1 C. No hay que olvidar que la
carga electrica es una propiedad de los cuerpos materiales. Sin soporte material no hay
carga y el movimiento de la carga esta ligado al movimiento del soporte material. A
menudo, los cuerpos cargados entran en contacto, y la carga se transere de un cuerpo
a otro. En todos los casos, se cumple que, en un proceso de transferencia de carga, la
carga neta siempre se conserva. Esta propiedad se llama principio de conservaci on de
la carga.
3.2. Fuerza electrost

atica
El estudio de la interaccion entre cargas en reposo se llama electrost atica, y se fun-
damenta en la ley que obtuvo Coulomb, en 1785, para describir cuantitativamente la
fuerza entre dos cuerpos cargados que est an en reposo uno respecto del otro en un
sistema de referencia cartesiano. La ley de Coulomb se reere a la situaci on mostrada
en la gura 3.1. En ella se tienen dos cargas puntuales q1 y q2 separadas por una
distancia r12 y situadas en el vaco. Ambas cargas estan en posiciones jas r1 y r2 con
respecto al sistema de referencia. La fuerza electrost atica Fe,12 se reere a la fuerza
que ejerce la carga q1 sobre la carga q2 . Esta fuerza viene dada en terminos del vector
de posicion relativo de q2 respecto de q1 ,
r12 = r2 r1 . (3.2)
El vector r12 tiene por modulo la distancia r12 entre las dos cargas, esto es |r12 | = r12 ,
su direcci
on es a lo largo de la recta que une las dos cargas y su sentido va desde la
carga q1 a la carga que experimenta la fuerza q2 . El vector unitario u12 , dado por
r12 r2 r1
u12 = = , (3.3)
r12 |r2 r1 |
determina la direcci
on y sentido de r12 . La ley de Coulomb se escribe
q1 q2
Fe,12 = k 2 u12 , (3.4)
r12
siendo k la constante de Coulomb. Su valor en el vaco es
k = 9 109 N m2 C2 , (3.5)
Fuerza electrost
atica 35
r q
12 2
q1
r
1
r
2
O
y
x
Figura 3.1. Posiciones de las cargas puntuales q1 y q2 respecto del sistema de referencia de
laboratorio con origen en el punto O.
aunque es mas com

un escribir
1
k= , (3.6)
40
donde
0 = 8, 85 1012 C2 N1 m2 , (3.7)
es la permitividad del vaco. En comparaci on con ella, la permitividad del aire, en
condiciones normales de presi on y temperatura, es aire = 1, 0005 0, es decir, la ley
de Coulomb en el aire es pr acticamente igual que la ley de Coulomb en el vaco.
Por eso las conclusiones que obtengamos estudiando la electrost atica en el vaco son
validas, con muy buena aproximaci on, para la electrostatica en el aire.
Como se observa en la expresi on (3.4), la interaccion electrostatica entre cargas
puntuales disminuye como el inverso del cuadrado de la distancia entre las cargas.
Esto signica que el valor de la interacci on decrece muy r apidamente a medida que
las cargas se separan de modo que, si las cargas estan muy lejos una de otra, apenas
se afectan. Otra caracterstica esencial es que la fuerza est a dirigida a lo largo de la
recta que une la carga q1 con la carga q2 que experimenta la interacci on. El sentido de
atica depende del valor del producto de las cargas q1 q2 , de manera
la fuerza electrost
que si q1 q2 > 0 (las cargas tienen el mismo signo), entonces la fuerza es repulsiva,
y si q1 q2 < 0 (las cargas tienen signo opuesto), la fuerza es atractiva, como ocurre
experimentalmente. Por u ltimo, es facil ver que la fuerza Fe,21 que ejerce q2 sobre q1
satisface
Fe,21 = Fe,12 , (3.8)
as que la fuerza que ejerce q2 sobre q1 tiene el mismo modulo, la misma direcci on y
sentido opuesto que la fuerza que ejerce q1 sobre q2 , cumpliendose la tercera ley de
Newton.
La ley de Coulomb se generaliza f acilmente en el caso de tener una distribucion
discreta de cargas puntuales (es decir, un n umero entero de cargas puntuales indivi-
duales separadas una de otra) seg un el llamado principio de superposici
on: las fuerzas
aplicadas sobre la misma partcula se suman como vectores (gura 3.2). Por tanto,
36 Carga electrica
F
{1,2}0
F
20
q
q 0
1
F
10
q2
Figura 3.2. Fuerza que ejercen 2 cargas puntuales q1 y q2 sobre otra carga puntual q0 . En
este ejemplo se supone que las tres cargas tienen el mismo signo, como se puede deducir del
sentido de los vectores que representan las fuerzas.
la fuerza que ejerce una distribuci on discreta de cargas puntuales {q1 , q2 , . . . , qN }

con vectores de posicion {r1 , r2 , . . . , rN }, sobre una carga puntual q0 con vector de
on r0 , es
posici
Fe,{1,2,...,N }0 = Fe,10 + Fe,20 + . . . + Fe,N 0 . (3.9)
3.3. Conductores y diel

ectricos
La materia ordinaria est a formada por atomos, cuyas longitudes tpicas son del orden
de 1010 m. A pesar de su peque no tamano, los atomos estan formados por com-
ponentes mas elementales. La zona central o n ucleo esta formada por dos tipos de
partculas que se llaman protones y neutrones. El prot on es una partcula con una
masa mp = 1, 7 1027 kg y una carga positiva qp = +e = 1, 6 1019 C. A su vez, el
neutron es una partcula sin carga cuya masa es practicamente igual que la del prot
on.
En torno al n ucleo, en cada atomo, existe un cierto n umero de electrones formando
una especie de nube, de modo que casi todo el volumen de un atomo es el de su nube
electronica. Cada electron tiene una carga negativa qe = e = 1, 6 1019 C y
una masa me = 9, 1 1031 kg. Su carga es la misma que la del proton pero de signo
opuesto, mientras que su masa es mucho mas peque na que la de protones y neutrones,
por eso la masa de un atomo esta concentrada en su n ucleo.
Dado que la carga de un electron es de igual magnitud pero de signo opuesto a
la de un proton, es obvio que un atomo que posea tantos protones como electrones no
tiene carga neta, por lo que ser a neutro. Pero el numero de electrones de un atomo
puede variar, bien porque los pierda, en cuyo caso el atomo se convierte en un ion
positivo o cati
on, o porque los gane, y el atomo se convierte en un ion negativo o
anion. En ambos casos, la carga neta de un atomo sera siempre igual a un n umero
entero de veces la carga fundamental e.
Veamos ahora como es posible que la carga electrica pueda moverse en el interior
de un material. La mayor o menor facilidad que tiene la carga para moverse en el in-
terior de un material se llama conductividad electrica. Pero la pregunta es por que hay
sustancias mejores conductoras (con mayor conductividad) que otras.
Procesos de carga en conductores y dielectricos 37
Los electrones de un atomo se distribuyen en diferentes capas u orbitales, atrados

por la carga positiva del n ucleo. Debido a que esta atraccion disminuye mucho con la
distancia, los electrones de las u ltima capas (las mas alejadas del n ucleo) son atrados
con menor fuerza que los de las capas m as internas, existiendo adem as un efecto de
repulsion entre los electrones de diferentes capas. As, las u ltimas capas de un atomo
pueden perder o admitir m as facilmente electrones. Estas u ltimas capas reciben el
nombre de capas u orbitales de valencia.
Las sustancias en la naturaleza, por lo general, est an formadas por atomos de di-
ferentes elementos enlazados entre s electricamente. En las sustancias que presentan
enlaces ionicos (iones positivos y negativos de diferentes elementos se atraen electri-
camente) y covalentes (los atomos que forman las moleculas comparten uno o m as
electrones de la u ltima capa), todos los electrones de valencia son necesarios para el
enlace atomico, de manera que no quedan electrones que puedan moverse por el in-
terior del material. Por eso la mayora de estas sustancias tienen baja conductividad y
se les llama aislantes o dielectricos. La carga electrica se mueve con mucha dicultad
en el interior de un material aislante, como la goma, la madera y muchos pl asticos.
Los materiales met alicos presentan otro tipo de enlace. En el estado solido, los
atomos forman una red espacial o cristal, cuya estructura se repite peri
odicamente.
Los atomos individuales que forman la red interaccionan con sus vecinos de tal manera
que parte de los electrones de valencia intervienen en el enlace y parte se colectivizan,
pasando a pertenecer al conjunto cristalino. A estos u ltimos se les llama electrones
libres. La causa por la cual los metales son buenos conductores de la electricidad es que
poseen muchos electrones de este tipo. Tambien existen algunos materiales, llamados
semiconductores que act uan como aislantes en determinadas condiciones ambientales
y como conductores en otras.
En realidad, no existen materiales totalmente conductores ni totalmente aislantes,
sino una gama casi completa de comportamientos intermedios, en los que la facilidad
para conducir carga est a mas o menos acentuada. Pero la conductividad de un metal
puede ser mil millones de veces mayor que la de un aislante como el vidrio. Por
ejemplo, en un cable com un de un aparato electrico, la carga uye a traves de varios
metros de alambre conductor desde el enchufe conectado a la red electrica hacia el
aparato, y luego regresa por otro alambre en el mismo cord on, en lugar de pasar
directamente de un alambre a otro a traves de una peque na fraccion de centmetro de
aislamiento plastico. Por esta razon supondremos casi siempre que un buen aislante
tiene conductividad nula.
3.4. Procesos de carga en conductores y diel

ectricos
Existen diferentes maneras de cargar los cuerpos. Todos hemos experimentado los
efectos de cargar nuestro cuerpo por fricci on: tras arrastrar los pies por una alfombra,
sentimos un chispazo al tocar el pomo de una puerta. En este caso, se arrancan
literalmente electrones que pasan de un cuerpo a otro. La energa mecanica se emplea
en romper los enlaces que mantienen unidos a los electrones en un cuerpo y, al quedar
libres, pueden transferirse a otro. Tambien se puede transferir carga por contacto (no
es conveniente tocar las patillas metalicas de los chips de los ordenadores al manejarlos,
pues podramos da narlos al depositar carga en ellos).
Si el material en que hemos depositado carga es un aislante, la carga normalmente
38 Carga electrica
_
+ ___ _
+
+
+
_ +
_ + ___ _
_ + + +
_ +
_ + +
Figura 3.3. Carga por inducci on. Una varilla cargada negativamente se acerca a una bola
de hierro inicialmente neutra colgada del techo por un hilo. Se observa que la bola es atrada
por la varilla, debido a que se ha producido un exceso de carga positiva en la regi on de la
bola cercana a la varilla, contrarrestada por un exceso de carga negativa en la regi on de
la bola mas alejada de la varilla. Si se conecta a tierra esta regi
on m
as alejada, y se retira
despues la varilla, casi inmediatamente la bola de hierro queda cargada positivamente, con
el exceso de carga positiva colocada en toda la supercie de la bola.
se queda ligada al punto de contacto. Es posible entonces tener una distribuci on de

carga no uniforme. Por ejemplo, al pasar la mano por la pantalla de un ordenador o
un televisor se siente un cosquilleo debido a que la carga acumulada en el cristal se
transere a la mano. Esa carga esta formada por electrones que provienen del haz que
incide sobre la pantalla por detras, algunos de los cuales se acumulan en el cristal. Sin
embargo, si el material es un buen conductor, la carga depositada en el puede moverse
por el interior del material. Como las cargas del mismo signo se repelen, tender an a
separarse minimizando la repulsion entre ellas. Cuando dejan de moverse, se dice que
se ha alcanzado el equilibrio electrost
atico, momento en el cual todo el exceso de carga
se ha situado en la supercie del conductor.
Otra manera de cargar un conductor es por inducci on. Por ejemplo, consideremos
una esfera metalica inicialmente neutra suspendida de un hilo no conductor, a la cual
acercamos una varilla cargada negativamente seg un se puede ver en la gura 3.3.
La carga de la varilla repele a los electrones situados en la parte de la esfera mas
cercana a la varilla. As, mientras mantengamos la varilla cerca de la esfera, la parte
de esta mas pr
oxima a la varilla presenta un exceso de carga positiva, mientras que
la parte de la esfera m as alejada presenta un exceso de carga negativa. Si tocamos
momentaneamente el lado mas lejano, los electrones pueden ser conducidos hasta el
suelo: la esfera se ha puesto a tierra. La tierra es el concepto por el que designamos
un dep osito enorme de carga, y nuestro planeta es uno de ellos, de ah el nombre.
Por consiguiente, la esfera habr a quedado cargada positivamente si a continuaci on
dejamos de tocarla.
En realidad, la carga por inducci on no se restringe a los conductores, sino que
puede presentarse en todos los materiales. En el caso de los dielectricos, en lugar de
movimiento de electrones libres, lo que ocurre al acercar la varilla cargada es una
reorientacion o polarizacion de la carga electrica en las moleculas del material, de
manera que los centros de las distribuciones de carga positiva y negativa en cada
molecula dejan de coincidir, como se muestra en la gura 3.4. Se genera as un exceso
de carga (llamada carga ligada en este caso) de signo opuesto a la de la varilla en
la supercie cercana a esta. El centro de carga de un cuerpo es un punto que se
Ejercicios 39
_
_+ + _
___ _
_ +
_ +
_ +
_ +
Figura 3.4. Polarizaci

on de un dielectrico por inducci
on.
dene de manera analoga al centro de masas (visto en el captulo 2). Si tenemos N

cargas puntuales del mismo signo {q1 , q2 , . . . , qN }, situadas en puntos con vectores de
on {r1 , r2 , . . . , rN }, su centro de carga es un punto situado en
posici
N N
i=1 qi ri i=1 qi ri
rCQ = N = , (3.10)
i=1 qi
Q

siendo Q = qi la carga total. En una molecula neutra, podemos considerar el centro
de carga positiva y el centro de carga negativa. Si la molecula no esta polarizada, estos
dos puntos coinciden. Sin embargo, en una molecula polarizada la posicion de los dos
centros de carga sera diferente.
Una u ltima aclaracion. Muchas veces se dice que carga positiva es transferida
a alg
un sitio o que se distribuye de algun modo. No hay nada err oneo en ello, pues
decir que se se anade carga positiva equivale a decir que se quita carga negativa: es
el balance de carga total lo que importa.
3.5. Ejercicios
1. La fuerza gravitatoria con la que se atraen 2 electrones satisface la ley de Newton
m2e
Fg = G ,
r2
donde G = 6, 7 1011 m3 kg1 s2 es la constante universal de la gravedad,

me es la masa de un electron y r es la distancia que separa a ambos electrones.
Determinar si esta fuerza gravitatoria atractiva puede compensar la repulsi on
electrostatica Fe debida a la ley de Coulomb.
on: Fg = 2, 4 1043 Fe . Por tanto, la fuerza gravitatoria es despreciable
Soluci
frente a la electrostatica y no puede compensarla. Esto ocurre en la mayora de
los casos en las aplicaciones electricas, por lo que casi siempre despreciaremos la
atracci
on gravitatoria entre partculas cargadas.
2. Calcular la fuerza que ejerce una carga de 1 nC sobre otra de 2 nC si est an sepa-
radas 1 cm. Determinar la masa que deben tener ambas cargas para que la fuerza
gravitatoria entre ellas equilibre su repulsion electrostatica.
on: Fe = 1, 8 104 N, m = 16, 4 kg.
Soluci
40 Carga electrica
3. En el modelo de B ohr del atomo de hidr ogeno, un electron circunda a un prot on

en una orbita de radio r = 5, 3 1011 m. Determinar la fuerza de atracci on entre
el proton y el electron y calcular la velocidad del electron en su orbita.
Solucion: Fe = 8, 2 108 N, v = 2, 2 106 m s1 .
4. Calcular la fuerza que una carga puntual de 1 mC, situada en el punto (1, 0, 0) cm,
ejerce sobre otra de 1 C situada en el punto (0, 1, 1) cm.
Solucion: Fe = 3 1010 (i + j + k) / 3 N.
5. En los vertices de un cuadrado de 1 m de lado hay 4 cargas iguales de 1010 C
cada una. Calcular la fuerza que ejercen las dem as sobre la que esta en el vertice
superior derecho y hacia d onde se dirige esta fuerza.
Solucion: Fe = 1, 7 1010 N. La fuerza se dirige a lo largo de la diagonal del
cuadrado que pasa por la carga y hacia el exterior.
6. En los vertices de un tri angulo equilatero de lado L hay tres cargas de valores q,
q y 2q. Calcular la fuerza electrost atica ejercida sobre la u
ltima.
Solucion: Elegimos el sistema de referencia de manera que la carga q esta sobre
el eje x positivo, q esta sobre el eje x negativo, y 2q esta sobre el eje y positivo.
En este caso, la fuerza sobre 2q es Fe = 2kq 2 /L2 i.
7. Cinco cargas iguales de valor q estan igualmente espaciadas en un semicrculo
de radio a, de tal manera que dos de ellas est an en los extremos del semicrculo.
Determinar la fuerza que ejerce esta distribuci on de cargas sobre una carga Q
situada en el centro del semicrculo.
Solucion: Colocamos el sistema de referencia de manera que el centro del se-
micrculo esta en el origen, y todas las cargas est a
n en el semiplano superior del
plano xy. La fuerza resulta Fe = (kqQ/a2 )(1 + 2) j.
8. Dos bolas identicas, de masa m = 1g y carga q, se encuentran suspendidas del
mismo punto del techo por hilos inextensibles de la misma longitud L = 20 cm. En
el equilibrio, las cargas estan separadas por una distancia d = 10 cm. Determinar
la carga de cada bola.
Solucion: q = 5, 3 108 C.
9. Dos protones se encuentran situados sobre un eje vertical, separados una distancia
2d = 21010 m. Se sit ua a la misma distancia de ambos, separado del eje vertical
una distancia x d, un electr on inicialmente en reposo. Calcular la fuerza sobre
el electr
on y determinar el movimiento que realizara y su frecuencia.
Solucion: Fe = 4,6 x hacia el eje vertical. Es un MAS de frecuencia angular
= 2,1 rad s1 .
10. Dos cargas puntuales q1 = 1 mC, q2 = 2 mC, estan situadas en el eje x, en los
puntos x1 = 1 cm, x2 = 2 cm. Determinar en que punto del eje x se podra
colocar una tercera carga para que la fuerza electrost atica sobre ella fuera nula.
Solucion: x = 8, 24 cm.
Captulo 4
Campo el
ectrico
4.1. Campo el
ectrico creado por cargas puntuales
Al analizar con cuidado la expresion de la ley de Coulomb para la interacci on en-
tre dos cargas puntuales en reposo, nos encontramos con el problema de la acci on a
distancia. Seg un la ley de Coulomb, la fuerza electrost atica act
ua instantaneamente
entre cargas que se encuentran separadas una de otra, y sin embargo ninguna interac-
cion puede propagarse a velocidad innita. La noci on de campo electrico resuelve este
problema. Historicamente la electrostatica se desarroll o como el estudio de fen ome-
nos electricos macroscopicos. As, las idealizaciones que emplearemos para su estudio,
como las cargas puntuales o los campos electricos en un punto dado, deben entender-
se como herramientas matematicas que permiten comprender los fen omenos a nivel
macroscopico, aunque puedan no tener signicado a nivel microsc opico.
Denici
on de campo el
ectrico
Consideremos una carga puntual q, con vector de posicion r, que experimenta una
atica Fe debida a la acci
fuerza electrost on de otra carga puntual q0 que est
a en r0 . Las
cargas estan arbitrariamente lejos una de otra. Podemos pensar que la carga fuente
q0 ha modicado el espacio que la rodea de tal manera que, en cada punto de este
on entre la carga fuente q0 y
espacio, ha creado un campo electrico. As, la interacci
la carga q ya no es una accion a distancia, sino una interacci on de contacto entre
el campo electrico que crea q0 en el punto r y la carga q que se encuentra tambien
en ese punto. Para obtener el campo electrico creado por q0 en r, suponemos que q
es pequena en comparaci on con q0 , de tal manera que no afecta considerablemente
al proceso de medicion del campo electrico. Se dice entonces que q es una carga de
prueba. Podemos escribir la fuerza electrostatica Fe que ejerce q0 sobre q como
Fe = q E. (4.1)
Lo que hemos hecho en la ecuacion (4.1) es separar la parte de la fuerza que depende
de la carga de prueba q de la parte que depende de la carga fuente q0 y del punto del
espacio r en el que se mide la fuerza. Se dene el campo electrico como
Fe
E= , (4.2)
q
41
42 Campo electrico
es decir, es la fuerza electrost

atica ejercida sobre una carga de prueba q dividida por
la propia carga de prueba. La unidad SI de campo electrico es 1 N C1 . Se usa a
menudo otra unidad, llamada voltio (V), tal que 1 V = 1 NmC1 . Con ella la unidad
de campo electrico resulta 1 V m1 .
Distribuciones discretas de cargas puntuales

En consecuencia, por aplicaci on de la ecuacion (4.2), cuando la fuente del campo
electrico es una carga puntual q0 situada en el punto P0 , con vector de posicion r0 , de
la ley de Coulomb se obtiene que el campo electrico E(r) creado por q0 en el punto
P , con vector de posicion r, es
uP0 P r r0
E(r) = kq0 2
= kq0 , (4.3)
|r r0 | |r r0 |3
donde uP0 P es el vector unitario que apunta desde el punto P0 al punto P , de manera
que las dos expresiones para el campo electrico que aparecen en la ecuacion (4.3) son
totalmente equivalentes.
En el caso de tener distribuciones discretas de cargas puntuales, el campo electrico
satisface tambien, como lo haca la fuerza electrost atica, el principio de superposici on,
indicando que los campos electricos que act uan en el mismo punto se suman como
vectores. Por tanto, el campo electrico creado por una distribuci on discreta de cargas
puntuales {q1 , q2 , . . . , qN }, situadas en los puntos {r1 , r2 , . . . , rN }, sobre un punto r,
es
E{1,2,...,N } (r) = E1 (r) + E2 (r) + . . . + EN (r). (4.4)
Lneas de campo el
ectrico
Una manera muy u til de representar gr acamente un campo es a traves de las lneas
de campo, que son lneas tangentes al campo en cada punto del espacio. En el caso
electrico, estas lneas son tambien tangentes a la fuerza que experimenta una carga de
prueba en ese punto por la denici on (4.1). Sin embargo, las lneas de campo electrico
no tienen por que coincidir con la trayectoria que seguira la carga de prueba, ya que
la trayectoria no depende s olo de la aceleracion sino tambien de la velocidad. Veremos
un ejemplo de esto en el apartado 4.3.
En la gura 4.1 se muestran las lneas de campo electrico de una carga puntual
positiva. El espaciado de las lneas se relaciona directamente con la intensidad del
campo electrico, de manera que, a medida que nos alejamos de la carga, el campo
electrico se debilita y las lneas se separan. Adoptaremos, pues, el convenio de dibujar
un n umero jo de lneas desde una carga puntual, siendo tal n umero proporcional al
valor de la carga, y adem as dibujaremos las lneas simetricamente alrededor de la carga
puntual, de manera que la intensidad del campo venga determinada por la densidad
de las lneas. Para una carga positiva, las lneas se alejan de la carga, y decimos que
la carga positiva es una fuente del campo. Para una carga puntual negativa, las lneas
se dirigen hacia la carga, que se denomina sumidero del campo.
En la gura 4.2 se muestran las lneas de campo para dos cargas puntuales po-
sitivas iguales, separadas por una peque na distancia. Como se ve en la gura, muy
cerca de cada carga el campo es aproximadamente igual al que producira esa carga,
pues la otra est a comparativamente muy lejos. As, las lneas de campo cerca de cada
Distribuciones continuas de carga 43
+Q +Q +Q
Figura 4.1. Lneas de campo electrico de Figura 4.2. Lneas de campo electrico de
una carga puntual positiva dos carga puntuales positivas iguales.
carga son radiales y equidistantes. Ademas, como las cargas son iguales, se pinta
el mismo n umero de lneas partiendo de cada una. A distancia muy grande de las
cargas, un observador no podra distinguir si se trata de una carga de valor 2q o de
dos cargas cercanas de valor q. Esto se reeja en las lneas que, a gran distancia de
las cargas, son radiales y equidistantes. Por ultimo, en el espacio entre ambas cargas,
podemos imaginar como se comportara una carga positiva de prueba: sera repelida
por ambas, de manera que las lneas en la zona intermedia tienden a escapar de las
cercanas de las cargas. Como vemos, las lneas de campo nos dan mucha informaci on
sobre el propio campo sin necesidad de calcularlo explcitamente. El caso de una carga
positiva y otra negativa puede verse en la gura 4.8.
4.2. Distribuciones continuas de carga

En situaciones macroscopicas, la distribucion de carga en un cuerpo no se puede des-
cribir adecuadamente como un conjunto discreto de cargas puntuales en su interior.
Para mostrar esta imposibilidad consideremos un trozo de material de un volumen
dado V en el que medimos una carga Q = 1 C. Si las cargas puntuales que con-
tribuyen a Q son b asicamente electrones, habra que tener en cuenta la posicion, en
el interior del material, de unas 1019 partculas, calcular el campo electrico que crea
cada una de ellas, y sumar todos estos campos para hallar el campo electrico total
que crea ese volumen. Esto es, a todas luces, intratable.
En general, no es pr actico considerar un cuerpo cargado como una distribuci on
discreta de cargas puntuales. En lugar de esto, se considera la carga en un cuerpo
macroscopico como una distribuci on continua en su interior. Segun esta descripcion,
el volumen total del cuerpo, que tiene una carga total Q, se puede dividir en un
numero indeterminado de peque nos elementos de volumen que tienen cada uno una
carga innitesimal dq. Cada uno de estos elementos contribuye al campo electrico
total que crea la distribuci
on con un elemento de campo dE, que se supone que tiene
la forma dada por la ley de Coulomb. El campo total se obtiene despues sumando los
elementos de campo dE, pero tal suma no es una suma discreta sino una suma en el
44 Campo electrico
dq
r0
r P
Figura 4.3. El campo electrico total en un punto P creado por una distribuci
on continua de
carga es la suma continua de los elementos de campo creados por las cargas innitesimales
dq que forman la distribuci
on. Estos elementos de campo siguen la ley de Coulomb.
continuo, es decir, una integral.

Consideremos un cuerpo (gura 4.3) con una carga total Q. Escogemos un punto
cualquiera P0 del interior del cuerpo, con vector de posici
on r0 . Alrededor de P0 se
toma un trozo innitesimal de material en el que hay una carga innitesimal que es-
cribiremos como dq. Dado que estamos ante una carga distribuida en un muy peque no
espacio, el campo electrico que crea en un punto P se puede aproximar por el de una
carga puntual de valor dq seg un la ley de Coulomb. En efecto, si r es el vector de
posici
on del punto P en el cual queremos calcular el campo electrico dE creado por
la carga dq, entonces
r r0
dE = k dq . (4.5)
|r r0 |3
Para calcular ahora el campo total que crea toda la distribuci on continua de carga
en el punto P se han de sumar las contribuciones de todos los elementos de carga dq.
Como estamos en una situacion continua, en la que no se pueden contar uno a uno
estos elementos de carga, esta suma se escribe como la integral

r r0
E(r) = k dq , (4.6)
Q |r r0 |3
que nos da la expresion general del campo electrico creado por una distribuci on conti-
nua de carga estatica. En cualquier caso, esta expresion puede ser difcil de manejar.
En el siguiente captulo veremos un camino que, en ocasiones, simplica mucho las
cosas para calcular un campo electrico en situaci on de alta simetra.
Campo el
ectrico creado por un lamento en su eje
Un ejemplo de distribucion homogenea de carga es el que aparece en el calculo del
campo electrico creado en un punto P por un lamento rectilneo de carga homogenea
Q y longitud L como podemos ver en la gura 4.4. Carga homogenea es la que se
distribuye en el cuerpo de tal modo que a vol umenes iguales corresponden cargas
iguales. En este caso, la carga se distribuye homogeneamente a lo largo de una lnea
de longitud L, es decir, todos los trozos de longitud d dentro de la lnea tienen la
Distribuciones continuas de carga 45
dx0 P
x
L
Figura 4.4. C alculo del campo electrico creado por una carga rectilnea nita en un punto
P de su eje. Un segmento innitesimal de longitud dx0 crea un campo en P que puede
considerarse como el creado por una carga puntual.
misma carga dq. Se dene la densidad lineal de carga como la carga por unidad de
longitud,
dq
= , (4.7)
d
cuya unidad es 1 C m1 . Una manera sencilla de expresar que una distribucion lineal
de carga es homogenea es decir que la densidad lineal de carga es uniforme, siendo la
misma en todos los puntos de la distribucion. En este caso, todos los puntos tienen
densidad lineal
Q
= , (4.8)
L
siendo Q la carga total y L la longitud total. En el siguiente captulo veremos tambien
las deniciones de densidad supercial y densidad volumetrica.
Volvamos al ejemplo de la gura 4.4. Por conveniencia, situamos el lamento
de carga en el eje x, desde el origen x0 = 0 hasta el punto x0 = L. El punto P
se encuentra tambien en el mismo eje y a la derecha del lamento, en x > L. En
consecuencia, el campo en P tiene la forma
E = E i, (4.9)
donde E ser a positivo o negativo dependiendo de si la carga del lamento es positiva

o negativa. Para calcular el valor de E en P , escogemos arbitrariamente un segmento
innitesimal de lamento cargado, de longitud dx0 , cuyo centro se encuentra a distan-
cia x0 del origen. Segun la ecuacion (4.7), este segmento tiene una carga dq = dx0 .
El campo electrico, de valor tambien innitesimal y de modulo dE puede ser calculado
en el punto P mediante la ley de Coulomb,
k dx0
dE = . (4.10)
(x x0 )2
Para calcular el campo que crea toda la distribuci on lineal de carga, se ha de integrar la
expresion (4.10) a todos los puntos del lamento, teniendo en cuenta que es constante
a lo largo del lamento por tratarse de una distribuci on de carga homogenea. Se llega
as a la expresion
L
k kQ
E= 2
dx0 = , (4.11)
0 (x x0 ) x(x L)
donde se ha usado que = Q/L.

46 Campo electrico
R h
v0
m E0 x
l d
Figura 4.5. Desviaci

on de una carga positiva por un campo electrico uniforme.
4.3. Movimiento de una carga de prueba

Conocida la manera de calcular el campo electrico E que crea cierta distribucion de
carga estatica, consideremos el comportamiento de una carga de prueba q inmersa en
un campo electrico. La segunda ley de Newton establece que una partcula de masa
m sometida a una fuerza externa F sufre una aceleracion a = F/m. Por la denici on
de campo electrico dada en la ecuacion (4.2), la carga de prueba est
a sometida a una
fuerza electrostatica Fe = qE. Por tanto la aceleracion que adquiere debida al campo
electrico externo es
q
a = E, (4.12)
m
siendo m la masa de la partcula cargada. Si se conoce el campo electrico externo y
se mide la aceleracion de una carga de prueba inmersa en el, la ecuacion (4.12) nos
informara de la relacion carga-masa de la partcula.
Carga de prueba en un campo el

ectrico uniforme
Consideremos la situacion de la gura 4.5. En ella, una partcula de masa m y carga
q entra con velocidad inicial v0 en una regi on R en la que hay un campo electrico E0
uniforme perpendicular a v0 (dibujado en la gura mediante sus lneas de campo, que
son paralelas y equidistantes entre s). Fuera de esta region, no hay campo electrico1.
Tomamos como eje x uno paralelo a la velocidad inicial de la carga, y como eje
y uno paralelo al campo electrico E0 . Mientras est a en la region R, de longitud l, la
carga tiene una aceleracion constante
qE0
a= , (4.13)
m
1 El campo el ectrico al que se reere este ejemplo se crea por un par de placas met
alicas paralelas, con
la misma carga pero de signo opuesto. Este dispositivo se llama condensador plano, y se tratar a en
el apartado 5.6. Por ahora, nos basta con saber que el campo que crea un condensador plano es
practicamente nulo fuera de la regi on entre las placas, y es uniforme entre las placas, siendo su
direccion perpendicular a ambas placas y dirigido desde la placa positiva a la negativa
Energa potencial electrost
atica 47
dirigida a lo largo del eje y. Por tanto, dentro de R, la carga efect

ua un movimiento
parab olico (semejante al movimiento de proyectiles), desviandose debido al campo
electrico.
Despues de R, la carga entra en una regi
on en la que no hay campo electrico, de
modo que no siente ninguna aceleracion y sigue un movimiento rectilneo uniforme
hasta que choca con una pantalla situada a distancia d. La altura h a la cual la
carga choca con la pantalla se puede determinar usando las reglas de la cinem atica,
obteniendose
qE0 l l
h= +d . (4.14)
mv02 2
Muchas aplicaciones tecnologicas, como el monitor del ordenador, el tubo de
imagen de un televisor o el osciloscopio, se basan en esta idea. Esencialmente estos
dispositivos constan de un tubo de rayos cat odicos y una pantalla uorescente. El
tubo de rayos catodicos es un tubo de vaco en el que se acelera y desva un haz de
electrones mediante campos electricos y magneticos. Los campos que desvan el haz se
crean perpendiculares al tubo mediante placas met alicas cargadas. El haz es inyectado
en uno de los extremos del tubo y viaja hacia el otro extremo, donde impacta con la

pantalla. Esta al ser bombardeada emite luz.
4.4. Energa potencial electrost

atica
En el captulo 2, vimos que el trabajo que realiza una fuerza en el desplazamiento de
la partcula sobre la que act
ua es una medida de lo ecaz que es esa fuerza para que
la partcula realice ese desplazamiento. Cuando la fuerza es conservativa, el trabajo
que realiza se relaciona con la variaci
on de una energa potencial.
Consideremos ahora una carga de prueba q que se mueve bajo la inuencia del
campo electrico E creado por cierta distribucion de carga. El trabajo que realiza la
fuerza electrica Fe = qE en una trayectoria de la carga de prueba q desde el punto A
al punto B es
B
W = Fe dr. (4.15)
A
La fuerza electrost
atica es conservativa, debido a que el campo electrost atico no de-
pende explcitamente ni de la velocidad de la carga de prueba ni del tiempo. El trabajo
realizado por la fuerza electrost
atica sobre una carga de prueba se escribe entonces
W = [Ue (B) Ue (A)] = Ue , (4.16)
donde Ue es la energa potencial electrost
atica. Ahora bien, dado que el campo electrico
es la fuerza por unidad de carga, podemos denir la energa potencial por unidad de
carga como
W = q[V (B) V (A)], (4.17)
donde
Ue
V = , (4.18)
q
se llama potencial electrost
atico, y la variaci
on
W
V = V (B) V (A) = , (4.19)
q
48 Campo electrico
se llama diferencia de potencial entre A y B. La unidad de potencial electrost atico

(y de diferencia de potencial) es el voltio, pues 1 V = 1 J 1 C1 . Es importante
notar que ni la energa potencial electrostatica ni el potencial electrost
atico se pueden
determinar en sentido absoluto: s olo tienen sentido las diferencias entre sus valores
en puntos diferentes. Por eso es com un establecer valores de referencia para estas
cantidades, como se especicar a mas adelante.
Energa de una carga en un campo electrost

atico
Supongamos que sobre una carga de prueba s olo ejerce trabajo la fuerza electrost
atica.
Dado que es conservativa, seg un el principio de conservaci on de la energa la suma de
la energa cinetica y la energa potencial electrostatica resulta
1
mv 2 + qV = constante. (4.20)
2
De aqu, si q se mueve desde el punto A al punto B,
1 1
mv 2 mv 2 = q [V (B) V (A)] . (4.21)
2 B 2 A
Como consecuencia,
Si q es una carga positiva, se acelera cuando se dirige hacia puntos de menor
potencial y se frena cuando se dirige a puntos de mayor potencial.
Si q es una carga negativa, se frena cuando se dirige hacia puntos de menor
potencial y se acelera cuando se dirige hacia puntos de mayor potencial.
Volvamos al caso de la gura 4.5, donde una carga positiva q de masa m, con veloci-
dad inicial v0 , entra en la regi on entre las placas de un condensador plano, donde hay
un campo electrico E0 uniforme, de tal manera que la velocidad inicial de entrada es
perpendicular al campo electrico. Como vimos en el apartado 4.3, esta carga adquiere
una aceleraci on a = (q/m)E0 paralela al campo electrico, de modo que efect ua un
movimiento parab olico en el plano que forman los vectores v0 y E0 , curv andose hacia
la placa negativa del condensador. Como se desprende de la gura 4.5, durante la
trayectoria de la carga, la velocidad tiene una componente positiva en la direcci on
del campo electrico, por lo que el trabajo efectuado por la fuerza electrost atica sobre
la carga es positivo. Por otro lado, al moverse la carga hacia la placa negativa del
condensador, lo hace hacia puntos de menor potencial, disminuyendo su energa po-
tencial. As, su energa cinetica debe crecer, es decir, la carga se acelera hacia la placa
negativa.
4.5. Potencial electrost

atico
Veamos la relacion entre el campo electrico y el potencial creados por cierta distri-
buci
on de carga estatica Q. Para ello consideramos el trabajo dW realizado por la
atica Fe = q E en un desplazamiento innitesimal dr de una carga de
fuerza electrost
prueba q. Segun la expresion (4.19), se satisface la igualdad
dW q E dr
dV = = = E dr. (4.22)
q q
Potencial electrostatico 49
E B
q
A
q0
Figura 4.6. Una carga puntual positiva q0 en reposo, crea un campo electrico que act ua
sobre una carga de prueba q. La diferencia de potencial electrost
atico creado por la carga q0
entre los puntos A y B es la que experimenta q.
Si la carga de prueba q se mueve entre dos puntos A y B, la diferencia de potencial

entre estos puntos es una suma de diferencias de potencial innitesimales dadas por la
expresion (4.22). En consecuencia, la diferencia de potencial entre A y B es la integral
de la ecuacion (4.22),
B
V = V (B) V (A) = E dr. (4.23)
A
La relacion (4.23) entre campo y potencial implica que el potencial electrost

atico no
depende de la carga de prueba. Lo que s depende de la carga de prueba q es la
variaci
on de su energa potencial electrost
atica cuando se mueve entre A y B, dada
por
B
Ue = Ue (B) Ue (A) = q E dr. (4.24)
A
Se puede dar una expresion para el potencial electrostatico en funci on de las coor-
denadas de un punto generico teniendo en cuenta que siempre queda una constante
de integraci
on por determinar. Esta constante de integracion se puede jar asignando
un origen de potencial, para as determinar diferencias respecto a el. A partir de la
ecuacion (4.23), resulta
V (r) = E dr. (4.25)
Potencial creado por cargas puntuales

Como ejemplo, calculemos el potencial creado por una carga puntual q0 situada en
reposo en el origen. Esta carga ejerce una fuerza electrost atica, en virtud del campo
que crea, sobre una carga de prueba q que, inicialmente, se encuentra en reposo en un
punto A a una distancia rA de q0 (seg un la gura 4.6). La carga q se mueve entonces
a lo largo de la recta que pasa por el origen y el punto A. Eventualmente, pasa por un
punto B a distancia rB de q0 . Utilizando la ley de Coulomb para el campo electrico
creado por q0 y el hecho de que el potencial no depende de la trayectoria seguida,
podemos tomar un desplazamiento radial, de manera que dr = dr ur , y
B B
kq0 kq0 kq0
V = V (B) V (A) = E dr = 2
dr = . (4.26)
A A r rB rA
50 Campo electrico
Dada la expresion obtenida, se puede elegir un origen de potencial a distancia innita

de la carga de prueba, es decir, elegir un potencial nulo en el innito. Esto puede
hacerse siempre que no haya cargas fuente a distancia innita de q0 . As, el potencial
electrostatico creado por una carga puntual q0 , situada en el origen, es
kq0
V (r) = , (4.27)
r
siendo V = 0.
De manera completamente analoga, el potencial creado por la carga fuente q0
situada en r0 es
kq0
V (r) = . (4.28)
|r r0 |
Como se ve en estas expresiones, el potencial electrostatico creado por una carga
puntual positiva es siempre positivo (si es cero en el innito) y el potencial creado por
una carga puntual negativa es siempre negativo (si es cero en el innito). En otras
palabras, el potencial que crea una carga positiva es mayor en todo punto que en el
innito, y el potencial que crea una carga negativa es menor en todo punto que en el
innito.
Para distribuciones discretas de cargas puntuales, el potencial electrost atico sa-
tisface el principio de superposici on, como el campo electrico, pero esta vez los po-
tenciales que act uan en el mismo punto se suman como escalares. As, el potencial
creado por una distribuci on discreta de cargas puntuales {q1 , q2 , . . . , qN }, situadas en
los puntos {r1 , r2 , . . . , rN }, sobre un punto r, es
V{1,2,...,N } (r) = V1 (r) + V2 (r) + . . . + VN (r). (4.29)
Supercies equipotenciales
Una manera muy u til de representar gr acamente el potencial electrostatico es a
traves de supercies equipotenciales. Una supercie equipotencial es el conjunto de
los puntos para los cuales el potencial electrostatico es constante. Por ejemplo, en el
caso de una carga puntual q0 situada en el origen, el potencial que crea es V = kq0 /r.
Por tanto, los puntos con el mismo valor de r tienen el mismo potencial. Esto indica
que las supercies equipotenciales son, en este caso, supercies esfericas centradas en
q0 . Hay pues innitas supercies equipotenciales, cada una de ellas dada por un valor
de r.
Un par de ejemplos de supercies equipotenciales aparecen en las guras 4.7 y 4.8.
En la segunda de estas guras se ven las lneas de campo y supercies equipotenciales
creadas por un dipolo electrico, que es un par de cargas puntuales de igual magnitud
y signo opuesto, q y q, separadas por una distancia a muy peque na.
Dado que V = W/q, resulta que la fuerza electrostatica sobre una carga q no
ejerce trabajo cuando esta carga se mueve sobre una supercie equipotencial. Esto
ocurre porque, sobre la supercie equipotencial, se cumple que V = 0, de modo que
W = 0 y la carga de prueba no vara su energa potencial electrost atica al moverse
sobre una supercie equipotencial.
Una segunda propiedad es que el campo electrico que crea una distribuci on de
carga es siempre perpendicular a las supercies equipotenciales creadas por la misma
Ejercicios 51
+Q +Q Q
Figura 4.7. Supercies equipotenciales y Figura 4.8. Supercies equipotenciales

lneas de campo creadas por una carga y lneas de campo creadas por un dipo-
puntual positiva. lo electrico.
distribuci
on. Esto es una consecuencia de la expresi on (4.22) ya que, cuando el des-
plazamiento dr es a lo largo de una supercie equipotencial, el potencial no cambia,
de modo que dV = E dr = 0, con lo cual el campo electrico ha de ser ortogonal al
desplazamiento.
Por u
ltimo, las lneas de campo electrico apuntan en el sentido en que disminuye
el potencial. De nuevo, esto puede comprobarse en las guras 4.7 y 4.8, y tambien
mirando la ecuacion (4.22). Si el desplazamiento innitesimal dr de la carga de prueba
es paralelo al campo electrico, resulta que el valor de la diferencia de potencial dV es
negativo y alcanza su valor mnimo.
4.6. Ejercicios
1. Se tienen dos cargas puntuales q1 = 4 nC y q2 = 2 nC en los puntos P1 (0, 0, 0) y
P2 (4 m, 3 m, 0), respectivamente. Calcular el campo electrico en el punto P2 (0, 3 m, 0).
Solucion: E = 9/8 V m1 i + 4 V m1 j.
2. Un dipolo electrico es un sistema formado por cargas puntuales opuestas q y q
separadas por una peque na distancia a. Obtener el campo electrico creado por
un dipolo en un punto de su mediatriz a distancia d del eje del dipolo. Aproximar
el resultado anterior si a d.
Solucion: E = kqa/[d2 + (a/2)2 ]3/2 , dirigido paralelamente al vector que une la
carga positiva con la carga negativa del dipolo. Cuando a d, E = kqa/d3 .
3. Un lamento rectilneo de longitud L tiene una carga positiva Q distribuida
homogeneamente a lo largo de su longitud. Calcular el campo electrico en un
punto P de su mediatriz a distancia d del lamento.
Solucion: E = 2kQ/(d L2 + 4d2 ). El campo se dirige a lo largo de la mediatriz,
desde el lamento hacia el punto P .
4. Un lamento cerrado en forma de anillo de radio a tiene una carga Q distribuida
homogeneamente en su longitud. El anillo est a situado en el plano xy, con centro
en el origen. Determinar el campo electrico en un punto P situado en el eje z.
Solucion: E = kQz/(a2 + z 2 )3/2 k.
5. Obtener la ecuaci on (4.14) para la altura a la que llega una carga q tras ser
acelerada por un campo uniforme.
52 Campo electrico
6. Tres cargas puntuales iguales de valor q se encuentran inicialmente situadas en

el innito. Se van trayendo una a una y se colocan en los vertices de un tri angulo
equil
atero de lado L. Determinar la variaci on de la energa potencial electrost
atica
del sistema.
Solucion: Ue = 3kq 2 /L.
7. Se consideran dos cargas puntuales q1 = 4 nC y q2 = 2 nC en los puntos
P1 (0, 0, 0) y P2 (4 m, 3 m, 0), respectivamente. Calcular la energa electrostatica
de este sistema de cargas y determinar la variacion de energa potencial de la
carga q2 si se mueve desde el punto P2 al punto P3 (3 m, 0, 0).
Solucion: Ue = 14, 4 109 J. Ue = 9, 6 109 J.
8. Supongamos que la carga q2 del problema anterior se encuentra en el punto P2
en reposo, y luego se mueve hasta el punto P3 . Calcular con que velocidad llega
a este punto si tiene una masa m = 2 1012 kg.
Solucion: v = 310 m s1 .
9. En una regi on R existe un campo electrico uniforme E = 2 103 V m1 i + 4
3 1
10 Vm j. Se consideran los tres puntos A(0, 0, 0), B(4 cm, 0, 0) y C(4 cm, 3 cm, 0)
en la regi on. Determinar las diferencias de potencial entre cada pareja de estos
puntos.
Solucion: VB VA = 80 V, VC VB = 120 V, VC VA = 200 V.
10. Consideremos un condensador plano, que genera un campo electrico uniforme
E = 2 103 V m1 i en cierta region del eje x. El potencial del punto x = 0 es
V0 = 120 V. Determinar el potencial de los puntos x = 2 cm y x = 8 cm. Calcular
la posicion del punto que se encuentra a potencial nulo.
Solucion: V2 = 80 V, V8 = 40 V, x0 = 6 cm.
Captulo 5
Ley de Gauss
5.1. Flujo el
ectrico
Una cantidad importante cuando se estudian las propiedades de un campo vectorial,
como es el caso del campo electrico, es el ujo del campo a traves de una supercie.
Para entender bien el signicado del ujo, consideremos un campo electrico uniforme
E. En la gura 5.1 se han dibujado algunas lneas electricas correspondientes a un
campo uniforme. Se considera tambien una supercie plana de area S. La cuestion es
cu
antas de las lneas de este campo electrico atraviesan la supercie.
En primer lugar, el n umero N de lneas de campo que atraviesan una supercie es
proporcional al campo pues la intensidad del campo viene determinada por la densidad
numerica de las lneas. En segundo lugar, este numero ha de ser proporcional al area
S de la supercie, pues si el area se hace mayor mas lneas atravesaran la supercie.
Por tanto, tenemos una dependencia del tipo
N E S. (5.1)
La expresion (5.1) es a
un incompleta porque N depende tambien de la orientaci on
de la supercie, como se ve en la gura 5.1. Para tener esto en cuenta, se considera
un vector unitario normal n perpendicular a la supercie en cada punto. En el caso
de una supercie plana, como la de la gura 5.1, todos los puntos tienen el mismo
vector n. En este caso, es facil ver que el n
umero de lneas que atraviesan la supercie
S
E
Figura 5.1. Algunas lneas de un campo electrico uniforme atraviesan una supercie. El
ujo electrico es proporcional al n
umero de estas lneas.
53
54 Ley de Gauss
depende de la componente del vector E a lo largo del vector n, es decir, del producto
escalar de estos vectores,
N E S cos = (E n) S = E S, (5.2)
donde, en el u
ltimo termino, se ha denido el vector S de la supercie plana como
S = S n. La cantidad
e = E S, (si E uniforme y S plana) , (5.3)
se llama ujo del campo electrico uniforme E a traves de la supercie plana. La unidad
de ujo electrico es 1 V m.
Cuando el campo electrico no es uniforme en la supercie (no tiene el mismo
valor en todos los puntos de ella) o bien la supercie no es plana (el vector normal
n no es el mismo en cada uno de sus puntos), la expresion (5.3) no es correcta. Para
generalizarla, se toma un elemento de supercie de area innitesimal dS con vector
dS = dS n, dentro de la cual el producto escalar E n es aproximadamente uniforme y
el ujo (innitesimal) a traves del elemento de area se puede expresar mediante (5.3)
como
de = E dS. (5.4)
Para calcular el ujo a traves de toda la supercie se han de sumar en el continuo
las contribuciones de cada una de las regiones innitesimales de area dS. Resulta
entonces la expresion general
e = E dS. (5.5)
S
5.2. Ley de Gauss

La ley de Gauss es uno de los resultados fundamentales del electromagnetismo. Mien-
tras que la ley de Coulomb solo es valida en situaciones estaticas, la ley de Gauss es
general y valida para cualquier campo electrico. Esta ley es una relacion directa entre
el ujo electrico a traves de una supercie cerrada y la carga que se encuentra en el
espacio encerrado por esa supercie.
Consideremos el campo creado por una carga puntual q situada en el origen y
calculemos el ujo de este campo a traves de la supercie de una esfera con centro en la
carga y radio a. La situaci on se muestra en la gura 5.2. Seg
un se ve en esta gura, el
hecho de tener una supercie esferica en este caso se traduce en que el campo electrico
creado por la carga y el vector normal a la supercie S en cada punto son paralelos. El
resultado, sin embargo, no va a depender de c omo sea la supercie mientras encierre
a la carga puntual. Usando la ley de Coulomb para el campo electrico creado por la
carga, se cumple
kq
E dS = 2 dS, (5.6)
r
donde r es la distancia que hay entre la carga y un punto cualquiera del espacio. Para
puntos de la esfera, tomamos r = a para calcular el ujo a traves de ella. Aplicando
ahora la denici on de ujo (5.5), se llega a

kq
e = E dS = 2
dS, (5.7)
S S a
Ley de Gauss 55
+Q
Figura 5.2. C alculo del ujo del campo creado por una carga puntual situada en el origen a
traves de la supercie de una esfera con centro en la carga. En las operaciones, es importante
notar que el campo electrico y el vector normal son paralelos en cada punto de la supercie
esferica.
donde el crculo en la integral signica que la supercie sobre la que se integra es una
supercie cerrada (es una buena forma de no olvidarlo). Sacando fuera de la integral
todas las constantes,
kq
e = 2 dS. (5.8)
a S
Lo que queda por hacer es sencillo: la integral en una supercie del elemento de area
dS es, simplemente, el area total S de la supercie. Por tanto, dado que el area de
una esfera de radio a es 4a2 , y teniendo en cuenta que k = 1/(40 ),
kq q
e = S = 4kq = . (5.9)
a2 0
Hemos obtenido que el ujo no depende del radio a de la esfera. Si lo pensamos un
poco, esto tiene sentido. Dado que el ujo cuenta el n umero de lneas de campo que
atraviesan una supercie, una vez tenemos una supercie que encierra la fuente de
las lneas, que es la carga puntual q, da lo mismo el radio de esa supercie, e incluso
da lo mismo su forma mientras encierre a q. En otras palabras, el ujo a traves de
una supercie cerrada solo depende de las fuentes y sumideros de lneas que encierra
la supercie. Las fuentes y sumideros que se encuentren fuera de la supercie cerrada
no pueden afectar al ujo a traves de esta porque las lneas que crean entran y salen
de la supercie dando lugar a un ujo neto nulo.
La ley de Gauss resume todo esto: el ujo electrico a traves de una supercie
cerrada cualquiera es igual a la carga total encerrada por ella, que llamaremos Qint ,
dividida por 0 ,
Qint
E dS = . (5.10)
S 0
En esta expresion, el factor 1/0 solo aparece por cuestiones de unidades. Lo impor-
tante es la presencia de Qint , que es la suma de las fuentes y sumideros que dan lugar
a lneas de campo que atraviesan la supercie un n umero impar de veces y dan, por
tanto, contribucion neta al ujo. Como un ejemplo, en la gura 5.3 se han pintado
algunas lneas del campo creado por cierta distribuci on de carga Q. El ujo de es-
te campo a traves de la supercie S es Q1 /0 , siendo Q1 la carga encerrada por la
56 Ley de Gauss
Q1
Q _ Q1
S
Figura 5.3. Seg

un la ley de Gauss, el ujo a traves de la supercie de la gura es Q1 /0 .
supercie. El resto de la carga, que es Q Q1 , es fuente de lneas de campo que no

atraviesan la supercie, o que la atraviesan un n umero par de veces, de modo que
esta carga no contribuye al ujo.
5.3. Campo creado por una esfera homog

enea
La ley de Gauss permite calcular el ujo de cualquier distribucion de carga a traves de
cualquier supercie cerrada en situaciones en que ni siquiera tenemos una expresion
para el propio campo. S olo se necesita conocer la carga que encierra la supercie que
consideremos. Se llama supercie gaussiana aquella supercie cerrada a traves de la
cual calculamos el ujo.
Una de las aplicaciones de la ley de Gauss es el calculo de campos electricos
cuando la distribuci
on de carga presenta alta simetra. Para conocer el campo que crea,
en estos casos se puede elegir una supercie gaussiana en la que el campo electrico es
uniforme. El ujo de este campo se relaciona con la carga encerrada por la supercie
gaussiana que hemos elegido y as se puede obtener el modulo del campo.
Un ejemplo de calculo de un campo mediante la ley de Gauss es el creado por una
esfera de radio R con una carga Q distribuida homogeneamente en todo su volumen.
Se dene la densidad volumetrica de carga como la carga por unidad de volumen
que hay en una porci on innitesimal de la distribucion,
dq
= . (5.11)
dV
La unidad de densidad volumetrica de carga es 1 Cm3 . Cuando la carga se distribuye

homogeneamente en un volumen V, todos los puntos de este volumen tienen la misma
densidad de carga, igual a
Q
= , (5.12)
V
y se dice que la densidad de carga es uniforme. Para la esfera de nuestro problema,
la densidad volumetrica uniforme de carga tiene un valor
3Q
= . (5.13)
4R3
Campo creado por una esfera homogenea 57
n E(r)
P
Q
Figura 5.4. Esfera de carga homogenea y supercie gaussiana para el c

alculo del campo
electrico.
Pasemos a calcular el campo electrico. Colocamos el origen del sistema de re-

ferencia en el centro de la esfera, seg
un la gura 5.4. Por razones de simetra de la
distribuci
on de carga, suponemos que el campo electrico en un punto P :
Tiene direccion radial, seg
un el vector unitario ur . Para comprender esto, ima-
ginemos un elemento de volumen cualquiera del interior de la esfera y su simetrico
con respecto a la recta que une el centro de la esfera y el punto P . Las contri-
buciones de estos dos elementos de volumen se suman en el punto P para dar,
efectivamente, un campo en la direcci on del vector ur .
Su m odulo depende de la distancia r al centro de la esfera, pues la distribucion de
carga solo depende de esta cantidad (un caso particular es el de una distribuci on
esferica homogenea).
Cuando se cumplen estas dos suposiciones, decimos que el campo electrico tiene si-
metra esferica y escribimos
E(r) = E(r) ur . (5.14)
Ahora, hemos de elegir una supercie gaussiana en la que el campo valga lo mismo
en todos sus puntos. Dada la expresion (5.14), esta supercie gaussiana particular es
la de una esfera concentrica con la esfera de carga y cuyo radio r sea la distancia
desde el origen hasta el punto donde se va a calcular el campo electrico. El vector
normal exterior n a la esfera de radio r en cada punto es paralelo al campo electrico
en ese mismo punto (ver la gura 5.4), de manera que el ujo a traves de la supercie
gaussiana es
e = E dS = E(r) dS. (5.15)
Sr Sr
Sr signica que se est

a calculando el ujo a traves de la esfera de radio r. Pero E(r)
es uniforme en esa esfera, de manera que es una constante para la integral y se puede
escribir
e = E(r) dS = E(r)S(r) = 4r2 E(r), (5.16)
Sr
donde S(r) es el area de la esfera de radio r. Por otro lado, seg

un la ley de Gauss,
Qint
e = . (5.17)
0
58 Ley de Gauss
R/30
E(r)
R
r
Figura 5.5. M odulo del campo electrico E(r) creado por una esfera homogenea con carga Q
y radio R, frente a la distancia r al centro de la esfera. Se observa que E(r) tiene un m
aximo
en la supercie de la esfera (r = R). Tambien se observa c omo E(r) crece linealmente con r
en el interior de la esfera y decrece como 1/r 2 en el exterior.
Igualando las expresiones (5.16) y (5.17), se llega a

Qint
E(r) = . (5.18)
40 r2
Tenemos ahora dos regiones diferentes del espacio donde calcular el campo electrico:
En la regi
on exterior a la esfera, denida por la condici on r > R, una esfera
gaussiana contiene toda la carga, as que Qint = Q, y resulta
Q R3
E= ur = ur , si r > R. (5.19)
40 r2 30 r2
En la regi
on interior a la esfera, denida por la condici on r < R, una esfera
gaussiana contiene s
olo una fraccion de la carga total, dada por
4r3
Qint = Vint = , (5.20)
3
donde Vint es el volumen encerrado por la esfera gaussiana. Por tanto,
Qr r
E= ur = ur , si r < R. (5.21)
40 R3 30
Si se representa el modulo del campo electrico frente a la distancia r al centro de la
esfera, se obtiene la gura 5.5.
5.4. Campo creado por un cilindro homog

eneo
Calculemos el campo electrico creado por un cilindro de altura innita y radio R con
una densidad volumetrica de carga uniforme en su interior. Colocamos el origen del
Campo creado por un cilindro homogeneo 59
O P E(r)
n
Figura 5.6. Supercies gaussianas para calcular el campo electrico creado por un cilindro
de altura innita homogeneamente cargado.
sistema de referencia en un punto cualquiera del eje del cilindro, como se ve en la

gura 5.6.
La distribuci
on de carga posee en este caso simetra cilndrica. Esto signica que
podemos suponer que el campo electrico creado por esta distribuci on en un punto P :
Tiene direccion radial, seg
un el vector unitario ur de la gura 5.6. En este caso,
este vector unitario es perpendicular al eje del cilindro en cada punto y se dirige
desde el eje al punto P . Para comprobar esto, primero se toman dos elementos de
volumen iguales en el interior del cilindro que sean simetricos respecto al plano
perpendicular al eje y que pasa por el punto P . Esto nos convencer a de que
el campo tiene direccion perpendicular al eje del cilindro. Tomemos ahora dos
elementos de volumen con la misma altura y simetricos respecto a la recta que
pasa por el eje y el punto P . As veremos que el campo se dirige desde el eje
hacia el punto P .
Su m odulo depende de la distancia r al eje del cilindro, pues la distribuci on
de carga solo depende de esta cantidad (un caso particular es una distribuci on
cilndrica homogenea).
Con estas propiedades de simetra de la distribuci
on, podemos escribir el campo como
E(r) = E(r) ur , (5.22)
pero es importante notar que r y ur signican aqu cosas distintas que en el caso de la
esfera, como ya hemos comentado y se ve en la gura 5.6. Como supercie gaussiana
tomaremos la supercie de un cilindro innito de radio r con el mismo eje que el
cilindro de carga. El ujo a traves de esta supercie resulta

e = E(r) dS = E(r)S(r) = 2rhE(r), (5.23)
Sr
donde h es la altura del cilindro gaussiano (es innita, pero veremos que no apare-
cera en el resultado nal). Usando la ley de Gauss, llegamos a
Qint
E(r) = . (5.24)
20 rh
60 Ley de Gauss
R/2
0
E(r)
R
r
Figura 5.7. M odulo del campo electrico E(r) creado por una cilindro de altura innita
homogeneamente cargada, de radio R, frente a la distancia r al eje del cilindro. El campo
tiene un maximo en la supercie del cilindro r = R. Se observa que E(r) crece linealmente
con r en el interior del cilindro y decrece como 1/r en el exterior.
Aparecen tambien en este caso dos regiones diferentes donde calcular el campo:
En la region exterior al cilindro de carga, denida por la condici
on r > R, el
cilindro gaussiano contiene toda la carga, as que
Qint = R2 h, (5.25)
y resulta
R2
E= ur , si r > R. (5.26)
20 r
En la region interior al cilindro de carga, denida por la condici on r < R, el
cilindro gaussiano contiene s olo una fraccion de la carga total, dada por
Qint = r2 h, (5.27)
de manera que resulta

r
E= ur , si r < R. (5.28)
20
En la gr
aca de la gura 5.7 se representa el modulo del campo electrico frente a la
distancia r al eje del cilindro de carga.
5.5. Campo creado por un plano homog

eneo
Consideremos ahora el campo creado por un plano innito con carga distribuida
homogeneamente en su supercie. Se dene la densidad supercial de carga como
la carga por unidad de supercie que hay en un elemento de supercie dS de la
distribuci
on,
dq
= , (5.29)
dS
Campo creado por un plano homogeneo 61
Sb
i
x=0
Figura 5.8. Lneas del campo electrico creado por un plano innito cargado homogenea-
mente y situado en x = 0. En cada punto, el campo electrico es perpendicular al plano.
cantidad cuya unidad es 1 C m2 . Cuando la distribuci

on supercial es homogenea,
es uniforme en todos los puntos de la supercie y tiene un valor
Q
= , (5.30)
S
donde Q es la carga total y S es la supercie total donde se distribuye la carga. En el
caso del plano innito, su supercie es innita, de manera que no tiene sentido denir
su carga total Q. Hablaremos pues de un plano innito con una densidad supercial
de carga .
Colocamos el plano innito en la posici on x = 0, perpendicular al eje x y supo-
nemos que es positiva. Como vemos en la gura 5.8, la distribuci on de carga posee
simetra plana, ya que las lneas de campo en cada punto del espacio son perpen-
diculares al plano y su sentido es desde el plano hasta el punto considerado, por lo
que

E i, x > 0,
E= (5.31)
E i, x < 0,
donde el cambio de signo aparece porque, en los puntos a la derecha del plano (x > 0),
el campo es hacia la derecha y, en los puntos a la izquierda del plano (x < 0), el campo
es igual pero hacia la izquierda. Como supercie gaussiana podemos considerar un
cilindro con eje ortogonal al plano innito de carga y area de la base Sb , situado de tal
manera que el centro de su eje esta en el plano de carga y una de sus tapas incluye al
punto donde se calcula el campo (ver gura 5.8). El ujo del campo electrico esta dado
por e = 2b , donde b es el ujo a traves de cada tapa del cilindro (n otese que el
ujo a traves de la supercie lateral del cilindro es cero seg
un se ve en la gura 5.8).
Ahora, segun la ley de Gauss, se cumple
Sb
2ESb = , (5.32)
0
de donde

E= . (5.33)
20
62 Ley de Gauss
A
d Q
+Q
Figura 5.9. En el condensador plano de la gura cada una de las dos placas paralelas tiene
un area A y la separaci
on entre las placas es d. El tama
no tpico de las placas suele ser mucho
mayor que la distancia entre ellas, de manera que se puede aproximar el campo electrico por
el que crean dos planos innitos paralelos.
Por tanto, el campo electrico que crea un plano innito de densidad de carga situado
en x = 0 es

20 i, x > 0,
E= (5.34)
20 i, x < 0.
Aparte de cambios de signo a cada lado del plano, el campo que crea un plano innito
no depende de la distancia al plano.
5.6. Campo creado por un condensador plano

Un condensador de placas paralelas o condensador plano consta idealmente de dos
placas metalicas iguales y muy delgadas, paralelas entre s y con el mismo area A en
su supercie (ver gura 5.9). En una de las placas del condensador se coloca una carga
positiva Q y en la otra una carga igual y de signo opuesto Q. Este dispositivo es u til
para almacenar carga electrica, y cuando tratemos circuitos electricos veremos mas
aplicaciones. El campo electrico que crea un condensador plano es aproximadamente
uniforme en la regi on comprendida entre las placas y nulo fuera de esta region.
Dado que las placas del condensador estan formadas por material conductor, la
carga depositada en cada placa se distribuye homogeneamente en su supercie. Como
la distancia entre las placas d suele ser mucho menor que las longitudes caractersticas
en las supercies de cada placa del condensador, el campo electrico creado por el
condensador se puede aproximar bien por el que crean dos planos innitos cargados
con densidades homogeneas de carga supercial
Q Q
1 = = , 2 = = , (5.35)
A A
respectivemente. Usando el resultado del apartado 5.5 para un condensador plano,
con buena aproximacion se tiene que:
Fuera de la regi
on entre las placas, el campo es nulo, pues se oponen los campos
uniformes producidos por cada placa.
Dentro de la region entre las placas del condensador, el campo es perpendicular
a las placas y se dirige desde la placa positiva a la placa negativa. Es un campo
Ejercicios 63
uniforme de m
odulo
Q
E= = . (5.36)
0 0 A
A partir del campo electrico podemos calcular la diferencia de potencial entre las
placas del condensador. Para ello, suponemos que la placa positiva (con carga Q) se
encuentra situada en x = 0 y tiene un potencial V+ y la placa negativa (con carga
Q) se encuentra a distancia d, en x = d, y tiene un potencial V . Usamos la ecuacion
(4.26) para la diferencia de potencial, obteniendo
0
Qd
V = V+ V = E dx = E d = . (5.37)
d 0 A
5.7. Ejercicios
1. Determinar el ujo del campo electrico uniforme E = 2 103 V m1 j + 4
103 V m1 k a traves de la supercie cuadrada cuyos vertices se encuentran en
los puntos A(0, 0, 0), B(10 cm, 0, 0), C(0, 10 cm, 0), D(10 cm, 10 cm, 0).
Solucion: e = 40 V m.
2. Calcular el ujo del campo electrico del ejercicio anterior a traves de la supercie
de un crculo en el plano xy, de centro el origen y radio 5 cm.
3. Determinar el ujo del campo electrico E(x) = 2 103 (x 1 m) k a traves
de la supercie cuadrada cuyos vertices se encuentran en los puntos A(0, 0, 0),
B(10 m, 0, 0), C(0, 10 m, 0), D(10 m, 10 m, 0). En la expresi on del campo, x esta da-
da en centmetros.
Solucion: e = 8 105 V m.
4. Se tienen tres cargas puntuales q1 = 4 nC, q2 = 2 nC, q3 = 2 nC, en los
puntos P1 (0, 0, 0), P2 (4 m, 3 m, 0), P3 (4 m, 4 m, 3 m), respectivamente. Calcular el
ujo electrico a traves de la supercie de una esfera de centro el origen y 6 m de
radio.
5. Dadas las cargas del problema anterior, calcular el ujo electrico a traves de la
supercie de un cubo centrado en el origen, cuyas aristas son paralelas a los ejes
de coordenadas y tienen 6 m de longitud.
6. Un cilindro de radio R y altura 2R tiene una densidad volumetrica de carga
uniforme. Calcular el ujo del campo electrico creado por este cilindro a traves
de la supercie de un cubo, concentrico con el cilindro, que tiene cuatro aristas
de longitud 3R paralelas al eje del cilindro.
Solucion: e = 2R3 /0 .
7. Una esfera de radio R centrada en el origen tiene una densidad volumetrica
de carga que vara con la distancia r al centro de la esfera seg un la expresion
= 0 (1 r2 /R2 ), siendo 0 una constante. Determinar el campo electrico en
todos los puntos del espacio.
Solucion: E = 0 (5R2 r 3r3 )/(150 R2 ), para r < R. E = 20 R3 /(150 r2 ), para
r>R
8. Determinar el potencial creado por una esfera de radio R, carga Q distribuida
homogeneamente, y centro en el origen.
64 Ley de Gauss
Solucion: V = Qr2 /(80 R3 ) + 3Q/(80 R), para r < R. V = Q/(40 r), para
r>R
9. Determinar el potencial creado por un cilindro de altura innita y radio R, cuyo
eje es el eje z y que tiene una densidad volumetrica de carga uniforme.
Solucion: V = r2 /(40 ), para r < R. V = R2 /(40 ) /(20 ) ln (r/R),
para r > R
10. Determinar el potencial creado por un condensador plano de area A, carga Q
y distancia entre placas d en un punto de su interior a distancia x de la placa
positiva.
Solucion: V = V+ Qx/(0 A).
11. Dos esferas, cada una de radio R, tienen una densidad de carga uniforme +
y respectivamente. Se disponen de manera que solapan parcialment e como
puede verse en la gura 5.10, siendo la distancia entre sus centros d. Demo strar
que el campo en la region de solapamiento es constante y encontrar su va lor.
Pista: Usa la ley de Gauss para calcular el campo electrico dentro de una esfera
cargada uniformemente.
Solucion: E = d/(30 ) dirigido desde el centro de la esfera de carga positiva al
de la carga negativa.
R R
Figura 5.10.
Captulo 6
Campo el
ectrico en los medios materiales
6.1. Conductores en equilibrio electrost

atico
En este captulo vamos a estudiar el comportamiento de los materiales conductores
y dielectricos cuando se les aplica un campo electrico externo. Cuando se llega al
equilibrio y ya no se mueven cargas en el interior del material, el campo en el interior
es menor que el campo externo aplicado. En los conductores, las cargas electricas se
mueven casi libremente, obedeciendo fuerzas electricas externas o internas. El hecho
de existir cargas libres en su interior tiene un efecto crucial en el campo electrico.
Supongamos que un trozo de cobre tiene un exceso de carga positiva en una re-
gi
on dentro de el. Las cargas positivas se repelen entre s, de manera que se alejan
intentando reducir la fuerza electrica entre ellas. Cuando cesan de moverse se alcanza
el equilibrio electrost
atico (ver el apartado 3.4), al que se llega casi instant
aneamente.
A menos que las cargas libres sean extradas del conductor por alg un agente externo,
impidiendo que llegue el equilibrio, todas las cargas positivas se sit uan en la supercie
del conductor haciendo mnima la repulsi on entre ellas. El interior queda completa-
mente neutro como se ve en la gura 6.1. En resumen, en condiciones de equilibrio
electrostatico todo el exceso de carga de un conductor se sit ua en la supercie.
La distribuci on de carga en la supercie de un conductor en equilibrio no es, en
general, homogenea. Como veremos en el apartado 6.2, la carga neta del conductor
en equilibrio se situa, preferiblemente, en las zonas de la supercie que tienen mayor
curvatura, es decir, en las puntas. Sin embargo, cuando la supercie del conductor
tiene una curvatura uniforme, como es el caso de una esfera o un cilindro innito, la
distribucion de carga supercial en el equilibrio es homogenea.
+ +
+
++ + +
++++ +
+
+
Figura 6.1. Un exceso de carga positiva en el interior de un conductor se redistribuye casi
inmediatamente en la supercie del material.
65
66 Campo electrico en los medios materiales
+
+
+
+
+
+
Figura 6.2. Un conductor en el seno de un campo electrico externo anula el campo en su

interior mediante la redistribuci
on de carga en su supercie.
Campo el
ectrico en un conductor en equilibrio
Consideremos ahora lo que ocurre con el campo electrico. Si aplicamos la ley de

Gauss a una supercie gaussiana coincidente con la supercie del material conductor
se obtiene que, como no hay carga interior en el equilibrio, el ujo electrico es nulo.
Por tanto, en condiciones de equilibrio electrost
atico, el campo electrico en el interior
de un material conductor es nulo.
Veamos que ocurre si situamos un conductor en el seno de un campo electrico
externo, como en la gura 6.2. Las cargas inducidas por el campo externo se sit uan
en la supercie del conductor, creando un campo que altera las lneas electricas del
campo exterior. Dado que, en el equilibrio, no hay campo en el interior del conductor,
las lneas del campo externo tienen por sumideros cargas negativas en la supercie del
conductor, y las positivas son fuentes de otras lneas. Por tanto, las lneas no penetran
en el material. Esto ocurre incluso si existe un hueco en el interior del conductor: tal
hueco no sufrir a el campo externo. Como consecuencia, un material conductor act ua
como un blindaje de cualquier carga o dispositivo electronico situado en su interior
frente a posibles campos exteriores. Este efecto se conoce como efecto de pantalla y
el conductor que lo crea se llama jaula de Faraday. As, se utilizan mallas met alicas
para proteger los componentes electr onicos de los ordenadores y los monitores.
Otro aspecto interesante de los conductores en equilibrio es el valor del campo
electrico en su supercie. Dado que el campo en el interior es cero y no lo es, en general,
en el exterior, aparece una discontinuidad del campo en la supercie del conductor, es
decir, tiene dos valores diferentes dependiendo de si llegamos a la supercie desde el
interior o el exterior. Un ejemplo de esta situaci
on es el condensador plano, que tiene
campo nulo fuera de las placas y campo no nulo y uniforme en la regi on entre ellas.
En realidad, esta discontinuidad es una idealizaci
on. La carga que se acumula en
la supercie lo hace en una capa muy delgada de espesor comparable al tama no de los
atomos. As, el campo es continuo pero vara muy r
apidamente cerca de la supercie,
de tal modo que crece desde cero hasta su valor en el exterior en una longitud muy
pequena. Si aproximamos la capa de transici on por una supercie de espesor nulo,
como haremos en los ejemplos, resulta que el campo electrico en esa supercie es
discontinuo.
Conductores en equilibrio electrost
atico 67
Es
Figura 6.3. Un elemento de supercie de un conductor se puede aproximar por una supercie
plana. La ley de Gauss da entonces el valor del campo en ese elemento de supercie.
Discontinuidad del campo el

ectrico.
Las propiedades de la distribuci on de carga y el campo en el interior de un conductor
en condiciones de equilibrio electrostatico tienen su reejo en el potencial. Dado que,
en el interior de un material conductor en equilibrio, el campo electrico es nulo tanto
si el conductor es macizo como si tiene cavidades o huecos, la relacion entre campo y
potencial implica que el potencial electrost atico es constante en todos los puntos del
interior. En particular, toda supercie de un conductor en equilibrio es una supercie
equipotencial.
Como consecuencia el campo electrico en la supercie de un conductor en equili-
brio es ortogonal a la supercie en cada punto, pues sabemos que las lneas de campo
son, en cada punto, ortogonales a las supercies equipotenciales. Por tanto, si de-
nimos el vector unitario n como uno normal a la supercie en cada punto, el campo
electrico en la supercie del conductor es
Es = Es n, (6.1)
siendo nulo en el interior. En esta ecuacion Es es el valor de la discontinuidad del

campo en la supercie del conductor.
El valor de la discontinuidad del campo Es puede calcularse. Para ello, aproxi-
mamos un trozo innitesimal de la supercie del conductor por una supercie plana
de area dS, como vemos en la gura 6.3. Consideramos ahora una supercie gaussiana
cerrada, con dos caras planas paralelas a la supercie del conductor de area dS (una
en su interior y otra en el exterior). Dado que el campo es ortogonal a la supercie
del conductor en el exterior y nulo en el interior, el ujo del campo a traves de la
supercie gaussiana tiene un valor
de = Es dS. (6.2)
Por otro lado, la carga neta encerrada por la supercie gaussiana es dS. Aplicando
la ley de Gauss, resulta

Es = , (6.3)
0
donde es el valor de la densidad de carga en la supercie innitesimal dS. Dado
que la distribucion de carga no es, en general, homogenea, el campo en la supercie
de un conductor tiene valores diferentes en cada punto, de acuerdo a las expresiones
(6.1) y (6.3).
Q/4 R2
0
E(r)
R r
Figura 6.4. M odulo del campo electrico E(r) creado por una esfera conductora en equilibrio
frente a la distancia r al centro de la esfera. Se observa una discontinuidad de la funci on
E(r) en la supercie de la esfera, es decir, en r = R. Esta discontinuidad tiene un valor
Es = Q/(40 R2 ) = /0 .
6.2. Campo y potencial creados por una esfera conductora

Una aplicaci on sencilla de los conceptos presentados en el apartado anterior se muestra
en el siguiente ejemplo. Supongamos que una carga positiva Q se deposita en una
esfera metalica de radio R. Casi inmediatamente se alcanza el equilibrio y la carga
Q se distribuye homogeneamente en la supercie de la esfera, pues todos los puntos
de la esfera tienen la misma curvatura (su radio de curvatura es igual, en todos los
casos, al radio de la esfera).
El c
alculo del campo electrico mediante la ley de Gauss es bastante directo. Por
la simetra esferica del problema, E = E(r) ur . Tenemos dos regiones diferentes en el
espacio:
En el interior de la esfera el campo es nulo (como en cualquier conductor en
equilibrio),
E(r) = 0, si r < R. (6.4)
En la regi
on exterior a la esfera hay que tener en cuenta toda la carga, de modo
que el campo electrico resulta
Q
E(r) = , si r > R. (6.5)
40 r2
El resultado obtenido se puede representar gr acamente frente a la distancia r al
centro de la esfera (gura 6.4). Se observa claramente una discontinuidad del campo
electrico en la supercie del conductor (dada por r = R), como consecuencia de haber
asumido que la carga se distribuye en una supercie de espesor nulo, en lugar de en
una capa muy delgada. El valor de la discontinuidad es
Q
Es = E(R+ ) E(R ) = 0= , (6.6)
40 R2 0
Campo y potencial creados por una esfera conductora 69
Q/40R
V(r)
R
r
Figura 6.5. Potencial electrost

atico V (r) creado por una esfera conductora cargada de radio
R y carga Q en equilibrio frente a la distancia r al centro de la esfera.
pues la densidad de carga supercial en la esfera es homogenea y vale = Q/(4R2 ).

El potencial electrost
atico se puede calcular a partir de la expresi
on para el campo
on V = E dr. Tomando dr = dr ur , se obtiene
usando la relaci

V1 , r < R,
V = Q (6.7)
V2 + 40 r , r > R,
donde V1 y V2 son constantes de integracion. Para determinar V2 podemos imponer la

on de que el potencial en el innito sea cero. Esto implica que V2 = 0. Ahora,
condici
para determinar V1 usamos que el potencial es una funci on continua, con un u
nico
valor en cada punto. Esto quiere decir, en particular, que el valor del potencial en
r = R es u
nico, por lo cual
Q
V1 = . (6.8)
40 R
As, nalmente,

Q
40 R , r R,
V = Q (6.9)
40 r , r R.
El potencial de la esfera conductora (incluida su supercie) es por tanto
Q
Vesf = . (6.10)
40 R
En la gura 6.5 se representa el potencial obtenido en funci on de la distancia r al

centro de la esfera. Se observa claramente que el potencial electrico es una funci
on
continua en r = R sin variaciones apreciables en sus cercanas.
Figura 6.6. Un elemento innitesimal de la supercie de un material conductor se puede

aproximar por una supercie esferica. As se obtiene una explicaci
on del efecto de puntas.
Distribuci
on de carga en un conductor
El ejemplo anterior permite comprender cualitativamente c omo es la distribucion de
carga en la supercie de un conductor en equilibrio, incluyendo una explicaci on del
llamado efecto de puntas.
Aproximemos una peque na zona de la supercie de un conductor por una super-
cie esferica de radio r, como en la gura 6.6. Segun acabamos de ver en el apartado
anterior, el campo electrico y el potencial electrost
atico en ese elemento de supercie
estan relacionados por la expresion
Vesf
Es = , (6.11)
r
donde r es el radio de curvatura del elemento de supercie. Dado que la supercie de
un material conductor es equipotencial, Vesf es una constante, con lo cual se llega a
que el campo electrico en la supercie de un conductor va como la inversa del radio
de curvatura de esa supercie. Por otro lado, como Es = /0 seg un la ecuacion (6.3),
se tiene que
0 Vesf
= . (6.12)
r
Las expresiones (6.11) y (6.12) tienen una consecuencia clara: tanto la densidad de
carga como el campo electrico son mayores en las zonas en que el radio de curvatura
r es menor. En particular, si el conductor tiene una punta, la densidad de carga y
el campo electrico pueden ser muy grandes en ella, incluso aunque el potencial no lo
sea.
Si el campo electrico en una punta de un conductor supera un valor crtico,
llamado resistencia dielectrica del medio a su alrededor (para el aire, por ejemplo,
este valor es del orden de Emax = 3 106 V m1 ), se produce la ionizaci on del
medio dielectrico, liber
andose electrones en una fraccion de los atomos o moleculas
del medio. Este efecto se llama ruptura dielectrica: el campo electrico es capaz entonces
de separar cargas positivas y negativas del aire (o de otro medio), produciendo una
corriente de carga capaz incluso de perturbar la llama de una vela. Un ejemplo es la
descarga de un relampago en una tormenta.
6.3. Campo el
ectrico en un diel
ectrico
Lo que caracteriza a un material dielectrico es la ausencia de cargas libres en su
interior. Debido a ello, al colocar el material dielectrico en un campo electrico externo,
Campo electrico en un dielectrico 71
+ ++
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ + +
Figura 6.7. Secci on transversal de un condensador plano, en la que se observan las lneas
del campo electrico del condensador cuando se introduce un material dielectrico entre sus
placas. Por polarizacion de las moleculas del material, el campo electrico en el interior del
dielectrico disminuye.
no existe la posibilidad de anular el campo en el interior del material colocando

cargas libres en la supercie, tal como hacen los conductores. En lugar de ello, las
moleculas de un material dielectrico se polarizan, como anticip
abamos en el apartado
3.4, actuando como dipolos y disminuyendo el campo en el interior del material sin
anularlo completamente. Veamos como ocurre esto.
Polarizaci
on
Las moleculas de los materiales suelen tener simetra de carga, de manera que los
centros de carga positiva y negativa de la molecula coinciden. Decimos que estos
materiales no estan polarizados. En algunos casos, como el agua, la geometra de las
moleculas es tal que estos centros de carga no coinciden, diciendose entonces que el
material tiene una polarizacion permanente.
Por sencillez, supongamos que tenemos un material sin polarizaci on permanente.
Cuando se aplica a este material un campo externo, el centro de carga negativa de
cada molecula se desplaza con respecto al centro de carga positiva, de modo que la
molecula se polariza. Podemos ver esta polarizacion como un dipolo electrico, esto
es, un par de cargas puntuales q y q separadas por una peque na distancia a (ver
gura 4.8). En un dipolo, se dene el momento dipolar electrico como la cantidad
p = q a, (6.13)
en donde el vector a tiene por modulo la distancia a entre las cargas positiva y negativa
del dipolo y por direccion y sentido los del vector que va desde la carga positiva a la
carga negativa. La unidad de momento dipolar es 1 C m.
En la gura 6.7, un material dielectrico se coloca entre las placas de un conden-
sador plano que crea un campo electrico uniforme dirigido desde su placa positiva a la
negativa. Como consecuencia de la aplicacion de este campo externo, las moleculas del
dielectrico se han polarizado de tal modo que, como vemos en la gura, los momentos
dipolares moleculares se han alineado en sentido opuesto al campo.
Aparece entonces en la supercie del material cercana a la placa positiva del

condensador (a la izquierda en la gura) una carga neta negativa. La densidad de
carga de esta supercie alcanza entonces cierto valor negativo P . An alogamente,
en la supercie cercana a la placa negativa del condensador (a la derecha en la gura)
aparece una carga neta positiva. La densidad de carga en esta supercie tiene un valor
positivo +P
Sin embargo, existe una diferencia muy importante entre las cargas que se sit uan
en la supercie de un conductor en equilibrio y las que se sit uan en la supercie de
un material dielectrico polarizado como el de la gura 6.7. Las primeras son cargas
libres que se pueden mover a traves del conductor. Por su parte, las u
ltimas son cargas
ligadas o cargas de polarizacion, incapaces de moverse a traves del material porque
estan ligadas a moleculas determinadas.
Permitividad de un diel
ectrico
Una vez tenemos un dielectrico polarizado, como el de la gura 6.7, las cargas de
polarizaci on equilibran parcialmente el campo externo. Como vemos en la gura, no
todas las lneas de campo electrico que parten de la placa positiva del condensador
llegan a la placa negativa, pues algunas de ellas son absorbidas por la carga de pola-
rizacion negativa en la supercie izquierda del dielectrico. De igual manera, la carga
de polarizaci on positiva de la supercie derecha del dielectrico es fuente de nuevas
lneas electricas que llegan a la placa negativa. En consecuencia, el campo electrico
en el interior del material dielectrico es menor que el campo electrico en el vaco para
la misma carga libre en las placas del condensador.
Podemos cuanticar esto del siguiente modo. En la supercie izquierda del ma-
terial (gura 6.7), la densidad supercial de carga efectiva, que da lugar al campo
electrico en el interior, es
= 0 P , (6.14)
donde 0 es la densidad de carga libre en la placa positiva del condensador y P es
la densidad de carga ligada en la supercie izquierda del material dielectrico. Por su
parte, en la supercie derecha del material la densidad supercial de carga efectiva es
= 0 + P . (6.15)
El campo electrico en el interior del material se puede escribir entonces como el creado
por un condensador plano cuya densidad de carga supercial en la placa positiva es
y cuya densidad en la placa negativa es . La intensidad del campo electrico tiene
entonces un valor
0 P
E= = . (6.16)
0 0
Si no existiese material dielectrico entre las placas del condensador, el campo electrico
sera E0 = 0 /0 , de tal modo que podemos escribir la expresion (6.16) como
P
E = E0 . (6.17)
0
Con esta ecuacion podemos comprender lo que esta pasando. El campo electrico E en
el interior el dielectrico tiene en cuenta todas las cargas no balanceadas, tanto libres
como ligadas. Por su parte, el campo externo E0 solo tiene en cuenta cargas libres.
Capacidad y condensadores 73
La relacion entre la densidad de carga de polarizaci on P y el campo electrico E

en un material depende del tipo de dielectrico. En los llamados materiales homogeneos,
isotr
opicos y lineales, los u
nicos que trataremos en este libro, la densidad de carga de
polarizaci
on es proporcional al campo seg un la expresion
P = e 0 E, (6.18)
donde e es un n umero sin dimensiones, casi siempre positivo y caracterstico de

cada material, llamado susceptibilidad electrica. En estos casos, sustituyendo (6.18)
en (6.17), resulta
E0 E0
E= = , (6.19)
1 + e r
siendo
r = 1 + e , (6.20)
un numero sin unidades llamado constante dielectrica o permitividad relativa del ma-
terial. Se dene la cantidad = r 0 como la permitividad (absoluta) del medio. Seg
un
(6.19), las expresiones calculadas hasta ahora para campos electricos y potenciales en
alidas en un medio dielectrico sustituyendo 0 por .
el vaco, son v
Para el vaco, obviamente, r = 1. Para el resto de los materiales es mayor que
1. A temperatura ambiente, por ejemplo para el aire, r = 1,0005, muy cercana a la
del vaco. Para el papel, r = 3,7. Para la porcelana, r = 7, etc. Como el campo en
un medio es menor que el campo en el vaco, r > 1. Para un conductor perfecto, r
tiende a innito, de manera que el campo en su interior es cero.
6.4. Capacidad y condensadores

Si depositamos una carga Q en un conductor, esta se distribuye en su supercie, de
tal manera que todos los puntos del conductor adquieren un potencial Vc respecto
al nivel cero (aquel en que no hay carga en la supercie del conductor). Se dene la
capacidad electrica del conductor como el cociente entre la carga de su supercie y el
potencial respecto al nivel cero, esto es
Q
C= . (6.21)
Vc
La unidad SI de capacidad es el faradio (F) que se dene como 1 F = 1 C V1 . El

faradio es una unidad relativamente grande, de tal modo que las capacidades tpicas
vienen dadas en subm ultiplos de esta unidad seg
un la tabla 1.2, como el microfaradio
(1 F = 106 F), el nanofaradio (1 nF = 109 F) o el picofaradio (1 pF = 1012 F).
La capacidad de un conductor da una medida de cu anta carga puede almacenar.
Depende de la geometra del conductor y de las propiedades electricas del espacio
que lo rodea. Por ejemplo, la capacidad de un conductor esferico en el vaco se puede
calcular a partir del potencial de su supercie Vc = Q/(40 R). Resulta
Q
C= = 40 R, (6.22)
Vc
que como vemos no depende de la carga depositada Q.
+Q +Q Q +Q Q
Q
(a) (b) (c)
Figura 6.8. (a) Un condensador plano est a formado por dos placas planas de pequeno grosor,
de la misma forma y tama no, situadas paralelamente una respecto de otra. La distancia
entre las placas suele ser muy peque na en comparacion con el tama no de cada placa. Las
placas est
an cargadas con cargas de la misma magnitud pero de signo opuesto. (b) En un
condensador cilndrico, las placas tienen forma de corteza cilndrica de peque
no grosor. (c)
Un condensador esf erico est
a formado por dos conductores de forma esferica.
Condensadores
La capacidad es una magnitud fsica especialmente importante para describir las pro-
piedades de ciertos dispositivos electricos llamados condensadores. En general, un
condensador es un dispositivo formado por dos conductores con la misma geometra
(por ejemplo, dos placas planas de la misma forma y tama no, dos conductores cilndri-
cos con el mismo eje o dos conductores esfericos concentricos) situados muy cerca uno
de otro pero sin tocarse. Uno de los conductores se carga con una carga Q y el otro
con una carga Q. En la gura 6.8 se ve un esquema de un condensador plano, un
condensador cilndrico y un condensador esferico. El espacio entre los dos conductores
que forman el condensador suele rellenarse con alg un material dielectrico o bien se
deja vaco.
Las placas de un condensador se suelen denominar tambien armaduras. Cuando
se sit
uan sobre las armaduras de un condensador cargas de la misma magnitud pero
de signo opuesto y se llega al equilibrio electrost
atico, la armadura de carga positiva
adquiere un potencial V+ , que excede al potencial V de la armadura de carga negativa
en una cantidad V , es decir,
V = V+ V . (6.23)
Se dene la capacidad de un condensador como el cociente entre la carga Q situada
en la armadura positiva y la diferencia de potencial V entre la armadura positiva y
la negativa,
Q
C= . (6.24)
V
La cantidad C depende de los detalles de fabricaci on del condensador, y mide la
posibilidad de almacenamiento de carga pues con un valor grande de C el condensador
alamcena mas carga con la misma diferencia de potencial aplicada en sus armaduras.
C
alculo de la capacidad de un condensador
Para calcular la capacidad de un condensador, el procedimiento es el siguiente. Pri-
mero, se supone una carga Q en una de sus armaduras, y una carga Q en la otra.
Capacidad y condensadores 75
Se calcula el campo electrico que crea esta distribucion de carga en el equilibrio para
puntos situados en la region entre las armaduras. A partir del campo, se determina
la diferencia de potencial V entre la armadura positiva y la negativa. Finalmente,
se calcula la capacidad C del condensador mediante el cociente C = Q/V .
Para un condensador plano, el campo electrico que crea y la diferencia de poten-
cial entre sus armaduras se calcularon en el apartado 5.6. El resultado es que el campo
en cualquier punto de la regi on entre las armaduras del condensador es uniforme y
tiene un m odulo E = Q/(0 A), donde A es el area de cada armadura. La direcci on
del campo es ortogonal a las armaduras y se dirige desde la armadura positiva hacia
la negativa. La diferencia de potencial entre las placas es
Qd
V = V+ V = Ed = . (6.25)
0 A
La capacidad resulta, por tanto,
Q 0 A
C= = , (6.26)
V d
una expresion que muestra que, como se haba adelantado, la capacidad depende s olo
de factores geometricos (el area de las placas y la distancia entre ellas) y del material
que se coloca entre las placas. En el caso estudiado, al ser este material el vaco,
aparece en la capacidad la permitividad del vaco 0 , pero se pueden insertar otros
materiales, modicando as la capacidad del condensador.
El procedimiento usado para calcular la capacidad de un condensador plano se
puede repetir para un condensador esferico y uno cilndrico. La capacidad de un
condensador esferico resulta
40 ab
C= , (6.27)
ba
donde a es el radio de la esfera de carga positiva y b es el radio de la supercie esferica
de carga negativa que la rodea. La de un condensador cilndrico es
20 L
C= , (6.28)
log (b/a)
donde L es la longitud del condensador, a el radio del cilindro interior de carga positiva
y b el radio de la supercie cilndrica de carga negativa que la rodea.
Condensadores con diel

ectricos entre sus placas
Si un material dielectrico se introduce entre las placas de un condensador, la capacidad
de este puede aumentar considerablemente. Esto se debe a que, como hemos visto, el
dielectrico altera el campo electrico entre las placas, de tal modo que, si E0 es el campo
electrico en el vaco, el campo en el interior del material dielectrico es E = E0 /r ,
siendo r la constante dielectrica o permitividad relativa del material.
La reducci on del valor del campo electrico entre las placas de un condensador
cuando se introduce entre ellas un dielectrico tiene consecuencias importantes en la
capacidad del condensador. Efectivamente, el campo electrico E se reduce respecto
al del vaco E0 seg un la expresion E = E0 /r . Por tanto, la diferencia de potencial
entre las placas V se reduce con el mismo factor. Esto implica que la capacidad
del condensador C cuando se introduce un dielectrico aumenta con respecto a la

capacidad del mismo condensador cuando entre las placas hay vaco C0 de tal modo
que
C = r C0 . (6.29)
Por ejemplo, la capacidad de un condensador plano con un dielectrico entre sus placas
es
r 0 A A
C= = , (6.30)
d d
donde es la permitividad del medio. El hecho de que la capacidad aumente al insertar
un dielectrico es la raz
on por la cual se suelen fabricar los condensadores con diferentes
materiales entre sus placas.
Una aplicaci on sencilla en la que aparecen los condensadores es la fabricacion de
algunos teclados para ordenadores. Cada una de las teclas de estos teclados esta mon-
tada sobre una placa met alica separada de otra placa inferior por un dielectrico. Al
presionar esta tecla, la placa superior baja presionando el dielectrico. Esto aumenta
la capacidad del condensador formado por ambas placas, pues la distancia entre ellas
disminuye. Los circuitos del ordenador detectan este aumento de capacidad, recono-
ciendo as que tecla ha sido pulsada.
6.5. Almacenamiento de energa el

ectrica
Un condensador almacena carga electrica cuando se establece una diferencia de poten-

cial entre sus placas. La diferencia de potencial entre estas placas la establece alg un
dispositivo que act ue como fuente de trabajo. Ejemplos de tales dispositivos son las
bateras o pilas. Cuando una pila de V0 = 1, 5 V se conecta a un condensador, la dife-
rencia de potencial entre sus placas acaba siendo V = V0 = 1, 5 V. Para hacer esto,
la pila hace un trabajo para depositar carga negativa en una armadura del condensa-
dor, extrayendola de la otra armadura, que queda as cargada positivamente. La carga
que se almacena nalmente en la armadura positiva del condensador est a determinada
por su capacidad seg un la expresion Q = CV .
En general, para cargar cualquier conductor hay que realizar un trabajo, pues
para incrementar su carga se necesita vencer la repulsi on electrostatica debida a las
cargas ya presentes en el. Este trabajo contra la fuerza electrost atica, realizado por
un agente externo, se almacena en el conductor en forma de energa potencial elec-
trostatica de las cargas que hemos almacenado en el conductor.
Como vimos en el apartado 4.4, al mover una carga q entre dos puntos cuya
diferencia de potencial es V , el trabajo que realiza la fuerza electrostatica es W =
qV . Si q es una carga positiva, inicialmente en reposo, que queremos mover a un
punto de mayor potencial que el inicial, el trabajo electrostatico W es negativo, de
modo que seg un el teorema trabajo-energa, la energa cinetica de la carga disminuye,
lo cual es imposible ya que era cero inicialmente. Por lo tanto, la fuerza electrost atica
no puede mover la carga en este caso. Un agente externo debe ser capaz de realizar
al menos un trabajo Wext = W = qV para que la carga positiva pueda vencer la
repulsion electrostatica y moverse al punto de mayor potencial.
Almacenamiento de energa electrica 77
Energa almacenada en un condensador

Cuando una batera esta cargando un condensador, ha de ser capaz de ir llevando
carga positiva desde la placa negativa hasta la placa positiva venciendo la repulsion
electrostatica. El trabajo que realiza la batera Wbat es como hemos visto igual y
de signo opuesto al trabajo (negativo) realizado por la fuerza electrost atica en ese
proceso. Este trabajo se almacena como energa potencial electrost atica Ue de las
cargas sobre las armaduras del condensador. As, tenemos que la energa potencial
almacenada por un condensador es
Ue = Wbat , (6.31)
siendo Wbat el trabajo que ha realizado la batera para cargar el condensador com-
pletamente.
Para calcular este trabajo, consideremos un condensador durante el proceso de
carga. Inicialmente, el condensador tiene carga nula y diferencia de potencial nula
entre sus placas. Empieza el proceso de carga al conectar este condensador a una
batera de potencial V0 , de tal manera que sabemos que la diferencia de potencial
nal entre las placas del condensador sera V0 y que la carga nal en la placa positiva
a Q = CV0 .
ser
En un instante dado del proceso de carga, la diferencia de potencial entre las
armaduras del condensador tiene un valor V (menor que V0 ) y la carga situada en
la armadura positiva es q = CV , siendo C la capacidad del condensador. Podemos
calcular ahora el trabajo innitesimal dWbat realizado por la batera para colocar una
carga adicional dq en la placa positiva del condensador, dejando una carga dq en la
placa negativa. Este trabajo es
q
dWbat = V dq = dq, (6.32)
C
donde se ha usado la denici on de capacidad y se ha tenido en cuenta que q es la
carga ya depositada en la placa positiva.
Si integramos la ecuaci on (6.32) entre el valor inicial de la carga en la placa
positiva del condensador (que es cero) y el valor nal (que es Q), obtendremos el
trabajo total realizado por la batera durante todo el proceso de carga, es decir, la
atica total Ue que hemos almacenado en el condensador.
energa potencial electrost
Resulta Q
q Q2 CV02 QV0
Ue = dq = = = , (6.33)
0 C 2C 2 2
donde V0 = V es la diferencia de potencial nal entre las armaduras del condensador.
Energa de un campo el
ectrico
Hay otra manera m as interesante de interpretar el resultado (6.33). En el proceso de
carga se crea un campo electrico entre las placas del condensador, de manera que el
trabajo realizado para cargar el condensador se puede tomar como el trabajo necesario
para crear este campo electrico. La energa almacenada en el condensador se puede
considerar energa del campo electrico creado.
Consideremos un condensador plano. En este caso, la relaci on entre el modulo
del campo electrico E y la diferencia de potencial entre armaduras V0 esta dada por
V0 = Ed, siendo d la distancia entre las placas del condensador. La capacidad del
condensador es C = A/d, donde es la permitividad dielectrica del material entre
las placas (igual a 0 en el caso del vaco) y A es el area de cada placa. Usando la
ecuacion (6.33), la energa del campo electrico creado por el condensador plano es
CV02 1
Ue = = E 2 (Ad) . (6.34)
2 2
Dado que la cantidad Ad es igual al volumen V del espacio comprendido entre las
placas del condensador, es tambien, aproximadamente, igual al volumen de la regi on
del espacio donde el campo electrico creado por el condensador es relevante.
Se puede denir la densidad de energa electrica ue como la energa de un campo
electrico por unidad de volumen,
2
ue = E . (6.35)
2
Este resultado es general aunque se haya deducido para un condensador plano. La
densidad de energa ue en cada punto es una funci on que depende del cuadrado del
campo electrico en ese punto (del mismo modo que la intensidad de una onda mec anica
depende del cuadrado de su amplitud, una analoga que resultara mas clara cuando
tratemos las ondas electromagneticas).
Cuando un campo electrico E esta denido en una determinada regi on del espacio
de volumen V, la intensidad de este campo electrico puede depender del punto del
espacio, de manera que la relacion entre densidad de energa electrica y energa del
campo electrico no es simplemente Ue = ue V. En su lugar, se tiene la forma nal

2
Ue = ue dV = E dV, (6.36)
V V 2
que es una ecuacion general que nos da la energa requerida para crear cualquier
campo.
6.6. Ejercicios
1. Una carga puntual q = 7,5 mC se sit ua en el centro de una corteza esferica
conductora, inicialmente cargada con una carga Q = 2,5 mC. Esta corteza
tiene un radio interior a = 1 mm y un radio exterior b = 2 mm. Describir la
distribucion de carga resultante en la esfera una vez se alcanza el equilibrio y
calcular el campo electrico que crea esta distribucion.
Solucion: En la supercie interior de la esfera hay una carga Qa = q = 7,5 mC
y, en la supercie exterior, una carga Qb = q + Q = 5 mC. El campo electrico
es radial y tiene un valor E = q/(40 r2 ) si r < a, E = 0 si a < r < b, y
E = (q + Q)/(40 r2 ) si r > b.
2. Determinar el potencial electrost atico creado por la distribuci on de carga del
ejercicio anterior.
Solucion: V = q/(40 r) + (q + Q)/(40 b) q/(40 a) si r a, V = (q +
Q)/(40 b) si a r b, y V = (q + Q)/(40 r) si r b.
3. Se tienen dos esferas conductoras muy alejadas entre s, de radios a y b. La primera
esfera tiene una carga inicial Q y la segunda esta descargada. Determinar el
Ejercicios 79
potencial de ambas esferas en el equilibrio. Supongamos que unimos la supercie

de ambas esferas mediante un cable conductor neutro de grosor despreciable. Al
volver al equilibrio, calcular la carga de cada una de las esferas y su potencial.
Solucion: Antes de unir las esferas, Va = Q/(40 a) y Vb = 0. Tras unirlas,
Qa = aQ/(a + b), Qb = bQ/(a + b), Va = Vb = Q/(40 (a + b)).
4. Un dielectrico de permitividad relativa r = 2, 6 se sit ua entre las placas de
un condensador plano de area A = 10 cm2 y carga Q0 = 1012 C. Determinar
el campo electrico E en el interior del dielectrico y la densidad de carga de
polarizacion P que se situa en su supercie.
Solucion: E = 43, 5 V m1 , P = 6, 1 1010 C m2 .
5. Un condensador esferico esta formado por una esfera conductora de radio a y
una corteza esferica concentrica de radio interior b. Calcular su capacidad.
Solucion: C = 40 ab/(b a).
6. Un condensador cilndrico est a formado por un cilindro conductor de radio a y
longitud L, y una corteza cilndrica concentrica de radio interior b. Calcular su
capacidad.
Solucion: C = 20 L/ log (b/a).
7. La capacidad de un condensador cuando entre sus placas hay vaco es de 1,2 F.
Este condensador se carga conectandolo a una batera que mantiene entre sus
placas una diferencia de potencial de 12 V. Sin desconectar el condensador de
la batera se inserta entre sus placas un dielectrico. Como resultado, uye desde
una placa hacia la otra, pasando por la batera, una carga adicional de 2,6
105 C. Determinar la permitividad relativa del material. Decidir cu ales de estas
cantidades crecen, decrecen o no varan al introducir el dielectrico: capacidad,
carga, diferencia de potencial, campo electrico y energa electrica.
Solucion: r = 2,8. Aumentan la carga, la capacidad y la energa, se mantienen
el campo y el potencial.
8. El condensador del ejercicio anterior se carga, cuando entre sus placas hay vaco,
con la misma batera. Ahora se desconecta de ella y despues se introduce entre sus
placas un dielectrico de permitividad relativa r = 2,8. Decidir cu ales de estas
cantidades crecen, decrecen o no varan al introducir el dielectrico: capacidad,
carga, diferencia de potencial, campo electrico y energa electrica.
Solucion: Aumenta la capacidad, se mantiene la carga, y disminuyen el potencial,
el campo y la energa.
9. Las armaduras de un condensador plano, de area A, estan separadas una distancia
d, y entre ellas se introduce un dielectrico de espesor d/2 y permitividad relativa
r . Determinar la energa del campo electrico creado por este condensador una
vez cargado mediante una batera de diferencia de potencial V0 .
Solucion: Ue = (0 r )/(1 + r )V02 A/d.
10. Determinar la energa del campo electrico creado por una esfera conductora de
carga Q y radio R.
Solucion: Ue = Q2 /(80 R).
Captulo 7
Corriente el
ectrica
7.1. Corriente el
ectrica en un cable conductor
Una corriente electrica es un conjunto de partculas cargadas en movimiento ordenado.
Esto es aplicable a los iones que se mueven en una disoluci on electroltica, a las cargas
en un plasma (un gas ionizado) o a los electrones en un material conductor.
Un conjunto de cargas libres se pueden mover colectivamente por la accion de
un campo electrico. Existen tambien otras situaciones en que las cargas electricas
se mueven colectivamente. Por ejemplo, una masa de uido en la que hay partcu-
las cargadas (una nube en la atm osfera es un caso tpico) puede moverse debido a
diferencias de presion en el medio, dando lugar a una corriente de convecci on. Otra
posibilidad se da en un material magnetizado, en donde aparece una corriente de mag-
netizaci
on supercial debido a la orientaci on de los momentos magneticos atomicos
al colocar el material en un campo magnetico externo. Incluso existe una corriente de
desplazamiento en los materiales cuando su polarizaci on cambia.
Corriente continua y corriente alterna

En este captulo vamos a centrarnos en la corriente de conducci on, en la que un
conjunto de cargas libres del interior de un conductor neutro se mueven en una deter-
minada direccion debido a un campo electrico aplicado. Estas corrientes son las que
aparecen principalmente en los circuitos electricos.
Dentro de las corrientes de conducci on en un material conductor en forma de -
lamento rectilneo (un cable), es comun distinguir entre corriente continua y corriente
alterna. Un ujo de carga en el interior de un cable constituye una corriente continua
(dc son sus siglas en ingles) cuando el sentido del movimiento colectivo de la carga es
siempre el mismo. Cuando el sentido del movimiento colectivo de la carga vara en el
tiempo, de tal modo que durante un intervalo la carga se mueve en un sentido dado,
luego en el sentido opuesto durante otro intervalo de tiempo, luego vuelve a cambiar
y as sucesivamente, entonces se dice que tenemos una corriente alterna (abreviado
ac en ingles) a lo largo del cable.
Velocidad de arrastre
Veamos en que situacion aparece una corriente electrica en un conductor. En los
metales existe carga libre compuesta por electrones. Estos electrones tienen libertad
81
82 Corriente electrica
E
A
Figura 7.1. Movimiento neto de los electrones libres en un lamento conductor, de secci
on
A, al que se aplica un campo electrico.
para moverse a lo largo de toda la red de atomos que componen el metal. Debido a
que el metal se encuentra a una cierta temperatura, en equilibrio con su entorno,
sus electrones libres poseen cierta energa cinetica. Por tanto, se estan moviendo
constantemente en una especie de danza desordenada o caotica con velocidades tpicas
del orden de 106 m s1 , sufriendo colisiones con los atomos de la red.
Consideremos un trozo de material conductor en forma de cable rectilneo de
longitud L y seccion uniforme A, como se ve en la gura 7.1. Al aplicar un campo
electrico E a lo largo del lamento, los electrones libres se ver an afectados por el
campo y tender an a moverse hacia la regi on de mayor potencial, en sentido opuesto
al campo electrico. Por tanto, al movimiento original b asicamente desordenado se
superpone ahora otro movimiento en sentido opuesto al campo creado: cada electr on
se ve acelerado por una fuerza Fe = e E.
Finalmente, se llega a un equilibrio en el cual el movimiento de cada electr on se
puede considerar uniforme a lo largo del lamento conductor, determinado por una
velocidad constante va , en sentido opuesto al campo externo, llamada velocidad de
arrastre, que es del orden de 103 m s1 .
Una manera de estimar la velocidad de arrastre de los electrones libres en un
cable conductor es la siguiente. Usando la segunda ley de Newton, un electr on de
masa me y carga e tiene una aceleraci on a dada por las fuerzas que actuan sobre el.
En primer lugar esta la fuerza debida al campo electrico E, dada por la expre-
sion Fe = e E. Para representar fenomenol ogicamente el efecto de las colisiones del
electron con los atomos de la red, que frenan su movimiento, podemos utilizar una
fuerza de amortiguamiento viscoso o rozamiento. Se puede establecer una analoga
con el amortiguamiento que sufre un cuerpo en el aire al caer desde una altura deter-
minada, que provoca que una pluma y una piedra caigan con velocidades distintas a
pesar de que la aceleracion gravitatoria es la misma para ambas. La fuerza de amorti-
guamiento viscoso se puede escribir como Fa = b v, pues se opone a la velocidad de
la partcula como toda fuerza de rozamiento. El coeciente b se llama coeciente de
amortiguamiento y depende de la forma de la partcula y del medio en que se mueve.
En consecuencia, la ecuacion de movimiento promedio de un electron a lo largo
de un cable conductor se puede escribir, de manera aproximada, como
me a = e E b v. (7.1)
Cuando se aplica inicialmente el campo electrico, la velocidad promedio de los electro-

nes es cero (las trayectorias desordenadas de su movimiento termico tienen direcciones
aleatorias, de tal modo que el promedio de la velocidad es nula a lo largo de cualquier
direcci
on). Si la velocidad es cero, la ecuacion (7.1) nos dice que aparece una acele-
Corriente electrica en un cable conductor 83
raci
on promedio en los electrones en sentido opuesto al campo, de tal modo que su
velocidad en ese sentido crece rapidamente. Al crecer la velocidad, aparece la fuerza
de amortiguamiento en sentido opuesto a la velocidad, de tal modo que la aceleraci on
va decreciendo. Llega un momento en que la fuerza de amortiguamiento se hace tan
grande como la fuerza electrica. Entonces, la aceleracion promedio de los electrones
se hace cero. A partir de ese instante, los electrones se mueven con una velocidad
constante, que es la velocidad de arrastre. Su valor se obtiene de la ecuaci on (7.1)
tomando nula la aceleracion,
e
va = E. (7.2)
b
Situaci
on de equilibrio electrost
atico
Si los electrones se mueven en promedio con velocidad va , al llegar al extremo del
lamento o cable conductor, se empiezan a acumular all. Esta acumulaci on de carga
crea un campo electrico de sentido contrario al campo exterior que aplicabamos al
cable. Finalmente, se acumula tanta carga que el campo que esta crea es capaz de
compensar el campo aplicado, con lo cual se alcanza el equilibrio electrost atico y deja
de haber movimiento. El campo en el interior del conductor se anula y la velocidad de
arrastre acaba haciendose cero. Esta es la explicacion microsc
opica de las propiedades
de los conductores en equilibrio electrostatico que hemos visto en captulos anteriores.
El tiempo en que se llega al equilibrio se puede estimar a partir de la ecuaci on
(7.1). Cuando el campo se hace cero, se tiene
me a = b v. (7.3)
El tiempo de relajacion te necesario para que los electrones se paren, y se llegue al equi-
librio electrost
atico, se puede obtener aproximadamente de esta expresion haciendo
v = va , y tambien a = va /te . El resultado es
me
te = , (7.4)
b
que suele ser del orden de 1014 s, es decir, el equilibrio se alcanza casi instant
anea-
mente.
Circuito el
ectrico
Una corriente electrica implica una situaci
on de no equilibrio. Por tanto, si quisieramos
mantener una corriente electrica a lo largo de un cable conductor, tendramos que
idear alguna manera de extraer electrones del extremo del conductor en donde se
estan acumulando e inyectarlos por el extremo opuesto. Para mantener una corriente
electrica, necesitamos un camino cerrado formado por conductores y dispositivos que
los unen. Tal camino se llama circuito electrico.
Cuando un aparato electrico se conecta a la red mediante un cable conductor,
se consigue un camino cerrado entre el enchufe y el aparato, a traves del cual uye
corriente electrica. Esto nos plantea un curioso enigma. La velocidad de arrastre de
los electrones a traves del cable es, como antes hemos comentado, muy peque na: un
electron recorre una distancia de 103 metros en cada segundo. Como es entonces
posible que encendamos el interruptor y una l ampara se encienda de manera casi
Figura 7.2. Un circuito de canicas es un ejemplo mecanico que permite comprender la gran
velocidad con que se propaga la energa electrica.
instantanea aunque del interruptor a la lampara haya una distancia de varios metros?
Una estimaci on simple dara un tiempo de varios miles de segundos.
La respuesta podemos verla con ayuda de la gura 7.2. Un tubo est a lleno de
canicas, por lo que si se introduce una por un extremo, inmediatamente otra es expul-
sada por el otro lado. Incluso si cada canica s
olo viaja una pequena distancia, el efecto
es virtualmente instantaneo. Con la electricidad, este efecto ocurre a la velocidad de
la luz, es decir a unos 3 108 m s1 , que es la velocidad con que el campo electrico
se propaga a lo largo del cable, aunque los electrones viajan a una velocidad mucho
menor.
7.2. Ley de Ohm

Consideremos de nuevo el lamento conductor de la gura 7.1 recorrido por una
corriente electrica. Supongamos que el n umero de electrones libres por unidad de
volumen en el conductor es ne y que estos se mueven con una velocidad de arrastre
va . Para caracterizar la corriente a lo largo del conductor se dene el vector densidad
de corriente electrica j como la carga libre que atraviesa, por unidad de tiempo, una
unidad de supercie transversal al movimiento, o la carga por unidad de volumen
multiplicada por la velocidad,
q
j= v = ene va , (7.5)
V
La unidad de densidad de corriente es 1 C s1 m2 .

Es importante notar que, seg un la denicion (7.5), se elige el sentido de la co-
rriente como opuesto al movimiento real de los electrones, es decir, se toma para la
densidad de corriente el sentido del ujo de carga positiva. El motivo de esto es que,
antes de descubrirse los electrones, Benjamin Franklin asumi o que la carga electrica
que se mova a lo largo de un conductor era carga positiva. M as tarde, cuando se
descubrio que en un metal se mueven los electrones, se decidio mantener el criterio
de Franklin. Este criterio se conoce como sentido convencional del ujo, que es el que
seguiremos aqu.
Si utilizamos para la velocidad de arrastre el valor que hemos estimado en la
ecuacion (7.2) y lo introducimos en la denici on (7.5), encontraremos una relaci on
entre la densidad de corriente a lo largo de un lamento conductor y el campo electrico
necesario en el conductor para producir esta corriente,
ne e 2
j= E = e E, (7.6)
b
donde e es el coeciente de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el
campo electrico en un conductor y se llama conductividad electrica del material.
Ley de Ohm 85
Conductividad y resistividad
La conductividad de un material depende del tipo de material, de la temperatura y
del campo aplicado, pero no de su forma o su tama no. Aunque el smbolo que hemos
utilizado para la conductividad es el mismo que el que usamos anteriormente para la
densidad supercial de carga, es importante no confundir ambos conceptos. De hecho,
tienen unidades diferentes. La unidad de conductividad electrica es 1 CV1 m1 s1 .
Esta unidad tambien se escribe como 1 siemen/m.
La inversa de la conductividad se llama resistividad del material y se simboliza
como
1
e = , (7.7)
e
que tampoco se debe confundir con una densidad volumetrica de carga. La unidad
de resistividad es inversa de la unidad de conductividad. Resulta u til denir el ohmio
() como 1 = 1 V s C1 . De este modo, la unidad de resistividad es 1 m.
En la tabla 7.1 podemos ver algunos valores tpicos de resistividad para diver-
sos materiales. Vemos que los conductores de la tabla (metales) tienen muy baja
resistividad, mientras que los aislantes tienen alta resistividad. Tambien observamos
que algunos materiales, tales como el Germanio y el Silicio, tienen una resistividad
intermedia.
En general, la resistividad de un material depende de la temperatura, algo com-
prensible si recordamos que la temperatura es una medida de la energa cinetica del
movimiento desordenado de los portadores de carga. En los metales, la resistividad
aumenta con la temperatura, pero en los semiconductores esto no es cierto. Para
muchos materiales, y en un limitado rango de temperaturas, podemos expresar la
dependencia de la resistividad con la temperatura mediante la ecuaci on
= 0 [1 + (T T0 )]. (7.8)
En esta expresion, y 0 son las resistividades a temperaturas T y T0 respectiva-
mente (medidas en Kelvin), y es el coeciente de temperatura de la resistividad del
material, con unidades de K1 .
Material Resistividad (m) Material Resistividad (m)

Conductores Semiconductores
Aluminio (Al) 2.82108 Carbono (C) 3.5105
Cobre (Cu) 1.72108 Germanio (Ge) 0.5a
Oro (Au) 2.44108 Silicio (Si) 20-2300a
Hierro (Fe) 9.7108 Aislantes
Mercurio (Hg) 95.8108 Mica 1011 1015
Plomo (Pb) 22108 Vidrio 1010 1014
Nicromo (aleaci
on) 100108 Goma 1013 1016
Plata (Ag) 1.59108 Te on 1016
Tungsteno (W) 5.6108 Madera 31010
Tabla 7.1. Resistividades de diversos materiales a 20 C. En los casos en que aparece un

superndice a , el valor depende de la pureza del material.
I
S
A B
Figura 7.3. Corriente electrica a lo largo de un cable conductor rectilneo y homogeneo
de secci
on uniforme S y longitud L. El valor de la intensidad de corriente depende de la
diferencia de potencial entre los extremos A y B del cable y de la resistencia del cable,
seg
un la ley de Ohm. La corriente se dirige desde el extremo de mayor potencial al de menor
potencial si se considera el sentido convencional del ujo.
Intensidad de corriente el
ectrica
El ujo del vector densidad de corriente j a traves de una seccion transversal S del
cable conductor se llama intensidad de corriente electrica I,

I= j dS. (7.9)
S
En esta expresion, el vector dS esta denido, como en el caso del ujo electrico, como
el producto dS n, siendo n el vector unitario normal a la seccion transversal del cable,
y dS el area de un trozo innitesimal de esta seccion. La unidad de intensidad de
corriente es el amperio (A), denido de tal manera que 1 A = 1 C s1 .
Cuando la carga uye a traves de un hilo conductor de seccion uniforme S, como
el de la gura 7.3, podemos suponer que la densidad de corriente j es paralela al vector
normal n y uniforme en la supercie S. Resulta entonces
dQ
I = jS = ene va S = , (7.10)
dt
y la intensidad de corriente I es la cantidad total de carga positiva que atraviesa una
seccion S del cable por unidad de tiempo.
Podemos usar ahora la ecuaci on (7.6) para encontrar una relacion entre la in-
tensidad de corriente I en un lamento conductor rectilneo de seccion uniforme y el
campo electrico en el material. Se encuentra entonces que
ES
I= . (7.11)
e
siendo S el area de la seccion transversal del lamento.
Resistencia y ley de Ohm

Supongamos que estamos interesados en calcular la intensidad de corriente I que
circula a lo largo de una porci
on de cable de longitud L. Si la diferencia de potencial
entre los extremos A y B del cable es V = VA VB (ver la gura 7.3), y el cable es
homogeneo, el campo electrico a lo largo de este cable se puede considerar uniforme, de
Ley de Ohm 87
A B A B
Figura 7.4. Representaci
on esquem
atica de un cable de resistencia nula y de una resistencia.
valor E = V /L, y dirigido desde el punto de mayor potencial A al de menor potencial

B. Por tanto, la ecuacion (7.11) queda
V
I= , (7.12)
R
y la corriente va desde A hacia B. La cantidad R, denida como
L
R = e , (7.13)
S
se llama resistencia del trozo de cable conductor de longitud L y seccion S. La unidad

de resistencia es 1 . La ecuacion (7.12) relaciona la intensidad de corriente a lo largo
de un cable conductor con la diferencia de potencial entre los extremos del cable.
La resistencia de un conductor es la oposicion al paso de la corriente a traves de su
interior, ya que para una misma diferencia de potencial, si R aumenta, la corriente
disminuye. Es logico que la resistencia aumente con la longitud del cable y disminuya
con su grosor, como sucede con el paso del agua a traves de una tubera.
Cuando la carga electrica uye a traves de un cable met alico, sufre colisiones
con la red cristalina del metal comos hemos visto. Cada colision tiene por efecto una
transferencia de energa cinetica a la estructura del metal, y esto provoca que el con-
ductor se caliente cuando la carga uye a traves de el. El conjunto de estas colisiones
da lugar macrosc opicamente a la resistencia R. Por ello, cuanto m as largo y estrecho
sea el cable, mayor n umero de colisiones habr a y mayor resistencia, como muestra la
expresion (7.13). Si no existiesen estas colisiones, ocurrira que una vez producida una
corriente en un anillo met alico, esta durara por siempre sin necesidad de mantener
una diferencia de potencial. Esto no es posible en la mayora de materiales, aunque
ocurra en el caso de los llamados superconductores.
Cuando R no depende de la diferencia de potencial aplicada, o de la corriente que
circula por el material, se dice que este es un material ohmico y que cumple la ley de
Ohm (7.12). En los circuitos, los cables conductores siguen la ley de Ohm, y tambien
lo hacen otros dispositivos a los que llamamos resistencias. Hay otros dispositivos que
cumplen relaciones I-V diferentes, como los condensadores, las bobinas, los diodos y
los transistores.
El valor de las resistencias en los circuitos son muy diferentes. Por ejemplo,
los cables conductores tpicos suelen tener resistencias muy peque nas (del orden de
102 por cada metro de cable), de tal modo que se suelen despreciar. De manera
simbolica, un cable conductor con resistencia despreciable se dibuja como una lnea
recta. Las resistencias que se usan para limitar la corriente a traves del circuito o
producir luz o calor (lamentos de bombilla, tostadoras, etc), suelen tener valores de
R no despreciables y se simbolizan mediante una lnea en zig-zag. Estos smbolos se
han dibujado en la gura 7.4.
7.3. Fuerza electromotriz

Consideremos ahora como es posible fsicamente mantener una corriente electrica. Ya
hemos comentado que necesitamos, en primer lugar, establecer un camino cerrado
formado por cables conductores y dispositivos que permiten el paso de la corriente
a traves de su interior. Este camino cerrado se llama circuito. En segundo lugar,
necesitamos un campo electrico a lo largo del circuito que mueva las cargas libres para
que exista ujo. Vamos a analizar ahora cu al es la naturaleza del campo electrico que
realiza esta funcion y de d
onde proviene.
Volvamos al caso del cable conductor de la gura 7.3. Entre los extremos del
cable existe una diferencia de potencial V = VA VB , de modo que hay un campo
electrostatico E0 = V /L a lo largo del interior del cable, dirigido desde el punto A
hacia el punto B. Una carga positiva q, inicialmente situada en el extremo A del
conductor, sentira entonces una fuerza electrost atica qE0 hacia el extremo B, de
manera que se movera hacia este extremo, produciendose la corriente electrica.
El trabajo por unidad de carga realizado por el campo electrost atico E0 para
mover cargas positivas desde A hacia B es igual a la diferencia de potencial VB VA
cambiada de signo (recordar la denici on de diferencia de potencial electrostatico en
el captulo 4), es decir,
B
WAB
= E0 dr = V = IR, (7.14)
q A
donde se ha usado la ley de Ohm (7.12). En consecuencia, el trabajo del campo

electrostatico E0 permite una corriente electrica en el cable.
Pero un circuito es un camino cerrado. Esto implica que, para mantener una
corriente en un circuito completo, hace falta que exista un campo electrico E en el
circuito tal que su trabajo por unidad de carga a lo largo de la trayectoria cerrada C
del circuito no sea cero, esto es
WC
= 0. (7.15)
q
En esta expresion, el subndice simplemente indica que la trayectoria es un circuito
cerrado. Es f acil ver que esta condicion no la puede cumplir un campo electrost atico
como E0 que aparece cuando hay una diferencia de potencial entre los extremos de un
cable. La raz on de esto es que todo campo electrostatico es conservativo, de manera
que su trabajo solo depende de los puntos inicial y nal. Si ambos puntos son el mismo,
como ocurre en un circuito cerrado, entonces el trabajo es nulo. Como consecuencia,
un campo electrost atico no puede mantener una corriente en un circuito.
Por tanto, a menos que se suministre a un circuito una energa que no provenga de
un campo electrico conservativo, no podr a haber corriente en ese circuito. Los dispo-
sitivos que proporcionan energa al circuito se llaman fuentes de fuerza electromotriz,
fuentes de voltaje o generadores electricos).
Se dene la fuerza electromotriz(fem) E como el trabajo por unidad de carga que
realiza un campo electrico E a lo largo de una trayectoria cerrada. La ecuaci on (7.15)
que indica la condici on para que haya corriente en un circuito se puede escribir en
funcion de la fuerza electromotriz como
WC
E= = 0. (7.16)
q
Fuerza electromotriz 89
E0
+ A + A
E 0 E E0 I E 0 E
B B
E0
Figura 7.5. Esquema de una fuente de fem conectada a un circuito. El campo no conser-
vativo E proporcionado por la fuente permite el establecimiento de corriente a lo largo del
circuito al ser capaz de llevar cargas positivas desde el terminal negativo al terminal positivo
de la fuente en contra del campo conservativo E0 .
La unidad de fuerza electromotriz es la misma que la de potencial, es decir 1 V,

pero no es estrictamente una diferencia de potencial electrost atica pues, como ya
hemos demostrado, el campo electrico que la proporciona no puede ser un campo
conservativo. Este campo electrico no conservativo esta creado por la fuente de fem
que conectemos al circuito.
Fuentes de fuerza electromotriz

Un esquema del funcionamiento de una fuente de fem se ve en la gura 7.5. Si la fuente
no esta conectada a un circuito externo, tiene cierta carga positiva en su terminal
positivo A y cierta carga negativa en el terminal opuesto B. Como consecuencia, existe
una diferencia de potencial V (A) V (B), que supondremos constante, entre ambos
terminales. Obviamente, esto implica que aparece un campo electrico conservativo E0
dirigido desde el terminal positivo al terminal negativo de la fuente.
Este campo electrico conservativo podra mover carga negativa del interior de
la fuente hacia el terminal positivo y carga positiva hacia el terminal negativo, en
un proceso que descargara los terminales. Para evitarlo, la fuente ha de realizar un
trabajo por unidad de carga contra el campo conservativo E0 , que podemos describir
en terminos de un campo no conservativo E , de sentido opuesto a E0 , y que aparece
solo en el interior de la fuente de fem. Dado que la fuente no est a conectada a un
circuito, en su interior ha de ser precisamente E = E0 .
Cuando conectamos la fuente de fem a un circuito a traves de cables conductores,
la diferencia de potencial V (A) V (B) entre los terminales de la fuente provoca que
se genere una corriente electrica I en el circuito externo, desde el terminal positivo
A hacia el terminal negativo B. El campo electrostatico E0 determinado por esta
diferencia de potencial se puede considerar uniforme en todo el circuito.
Una carga positiva q que llega al terminal B de la fuente desde el terminal A
a traves del circuito externo reduce su potencial en una cantidad V (A) V (B), de
manera que la fuente tendr a que hacer un trabajo extra por unidad de carga igual
a esta cantidad para que esta carga vuelva al terminal positivo por su interior y
mantener as la corriente a lo largo del circuito externo. En el interior de la fuente la
corriente va desde el terminal negativo al terminal positivo.

En consecuencia, cuando la fuente esta conectada a un circuito y uye corriente,
el campo no conservativo E en su interior ha de ser mayor (o igual, en el caso ideal)
que el campo conservativo E0 . Teniendo en cuenta que el campo conservativo hace
trabajo nulo a lo largo del circuito completo, la fuerza electromotriz proporcionada
al circuito es A
E= (E0 + E ) dr = E dr, (7.17)
C B
que es claramente no nula. De este modo, hemos resuelto el problema de generar
corriente en un circuito cerrado mediante la introducci on de un campo no conservativo
E en el interior de la fuente de fem. Mientras, en el resto del circuito se tiene un campo
electrostatico E0 determinado por la diferencia de potencial entre los terminales de
la fuente.
En una fuente de fem ideal, E = E0 en el interior de la fuente independien-
temente de la corriente que circule por el exterior. Por tanto, la fuerza electromotriz
E resulta igual a la diferencia de potencial V (A) V (B) entre los terminales de la
fuente, pues
A A
E= E dr = E0 dr = V (A) V (B). (7.18)
B B
Sin embargo una fuente real ha de realizar un trabajo mayor para mover las cargas
positivas hacia el terminal positivo por el interior, de tal modo que E > V (A) V (B).
En teora de circuitos, se modela el comportamiento real de la fuente mediante una
resistencia interna.
Existen muchos dispositivos capaces de funcionar como fuentes de fem en la
practica, como las bateras y pilas, que funcionan en base a ciertas reacciones qumicas,
las celulas solares, que usan radiacion, o los generadores electricos de corriente alterna,
que aprovechan el fen omeno de inducci on magnetica.
La batera es un conjunto de celulas qumicas. Cada una de ellas consta de dos
electrodos metalicos, llamados terminales, sumergidos en una soluci on conductora
llamada electrolito. Las reacciones qumicas entre los conductores y el electrolito car-
gan positivamente uno de los terminales de la batera y negativamente el otro. Si
se conectan los terminales mediante un cable conductor externo, existir a una dife-
rencia de potencial que permitir a la corriente electrica a lo largo del cable. Como
consecuencia, se dice que una batera transforma un trabajo qumico (el realizado por
las reacciones entre el electrolito y los terminales) en energa electrica (la acumulada
por los terminales cargados, que est an a diferente potencial). Representaremos todo
dispositivo que, como una batera, es capaz de generar una diferencia de potencial
constante mediante los smbolos que pueden verse en la gura 7.6.
7.4. Potencia en los circuitos el

ectricos
Una fuente de fem realiza un trabajo (qumico, mecanico, etc) para mantener sus
terminales a una diferencia de potencial dada. Cuando se conecta la fuente a un
circuito, se origina una corriente electrica, de tal manera que la energa potencial de
una carga positiva situada en el terminal positivo, debida a la diferencia de potencial
entre los terminales de la fuente, se convierte en energa cinetica cuando la carga se
mueve a lo largo del circuito.
Potencia en los circuitos electricos 91
+
+

-
Figura 7.6. Representaci on esquem atica de una fuente de voltaje. El signo negativo indica
la fuente de electrones, y el positivo el destino.
Potencia suministrada por una fuente de fem

Calculemos ahora cu anta energa por unidad de tiempo proporciona una fuente a
un circuito. Para ello, consideremos una carga positiva de valor innitesimal dq. El
trabajo innitesimal que realiza la fuente para que esta carga de una vuelta completa
al circuito es igual a la fuerza electromotriz de la fuente multiplicada por la carga,
dW = dq E. (7.19)
Este trabajo es energa electrica suministrada al circuito. Dado que la carga dq forma
parte de la corriente I que circula por el circuito, tenemos que dq = Idt, seg un la
ecuacion (7.10). De esta manera,
dW = IEdt. (7.20)
El trabajo por unidad de tiempo es la potencia PE suministrada por la fuente al

circuito, que podemos escribir
dW
PE = = IE. (7.21)
dt
La unidad de potencia es el vatio (W), que cumple 1 W = 1 A V.
Potencia disipada en un conductor

El establecimiento de una corriente en un conductor trae consigo un proceso de perdida
de energa cinetica de las cargas debido a las colisiones con atomos de la red del metal.
La energa perdida por estas cargas es ganada por los atomos de la red, acumul andose
en forma de energa interna del conductor. Esto hace que el metal se caliente cuando
la corriente circula por el. El incremento de energa interna del cable se llama calor
Joule y es igual a la disipaci on de energa cinetica de las cargas que circulan a traves
del cable.
Consideremos de nuevo el cable conductor rectilneo de la gura 7.3, en cuyos
extremos se ha aplicado una diferencia de potencial V = V (A) V (B), de manera
que hay un campo electrostatico E0 = V /L dirigido desde A hacia B. El trabajo que
realiza este campo electrostatico para mover una carga positiva innitesimal dq desde
A hasta B es B
dW = dq E0 dr = dq[V (A) V (B)] = dq V. (7.22)
A
Este trabajo se transforma en energa cinetica de la carga dq que a su vez pasa a

formar parte de la energa interna del cable. Dado que podemos escribir dq = Idt, la
potencia disipada por las cargas en movimiento resulta
dW
Pdis = = IV. (7.23)
dt
Si el cable tiene una resistencia R, podemos escribir la ecuacion (7.23) de otra manera
usando la ley de Ohm V = IR. As, se obtiene que la potencia disipada por una
resistencia en un circuito es
V2
PR = RI 2 = . (7.24)
R
Esta potencia es la que da lugar al calor que desprenden una tostadora, una plancha,
un radiador o el lamento de una bombilla cuando pasa corriente. Obviamente, si
se considera despreciable la resistencia del cable, tambien se esta despreciando la
potencia que disipa.
Lo dicho para el cable vale tambien para cualquier dispositivo del circuito, de
manera que la ecuacion (7.23) expresa la disipaci on de energa por unidad de tiempo
de un dispositivo de un circuito (excepto la fuente de fem, claro est
a, que no disipa sino
suministra energa), con una diferencia de potencial V entre sus terminales, cuando lo
atraviesa una corriente I. Toda la potencia PE que suministra la fuente a un circuito
se disipa en sus componentes. Por ejemplo, si el circuito consta de dos resistencias R1
y R2 , se ha de cumplir que
PE = Pdis = PR1 + PR2 . (7.25)
7.5. Ejercicios
1. Consideremos un cable de cobre tpico de un circuito, con una secci on de 0,8 mm
de radio, una densidad de 8,9 g cm3 y una masa molar de 63,5 g mol1 . Si
se supone que hay un electr on libre por cada atomo de Cobre y la velocidad
de arrastre de los electrones es de 4,1 105 m s1 , determinar la intensidad
de corriente que atraviesa el cable. Dato: el numero de atomos por cada mol de
Cobre es 6,02 1023 .
Solucion: I = 1,1 A.
2. Si el cable del ejercicio anterior tiene una longitud de 10 cm y la resistividad del
Cobre es de 1,72 108 m, calcular su resistencia, la diferencia de potencial
entre sus extremos para conducir esa corriente y el campo electrico en el interior
del cable.
Solucion: R = 8,6 104 , V = 9,5 104 V, E = 9,5 103 V m1 .
3. Una resistencia en un circuito tiene una resistividad de 6,8 105 m a 270 K, y
8,2 105 m a 370 K. Calcular el coeciente de temperatura de la resistividad
del material.
Solucion: = 2 103 K1 .
4. Un trozo de material conductor en forma de cilindro tiene radio r y longitud L. Se
estira hasta doblar su longitud manteniendo constante su volumen. Determinar
como cambia su resistencia.
Solucion: Se multiplica por 4.
Ejercicios 93
5. Consideremos el campo electrico E = 2103 Vm1 i4103 Vm1 j y la curva

cerrada C formada por el permetro de un cuadrado de 10 cm de lado, con centro
en el origen y lados paralelos a los ejes x e y, respectivamente con orientacion
antihoraria. Calcular el trabajo de esta campo para mover una carga q = 103 C
a lo largo de cada lado de C, y la fem total.
Solucion: A lo largo de los lados paralelos al eje x, el trabajo es de 0, 2 J y 0, 2 J,
respectivamente. A lo largo de los lados paralelos al eje y, el trabajo es de 0, 4 J
y 0, 4 J, respectivamente. La fem es cero porque el campo es estatico.
6. En una calculadora, una pila de 1,5 V produce una corriente de 0,17 mA que
alimenta la calculadora. Determinar la potencia suministrada por la pila y la
energa suministrada a la calculadora en 1 hora.
Solucion: P = 0,26 mW, U = 0,92 J.
Captulo 8
Magnetismo
8.1. Fuerza magn

etica
Se observa en la naturaleza que hay ciertos materiales que act uan como imanes. Inicial-
mente, se pensaba que el magnetismo era totalmente independiente de la electricidad.
En este contexto se estudiaron ciertas aplicaciones de los materiales magneticos, como
las brujulas. Pero esta idea cambi o cuando Oersted observ o en 1819 que una corriente
electrica ejerce una fuerza sobre una br ujula y, sobre todo, cuando Ampère descu-
brio que una corriente electrica ejerce una fuerza sobre otra y obtuvo una expresi on
para describir esa fuerza.
La aguja de una br ujula, colocada sobre una supercie horizontal, gira hasta que
una de sus puntas indica el Norte geogr aco. El extremo de la aguja que apunta al
Norte se llama polo norte magnetico y el otro extremo se llama polo sur magnetico.
La br ujula es un ejemplo de im an permanente y nos servir a para introducir algunos
de los conceptos basicos sobre magnetismo.
Experimentalmente se observa que los imanes interaccionan entre ellos de tal
manera que los polos del mismo signo se repelen y los polos de signo opuesto se atraen,
al igual que las cargas electricas. Existe, sin embargo, una diferencia fundamental entre
imanes y cargas electricas: no se han observado nunca monopolos magneticos, que son
los equivalentes magneticos a las cargas electricas aisladas.
La interacci
on entre imanes sugiere que, alrededor de ellos, existen campos magne-
ticos que afectan al espacio que los rodea, del mismo modo que alrededor de las
cargas hay campos electricos creados por ellas. Estos campos magneticos son campos
vectoriales que interaccionan con otros imanes haciendo que roten o se muevan. Por
ejemplo, el campo magnetico de la Tierra afecta a las agujas de los imanes, haciendo
que roten hasta que su polo norte indica el Norte geogr aco, que es, a su vez, polo
sur magnetico de la Tierra.
Lneas de campo magn

etico
Para conocer como es el campo magnetico que crea un im an permanente, una tecnica
sencilla consiste en pintar sus lneas de campo magnetico. Estas lneas son, por analoga
con las lneas de campo electrico, tangentes en cada punto al vector campo magnetico.
En la gura 8.1 se han dibujado algunas lneas del campo magnetico creado por
una barra de im an, y tambien las correspondientes a un iman en forma de U. En ambos
95
96 Magnetismo
N S
N S
Figura 8.1. Diagrama de las lneas de campo magnetico de una barra de im an y de un

im
an en forma de U. Son lneas que se cierran por el interior del material. Por el exterior,
sus fuentes son los polos norte y sus sumideros son los polos sur de cada im
an.
casos pueden observarse ciertas caractersticas esenciales de las lneas magneticas. La

primera de estas caractersticas es que, en el espacio que rodea a los imanes, los polos
norte del iman act uan como fuentes de campo, mientras que los polos sur act uan
como sumideros de campo. Es decir, los polos norte son al campo magnetico lo que
las cargas positivas al campo electrico, y los polos sur juegan en magnetismo el mismo
papel que las cargas negativas en electricidad.
Una segunda propiedad de las lneas magneticas se deriva del hecho de la im-
posibilidad de aislar un monopolo magnetico: por el interior de un im an, las lneas
magneticas se cierran desde el polo sur al polo norte. En consecuencia, las lneas
mageticas son cerradas y no tienen por fuente o sumidero el innito.
Fuerza magn
etica sobre una carga el
ectrica
Escribiremos el campo magnetico creado por determinada fuente, como un im an,
mediante la notacion B. Supongamos que en determinada regi on del espacio se ha
creado un campo magnetico. Estamos interesados en conocer que efecto tiene este
campo magnetico en el movimiento de una carga de prueba q que se encuentra en esa
regi
on. Este efecto viene descrito como una fuerza sobre la carga de prueba.
Los experimentos indican que, cuando una carga de prueba q, con velocidad v,
ua en el seno de un campo magnetico B, sufre una fuerza magnetica Fm dada
se sit
por la expresi
on
Fm = q v B. (8.1)
De esta ecuacion se puede extraer que la unidad SI de campo magnetico es el tesla
(T), denido de tal modo que 1 T = 1 kg s1 C1 . Esta fuerza magnetica tiene
ciertas similitudes con la fuerza que ejerce un campo electrico E sobre una carga de
prueba q, dada por Fe = qE. Las similitudes son que, en ambos casos, la fuerza es
proporcional a la carga de prueba y al m odulo del campo que la afecta.
Sin embargo, existen dos diferencias b asicas entre la fuerza electrica y la fuerza
magnetica. La primera de ellas es que la fuerza electrica es paralela al campo electrico,
mientras que la fuerza magnetica es perpendicular al campo magnetico, debido a la
on del producto vectorial en su denici
aparici on. En la gura 8.2 se han dibujado
los vectores velocidad, campo magnetico y fuerza magnetica en una carga q. La fuerza
magnetica es un vector perpendicular al plano formado por los vectores v y B, y su
Carga de prueba en un campo magnetico uniforme 97
Fm B

q
v
Figura 8.2. Fuerza magnetica sobre una carga en movimiento. En este ejemplo, la carga es
positiva.
sentido es el dado por las reglas del producto vectorial. Por ejemplo, usando la regla
del triedro en la mano derecha, si se coloca el dedo ndice a lo largo del vector v y el
dedo corazon a lo largo del vector B, el pulgar estara colocado a lo largo del vector
Fm si la carga es positiva, y en sentido opuesto si la carga es negativa.
La segunda diferencia entre la fuerza electrica y la fuerza magnetica sobre una
carga de prueba es que, en el u ltimo caso, la fuerza depende de la velocidad de la
carga. El modulo de la fuerza magnetica sobre la carga viene dado por la expresion
Fm = |q|vB sen , (8.2)
donde |q| es el valor absoluto de la carga, v es el modulo de la velocidad de la carga, B

es el modulo del campo magnetico y es el angulo que forman los vectores velocidad
v y campo magnetico B. De aqu es facil ver que, a diferencia de la fuerza electrica,
para que exista fuerza magnetica sobre una carga, es necesario que la carga este en
movimiento y ademas que la direccion de la velocidad no sea paralela a la direcci on
del campo magnetico.
8.2. Carga de prueba en un campo magn

etico uniforme
Como vimos en el apartado 4.3, cuando una carga de prueba q positiva, de masa m,
entra en la regi on entre las placas de un condensador, donde hay un campo electri-
co E uniforme, la carga adquiere una aceleraci on a = (q/m) E paralela al campo
electrico, de modo que efect ua un movimiento parab olico en el plano que forman los
vectores velocidad inicial v0 y campo electrico E, curv andose hacia la placa negativa
del condensador. La situaci on se ha dibujado en la gura 8.3(a).
El caso magnetico analogo es el de una carga positiva q, de masa m, que entra con
velocidad inicial v0 en la regi on entre los polos norte y sur de un iman en U. El campo
magnetico B del iman se considera uniforme y se dirige desde el polo norte hacia el
polo sur, seg un la gura 8.3(b). La velocidad inicial de la carga es perpendicular al
campo magnetico. Su aceleracion en cada punto del espacio entre los polos del im an
satisface la ecuacion
q
a = v B. (8.3)
m
En consecuencia, la carga se desva inicialmente a lo largo de la direcci on perpendi-
cular a la velocidad inicial y al campo magnetico.
Es u til en estas situaciones dibujar el campo magnetico perpendicular al papel.
Un campo magnetico dirigido hacia fuera del papel se expresa con puntos, y un campo
98 Magnetismo
E B
(a) (b)
Figura 8.3. (a) Una carga positiva entra entre las placas de un condensador y se acelera
hacia la placa negativa. (b) Una carga positiva entra entre los polos norte y sur de un
iman en U, de tal manera que la velocidad inicial es perpendicular al campo magnetico. Su
velocidad no cambia en m odulo, pero la trayectoria de la carga se curva ortogonalmente al
plano formado por la velocidad inicial y el campo magnetico.
dirigido hacia el papel se expresa con cruces. As se ha hecho en la gura 8.4, que
signica exactamente lo mismo que la gura 8.3(b) pero desde un punto de vista
diferente. Se observa como la carga se desva en la direccion del plano ortogonal al
campo magnetico. Dado que la aceleracion es, en cada punto, ortogonal al campo, si
la carga no abandona la regi on donde hay campo esta desviacion se mantendr a en
cada punto. Si el campo magnetico es uniforme, la carga queda entonces connada en
esta region realizando un movimiento circular.
Para comprobar esa armaci on es u
til calcular el trabajo realizado por la fuerza
magnetica sobre la carga. Dado que la fuerza magnetica es Fm = q v B, el trabajo
esta dado por

Wm = q (v B) dr = 0. (8.4)
Para notar que este trabajo es nulo, basta recordar que los vectores desplazamiento
innitesimal dr y velocidad v son paralelos, de manera que el producto escalar de
Figura 8.4. La misma situaci on de la gura 8.3(b). En este caso, estamos mirando desde
el polo norte del im
an hacia el polo sur. Las cruces indican que el campo magnetico apunta
hacia dentro del papel. La trayectoria de la carga positiva se observa ahora con m
as claridad.
Carga de prueba en un campo magnetico uniforme 99
la ecuacion (8.4) es cero. Dado que el trabajo es igual a la variacion de la energa

cinetica de la carga, resulta que
1 2
Wm = m v v02 = 0, (8.5)
2
de manera que el modulo de la velocidad de la carga no cambia.
Como vimos al analizar las componentes intrnsecas de la aceleracion en el captu-
lo 1, el hecho de que el m odulo de la velocidad no cambie indica que la aceleracion
tangencial de la partcula es nula. Sin embargo, puede haber aceleraci on normal, que
se encarga de los cambios en la direccion y el sentido del vector velocidad. La acele-
raci
on normal es siempre perpendicular a la trayectoria y est a dada por la expresi on
v02
aN = , (8.6)
r
donde v0 es el modulo de la velocidad (que no cambia si no hay aceleraci on tangencial)

y r es el radio de curvatura de la trayectoria en el punto dado.
En el caso que estamos analizando de una carga de prueba que entra con velocidad
inicial v0 en una regi
on con un campo magnetico uniforme ortogonal a la velocidad, el
modulo de la aceleracion de la carga ha de ser igual a la aceleraci
on normal. Calculando
el modulo en la ecuaci on (8.3),
qv0 B
aN = . (8.7)
m
Dado que aN es una constante cuando B es uniforme, el radio de curvatura r de la
trayectoria de la carga permanece constante, de manera que la trayectoria es circular.
El radio r de la trayectoria circular se puede obtener igualando las expresiones (8.6)
y (8.7), de donde
mv0
r= . (8.8)
qB
El periodo T del movimiento, que es el tiempo que tarda la carga en realizar una
vuelta completa, tambien puede calcularse a partir de su expresi
on T = 2r/v para
un movimiento circular uniforme. Usando la ecuaci on (8.8),
2r 2m
T = = . (8.9)
v0 qB
Este periodo se conoce con el nombre de periodo de ciclotr on. Es interesante notar
que no depende de la velocidad de la carga, lo cual permite caracterizar algunas pro-
piedades de las partculas subatomicas en las camaras de niebla. En particular, un
experimento de este tipo condujo a Carl Anderson, en 1932, al descubrimiento del
positron como una de las partculas que bombardean la Tierra en forma de rayos
c
osmicos provenientes del espacio exterior. El positr on es una partcula identica al
electron pero de carga positiva. Su existencia haba sido anteriormente predicha por
Paul Dirac en su ecuaci on para el comportamiento cu antico relativista de los electro-
nes. El descubrimiento de Anderson supuso el espaldarazo denitivo a la ecuaci on de
Dirac y, en general, al desarrollo de las llamadas teoras cuanticas de campos.
100 Magnetismo
B
Figura 8.5. Una carga positiva sigue una trayectoria helicoidal en un campo magnetico
uniforme si la velocidad inicial de la carga no es ortogonal al campo magnetico.
Carga en un campo magn

etico no transversal
El caso que hemos estudiado, en que la carga realiza un movimiento circular, ocurre
cuando (i) la velocidad inicial de la carga es ortogonal al campo magnetico, y (ii)
el campo magnetico es uniforme. Si alguna de estas condiciones no se cumple, el
movimiento de la carga no es, en general, circular.
Por ejemplo, si la velocidad inicial no es ortogonal al campo magnetico pero este
es uniforme, podemos descomponer su velocidad en dos componentes, una de ellas
paralela al campo magnetico y la otra perpendicular. En la direccion perpendicular al
campo magnetico, el movimiento es circular, con un radio dado por la ecuaci on (8.8).
Sin embargo, en la direccion paralela al campo magnetico la aceleracion es nula, como
se desprende de la ecuacion (8.3), y tenemos un movimiento rectilneo uniforme. La
composicion de un movimiento circular uniforme en el plano perpendicular al campo
magnetico mas un movimiento rectilneo uniforme en la direccion paralela al campo
magnetico es un movimiento helicoidal, como vemos en la gura 8.5.
Cuando el campo magnetico no es uniforme, la ecuacion (8.8) indica que el movi-
miento de una carga perpendicular al campo no es circular, pues el radio de curvatura
de la trayectoria decrece al aumentar el valor del campo. Por ejemplo, en la gura
Figura 8.6. Una carga positiva entra en una regi on donde hay un campo magnetico con
una velocidad inicial que no es ortogonal al campo. La intensidad del campo aumenta hacia
la derecha, de tal modo que la trayectoria helicoidal de la carga va disminuyendo su radio.
Fuerza magnetica sobre una corriente electrica 101
8.6, vemos una carga positiva que entra en una regi

on en la que el campo magnetico
va aumentando a medida que la carga avanza en movimiento helicoidal. Por tanto, el
radio de la trayectoria de la carga va disminuyendo progresivamente.
8.3. Fuerza magn

etica sobre una corriente el
ectrica
Consideremos ahora el caso del efecto de un campo magnetico sobre una corriente
electrica. Cuando una corriente I circula por un alambre conductor en el seno de un
campo magnetico B, la fuerza magnetica sobre la corriente es la suma de las fuerzas
sobre cada una de las cargas que producen la corriente al moverse.
Consideremos un segmento innitesimal de cable conductor de longitud d, que
podemos aproximar por un segmento recto de seccion S uniforme, como en la gura
8.7. Supongamos que este cable transporta una corriente I y que se encuentra situado
en una regi on en la que hay un campo magnetico externo B.
Desde un punto de vista macroscopico, y recordando las caractersticas promedio
del movimiento de cargas en el interior de un cable conductor, que vimos en el captulo
7, se puede asumir que las cargas libres que dan lugar a la corriente electrica son
electrones de carga e que se mueve por el interior del cable con una velocidad va
igual a la velocidad de arrastre de los electrones en el cable. Por la ecuaci on (7.5),
esta velocidad se relaciona con la densidad de corriente electrica j mediante
1
va = j, (8.10)
ene
donde ne es el n
umero de electrones libres por unidad de volumen en el cable. La carga
total dQ que se mueve a la velocidad de arrastre en el interior del cable conductor se
puede escribir como la carga e de un electron multiplicada por el numero ne Sd de
electrones libres en el interior del cable,
dQ = ene Sd. (8.11)
Por tanto, la fuerza magetica sobre esta carga dQ que se mueve a velocidad va en
presencia de un campo magnetico B resulta
dFm = ene Sd va B = Sd j B, (8.12)
donde se ha usado la relaci

on (8.10). Esta expresi
on nos da el resultado que buscaba-
mos para la fuerza magnetica sobre un elemento de corriente de longitud innitesimal
d.
Si consideramos ahora un cable conductor de longitud nita L y seccion uniforme
S que transporta una corriente de densidad j en presencia de un campo magnetico B,
la fuerza magnetica total Fm es igual a la suma de las fuerzas sobre cada elemento
innitesimal de cable, dadas cada una de ellas por una expresi on como (8.12). Al ser
una suma en el continuo, la fuerza total resulta igual a la integral

Fm = Sd j B, (8.13)
L
donde la integral se realiza a lo largo de la longitud L del cable.

102 Magnetismo
B dF
dl
Figura 8.7. Un segmento innitesimal de cable conductor, de longitud d y secci on S,

conduce una corriente I. La fuerza magnetica sobre este segmento es la suma de las fuerzas
sobre cada una de las cargas en movimiento que forman la corriente.
Para escribir la expresion (8.13) en terminos de la intensidad de corriente I a lo

til denir el vector unitario uI como aquel que da la direcci
largo del cable, es u on y
sentido de la corriente por el interior del cable (con sentido contrario al movimiento
real de los electrones seg
un el criterio convencional). Recordando tambien la relacion
I = jS entre densidad de corriente j e intensidad de corriente I en un cable rectilneo
de seccion uniforme, podemos escribir
I
j= uI , (8.14)
S
de donde se obtiene que la fuerza magnetica sobre el cable es

Fm = Id uI B. (8.15)
L
Fuerza magn
etica sobre un cable rectilneo
Un caso particularmente sencillo de la expresion (8.15) ocurre cuando tenemos un
lamento rectilneo, de longitud L y seccion uniforme, que transporta una corriente I
en el seno de un campo magnetico B uniforme. En este caso, el calculo de la integral
(8.15) es directo porque los factores que aparecen en el integrando se pueden tomar
como constantes.
Se tiene el mismo uI para todos los puntos del cable por ser este recto, de manera
que es una constante. Como el campo magnetico B tambien tiene el mismo valor en
todos los puntos del cable (es uniforme), se puede escribir

Fm = IuI B d. (8.16)
L
La integral del elemento de longitud a lo largo del cable es, obviamente, la longitud
L total del cable. Se llega entonces a la expresion
Fm = ILuI B. (8.17)
La fuerza magnetica sobre una corriente rectilnea debida a un campo uniforme es

ortogonal al plano formado por la corriente y el campo magnetico.
Momento de torsion magnetico sobre una espira 103
_ +
_ E +
_ +
_ I +
B
Figura 8.8. La fuerza magnetica sobre una corriente en una placa met alica produce una
diferencia de potencial entre bordes opuestos de la placa seg
un el efecto Hall.
Efecto Hall
Una aplicaci on sencilla e interesante de la fuerza magnetica sobre una corriente es el
llamado efecto Hall, seg un el cual cuando una placa met alica por la que circula una
corriente I se coloca en un campo magnetico transversal, aparece una diferencia de
potencial entre bordes opuestos de la placa.
La situacion es la de la gura 8.8. En ella tenemos un campo magnetico uniforme
B perpendicular a una placa met alica que esta situada en el plano del papel. En la
placa metalica hay una corriente electrica uniforme I dirigida hacia arriba, de tal
modo que los electrones libres se mueven con velocidad va en sentido opuesto.
El campo magnetico produce, sobre cada electr on, una fuerza magnetica dirigida
hacia el borde izquierdo de la placa. Esto implica que existir a una deriva de electrones
libres hacia ese borde, que queda cargado negativamente, mientras el borde derecho
queda cargado positivamente. El campo electrico E creado por esta distribuci on de
carga en los bordes de la placa va creciendo a medida que mas electrones se dirigen
hacia el borde izquierdo, llegando un momento en que la fuerza electrica Fe = eE
sobre un electr on libre equilibra a la fuerza magnetica Fm = eva B, y se alcanza el
equilibrio. En el equilibrio, tenemos una diferencia de potencial entre bordes opuestos
de la placa, de tal modo que el borde derecho est a a mayor potencial que el borde

izquierdo. Este es el llamado efecto Hall normal o negativo, que se observa en la
mayora de los metales, como el oro, la plata, el cobre, etc.
Existen, sin embargo, ciertos metales, como cinc y cobalto, y materiales como los
semiconductores, en los que se produce un efecto Hall opuesto o positivo, debido a
que, en ellos, los portadores de corriente son cargas positivas (realmente, son huecos
dejados por electrones que faltan en la estructura atomica). En este caso, la velocidad
de los portadores positivos tiene el mismo sentido que la corriente electrica, de tal
modo que la fuerza magnetica sobre cada uno de ellos los mueve hacia el borde
izquierdo de la placa, dejando el borde derecho cargado negativamente. Se produce
la misma diferencia de potencial que en el caso anterior, pero esta vez el borde de
mayor potencial es el borde izquierdo. En consecuencia, el efecto Hall permite conocer
que tipos de portadores de corriente existen en un material conductor.
8.4. Momento de torsi

on magn
etico sobre una espira
Una espira de corriente es un cable conductor cerrado sobre s mismo. En la gura 8.9
podemos observar una espira cuadrada de lado L formada por un cable arrollado en
N vueltas. Coloquemos esta espira en el seno de un campo magnetico uniforme B.
104 Magnetismo
z
F1 3
y
1
2 B
I F2
x 4
Figura 8.9. Una espira cuadrada de corriente en presencia de un campo magnetico uniforme
no sufre fuerza magnetica neta.
La fuerza magnetica Fm sobre la espira de N vueltas es

Fm = N F, (8.18)
donde F es la fuerza magnetica sobre 1 vuelta de la espira. Dado que es una espira
cuadrada, formada por cuatro cables rectos, y el campo magnetico es uniforme, po-
demos utilizar la expresion (8.17) para calcular la fuerza sobre 1 vuelta de la espira
sumando las fuerzas sobre cada lado. Como se ve en la gura 8.9, el campo es paralelo
a dos de los lados de la espira, de modo que la fuerza sobre ellos es cero. Resulta
entonces
Fm = N IL (u1 + u2 ) B, (8.19)
donde u1 y u2 son los vectores unitarios que nos dan la direcci on y sentido de la
corriente en los lados de la espira no paralelos al campo magnetico. Estos vectores
unitarios son opuestos entre s, de manera que su suma es cero. En conclusion, Fm = 0
y el campo no ejerce fuerza magnetica sobre la espira.
En general, un campo magnetico uniforme no ejerce fuerza magnetica sobre una
espira. Pero esto no signica que el campo magnetico no afecte a la espira de alg un
modo. Como vimos en el captulo 2, cuando la fuerza total sobre un cuerpo es nula, el
centro de masas del cuerpo no tiene aceleracion. Sin embargo, si las fuerzas, aunque
compensadas, se aplican en puntos diferentes del cuerpo, entonces el cuerpo puede
rotar al adquirir una aceleraci on angular.
La rotacion plana de un cuerpo rgido viene descrita por la ecuacion
d
, (8.20)
dt
donde es el momento de torsion del cuerpo con respecto al eje de rotacion (que
suponemos eje principal de inercia) y es el vector velocidad angular. Lo que indica
la ecuacion (8.20) es que, si el momento de torsion total de las fuerzas exteriores
sobre un cuerpo es no nulo, entonces el cuerpo adquirir a una aceleracion angular, y
rotar
a con esta aceleracion alrededor de un eje.
El momento de torsion de un cuerpo respecto a un eje es el vector

= ri Fi , (8.21)
donde ri es el vector de posicion del punto de aplicaci
on de la fuerza Fi con respecto
al eje y la suma se realiza sobre todas las fuerzas que actuan sobre el cuerpo. Con-
sideremos de nuevo la espira cuadrada de N vueltas y lado L por la que circula una
Momento de torsion magnetico sobre una espira 105
Figura 8.10. Una espira cuadrada por la que circula una corriente tiene un momento
magnetico dado por el vector m de la gura.
corriente I, segun la gura 8.9. Aplicando la ecuacion (8.21), el momento de torsion

total de la fuerza magnetica sobre la espira con respecto a un eje perpendicular a ella
y que pasa por su centro es
m = N IL (r1 u1 + r2 u2 ) B. (8.22)
Pero r1 es opuesto a r2 , y u1 es opuesto a u2 , de manera que esto se simplica en

este caso, llegando a
m = 2N IL (r1 u1 ) B = N IL2 k B. (8.23)
En conclusi on, la espira comienza a girar con una aceleraci

on angular inicial propor-
cional a la cantidad m = N IL2 B. El eje de rotaci on es el eje x negativo, dado por
la direccion y sentido de m .
Momento magn
etico de una espira
La expresion (8.23) se puede escribir tambien como
m = m B, (8.24)
donde, en el caso de la gura 8.9, el vector m tiene el valor m = N IS k, siendo

S = L2 el area de la supercie encerrada por la espira. Este vector s olo depende
de las caractersticas de la espira (su corriente y su forma). Se le llama momento
magnetico de la espira. La unidad de momento magnetico es 1 A m2 .
En general, para una espira plana de N vueltas que encierra una supercie de
area S, por la que circula una corriente I, su momento magnetico esta dado por
m = N IS n, (8.25)
siendo n un vector unitario de direcci on ortogonal al plano de la espira y cuyo sen-

tido depende del sentido de la corriente en la espira. Se calcula mediante la regla
del tornillo o sacacorchos (se colocan los cuatro dedos mayores de la mano derecha
siguiendo el sentido de la corriente, y el pulgar sigue entonces el sentido de n), como
en la gura 8.10. Cuando el momento magnetico de la espira no es paralelo al campo
magnetico externo, la ecuacion (8.24) nos dice que la espira tiene un momento de
torsi
on magnetico no nulo. En este caso, en ella aparece una aceleraci on angular con
la que rota respecto a un eje dado por la direccion y sentido del momento de torsi on.
106 Magnetismo
m
B

N
S
Figura 8.11. Una barra de im an en presencia de un campo magnetico externo rota hasta
que su polo norte apunta en la direcci
on del campo.
Momento magn
etico de un im
an
Los imanes permanentes tambien tienen un momento magnetico m muy similar al
de una espira de corriente (desde el punto de vista magnetico, una peque na barra de
iman es equivalente a una espira de corriente, como veremos en el captulo siguiente).
En el caso de una barra de im an como la de la gura 8.11, este es un vector cuya
direcci
on es paralela al eje de la barra y que apunta desde el polo sur al polo norte del
iman. As, cuando se coloca la aguja de una br ujula sobre una supercie horizontal,
el campo magnetico terrestre provoca un momento de la fuerza magnetica sobre la
aguja que la hace girar hasta que su polo norte apunta al norte geogr aco.
En un caso general de una barra de im an con momento magnetico m situado en
una region en la que hay un campo magnetico uniforme B, el modulo del momento
de torsi
on magnetico es, aplicando las propiedades del producto vectorial,
m = mB sen , (8.26)
siendo el angulo formado por los vectores m y B. Cuando no es cero, la barra

comienza a rotar con una aceleracion angular proporcional a sen tratando de colocar
su momento magnetico paralelo al campo magnetico externo. A medida que rota, su
aceleracion angular se hace menor, hasta que se anula cuando = 0. A partir de ese
instante, la barra seguira rotando a velocidad angular constante si no fuera porque
empieza a actuar el momento de torsion en sentido opuesto. Aparece una aceleraci on
angular negativa que frena la barra y acaba haciendola girar en sentido opuesto (-
gura 8.11). Este movimiento cclico se repite hasta que, nalmente, el rozamiento y
los efectos de inducci
on (que estudiaremos m as adelante) hacen que el polo norte de
la barra se quede en reposo apuntando en el sentido del campo magnetico externo B.
Motor el
ectrico
Otra aplicaci on del efecto de rotaci
on producido en una espira por un campo magneti-
co es el motor electrico. Se llama motor electrico a un dispositivo capaz de transformar
energa electrica en energa mecanica. Por ejemplo, en un reproductor de discos, la
corriente continua generada por las pilas se transforma en energa mecanica capaz de
hacer girar el disco a velocidad angular constante.
Ejercicios 107
Un motor electrico elemental de corriente continua esta formado por una espira
de N vueltas y area S recorrida por una corriente continua I que se suministra
de una fuente de fem externa. La espira gira porque se encuentra sumergida en un
campo magnetico uniforme B creado por un im an. Para evitar que la espira realice
un movimiento pendular como el de una barra de im an situada en una supercie sin
rozamiento en presencia de un campo magnetico, se ha de invertir el sentido de la
corriente electrica en la espira cada vez que esta da media vuelta. Esto se consigue
mediante un dispositivo llamado colector, que est a conectado a los terminales de la
espira. El efecto de velocidad de rotacion constante en el motor se logra teniendo
varios pares de polos de im an situados simetricamente alrededor de la espira.
8.5. Ejercicios
1. Una carga puntual positiva q entra con una velocidad de 3 103 m s1 en
una region donde existe un campo electrico de 1, 5 103 V m1 ortogonal a la
velocidad inicial de la carga. En esa regi on existe tambien un campo magnetico
uniforme B0 , ortogonal tanto al campo electrico como a la velocidad inicial de la
carga. Determinar el valor de B0 para que la carga no se desve de su trayectoria
y salga de esta region con la misma velocidad con la que entr o.
Solucion: B0 = 0, 5 T.
2. Una carga puntual q = 1 nC de masa m = 0, 5mg se sit ua, inicialmente en
reposo, en una regi on en la que hay un campo electrico E = 2, 5 103 V m1
dirigido a lo largo del eje y. Determinar su aceleraci on a0 . En un instante dado
t = 5 ms se aplica un campo magnetico uniforme B = 0, 1T a lo largo del eje z.
Determinar la aceleraci on de la carga a en ese instante.
Solucion: a0 = 5 103 j m s2 , a = 109 i 5 103 j m s2 .
3. Un prot on (de carga e = 1, 6 1019 C y masa m = 1, 7 1027 kg) se acelera
desde el reposo mediante una diferencia de potencial V = 1000 V. Despues entra
en una region donde hay un campo magnetico B = 0, 9 T perpendicular a su ve-
locidad. Calcular la velocidad del prot on en esta region, el radio de su trayectoria
circular y su periodo.
Solucion: v = 4, 3 105 m s1 , r = 5, 1 mm, T = 7, 4 108 s.
4. Se considera un alambre conductor que pasa por los puntos P M Q, donde P (0, 0, 0),
M (1 cm, 0, 0) y Q(1 cm, 2 cm, 0). Este alambre conduce una corriente electrica de
12 mA en el sentido P M Q, y esta inmerso en un campo magnetico uniforme
de 0, 5 T dirigido a lo largo del eje z. Determinar la fuerza magnetica sobre el
alambre P M Q, y tambien sobre el alambre P Q que conduce la misma corriente.
Solucion: Fm = 6 105 (2i + j) N.
5. Demostrar que la fuerza que ejerce un campo magnetico uniforme sobre una
espira circular de corriente es cero.
6. Calcular la fuerza que ejerce un campo magnetico uniforme B dirigido a lo largo
del eje z sobre un cable de corriente en forma de semicircunferencia de radio a
y centro en el origen, situado en el plano xy y que conduce una corriente I en
sentido antihorario.
Solucion: Fm = 2IaB j.
7. Una espira cuadrada de 10 vueltas y 5 cm de lado, situada en el plano xy con
centro en el origen, conduce una corriente de 2 mA en sentido horario. Determinar
108 Magnetismo
su momento magnetico.
Solucion: m = 5 105 A m2 k.
8. La espira del ejercicio anterior est a sumergida en un campo magnetico uniforme
B = 0, 2 T dirigido a lo largo del eje y negativo. Calcular el momento de torsi on
sobre la espira y describir c omo rotar a esta.
Solucion: = 105 N m i.
9. El momento magnetico de una espira circular de 2 vueltas y 1 cm de radio es
m = 6, 3 107 (i + j) A m2 . Esta espira est a inmersa en un campo magnetico
de 0, 5 T dirigido a lo largo del eje z. Calcular la corriente electrica sobre la espira
y determinar el momento de torsi on magnetico sobre esta.
Solucion: I = 1,4 mA, = 3, 2 107 (i j) N m.
10. Un cable circular de radio R y masa m, transporta una corriente I. Se encuen-
tra levitando en posicion horizontal sobre un solenoide como se mues tra en la
gura 8.12. Cu al sera el valor del modulo del campo magnetico B que crea el
solenoide en el cable?
Solucion: B = mg/(2RIcos).
B
I
B
Figura 8.12.
Captulo 9
Campo magn
etico
9.1. Campo magn

etico creado por cargas puntuales
Hemos visto en el captulo anterior como afecta un campo magnetico al movimiento
de una carga de prueba y c omo afecta a una corriente electrica. Hemos supuesto que
el campo magnetico estaba creado por alg un tipo de fuente, como puede ser un im an
permanente. Vamos a estudiar ahora cu al es el campo magnetico que crean las cargas
electricas en movimiento y las corrientes electricas.
Una carga electrica puntual en reposo crea un campo electrico dado por la ley
de Coulomb. Si la carga est a en movimiento, tambien crea un campo magetico en el
espacio a su alrededor.
Consideremos la situacion de la gura 9.1, en la cual una carga puntual q en el
vaco tiene una velocidad v en el instante en que esta situada en un punto P0 con
vector de posicion r0 . Siempre que la velocidad de la carga sea peque na comparada
con la velocidad de la luz c = 3 108 m s1 (para cargas con velocidades comparables
a c, el campo tiene una expresion algo m as complicada), el campo magnetico B(r)
creado por esta carga en un punto P de vector de posicion r esta dado por
0 q r r0
B(r) = v , (9.1)
4 |r r0 |3
donde 0 es una constante llamada permeabilidad del vaco, que tiene un valor
0 = 4 107 N A2 , (9.2)
y que se relaciona con la permitividad del vaco 0 mediante la expresion

1
0 0 = . (9.3)
c2
El campo magnetico creado por una carga puntual (9.1) presenta ciertas simili-
tudes y diferencias con el campo electrico creado por la misma carga, dado por
q r r0
E(r) = . (9.4)
40 |r r0 |3
Para empezar, no existe campo magnetico si la carga no esta en movimiento, a dife-
rencia del campo electrico, que no depende de la velocidad de la carga. El m
odulo del
109
110 Campo magnetico
v r r0
q B
Figura 9.1. Una carga puntual en movimiento crea un campo magnetico. Su direcci on es
perpendicular al plano formado por la velocidad de la carga y el vector de posici
on del punto
en que se calcula en campo con respecto al punto donde est a la carga. El sentido del campo
se calcula mediante las reglas del producto vectorial.
campo electrico es
1 q
E(r) = , (9.5)
40 |r r0 |2
mientras que el modulo del campo magnetico creado por la misma carga es
0 qv sen
B(r) = , (9.6)
4 |r r0 |2
donde es el angulo que forman el vector velocidad y el vector de posicion relativa
r r0 . Tanto E como B dependen del inverso del cuadrado de la distancia a la carga,
pero B depende tambien de la velocidad de la carga y del angulo que forma con el
vector de posicion relativa, de tal manera que el campo magnetico es nulo si ambos
vectores son paralelos.
Pero la diferencia m as clara entre el campo electrico (9.4) y el campo magnetico
(9.1) esta en su direccion. El campo electrico tiene la direccion de la recta que une la
carga q y el punto P donde se calcula el campo. Por el contrario, el campo magnetico
tiene una direcci on perpendicular al plano que forman la velocidad de la carga y la
recta que une la carga con el punto P . En consecuencia, el campo electrico y el campo
magnetico son ortogonales.
La comparacion entre el campo electrico y el magnetico creados por una carga
puntual q se puede poner de maniesto escribiendo el campo magnetico como
0 q 40
B(r) = v E(r), (9.7)
4 q
que, teniendo en cuenta la relacion (9.3), da lugar al resultado
v
B(r) = 2 E(r). (9.8)
c
En conclusi on, aunque una carga en reposo produce u nicamente un campo electrico
a su alrededor, la misma carga en movimiento produce un campo electrico y uno
magnetico, perpendiculares entre s y relacionados por la expresi
on (9.8). Los campos
electrico y magnetico son consecuencias de una u nica propiedad de la materia.
9.2. Ley de Biot-Savart

Dado que una carga en movimiento produce un campo magnetico, una corriente
electrica a lo largo de un cable conductor produce tambien un campo magnetico,
Ley de Biot-Savart 111
r r0
I dl
dB
Figura 9.2. Una corriente en un cable innitesimal produce un campo magnetico dado por
la ley de Biot-Savart.
pues corriente no es sino carga en movimiento. La expresion del campo magnetico ge-
nerado por una corriente electrica a lo largo de un cable se llama ley de Biot-Savart.
Para obtenerla, vamos a partir de la expresion del campo magnetico creado por
una carga en movimiento (9.1), aunque la ley que obtengamos es un resultado que se
comprueba experimentalmente. Consideremos un segmento innitesimal de cable de
longitud d y seccion S, cuyo centro esta situado en la posicion dada por el vector
r0 , y que conduce una corriente I, seg un la gura 9.2. Podemos suponer que los
portadores de carga son electrones libres que se mueven a la velocidad de arrastre
va en sentido opuesto a la corriente. Por tanto, el campo magnetico creado por esta
porcion innitesimal de cable se puede aproximar bien por el creado por una carga
dQ = ene S d que se mueve a velocidad va = j/(ene ), siendo j la densidad de
corriente electrica en el cable. Usando la expresion (9.1) para el campo magnetico,
llegamos a
0 Sd r r0
dB(r) = j . (9.9)
4 |r r0 |3
Podemos escribir la relacion entre el vector densidad de corriente j y la intensidad
de corriente I en el cable como j = (I/S) uI , donde el vector unitario uI indica el
sentido de la corriente. De este modo, la ecuacion (9.9) se escribir
a
0 Id r r0
dB(r) = uI . (9.10)
4 |r r0 |3
Cuando se considera un cable de longitud no innitesimal, hay que sumar las con-
tribuciones de todos los elementos de longitud innitesimal del cable, cada una de
ellas dada por la ecuaci
on (9.10). Esto implica integrar esa expresion a lo largo de la
longitud del cable. Se llega as al resultado

0 Id r r0
B(r) = uI . (9.11)
4 |r r0 |3
Esta expresion es la ley de Biot-Savart.

112 Campo magnetico
Figura 9.3. Lneas del campo magnetico creado por un alambre de corriente recto e innito.
Son circunferencias centradas en el alambre y ortogonales a el. Su sentido lo da la regla del
sacacorchos.
Campo magn
etico creado por una corriente rectilnea innita
Consideremos un alambre recto muy largo por el que circula una corriente I, como
vemos en la gura 9.3. En los puntos del espacio situados lejos de los extremos del
cable, el campo magnetico creado por el se puede aproximar sin problemas por el
campo de un alambre recto innito. Las lneas de este campo magnetico, como vemos
en la gura 9.3, son circunferencias centradas en el alambre y perpendiculares a el.
El sentido del campo magnetico a lo largo de estas circunferencias se puede calcular
mediante la regla del sacacorchos (se coloca el pulgar de la mano derecha en el sentido
de la corriente y los cuatro dedos mayores nos dan el sentido del campo magnetico en
las circunferencias).
Calculemos una expresion para el campo magnetico que crea un alambre recto e
innito de corriente usando la ley de Biot-Savart. Para ello, situamos el sistema de
referencia de manera que el alambre se sit ue en el eje z, con la corriente I apuntando
en sentido positivo. De este modo, el elemento de longitud es d = dz, los puntos del
alambre estan en r0 = z k, donde z va desde menos innito hasta innito, y el vector
que da la direccion y sentido de la corriente es uI = k.
Usando la expresion (9.11), el campo en un punto P de vector de posicion r =
r ur , donde r es la distancia entre el punto P y el alambre y ur es un vector unitario
que apunta desde el alambre hasta el punto P (ver la gura 9.4), resulta

0 I r
B(r) = dz k ur 2 . (9.12)
4 (r + z 2 )3/2
I r r0
uI
O P
ur
Figura 9.4. C alculo del campo magnetico creado por un alambre innito seg
un la ley de
Biot-Savart. Posiciones y vectores.
Campo magnetico creado por una espira circular 113
Figura 9.5. Lneas del campo magnetico creado por una espira de corriente.
Sacando de la integral todo lo que no depende de z, queda

0 Ir 1
B(r) = k ur dz 2 . (9.13)
4 (r + z 2 )3/2
Haciendo el cambio de variables x = z/r, y despues el cambio de variables x = tan

la integral anterior es
/2
1 1 1 1 2
dz = 2 dx = 2 cos d = . (9.14)

2 2
(r + z )3/2 r
2
(1 + x ) 3/2 r /2 r2
De este modo, el campo magnetico creado por un alambre recto e innito por el que
circula una corriente I se puede escribir como
0 I
B(r) = uI ur . (9.15)
2r
La direccion y sentido del campo magnetico vienen dados por el producto vectorial
uI ur . El campo es ortogonal al plano creado por estos dos vectores, y su sentido
esta determinado en cada punto por la regla del sacacorchos, con el pulgar de la mano
derecha a lo largo de la corriente, como se ve en la gura 9.3. El m odulo del campo
magnetico solo depende de la distancia r al alambre, y es
0 I
B= . (9.16)
2r
9.3. Campo magn

etico creado por una espira circular
Las lneas del campo magnetico de una espira de corriente tienen el aspecto general
que se ve en la gura 9.5. Son lneas cerradas que rodean a la espira. El sentido de
las lneas se puede conocer a partir del sentido de circulaci on de la corriente. Para
ello se utiliza la regla del sacacorchos: si se colocan los cuatro dedos mayores de la
mano derecha seg un la circulaci
on de la corriente, el pulgar nos indicar
a el sentido del
campo magnetico en el eje de la espira, y de ah se deduce en el resto de los puntos.
Es interesante notar la semejanza entre las lneas del campo magnetico creado
por una espira de corriente y las del campo magnetico de una peque na aguja de iman
permanente, colocado de tal modo que los momentos magneticos de la espira y el iman
sean paralelos. Esto no es casual, pues la espira es el modelo fsico que representa un
114 Campo magnetico
y
dl
a x

dB
z
Figura 9.6. Diagrama para el c alculo del campo magnetico creado por una espira circular
de corriente en su eje. Es c
omodo tomar el sistema de referencia con origen en el centro de
la espira y el eje z como eje de la espira.
im an elemental: un electron que gira en una orbita de radio igual al de la espira

en sentido contrario a la corriente en ella. El campo magnetico reeja este hecho: el
campo de una espira de corriente es, a suciente distancia de ella, un campo dipolar
magnetico.
Calculemos el campo magnetico que crea una espira circular de N vueltas y radio
a, que conduce una corriente I, en un punto del eje de la espira. Segun la gura 9.6,
el elemento de longitud en la espira es el elemento de arco. Dado que un angulo d en
una circunferencia es igual a la longitud d del arco que abarca dividida por el radio
a de la circunferencia, tenemos la relaci on d = a d. Ademas, un punto cualquiera
de la espira tiene un vector de posicion dado por r0 = a cos i + a sen j, siendo
el angulo formado por r0 con el eje x. Este angulo determina todos los puntos de la
espira al variar entre los valores 0 y 2.
Queremos calcular el campo magnetico en un punto arbitrario P del eje de la
espira, de modo que su vector de posici on sera
r = z k, (9.17)
siendo z la distancia que hay entre el punto P y el centro de la espira. S
olo falta escribir
las componentes del vector unitario uI que determina el sentido de circulaci on de la
corriente en la espira. Seg
un la gura 9.6,
uI = sen i + cos j. (9.18)
Teniendo ahora en cuenta que el campo que crean N vueltas de espira es igual a N
veces el campo que crea 1 vuelta, se llega a la expresion de la ley de Biot-Savart,

0 N Ia 2 z cos i + z sen j + a k
B(z) = d 3/2
. (9.19)
4 0 (a2 + z 2 )
Las integrales que resultan, componente a componente, son muy sencillas. Las com-
ponentes x e y se anulan, de modo que el campo tiene s olo componente z, estando
dirigido a lo largo del eje de la espira hacia el punto P . El resultado es
0 N I a2
B(z) = k. (9.20)
2 (a2 + z 2 )3/2
Campo magnetico creado por un solenoide 115
Figura 9.7. Lneas del campo magnetico creado por un solenoide. El sentido de las lneas
en el interior se calcula mediante la regla del sacacorchos.
El valor m
aximo del campo se obtiene en el centro de la espira. En este punto, z = 0,
de manera que la ecuacion (9.20) se reduce a
0 N I
B(0) = k. (9.21)
2a
Por otro lado, a grandes distancias de la espira, z domina en el denominador, de tal
modo que se puede aproximar el resultado (9.20) por
0 N Ia2
B(z
a) = 3 k, (9.22)
2 |z|
que tiene la forma tpica 1/(distancia)3 de un campo dipolar a grandes distancias. De

hecho, si tenemos en cuenta que el momento dipolar de la espira es
m = N Ia2 k, (9.23)
podemos escribir el campo en un punto del eje a grandes distancias de la espira como
0 m
B(z
a) = , (9.24)
2 |z|3
es decir, resulta un campo paralelo al momento magnetico. De la misma forma, el
campo magnetico creado por una aguja de iman permanente en un punto de su eje, a
grandes distancias, tiene la forma dada por la ecuaci
on (9.24), donde m es el momento
magnetico del iman. De nuevo, aparece la relaci on de equivalencia entre espiras y
agujas de iman.
9.4. Campo magn

etico creado por un solenoide
Supongamos que tenemos un cilindro de longitud y seccion circular de radio R. Si
se enrolla un alambre a su alrededor muchas veces, en forma de helice de muchas
vueltas, el dispositivo resultante se llama solenoide y se puede ver en la gura 9.7.
El solenoide desempe na en magnetismo un papel an alogo al de un condensador en
electrostatica, pues proporciona un campo intenso y aproximadamente uniforme en
la regi
on acotada por el alambre enrollado.
116 Campo magnetico
a dz b
Figura 9.8. Diagrama para el c alculo del campo magnetico creado por un solenoide en su
eje. Tomamos el sistema de referencia con el eje z como eje del solenoide.
Como vemos en la gura 9.7, cuando una corriente electrica recorre un solenoide
largo (tal que su longitud es mucho mayor que su radio) y de muchas vueltas por
unidad de longitud, las lneas del campo magnetico producido son aproximadamente
paralelas al eje del solenoide y estan muy juntas unas de otras, lo que indica que, en
el interior del solenoide, el campo magnetico es intenso y aproximadamente uniforme.
Fuera del solenoide, las lneas est
an mucho m as espaciadas, indicando que el campo
es mucho menos intenso. Existe una estrecha semejanza entre las lneas del campo
magnetico creado por un solenoide y las del campo magnetico creado por un im an
permanente de la misma forma y tama no.
Para calcular el campo magnetico que crea un solenoide en un punto de su eje,
que es aproximadamente igual al campo en todos los puntos del interior del solenoide,
vamos a usar el resultado del apartado anterior para el campo creado por una espira
de corriente en su eje. Suponemos que el alambre se enrolla en el solenoide muy
apretadamente en cada vuelta, de manera que se puede despreciar el paso de rosca.
As, el solenoide se puede ver como un conjunto de N espiras circulares de radio R
que conducen una corriente I todas en el mismo sentido. El campo magnetico del
solenoide en su eje es entonces la suma de los creados por las espiras.
Colocamos el sistema de referencia como en la gura 9.8, con el eje del solenoide
como eje z. Los extremos del solenoide estan en los puntos z0 = a y z0 = b. El
campo que crea una espira de dN vueltas en el punto del eje de coordenada z es el
dado en la expresion (9.20) tomando el radio de la espira como R, es decir,
0 I dN R2
dB = 3/2
k. (9.25)
2 [R2 + (z z0 )2 ]
Pero en el solenoide hay espiras desde z0 = a hasta z0 = b, de manera que hemos
de sumar (integrar) todos estos campos. Un elemento de longitud dz0 del solenoide
contiene dN = (N/) dz0 espiras, donde = a + b. De este modo, obtenemos que el
campo que crea un solenoide en su eje esta dado por
b
N dz0 0 I R2
B= k. (9.26)
a 2 [R2 + (z z0 )2 ]3/2
Integrando en la variable z0 , llegamos a la expresion

0 nI a+z bz
B= + k, (9.27)
2 R2 + (z + a)2 R2 + (b z)2
Ley de Gauss del magnetismo 117
0nI
0nI/2
a b z
Figura 9.9. M odulo del campo magnetico creado por un solenoide en su eje. El campo es
constante excepto cerca de los extremos.
donde n = N/ es el numero de vueltas por unidad de longitud del solenoide.

Pasemos ahora a los valores lmite. En primer lugar, si el solenoide es muy largo,
el campo magnetico en su interior se puede aproximar por la expresion (9.27) con las
cantidades a y b tendiendo a innito. Al tomar estos lmites obtenemos
B = 0 nI k, (9.28)
es decir, un campo intenso y uniforme en el interior del solenoide. Este campo se
puede hacer a un mucho mayor si colocamos en el interior del solenoide un n ucleo
ferromagnetico que, como veremos despues, puede aumentar el campo en un factor de
10000 o mas. Este dispositivo (un solenoide largo con un nucleo ferromagnetico) posee
un campo magnetico grande y aproximadamente uniforme en sus cercanas y se llama
electroiman. Sus aplicaciones son muchas, especialmente en el dise no de motores y
generadores electricos y en dispositivos de investigaci
on en fsica de altas energas.
Otro caso lmite interesante es el campo cerca de uno de los extremos del sole-
on (9.27) podemos tomar z = a y hacer b tender
noide. Para calcularlo, en la expresi
a innito. Al hacerlo, obtenemos
0 nI
B= k, (9.29)
2
es decir, el campo cerca de los extremos del solenoide es aproximadamente igual a la
mitad del campo en el interior. Segun nos alejamos de los extremos del solenoide hacia
el exterior, el campo decae pr
acticamente hasta cero. Esto puede verse en la expresion
(9.27) haciendo z tender a innito. Este comportamiento aproximado, que se puede
ver en la gura 9.9, es muy parecido al del campo electrico de un condensador plano.
9.5. Ley de Gauss del magnetismo

De modo an alogo al caso del ujo del campo electrico que vimos en el captulo 5,
dado un campo magnetico B y una supercie S, el ujo magnetico a traves de S es
proporcional al n
umero de lneas magneticas que atraviesan la supercie S, cada una
con su signo (ver la gura 9.10).
En forma matem atica, el ujo magnetico del campo B a traves de la supercie
S se escribe
m (S) = B dS, (9.30)
S
118 Campo magnetico
S
B
Figura 9.10. El ujo magnetico a traves de una supercie se reere al n

umero de lneas
magneticas que atraviesan esa supercie.
donde se ha tomado el vector innitesimal de supercie como dS = dS n, siendo n

un vector unitario normal a la supercie en cada punto y dS el area de un elemento
de supercie innitesimal. La integral se realiza sobre la supercie total S, sumando
las contribuciones de cada elemento de supercie. La unidad de ujo magnetico es el
Weber, denido como 1 Wb = 1 T m2 .
Cuando el campo magnetico B es uniforme en la supercie S a traves de la cual
calculamos el ujo, y adem as S es una supercie plana, de manera que el vector
normal n es uniforme en todos sus puntos, la integral de la ecuaci on (9.30) es muy
f
acil de resolver, siendo el resultado
m = B S = BS cos , (9.31)
donde S = S n, siendo S el area total de la supercie. En la u ltima igualdad, B es el
valor del m odulo del campo magnetico en los puntos de S y es el angulo que forman
el campo magnetico y el vector normal n, seg un se ve en la gura 9.10. En este caso,
el ujo calculado mediante la f ormula (9.31) es el ujo en la direcci on determinada
por el campo magnetico. Obviamente, si la supercie S es la encerrada por una espira,
hay que tener en cuenta el n umero de vueltas N de esta espira para calcular el area
de la supercie.
Si la supercie S a traves de la cual estamos calculando el ujo es una supercie
cerrada, podemos esperar que exista una relacion an aloga a la ley de Gauss del campo
electrico e = Qint /0 . Recordemos que esta relacion era una consecuencia del hecho
de que las cargas positivas y negativas son, respectivamente, fuentes y sumideros de
lneas electricas, de manera que las cargas que hay dentro de la supercie cerrada S
generan lneas electricas que salen de la supercie o entran en ella, contribuyendo al
ujo. Por su parte, las cargas que no est an encerradas por S generan lneas que, si
entran en la supercie, luego salen de ella, y a la inversa, no contribuyendo por tanto
al ujo electrico.
En el caso del campo magnetico, las lneas de campo son siempre cerradas porque
no existen cargas magneticas aisladas o monopolos magneticos. Esto implica que toda
lnea magnetica que entra en una supercie cerrada tiene que salir necesariamente
de ella. Como consecuencia, el ujo magnetico a traves de una supercie cerrada
sera siempre cero. La expresion matematica de esta ley es

B dS = 0, (9.32)
S
otra de las ecuaciones fundamentales del electromagnetismo. En esta expresi
on, el
crculo en la integral indica que S es una supercie cerrada.
Ley de Ampère 119
B

ut B t
Figura 9.11. Componente Bt de un campo magnetico uniforme B tangente a un lamento

rectilneo.
9.6. Ley de Amp`

ere
La ley de Gauss del campo electrico permite obtener la expresion de los campos que
crean distribuciones de carga con un alto grado de simetra. Sin embargo, dado que
la ley (9.32) no relaciona el campo con sus fuentes, no es posible obtener con ella
la expresion de los campos magneticos creados por distribuciones de corriente. En el
caso de distribuciones de corriente en equilibrio (magnetostaticas), a veces es posible
usar la simetra de la distribuci
on para calcular el campo mediante la ley de Ampère.
Circulaci
on de un campo magn
etico
Consideremos primero un segmento recto orientado de longitud que est a sumergido
en un campo magnetico uniforme B. El hecho de que este orientado implica que se
puede denir en cada punto del segmento un vector unitario ut tangente, cuyo sentido
viene determinado por la orientaci
on del segmento. En cada punto del segmento con-
sideraremos el valor de la componente del campo magnetico tangente. Seg un vemos
en la gura 9.11, esta componente tiene un valor
Bt = B ut = B cos , (9.33)
donde es el angulo que forma el vector tangente con el campo magnetico. El producto
de la componente del campo tangente al segmento y la longitud del segmento es
Bt = B ( ut ) , (9.34)
cantidad cuya unidad es 1 T m.

Si, en lugar de un segmento, tenemos una curva C cualquiera, y adem as el campo
magnetico no es uniforme, podemos dividir la curva C en trozos innitesimales de
longitud d. En cada uno de ellos, el campo magnetico es aproximadamente uniforme
y el vector tangente tambien. Por tanto, en cada trozo de la curva C, el producto de la
componente tangente del campo por la longitud del trozo de curva es Bt d = B(d ut ).
Denimos el vector desplazamiento innitesimal a lo largo del trozo de curva como
dr = d ut , de tal modo que Bt d = B dr. Para encontrar ahora el valor total basta
sumar las contribuciones de cada uno de los trozos innitesimales de longitud d.
Llegamos entonces a la expresion

= Bt d = B dr, (9.35)
C C
que se llama circulaci

on del campo magnetico B a lo largo de la curva C.
120 Campo magnetico
Ley de Amp`
ere
La ley de Ampère es una relacion directa entre la circulacion de un campo magnetico
a lo largo de una curva cerrada y la corriente neta que atraviesa la supercie encerrada
por esa curva, siempre que la corriente no presente discontinuidades (veremos lo que
signica esta excepcion, y como se salva, en el captulo 12).
Consideremos un cable rectilneo e innito (en el eje z) que conduce una corriente
I en el sentido del eje z positivo. Calculemos la circulacion del campo magnetico que
crea este cable a lo largo de una circunferencia C de radio a, con centro en el origen, y
situada en el plano xy, orientada en sentido antihorario. Como vimos en el apartado
9.2, las lneas del campo magnetico que crea el cable son circunferencias con centro
en el cable, situadas en planos perpendiculares a el, y cuyo sentido viene dado por
la regla del sacacorchos. En particular, la circunferencia C es una lnea magnetica.
Por tanto, en cada punto de C el campo magnetico es paralelo al vector tangente, y
podemos escribir
B dr = B d. (9.36)
La circulacion de B a lo largo de la circunferencia C resulta

(C) = B dr = B d, (9.37)
C C
donde el crculo en la integral indica que C es una curva cerrada (el u

nico caso en que
se aplica la ley de Ampère). El campo magnetico creado por el cable tiene por m odulo
la expresion B = 0 I/(2r), donde r es la distancia al cable. En todos los puntos
de la circunferencia C, esta distancia es el radio de la circunferencia, de manera que
r = a para los puntos de C. Entonces,

0 I 0 I
(C) = d = d, (9.38)
C 2a 2a C
habiendo sacado de la integral todas las constantes. Lo que queda es la integral en la
circunferencia C del elemento de longitud d. Esta integral es, obviamente, la longitud
= 2a de la circunferencia. Por tanto,
(C) = 0 I, (9.39)
resultado que no depende del radio de la curva C.

La generalizaci
on de este resultado (9.39) es la ley de Ampère: la circulaci
on de
un campo magnetico a lo largo de una curva cerrada C es igual a 0 veces la corriente
IC que atraviesa la supercie encerrada por la curva. Expresada matem aticamente,

B dr = 0 IC . (9.40)
C
Es necesario tener presente que para que la ecuacion (9.40) sea valida, la corriente ha
de ser continua, es decir, que no se interrumpa en ning un punto.
Como un ejemplo, en la gura 9.12 se ha dibujado una curva cerrada orientada
C, de tal modo que la supercie encerrada por C esta atravesada por dos corrientes I1
e I2 en sentidos opuestos. Seg
un la ley de Ampère, la circulaci
on del campo magnetico
a, simplemente, (C) = 0 IC = 0 (I1 I2 ).
a lo largo de C ser
Ley de Ampère 121
I1
C
I2
dl
Figura 9.12. La supercie que encierra una curva cerrada orientada C es atravesada por dos
corrientes I1 e I2 . La regla del sacacorchos, seg
un la orientaci
on escogida para C, implica que
la corriente I1 atraviesa la supercie encerrada por C en sentido positivo, mientras que I2
en sentido negativo. Por tanto, seg un la ley de Ampère, la circulaci
on del campo magnetico
a lo largo de C vale 0 (I1 I2 ).
Campo magn
etico creado por un toroide
Para que la ley de Ampère pueda ser utilizada en un problema de c alculo de un
campo magnetico creado por alguna corriente, es necesario que podamos escribir la
circulacion de este campo magnetico como el producto de la intensidad del campo por
alguna longitud. Esto requiere, en primer lugar, elegir la curva cerrada C tangente
a las lneas de campo magnetico, lo cual implica conocer a priori esta direcci
on. Un
caso en que podemos hacer esto, debido a la simetra de la distribucion de corriente,
es el del campo que crea una bobina toroidal en su interior.
Una bobina toroidal o toroide (ver la gura 9.13) est a formada por un cable
conductor enrollado N veces alrededor de un n ucleo en forma de anillo. El radio
interior del toroide es a y el radio exterior es b. El campo que crea el toroide en
el exterior es aproximadamente nulo, como el de un solenoide largo. En el interior,
las lneas magneticas son circunferencias concentricas con el toroide, cuyo sentido
depende del sentido de la corriente I en la bobina, y que se calcula mediante la regla
del sacacorchos.
Para calcular el campo magnetico interior del toroide con la ley de Ampère po-
demos usar una curva cerrada C que sea una circunferencia de radio r interior al
toroide orientada como las lneas magneticas, segun la gura 9.13. De esta manera,
al ser C una lnea magnetica, el campo es paralelo al vector tangente en cada punto,
de manera que B dr = B d. La circulaci on resulta

(C) = B d = B d, (9.41)
C C
pues suponemos que el campo depende s olo de la distancia r al centro de la circunfe-

rencia por simetra. La integral de d a lo largo de C es la longitud de C, dada por
= 2r. Por tanto, la circulaci
on es
(C) = 2rB. (9.42)

122 Campo magnetico
a
b
I
I
Figura 9.13. Una bobina toroidal de N vueltas, radio interior a y radio exterior b, por la
que circula una corriente I crea un campo magnetico en su interior cuyas lneas son circun-
ferencias concentricas con el toroide y cuyo sentido se calcula con la regla del sacacorchos.
Para calcular el campo con la ley de Ampère se calcula la circulaci on a lo largo de una
circunferencia C de radio r interior al toroide.
Seg
un la ley de Ampère, esta circulacion ha de ser igual a 0 veces la corriente neta
IC que atraviesa la supercie encerrada por C. Dado que el toroide tiene N vueltas
de cable conductor, la corriente neta es IC = N I, de donde
2rB = 0 N I. (9.43)
Despejando el campo magnetico, llegamos al resultado
0 N I
B= , a < r < b. (9.44)
2r
Este tipo de campos se usan para connar partculas cargadas en enormes toroides
llamados tokamaks.
9.7. Ejercicios
1. Una carga q = 1 nC se mueve con velocidad v = 103 m s1 a lo largo del
eje x de tal modo que, en el instante t = 0, se encuentra situada en el origen.
Determinar el campo magnetico en el punto P (0, 1 mm, 0) en los instantes t = 0
y t = 1 ms.
on: B(0) = 107 T k, B(1 ms) = 1016 T k.
Soluci
2. Hallar la fuerza magnetica que una carga q0 , con velocidad constante v0 y en
movimiento rectilneo, ejerce sobre otra carga q, con velocidad v, que se mueve
paralelamente a la anterior y a una distancia d de ella. Hacer el calculo en el
momento en que ambas cargas estan a la misma altura.
on: Las cargas se atraen con una fuerza (0 qq0 vv0 )/(4d2 ).
Soluci
3. Dos cables conductores muy largos, rectos y paralelos, estan separados por una
distancia de 6, 5 cm y conducen corrientes de 15 mA y 7 mA en el mismo sentido.
Calcular la fuerza magnetica entre los cables por unidad de longitud. Hacer el
Ejercicios 123
mismo calculo en el caso de que las corrientes en los cables tengan sentidos
opuestos.
Solucion: En el caso en que los cables conducen corrientes paralelas, la fuerza
entre ellos es atractiva y, si son corrientes antiparalelas, la fuerza es repulsiva. El
valor de la fuerza por unidad de longitud en ambos casos es de 3, 21010 Nm1 .
4. Determinar el campo magnetico en el centro de una espira cuadrada de 5 cm de
lado por la que circula una corriente de 15 mA.
Solucion: B = 3, 4 107 T. El campo es ortogonal al plano de la espira y su
sentido es el dado por la corriente seg un la regla del sacacorchos.
5. Una espira circular de radio a y N vueltas conduce una corriente I. La espira
esta situada en el plano xz con centro en el origen y la corriente tiene en ella
sentido antihorario. Una segunda espira circular del mismo radio a y N vueltas
esta situada en el plano xy, con centro en el punto P (0, 2a, 0), y conduce una
corriente antihoraria del mismo valor I. Determinar el campo magnetico en el
punto P .
1
Solucion: B = 02aNI
k + 5 5
j .
6. Un solenoide de 1300 vueltas por metro transporta una corriente de 1 mA. El eje
del solenoide es el eje z y la corriente recorre el solenoide en sentido antihorario
en el plano xy. Se tiene tambien un cable de corriente rectilneo en el eje del
solenoide que conduce una corriente de 5 mA en el sentido del eje z negativo.
Determinar el campo magnetico en un punto P del interior del solenoide situado
en el eje x, en x
= 1 cm.
Solucion: B = 107 j + 1, 6 106 k T.
7. Un cable recto e innito tiene un radio R y conduce una corriente I distribuida
uniformemente en su seccion. Determinar el campo magnetico creado por este
cable en todos los puntos del espacio. Hallar los puntos para los cuales el campo
magnetico es maximo.
Solucion: Las lneas de fuerza magnetica son circunferencias perpendiculares al
cable cuyo centro esta en el eje del cable y cuyo radio r es la distancia al eje.
El sentido del campo se establece con el de la corriente, mediante la regla del
sacacorchos. La intensidad del campo es

0 Ir/2R2 , r < R
|B| = (9.45)
0 I/2r, r<R
Captulo 10
Materiales magn
eticos
10.1. Momento magn

etico de un electr
on
Una espira de corriente posee un momento magnetico de tal manera que es capaz de
rotar en presencia de un campo magnetico externo. Consideremos ahora una imagen
muy simplicada de un electr on en una orbita circular alrededor del n
ucleo de un ato-
mo, segun la gura 10.1. Puede verse esto como una corriente (carga en movimiento)
cerrada. Por tanto, un electron en orbita alrededor de un n ucleo posee un momento
magnetico.
Es sencillo calcular el momento magnetico del electr on debido a la trayectoria
circular de la gura 10.1. Su momento magnetico m es el de una espira circular de 1
vuelta y radio r recorrida por una corriente I = q/t = e/T = ev/(2r), donde e
es la carga del electr
on y T = 2r/v es el periodo de su orbita a velocidad v. Resulta
entonces
evr
m = ISn = n, (10.1)
2
siendo n el vector normal dado por el movimiento del electr
on, tal como se muestra
en la gura. Por otro lado, el momento angular del electr
on respecto al centro de la
orbita circular es
L = me r v = me rv n, (10.2)
un la expresion (2.38), donde me es la masa del electron, y n es el vector unitario

seg
normal a la supercie encerrada por la circunferencia, que determina el sentido de
recorrido de la orbita. El vector n se calcula con la regla del sacacorchos a partir del
n
e r
m v
Figura 10.1. Un electr
on en
orbita circular de radio r alrededor del n
ucleo de un
atomo
125
126 Materiales magneticos
sentido de la velocidad. Por tanto, podemos escribir

e
m= Le , (10.3)
2me
relacionando momento magnetico con momento angular orbital. En mec
anica cu
antica
se dene el magnet
on de B
ohr del electron como
eh
B = = 9,3 1024 A m2 , (10.4)
2me
que es una unidad de momento magnetico atomico. En esta denicion, h = 1, 05
1034 kg m2 s1 es la constante de Planck normalizada, una unidad de momento
angular. As, llegamos a la expresion
Le
m = B . (10.5)
h

Esta ecuacion es valida en la mecanica clasica, pero no en la mecanica cuantica que es
la teora correcta para explicar las propiedades de las partculas a escala atomica. Para
obtener una expresi on correcta, a la ecuaci on (10.5) hay que sumarle la contribuci on
debida al llamado momento angular intrnseco o espn del electron Se . Teniendo en
cuenta esta contribucion, se obtiene la expresion nal para el momento magnetico de
un electron en orbita alrededor del n ucleo, que es

Le Se
m = B , (10.6)
h h

donde es el factor giromagnetico del electron, que es un n

umero sin unidades muy
cercano a 2.
10.2. Magnetizaci
on
Cada atomo en un material puede tener un momento magnetico, cuya contribuci on
principal es la suma vectorial de los momentos magneticos de sus electrones. Depen-
diendo de esta suma, un atomo puede tener un momento magnetico permanente o
no.
La existencia de momentos magneticos atomicos permanentes determina el com-
portamiento del material en presencia de un campo magnetico externo. Esto ocurre
porque los momentos magneticos atomicos pueden rotar y alinearse, del mismo modo
que el de una espira, en presencia de un campo magnetico externo B0 , de tal manera
que pueden hacer variar el valor del campo magnetico en el interior del material. Por
ejemplo, si existe en un material cierta alineacion parcial de los momentos atomicos
en direcci
on y sentido paralelos a un campo magnetico externo, entonces la intensidad
del campo magnetico total es mayor que la debida u nicamente al campo externo. De
manera analoga, una alineaci on parcial de los momentos atomicos en sentido opuesto
a un campo externo disminuye el campo total.
El proceso de alineamiento de los momentos magneticos atomicos dentro de un
material se llama magnetizaci on del mismo. Consideremos, por ejemplo, un material
en forma de cilindro que esta magnetizado de manera homogenea en direcci on paralela
Magnetizaci
on 127
Im
M
Figura 10.2. Corriente supercial de magnetizaci on Im en un cilindro magnetizado en

direcci
on paralela a su eje. Se muestra una seccion del cilindro, en la que se observan las
corrientes electr
onicas elementales que dan lugar a la corriente supercial.
a su eje, como vemos en la gura 10.2. En este caso, una porci on de los momentos
magneticos atomicos del material esta parcialmente orientada paralelamente al eje del
cilindro. Las corrientes electr
onicas elementales que crean estos momentos orientados,
por la regla del sacacorchos, han de estar dirigidas seg un se ve en la gura, de tal
manera que su efecto se cancela con corrientes adyacentes en el interior del material
y no se observa corriente neta all. Sin embargo, no se cancelan en la supercie del
material, dando lugar a una corriente supercial macrosc opica neta Im , dirigida como
se ve en la gura, que provoca que el material magnetizado se comporte como un
solenoide por el que circula una corriente Im . Por tanto, este material crea un campo
magnetico Bm que se puede medir y que es paralelo a la alineaci on de los momentos
magneticos atomicos.
Se dene el vector magnetizaci on M de un material como el momento magnetico
neto por unidad de volumen de material. Su direcci on y sentido estan determinados
por la suma de los momentos magneticos at omicos que hay en la porcion de material
que estamos considerando (ver la gura 10.2). La corriente supercial Im en un ma-
terial magnetizado est a relacionada con el vector magnetizaci on M y su direccion y
sentido vienen dados por la regla del sacacorchos aplicada al vector M.
Si la magnetizaci on no fuese uniforme, esta corriente circulara tambien por el
interior del material. En todo caso, Im se debe al movimiento de electrones alrededor
de los nucleos atomicos y no es, por tanto, un movimiento de electrones libres como
en un cable conductor al aplicar una diferencia de potencial. Para distinguir a Im de
la corriente de conduccion debida al movimiento de electrones libres, se le suele llamar
corriente de magnetizaci on. Ambas pueden estar presentes en un material conductor.
Consideremos el cilindro uniformemente magnetizado de la gura 10.2, recorrido
por una corriente de magnetizaci on supercial Im , al que se le enrollan n vueltas
por unidad de longitud de un cable conductor por el que circula una corriente de
conducci on I. Dado que I e Im son paralelas en este caso, podemos escribir el campo
magnetico total B en el interior del material como el de un solenoide de corriente I
mas el campo debido a la corriente de magnetizaci on Im , es decir,
B = B0 + Bm . (10.7)
Es com
un denir la susceptibilidad magnetica del material m de tal modo que
B m = m B 0 , (10.8)
donde m es una cantidad sin unidades. El campo magnetico total en el material

resulta
B = B0 + m B0 = (1 + m ) B0 = r B0 . (10.9)
ltima igualdad se ha denido la permeabilidad relativa del material r como
En la u
r = 1 + m . (10.10)
Volviendo a nuestro ejemplo del cilindro magnetizado, dado que el campo aplicado es
B0 = 0 nI, el modulo del campo total resulta
B = nI, (10.11)
en funcion de la corriente de conducci

on I u
nicamente, sustituyendo la permeabilidad
del vaco 0 por la permeabilidad absoluta del material
= r 0 . (10.12)
Para el vaco, r = 1. Para los distintos materiales, la permeabilidad relativa tiene

diferentes comportamientos, lo cual permite clasicarlos en tres categoras principales:
diamagneticos, paramagneticos y ferromagneticos.
10.3. Diamagnetismo
Llamamos diamagnetismo al efecto por el cual un campo magnetico aplicado a un
material induce en este una magnetizacion que tiene sentido opuesto al campo apli-
cado.
El diamagnetismo aparece en todos los materiales pero, dado que los momen-
tos magneticos inducidos por este efecto suelen ser muy peque nos, queda a menudo
enmascarado por efectos paramagneticos o ferromagneticos (de los que hablaremos
luego). En la pr actica, solo se observa el diamagnetismo si el momento magnetico
intrnseco de los atomos o moleculas del material es nulo en ausencia del campo ex-
terno aplicado, pues entonces no existen los otros efectos. En este caso, decimos que
el material es diamagnetico.
En las sustancias diamagneticas, el campo externo aplicado induce momentos
magneticos orbitales opuestos a el, con lo cual el campo magnetico total es menor que
el aplicado. Como consecuencia, en los materiales diamagneticos m es un n umero
negativo tpicamente muy peque no, y r es un n umero muy cercano a la unidad,
pero levemente menor que 1. En la tabla 10.1 podemos observar algunos valores de la
susceptibilidad magnetica (a temperatura ambiente) para sustancias diamagneticas.
Para comprender c omo un campo magnetico aplicado induce momentos orbitales
atomicos opuestos a el, consideremos el ejemplo de la gura 10.3. Dos electrones, cada
uno de carga e, se mueven inicialmente en orbitas circulares del mismo radio r con
la misma velocidad v pero en sentidos opuestos. Esto quiere decir que, inicialmente, el
momento magnetico neto de ambos electrones es cero (asumimos que tienen espines
antiparalelos entre ellos).
Se considera ahora un campo magnetico externo B0 uniforme y perpendicular
a la trayectoria de ambos electrones. De esta manera, aparece una fuerza magnetica
Fm = ev B0 sobre cada electr on, dirigida a lo largo de la direcci
on normal a su
Diamagnetismo 129
v v
e e
v v
e e
Figura 10.3. Dos electrones se mueven en orbitas circulares iguales con la misma velocidad
pero en sentido opuesto. Un campo magnetico externo aplicado perpendicularmente a ambas
orbitas modica la velocidad de los electrones creando un momento magnetico neto en sentido
opuesto al campo aplicado.
trayectoria. Sin embargo, en uno de los electrones la fuerza magnetica se dirige hacia
el exterior de la trayectoria circular, mientras que, en el otro, la fuerza magnetica se
dirige hacia el centro de la trayectoria.
Como consecuencia de la fuerza magnetica sobre los electrones, la aceleracion
normal de cada uno de ellos cambia: cuando la fuerza magnetica es hacia el exterior
de la trayectoria, la aceleracion normal del electron decrece, pero si la fuerza magnetica
es hacia el centro de la trayectoria, la aceleracion normal crece. Dado que la aceleracion
normal en la trayectoria circular es an = v 2 /r, y los electrones estan connados en
orbitas de radio jo, resulta que la velocidad del primer electr
on disminuye, mientras
que la del segundo electr on aumenta.
Antes de aplicar el campo magnetico externo, los momentos angulares orbitales
de ambos electrones eran iguales y de sentido opuesto, de manera que la suma de
Material m
Hidr
ogeno 9,9 109
Nitr
ogeno 5,0 109
Sodio 0,2 105
Cobre 1,0 105
Bismuto 1,7 105
Diamante 2,2 105
Plata 2,6 105
Mercurio 3,2 105
Oro 3,6 105
Tabla 10.1. Susceptibilidad magnetica de diversas sustancias diamagneticas a 20 C. En los

casos de gases, se ha supuesto que la presi
on es de 1 atm.
ambos era cero. Como hemos supuesto que sus espines eran antiparalelos, teniendo
en cuenta la ecuacion (10.6) resulta que el momento magnetico neto era cero. Una
vez aplicado el campo externo, la velocidad de los electrones ha cambiado, haciendolo
tambien su momento angular orbital. En particular, y teniendo en cuenta la regla del
sacacorchos en la gura 10.3, el momento angular orbital nal tiene la direcci on y
sentido del campo aplicado B0 . De esta manera, ha aparecido un momento magnetico
neto diferente de cero que, seg
un la ecuacion (10.6), se opone al campo aplicado.
El efecto diamagnetico que hemos estudiado es practicamente independiente de
la temperatura. Como hemos comentado esta a menudo enmascarado por efectos pa-
ramagneticos o ferromagneticos, que aparecen cuando los atomos o moleculas del ma-
terial tienen un momento magnetico intrnseco no nulo. Por otro lado, como veremos a
continuaci on, el paramagnetismo disminuye al aumentar la temperatura, de tal modo
que, al menos idealmente, todos los materiales son diamagneticos a temperaturas lo
sucientemente altas. Comentemos por u ltimo que los materiales superconductores
son perfectamente diamagneticos, en el sentido que su susceptibilidad magnetica es
m = 1. Esto quiere decir que un superconductor anula en su interior cualquier cam-
po magnetico aplicado. Este hecho experimental se conoce con el nombre de efecto
Meissner.
10.4. Paramagnetismo
En los materiales paramagneticos, los momentos magneticos intrnsecos atomicos o
moleculares tienden a alinearse parcialmente con un campo magnetico externo, de
manera que el campo magnetico se hace mayor que el aplicado. En los materiales
paramagneticos, la susceptibilidad magnetica m es un n
umero peque
no y positivo que
como veremos decrece cuando aumenta la temperatura, y la permeabilidad relativa
r es un n umero cercano a la unidad pero levemente mayor que 1. Tenemos en la
tabla 10.2 algunos valores de la susceptibilidad magnetica para ciertas sustancias
paramagneticas.
El paramagnetismo aparece cuando los atomos o moleculas de una sustancia
tienen un momento magnetico permanente asociado al momento angular orbital o de
espn de sus electrones. En ausencia de un campo magnetico externo estos momentos
magneticos permanentes estan orientados al azar debido al movimiento termico.
Material m
Oxgeno 2,1 106
Magnesio 1,2 105
Aluminio 2,3 105
Tungsteno 6,8 105
Titanio 7,1 105
Platino 3,0 104
Tabla 10.2. Susceptibilidad magnetica de diversas sustancias paramagneticas a 20 C. En

los casos de gases, se ha supuesto que la presi
on es de 1 atm.
Ferromagnetismo 131
Sin embargo, cuando se aplica un campo magnetico B0 sobre el material, aparece

un momento torsi on m sobre cada momento magnetico atomico o molecular m, dado
por la expresion m = m B0 . Entonces, como vimos en el captulo 8, el momento
magnetico tiende a alinearse paralelo al campo magnetico aplicado.
Este efecto viene contrarrestado por el efecto termico sobre los atomos y molecu-
las del material, que tiende a dirigir aleatoriamente los momentos magneticos del
mismo. Como consecuencia, solo una peque na fraccion de los momentos magneticos
at
omicos de la sustancia quedan dirigidos paralelamente al campo magnetico. Debido
a esto, el paramagnetismo es un efecto debil y la susceptibilidad magnetica de los ma-
teriales paramagneticos es muy peque na. A
un as, el efecto es mucho mas importante
que el diamagnetismo para sustancias paramagneticas (con momentos magneticos
at
omicos permanentes), por lo cual estas ocultan los efectos diamagneticos.
Otro aspecto importante del paramagnetismo, a medida que aumenta la tempe-
ratura del material, es la tendencia de los momentos magneticos a orientarse alea-
toriamente, haciendo que la fraccion de momentos atomicos alineados con el campo
externo decrezca. Consecuentemente, la magnetizaci on de los materiales paramagneti-
cos decrece con la temperatura T del material. Esto implica que una sustancia pa-
ramagnetica a temperatura ambiente se convertira en diamagnetica si aumentamos
sucientemente su temperatura.
10.5. Ferromagnetismo
Una tercera clase de sustancias tiene un comportamiento magnetico mas acusado que
lo visto anteriormente: son los materiales ferromagneticos. Estas sustancias presentan
una magnetizaci on permanente, debida a la tendencia de los momentos magneticos
de sus atomos o moleculas a alinearse por su interacci on mutua. El ferromagnetismo
se presenta en sustancias que son imanes naturales, como la magnetita, y tambien en
el hierro, el cobalto, el nquel y en aleaciones de estos metales entre s.
En los materiales ferromagneticos, existe una interaccion cuantica entre los espi-
nes S1 y S2 de dos electrones, de tal manera que la energa debida a esta interacci on
tiene la forma J S1 S2 , donde J es una cantidad, llamada integral de intercambio,
que depende de la distancia entre los electrones. Obviamente, si J es una cantidad
positiva, la energa de un par de espines electronicos paralelos es menor que la de un
par de espines antiparalelos, de tal manera que se favorece que los espines cercanos
esten paralelos en el equilibrio incluso en ausencia de un campo magnetico externo.
Este es el caso de los materiales ferromagneticos. Tambien podra ocurrir que J fuese
negativa, en cuyo caso se favorecera la presencia de espines antiparalelos, es decir,
una magnetizaci on neta nula. Esto ocurre en los materiales antiferromagneticos.
En una sustancia ferromagnetica, en ausencia de un campo magnetico aplicado, la
interaccion entre espines electronicos cercanos provoca una orientaci on de estos espi-
nes en regiones de tama no normalmente microscopico, llamadas dominios magneticos,
cuyas dimensiones van desde 1012 m3 hasta 108 m3 , y que contienen desde 1017 has-
ta 1021 atomos. Dentro de estos dominios, los momentos magneticos atomicos estan
muy alineados, de tal manera que cada uno de los dominios tiene una magnetizaci on
neta cuya direccion depende de la estructura cristalina de la sustancia (ver la gu-
ra 10.4a). La magnetizaci on total de un trozo de sustancia sera en general nula, pues
los dominios tienen magnetizaciones orientadas a lo largo de direcciones diferentes de
(a) (b) (c)

Figura 10.4. (a) Dominios magneticos en un material ferromagnetico en ausencia de campo
externo. (b) Magnetizacion por crecimiento de dominios favorables a un campo externo
aplicado. (c) Magnetizaci
on por orientaci
on de dominios paralelamente al campo aplicado.
tal manera que la suma de todas ellas sea practicamente nula.

Cuando se aplica un campo magnetico externo al material ferromagnetico, ocu-
rren dos efectos, debidos a la aparicion de momentos de la fuerza magnetica sobre los
momentos magneticos de los dominios:
Los dominios cuya magnetizaci on esta orientada favorablemente al campo apli-

cado crecen (mas electrones alinean su momento magnetico en esa direcci on),
mientras que los dominios con magnetizaci on opuesta al campo aplicado decre-
cen (gura 10.4b).
La magnetizacion neta de cada uno de los dominios tiende a alinearse paralela-
mente al campo aplicado (gura 10.4c).
La consecuencia de estos dos efectos es una magnetizacion total muy elevada en el

material y paralela al campo aplicado, de manera que el campo magnetico total en
el interior del material es mucho mayor que el campo externo, y el material se ha
convertido en un im an. Los materiales ferromagneticos, por tanto, suelen tener valores
positivos muy elevados de la susceptibilidad magnetica m .
El ferromagnetismo depende de la temperatura, de tal modo que cada sustan-
cia ferromagnetica tiene una temperatura crtica, llamada temperatura de Curie, por
encima de la cual la sustancia se convierte en paramagnetica. Esto ocurre porque el
movimiento termico aleatorio de los atomos crece cuando aumenta la temperatura, y
este efecto tiende a destruir los dominios magneticos al vencer las fuerzas de interac-
cion entre espines. La temperatura de Curie del hierro es de 770 C, la del cobalto es
de 1080 C, y la del nquel es de 370 C.
Veamos un aspecto crucial del comportamiento de los materiales ferromagneti-
cos. Un trozo de material ferromagnetico se coloca en el seno de un campo magnetico
uniforme B0 cuya intensidad podemos variar (si B0 es el campo creado por un solenoi-
de que colocamos rodeando al material ferromagnetico, podemos variar la corriente
que pasa por el solenoide). Comenzamos con un valor B0 = 0 y vamos aumentando
este valor. En cada caso, medimos el campo total B en el interior del material y
representamos este valor frente al campo externo B0 seg un la gr
aca de la gura 10.5.
Al ir aumentando el valor de B0 desde cero, el valor del campo interno B crece
r
apidamente, ya que la alineacion de los momentos magneticos se va haciendo cada vez
mayor. Si continuamos aumentando el campo aplicado, se alcanza un punto en el que
no se pueden alinear m as momentos magneticos. Se dice entonces que se ha alcanzado
Ejercicios 133
B P
Br
B ap
Figura 10.5. Histeresis en un material ferromagnetico en presencia de un campo externo.
En la gura Bap = B0 .
la saturacion, a partir de la cual el campo interno s olo crece en la misma medida que
lo haga el campo externo aplicado. Llegamos as al punto P de la gura 10.5.
Si ahora desde P se reduce el valor de B0 , esperando que B decrezca a lo largo
de la misma lnea por la que creci o, esto no ocurre. Parte de la alineacion de los
dominios magneticos permanece al reducir el campo externo y existe un valor Br de
campo magnetico interno incluso al apagar completamente el campo externo. Este
valor se llama campo remanente y el efecto que hemos descrito se llama ciclo de
histeresis del material. En el punto en el que B0 se ha hecho cero y B = Br , se dice
que el material se ha convertido en un im an permanente.
Cuando B0 no es cero, podemos denir en promedio la susceptibilidad magnetica
m o la permeabilidad relativa r del material ferromagnetico. Se observa que el valor
de r es ahora muy grande. Por ejemplo, en el hierro es del orden de 5000, en una
aleacion de hierro y nquel puede ser del orden de 25000, etc. El campo interno total
es mucho mayor que el campo aplicado.
Si la histeresis del material no es muy grande (es decir, Br es peque no), se dice
que el material es magneticamente blando, como el llamado hierro dulce. Estos ma-
teriales se usan en la construccion de los n ucleos de transformadores y electroimanes,
pues interesa a veces revertir el sentido del campo o apagarlo. Sin embargo, cuando
la histeresis es grande, como en el acero al carbono, por ejemplo, el campo interno
permanece mucho tiempo despues de apagar el externo, de manera que estos mate-
riales se usan en la fabricacion de imanes permanentes o en las cintas de grabaci on
magnetica.
10.6. Ejercicios
1. Un electron de masa m = 9, 1 1031 kg sigue una orbita circular de radio
r = 5 1011 m a velocidad v = 2 106 m s1 en el plano xy en sentido horario.
Determinar su momento angular orbital y el momento magnetico debido a esta
contribucion.
Solucion: Le = 9, 1 1035 kg m s2 k, me = 8, 1 1024 A m2 k.
2. Un cilindro tiene una magnetizaci on homogenea M = 20000 A m1 paralela a
su eje. Determinar el campo magnetico en el interior de este cilindro.
Solucion: B = 0, 025 T.
3. Un solenoide de 5 vueltas por centmetro posee un n ucleo de hierro. Cuando
la corriente que circula por el devanado es de 2, 5 A, el campo magnetico en

el interior del solenoide es de 1, 4 T. Determinar la permeabilidad relativa del
material.
Solucion: r = 890.
4. Un solenoide de 20 vueltas por metro transporta una corriente de 1, 5 A. Calcular
el campo magnetico en su interior. Repetir el c
alculo si el solenoide se llena con
un material de susceptibilidad magnetica m = 20.
Solucion: B0 = 3, 8 105 T. B = 7, 9 104 T.
5. En el solenoide del problema anterior, determinar el campo magnetico producido
por las corrientes de magnetizacion y la propia magnetizaci on.
Solucion: Bm = 7, 5 104 T. M = 597 A m1 .
Captulo 11
Inducci
on electromagn
etica
11.1. Fem inducida

Hemos visto que una corriente electrica produce un campo magnetico. En 1831, Fara-
day descubrio el efecto inverso: se puede inducir una corriente electrica en un circuito
por medio de un campo magnetico.
La experiencia muestra que existen varias formas de utilizar un campo magnetico
para generar una corriente electrica. Por ejemplo, coloquemos un im an permanente
cerca de una espira. Si no hay movimiento relativo entre el iman y la espira, la corriente
que circula por esta es nula, pues no esta conectada a ninguna fuente de fem. Cuando
aproximamos el iman a la espira se comprueba que ha aparecido una corriente en ella.
Si alejamos el iman, la corriente tiene sentido contrario. Tambien se generara una
corriente en la espira si movieramos esta pero no el iman.
La corriente en la espira se llama corriente inducida pues ha sido producida por
un campo magnetico variable en el tiempo (el creado por el im an en la espira al haber
movimiento relativo entre ellos). Dado que siempre se necesita una fuente de fem para
producir una corriente, la misma espira se ha comportado en este ejemplo como una
fuente de fem. Esta fem se conoce como fem inducida.
Hay otras maneras de inducir una fem en una espira sin variar un campo magneti-
co. Una de ellas consiste en cambiar el area interior de la espira (estir andola, por
ejemplo) y otra consiste en cambiar la orientaci on de la espira respecto al campo
magnetico rotandola.
El fen
omeno de producci on de una fem con ayuda de un campo magnetico se
llama induccion electromagnetica. Los ejemplos que hemos visto de producci on de
una fem en un circuito con ayuda de un campo magnetico son manifestaciones de la
ley de Faraday, quien descubri o que, cuando el ujo magnetico a traves de la supercie
encerrada por un circuito cambia en el tiempo, entonces se induce una fem en el propio
circuito.
11.2. Fem de movimiento

Consideremos en detalle una de las maneras de inducir una fem con ayuda de un
campo magnetico uniforme y constante. Supongamos que una varilla conductora de
longitud se mueve, por acci
on de alg
un agente externo (podemos moverla con la
135
136 Inducci
on electromagnetica
Figura 11.1. Una varilla conductora de longitud se mueve a velocidad constante v en

presencia de un campo magnetico B perpendicular a la varilla y a la velocidad.
mano) con velocidad v constante de manera perpendicular a un campo magnetico

uniforme y constante B, seg un se observa en la gura 11.1.
Cada una de las cargas positivas que hay en la varilla conductora se mueven
entonces con esa velocidad v, de manera que sienten una fuerza magnetica de modulo
Fm = qvB y dirigida hacia la parte de arriba de la varilla (usar para verlo la regla
de la mano derecha). Del mismo modo, cada carga negativa en la varilla siente la
misma fuerza pero dirigida hacia abajo. En consecuencia, se va acumulando carga
positiva en el extremo superior de la varilla y carga negativa en el extremo inferior.
Esto ocurre hasta que la fuerza electrica de atraccion entre las cargas positivas y
negativas equilibra a la fuerza magnetica que trata de separar las cargas. Al llegar a
este equilibrio, ya no se acumula mas carga en los extremos de la varilla.
Las cargas que hay en los extremos al llegar al equilibrio han dado lugar a una
diferencia de potencial, llamada fem de movimiento. Este fem existe mientras se mueva
la varilla y act
ua de manera an aloga a la fem de una batera, pero hay una diferencia:
en una batera, la fem se produce por reacciones qumicas en su interior, pero en la
varilla la fem de movimiento la crea el trabajo mec anico del agente externo que mueve
la varilla en el seno de un campo magnetico.
En el equilibrio, la magnitud de la fem de movimiento se puede calcular igualando,
sobre cada carga, la fuerza magnetica, que trata de llevarla hacia un extremo de la
varilla, y la fuerza electrica que tiene sentido contrario
qvB = qE, (11.1)
donde E es el campo electrico creado por las cargas de signos opuestos que hay en los
extremos de la varilla. Este campo electrico crea una diferencia de potencial entre los
extremos que esta dada por E, y que es la fem inducida en la varilla. En consecuencia,
de la ecuacion (11.1) se obtiene
Eind
vB = , (11.2)

de donde la fem de movimiento inducida en la varilla resulta
Eind = vB, (11.3)
ecuacion que se cumple en el caso particular en que la varilla, el campo magnetico y la
velocidad son perpendiculares dos a dos, B es uniforme y constante y v es constante.
Supongamos que ahora conectamos a los extremos de la varilla un circuito con una
resistencia R a traves de dos rales conductores estacionarios, como en la gura 11.2.
Ley de Faraday 137
Fm v
Figura 11.2. Una varilla conductora se mueve sobre dos rales conductores estacionarios
conectados a una resistencia.
Debido a que la varilla esta actuando como una fuente de fem, se produce una corriente
inducida en el circuito formado por la varilla, los rales y la resistencia. La corriente
a traves de la resistencia esta dada por
Eind vB
I= = . (11.4)
R R
La resistencia disipa energa en forma de calor. La potencia disipada por la resistencia
viene dada por el producto de la corriente que la atraviesa y la diferencia de potencial
VR entre sus terminales, esto es,
(vB)2
P = IVR = IEind = , (11.5)
R
de manera que, en un tiempo t, la energa que ha disipado la resistencia es
(vB)2
U =Pt= t. (11.6)
R
La cuesti on es de d onde saca esta energa la resistencia, es decir, quien realiza el
trabajo de alimentar el circuito. La fem de movimiento aparece porque hay una fuerza
magnetica que act ua sobre las cargas de un conductor que se mueve en el seno de un
campo magnetico. Al conectar una resistencia al circuito, circula por el una corriente

inducida. El campo externo B produce entonces una segunda fuerza magnetica Fm

sobre la corriente inducida, dada por la expresi on Fm = IB, que esta dirigida en
sentido contrario al movimiento de la varilla (para verlo, usar la regla de la mano

derecha en la gura 11.2). As, la fuerza Fm se opone a la velocidad v y frenara el
movimiento de la varilla si no hubiera un agente externo (nuestra mano), que debe

estar ejerciendo una fuerza igual a Fm y de sentido opuesto para mantener la varilla
a velocidad constante v. Esto signica que es el agente externo el que est a realizando
un trabajo igual a la energa (11.6) para alimentar el circuito. En otras palabras,
la varilla conductora y el campo magnetico externo convierten trabajo mec anico en
energa electrica de la misma forma que una batera convierte energa qumica en
energa electrica. Este es el fundamento de un generador electrico.
11.3. Ley de Faraday

La ley de Faraday de la induccion electromagnetica relaciona la fem inducida en un
circuito con el cambio de ujo magnetico a traves de la supercie encerrada por el.
138 Inducci
on electromagnetica
Consideremos, por ejemplo, la fem de movimiento que aparece al mover la varilla

conductora de la gura 11.1. El valor de la fem inducida en la varilla era Eind = vB.
Si consideramos el eje x como aquel a lo largo del cual se esta moviendo la varilla con
velocidad constante v, resulta v = dx/dt, de manera que podemos escribir
dx
Eind = B . (11.7)
dt
Dado que el area de la supercie encerrada por la varilla, los rales y la resistencia en
la gura 11.2 es S = x, entonces Eind = BdS/dt, o bien, como el campo magnetico
es constante,
d(BS)
Eind = . (11.8)
dt
Al usar la regla del sacacorchos en la gura 11.2 para obtener el vector normal a la
supercie encerrada por el circuito seg
un el sentido de la corriente inducida, notamos
que este vector normal tiene sentido opuesto al campo magnetico. De este modo, el
ujo magnetico a traves de la supercie encerrada por el circuito es
m = B S = S B n = BS. (11.9)
Si se comparan las ecuaciones (11.8) y (11.9), se llega a que la fem inducida en la

varilla (y, por tanto, en el circuito) se puede escribir como
dm
Eind = . (11.10)
dt
Esta es la expresion matematica de la ley de Faraday de la inducci on. Esta ley implica
que existe una fem inducida en un circuito cuando el ujo magnetico a traves de la
supercie encerrada por el circuito vara en el tiempo. El signo menos en la ecuaci on
(11.10) se interpreta diciendo que la fem inducida se opone a la causa que la produce,
que es la variaci
on del ujo magnetico. Esta idea es lo que expresa la ley de Lenz, que
veremos a continuacion.
Podemos escribir la fem inducida en un circuito cerrado C en funci on del campo
electrico E creado en el circuito segun la expresion (7.17), es decir,

Eind = E dr, (11.11)
C
siendo dr un desplazamiento innitesimal a lo largo del circuito con el sentido de la

corriente inducida. Por otro lado, podemos escribir el ujo magnetico a traves de la
supercie S encerrada por el circuito C como

m = B dS, (11.12)
S
donde dS = dS n es un vector innitesimal de supercie. Con estas dos expresiones,

la ley de Faraday (11.10) tambien puede escribirse

d
E dr = B dS. (11.13)
C dt S
Ley de Lenz 139
B(t)
Figura 11.3. Una espira situada en un campo magnetico uniforme perpendicular a ella. El
campo magnetico vara uniformemente en el tiempo, creando una fem inducida en la espira
seg
un la ley de Faraday.
Veamos un caso sencillo de aplicacion de la ley de Faraday. Consideremos una

espira de N vueltas que encierra un area S. La espira est a inmersa en un campo
magnetico uniforme perpendicular a ella, como en la gura 11.3. El campo magnetico
vara uniformemente en el tiempo, de manera que, en t = t0 , su valor es B0 y en un
instante posterior t = t1 , su valor es B1 . Vamos a calcular la fem inducida en la espira
durante este intervalo de tiempo.
El primer paso es calcular el ujo magnetico a traves de la espira en la direccion
del campo magnetico. Dado que este es uniforme y la espira encierra una supercie
plana y el campo es paralelo al eje de la espira, el ujo es = N SB, ya que han de
tenerse en cuenta todas las vueltas de la espira. Utilizando ahora la ley de Faraday
(11.10) se obtiene
d dB
Eind = = N S , (11.14)
dt dt
pues lo u nico que vara es el campo magnetico. Para calcular la derivada del campo
magnetico usamos que su variacion es uniforme. Por tanto
B1 B0
Eind = N S . (11.15)
t1 t 0
El signo de la fem inducida depende del valor de la diferencia B1 B0 . Si el campo
crece en el tiempo, B1 B0 > 0, la fem inducida es negativa y la corriente inducida
tendra un sentido. Si el campo decrece en el tiempo, B1 B0 < 0, la fem inducida
es positiva y la corriente inducida tendra el sentido contrario.
11.4. Ley de Lenz

Una fem inducida conduce una corriente en un circuito igual que lo hace la fem de
una batera. En la batera, la corriente se dirige desde el terminal positivo hacia el
terminal negativo a traves del circuito. Lo mismo ocurre con la corriente inducida,
pero es necesario conocer como se asignan los terminales positivo y negativo en este
caso. Esto viene dado por la ley de Lenz.
Una observaci
on b
asica es que el campo magnetico neto que penetra un circuito
esta formado por dos contribuciones. La primera es el campo magnetico externo que
produce un cambio en el ujo y da lugar a la fem inducida. Adem as, hay una segunda
contribucion dada por el campo magnetico creado por la propia corriente inducida,
que se llama campo magnetico inducido.
140 Inducci
on electromagnetica
S N
+
Figura 11.4. Un im an se acerca a una espira. La ley de Lenz asigna la polaridad de la fem
inducida en la espira y el sentido de la corriente inducida.
La ley de Lenz dice que la fem inducida resultante de un campo magnetico variable
tiene tal polaridad que la corriente inducida genera un campo magnetico inducido que
se opone a la variacion del ujo magnetico original. Para aplicar correctamente esta
ley en conjuncion con la ley de Faraday es u til seguir el siguiente esquema:
1. Se determina si el ujo magnetico que atraviesa el circuito es creciente o decre-

ciente en el tiempo.
2. El sentido del campo magnetico inducido se toma como opuesto al cambio del
ujo original.
3. La regla del sacacorchos, aplicada al campo magnetico inducido, nos dice el sen-
tido de la corriente inducida y la polaridad de la fem inducida.
4. Por ultimo, podemos aplicar la ley de Faraday en la forma

|Eind | =
, (11.16)
dt
para conocer el valor numerico de la fem inducida, una vez asignada su polaridad.
Veamos un ejemplo sencillo. Consideremos un iman permanente que se acerca a una

espira, segun la gura 11.4. El circuito asociado a la espira consta de una resistencia
R. Aplicamos la ley de Lenz. El ujo magnetico a traves de la espira crece (hacia
la derecha) porque el campo magnetico del im an sobre la espira crece al acercarse.
As, el campo magnetico inducido debe tener un sentido contrario al crecimiento del
ujo, por la ley de Lenz, y debe entonces dirigirse hacia la izquierda. Para crear un
campo magnetico inducido hacia la izquierda, el sentido de la corriente inducida debe
ser antihorario, como se ve en la gura 11.4 aplicando la regla del sacacorchos. Este
sentido de la corriente nos da la polaridad de la fem inducida (indicada por los signos
+ y en la gura, ya que en los circuitos se sigue el convenio de que en una fuente
la corriente va por su interior, del terminal negativo al positivo).
11.5. Inducci
on mutua y autoinducci
on
Hemos visto como se puede inducir una fem en una espira si la mantenemos ja y
movemos un iman cercano, o bien si dejamos jo el iman y movemos o rotamos la
espira. Veamos ahora otro metodo de inducir fem en una bobina, formada por un
alambre conductor enrollado N veces alrededor de alg
un tipo de n
ucleo.
Inducci
on mutua y autoinducci
on 141
Figura 11.5. Una bobina conductora, conectada a una fuente de fem variable, se coloca
cerca de otra bobina sin conectar. En la segunda aparece una fem inducida.
Inducci
on mutua
Se sit
uan cerca una de otra dos bobinas, una de ellas llamada bobina primaria y
la otra bobina secundaria, segun la gura 11.5. La bobina primaria se conecta a un
generador de corriente variable, que enva una corriente I1 a traves de ella. La bobina
secundaria no se conecta a nada. La corriente que conduce la bobina primaria crea un
campo magnetico en sus cercanas. Una fracci on signicativa de este campo penetra
en la bobina secundaria y produce a traves de ella un ujo magnetico variable, pues
I1 es una corriente variable. As se induce una fem en la bobina secundaria.
El efecto por el cual una corriente variable en un circuito produce una fem in-
ducida en otro circuito cercano se llama inducci on mutua. De acuerdo con la ley de
Faraday de la induccion, la fem E2 inducida en el circuito secundario es
d2
E2 = , (11.17)
dt
donde 2 es el ujo, a traves del circuito secundario, del campo magnetico producido
por la corriente variable I1 del circuito primario. Por tanto, 2 es proporcional a I1
y podemos escribir
dI1
E2 = M , (11.18)
dt
donde la constante M , dada por la expresi on
2
M= , (11.19)
I1
se llama inductancia mutua. La unidad de inductancia mutua es el Henry (H), denido
como 1 H = 1 Wb A1 . Escrita en la forma (11.18) es claro que la fem inducida en
el circuito secundario se debe a la corriente variable en el circuito primario.
La inductancia mutua M depende, entre otros factores menos importantes, de
la geometra de los circuitos. Para guiar las lneas magneticas y aumentar el ujo,
se emplean n ucleos ferromagneticos en las bobinas. Aunque M se puede calcular
analticamente en algunos casos sencillos, lo normal es medirla experimentalmente.
Autoinducci
on
En todos los ejemplos de fem inducida que hemos visto hasta ahora, el campo magneti-
co ha sido producido por alguna fuente externa, como un im an u otro circuito. Sin
embargo, esto no es absolutamente necesario. Se puede inducir una fem en una bobina
si se cambia el campo magnetico que ella misma produce. Para verlo, consideremos
142 Inducci
on electromagnetica
Figura 11.6. Smbolo de un inductor en un circuito.
una bobina conectada a una fuente de fem variable, de manera que la corriente I
que circula por la bobina es tambien variable. Esta corriente crea un ujo magnetico
variable a traves de la propia bobina, de modo que, siguiendo la ley de Faraday, se
induce una fem extra en la bobina. El efecto por el cual una corriente variable en un
circuito induce una fem en el mismo circuito se conoce como autoinduccion.
Como en el caso de la inducci on mutua, conviene reescribir la ley de Faraday
en funcion de la variacion de la corriente. Para ello se introduce una constante L,
llamada autoinductancia, dada por la expresi on

L= , (11.20)
I
donde es el ujo magnetico a traves del circuito e I es la corriente variable que
circula por el. La fem inducida en el propio circuito es, entonces,
dI
E = L . (11.21)
dt
Una bobina o solenoide con muchas vueltas y n ucleo ferromagnetico se llama
inductor y, frecuentemente, su autoinductancia es mucho mayor que la del resto del
circuito, de manera que solo se tiene en cuenta la fem inducida en el inductor, des-
preciandose la del resto del circuito.
El smbolo de un inductor en un circuito es el de la gura 11.6. Dado que la fem
autoinducida en un inductor se opone a la causa que la produce, que es la fem del
variable del generador conectado al circuito, podemos tomar un inductor como un
elemento del circuito en el que cae potencial electrico. Esto implica que se comporta
en un circuito como una resistencia pero, en lugar de caer en el un potencial dado
por VR = IR, cae un potencial dado por la ecuaci on (11.21) cambiada de signo. En
un inductor de un circuito cae un potencial VL dado por
dI
VL = L , (11.22)
dt
y as lo estudiaremos en los captulos dedicados a circuitos.
11.6. Energa magn

etica almacenada en un inductor
Al igual que un condensador almacena energa electrica, un inductor almacena energa
magnetica. Esta energa proviene del trabajo necesario para establecer una corriente
a traves del inductor.
Consideremos un inductor conectado a un generador cuyo potencial se vara uni-
formemente desde 0 hasta V , su valor nal. La corriente a traves del inductor cre-
cera desde 0 hasta su valor nal, apareciendo una fem inducida dada por
dI
E = L , (11.23)
dt
El generador electrico 143
cuya polaridad se opone a la del generador, de manera que el generador tiene que rea-
lizar un trabajo para vencer esta fem inducida. El trabajo realizado por el generador
para mover una carga dq a traves del inductor es
dI dq
dW = Edq = L dq = L dI = LIdI, (11.24)
dt dt
de manera que el trabajo total realizado por el generador para establecer una corriente
que crece desde 0 hasta su valor nal I, igual a la energa magnetica Um almacenada
por el inductor, es
I
LI 2
Um = W = LIdI = . (11.25)
0 2
Hay otra manera m as general de interpretar este resultado. Al establecer una corriente
a traves del inductor, este crea un campo magnetico, de manera que el trabajo reali-
zado para establecer la corriente es tambien el trabajo necesario para crear ese campo
magnetico. La energa almacenada en el inductor es la energa del campo magnetico.
Consideremos que el inductor es un solenoide sin n ucleo ferromagnetico de longi-
tud , seccion de area S y n vueltas por unidad de longitud, que conduce una corriente
I. La autoinductancia de este solenoide resulta
L = 0 n2 S, (11.26)
(ver ejercicios), y el campo magnetico que se crea en su interior vale B = 0 nI. Por
tanto, la energa magnetica que almacena es
LI 2 B2
Um = = V, (11.27)
2 20
pues V = S es el volumen interior del solenoide, y es tambien, aproximadamente,
igual al volumen de la region del espacio donde el campo magnetico creado por el
solenoide es relevante. Se dene entonces la densidad de energa magnetica um como
la energa de un campo magnetico por unidad de volumen. En el caso del solenoide,
Um B2
um = = . (11.28)
V 20
En el caso general en que un campo magnetico esta denido en una determinada
on del espacio de volumen V, su intensidad depender
regi a del punto del espacio, y
a la densidad de energa magnetica um . La energa magnetica en este
tambien lo har
caso general esta dada por la expresi
on

B2
Um = um dV = dV. (11.29)
V V 20
11.7. El generador el
ectrico
Pr
acticamente toda la enega electrica que se utiliza en el mundo se produce en forma
de corriente electrica a traves de generadores electricos. El funcionamiento de estos
generadores se basa en la inducci on electromagnetica para producir una fem sinusoidal
144 Inducci
on electromagnetica
B
n

Figura 11.7. Un generador electrico simple
cuando enormes bobinas rotan en presencia de campos magneticos producidos por

electroimanes.
Un generador electrico simple esta formado por una espira de N vueltas y area
S que rota con velocidad angular constante entre los polos de un electroim an que
produce un campo magnetico uniforme B, seg un vemos en la gura 11.7. El electro-
iman se llama inductor del generador, y la espira se llama inducido. Los terminales
del inducido estan conectados solidariamente a unos anillos met alicos deslizantes que
giran al rotar la espira. Cada uno de estos anillos roza a una escobilla de grato (se
usa este material para evitar chispazos), de manera que la diferencia de potencial
entre los terminales de la espira, que es la misma que hay entre los anillos deslizantes,
es igual a la diferencia de potencial entre las escobillas de grato. Las escobillas son
los terminales del circuito externo al que el generador alimenta.
Consideremos una situaci on inicial en la que el vector normal a la espira forma
un angulo 0 con el campo magnetico uniforme del electroiman. Empezamos ahora a
hacer un trabajo mecanico rotando la espira con velocidad angular constante. Esto
signica que el angulo que forman la normal a la espira y el campo magnetico del
electroiman va variando en el tiempo seg un la expresion
= 0 + t. (11.30)
un la ley de Faraday, se induce entonces una fem E en la espira dada por

Seg
d
E = , (11.31)
dt
donde es el ujo magnetico a traves de la espira,
= N SB cos = N SB cos (0 + t). (11.32)
Entonces la diferencia de potencial creada por el generador, y aplicada al circuito

externo mediante las escobillas, es
E = N SB sen (0 + t) = A sen (0 + t), (11.33)
donde
A = N SB, (11.34)
es una constante caracterstica del generador, llamada amplitud o valor de pico de
la fem sinusoidal. La unidad de fem de pico es 1 V. En consecuencia, un generador
El generador electrico 145
1/2f 1/f 3/2f

t

on gr
aca de una fem sinusoidal.
electrico transforma energa mecanica, la necesaria para rotar la espira, en energa

electrica.
En la gura 11.8 se ha representado el valor de la diferencia de potencial E entre
los terminales de un generador electrico frente al tiempo t, suponiendo que la fase
inicial 0 es cero por simplicidad (siempre se puede elegir 0 a conveniencia eligiendo
el origen de tiempos apropiadamente). Como vemos en esta gura, la fem E es una
funcion periodica sinusoidal, de amplitud A y frecuencia angular . La unidad de
frecuencia angular es 1 rad s1 . La interpretaci
on fsica de esta cantidad se aclara
deniendo la frecuencia f de la fem E como

f= , (11.35)
2
umero de veces que la fem alcanza su valor maximo A (o mnimo A) en
que es el n
un segundo, contando a partir del momento en que tiene ese mismo valor. La unidad
de frecuencia es el Herzio (Hz), denido como 1 Hz = 1 s1 . El inverso de la frecuencia
2 1
T = = , (11.36)
f
se llama periodo de la fem y su unidad es 1 s. El periodo es el tiempo que pasa
desde que la fem tiene su valor m aximo (o mnimo) hasta que vuelve a tenerlo. En
la practica es com un dar las caractersticas de la fem de un generador de corriente
alterna mediante su valor de pico A y su frecuencia f . Conocidos estos datos, es
directo escribir la fem como E = A sin (2f t) (asumiendo que 0 es cero).
Como hemos visto, la fem proporcionada por un generador electrico cambia su
polaridad a medida que rota la espira, lo cual es propio de la corriente alterna. As,
si se conecta un circuito externo al generador, que se suele denominar circuito de
carga, a traves de el habr
a una corriente alterna que cambia su sentido con la misma
frecuencia f con la que la fem cambia su polaridad. En los circuitos, el smbolo de un
generador que proporciona una fem de este tipo es el que vemos en la gura 11.5.
Algunas centrales electricas queman combustible f osil (carb
on, gas o petr
oleo)
para calentar agua y producir gas presurizado que hace girar enormes turbinas cuyos
ejes estan unidos al generador, mientras que otras usan cascadas de agua o energa
nuclear como fuente de trabajo mecanico. Si el circuito de carga, o conjunto de dis-
positivos a los que el generador proporciona energa electrica, esta desconectado del
146 Inducci
on electromagnetica
Turbina Generador
Figura 11.9. Un generador electrico que proporciona energa a un edicio.
generador, se dice que este funciona bajo una condici on sin carga porque no hay
corriente en el circuito externo y el generador no proporciona energa electrica. En
este caso, el u
nico trabajo que hay que realizar sobre la turbina es el necesario para
vencer la friccion y otras perdidas mec
anicas en el interior del generador y el necesario
para mantener el campo magnetico, as que el consumo de energa es mnimo.
Supongamos ahora que se conecta un circuito de carga al generador (como los
edicios mostrados en la gura 11.9). Existe una corriente alterna I a traves del
circuito, de modo que esta misma corriente recorre la espira del generador. La espira
tiene un momento magnetico m que no tena en la condici on sin carga y, dado que
esta inmersa en un campo magnetico, siente un momento de torsion magnetico que
trata de hacerla rotar para colocar su eje paralelo al campo magnetico. Obviamente,
no se crea energa mecanica de rotaci on de la nada, as que este momento de torsion
(que se suele denominar contramomento del generador) ha de oponerse a la rotaci on
inducida por la turbina. En consecuencia, a mayor corriente cedida por el generador,
mayor es el contramomento y mas trabajo mecanico habr a que realizar para mantener
la espira rotando a velocidad angular constante. Es decir, la turbina debe hacer un
trabajo mayor cuando la corriente es mayor, quemando m as combustible por ejemplo.
11.8. Ejercicios
1. Una espira de 20 vueltas encierra un area de 103 m2 . La espira est
a inmersa en
un campo magnetico uniforme perpendicular a ella de tal manera que, en t = 0,
B = 0, 03 T, y en t = 0, 1 s, B = 0, 01 T. Calcular la fem inducida en la espira
durante ese intervalo de tiempo y su polaridad.
on: Eind = 4 mV.
Soluci
2. Una espira cuadrada de lado a, N vueltas y resistencia R esta situada en el plano
xy, con su centro en el origen. Esta espira esta inmersa en un campo magnetico
dado por las ecuaciones
B = B0 k, y > 0,
B = 0, y < 0,
donde B0 es una constante. Calcular la magnitud y sentido de la corriente in-

ducida en la espira cuando esta se desplaza con velocidad constante v0 en los
siguientes casos: (a)v = v0 i, (b) v = v0 j, (c) v = v0 j.
on: (a) Iind = 0. (b) Iind = (N av0 B0 )/R, en sentido horario. (c) Iind =
Soluci
(N av0 B0 )/R, en sentido entihorario.
3. Una espira de 50 vueltas encierra un area de 0, 02 m2 . La espira esta inmersa en
Ejercicios 147
un campo magnetico uniforme y constante B = 0, 18 T. Inicialmente, el eje de

la espira es paralelo al campo. Comienza a rotar uniformemente y, al cabo de
t = 0, 1 s, el eje de la espira forma un angulo de 30 con el campo. Calcular la
fem inducida en la espira durante ese intervalo de tiempo y su polaridad.
Solucion: Eind = 2, 4 V.
4. Un campo magnetico uniforme y constante de 0, 15 T es perpendicular a una
espira circular de 1 vuelta y 0, 3 m de radio. La espira se deforma uniformemente
en un cuadrado al cabo de 0, 5 s. Encontrar la magnitud de la fem media inducida
en la espira durante ese tiempo y su polaridad.
Solucion: Eind = 0, 018 V.
5. Sobre una espira cuadrada, de lado a = 1 cm, 1 vuelta y resistencia R = 100 ,
descansa un cable conductor rectilneo muy largo, paralelo a un lado de la espira
y a una distancia d = 0, 25 cm del centro de esta. El cable conduce una corriente
I = 1 mA. Si esta corriente se va a cero uniformemente en 0, 1 s, determinar la
corriente inducida durante ese tiempo en la espira.
Solucion: Iind = 2, 2 1013 A.
6. Dos varillas conductoras paralelas, ambas de longitud y resistencia R, se mue-
ven con la misma velocidad v perpendicular a su longitud en el mismo sentido.
Perpendicular a ambas varillas y a su velocidad hay un campo magnetico B.
Determinar la fem inducida en cada varilla.
Eind = vB, Iind = 0.
7. Una varilla conductora de masa m y longitud cae debido a su propio peso
moviendose sin rozamiento entre dos rales verticales. Los rales estan conectados
entre s por arriba por una resistencia R. Hay un campo magnetico uniforme y
constante B perpendicular al plano formado por varilla y rales. En el equilibrio,
determinar la fem inducida en la varilla y su polaridad, la corriente a traves de
la resistencia, y la velocidad de cada de la varilla.
Solucion: Eind = vB, Iind = vB/R, v = mgR/(B 2 2 ).
8. Un solenoide de longitud = 8 cm y seccion de area S = 0, 5 cm2 contiene
n = 6500 vueltas por metro y carece de n ucleo ferromagnetico. Calcular la auto-
inductancia del solenoide.
Solucion: L = 2 104 H.
9. Un solenoide de longitud y n umero de vueltas N1 esta conectado a un generador
de corriente alterna, de tal manera que la corriente a traves del solenoide es
I = I0 sen (2f t). En el interior del solenoide se coloca una bobina de n umero
de vueltas N2 y seccion de area S2 . Suponiendo que todas las lneas del campo
en el interior del solenoide pasan por la bobina, determinar la fem inducida en
esta y el coeciente de inductancia mutua.
Solucion: Eind = (0 N1 N2 S2 /)2f cos (2f t). M = 0 N1 N2 S2 /.
10. Un generador de corriente alterna est a formado por una bobina circular de 25
vueltas y radio a = 140 mm que gira con una velocidad angular = 300 rad s1
en un campo magnetico B = 0, 2 T. Determinar la fem de pico, la frecuencia y el
periodo de la fem generada.
Solucion: E0 = 92 V, f = 48 Hz, T = 0, 021 s.
Captulo 12
Ondas electromagn
eticas
12.1. Ecuaciones de Maxwell

Hasta ahora hemos estudiando las leyes que rigen el comportamiento de cargas y
corrientes y su relaci
on con los campos electricos y magneticos. Estas leyes conforman
las llamadas ecuaciones de Maxwell, que constituyen una descripci on completa de los
fenomenos electromagneticos a nivel clasico (bajo hipotesis de comportamiento no
cuantico de partculas y campos).
Ley de Gauss del campo el

ectrico
La primera ecuaci on de Maxwell corresponde a la ley de Gauss del campo electrico,
que vimos en el captulo 5 y que es la expresi on matematica del hecho de que las
fuentes y sumideros de lneas de campo electrico son las cargas electricas. Esta ley
dice que el ujo electrico a traves de una supercie cerrada S es igual a la carga total
Qint encerrada por ella dividida por 0 ,

Qint
e = E dS = , (12.1)
S 0
donde dS = dS n es el elemento vectorial de area de la supercie, siendo n un vector
unitario normal exterior a la supercie S en cada punto y dS el area de un trozo
innitesimal de la supercie en torno a ese punto. El crculo en el smbolo de la
integral es una manera de indicar que S ha de ser una supercie cerrada. En la
gura 12.1 se observa una supercie gaussiana S, su vector normal en un punto n y
el campo electrico E en ese mismo punto.
E
n
S
Figura 12.1. Una supercie gaussiana (cerrada), el valor del vector normal exterior y el
campo electrico en uno de sus puntos. En general, ambos vectores no son paralelos, como se
puede ver.
149
150 Ondas electromagneticas
B
n
S
ut
C
E
Figura 12.2. Una trayectoria cerrada C y una supercie S encerrada por C. Se indican
el vector tangente ut (paralelo al desplazamiento dr a lo largo de C), el campo electrico E
en un punto de C, el vector normal n (paralelo al elemento vectorial de supercie dS), y el
campo magnetico B en un punto de S. N otese que los sentidos del vector tangente a C y el
vector normal a S estan relacionados entre s por la regla del sacacorchos.
Ley de Gauss del campo magn

etico
Como vimos en el captulo 9, las lneas de campo magnetico son siempre lneas cerra-
das, o dicho de otro modo, no existen o no se han encontrado monopolos magneticos
(cargas magneticas aisladas). Esto implica que toda lnea magnetica que entra en
una supercie cerrada tiene que salir necesariamente de ella. Como consecuencia, el
ujo magnetico a traves de una supercie cerrada sera siempre cero. La expresion
matematica de esta ley es
m = B dS = 0. (12.2)
S
Ley de Faraday
La tercera ecuacion fundamental es la ley de Faraday de la induccion: existe una fem
inducida en un circuito cuando el ujo magnetico a traves de la supercie encerrada
por el circuito vara en el tiempo.
La fem inducida en un circuito cerrado C se puede escribir en funci
on del campo
electrico E,
Eind = E dr, (12.3)
C
siendo dr un desplazamiento innitesimal a lo largo del circuito con el sentido de
la corriente inducida. Se puede escribir tambien el ujo magnetico a traves de una
supercie S encerrada por C como

m = B dS, (12.4)
S
donde dS = dS n es un vector innitesimal de supercie. La ley de Faraday se expresa

entonces matematicamente como

d
E dr = B dS, (12.5)
C dt S
en donde la regla del tornillo determina la relaci
on entre el sentido del vector normal
a la supercie S y el del vector tangente a la curva C. En la gura 12.2 tenemos un
ejemplo de trayectoria cerrada C y una supercie S encerrada por ella.
Ecuaciones de Maxwell 151
Ley de Amp`
ere-Maxwell
La u
ltima ecuacion de Maxwell es una generalizaci on de la ley de Ampère que vimos
en el captulo 9: la circulaci
on de un campo magnetico a lo largo de una curva cerrada
C es igual a 0 veces la corriente IC que atraviesa la supercie encerrada por la curva.
Dada una curva cerrada orientada C (con un sentido de giro determinado a lo largo
de ella), su circulacion se escribe

= B dr, (12.6)
C
siendo el desplazamiento innitesimal dr paralelo en cada punto de C al vector tan-

gente ut . De este modo, la ley de Ampère se puede escribir

B dr = 0 IC . (12.7)
C
Para que esta ley sea v alida es necesario que la corriente IC sea continua, es decir,
que no se interrumpa en ning un punto.
Interesa escribir la corriente IC que atraviesa una supercie S encerrada por C
en funcion del vector densidad de corriente j, denido en el captulo 7. La relacion
entre la corriente que atraviesa una supercie y el vector densidad de corriente en ella
era
IC = j dS. (12.8)
S
La ley de Ampère (12.7) queda escrita entonces como

B dr = 0 j dS. (12.9)
C S
En esta ecuacion, j esta relacionada con todas las corrientes que atraviesan la supercie
S, tanto si son corrientes en un conductor como si son corrientes de magnetizaci on
en un material. Tambien aqu la regla del sacacorchos relaciona el sentido del vector
normal a la supercie S en dS con el del vector tangente a C en dr. Un ejemplo de
aplicaci
on de esta ley es la propia gura 12.2, sustituyendo el campo electrico de la
gura por el campo magnetico, y el campo magnetico de la gura por la densidad de
corriente j.
Sin embargo, la ley de Ampère, tal como esta escrita en la ecuacion (12.9), es
incompleta, basicamente porque necesita que la corriente sea continua. Para verlo,
basta considerar una supercie S cerrada. En este caso, la circulacion del campo
magnetico ha de ser nula, pues no hay una curva C que delimite una supercie ya
cerrada. Obviamente, esto signica que

j dS = 0. (12.10)
S
Esta ecuacion no puede ser cierta en todos los casos. Si una corriente esta cargando
una placa conductora a traves de un hilo y S es una supercie cerrada que encierra
la placa, existe un ujo de corriente a traves de S que es la carga que la atraviesa por
unidad de tiempo, es decir, hemos de sustituir la ecuaci on (12.10) por la igualdad

dq
j dS = , (12.11)
S dt
donde q es la carga que entra en S. Por la ley de Gauss (12.1), esto se puede escribir
como
d
j dS + 0 E dS = 0. (12.12)
S dt S
Este ejemplo permiti o a James Clerk Maxwell generalizar la expresi on (12.9) para
incluir el caso de una corriente discontinua. La solucion es sustituir el segundo termino
de la ley de Ampère (12.9) por el que aparece en la ecuaci on (12.12). Resulta entonces
la ecuacion
d
B dr = 0 j dS + 0 0 E dS, (12.13)
C S dt S
que es la cuarta ecuacion general del electromagnetismo, y que se conoce con el nombre
de ley de Ampère-Maxwell. En ella, el u ltimo sumando de la ecuacion (12.13) se llama
corriente de desplazamiento.
Las ecuaciones fundamentales (12.1), (12.2), (12.5) y (12.13) se llaman ecuaciones
de Maxwell, y constituyen seguramente uno de los mayores logros en la historia de la
fsica teorica.
Ecuaciones del electromagnetismo est

atico
Cuando los campos electrico y magnetico no varan en el tiempo, se tiene el caso
estatico. Las derivadas de ambos campos respecto al tiempo son nulas y las ecuaciones
de Maxwell (12.1), (12.2), (12.5) y (12.13) quedan reducidas a

Qint
E dS = , (12.14)
0
S
B dS = 0, (12.15)
S
E dr = 0, (12.16)
C

B dr = 0 j dS. (12.17)
C S
Las dos primeras ecuaciones resultan inalteradas. Esto es l ogico, porque reejan el
hecho de que las fuentes y sumideros de lneas de campo electrico son las cargas
electricas, y que el campo magnetico no tiene fuentes ni sumideros.
Por su parte, la ecuaci
on (12.16) establece que la circulacion de un campo electri-
co estatico a lo largo de una curva cerrada es cero. Esto indica que el campo electri-
co estatico es conservativo, es decir, se puede escribir en terminos de un potencial
electrostatico. Por ultimo, la ecuacion (12.17) es la ley de Ampère para el campo
magnetico estatico. Las ecuaciones estaticas separan completamente electricidad y
magnetismo, trat andolo como si fueran fenomenos diferentes.
12.2. Movimiento ondulatorio

Las ecuaciones de Maxwell, adem as de resumir todas las leyes del electromagnetismo,
son capaces de predecir tambien la existencia de ondas electromagneticas. Antes de
Movimiento ondulatorio 153
estudiar estas soluciones de las ecuaciones de Maxwell, veamos algunas propiedades

generales de las ondas.
Cuando se produce una perturbaci on de las propiedades de un medio material en
un punto de este medio que llamaremos foco, esta perturbacion se propaga a resto de
los puntos del medio con un retraso que depende de la distancia al foco. Al movimiento
de la perturbaci on en el medio se le llama movimiento ondulatorio u onda.
En una onda no se propaga materia, sino energa. Los puntos del medio a los
cuales la perturbaci on llega en el mismo instante de tiempo tienen el mismo estado
de perturbaci on y constituyen lo que se denomina frente de onda. Seg un la forma
geometrica de los frentes de onda, se dice que las ondas son planas, cilndricas, esferi-
cas, etc.
La perturbaci on que se propaga puede ser una magnitud escalar, o una magnitud
vectorial. Si la direcci
on en la cual vara esta magnitud coincide con la direccion de
propagaci on de la misma, se dice que tenemos ondas longitudinales, como las ondas
sonoras. Si, por otro lado, la direcci
on en la cual vara la magnitud es perpendicular
a la direccion de propagacion de la misma, se dice que es una onda transversal, como
las ondas en la supercie de un lquido.
Ondas escalares en una dimensi

on
Para describir el movimiento ondulatorio en una dimensi on espacial, que tomaremos

como eje x, necesitamos conocer la funci on y(x, t) que da el estado y de la perturbaci on
para cada punto x del eje de propagaci on en cada instante de tiempo t. Se elige el
origen de coordenadas de modo que el foco de la perturbaci on se encuentra en el
punto x = 0.
Supongamos que, en el instante inicial t = 0, el estado de la perturbaci on esta da-
do por y(x, 0) = f (x). Si la perturbaci on se propaga a velocidad constante v, llamada
velocidad de propagaci on, y adem as la perturbacion no se ve atenuada al propagarse,
entonces en el instante t habr a recorrido una distancia vt a lo largo del eje x positivo,
y tendr a un estado dado por y(x, t) = f (x vt). Por su parte, para los puntos del
eje x negativo, podemos cambiar el signo a la velocidad y decir que el estado de la
perturbaci on es y(x, t) = f (x + v t).
Por el teorema de Fourier, existe una manera de descomponer las ondas unidimen-
sionales que hemos visto en suma de ondas arm onicas, en las cuales la perturbaci on
inicial f (x) es una funcion sinusoidal. Las ondas arm onicas unidimensionales que se
propagan sin atenuarse a lo largo del eje x positivo se pueden escribir como
y(x, t) = A sen k(x v t), (12.18)
siendo A la amplitud de la onda (el valor m aximo que puede tomar la perturbaci on
en cada punto), y k el n umero de onda, con unidades de inversa de longitud. En la
gura 12.3 podemos ver el aspecto de la perturbaci on y en el instante inicial t = 0 y
en un instante posterior t. Se observa que, en cada punto del eje, la perturbaci on y
realiza un movimiento peri odico entre los valores y = A e y = A. La distancia en el
eje x de propagaci on entre dos puntos consecutivos que, en todo momento, tienen el
mismo estado de perturbacion se llama longitud de onda . Estos dos puntos deben
satisfacer la condici
on y(x, t) = y(x + , t). Usando la expresion (12.18) para la onda
t
1
y
t0
Figura 12.3. Perturbaci on arm

onica unidimensional para el instante inicial t = 0 y para un
instante posterior t. La longitud de onda es la distancia entre dos puntos consecutivos con
el mismo estado de perturbaci on.
arm
onica, esta condicion se concreta en
A sen k(x v t) = A sen k(x + v t), (12.19)
de donde k = 2, o bien
2
= . (12.20)
k
El n
umero de onda k es el numero de longitudes de onda en la distancia 2.
Por otro lado, dada la periodicidad del movimiento en cada punto del eje de
propagacion, podemos denir el periodo T como el tiempo que tarda cada punto en
volver a un estado de perturbaci
on dado. Por la expresion (12.18), se ha de cumplir
A sen k(x v t) = A sen k(x v t v T ), (12.21)
por lo que
2
T = = . (12.22)
kv v
La frecuencia temporal f de la perturbaci
on armonica, que es el n
umero de veces que
la perturbaci
on en un punto repite su estado durante 1 s, es la inversa del periodo,
1 kv v
f= = = , (12.23)
T 2
y su unidad SI es el Herzio (Hz). La frecuencia angular se dene como
2
= 2 f = = k v, (12.24)
T
y su unidad SI es 1 rad s1 .
Dada la denicion (12.24) de la frecuencia angular, se puede escribir la pertur-
bacion arm
onica unidimensional que se propaga a lo largo del eje x positivo de la
forma
y(x, t) = A sen (k x t), (12.25)
Ondas electromagneticas en el vaco 155
donde la velocidad de propagaci

on de la perturbaci
on es

v= = . (12.26)
k T
Ondas escalares en varias dimensiones
En dos dimensiones, una perturbaci on escalar en un medio queda descrita mediante

una funcion h(x, y, t). Ondas en dos dimensiones aparecen, por ejemplo, cuando ti-
ramos una piedra al centro de un estanque. Se suelen denominar, seg un la forma de
su frente de ondas, planas, circulares, etc. En tres dimensiones una onda est a des-
crita mediante una funci on h(x, y, z, t) = h(r, t). Existen ondas esfericas, cilndricas,
planas, elipsoidales, etc. Por ejemplo, la onda unidimensional dada por la ecuaci on
(12.25) es una onda plana, pues sus frentes son los planos ortogonales al eje x en cada
punto.
En general, una onda plana en tres dimensiones, con foco en el origen, que se
propaga con velocidad v a lo largo del eje dado por un vector unitario u, se puede
escribir como
h(r, t) = f (u r v t). (12.27)
Vemos que, si u = i, tenemos la onda en el eje x. En el caso de una onda plana

armonica en tres dimensiones, la funci
on f es de tipo sinusoidal, de modo que podemos
expresar el estado de la perturbacion como
h(r, t) = A sen k(u r v t), (12.28)
o bien, en terminos de la frecuencia angular = k v, y del vector de onda k = k u,
h(r, t) = A sen (k r t). (12.29)
12.3. Ondas electromagn

eticas en el vaco
Las ecuaciones de Maxwell, adem as de resumir todas las leyes del electromagnetismo
que hemos visto hasta ahora, son capaces de predecir tambien la existencia de las
ondas electromagneticas y de explicar c
omo se propaga la luz.
Ecuaciones de Maxwell en el vaco
Cuando consideramos el comportamiento de los campos electrico y magnetico en una

regi
on del espacio vaco lejos de las cargas y corrientes que los han creado, decimos
que estamos estudiando los campos en el vaco. El conocimiento de estos campos es
importante para establecer conclusiones sobre la radiaci on electromagnetica, es decir,
la propagacion de energa electrica y magnetica a traves del espacio. Si tomamos las
ecuaciones de Maxwell en una region donde q = 0 y j = 0, llegamos a las ecuaciones

E dS = 0, (12.30)
S
B dS = 0, (12.31)
S
d
E dr = B dS, (12.32)
dt
C

S
d
B dr = 0 0 E dS. (12.33)
C dt S
Las soluciones de estas ecuaciones para el campo electrico y el campo magnetico en

cada punto del espacio r y en cada instante de tiempo t constituyen las llamadas ondas
electromagneticas. Debido a que en las ecuaciones (12.32) y (12.33), las variaciones
temporales del campo electrico dan lugar a variaciones espaciales del campo magnetico
y a la inversa, la radiaci
on electromagnetica es capaz de mantenerse por s misma,
viajando grandes distancias a traves del espacio.
Como hemos visto en el apartado 12.2, las ondas se pueden escribir en el espacio
como una composici on de ondas planas arm onicas en tres dimensiones. Sera sucien-
te para nosotros comprobar que condiciones imponen las ecuaciones de Maxwell en
el vaco (12.30)(12.33) a los campos electrico y magnetico dados por este tipo de
ondas. En este caso, en lugar de ondas escalares como las de la ecuacion (12.29), la
perturbaci on que se propaga esta formada por dos vectores (los campos electrico y
magnetico). Escribiremos las ondas electromagneticas planas armonicas como
E = E0 sen (k r t), (12.34)

B = B0 sen (k r t). (12.35)
En estas expresiones, como en la ecuacion (12.29), el vector r indica el punto del

espacio y t es el instante de tiempo considerados. El vector k es el vector de onda y
su direcci
on y sentido nos dice hacia donde se propaga la radiaci
on electromagnetica,
y es la frecuencia angular. E0 y B0 son vectores que supondremos constantes y que
representan las amplitudes vectoriales de los campos electrico y magnetico respecti-
vamente. Estas ondas se llaman monocromaticas.
Para simplicar los calculos, podemos elegir nuestro sistema de referencia de tal
manera que la onda se propaga a lo largo del eje z en sentido positivo. En este caso,
las ecuaciones (12.34) y (12.35) resultan
E = E0 sen (kz t), (12.36)

B = B0 sen (kz t). (12.37)
Condiciones impuestas por la ley de Gauss

Veamos las condiciones que la ley de Gauss para los campos electrico y magnetico en
el vaco imponen sobre las ondas monocrom aticas dadas por las ecuaciones (12.36) y
(12.37). La ley de Gauss para el campo electrico en el vaco esta dada por la ecuaci
on
(12.30), y el campo electrico es el de la ecuacion (12.36).
z
L
y
x
Figura 12.4. Un cubo de lado L con centro en el origen para aplicar la ley de Gauss.
Consideremos, como supercie gaussiana, un cubo de lado L con centro en el ori-

gen y con aristas paralelas a los ejes de coordenadas, tal como vemos en la gura 12.4.
El vector constante E0 en funci on de sus coordenadas es
E0 = E0x i + E0y j + E0z k. (12.38)
El ujo a traves del cubo de la gura 12.4 es igual a la suma de los ujos a traves
de cada una de sus caras. Para que este ujo sea igual a cero, cumpliendo la ley de
Gauss, se ha de imponer (ver Ejercicios) que
E0z = 0, (12.39)
es decir, el campo electrico ha de ser perpendicular a la direcci
on de propagaci
on (que
era el eje z). En general, esta condicion se puede escribir
E0 k = 0. (12.40)
De la misma manera, para que la ley de Gauss se mantenga para el campo magnetico
B de una onda plana armonica, se ha de cumplir que sea perpendicular a la direcci
on
de propagaci
on de la onda,
B0 k = 0. (12.41)
Condiciones impuestas por la ley de Faraday

Pasemos ahora a examinar la ley de Faraday (12.32) para los campos en el vaco dados
por las expresiones (12.36) y (12.37), en donde, por la ley de Gauss, ya sabemos que
tanto E0 como B0 no tienen componente z, esto es,
E0 = E0x i + E0y j, (12.42)
B0 = B0x i + B0y j. (12.43)
Para aplicar la ley de Faraday, consideremos, por ejemplo, la curva de la gura 12.5,
que es un cuadrado de lado L en el plano yz y centrado en el origen, con orientaci on
antihoraria.
La circulacion del campo electrico (12.36) a lo largo del cuadrado C de la gu-
ra 12.5 resulta (ver Ejercicios),

kL
E dl = 2E0y L sen cos ( t). (12.44)
C 2
z
L
n
y
x
Figura 12.5. Un cuadrado de lado L en el plano yz y con centro en el origen para aplicar
la ley de Faraday.
Por otro lado, el ujo del campo magnetico (12.37) a traves de la supercie que
encierra el cuadrado de la gura 12.5 es (ver Ejercicios)

B0xL kL
B dS = 2 sen sen ( t). (12.45)
S k 2
Ahora, segun la ley de Faraday (12.32), la derivada temporal de este ujo, cambiada
de signo, ha de ser igual a la circulaci
on (12.44). Haciendo la derivada con respecto
al tiempo del ujo magnetico (12.45), y cambiando el signo, resulta

d B0x L kL
B dS = 2 sen cos ( t). (12.46)
dt S K 2
Igualando esto a la circulaci

on del campo electrico (12.44), llegamos a la conclusi
on
k
B0x = E0y , (12.47)

lo cual relaciona una componente del campo electrico con otra del campo magnetico.
Podramos haber realizado estas operaciones para otra trayectoria C. Si lo hacemos
para un cuadrado de lado L en el plano xz y con centro en el origen, llegaremos a una
conclusion muy parecida a la de la ecuaci
on (12.47). En concreto, obtendremos que
k
B0y = E0x . (12.48)

Una manera sencilla de cumplir las condiciones (12.47) y (12.48) es tomar el sistema
de referencia de tal modo que el campo electrico vaya en la direcci
on del eje x y el
campo magnetico vaya en la direcci
on del eje y. En este caso, la ecuacion (12.48) es
una relaci
on entre las componentes no nulas de ambos campos. Resulta entonces
E0 = E0 i, (12.49)
k
B0 = B0 j = E0 j. (12.50)

En consecuencia, la ley de Faraday determina los vectores E0 y B0 , que solo dependen
de la amplitud E0 (dada por las condiciones iniciales de un problema concreto).
y
B
z
x E
Figura 12.6. Evoluci on temporal y espacial de una onda plana arm onica. La direcci
on de
propagacion es el eje z, la direcci
on del campo electrico es el eje x, y la del campo magnetico
es el eje y. El periodo temporal de los campos es T = 2/, y la longitud de onda es
= 2/k.
Las leyes de Gauss y de Faraday nos han permitido establecer la siguiente conclu-
sion importante: en una onda plana arm onica en el vaco, los vectores k (que determina
la direccion de propagaci
on de la onda electromagnetica), E y B son mutuamente or-
togonales. Ademas, los m odulos del campo electrico E y el campo magnetico B estan
relacionados mediante la ecuacion
|B| k
= . (12.51)
|E|
Una imagen de la evoluci on temporal y espacial de los campos electrico y magnetico
de una onda plana arm onica se ve en la gura 12.6. Para cada punto del espacio,
las intensidades de los campos varan en el tiempo de manera periodica y sinusoidal,
con un periodo que est a relacionado con la frecuencia angular seg un la f
ormula
T = 2/. De la misma forma, en cada instante de tiempo, la variacion de los campos
con el punto z del espacio es seg un una funcion peri
odica sinusoidal, cuyo periodo
espacial o longitud de onda es = 2/k. En la gura se observa c omo es posible
que los campos sean ortogonales a la direccion de propagacion de la onda. Las ondas
electromagneticas son un ejemplo importante de este tipo de comportamiento en la
naturaleza, que en general se denomina onda transversal.
Condiciones impuestas por la ley de Amp`

ere-Maxwell
Las leyes de Gauss y Faraday permiten obtener, para una onda electromagnetica plana
armonica en el vaco que se propaga a lo largo del eje z positivo, las expresiones
E = E0 sen (k z t) i, (12.52)
k
B = E0 sen (k z t) j, (12.53)

y a
un nos falta satisfacer la ley de Ampère-Maxwell,

d
B dr = 0 0 E dS. (12.54)
C dt S
Si C es la trayectoria de la gura 12.5 y S es la supercie plana encerrada por C, se
llega a la condici
on (ver Ejercicios)
k
E0 = 0 0 E0 , (12.55)
k
Regi
on Longitud de onda (m) Frecuencia (Hz)
Radio > 0,01 < 3 109
Microondas 0,01 104 3109 3 1012
Infrarrojo 104 7 107 3 1012 4,3 1014
Visible 7107 4 107 4,3 1014 7,5 1014
Ultravioleta 4107 109 7,5 1014 3 1017
Rayos X 109 1011 3 1017 3 1019
Rayos gamma < 1011 > 3 1019
Tabla 12.1. Espectro electromagnetico.
es decir,
2 1
= . (12.56)
k 0 0
El valor numerico del producto de la permitividad y la permeabilidad del vaco es
igual al inverso de la velocidad de la luz en el vaco c al cuadrado. Por tanto,

1
= = c, (12.57)
k 0 0
donde c = 3 108 m s1 . Dado que, en una onda plana arm onica, la cantidad /k es
la velocidad de propagaci on de la onda, como vimos en la ecuacion (12.26), las ondas
electromagneticas se propagan a una velocidad igual a c .
Hemos obtenido, nalmente, una soluci on de las ecuaciones de Maxwell en el
vaco en forma de onda plana arm onica propag
andose a la velocidad de la luz c a lo
largo del eje z. Esta soluci
on es
E = E0 sen k(z c t) i, (12.58)

E0
B= sen k(z ct) j, (12.59)
c
en donde el valor de k viene determinado por la frecuencia f de la onda seg
un
2 f
k= . (12.60)
c
Como las ondas electromagneticas se propagan a la velocidad de la luz, Maxwell
inri
o que la luz es una forma de radiaci
on electromagnetica.
12.4. Espectro electromagn

etico
El espectro electromagnetico esta formado por las diferentes formas en que aparecen
las ondas electromagneticas. En el espectro, estas ondas estan caracterizadas por su
frecuencia f o bien por su longitud de onda = c/f . En la tabla 12.1 se muestran
las frecuencias tpicas de las diferentes formas en que aparece la radiacion electro-
magnetica.
Ejercicios 161
E
luz visible
ultravioleta infrarrojo
7
2 4 6 8 10 (10 m)
Figura 12.7. Energa emitida por el Sol en funci

on de la frecuencia.
Las radiacion de menor frecuencia y mayor longitud de onda est a constituida por
las ondas de radio: para longitudes de onda del orden de centmetros tenemos ondas
de radar, para longitudes del orden de metros tenemos ondas de televisi on (TV) y de
frecuencia modulada (FM) y longitudes de onda del orden de kil ometros corresponden
a onda media.
La radiacion de microondas tiene mayor frecuencia que la de radio y se produce
tpicamente en circuitos electricos. Este tipo de radiaci
on tiene una frecuencia cercana
a la de resonancia de las moleculas de agua.
Lo que se conoce normalmente como luz aparece en tres regiones del espectro
electromagnetico. La de menor frecuencia de las tres es la radiacion infrarroja, que se
produce por las vibraciones de los atomos o moleculas de los cuerpos a una tempera-
tura dada. M as frecuencia tiene la luz visible y ultravioleta, generadas en transiciones
entre estados energeticos de los electrones en los atomos.
A mayor frecuencia resultan los rayos X, que se emiten cuando se bombardean
metales con electrones muy energeticos. Tienen aplicaciones medicas y se usan para
investigar la estructura atomica. La radiacion de mayor frecuencia son los rayos gam-
ma. Se producen en transiciones nucleares y tienen un enorme poder de penetraci on
en la materia.
En la gura 12.7 se muestra muy esquematicamente la energa emitida por el
Sol en funcion de la frecuencia de emision. Como vemos, el m aximo de esta energa
aparece a frecuencias correspondientes a la luz visible, es decir, aquellas frecuencias
para las cuales el ojo humano es sensible. Ademas es una coincidencia muy importante
para la vida que la atm osfera de la Tierra sea pr acticamente transparente a estas
mismas frecuencias (deja pasar la radiaci on correspondiente a la luz visible), algo
que no ocurre, afortunadamente para la vida en la Tierra, con casi toda la radiaci on
ultravioleta e infrarroja.
12.5. Ejercicios
1. Demostrar que, para que el campo electrico dado por la ecuacion (12.38), satisfaga
la ley de Gauss en el vaco, dada por la ecuaci
on (12.30), a traves del cubo de la
gura 12.4, ha de cumplirse la ecuaci on (12.39).
2. Dado el campo electrico (12.36), con E0 = E0x i+E0y j, y dada la curva orientada
de la gura 12.5, demostrar que la circulaci on del campo a lo largo de la curva
esta dada por la ecuaci
on (12.44).
3. Dado el campo magnetico (12.37), con B0 = B0x i + B0y j, y dada la supercie
encerrada por el cuadrado de la gura 12.5, demostrar que el ujo magnetico a
traves de la supercie esta dado por la ecuaci

on (12.45).
4. Dadas las expresiones (12.52) y (12.53) para los campos electrico y magnetico de
una onda plana arm onica, aplicar la ley de Ampère-Maxwell dada por la ecuaci
on
(12.54) al circuito de la gura 12.5 y demostrar que se ha de cumplir la condici
on
(12.55).
5. Se llama vector de Poynting de una onda electromagnetica al vector P = 1/0 E
B. Este vector describe adecuadamente el ujo de energa propagada por la onda.
Calcular el vector de Poynting para la onda monocrom atica dada por las ecua-
ciones (12.58) y (12.59) y hacer un diagrama de su intensidad frente al punto del
espacio z para t = 0.
Solucion: P = E02 /(0 c) sen2 k(z ct) k.
6. Cierta luz amarilla tiene una longitud de onda = 6 107 m. Determinar su
frecuencia, su periodo y el modulo de su vector de onda.
Solucion: f = 5 1014 Hz, T = 2 1015 s, k = 1, 05 107 rad m1 .
Captulo 13
Circuitos elementales
13.1. Elementos localizados

En este captulo comenzamos el estudio de la teora de circuitos. Un circuito no es
mas que una interconexi on de componentes electricos y electronicos que realizan una
determinada funci on. Los campos electromagneticos asociados o producidos en un
circuito tienen una variaci on temporal y espacial que est an relacionadas entre s por
la velocidad de la luz. Si el periodo T de variacion de estos campos es sucientemente
grande, entonces la longitud espacial = cT asociada a la variaci on del campo (donde
c es la velocidad de la luz) sera mucho mayor que la longitud asociada a los elementos
del circuito, con lo cual podremos emplear la teora de elementos localizados.
En condiciones de par ametros localizados, las leyes del electromagnetismo se con-
sideran v alidas en su aproximacion cuasiestacionaria, salvo para determinados elemen-
tos, como pudieran ser condensadores o inductores, en donde la variaci on temporal ha
de tenerse en cuenta. Sin embargo, incluso empleando esta aproximacion en circuitos
muy simples, debido a que las condiciones de contorno son complicadas, sera muy
difcil calcular los campos. La teora de circuitos da un conocimiento mucho menos
detallado pero permite obtener las magnitudes que interesan, esto es la potencia y
el intercambio energetico entre los componentes del circuito, en funci on de voltajes e
intensidades.
Figura 13.1. Circuito simple en el que se transporta energa desde un generador a una carga
a traves de un circuito que pasa por una pared conductora.
163
164 Circuitos elementales
A B
Figura 13.2. Dos elementos conectados en paralelo formando un circuito. Los puntos A y
B son nodos.
En la gura 13.1 podemos ver un circuito simple en el que se ha dibujado el ujo

de energa a frecuencia moderada. La batera proporciona voltaje y por la resistencia
circula corriente. Esta descripci
on es equivalente a la descripcion en funci
on de cam-
pos, en la que el circuito act
ua como una especie de gua de la energa transportada
por los campos de la fuente a la resistencia. Vemos que, a frecuencias moderadas, una
parte de la energa se extiende al espacio alrededor del circuito. Pero, a frecuencias
sucientemente altas, la energa se puede irradiar a casi todo el espacio y el circuito
se convierte en una antena. En este u ltimo caso el modelo de elementos localizados
deja de servir.
13.2. Leyes de Kirchho

Un circuito es un camino cerrado formado por dispositivos electricos y electronicos
conectados entre s mediante cables conductores. Cada uno de los dispositivos de un
circuito esta asociado a una representacion simb olica en un diagrama. As, los cables
conductores se representan en los circuitos mediante lneas.
Para proporcionar energa al circuito se requiere una fuente de voltaje o fuente
de fem, como por ejemplo una batera, un alternador, una dinamo, una celula solar,
etc. Este dispositivo funciona transformando energa (qumica, mecanica, solar, etc)
en la energa electrica necesaria para proporcionar una diferencia de potencial entre
sus terminales, conectados al resto del circuito. De esta manera, en el circuito aparece
una corriente electrica, es decir, un ujo de electrones, que se mantiene mientras la
fuente de voltaje mantenga la diferencia de potencial.
El sentido de la corriente electrica se toma por razones historicas como el opuesto
al del movimiento de los electrones, de manera que la corriente va desde el terminal
positivo de la fuente de voltaje hacia el terminal negativo a traves del circuito (y
desde el terminal negativo hasta el positivo por el interior de la fuente de voltaje).
Un par de reglas codican las relaciones entre intensidades y entre voltajes en un
circuito:
La suma de las corrientes que entran en un punto de uni on de varios elementos

en un circuito es igual a la suma de las corrientes que salen. Los ingenieros suelen
referirse a este punto como un nodo (el punto A en la gura 13.2 es uno de tales
puntos). Esta regla no es m as que la ley de conservacion de la carga expresada
para circuitos. Se conoce como ley de Kirchho para las corrientes.
Elementos conectados en paralelo tienen la misma diferencia de potencial entre
sus extremos. En la gura 13.2 podemos ver a la izquierda que el salto de potencial
de A a B a traves del camino de arriba sera igual al salto a traves del camino de
abajo. Esta regla o ley de Kirchho para los voltajes, se enuncia tambien como:
Resistencias 165
I1 V1
I2
+

+
V5 +
V2
I4

+
+

I3
V4 V3
Figura 13.3. Leyes de Kirchho. La suma de las corrientes que entran en un nodo tiene que
ser igual a la suma de las que salen. En el caso de la izquierda I2 = I1 + I3 + I4 . A traves
de un camino cerrado, la suma de los voltajes vale cero. En el caso de la derecha tendramos
V1 + V2 + V3 + V4 + V5 = 0.
la suma de las diferencias de voltaje a traves de un circuito cerrado vale cero, ya

que si vamos de A a B por arriba y volvemos de B a A por abajo, el cambio de
potencial experimentado es nulo.
Detras de estas dos reglas subyace la hipotesis de parametros localizados de la que
hablabamos al principio. As la primera y la segunda ley pueden derivarse de forma
rigurosa a partir de las ecuaciones de la conservaci
on de la carga y de la relaci
on entre
campo y potencial. En la gura 13.3 podemos ver gr acamente representadas estas
leyes.
13.3. Resistencias
En electr
onica, lo importante es la relaci
on entre el voltaje y la corriente en un circuito.
El juego consiste en fabricar y hacer uso de dispositivos con distintas caractersticas
de corriente I frente a voltaje V .
Como vimos en el captulo 7, la ley de Ohm dice que, para determinados dis-
positivos, cuando por ellos pasa una corriente electrica I debida a una diferencia de
potencial V que se le ha aplicado, existe una relacion dada por
V = RI, (13.1)
siendo R la resistencia electrica del dispositivo. A los dispositivos electr onicos que
cumplen esta relacion lineal entre la corriente I que circula por ellos y la diferencia
de voltaje V aplicado a sus terminales, se les suele llamar resistencias (en ingles, se
distingue con nombres distintos el dispositivo, resistor, y la propiedad fsica, resistan-
ce, pero no en espanol - esperemos que, por el contexto, en lo que sigue quede claro).
La ley de Ohm no se aplica a todos los dispositivos. Hay dispositivos, tales como
condensadores, inductores, etc, que cumplen otras relaciones como veremos despues.
Normalmente los fabricantes hacen resistencias de determinados valores y garantizan
la exactitud de estos valores dentro de cierto rango llamado de tolerancia. Si un fabri-
cante asegura que una resistencia tiene de valor nominal R y una tolerancia del 5 %,
signica que el valor de la resistencia, en las condiciones de trabajo habituales, es el
que dice salvo un error de 0,05 R en la unidades en las que R este dada.
V
I
Figura 13.4. Ley de Ohm
Resulta a veces u til recurrir a la analoga de la corriente electrica como una

corriente de agua (se trata, despues de todo, de un uido de electrones). En la gu-
ra 13.4, podemos ver de manera gr aca la ley de Ohm. La fuente de voltaje propor-
ciona el desnivel necesario (potencial) para que el agua (la corriente) uya a traves
de la tubera (resistencia).
Al atravesar la corriente electrica una resistencia, se disipa energa en forma de
calor. La potencia disipada viene dada por la expresi on
P = IV. (13.2)
Para el caso de una resistencia, usando la ley de Ohm, las siguientes formas son
equivalentes:
V2
P = I 2R = . (13.3)
R
Obviamente, el dispositivo que proporciona la energa que disipa una resistencia en
un circuito es la fuente de voltaje. La potencia que suministra una fuente de voltaje
a un circuito viene dada tambien por la ecuaci on (13.2), siendo I la corriente que
atraviesa la fuente y V la diferencia de potencial entre sus terminales.
13.4. Resistencias en serie y en paralelo

Vamos a ver un par de aplicaciones de las leyes de Kirchho y la de Ohm para cal-
cular asociaciones de resistencias de manera que varias de ellas se puedan sustituir
por otra equivalente o viceversa. La industria fabrica resistencias con unos determina-
dos valores y, normalmente, en las aplicaciones se necesitan otros. Para resolver este
problema, una buena opci on es obtener el valor deseado mediante combinaciones de
otras resistencias, bien en serie o bien en paralelo.
Veamos primero la asociaci on en serie de dos resistencias, que se conectan como
se ve en la gura 13.5. En este caso, el conjunto de las dos resistencias se comporta
en un circuito como si hubiera una sola resistencia equivalente cuyo valor es igual a
la suma de las resistencias individuales,
RT = R1 + R2 . (13.4)
La expresion (13.4) se puede entender de manera intuitiva: si vamos por un camino

que ofrece cierta resistencia en una parte y otra resistencia en el resto, la dicultad
Divisor de voltaje 167
R1
R1 R2
R2
Figura 13.5. Asociaci

on en serie Figura 13.6. Asociaci
on en paralelo
de recorrer el camino total sera la suma de la dicultad de cada parte. Para probar la
relaci
on (13.4), podemos hacer uso de las leyes de Kirchho. Si cerramos el circuito de
la gura 13.5 conectando sus terminales a los de una fuente de voltaje VT , podemos
aplicar al punto de uni on de las dos resistencias la primera ley. Encontramos entonces
que I1 = I2 = IT , siendo I1 e I2 las corrientes que circulan por cada resistencia e
IT la intensidad que circula por la fuente. Por otro lado, VT = V1 + V2 aplicando la
segunda ley, donde V1 y V2 son las cadas de voltaje en cada resistencia. Hecho esto,
y utilizando la ley de Ohm, encontramos el resultado (13.4).
En el caso de una asociaci on en paralelo de dos resistencias, estas se conectan de
la manera que se ve en la gura 13.6. Una forma intuitiva de obtener el valor de la
resistencia equivalente se basa en el concepto de conductancia, que es la inversa de la
resistencia, es decir, la facilidad de ir de un punto a otro. Si tenemos dos puntos unidos
por varios caminos, la conductancia total dependera de la suma de las conductancias
de cada camino. Si escribimos esto en funcion de la resistencia, resulta
1 1 1
= + . (13.5)
RT R1 R2
Para demostrarlo, podemos recurrir de nuevo a las reglas de Kirchho. Si conectamos
los terminales del circuito de la gura 13.6 a los de una fuente de voltaje VT , escogemos
uno de los puntos de uni on de las dos resistencias, resulta IT = I1 + I2 . La segunda
ley de Kirchho implica VT = V1 = V2 . Usando ahora estas dos relaciones junto con
la ley de Ohm obtenemos el resultado (13.5).
Es muy com un, al empezar a estudiar teora de circuitos, que se tienda a calcular
todo mediante las formulas aprendidas. Pero aparte de que las f ormulas son a veces
difciles de recordar, los valores de las resistencias que uno tiene en el laboratorio
no son exactos y tienen un porcentaje de tolerancia o error. Es por ello convenien-
te desarrollar en las aplicaciones pr acticas algo de intuicion. Por ejemplo, si en un
montaje en serie una de las resistencias es mucho mayor que la otra, la mayor es la
que va a dominar principalmente el comportamiento de la asociaci on, y es importante
comprender esto sin necesidad de hacer ninguna cuenta. Por el contrario, en el caso
de una asociacion en paralelo es la menor la que domina.
13.5. Divisor de voltaje

Consideremos el circuito divisor de voltaje. Podemos ver el montaje de este circuito
en la gura 13.7, en donde Vin es un voltaje de entrada conocido que puede haber
sido proporcionado por una batera u otra fuente de voltaje. En la gura, Vin se toma
con respecto al llamado valor de tierra Vtierra , de manera que se puede considerar que
R1
Vin
R2 Vout
Figura 13.7. Divisor de voltaje
el terminal negativo de la fuente tiene potencial Vtierra y el terminal positivo tiene

potencial Vin + Vtierra .
Encontremos cu al sera el voltaje de salida Vout en funcion del voltaje de entrada
Vin y las resistencias R1 y R2 . De nuevo, Vout se toma con respecto al valor de tierra
Vtierra .
Una primera forma de calcular el voltaje de salida pasa por calcular primero la
intensidad I a traves de las resistencias en serie. Una vez hecho esto, Vout = IR2
(para entender esta u ltima expresion conviene observar en la gura 13.7 que Vout es
igual a la diferencia de potencial V2 entre los terminales de la resistencia R2 ).
Una segunda manera, m as intuitiva, de calcular Vout se basa en utilizar implcita-
mente el hecho de que la corriente electrica es la misma a traves de las dos resistencias,
por lo cual se cumple que

V2 IR2 R2
= Vout = Vin (13.6)
V1 + V2 IR1 + IR2 R1 + R2
donde se ha usado que Vin = V1 + V2 y que Vout = V2 .

Una tercera manera de obtener la expresi on (13.6) es notar que, como las corrien-
tes por las resistencias son iguales, las cadas de voltaje son proporcionales a las pro-
pias resistencias. Por ejemplo, si R2 es la mitad de la resistencia total, el voltaje
de salida sera la mitad del voltaje total. Si R2 es 10 veces mayor que R1 , la salida
ser
a aproximadamente el 90 % del voltaje de entrada.
Este circuito tiene muchas aplicaciones. Si por ejemplo se dispone de una fuente
de 12 V, y se desea alimentar un dispositivo que funciona a 5 V, normalmente se
emplea un divisor para reducir el voltaje.
13.6. El puente de Wheatstone

El puente de Wheatstone es un circuito electrico que permite comparar resistencias
de una manera muy exacta. En la gura 13.8 podemos ver que el circuito es realmente
simple. Consiste de cuatro resistencias, conectadas en dos ramas paralelas, cada una
de las cuales contiene dos resistencias en serie. Resolvamos primero el problema de
encontrar la diferencia de potencial entre los puntos A y B. Existen varias formas, pero
una rapida y elegante es la siguiente: cada rama se considera un divisor de voltaje,
Multmetros 169
V0
R1 R2
VA VB
R4 R3
Figura 13.8. Puente de Wheatstone
por lo cual podemos escribir

R4 R3
VA = V0 , VB = V0 , (13.7)
R1 + R4 R2 + R3
de manera que
R4 R2 R1 R3
VA VB = V0 . (13.8)
(R1 + R4 )(R2 + R3 )
El puente se dice que esta balanceado o equilibrado cuando esta diferencia de potencial
se anula, es decir, cuando se cumple
R4 R2 = R1 R3 . (13.9)
Una aplicacion tpica de este circuito consiste en la determinacion de resistencias. Si

se tiene una resistencia desconocida, y tres conocidas, lo u nico que hay que que medir
es la diferencia de potencial entre los puntos A y B (ver Ejercicios).
13.7. Multmetros
Hay numerosos instrumentos que permiten medir voltajes y corrientes en un circuito.
El osciloscopio permite ver voltajes en funci on del tiempo en varios puntos de un
circuito. Las sondas logicas y los analizadores permiten trazar se nales en circuitos
digitales. Los multmetros permiten medir voltajes, corrientes y resistencias con buena
precision, sin embargo debido a que su respuesta es lenta no pueden reemplazar al
osciloscopio cuando se trata de senales que varan en el tiempo de manera r apida.
Existen dos tipos: el anal
ogico y el digital. El funcionamiento de un multmetro
depende del tipo, pues el analogico capta corriente, mientras que el digital capta vol-
taje. En la gura 13.9 se puede ver un dibujo esquem atico de un voltmetro analogico,
tambien llamado VOM (voltmetro, ohmnmetro y miliampermetro). Un multmetro
analogico consta de una aguja jada a un eje giratorio. Cuando circula corriente por
los terminales de una bobina enrollada al eje, se induce en ella un campo magneti-
co que tiende a alinearse con el del im an externo. El giro que provoca en el eje el
momento de torsion as generado es proporcional, como vimos en el captulo 8, a la
corriente que circula por la bobina.
N S
Figura 13.9. Esquema de un multmetro anal

ogico.
Por otro lado, los voltmetros digitales se basan en dispositivos semiconductores

tales como amplicadores operacionales. Un voltmetro digital esta compuesto por un
circuito sensible a la diferencia de potencial y otro circuito de lectura. Se caracteriza
por presentar una impedancia de entrada muy grande.
Un VOM puede medir corrientes m aximas de 50 A cuando la aguja ha alcanzado
el tope en la escala, requiriendose para ello una diferencia de voltaje tpica de 0,25 V.
Para medir corrientes mayores se usa una resistencia en paralelo (llamada shunt en
ingles), de manera que la cada de voltaje sea la anterior. Idealmente debera tener una
resistencia interna nula, ya que el ampermetro ha de colocarse en serie en el circuito
cuya corriente se quiere medir. Los multmetros suelen tener adem as una batera que
suministra una peque na corriente para medir resistencias.
13.8. Ejercicios
1. Con una fuente de voltaje, de valor V0 , se ha de alimentar un circuito formado
por 10 resistencias iguales, de valor R. Determinar si se han de conectar las
resistencias en serie o en paralelo para que la potencia consumida por el circuito
sea lo mayor posible.
Solucion: La potencia es en cada caso Pserie = V02 /(10 R) y Pparalelo = (10 V02 )/R.
Se conectaran en paralelo, como ocurre con los electrodomesticos en los hogares.
2. Supongamos que en un circuito divisor de voltaje con dos resistencias de valores
R1 = 5 k y R2 = 15 k, el voltaje de entrada es Vin = 20 V. Calcular la corriente
en el circuito y el voltaje de salida Vout tomado en R2 .
Solucion: I = 1 mA, Vout = 15 V.
3. En un puente de Wheatstone como el de la gura 13.8, calcular el valor de una de
sus resistencias, por ejemplo, R1 , en funci
on de las otras tres y de las diferencias
de potencial V0 y VAB = VA VB .
Solucion: R1 = R4 [V0 R2 VAB (R2 + R3 )]/[V0 R3 + VAB (R2 + R3 )].
4. Un ampermetro analogico de 50 A posee una resistencia interna de 5 k. Que re-
sistencia en paralelo con el ampermetro sera necesaria para poder medir corrien-
tes de 01 A? Se tienen resistencias con tolerancias del 5 %.
Solucion: Rshunt = 250 m.
5. Que resistencia en serie es necesaria para convertir el ampermetro del ejercicio
anterior en un multmetro capaz de medir voltajes de 010 V? Las resistencias
ahora tienen tolerancias del 1 %.
Solucion: R = 195 k.
Ejercicios 171
6. Se quiere calcular el valor de una resistencia midiendo de manera simult anea la

corriente que circula por ella y el voltaje. Para ello se dispone de una fuente
de voltaje de 20 V, un ampermetro de 50 A con 5 k de resistencia interna, y
un voltmetro digital con 20 M de impedancia de entrada. Dibujar los circuitos
capaces de hacer esas medidas simultaneas.
Solucion: Se colocan en serie la fuente, el ampermetro y la resistencia. Las posi-
ciones de estos elementos no importan mucho. El voltmetro se puede colocar en
paralelo con la fuente o con la resistencia.
7. Empleando los circuitos del ejercicio anterior, se quieren medir resistencias de
20 k, 200 y 2 M.Que error se comete en cada caso al calcular R midiendo
el voltaje y la intensidad?
Solucion: Cuando se conecta el voltmetro en paralelo con la fuente, el error
comun para las tres resistencias viene de la lectura del voltaje y resulta ser
1,25 %. En el caso de conectar el voltmetro en paralelo con la resistencia, el
error aparece en la intensidad: 1 % para 20 k, 0,001 % para 200 y 10 % para
2 M.
Captulo 14
Circuitos equivalentes
14.1. Equivalente Th
evenin
En el captulo anterior vimos que un conjunto de resistencias podan sustituirse por
una resistencia total asoci andolas en serie o en paralelo. Esto puede generalizarse a
partes del circuito en donde, adem as, intervienen fuentes de voltaje y de corriente. As,
se puede sustituir una parte del circuito por otra equivalente a la hora de analizarlo.
En este captulo veremos dos posibles maneras de hacer esto y lo aplicaremos al
problema de medir la diferencia de potencial con un multmetro y a la claricaci on
de los conceptos de impedancia de entrada y de salida.
Imaginemos que tenemos un circuito divisor de voltaje y lo conectamos a una
resistencia que llamaremos resistencia de carga Rload . La situaci on se muestra en
la gura 14.1. Supongamos que el voltaje de entrada es Vin = 30 V y que las tres
resistencias R1 , R2 y Rload tienen 10 k. Si queremos hallar cu al es el voltaje de salida
Vout tenemos varias opciones. La primera de ellas consiste en sustituir las resistencias
R2 y Rload por una resistencia equivalente y as obtener un nuevo divisor de voltaje.
Gracamente esto esta representado en la gura 14.2.
Este metodo tiene el inconveniente de que, cada vez que se cambia la resistencia
de carga del divisor de voltaje Rload , tenemos que rehacer los calculos. Hay una manera
mucho mas u til de tratar estos circuitos, gracias al llamado teorema de Thevenin, que
dice:
Vin
R1
Vout
R2 Rload
Figura 14.1. Divisor de voltaje cargado
173
174 Circuitos equivalentes
+30V +30V
10k 10k
Vout Vout
10k 10k Rload 10k 10k
Figura 14.2. Equivalencia del divisor de voltaje con una resistencia de carga.
Cualquier par de terminales de una red de resistencias y fuentes de voltaje

es equivalente a una fuente de voltaje conectada en serie a una resistencia.
En la gura 14.3 est a enunciado este teorema de forma gr aca. Entre los terminales
A y B, toda la red de resistencias y fuentes de voltaje puede sustituirse por una
fuente de voltaje de valor VT h y una resistencia de valor RT h . Este teorema resulta
sorprendente, pues cualquiera que sea el conjunto de resistencias y fuentes que tenga-
mos en un circuito, este conjunto puede sustituirse por una sola resistencia y una sola
fuente. Las ecuaciones que describen circuitos con resistencias y fuentes son lineales.
Existe un metodo para resolver sistemas lineales llamado eliminacion gaussiana que
permite reducir el numero de inc ognitas. El teorema de Thevenin puede demostrarse
empleando este metodo.
El voltaje de Thevenin VT h es el que resulta cuando el circuito original se deja en
abierto, es decir, cuando no se conecta ninguna carga entre los terminales de salida
A y B del circuito,
VT h = Vabierto . (14.1)
En la gura 14.3 se puede ver que, si medimos la diferencia de potencial entre los
terminales A y B cuando el circuito esta abierto, el voltaje que medimos coinci-
a necesariamente con VT h .
dir
En cuanto a la resistencia de Thevenin RT h , esta se obtiene como el cociente
entre el voltaje de Thevenin VT h y la corriente que circula entre los terminales de
salida A y B cuando los conectamos mediante un cable cortocircuit andolos,
RT h = VT h /Icortocircuito . (14.2)
B
RTh
B
+
VTh
A A
Figura 14.3. Equivalente de Thevenin.

Equivalente Thevenin 175
+30V
RTh
10k
+15V 5k
+ V
Th 10k Rload
10k 10k Rload
Figura 14.4. Equivalente Thevenin de un divisor y resistencia de carga.
Una manera alternativa de calcular RT h es igualarla con la resistencia equivalente

entre los terminales A y B cuando todas las fuentes de voltajes se sustituyen por sus
resistencias internas, o cortocircuitos si las fuentes se pueden considerar ideales.
Como ejemplo, calculemos el equivalente Thevenin del circuito divisor de la -
gura 14.1. En este caso, los terminales A y B ser an el de salida Vout y la tierra
respectivamente. Sin la resistencia de carga Rload , el voltaje de salida, entre A y B
resulta
R2
VT h = Vin . (14.3)
R1 + R2
Por otro lado, la intensidad que circulara desde A a B al unirlos vendra dada por
Icortocircuito = Vin /R1 , con lo cual,
R1 R2
RT h = . (14.4)
R1 + R2
Este resultado no es m as que la resistencia equivalente entre A y B que corresponde
a la asociacion de R1 y R2 en paralelo cuando Vin se hace igual a 0. Podramos haber
calculado RT h as, suprimiendo la fuente Vin y calculando la resistencia total.
Existe un metodo muy general para obtener la resistencia en un punto de un
circuito que es aplicar en ese punto un incremento de voltaje V , encontrar entonces
el incremento de corriente que circula por ese mismo punto I, y el cociente V /I
es la resistencia. Para obtener RT h , en el caso del divisor, se suma a Vout un peque no
voltaje V , se calcula entonces el incremento de la corriente en este punto y el cociente
resulta la asociacion en paralelo de ambas resistencias (ver Ejercicios).
Una vez tenemos el equivalente Thevenin podemos resolver el problema del cir-
cuito divisor cargado (con la resistencia de carga conectada). Mirando la gura 14.4,
el voltaje de salida viene dado por Vout = IRload , siendo I = VT h /(RT h + Rload . Por
tanto, si aplicamos el teorema de Thevenin, cada vez que cambiemos la carga lo u nico
que hay que recalcular es la asociacion en serie de la resistencia de Thevenin RT h con
la de carga Rload .
Cualquier fuente de tension no ideal gotea cuando se carga, es decir, al alimentar
un circuito con una fuente, no todo el voltaje que suministra la fuente le llega al
circuito, sino que existe una perdida, fuga o goteo. Lo que gotea una fuente depende
de su impedancia de salida, y es precisamente la cantidad RT h la que describe esta
propiedad elegantemente.
B
B
IN RN
A A
Figura 14.5. Equivalente Norton.
14.2. Equivalente Norton

Ademas del equivalente Thevenin existe otro modelo para tratar una red dada de
fuentes y resistencias. Se trata de sustituir todo por una fuente ideal de corriente con
una resistencia en paralelo como puede verse en la gura 14.5. Una fuente de corriente
ideal es un dispositivo que mantiene una corriente constante independientemente de
lo que se conecte a ella. Hay dispositivos que se comportan como fuentes de corriente,
como los transistores. En realidad no existe el comportamiento completamente ideal,
de modo que se suele describir el comportamiento real asociando una resistencia in-
terna a la fuente, ya sea de corriente o de voltaje. El smbolo que emplearemos para
la fuente de corriente es el que podemos ver en la parte derecha de la gura 14.5.
Veamos la relacion entre el equivalente Thevenin y el de Norton sobre la gu-
ra 14.5. Habamos dicho que VT h era el voltaje de salida sin carga, es decir, cuando
el circuito estaba abierto. Se tiene entonces que cumplir la relaci
on
IN = VT h /RN . (14.5)
Por otro lado, si cortocircuitamos la salida, el modelo de Thevenin daba
Icortocircuito = VT h /RT h . (14.6)
Como Icortocircuito es igual a IN , de estas dos u

ltimas expresiones resulta
RN = RT h , (14.7)
con lo cual tenemos el siguiente teorema (de Norton):

En cuanto a lo que concierne a cualquier carga conectada a su salida, un
circuito lineal compuesto de resistencias, fuentes de voltaje y fuentes de
intensidad, es equivalente a una fuente ideal de intensidad IN conectada
en paralelo con una resistencia RN . El valor de la corriente es igual a la
corriente del circuito lineal cortocircuitado. El valor de la resistencia es igual
a la resistencia que se medira a la salida si la carga se quitase y las fuentes
se reemplazasen por sus resistencias internas (si son fuentes ideales, por
cortocircuitos).
Veamos la utilidad del equivalente Norton en un ejemplo concreto. En la gura 14.6
podemos ver un circuito del que conocemos su equivalente Norton al que hemos conec-
tado una resistencia de carga. Con el equivalente Norton es f
acil calcular la corriente
El efecto de la carga 177
IN RN Rload
Figura 14.6. Equivalente Norton con resistencia de carga.
que circula por la carga. Lo que se obtiene es un divisor de corriente, en el cual,

RN
Iload = IN . (14.8)
RN + Rload
A diferencia del divisor de voltaje, la resistencia de carga s
olo aparece en el denomi-
nador.
14.3. El efecto de la carga

Imaginemos que tenemos una fuente de voltaje de 20 V y necesitamos alimentar un
circuito con 10 V. Como ya sabemos, mediante un divisor de voltaje formado por dos
resistencias iguales, se puede reducir el voltaje inicial a la mitad, como se ve en la
gura 14.7. Diferentes valores de R dan lugar a divisores de tensi on con el mismo
valor de VT h pero distinto valor de RT h .
Vamos a suponer que tenemos varias resistencias R con una tolerancia del 1 %,
esto es, el fabricante asegura que la resistencia, en las condiciones de trabajo ha-
bituales, tiene un error de 0,01 en las unidades en que este dado su valor. Para
diferentes valores de R, un multmetro ideal (un aparato que da valores de voltaje
con precisi
on innita) dara en todos los casos 10 V para el valor de salida del circuito
de la gura 14.7. Sin embargo, no existen multmetros ideales y los reales poseen una
resistencia interna Rin como la dibujada en la gura 14.7.
Midamos con un multmetro anal ogico los valores del voltaje de salida del circuito
de la gura 14.7. Para valores de R iguales a 1 k, 10 k y 100 k, obtenemos los
resultados recogidos en la tabla 14.1. Cuando R = 1 k, la lectura del multmetro
es de de 9,95 V, que al ser comparados con los 10 V ideales, estan dentro del error
debido a la tolerancia de las resistencias. Si R = 10 k, se miden 9,76 V, con lo cual
se empieza a observar el efecto de la resistencia interna del aparato de medida. En la
20V
R Rin
Figura 14.7. Un divisor que reduce el voltaje a la mitad. Para diferentes valores de R
tenemos circuitos con el mismo VT h pero distinta RT h .
+20V
100k RTh
+10V 50k
100k +
VTh Rin
Figura 14.8. La lectura del multmetro es de 8 V (diere de la ideal que son 10 V). Rin
puede ser estimada a partir del equivalente de Thevenin del divisor.
ultima medicion, con R = 100 k, este efecto es muy importante y el multmetro da

8,05 V.
Veamos si podemos, con estos datos, calcular la resistencia interna del multme-
tro. Para simplicar los c
alculos podemos suponer que la lectura que hemos obtenido
en el caso R = 100 k es de 8 V. Tenemos un divisor de voltaje con resistencias igua-
les. Su resistencia de Thevenin RT h es la asociacion de dos resistencias de 100 k
en paralelo, es decir, RT h = 50 k, como podemos ver en la gura 14.8. Como la
lectura del multmetro es de 8 V en lugar de los 10 V ideales, resulta que la cada
de tension en RT h ha de ser de 2 V. Las cadas de tension han de ser proporcionales
a los valores de las resistencias, de modo que la resistencia interna del multmetro
a Rin = 50 k 8/2 = 200 k.
ser
En alguna parte del multmetro se encuentra una anotaci on que dice 20000 /V.
Esta especicacion signica que, si se usa el multmetro en su escala de 1 V (esto
signica que la aguja llegara a su tope cuando lo conectamos a una diferencia de 1 V),
entonces la resistencia de entrada del aparato sera de 20 k. Tiene sentido entonces
la estimacion que hacamos antes? La tiene porque es facil imaginar que hay dentro
R Vout (V) Comentario

1 k 9,95 V Valor dentro de la tolerancia de R
10 k 9,76 V Aparece un peque no efecto de la carga
100 k 8,05 V Hay un efecto importante de la carga
Tabla 14.1. Medidas con un multmetro anal

ogico.
R Vout (V) Comentario

100 k 9,92 V Valor dentro de la tolerancia de R
1 M 9,55 V Aparece un peque no efecto de la carga
10 M 6,69 V Hay un efecto importante de la carga
Tabla 14.2. Medidas con un multmetro digital.

El efecto de la carga 179
out A
Zout, A
in out in out in B
A B
Zin, B
Figura 14.9. El circuito A alimenta o excita al circuito B.
de un multmetro para permitir cambiar de escala: un conjunto de resistencias que se

conectan en serie. Por tanto, en la escala de 10 V, que es la que hemos usado para
nuestras medidas, la resistencia interna ha de ser de 200 k que es la que habamos
calculado.
En la tabla 14.2 est
a resumido el experimento para un multmetro digital. En
ltimo caso, RT h = 5 M. La cada de voltaje en la resistencia del multmetro es
el u
aproximadamente de 2/3 del total, por lo que una estimacion simple da una resistencia
interna Rin = 10 M. Efectivamente, al mirar las especicaciones tecnicas del aparato
que hemos utilizado, encontramos que Rin 10 M para todas las escalas. Por lo
visto, un multmetro digital suele ser mucho mejor que uno analogico, al menos en lo
que respecta a su resistencia interna.
Impedancias de entrada y de salida

En la mayora de las aplicaciones, la salida de un circuito se usa para alimentar o
excitar otro circuito. Por ejemplo, hemos visto que la salida de un divisor de tensi on
excitaba al multmetro que meda el voltaje. Esto nos lleva a un problema que se
presenta una y otra vez. Cuando se acopla un circuito de carga a un circuito fuente,
la carga puede cambiar el comportamiento de este u ltimo (en el caso considerado
antes, hemos visto que la resistencia del multmetro afectaba al divisor de tensi on).
Para predecir y controlar este problema necesitamos conocer primero la resisten-
cia interna o de entrada en el multmetro Rin y, por otro lado, tambien la resistencia de
salida del circuito fuente Rout (que, como veamos, puede calcularse a traves del equi-
valente Thevenin). Para circuitos que dependen del tiempo, cuando est an presentes
componentes tales como condensadores, bobinas, etc, estos conceptos se generalizan a
los de impedancia de entrada Zin e impedancia de salida Zout . Por tanto, un circuito
presenta una impedancia de entrada si act ua para otro circuito como carga, y una
impedancia de salida si, a su vez, excita a otro que hace de carga. Conocer estas
impedancias resulta de gran utilidad a la hora de dise nar circuitos.
En la gura 14.9 puede verse que el circuito A excita al circuito B. No queremos
que el circuito B cambie las caractersticas o afecte al funcionamiento del circuito
A. Entonces, lo que buscamos a la hora de dise nar el circuito B es que B cargue al
circuito A lo sucientemente poco para causar la mnima atenuaci on de la senal. Este
problema se reduce al dise no de un divisor de voltaje. Si tratamos las impedancias
como resistencias, se puede ver que, si la relacion entre las impedancias de salida y
de entrada es de 1:10, el divisor entrega a la salida 10/11 de la se
nal de entrada (la
atenuaci
on que sufre es menor que el 10 % y, para la mayora de las aplicaciones, es
suciente). As, una buena regla para tener presente a la hora de dise
nar es
Zin de B
Zout de A . (14.9)
10
Esta regla permite disenar fragmentos de circuitos de manera independiente, ya que
no se tiene que considerar A y B como un todo, sino por separado, y s olo tener la
receta (14.9) en la cabeza a la hora de acoplarlos.
+20 V
+20 V +V
1k
10 k 0,2 mA
Vout
Vout 10 k
Vout
10 k
20 k
10 k 1k
-10 V
Figura 14.10. Figura 14.12.

Figura 14.11.
14.4. Ejercicios
1. Consideremos el circuito de la gura 14.2, en donde Vin = 30 V y las tres resis-
tencias R1 , R2 y Rload valen 10 k. Usando, por un lado, las reglas de asociaci on
de resistencias y, por otro, el concepto de equivalente Thevenin, demostrar que
el voltaje de salida del circuito es Vout = 10 V.
Soluci on: Si se asocian R2 y Rload en paralelo, resulta un divisor de voltaje de
10 k y 5 k. Por otro lado, el equivalente de Thevenin resulta VT h = 15 V y
RT h = 5 k, con lo que Vout = VT h Rload /(Rload + RT h ).
2. Tenemos un divisor de voltaje de 20 V con R1 y R2 iguales y de valor 10 k.
Aplicamos un aumento de 1 V a la salida (conectando la salida por ejemplo a
una fuente que proporcione 11 V). Calcular el aumento de corriente I que se
produce en la salida y obtener la resistencia equivalente de Thevenin.
Soluci on: Se tiene que I1 = (Vin Vout )/R1 y que I2 = Vout /R2 . Por lo tanto,
al incrementar Vout , resulta I = I2 I1 = V (1/R1 + 1/R2 ) = 0,2 mA y
RT h = 5 k.
3. Para el circuito de la gura 14.6, obtener la ecuaci
on (14.8) del divisor de corrien-
te.
4. Para el multmetro digital de la tabla 14.2, demostrar que su resistencia interna
es Rin = 10 M.
5. El teorema de m axima transferencia de potencia establece que, en un circuito
electrico de corriente continua, la maxima transferencia de potencia a la carga
Ejercicios 181
ocurre cuando la resistencia de la carga es igual a la resistencia equivalente de

Thevenin. Demostrarlo.
6. Calcular el equivalente de Thevenin para el circuito mostrado en la gura 14.10.
on: RT h = 5 k, VT h = 5 V.
Soluci
7. Obtener el equivalente de Thevenin para el circuito mostrado en la gura 14.11.
Dar la respuesta con un 10 % y un 1 % de precision.
on: VT h = 1,5; 1,53 V y RT h = 0,8; 0,84 k.
Soluci
8. Calcular el equivalente de Thevenin para el circuito mostrado en la gura 14.12.
on: VT h = 4 V, y RT h = 20 k.
Soluci
Captulo 15
Circuitos que dependen del tiempo
15.1. Condensadores
En los circuitos que hemos considerado hasta ahora, los voltajes e intensidades perma-
necan constantes en el tiempo. Sin embargo, es posible que los voltajes e intensidades
sean variables en el tiempo. Aparecen en este caso dos nuevos elementos que a tener
en cuenta: condensadores e inductores o bobinas. En el caso de circuitos con voltajes
y corrientes constantes estos dos elementos no juegan papel alguno, ya que el conden-
sador se comporta como un interruptor abierto y el inductor como uno cerrado. Sin
embargo, en circuitos variables en el tiempo ambos elementos presentan propiedades
que dependen del modo en que los voltajes y las corrientes varan. Estos componentes,
combinados con resistencias, completan el tro de elementos lineales pasivos que for-
man la base de pr acticamente todos los circuitos. En este captulo trataremos algunos
circuitos en donde intervienen condensadores e inductores o bobinas. Comencemos
analizando los primeros.
Los condensadores permiten construir circuitos que recuerdan su historia reciente,
esto es, circuitos con memoria. Esta habilidad permite hacer circuitos temporizadores
(circuitos que permiten que algo suceda despues de que otra cosa haya ocurrido),
de entre los cuales los mas importantes son los osciladores. Esta propiedad tambien
permite construir circuitos que responden principalmente a cambios (diferenciador) o
a promedios (integradores) y, los m as importantes, circuitos que favorecen un rango
de senales de frecuencias determinadas sobre otras (ltros).
Los condensadores se representan, en los diagramas de circuitos, mediante el
smbolo que podemos ver en la gura 15.1. Este smbolo recuerda al de un condensador
plano, aunque en realidad hay gran variedad de formas y tama nos. Para conocer como
se comporta un condensador, basta aplicar la regla
Q = CV, (15.1)
donde Q es la carga acumulada en la placa positiva del condensador, C es la capacidad

del condensador, y V es la diferencia de potencial entre sus placas. Veamos que la
capacidad era una medida de lo grande que es un condensador, esto es, cu anta carga
era capaz de almacenar cuando se conecta a una diferencia de potencial V . Para
el estudio de los condensadores en circuitos, se requiere, sin embargo, una relacion
entre voltaje y corriente. Esto lo conseguimos tomando la derivada con respecto del
183
184 Circuitos que dependen del tiempo
V Q
Figura 15.1. Smbolo para condensador. Figura 15.2. Analoga con un recipiente que
contiene agua.
tiempo de la expresion (15.1) teniendo en cuenta que la capacidad es una constante.

Se obtiene entonces
dV
I=C . (15.2)
dt
Esta relacion expresa que mientras mayor sea la corriente, mas r apido cambia el vol-
taje. La analoga con un uido resulta u til para entender esto mejor. En la gura 15.2,
un recipiente (un condensador de capacidad C) tiene agua (carga Q) hasta una cierta
altura (voltaje V ). Si se llena o vaca el recipiente mediante una manguera, el nivel del
agua cambiar a (subir
a o bajar a) mas rapida o lentamente dependiendo de lo grande
que sea el caudal de la manguera (intensidad I). Es importante notar que, en la ecua-
cion (15.2), la corriente es la que se dirige desde la placa negativa del condensador a

la placa positiva. Este es el sentido positivo estandar. Si la corriente fuera en sentido
inverso, llevara un signo menos en la expresion (15.2).
15.2. Condensadores en serie y en paralelo
La capacidad total de varios condensadores asociados en paralelo es igual a la suma

de las capacidades individuales de cada condensador. En la gura 15.3 podemos ver
dos condensadores asociados en paralelo. Es facil ver cu
al es la capacidad total de la
asociacion. Si conectamos el circuito a una diferencia de potencial V , entonces ten-
dremos que QT = Q1 + Q2 , donde QT es la carga total almacenada por la asociaci on.
Empleando ahora la denici on de capacidad, se llega a
CT = C1 + C2 . (15.3)
Para condensadores asociados en serie, como muestra la gura 15.4, la formula es
1 1 1
= + . (15.4)
CT C1 C2
En este caso la carga en cada condensador es la misma. Se deja para los ejercicios
demostrar estas expresiones. Como vemos, la asociacion en paralelo de las capacidades
es como la asociacion en serie de resistencias, y la asociaci
on en serie de las capacidades
es como la asociacion en paralelo de las resistencias.
Carga de un condensador mediante una fuente de corriente 185
C1
C1 C2
C2
Figura 15.3. Asociaci

on en paralelo. Figura 15.4. Asociaci
on en serie.
15.3. Carga de un condensador mediante una fuente de co-

rriente
Empezaremos viendo como se comportan los condensadores en el caso sencillo mos-
trado en la gura 15.5. Tenemos un condensador conectado a una fuente de corriente
constante I (para crear una de estas fuentes de corriente ideal se necesita el empleo
de transistores). El comportamiento del voltaje en el condensador Vcap en funci on del
tiempo t es facil de comprender, ya que al ser I constante, la derivada del voltaje
tambien lo es, por lo que el voltaje frente al tiempo es una recta, como podemos
ver en la gura 15.6. Esta se nal recibe el nombre de senal de rampa. Una aplicaci on
practica de este comportamiento es la generacion de se nales de voltaje triangulares,
como muestra la gura 15.7.
Otros casos que veremos a continuacion son el de la descarga de un condensador
a traves de una resistencia, y el de la carga de un condensador a traves de una fuente
de voltaje y una resistencia.
15.4. Descarga de un condensador a trav

es de una resistencia
Supongamos que tenemos un condensador cargado de capacidad C, de tal modo que
la diferencia de potencial inicial entre sus placas es V0 . Para descargarlo, unimos las
I1
Vcap
Vcap
I2
C
I
t
Figura 15.5. Condensador cargado por Figura 15.6. Voltaje frente al tiempo en
una fuente de corriente. el condensador. I1 > I2
descarga
carga Vcap
descarga
C
carga
Figura 15.7. Generaci

on de una se
nal triangular.
placas mediante una resistencia de valor R. El esquema de este circuito se puede ver
en la gura 15.8. Para conocer el comportamiento del voltaje del condensador V frente
al tiempo, se aplica la ecuacion (15.2) al circuito y resulta
dV
C = I. (15.5)
dt
donde el signo menos es debido a que la corriente va desde la placa positiva del
condensador a la placa negativa (el condensador se est a descargando). Esta misma
corriente es la que atraviesa la resistencia. Usando la ley de Ohm (I = VR /R, donde
VR es el voltaje en la resistencia), y teniendo en cuenta que el voltaje en el condensador
es igual al de la resistencia en este circuito, obtenemos
dV V
C = . (15.6)
dt R
Esto es una ecuacion diferencial para el voltaje del condensador: una ecuaci on en la
que al mismo tiempo aparecen V y su derivada. La soluci on de esta ecuacion, dado
que en el instante inicial el voltaje vale V0 , es
V = V0 et/RC , (15.7)
V0
Vcap
37%
R C
RC
t
Figura 15.8. Descarga de un conden- Figura 15.9. Voltaje frente al tiempo en

sador mediante una resistencia (circuito el condensador.
RC).
Circuito RC - Integrador 187
que se puede vericar sencillamente sustituyendola en la ecuacion (15.6). Esta soluci

on
se ha dibujado en la gura 15.9. El producto RC se llama constante de tiempo del
circuito y es una medida del tiempo que tarda el condensador en descargarse. De
hecho, cuando ha pasado un tiempo t = RC, el voltaje ha decado en el condensador
un 37 %. Conviene recordar este numero.
Analicemos fsicamente lo que ha ocurrido. El voltaje del condensador, que ini-
cialmente era V0 , se aproxima a cero a medida que transcurre el tiempo, pero a
una velocidad que va disminuyendo conforme se acerca a ese valor. Si, por ejemplo,
V0 = 10 V, R = 1 k y C = 1 F, entonces la intensidad inicial en el condensador es
I = V0 /R = 10 mA y, por tanto, la velocidad inicial con la que vara el voltaje en el
condensador V es de 104 V s1 . Pero, tan pronto como V comienza a disminuir,
esta velocidad comienza a decrecer, por lo que, idealmente, tendramos que esperar
un tiempo innito para descargar completamente un condensador.
15.5. Circuito RC - Integrador

Consideremos ahora al circuito mostrado en la gura 15.10. Se trata de una fuente
de voltaje, que mantiene una tension constante V0 , en serie con una resistencia y un
condensador, inicialmente descargado. La ecuaci on que describe el comportamiento
del voltaje en el condensador Vout es
dVout
C = I. (15.8)
dt
Por otro lado, en el circuito se tiene que la diferencia de potencial en la resistencia es
VR = V0 Vout , de modo que la corriente que la atraviesa es
V0 Vout
I= . (15.9)
R
Igualando estas expresiones, se obtiene
dVout V0 Vout
C = , (15.10)
dt R
V0
99%
V0 R
+
Vout
Vout 63%
C
RC 5RC
t
Figura 15.10. Condensador cargado me- Figura 15.11. Voltaje frente al tiempo a
diante una fuente de voltaje a traves de la salida. Coincide con el voltaje del con-
una resistencia en serie. densador.
que es de nuevo una ecuacion diferencial para Vout . Para resolverla, se necesita una
condici
on inicial, como es que en el instante inicial t = 0 el condensador este descar-
gado, de modo que su voltaje inicial sea Vout = 0. La soluci on resulta entonces

Vout = V0 1 et/RC , (15.11)
dibujada en la gura 15.11.

Analicemos fsicamente lo que ocurre. El voltaje del condensador se aproxima al
valor del voltaje aplicado V0 a medida que transcurre el tiempo, pero a una velocidad
que, como en el caso de la descarga, va disminuyendo conforme se acerca a ese valor.
Tan pronto como Vout comienza a aumentar, esta velocidad comienza a decrecer, por
lo que realmente nunca podramos alcanzar el voltaje nal V0 (tendramos que esperar
un tiempo innito). A efectos pr acticos, despues de transcurrido un tiempo igual a
cinco veces la constante de tiempo del circuito, esto es, 5RC, el voltaje ha alcanzado
el 99 % de su valor nal y por consiguiente Vout V0 (en el instante t = RC, el
condensador esta cargado al 63 %).
El circuito que acabamos de ver puede usarse como una aproximacion a un circui-
to integrador. Si de alguna manera somos capaces de mantener Vout V0 , entonces
podramos escribir la ecuacion (15.10) como
dVout V0 Vout V0
= . (15.12)
dt RC RC
El tiempo durante el cual es valida esta aproximaci on depende de lo grande que sea
la constante de tiempo RC. Ahora bien, mientras la expresi on (15.12) sea valida, lo
que tenemos es un circuito que, a la salida, da la integral de la se
nal de entrada, pues
la soluci
on de la ecuaci
on (15.12) es simplemente,

1
Vout (t) = V0 (t) dt + cte, (15.13)
RC
suponiendo como caso mas general que V0 depende del tiempo.

Una fuente que proporciona un voltaje elevado, en serie con una resistencia gran-
de, satisface usualmente la condicion expresada anteriormente para muchas aplica-
ciones. De hecho, es una buena aproximacion en muchos casos para una fuente de
intensidad ideal. Si recordamos el circuito de la gura 15.5, en el que se cargaba
el condensador con una fuente de corriente, podemos ver que efectivamente, lo que
tenamos a la salida era la integral del voltaje de entrada, que era en ese caso una
funcion escalon.
15.6. Circuito CR - Diferenciador

Veamos ahora el circuito mostrado en la gura 15.12. El circuito es como el anterior,
salvo que el condensador esta intercambiado con la resistencia. El voltaje entre los
terminales del condensador es V0 Vout , de modo que podemos escribir
d Vout
C (V0 Vout ) = . (15.14)
dt R
Circuito CR - Diferenciador 189
V0
V0
C
+ Vout
Vout

37%
R
RC
t
Figura 15.12. Circuito CR. Figura 15.13. Voltaje de salida.
Al conectar la fuente de voltaje V0 al condensador y la resistencia, la diferencia de

voltaje inicial en el condensador es cero, de manera que en el instante inicial t = 0,
Vout = V0 . Si resolvemos entonces la (15.14) con esta condicion inicial, resulta
Vout = V0 et/RC , (15.15)
que es el mismo tipo de curva que veamos en el proceso de descarga de un con-

densador. De nuevo el voltaje decae el 37 % del valor inicial transcurrido un tiempo
igual a RC. Sin embargo, cuando V0 vara en el tiempo, este circuito es u til como
diferenciador.
Supongamos que elegimos los valores de R y C de tal manera que son sucien-
temente peque nos para que se cumpla la condicion dVout /dt dV0 /dt. Entonces,
usando la expresion (15.14), podemos escribir
dV0 Vout
C , (15.16)
dt R
o bien,
dV0
Vout (t) = RC . (15.17)
dt
Lo que obtenemos es una salida proporcional a la velocidad de cambio de la se nal de
entrada. Como veamos antes para el caso del circuito integrador, el producto RC es
el que nos da la condici
on para que la salida pueda considerarse la derivada de la se nal
de entrada. Recordando la discusion que surgi o al hablar del equivalente Thevenin, al
elegir este producto se debe de tener en cuenta no cargar mucho la se nal de entrada
V0 tomando R demasiado peque na (R es la impedancia de salida que ve la fuente V0 ).
Cuando veamos la respuesta de estos circuitos en el dominio de la frecuencia, llegare-
mos a obtener un criterio mas adecuado para el valor caracterstico RC en funci on de
la potencia transmitida. Estos circuitos son muy u tiles para detectar cuando empieza
o acaba un pulso cuadrado, de manera que se usan mucho en electr onica digital. En
la gura 15.14 tenemos un pulso cuadrado como se nal de entrada y la salida despues
de pasar por un diferenciador.
in
V
out
V
Figura 15.14. Aplicaci

on del circuito diferenciador para detectar los cambios en una se
nal
cuadrada.
15.7. Inductores
Un inductor es esencialmente una bobina de hilo conductor enrollado alrededor de

una barra o n ucleo ferromagnetico. El n
ucleo, dada su gran permeabilidad, hace que
el ujo magnetico sea mucho mayor en el que en el aire. Una corriente que vara a
traves de la bobina induce una fuerza electromotriz en la propia bobina mediante el
fen
omeno de autoinducci on, segun veamos en el captulo 11. La ley de Faraday da
una expresion para el voltaje en la bobina
d dI dI
V =N =L , (15.18)
dI dt dt
donde N es el numero de vueltas de la bobina, el ujo magnetico y L es la autoin-

ductancia de la bobina.
Como pasaba con los condensadores, la relacion entre la corriente y el voltaje es
algo mas complicada que la simple proporcionalidad dada por la ley de Ohm. Adem as,
la potencia asociada con la corriente que circula por un inductor no se disipa en forma
de calor como sucede con el caso ohmico, sino que se almacena en forma de energa del
campo magnetico que crea la propia bobina. Tan pronto se interrumpe esta corriente
inductiva, toda esta energa es devuelta al circuito.
Al mirar con detalle la expresion (15.18), es f
acil ver que, si se conectan los ter-
minales de una bobina a una fuente de voltaje V0 , se obtiene para la corriente a traves
de la bobina un comportamiento igual al del voltaje de la gura 15.5. Los inductores
sirven como limitadores y selectores en circuitos de sintonizaci on, formando parte de
ltros. Un inductor es, de alguna manera, lo opuesto a un condensador, de modo
que la combinaci on de ambos permite seleccionar componentes de una determinada
frecuencia en una senal. Una aplicaci
on sencilla y bastante u til de los inductores es el
transformador.
El transformador 191
Figura 15.15. Smbolo de un transformador
15.8. El transformador
Un transformador es un dispositivo formado por dos inductores, llamados primario
y secundario respectivamente, enrollados en torno al mismo n ucleo ferromagnetico.
En la gura 15.15 se ve el smbolo que se utiliza para un transformador con n ucleo
laminado. La mision del n
ucleo es incrementar la autoinduccion de la bobina primaria
y guiar el ujo del campo magnetico a traves de la secundaria. Para evitar perdidas
de ujo debidas a corrientes inducidas, el n
ucleo suele estar laminado.
La fuerza electromotriz inducida en cada bobina es proporcional al n umero de
vueltas que tienen: la fem en la bobina primaria Ep es proporcional a su n umero de
vueltas Np y la fem Es en la bobina secundaria es proporcional a Ns . Dado que se
supone que no hay perdidas de ujo magnetico, se ha de satisfacer entonces que
Ep Np
= . (15.19)
Es Ns
Segun esta expresion, si Np < Ns , existe a la salida (bobina secundaria) una ganancia
de voltaje. Se dice entonces que el transformador es ascendente. Si, por otro lado,
Np < Ns , el transformador es descendente. Otro aspecto b asico de un transformador
viene de que, seg un veamos, una bobina no disipa energa. Al conservarse la energa
en un transformador (no tenemos en cuenta perdidas de ujo en el n ucleo ni resistencia
en los cables), la potencia de entrada es la misma que la de salida, de tal modo que
Ep Ip = Es Is . (15.20)
Como consecuencia, un transformador ascendente disminuye la corriente, y uno des-

cendente la aumenta.
Consideremos la situacion mostrada en la gura 15.16. En este caso, la bobina
secundaria no esta conectada a ning
un circuito y podemos ignorarla. La primaria se
comporta como un inductor, en el que el voltaje de entrada es Vin = Ep , la corriente
Iin
Np Ns
Vin p s
L
Figura 15.16. Transformador abierto.

I
Np Ns
Vin p s RL
L
Figura 15.17. Transformador cargado.
en el circuito de la bobina primaria es Iin , y se cumple la ecuaci on de inducci on

Vin = L(dIin /dt).
Supongamos ahora que conectamos una carga a la bobina secundaria, como
muestra la gura 15.17. Como consecuencia, aparece en la secundaria una corrien-
te Is = Es /RL . Aunque no hay ninguna conexi on entre las dos bobinas, la aparici on
de corriente en la bobina secundaria afecta a la corriente total I en la primaria. Para
ver esto, empleamos la conservacion de la energa en las bobinas (15.20), junto con la
ecuacion (15.19), para escribir
Ns
Ip = Is , (15.21)
Np
y, por tanto, la corriente total inducida en la primaria resulta
I = Iin + Ip Ip , (15.22)
al ser Iin despreciable normalmente.

Se puede calcular la resistencia de entrada Rin que experimenta la fuente. Est
a da-
da por
2
Vin Es N p Np Np Es
Rin = = = . (15.23)
I Ns Is Ns Ns Is
Pero Is = Es /RL , de modo que
Rin = (Np /Ns )2 RL . (15.24)
Un transformador reduce o incrementa la impedancia de entrada, con respecto a la

de salida, en un factor que depende del cuadrado de la raz
on del n
umero de vueltas.
15.9. Ejercicios
1. Demostrar las expresiones (15.3) y (15.4) para la capacidad de una asociaci on de
condensadores en paralelo y en serie.
2. Demostrar que la expresion (15.11) es una soluci on de la ecuacion (15.10) con la
on inicial de que Vout = 0 cuando t = 0.
condici
3. En un circuito RC de carga de un condensador, la fuente proporciona un voltaje
V0 = 10 V, la resistencia es R = 1 k y la capacidad del condensador es C = 1 F.
Determinar la velocidad inicial con la que vara el voltaje en el condensador y la
misma velocidad en el instante en que el voltaje del condensador es Vout = 1 V.
on: (dVout /dt)0 = 104 V s1 , (dVout /dt)1 = 9 103 V s1 .
Soluci
Ejercicios 193
4. En el circuito de la gura gura 15.18, determinar el voltaje en el condensador

en funcion del tiempo.
Solucion: VC = V0 {1 exp[(R1 + R2 )t/(CR1 R2 )]}[R2 /(R1 + R2 )].
5. Una bobina de coeciente de autoinducci on L se conecta a una fuente de voltaje
V0 constante. Calcular la corriente que recorre el circuito en funcion del tiempo.
En la practica, podra esta corriente hacerse innita manteniendo V0 constante?
Solucion: I = V0 t/L. En la pr actica habra que tener en cuenta la resistencia
interna de la fuente y de la bobina.
6. En el circuito de la gura 15.19, calcular la corriente en funcion del tiempo.
Solucion: I = V0 [1 exp(Rt/L)]/R.
7. En el circuito del ejercicio anterior, calcular el voltaje en la bobina en funcion
del tiempo.
Solucion: VL = V0 exp(Rt/L).
R1 R
V0 + R2 C V0 + L

Figura 15.19.
Figura 15.18.
Captulo 16
An
alisis en frecuencia de circuitos reactivos
16.1. Se
nales arm
onicas
En este captulo estudiaremos circuitos cuyos voltajes e intensidades dependen del
tiempo de forma peri odica. Comenzaremos describiendo matematicamente cierto tipo
de se
nales conocidas como sinusoidales, cosenoidales o armonicas (por se nales desig-
naremos indistintamente voltajes y corrientes presentes en un circuito).
Una senal arm onica es el tipo de se
nal que se obtiene del enchufe de la pared y
suelen ser bastante comunes. Existe adem as una raz
on fundamental para motivar que
nos detengamos en ellas. Seg un el teorema de Fourier, cualquier senal peri
odica, de la
forma que sea, puede descomponerse en la suma de una se nal constante en el tiempo
(o continua) y se nales armonicas. En vez de arm onica, se suele emplear la palabra
alterna, y as se habla de corriente alterna, tensi
on o voltaje alternos, etc.
Una senal arm onica de 10 V a 1 MHz es una se nal matematicamente descrita
por
V = A sen (2f t + ), (16.1)
en donde A es la amplitud de la se nal, igual a 10 V en el ejemplo que tenemos, y f es
la frecuencia, o numero de ciclos por segundo, 1 MHz en este caso. La fase depende
del instante donde tomemos el origen de tiempo t = 0. A veces se dene la frecuencia
angular = 2f dada en radianes por segundo (rad/s). Todas las se nales armonicas
se pueden escribir en la forma dada por la ecuaci on (16.1).
En la gura 16.1 hemos dibujado se nales de distinta amplitud y frecuencia. La
amplitud esta asociada con el valor m aximo que puede tomar la se nal, mientras que
la frecuencia esta asociada al n
umero de veces que oscila en un intervalo de tiempo.
A mayor frecuencia mas oscilaciones y mas arrugada pintaremos la se nal usando la
misma escala de tiempo. El inverso de la frecuencia es el periodo T = 1/f , y da el
tiempo que tarda la se nal en repetirse.
El concepto de fase es un poco mas complicado de entender. Las dos se nales
de la gura 16.1 tienen un valor igual a 0 cuando t = 0 y adem as incrementan su
valor inicialmente cuando se incrementa el tiempo, por lo que ambas vienen descritas
mediante la funci on (16.1) con distintas amplitudes y frecuencias, pero con la misma
fase = 0.
Se puede hablar de la fase de una se nal determinada por el valor que tiene la
se
nal en un determinado instante de tiempo, normalmente considerado el inicial. La
195
196 An
V
0
1/2f 1/f 3/2f 2/f
A*
V
A*
1/2f* 1/f*
t
Figura 16.1. Ondas con diferentes amplitudes A > A y frecuencias (f , f ) pero igual fase.
En este caso, = 0 y f = f /2.
gura 16.2 muestra como se puede determinar la fase de una se nal. Se han dibujado
esta vez dos senales con la misma amplitud y frecuencia pero distinta fase. La primera
se
nal parece retrasada, esto es movida hacia la derecha, respecto a la pintada con lnea
discontinua por la cantidad = /6. Esta se nal no alcanza el valor 0 hasta que no ha
transcurrido un tiempo igual a 1/(12f ). Este retraso se representa matematicamente
por un signo negativo, por lo que la se nal vendra dada por A sen (t /6). La
segunda se nal parece adelantada (movida hacia la izquierda) por una cantidad igual
a = /2, por lo que en este caso la expresion matematica sera A sen(t + /2).
Notese que la curva podra escribirse como A cos (t), o en otras palabras, el coseno
es una senal adelantada en /2 al seno, o el seno es una se nal retrasada en /2 al
coseno segun el convenio que estamos siguiendo.
No tiene mucho sentido hablar de diferencia de fases entre ondas de distinta
frecuencia, ya que esta diferencia dependera del tiempo. En el ejemplo de dos se nales
de distinta frecuencia dibujadas en la gura 16.1, si cogemos de referencia el instante
t = 0, tendran la misma fase, pero si cogieramos cualquier otro instante, entonces
tendran fases diferentes. Por tanto, cuando se habla de diferencia de fases, uno se
reere a senales de la misma frecuencia. Entonces, s que tiene sentido ya que esta
diferencia es independiente del tiempo. La diferencia de fases entre las se nales de la
gura 16.2 vale = 2/3.
Las senales armonicas ademas son soluciones de ciertas ecuaciones diferenciales
que describen muchos fen omenos que ocurren en la naturaleza incluido el compor-
tamiento de circuitos lineales. Los circuitos vistos hasta ahora son circuitos lineales.
Un circuito lineal es aquel que tiene la propiedad de que cuando se excita por va-
rias se
nales, su respuesta es la suma de las respuestas que produciran las mismas
se
nales aplicadas individualmente. Expresado m as formalmente, si O(A) es la res-
puesta de un circuito cuando act ua sobre el la se
nal A, entonces el circuito es lineal si
O(A + B) = O(A) + O(B). La respuesta de un circuito lineal, excitado por una onda
armonica, es otra onda arm onica, de la misma frecuencia, pero cuya amplitud y fase
Potencia y decibelios 197
=/6
V 0
=/2
1/2f 1/f 3/2f

t
Figura 16.2. Dos ondas, una retrasada o con fase negativa y otra adelantada o con fase
positiva. La mostrada con lnea discontinua corresponde a = 0.
pueden haber cambiado. Por ello se puede describir el comportamiento del circuito
mediante su respuesta en frecuencia o espectro: el modo en que cambia la amplitud
y la fase de una se
nal arm onica aplicada en funci
on de su frecuencia.
En electronica, las se
nales con las que uno se encuentra estan en un rango de
frecuencias de unos pocos Hz a varios MHz. Se pueden generar frecuencias menores
con circuitos bastante complejos. Tambien es posible generar frecuencias mayores, por
encima de los 2000 MHz, pero se requieren lneas de transmisi on especiales o guas
de ondas. A estas frecuencias tan altas (microondas), la descripcion de los circuitos
mediante elementos localizados deja de ser valida y hace falta considerar los campos
electromagneticos involucrados.
16.2. Potencia y decibelios

Una fuente de corriente continua de magnitud V , que mantiene una corriente I en un
circuito de resistencia R, necesita entregar al circuito una potencia constante dada
por P = V I = I 2 R = V 2 /R. Estas expresiones tambien son v alidas en circuitos en
los que la fuente mantiene un voltaje que vara en el tiempo, y as podemos hablar
de la potencia instantanea que la fuente emplea en mantener una corriente I en el
circuito.
Sin embargo, resulta util denir para se
nales periodicas una potencia promedio.
Se dene la potencia media o promedio como la potencia total en un intervalo de
tiempo igual al periodo de la senal, dividida entre el periodo, esto es

1 T
Pm = V (t)I(t)dt, (16.2)
T 0
donde T es el periodo de la se
nal.
Si tenemos una fuente que suministra un voltaje dado por V0 sen(2f t) a una
resistencia de valor R, entonces podemos calcular la potencia suministrada en un
198 An
Descripci
on dB
Umbral de percepci on 0
Crujir del viento en las hojas de los
arboles 10
Silbido 20
Conversacion normal 1m de distancia 65
Ruido dentro de un coche 80
Concierto de rock 120
Nivel de dolor 130
Tabla 16.1. Diversos sonidos percibidos por el odo humano tomando de referencia el umbral
on igual a 1,0 1012 W/m2 .
de percepci
periodo

1 T
V (t)2 V2 1 T
2 V02
Pm = dt = 0 2
sen t dt = . (16.3)
T 0 R R T 0 T 2R
Se dene el valor ecaz de una se
nal (en ingles root mean square o r.m.s) como la raz
cuadrada del valor medio del cuadrado de la se nal.

1 T
Vef = 2
V (t) dt . (16.4)
T 0

En el ejemplo anterior, el valor del voltaje efectivo de la fuente sera Vef = V0 / 2.
Para las senales sinusoidales es bastante frecuente dar la amplitud en funci on de su
valor efectivo, ya que conocido

este es inmediato calcular la potencia media. El factor
de conversion es entonces 2. A veces la amplitud real se nombra por amplitud de
pico y tambien se suele de dar la amplitud de pico a pico (pp), es decir el doble de su
valor. En Espa na la tensi
on de los hogares es de 310 V y la frecuencia de 50 Hz, por
on ecaz vale 220V.
tanto, la tensi
Para comparar la potencia relativa de dos se nales se podra decir que una resulta
tres veces mayor que la otra. Sin embargo, ya que a veces estas razones son de varios
millones, se usan logaritmos en base 10. As, se dene el decibelio (dB) como diez
veces el logaritmo en base 10 de la razon entre dos potencias que queremos comparar,

P1
1 dB = 10 log10 . (16.5)
P0
Esta denicion es una consecuencia de la manera en la que el odo humano responde
a los cambios en la potencia del sonido. Lo mnimo que una persona normal, puede
percibir es una potencia por unidad de supercie de 1,0 1012 W/m2 . Si usamos
este umbral de referencia como P0 , y lo comparamos con la potencia de diversos
fen
omenos que producen sonido, resulta muy natural emplear la escala de decibelios.
En la tabla 16.1 podemos ver algunos valores.
Podemos usar esta unidad para expresar ganancias de voltaje entre la salida y la
entrada de un circuito cuando tenemos se nales armonicas. Si tenemos un circuito con
una resistencia de entrada igual a R, y lo excitamos con un voltaje igual a Vin sen (wt),
An
alisis en frecuencia 199
filtro compensador
frecuencias audibles
20Hz 200Hz 2kHz 20kHz

f
Figura 16.3. Respuesta en frecuencias de un altavoz.
2
la potencia promedio empleada resulta Vin /(2R). Si a la salida del circuito tenemos un
voltaje igual a Vout sen (wt + ), que usamos para excitar una carga del mismo valor
2
R, entonces la potencia entregada valdr a Vout /(2R). Podemos escribir la ganancia de
voltaje en decibelios mediante la expresion

Vout
Ganancia de voltaje = 20 log10 . (16.6)
Vin
En terminos de razones de voltajes,
+3 dB son aproximadamente equivalentes a una
on de amplitudes igual a 2 1,4 veces; +6 dB son aproximadamente equivalentes
raz
a una razon de amplitudes igual a 2; +20
dB corresponden exactamente a una razon
igual a 10; 3 dB son equivalentes a 1/ 2 0,7, y 6 dB a 1/2.
16.3. An
alisis en frecuencia
Los circuitos con componentes reactivos, como se conocen colectivamente a los con-
densadores e inductores, se comportan de manera mas complicada que los circuitos
resistivos, en los que solo intervienen resistencias. Los circuitos reactivos tienen un
comportamiento que depende de la frecuencia de la se nal (por ejemplo un divisor de
voltaje tendra una raz on de divisi on que vara con la frecuencia). Ademas, los cir-
cuitos con componentes reactivos corrompen o modican las se nales, como hemos
visto con el diferenciador e integrador en el captulo 15.
Al igual que las resistencias, los elementos reactivos son lineales. Esto quiere
decir que la amplitud de la se nal de salida es proporcional a la de entrada. Por lo
tanto es particularmente u til analizar estos circuitos preguntandose c
omo el voltaje
de salida (amplitud y fase), depende del voltaje de entrada, siendo este u ltimo una
funcion armonica de frecuencia determinada. La respuesta en frecuencias es la razon
entre el voltaje de salida y de entrada en funci on de la frecuencia de entrada. Un
gr
aco de la respuesta en frecuencias da la misma informacion que el conocimiento
del comportamiento temporal del circuito, y a veces incluso es mas apropiado.
200 An
V(t)
I(t)
Figura 16.4. Condensador conectado a Figura 16.5. La corriente a traves de un

una fuente alterna. condensador tiene un desfase positivo de
/2 respecto al voltaje.
Imaginemos que tenemos un altavoz y conocemos su respuesta en frecuencias

dada por la lnea continua en la gura 16.3. En el altavoz, el voltaje se traduce en
ondas de presi on en funci
on de la frecuencia. Sera deseable que el altavoz tuviera una
respuesta plana, es decir, de amplitud constante para todo el rango de frecuencias
audibles, ya que no queremos que suene mas fuerte para un tono y menos para otro.
Esto se puede conseguir introduciendo un ltro pasivo, representado por la curva dis-
continua, con una respuesta inversa en el circuito amplicador de la radio o televisi on
a la que pertenece el altavoz.
Otra ventaja de trabajar en el dominio de las frecuencias es que se puede gene-
ralizar la ley de Ohm, cosa que en el dominio temporal no era posible, reemplazando
la palabra resistencia por impedancia. La impedancia se convierte as en la resistencia
generalizada de bobinas, condensadores y resistencias. Los circuitos con inductores y
condensadores se dice que tienen reactancia. Por tanto, en general,
Impedancia = Resistencia + Reactancia. (16.7)
A menudo se dice que un condensador a una frecuencia dada tiene cierta impedan-
cia, en lugar de cierta reactancia. Esto es porque el concepto de impedancia se usa
indistintamente para todo.
16.4. Fasores
En el circuito mostrado en la gura 16.4, que consta de un condensador conectado a
una fuente V (t) = V0 sen t, la corriente valdr
a
dV (t)
I(t) = C = CV0 cos t. (16.8)
dt
La amplitud de la corriente resulta proporcional a la frecuencia y a la capacidad
del condensador, y la fase cambia en /2 (va adelantada 90 respecto al voltaje),
seg
un podemos ver en la gura 16.5. Esto pone de maniesto lo que enunci abamos
en la seccion anterior respecto a cambios en la fase y en la amplitud. Si en vez de un
Fasores 201
condensador tuvieramos una resistencia, aplicando la ley de Ohm la amplitud de la

corriente sera V0 /R, pero la fase sera la misma que la del voltaje.
Para generalizar la ley de Ohm, obviamente un s olo numero (la amplitud) no
nos vale, ya que necesitamos tener tambien informaci on sobre la fase. Si adem
as que-
remos asociar elementos (en serie o en paralelo), en vez de trabajar con funciones
trigonometricas resulta mucho mas f acil representar voltajes y corrientes median-
te n
umeros complejos, y usar su algebra. Sin embargo, no debemos olvidar que las
corrientes y los voltajes son cantidades reales (observables y medibles) y por tanto
debemos tener reglas para volver a la descripcion real. Considerando que estamos
hablando de una onda con una sola frecuencia angular , usaremos las siguientes
reglas:
1. Asociamos a cada voltaje o intensidad un n

umero complejo denido por la am-
plitud y la fase de la se
nal,
V (t) = V0 cos (t + ) V = V0 ei . (16.9)
Los numeros complejos V e I que representan voltajes o intensidades se llaman

fasores.
2. Podemos volver a la descripcion real multiplicando el fasor por eit y tomando
seguidamente la parte real,
V (t) = (V eit ). (16.10)
Es frecuente escribir el fasor como A = A0 . En muchos libros tambien se usa j en

lugar de i para representar la unidad imaginaria.
Como ejemplo, una intensidad cuya representaci on compleja viene dada por el
fasor I = 5 /2 correspondera a la funci
on real I(t) = 5 sen t.
Los n
umeros complejos
Presentamos aqu un breve resumen de la teora de los n
umeros complejos. Un n
umero
complejo se expresa en la forma
z = a + ib. (16.11)
Las letras a y b representan numeros reales y sobre la i hablaremos en breve. Decimos
que a es la parte real de z y b la parte imaginaria, y escribiremos
a = (z), b = (z). (16.12)
Podemos sumar y restar dos n

umeros complejos z = a + bi y w = c + di de la siguiente
manera,
z + w = (a + c) + (b + d)i,
z w = (a + c) (b + d)i. (16.13)
El producto esta denido por
zw = (a + bi)(c + di) = (ac bd) + (ad + bc)i. (16.14)

202 An
y P
r

x
Figura 16.6. El plano de Argand. Cada punto P representa un n

umero complejo.
Estos resultados se pueden obtener a partir de las reglas usuales del algebra y consi-
derar la siguiente regla de oro
i i = i2 = 1. (16.15)
Debido a esta propiedad, los numero complejos proporcionan soluciones de problemas
que no pueden resolverse con n umeros reales. Por ejemplo, podemos escribir races
cuadradas de n umeros negativos.
Decimos que dos n umeros complejos son conjugados uno de otro si sus partes
reales son iguales, y sus partes imaginarias son iguales pero de signo opuesto. Si
z = a + bi, denotaremos por z = a bi a su complejo conjugado. Se puede comprobar
que
z + z = 2(z),
z z = 2i (z). (16.16)
El producto de un n
umero complejo por su conjugado resulta un n
umero real,
zz = a2 + b2 . (16.17)
Este resultado permite determinar el cociente de dos n

umeros complejos: sean u, z, y
w tres n
umeros complejos tales que
uw = z, w = 0. (16.18)
Diremos entonces que u es el cociente de z entre w y escribiremos u = z/w.Para

determinar el valor de u, multiplicamos ambos lados de la (16.18) por w . Como ww
es un n
umero real, podemos eliminarlo del lado izquierdo de la ecuaci
on multiplicando
ambos lados a su vez por 1/ww . El resultado es
z zw
u= = . (16.19)
w ww
Se dene el modulo de un n
umero complejo como la raz cuadrada positiva de la suma
de los cuadrados de su parte real y su parte imaginaria. Si el n
umero es z = x + yi,
podemos expresar su modulo como

|z| = x2 + y 2 = zz . (16.20)
La expresion de un numero complejo como pareja (x, y), siendo x la parte real e y la
imaginaria, sugiere la notaci
on de las coordenadas de un punto en el plano xy o plano
Ley de Ohm generalizada 203
cartesiano. En la gura 16.6 podemos ver que la distancia al origen r representara el

modulo del n umero complejo z. A cada n umero complejo se le puede asociar un vector
de posicion, y este vector puede representarse mediante sus coordenadas polares (r, ),
con lo cual podemos escribir el n umero complejo como
z = x + yi = r cos + i r sen = r(cos + i sen ). (16.21)
Esta es la forma polar de un n

umero complejo. El angulo se llama argumento de z
(arg z) y se puede calcular como
y
= arctan = 0 + 2k, k = 0, 1, 2, ... (16.22)
x
siendo 0 un valor particular. Nosotros llamaremos valor principal del arg z al valor
de que satisface
< . (16.23)
Para tratar con fasores, necesitamos denir la funci
on exponencial compleja. La fun-
cion exponencial compleja ez ha de reducirse a la funci
on real ex si z toma valores
reales. Se dene entonces
ez = ex+iy = ex (cos y + i sen y). (16.24)
Podemos comprobar que si (z) = 0, tenemos la funcion exponencial real. Por otro
lado, para un n
umero imaginario puro z = iy, resulta la identidad de Euler
eiy = cos y + i sen y. (16.25)
A partir de esta u
ltima expresion, y empleando la ecuaci
on (16.21), podemos repre-
sentar cualquier n
umero complejo z como
z = |z| ei , (16.26)
siendo |z| su modulo y su argumento.
16.5. Ley de Ohm generalizada

El uso de fasores permite generalizar la ley de Ohm a circuitos que contienen conden-
sadores e inductores. Para ello primero deniremos la reactancia de un condensador.
Supongamos una fuente de voltaje alterna conectada en serie a una resistencia como
mostraba la gura 16.4. Imaginemos que elegimos el instante inicial de manera que el
voltaje de la fuente venga dado por V (t) = V0 cos t. Podemos representar la fuente
alterna mediante el fasor V = V0 y escribir
V (t) = (V0 eit ). (16.27)
La corriente que circula por el circuito viene dada entonces por
dV (t)
I(t) = C = V0 C sen t, (16.28)
dt
204 An
y esta u
ltima expresion puede escribirse como

V0 eit V0 eit
I(t) = = , (16.29)
1/iC XC
deniendose para un condensador la reactancia a frecuencia como
XC = 1/iC. (16.30)
Por ejemplo, un condensador de 1F a la frecuencia de 60Hz tendra una reactancia
de 2653i , y a 1MHz de 0,16i . Si la fuente de voltaje es continua, esto es = 0,
la reactancia es innita. Esto expresa el hecho de que un condensador no deja pasar
corriente continua en el estado estacionario.
Si hacemos un an alisis similar para un inductor, sustituyendo el condensador por
una bobina, encontramos que podemos denir la reactancia como
XL = iL. (16.31)
Podemos ver que en circuitos con condensadores e inductores, las corrientes y los
voltajes se desfasan 90 al atravesar esos elementos.
Cuando describimos, en terminos de fasores, circuitos que contienen condensado-
res y bobinas, podemos asociar a esos elementos n umeros imaginarios puros llamados
reactancias. Si existen ademas resistencias, asociamos a estas n umeros reales. Para
describir la relaci
on corrientevoltaje, expresada de manera fasorial, entre dos puntos
de un circuito, podemos escribir un n umero complejo cuya parte imaginaria resulte
de la contribucion de las reactancias y la real de la contribuci on de las resistencias
entre esos puntos. Ese n umero complejo recibe el nombre de impedancia y lo repre-
sentaremos por Z.
La relacion entre los fasores de corriente y de voltaje en un circuito puede expre-
sarse mediante una ley de Ohm generalizada,
I = V /Z, (16.32)
donde V representa el voltaje de un circuito de impedancia Z que da lugar a una
La impedancia Z de varios elementos conectados en
corriente representada por I.
serie o en paralelo obedece las mismas reglas que las asociaciones de resistencias,
teniendo en cuenta que se opera ahora con numeros complejos,
Z = Z1 + Z2 + Z3 + (asociacion en serie), (16.33)
1 1 1 1
= + + + (asociacion en paralelo). (16.34)
Z Z1 Z2 Z3
A continuacion resumimos las formulas para las impedancias de resistencias, conden-
sadores e inductores,
ZR = R, (16.35)
ZC = 1/iC = i/C, (16.36)
ZL = iL. (16.37)
Con estas reglas, podemos analizar los circuitos de corriente alterna con los mismos
metodos empleados para circuitos de corriente continua. Las leyes de Kirchho resul-
tan las mismas pero aplicadas a fasores, la expresi
on para un divisor de voltaje queda
igual cambiando R por Z, etc.
Potencia en circuitos reactivos 205
16.6. Potencia en circuitos reactivos

En el circuito de la gura 16.4 que consta de una fuente alterna de voltaje y un
condensador, existe un desfase de 90 entre el voltaje y la intensidad, como se ve en
la gura 16.5. Para calcular la potencia promedio en un periodo, empleamos entonces
la denici
on dada por la ecuaci on (16.2) y resulta Pm = 0. Si se hace lo mismo
sustituyendo el condensador por un inductor, tambien se encuentra Pm = 0.
Existe otra forma de calcular la potencia promedio usando fasores. Se puede
demostrar (ver Ejercicios) que
Pm = (Vef Ief

) = (Vef Ief ), (16.38)
en donde el subndice efindica el valor efectivo. En el caso arm

onico el fasor efectivo
es el fasor dividido por 2 como ya veamos.
Para ver que esto funciona, vamos a calcular el caso del condensador. Imaginemos
que el voltaje tiene una amplitud efectiva de 1 V. Tenemos entonces
Vef = 1, Ief = Vef /ZC = iC,

Pm = (Vef Ief

) = (iC) = 0, (16.39)
lo cual es la potencia promedio que obtenamos antes.

Se suele denir el factor de potencia como
Pm
factor de potencia = . (16.40)

|V | |I|
Podemos ver que el factor de potencia va de 0 para circuitos puramente reactivos

a 1 para circuitos puramente resistivos. Matematicamente representa el coseno del
angulo de desfase entre el voltaje y la intensidad. Las compa
nas electricas cobran a
los clientes normales en funci on de la potencia media que gastan, pero a las industrias
en funcion del factor de potencia. Esto es porque los componentes reactivos hacen que
no se transmita la potencia a la carga, ya que almacenan la energa. Sin embargo, a
la compa na electrica le cuesta producir esta energa.
16.7. Ejercicios
1. Si en un caso como el dibujado en la gura 16.2 nos dieran el valor t como
la diferencia o retraso de una senal respecto a la otra, como se calculara la
diferencia de fases conociendo la frecuencia f ?
Solucion: = 2f t.
2. Calcular la corriente ecaz para una onda diente de sierra, de periodo T , tal que
I = I0 t/T .
Solucion: Ief = I0 / 3.
3. Aplicando la denici on de dB, vericar
que +3 dB equivalen aproximadamente
a una razon de amplitudes igual a 2 1,4, +6 dB aproximadamente
equivalen
a 2, +20 dB a 10 exactamente, 3 dB son equivalentes a 1/ 2 0,7 y 6 dB a
1/2.
4. Comprobar las siguientes propiedades:
206 An
La suma de un n umero complejo y su conjugado es igual al doble de la parte

real del n
umero original.
La diferencia de un numero complejo y su conjugado es igual al doble de la
parte imaginaria del numero original.
El producto de un numero complejo por su conjugado resulta igual a la suma
de los cuadrados de su parte real e imaginaria.
El complejo conjugado del producto de dos n umeros complejos es igual al
producto del complejo conjugado de cada n umero.
El n
umero complejo que resulta de aplicar la funci
on exponencial a un n
umero
imaginario puro, tal que (z) = 0, posee modulo unidad.
5. Obtener la expresi on (16.31) para la reactancia de una bobina.
6. Demostrar que en un periodo, la potencia media disipada en un circuito compues-
to por una fuente de corriente alterna en serie con un condensador y un inductor
es nula. Hacerlo primero sin usar fasores y repetir la demostracion empleandolos.
7. Demostrar que la potencia promedio para dos se nales dadas por I(t) = I0 cos(t+
1 ) y V (t) = V0 cos(t + 2 ) se puede calcular como la parte real del producto
del fasor del valor efectivo de una de ellas por el complejo conjugado del fasor
efectivo asociado a la otra (16.38). Pista: emplear la expresi
on para la parte real
dada por (16.16).
8. Demostrar que el factor de potencia es igual a cos , siendo el desfase entre la
intensidad y el voltaje. Se puede usar la demostraci on del ejercicio anterior.
Captulo 17
Filtros
17.1. Se
nales con ruido
Vamos a ver la utilidad de la descripci

on en frecuencias de circuitos con componentes
lineales y analizaremos una de sus principales aplicaciones: los ltros.
Imaginemos que tenemos una se nal proveniente de un satelite o de una sonda es-
pacial que nos llega a la Tierra distorsionada. En la gura 17.1 podemos ver una se nal
con un periodo de 1 ms contaminada con ruido. El ruido esta causado por compo-
nentes de mayor frecuencia que a naden ese aspecto arrugado a lo que de otra manera
parecera una se
nal arm onica. Lo que nos llega de un satelite no es exactamente as,
ya que la senal que hemos dibujado tiene un periodo relativamente grande para las
ondas que realmente emite un satelite cuyas frecuencias van del orden de 3 a 30 GHz.
De todas maneras el ejemplo nos vale para enunciar el problema: queremos quedarnos
con la mayor parte de la se nal buena, quitando en lo posible toda la distorsi on.
1ms
Figura 17.1. Se
nal contaminada con ruido.
207
208 Filtros
Vin
Z1
Vout
Z2
Figura 17.2. Divisor de voltaje generalizado.
17.2. Circuito CR - ltro pasa alta

Vamos a ver primero un circuito diferenciador CR como el del captulo 15, pero
esta vez en el dominio de la frecuencia. Tenemos pues el caso que nos mostraba la
gura 15.12, pero esta vez la senal de entrada sera una onda arm onica de frecuencia
. Nos interesa calcular el voltaje de salida en funci
on del voltaje de entrada. Esto es
lo que se llama funci
on de transferencia.
Podemos tratar el circuito como un divisor de voltaje generalizado segun podemos
ver en la gura 17.2, asociando a la entrada y salida los fasores Vin y Vout . Por lo
tanto no tenemos mas que sustituir en la f ormula generalizada del divisor de voltaje,
Z2
Vout = Vin , (17.1)
Z1 + Z2
los valores Z1 = 1/iC y Z2 = R para obtener
Vout R
= . (17.2)

Vin R + 1/iC
Si tomamos modulo en la expresi

on (17.2) resulta
R
|Vout | = |Vin | . (17.3)
[R2 + 1/ 2C 2 ]1/2
Ya que |Vout | = Vout es la amplitud de la se

nal arm
onica, podemos escribir
Vout 2f RC
= . (17.4)
Vin [1 + (2f RC)2 ]1/2
En la gura 17.3 hemos representado en funci on de la frecuencia esta expresion,
tambien llamada funcion de respuesta en frecuencias.
La amplitud de la se nal de salida se aproxima a la amplitud de la se nal de
entrada a partir de una frecuencia llamada de corte, o tambien punto de 3 dB del
ltro.Esta frecuencia es f3dB = 1/(2RC). A esta frecuencia la razon de voltajes es
de 1/ 2 = 0,7 y la de potencias es justamente 1/2. A frecuencias bajas el circuito no
deja pasar mucha se nal, mientras que a frecuencias altas pasa casi toda la que entra.
Recibe por tanto el nombre de ltro pasa alta.
Circuito RC - ltro pasa baja 209
in
/V
0.7
out
V
f =1/2RC
3dB
f
Figura 17.3. Respuesta en frecuencia de un ltro pasa alta.
Cuando trat abamos este circuito en el dominio temporal veamos que la razon
entre el voltaje de salida y el de entrada se haca igual a 1/e = 0,37 cuando el tiempo
transcurrido era t0 = RC, de manera que a tiempos mayores la se nal se atenuaba
cada vez mas. En el dominio de las frecuencias, la se nal pasa a partir de la frecuencia
f3dB = 1/(2t0 ), determinada por el mismo t0 = RC, mientras que a frecuencias
menores la senal no pasa.
Lo que ocurre en el dominio de la frecuencia es de alguna manera lo inverso de lo
que pasa en el dominio temporal. De hecho, el comportamiento en frecuencias de un
diferenciador se parece al de un integrador en el dominio temporal (ver la gura 15.11).
17.3. Circuito RC - ltro pasa baja

Consideraremos ahora el caso en el que cambiamos el orden del condensador y la
resistencia, como hacamos en el circuito integrador representado en la gura 15.10.
La senal de entrada sera una onda arm onica de frecuencia . Como antes, nos interesa
calcular el voltaje de salida en funcion del voltaje de entrada y asociaremos a ambos
los fasores Vin y Vout . Tratando el circuito como un divisor de voltaje generalizado
resulta, intercambiando Z1 con Z2 en (17.1), la funci on de transferencia
Vout 1/iC
= . (17.5)

Vin R + 1/iC
Tomando el modulo en ambas partes y reordenando los terminos resulta para las
amplitudes la relaci
on
Vout 1
= . (17.6)
Vin [1 + (2f RC)2 ]1/2
En la gura 17.4 hemos representado la funci on respuesta de este circuito. De nuevo,
el comportamiento justica el nombre de ltro pasa baja. La amplitud de la se nal de
salida es aproximadamente igual a la amplitud de la se nal de entrada a frecuencias
menores que f3dB = 1/2(RC), llamada de frecuencia de corte o punto de 3 dB del
ltro. A partir de esa frecuencia existe una atenuaci
on cada vez mayor.
210 Filtros
0.7
in
/V
out
V
f =1/2RC
3dB
f
Figura 17.4. Respuesta en frecuencia de ltro pasa baja.
17.4. Gr
acas de Bode
En la seccion anterior, a partir de la funci
on de transferencia obtenamos la razon de
amplitudes y la representabamos frente a la frecuencia usando una escala lineal. Sin
embargo, la funci on de transferencia tambien nos da informaci on sobre la respuesta
en fase del ltro, es decir, sobre la diferencia de fase entre la se
nal de salida y la de
entrada.
Las funciones respuestas en amplitud y fase frente al logaritmo de las frecuencias,
con la fase expresada en grados y las amplitudes en decibelios, se conocen como
gr
acas de Bode. Resulta u til aproximar estas gracas por lneas rectas.
Funci
on respuesta para la fase
Hemos calculado la respuesta en amplitud en las ecuaciones (17.4) y (17.6). Vamos
ahora a calcular la funcion respuesta para la fase. Empezaremos calculando la res-
puesta en fase de un ltro pasa baja. Podemos racionalizar la expresi
on (17.5) para
separar la parte real de la imaginaria multiplicando numerador y denominador por el
complejo conjugado del denominador. Hecho esto resulta
Vout (1/iC)(R 1/iC) 1 iRC

= = . (17.7)
Vin 2
R + 1/(C) 2 1 + (RC)2
Al dividir la parte imaginaria entre la parte real de (17.7), resulta un desfase igual a
= arctan (RC) = arctan(2f RC). (17.8)
De forma similar, partiendo de la funci

on de transferencia (17.2), la respuesta en fase
para un ltro pasa alta resulta

1
= arctan . (17.9)
2f RC
Gr
acas de Bode 211
ganancia(dB)
0
10
20
0.1 f3dB f3dB 10 f3dB
90
fase en grados
45
0
f

on de Bode para un ltro pasa alta.
Representaci
on de Bode para un ltro pasa alta
Estamos ya en disposicion de representar la respuesta en amplitud y fase de un ltro

pasa alta. La relaci
on de amplitudes recibe tambien el nombre de ganancia G. En la
representacion de Bode la ganancia se expresa en decibelios seg
un la expresion (16.6).
Para un ltro pasa alta, a partir de la expresi
on (17.4), la ganancia resulta
2
1
G(dB) = 10 log10 1 + . (17.10)
2f RC
La representacion de Bode para la fase esta dada por la ecuaci

on (17.9). En la gura
gura 17.5 hemos pintado en trazo grueso ambas funciones frente a la frecuencia en
escala logartmica.
Resulta mas sencillo aproximar estas curvas por lneas rectas sin necesidad de
calcularlas numericamente. Para el caso de la amplitud, cuando f 5f3dB , entonces
el argumento del logaritmo es pr acticamente igual a 1 con lo que G = 0. Cuando
f es sucientemente peque no, hasta f 0,2f3dB , el argumento esta dominado por
1/(2f CR)2 y por tanto el crecimiento es lineal, de unos 20 dB/decada. Una decada
es un factor 10 en la frecuencia. De modo equivalente se puede decir que el crecimiento
es de 6 dB/octava, donde una octava es hacer la frecuencia 2 veces mayor. Las dos
rectas coinciden en el punto donde f = f3dB .
Para la curva de desfase tambien es posible una aproximaci on lineal. Todo el
cambio de fase se supone que ocurre entre 1/10 de la frecuencia de corte y 10 veces la
frecuencia de corte, es decir un intervalo de dos decadas centrado en la frecuencia de
corte. En los extremos de este intervalo, el error de aproximar la curva por una recta
horizontal es de unos 6 . La diferencia de fases es de 45 a la frecuencia de corte.
212 Filtros
ganancia(dB)
0
10
20

fase en grados
0
45
90
f

on de Bode para un ltro pasa baja.
Representaci
on de Bode para un ltro pasa baja
De manera an aloga, para un ltro pasa baja las funciones de respuesta resultan, seg
un
(17.6) y (17.8),

2
G(dB) = 10 log10 1 + (2f RC) , = arctan (2f RC) . (17.11)
En la gura 17.6 hemos representado estas funciones junto a su aproximacon lineal. La

discusion anterior es aplicable salvo que ahora para frecuencias peque
nas el argumento
del logaritmo se hace igual a 1.
17.5. Circuitos resonantes - ltros de ancho de banda

Cuando se combinan condensadores con inductores es posible hacer circuitos que po-
seen picos en sus funciones de respuesta, llamados picos de resonancia. Estos circuitos
encuentran aplicaciones en transmision y recepci
on de senales.
Filtro de paso de banda

Consideremos el circuito mostrado en la gura 17.7. Este circuito se conoce con el
nombre de sintonizador y se emplea para seleccionar una frecuencia particular de una
se
nal. Como L y C pueden ser variables, se puede elegir la frecuencia que queremos
seleccionar. Podemos analizar el circuito encontrando la impedancia equivalente de la
asociacion en paralelo del condensador y la bobina,
1 1 1 1
= + = + iC, (17.12)
ZLC ZL ZC iL
de modo que
i
ZLC = . (17.13)
(1/L) C
Circuitos resonantes - ltros de ancho de banda 213
R Vout 0.7 3dB
Vout/ Vin
Vin
L C
f0
f
Figura 17.7. Filtro de paso de banda. Figura 17.8. Respuesta del circuito re-
sonante.
Esta impedancia
se hace innita auna denominada frecuencia de resonancia igual a
f0 = 1/(2 LC) (esto es, 0 = 1/ LC). Por tanto, la funci on respuesta presenta un
pico a esta frecuencia.
En combinaci on con la resistencia R tenemos un divisor de voltaje cuya respuesta
en amplitud se muestra en la gura 17.8. En ella se ha pintado la ganancia frente a
la frecuencia, dada por
Vout 1
=
2 1/2
. (17.14)
Vin
1+ Q2 f
f0 f0
f
Hemos escrito la respuesta en lo que se conoce como forma estandar para un circuito
RLC. Para ello, se introduce el factor de calidad Q = 0 RC. A partir de este factor se
la anchura del pico 3dB en los puntos a 3 dB (en donde la amplitud
puede obtener
se reduce 1/ 2) del valor en el pico) segun
f0
Q= . (17.15)
3dB

En este caso se puede comprobar que efectivamente Q = R C/L. El factor Q tambien
se puede denir como
Energa almacenada promedio

Q = 2 , (17.16)
Energa perdida promedio
en donde el promedio se eval ua durante un ciclo. Una manera de obtener el denomi-

nador de este cociente es calcular la energa perdida como la potencia media disipada
en un ciclo multiplicada por el periodo, es decir Pm T . La potencia disipada es la
2
potencia que se pierde en la resistencia, cuyo valor es R IR . En cuanto a la energa
almacenada promedio, se almacena en el condensador y en la bobina, y por tanto,
denotando el promedio en un periodo por <>, queda
< 21 LIL2 + 12 CVC2 >

Q = 2 2 > . (17.17)
T < RIR
214 Filtros
Vin R Vout
Vout/ Vin
L
C
f
0
f
Figura 17.9. Filtro de muesca o trampa. Figura 17.10. Respuesta del ltro de
RLC en serie. muesca.
Podemos calcular este cociente a la frecuencia particular de resonancia. A la frecuencia

de resonancia, la energa que se almacena en el condensador y en la bobina es la misma,
de modo que
< LIL2 > < CVC2 > C
Q = 0 2 = 0 2 =R . (17.18)
< RIR > < RIR > L
Hemos visto tres maneras de hallar Q: escribiendo la funci on respuesta en amplitud
en forma estandar (17.14), empleando la anchura del pico a 3 dB (17.15), y por
u
ltimo en funci
on de la energa almacenada y disipada en un ciclo (17.16) cuando se
trabaja a la frecuencia de resonancia. El fenomeno de la resonancia aparece en otros
sistemas lineales disipativos, como puede ser un muelle con rozamiento, cavidades
electromagneticas, etc.
Filtro de muesca o trampa

En el ltro anterior el condensador y el inductor estaban conectados en paralelo. Otra
variedad de ltros RLC se usan con el condensador y el inductor conectados en serie.
En la gura 17.9 podemos ver uno de ellos, llamado de trampa. La raz on es que
este ltro permite el paso de todas la se nales excepto aquellas cuyas frecuencias se
encuentran en la banda de resonancia.
La condicion de resonancia signica que en la funci on de transferencia tenemos
un extremo. Se puede demostrar que laimpedancia de la asociacion LC se anula a
la frecuencia de resonancia f0 = 1/(2 LC), que resulta la misma que en el ltro
de paso de banda. En la gura 17.10 hemos pintado la respuesta en amplitud. Este
circuito es una trampa para se nales con frecuencia cercanas a f0 , ya que son guiadas
a tierra. El factor de calidad del circuito es ahora Q = 0 L/R.
17.6. Dise
no de un ltro
Volvamos al comienzo del captulo. Dada la se nal representada en la gura 17.1,
queremos quitarle el ruido y para ello usaremos un ltro RC.
Lo primero que se debe decidir es si se quiere que el ltro deje pasar las frecuencias
altas o las bajas. La frecuencia de la se
nal que nos interesa tiene un periodo de 1 ms,
Ejercicios 215
es decir una frecuencia de 1 kHz. En la gura se ve que hay unos 16 maximos debido
al ruido en la se nal, con lo cual la frecuencia del ruido estara en torno a los 16 kHz.
Ya que lo que se quiere es dejar pasar la primera se nal, lo que necesitamos es un ltro
pasa baja, es decir un ltro como el que dibuj abamos en la gura 15.10.
Ahora necesitamos elegir los valores de R y C. En primer lugar, R depender a de la
carga. Supongamos que la carga a la que vamos a conectar el ltro es Rload = 100 k.
Como hemos visto en el captulo 14, la impedancia de salida del ltro ha de ser menor
en un 10 % a la de carga, para asegurarnos que no afectamos el funcionamiento del
ltro por el efecto divisor de tensi on. La impedancia de salida del ltro depende de
la frecuencia, pero en el caso mas desfavorable, cuando la impedancia es la m axima
posible, valdr a R (mirando el equivalente de Thevenin del ltro, el caso m as desfa-
vorable ocurre cuando = 0, y entonces ZT h = R). Por lo tanto, de la condici on
R Rload /10, se concluye que una buena elecci on es R = 10 k.
El valor de C viene condicionado por la frecuencia de corte f3dB . Se podra elegir
f3dB = fsenal , pero el problema es que en realidad la se nal no est
a compuesta de una
sola frecuencia, sino que incluye un rango que no queremos atenuar. Como queremos
que la se
nal de alta frecuencia sea atenuada lo m aximo posible y la de baja frecuencia
lo mnimo, elegiremos f3dB = 2fsenal = 2 kHz. Con ello se puede comprobar que la
se
nal original resulta atenuada en un 11 %, es decir, obtenemos el 89 % de la se nal a la
salida del ltro empleando la expresi on (17.6). En cuanto al ruido, podemos ver que
su frecuencia se halla a 8f3dB , es decir, a 3 octavas o 23 veces la frecuencia de corte.
En la parte lineal de la representaci on de Bode, cada octava implicaba una cada de
6 dB, por lo que la amplitud se ver a reducida 23 veces. Esto es una estimacion ya
que no estamos en la parte lineal de la curva, pero la respuesta correcta, usando de
nuevo la ecuaci on (17.6), es que la amplitud se reduce en un factor 8,06. Con toda
esta discusion, C = 1/(2f3dB R) 0,008 106 F, con lo cual podemos elegir un
condensador de 0,01 F.
17.7. Ejercicios
1. Demostrar que el angulo entre dos n umeros complejos en el plano de Argand
viene dado por el arco cuya tangente es el cociente entre la parte imaginaria y la
parte real del cociente de ambos. Pista: escribir las partes real e imaginaria del
cociente como suma y resta del n umero y su conjugado y usar la forma polar de
los numeros complejos.
2. Demostrar la expresion (17.9) para la respuesta en fase para un ltro pasa alta.
3. Justicar la aproximacion lineal de la gura 17.6 para un ltro pasa baja.
4. Sustituir el condensador por un inductor en un ltro pasa alta y pasa baja y
calcular sus funciones de respuesta en frecuencia. Dibujar esquem aticamente sus
gr
acas de Bode y compruebar que son las mismas que las representadas en las
guras 17.5 y 17.6.
Soluci /Vin = 1/ 1 + [R/(L)]2 , = arctan (R/(L)).
on: Vout
Vout /Vin = 1/ 1 + (L/R)2 , = arctan (L/R).
5. Obtener la ecuacion (17.14) para la funci
on respuesta en amplitud del ltro mos-
trado en la gura 17.7. Comprobar que el intervalo entre las frecuencias de los
puntos de 3 dB vale 3dB = f0 /Q.
6. Demostrar que a la frecuencia de resonancia, la energa almacenada en la bobina
216 Filtros
del circuito de la gura 17.7 es la misma que la que se almacena en el condensador.

7. A partir de las igualdades dadas en la expresi on (17.18) para el factor de calidad
a frecuencia resonante, obtener el valor Q = 0 CR.
8. Para el circuito representado en la gura 17.9, calcular la frecuencia de resonancia
y el factor de calidad.

Solucion: f0 = 1/2 LC, Q = 2f0 L/R.
9. La frecuencia de resonancia no es la misma para circuitos RLC. Depende de
como estan conectados los elementos. Para comprobarlo, calcular la frecuencia
de resonancia en un circuito con un condensador en serie con la asociaci on en
paralelo de los otros dos. Compararlo con la frecuencia de resonancia de un ltro
de ancho de banda.
Solucion: 0 = 1/ LC (L/R)2 .
Captulo 18
Semiconductores
18.1. Semiconductores, metales y diel

ectricos
Si aplicamos un campo electrico a un volumen lleno de partculas neutras no aparece
corriente electrica. De esta manera, un volumen lleno con un gas de atomos neutros
de cualquier sustancia, por ejemplo plata, es un aislante o dielectrico que se puede
considerar ideal. Sin embargo, en estado s olido, la plata presenta una conductividad
1022 veces mayor que la del vidrio. Una sustancia, dependiendo del cristal que forma
(de su ordenamiento formando distintos tipos de redes), puede ser aislante o conduc-
tora. As, el carbono puede ordenarse de una forma conocida como grato, que es un
buen conductor, y de otra forma conocida como diamante que es un aislante casi per-
fecto. En un gas, los atomos o moleculas se pueden considerar como entes individuales
ya que estan muy separados entre s, mientras que en un s olido las propiedades no
dependen tanto de los atomos individuales como de los enlaces entre ellos.
Supongamos que tenemos un cristal como el mostrado en la gura 18.1. Para
formar el enlace imaginemos que cada atomo pierde un electr on de valencia. Esos
electrones quedan entonces libres para saltar de la proximidad de un n ucleo a otro. Se
puede decir que se colectivizan. Habr a unos 1022 electrones por centmetro c ubico en
el metal (dibujados como puntos negros) que pueden responder libremente a la acci on
de un campo externo, gener andose corriente electrica. Esta situaci
on es la del enlace
metalico.
Veamos el caso opuesto, en donde todos los electrones de valencia intervienen
en el enlace entre atomos y ninguno se colectiviza. En la gura 18.2 podemos ver un
cristal de silicio (Si). El atomo de silicio posee 4 electrones de valencia. Al formar la
red, comparte esos electrones con sus vecinos, de manera que a su alrededor orbitan 8
electrones seg un podemos ver representados mediante las lneas que unen los atomos
en la gura: los cuatro que tena y otros 4 provenientes de sus vecinos. La carga
negativa que posee cada atomo de la red en promedio es de 4 electrones, la misma que
tena individualmente. En este caso no existe carga disponible que libremente pueda
responder a un campo externo y por consiguiente su comportamiento ser a el de un
buen dielectrico.
Sin embargo, cualquier defecto en la red, cualquier impureza debida a la presencia
de un atomo extra no, incluso calor, son capaces de destruir algunas de las ligaduras
electronicas. Entonces, en menos cantidad que en el caso de un conductor, existiran
217
218 Semiconductores
Si
Figura 18.1. Diagrama esquem atico de Figura 18.2. Diagrama esquem atico de
la red cristalina de un metal. La red de la red cristalina del silicio. Las lneas
iones cargados positivamente est a inmer- que unen los atomos representan ligadu-
sa en un gas de electrones libres. ras electr
onicas.
electrones libres que pueden conducir corriente. Este comportamiento es el de un

semiconductor.
La conductividad de estos materiales no es ni muy grande ni muy peque na. Es
menor que la de algunos materiales conductores, como el cobre, el hierro, el aluminio,
el oro o la plata, pero mucho mayor que la de dielectricos como el vidrio, la madera o
el papel. Otra importante propiedad que poseen es la dependencia de la conductividad
con la temperatura de forma muy marcada. Dicho de otro modo, su resistencia al paso
de la corriente electrica depende mucho de la temperatura.
Estas dos propiedades, a primera vista nada espectaculares, hacen de estos ma-
teriales los protagonistas de la tecnologa electronica actual. Capas delgadas de ma-
teriales semiconductores, unas sobre otras, se usan para controlar el ujo de corriente
electrica en los circuitos, para detectar y amplicar se nales de radio, para producir
oscilaciones en los transmisores, para fabricar interruptores digitales, etc.
18.2. Teora de bandas para la conducci

on
Un tratamiento riguroso para explicar el comportamiento de los semiconductores re-
querira mecanica cu
antica. Sin embargo, es posible un tratamiento clasico para in-
troducir los conceptos de la teora de bandas y huecos.
Calculemos primero el campo que mantiene unidos los electrones en un cristal
ideal de Si a 0 K, por lo que todos los electrones de valencia participan en el enlace.
Usaremos propiedades del Si y algunas hip otesis:
El Si tiene n
umero atomico Z = 14. En las capas m as externas posee 4 electrones
de valencia. Por consiguiente, la carga total positiva que sienten estos electrones es
igual al n
umero de protones menos el n umero de electrones de las capas internas,
es decir 4e.
Supondremos que el campo que mantiene unido a estos electrones de valencia
con el nucleo se puede calcular como un campo creado por cargas puntuales
empleando la ley de Coulomb.
El Si cristaliza en forma de diamante, con cada atomo de la red dentro de un
tetraedro, con 4 vecinos en cada vertice. La distancia a cada vecino, tambien
llamada constante reticular, vale a0 = 0,54 nm. Supondremos que la distancia
Teora de bandas para la conducci
on 219
entre los electrones de valencia y el conjunto del n

ucleo mas los electrones internos
es a0 .
Con estas hip otesis, el modulo del campo electrico que siente un electron es |E| =
21010 V/m, 10000 mayor que el necesario para desencadenar rayos en una tormenta.
Esta claro que el Si se comporta en estas condiciones como un dielectrico perfecto, ya
que un campo externo, sumado al que mantiene unido al electr on con el n
ucleo, s
olo
deformara un poco las orbitas electronicas, pero no habr a corriente.
Veamos ahora cuanta energa hara falta para liberar un electr on. La fuerza que
mantiene ligado al electron viene dada por |Fe | = e|E|. Para liberarlo, deberamos
aplicar al menos una fuerza de igual magnitud, y alejarlo una distancia a0 . As para
hacerlo libre necesitaramos suministrarle una energa Eg = a0 e|E|. El subndice g
viene de la palabra inglesa gap que signica espacio, intervalo, salto. Si suponemos que
el campo electrico es del mismo orden que el calculado anteriormente, |E| 1010 V/m
para el Si en las condiciones ideales anteriores, entonces Eg 5 eV. Un electr on-voltio
eV es la energa que adquiere un electr on acelerado por una diferencia de potencial
de 1 V. Por tanto, 1 eV = 1,6 1019 J.
En general, podemos decir que si Eg 3 eV, el cristal se comportara como un
dielectrico, con una resistencia innita. Si, por el contrario, Eg 3 eV, sera mas
f
acil que se rompan algunos enlaces y se creen electrones libres. El comportamiento
sera el de un semiconductor, con conductividad distinta de cero y resistencia nita.
Por ejemplo, para el antimoniuro de indio (InSb), Eg 0,17 eV. La energa que posee
la radiaci on infrarroja es del mismo orden, y cuando se ilumina con luz infrarroja
un semiconductor de este tipo se vuelve conductor. Otro semiconductor tpico es el
arseniuro de galio (GaAs), con Eg 1,4 eV.
A temperatura nita, los atomos de la red se ponen a vibrar y ser a mas f
acil
romper enlaces, con lo cual la resistencia electrica disminuye cuando la temperatura
aumenta en los semiconductores. En los metales, la resistencia aumentaba con la
temperatura.
Se dice que los electrones que participan en el enlace ocupan la banda de valencia
del solido, estando todos ellos en un rango energetico menor que aquellos que se
encuentran en la llamada banda de conducci on. La banda de conducci on es el rango
energetico en el que se hallan los electrones colectivos del cristal. Ambas bandas o
rangos energeticos estan separadas por un intervalo que es igual a Eg llamado banda
prohibida. Esto se puede ver de un modo gr aco empleando los diagramas de bandas.
En la gura 18.3 podemos ver el diagrama de bandas para un semiconductor
como el Si a temperatura ambiente, y en la gura 18.4 para un aislante. En general,
un material puede conducir electricidad si la banda de valencia, la de conducci on, o
ambas, no estan completamente llenas de electrones o completamente vacas. Si estan
vacas, esta claro que no hay portadores y no habr a corriente, pero tambien hace falta
que haya espacio en una banda para que los portadores que se encuentran en ella
puedan moverse. Si en un material la banda de conducci on y la de valencia estan
completas no habra corriente. Si la banda de valencia se halla medio vaca y la de
conducci on totalmente vaca entonces s puede haber corriente, como suele ser el caso
de un metal monovalente, formado por atomos con un solo electr on en la capa de
valencia.
En un aislante, normalmente la banda de conducci on se encuentra vaca mien-
tras que la de valencia est a llena. En un semiconductor como el representado en la
220 Semiconductores
Energia Energia
Banda
de conduccion
Banda
de conduccion
Eg = 5 eV
Eg = 1 eV
Banda de valencia
Banda de valencia
Figura 18.3. Diagrama de bandas pa-

Figura 18.4. Diagrama de bandas para
ra un semiconductor. La banda de con-
un aislante. La banda de conducci on se
ducci
on contiene algunos electrones exci-
encuentra vaca mientras que la de valen-
tados termicamente que han abandonado
cia completamente llena.
la banda de valencia.
gura 18.3, debido a que Eg no es demasiado grande, existen electrones con suciente
energa termica como para saltar esta barrera y pasar a la banda superior. La banda
de conducci on contiene electrones que han abandonado la banda de valencia dejando
espacios vacos en ella o huecos.
Los huecos no son partculas, sino espacios vacos dejados por electrones. Sin
embargo, el concepto de hueco fue introducido en 1933 por Frenkel para nombrar a la
partcula capaz de crear una corriente electrica en un semiconductor y que transpor-
ta la misma carga electrica que el electron pero con signo positivo. De esta manera
se asignaban propiedades de masa y carga a estos espacios vacos. En las pr oximas
secciones, cuando discutamos como se mueven los electrones de las capas parcial-
mente ocupadas cuando se aplica un campo electrico, veremos lo u til que resulta la
descripcion de Frenkel.
18.3. Semiconductores intrnsecos

Los semiconductores intrnsecos son aquellos en los cuales la concentracion de huecos
nicamente por Eg y por la temperatura a la que
y electrones libres esta determinada u
se encuentran.
Imaginemos un cristal de Si como el que dibujamos en la gura 18.5, en el que
no existen defectos ni impurezas, y que se halla a temperatura T . La pregunta que
nos haremos es cuantos enlaces estaran rotos o cu
antos electrones habra en la banda
de conducci on.
El movimiento caotico de la red debido a la energa termica tiende a romper
los enlaces. Por consiguiente, el efecto de la temperatura ser a la creacion de pares
de electrones y huecos. Se sabe que el valor medio de la energa de este movimiento
caotico viene dado por kB T , siendo
kB = 1,38 1023 J/K = 8,6 105 eV/K, (18.1)
la constante de Boltzmann. A temperatura ambiente (300 K), la energa termica es

kB T 0,026 eV, mientras que a una temperatura de 200 C, es kB T 0,043 eV (la
conversion entre grados centgrados y Kelvin viene dada por K = C + 273,15).
Semiconductores intrnsecos 221
Si
Figura 18.5. Cristal de Si a T = 0, en donde se puede ver un par electr

on-hueco
En general para semiconductores kB T Eg , lo que sugiere que la energa termica

es incapaz de romper enlace alguno, pero lo que ocurre es que kB T da el valor medio
de la energa termica, pero no el valor para cada atomo del cristal en un determinado
instante. Habr a atomos que posean una energa mucho mayor y otros mucho menor
que kB T , siendo los primeros capaces de perder electrones de enlace. La mec anica
estadstica nos dice que la probabilidad de que existan atomos con una energa igual
a Eg en un determinado instante, cuando se halla el cuerpo con una energa promedio
kB T , viene dada por la exponencial del cociente con signo negativo. Por consiguiente,
el n
umero de pares electr on-hueco creados cada segundo por unidad de volumen del
semiconductor vendra dado por

Eg
P1 = exp , (18.2)
kB T
siendo un coeciente de proporcionalidad diferente para cada tipo de semiconductor.

Por otro lado, cuando un electr on libre se encuentra con un hueco, se aniqui-
lan mutuamente. El electr on rellena el hueco y se libera una energa igual a Eg .
Este proceso se llama recombinaci on. La frecuencia con la que ocurre este proceso
ser
a proporcional al n
umero de huecos existentes, ya que mientras m as huecos haya,
mas probabilidad tendra un electr
on de encontrarse con un hueco. Adem as, tambien
ser
a proporcional por la misma raz on al numero de electrones. Podemos entonces
escribir el n
umero de electrones y huecos que desaparecen por recombinaci on cada
segundo, por unidad de volumen, como
P2 = ni pi , (18.3)
siendo un coeciente de proporcionalidad que depende del semiconductor considera-
do, y ni , pi respectivamente el numero de electrones y huecos por unidad de volumen
en el semiconductor intrnseco.
En un semiconductor intrnseco cada vez que se crea un hueco aparece un electr
on
libre (se genera un par), por lo que podemos igualar las concentraciones ni = pi , y
escribir esta la expresion (18.3) como
P2 = ni 2 = pi 2 . (18.4)
El equilibrio a una determinada temperatura se alcanza cuando las concentraciones ni

y pi no cambian en el tiempo, por lo que el proceso de recombinaci
on ha de igualarse
222 Semiconductores
Ec
Eg
Ev
Figura 18.6. Diagrama de bandas ilustrando el proceso de generaci on y recombinaci on en

un semiconductor intrnseco. La echa hacia arriba indica el proceso de creaci
on, hacia abajo
el de aniquilaci
on.
al proceso de generacion. Igualando (18.2) y (18.3), obtenemos

Eg
ni = pi = N exp , (18.5)
2kB T
con N = (/)1/2 .
Los procesos de generacion y recombinaci on pueden describirse mediante el dia-
grama de bandas de la gura 18.6 en donde se representa la creaci onaniquilacion
de un par. El hueco se ha pintado como una carga positiva (ausencia de electr on en
la banda de valencia). El electron aparece como un punto negro m as pequeno (con
menos masa) en la banda de conducci on. En la secci
on 18.5 veremos por que se supone
menos masivo el electron que el hueco.
La expresion (18.5) permite explicar las propiedades que mencion abamos al
comienzo del captulo. En la tabla 18.1 podemos ver algunos valores de Eg y de
la concentracion ni para diferentes semiconductores a diferentes temperaturas. Re-
cordemos que cada centmetro c ubico de un metal contiene unos 1022 electrones de
conduccion, mientras que incluso en un semiconductor como el InSb, con un valor
pequeno de Eg , el n
umero de electrones intrnsecos es, a temperatura ambiente, un
mill
on de veces mas peque no. Es de esperar que no sea tan buen conductor. Por otro
lado, un cambio en la temperatura aumenta la concentraci on de electrones y, por con-
siguiente, la conductividad. Se puede comprobar que si se aumenta la temperatura
1,7 veces, la concentracion en en caso del GaP aumenta 5,5 107 veces.
Semiconductor Eg (eV) T (K) ni (cm3 )

InSb 0,17 300 1,3 1016
500 4,8 1016
Ge 0,72 300 2,4 1013
500 6,4 1015
GaAs 1,4 300 1,4 107
500 7,2 1011
GaP 2,3 300 0,8
500 4,4 107
Tabla 18.1. Valores caractersticos de la concentraci

on de electrones a diferentes tempera-
turas para algunos semiconductores.
Semiconductores extrnsecos 223
Si
As
Figura 18.7. Un a
tomo donador As en una red de Si.
18.4. Semiconductores extrnsecos

En la naturaleza no existen sustancias puras que contengan un solo tipo de atomos.
Cualquier cristal real contiene alguna impureza. Una sustancia se considera pura si
contiene un atomo extra no por cada 1000 atomos intrnsecos, es decir, un 0,1 % de
impurezas. Desde el punto de vista qumico, la sustancia ser a absolutamente pura
si contiene 0,001 % de impurezas. Sin embargo, supongamos que la impureza en el
semiconductor es capaz de liberar un electron o formar un hueco con mucha facili-
dad. Esto implica que tendremos por cada centmetro c ubico unos 1017 electrones
o huecos aproximadamente. Si miramos de nuevo la tabla 18.1, esta concentraci on
ser
a mucho mayor que cualquiera de las concentraciones intrnsecas. Es por esto que
las impurezas juegan un papel tan importante en las propiedades del semiconductor.
El control de las mismas es de suma importancia, y por ello, su fabricaci on se hace
en salas esterilizadas, incluso m
as que los quir
ofanos. La gran mayora de materiales
semiconductores contiene cierta cantidad controlada de impurezas para jar el valor
necesario de la conductividad.
Impurezas donadoras
Veamos primero el caso de las impurezas donadoras. Supongamos que un atomo ex-
tra
no se ha alojado en un cristal y ocupado uno de los lugares de la red. Por ejemplo,
un atomo de arsenico (As) ha ocupado el lugar de un atomo de Si como puede verse
en la gura 18.7. El Si tena 4 electrones de valencia pero el As tiene 5.
Cuatro de esos electrones del As formaran enlaces con los atomos de Si vecinos, y
sobra uno. Ese quinto electr on se quedara en las cercanas del As, pero al tratarse de
un electron de las capas exteriores y no formar enlace, estara ligado al As debilmente.
La energa necesaria E para que este electron se transforme en un electron libre
a mucho menor que la energa Eg necesaria para liberar uno de los electrones de
ser
valencia del cristal. Esta energa de ionizaci
on se llama energa de activaci on de la
impureza. Las impurezas que pierden electrones f acilmente, como en este caso, reciben
el nombre de impurezas donadoras.
Sea Nd la densidad de impurezas y consideremos que el cristal se halla a 0 K.
El cristal se comportar a como un dielectrico ideal, ya que aunque liberar el quinto
electron implica poca energa, a esa temperatura no hay ninguna disponible (recor-
demos que no hay vibraciones de la red). A temperatura mayor que cero, la densidad
de electrones libres debido a las impurezas vendr a dada por
224 Semiconductores
Si
Figura 18.8. Un a
tomo aceptor B en una red de Si.

E
nd = Nd exp , (18.6)
kB T
en donde el subndice d indica donadora. La expresi
on es an
aloga a la ecuaci
on (18.5),
pero en lugar de un valor grande Eg tenemos un valor mucho menor E. En el caso
del As en el Si, E es igual a 0,05 eV.
Un semiconductor en el que se han introducido impurezas donadoras se llama
semiconductor de tipo n. La letra n viene de la palabra negativo, mostrando que el
semiconductor tiene muchos electrones libres.
Impurezas aceptoras
Veamos ahora el caso en el que la impureza tiene menos electrones para compartir que
el atomo intrnseco. En este caso recibe el nombre de impureza aceptora. Imaginemos
que en vez de As la impureza fuera boro (B). El B es trivalente, y por tanto le
faltara un electron para poder formar un enlace completo con los cuatro vecinos de
la red.
En la gura 18.8 se pueden ver los enlaces electr onicos de un semiconductor de
Si dopado con B. Esta situaci on es parecida a la mostrada en la gura 18.5, ya que
en cada caso falta un enlace. Sin embargo, existe a la vez una gran diferencia: todos
los atomos de Si son identicos por lo que, en cualquier instante, el hueco entre ellos
puede rellenarse por uno de los electrones de enlace y pasar a estar mas cerca de
otro vecino. No hace falta energa para que el hueco viaje por el cristal. Pero el B
es un atomo extra no en la red. Para que un electr on del Si vecino rellene el hueco
del B y se cree un hueco, es necesaria una energa E. En el caso del B en Si esta
energa es de solo 0,045 eV, pero aunque peque na, es distinta de cero. Ning
un hueco se
formar a en el cristal hasta que esta barrera energetica no sea superada. Supongamos
que, o bien la vibraci on de la red, o la radiacion exterior, ha suministrado esta energa
de activacion. Ahora la situaci on sera identica a la de la gura 18.5. Habra un hueco o
enlace vaco que equivale a una carga positiva en la red. La expresi on que nos dar
a la
concentracion de estos huecos en el equilibrio sera entonces

E
pa = Na exp , (18.7)
kB T
analoga a la del caso de impurezas donadoras. Es importante tener en cuenta que
la creacion de un hueco no esta acompa
nada de la creaci
on de un electr
on libre (de
Semiconductores extrnsecos 225
E /2k
g B
ln n (ln p)
E/k
B
1/T
Figura 18.9. Dependencia tpica de la concentraci on de portadores con la temperatura. Po-

demos observar tres regiones: a bajas temperaturas la conductividad se debe principalmente
a la presencia de impurezas, conforme aumentamos la temperatura las impurezas se saturan,
y por ultimo, los portadores intrnsecos son los que contribuyen a la conductividad.
forma an aloga a lo que suceda en el caso de impurezas donadoras con la creaci on de

electrones libres). Un semiconductor que ha sido dopado con impurezas aceptoras se
llama semiconductor de tipo p (la letra p viene de positivo).
Por u ltimo, queremos hacer constar que las expresiones (18.6) y (18.7) son s olo
aproximadas y v alidas si el valor calculado con ellas es mucho menor que las concen-
traciones de impurezas Nd y Na respectivamente, esto es, si kB T E. Si este no es
el caso, entonces todo los atomos de impurezas estaran activos y las concentraciones
nd y pa ser an iguales a las concentraciones Nd y Na .
Portadores mayoritarios
La curva de la gura 18.9 resume lo que hemos aprendido sobre las propiedades de
los semiconductores intrnsecos y extrnsecos. Representa la dependencia tpica de la
concentracion de portadores libres (electrones o huecos) con la temperatura. Se ha
dibujado el logaritmo de las densidades frente a la inversa de la temperatura.
Para temperaturas bajas, la contribuci on principal o mayoritaria viene de la crea-
cion de portadores debida a la presencia de impurezas. Se puede ver que la dependencia
es lineal como predicen las expresiones (18.6) y (18.7). Conforme la temperatura au-
menta y nos acercamos hacia el origen de la graca, vemos que llegamos a una zona
en las que la concentraci on de portadores mayoritarios no depende de la temperatu-
ra. Esta zona corresponde a un rango en el que todas las impurezas, y no solo una
fraccion de ellas, tienen suciente energa termica para contribuir a la aparici on de
un electron libre (o hueco). Por u ltimo, si continuamos aumentando la temperatura,
la energa termica es suciente para que los atomos del cristal puedan romper sus
enlaces y crear pares electron-hueco. Esto est a representado por una lnea recta de
pendiente Eg /2kB que se corresponde con la expresion (18.5).
226 Semiconductores
Portadores minoritarios
Anteriormente hemos visto cual es la concentracion de electrones debida a la presencia
de impurezas donadoras y la de huecos debida a impurezas aceptoras. Estos portadores
son los que a bajas temperaturas contribuyen mayoritariamente a la densidad de carga
libre como se aprecia en la gura 18.9. Sin embargo, las impurezas donadoras no s olo
donan electrones, sino que tambien afectan a la distribucion de huecos. An alogamente,
las aceptoras no solo crean huecos sino que tambien afectan a la concentraci on de
electrones.
Discutiremos ahora cual sera la concentraci on de huecos en un semiconductor de
tipo n, y cu al la de electrones en uno tipo p, minoritarias en ambos casos. En primer
lugar, recordemos que cuando se ionizan las impurezas, en el caso de ser de tipo n, estas
crean un electr on pero no un hueco (para las impurezas tipo p se crean huecos pero
no electrones). Dicho de otro modo, las impurezas no crean pares. A la vista de esto,
podra pensarse que el n umero de portadores minoritarios debe de ser el intrnseco ya
que las impurezas no contribuyen a crear huecos extras en el caso de ser donadoras
(semiconductor tipo n), o electrones extras si son aceptoras (semiconductores tipo
p). Esto es verdad a medias. Es cierto que la creaci on de pares electron-hueco que
aparecen por cada segundo a una temperatura T en un semiconductor de tipo n o p
es el mismo que en el caso de un semiconductor intrnseco, pero el n umero de pares
que desaparecen no.
La expresion (18.2) nos daba el n umero de pares que aparecan a una deter-
minada temperatura, que era igual al que desapareca, y por tanto proporcional a
n2i (T ). Sin embargo, el n umero de huecos en el caso de un semiconductor tipo n en el
equilibrio ser a menor, ya que al haber m as electrones habr
a mas posibilidades de que
estos se encuentren con aquellos, y por tanto que se aniquilen. De nuevo, como en la
expresion (18.3), el n umero de huecos que desaparecen es proporcional al producto de
las poblaciones de huecos p0 y electrones n0 . Por consiguiente, la ecuaci on de balance
en el equilibrio puede escribirse como
p0 n0 = n2i (T ), (18.8)
en donde el subndice 0 equivale a d o a dependiendo de que clase de semiconductor
se trate, si donador o aceptor. Si combinamos esta expresion con las ecuaciones (18.6)
o (18.7), podremos saber cu anto vale la concentraci
on de portadores minoritarios,
huecos pd en el primer caso, o electrones na en el segundo caso.
18.5. Movimiento de electrones y huecos

En este apartado veremos c omo se mueven los portadores libres y contribuyen a la
corriente cuando se aplica un campo electrico al semiconductor. Veremos que podre-
mos asignar a los huecos propiedades de partculas positivas que se desplazan a favor
del campo aplicado. La corriente electrica sera la suma del movimiento ordenado de
los electrones libres mas el de los huecos.
Movimiento t
ermico
Los atomos de cualquier sustancia est an en constante movimiento termico debido a la
energa cinetica que poseen. Las colisiones de los portadores libres con los atomos de
Movimiento de electrones y huecos 227
la red cristalina dan lugar a un movimiento ca otico. El promedio energetico de este

movimiento termico es igual a 3kB T /2. Igualando este valor a la energa cinetica de
la partcula mv 2 /2, podemos encontrar el modulo de la velocidad media vT de este
movimiento caotico,
1/2
3 kB T
vT = . (18.9)
m
Cuando T = 300 K, si asumimos que la masa del portador es igual a la del electr on
en el vaco, resulta vT 105 m/s. Sin embargo, no habr
a desplazamiento neto porque
la direccion de este movimiento es aleatoria.
Movimiento en un campo el
ectrico
En presencia de un campo electrico, los portadores adquieren adem as un movimiento
en la direccion del campo aplicado. Los electrones cargados negativamente tender an
a moverse hacia el electrodo positivo.
Veamos que le ocurre a los huecos. Recordemos que un hueco no es una partcula
real, sino la ausencia de un electr on de enlace. Este hueco puede ser ocupado por un
electron libre, con lo cual desaparecera el par, o por uno de los electrones vecinos que
participan en el enlace, con lo cual el hueco permanecera en la cercana del mismo
atomo, ya que este electron de enlace deja a su vez otro hueco. Debido sin embargo
a la presencia de un campo externo, los electrones de enlace deforman un poco sus

orbitas, y en general ser
a mas probable que los electrones que tiendan a ocupar el
hueco sean aquellos tales que su orbita pase m as cerca, y estos pueden ser de atomos
vecinos. El movimiento de esta sucesion de huecos sera en promedio paralelo al campo.
Podemos describir esta situacion como un s olo hueco que se comporta electricamente
como el electron pero con carga positiva. El resultado de todo esto es un movimiento
dirigido de electrones negativos en un sentido y huecos positivos en el otro, dando la
suma una corriente electrica.
En presencia de un campo electrico E la fuerza electrica que act uasobre un por-
tador es Fe = qE (q = e, dependiendo si es un electr on o un hueco). Adem as las
partculas sufren colisiones con los atomos que componen el cristal debido a la energa
termica que poseen. Despues de cada colision, el portador se puede mover en cualquier
direccion. Esto signica que en valor medio la velocidad de este movimiento ser a cero
justo despues de la colision. En segundo lugar, como las colisiones son tambien aleato-
rias, el tiempo de vuelo libre t del portador tambien sera bastante diferente. Podemos
pues tomar un promedio de este tiempo entre colision y colisi on, que denotaremos
por 0 . El valor medio de la velocidad del portador o velocidad de arrastre se puede
obtener empleando los argumentos de la seccion 7.1 como
e0
va = |E| = |E|. (18.10)
m
El coeciente de proporcionalidad en la ecuacion (18.10) se llama movilidad,
= e0 /m. (18.11)
En la tabla 18.2 podemos ver algunos valores experimentales de este coeciente para
electrones y huecos a temperatura ambiente en distintos tipos de semiconductores.
228 Semiconductores
La proporcionalidad entre la velocidad de arrastre y el campo electrico como

vimos en el captulo 7 se puede escribir como
e
va = |E|, (18.12)
en0
siendo e la conductividad electrica del portador considerado y n0 su n
umero por
unidad de volumen. Las ecuaciones (18.11) y (18.12) implican una relaci on entre
movilidad y conductividad dada por
e = en0 . (18.13)
Mecanismos de colisi
on
Analizaremos ahora con m as detalle el signicado 0 que aparece en la expresion
(18.11). Supongamos que un portador va chocando con los atomos vecinos de la red, de
manera que 0 fuera el tiempo medio que tarda el portador en viajar entre dos vecinos.
Para campos externos moderados, la velocidad pmedia del portador ser a va vT , ya
que la velocidad termica es del orden de 105 m/s. La distancia a0 entre dos vecinos
en el caso de una red de Si vale aproximadamente 5 1010 m. Usando estos datos,
podemos ver que obtendramos un valor 103 m2 /Vs para la movilidad.
Ya que los valores de a0 y vT son aproximadamente iguales para todo s olido,
este valor de la movilidad, suponiendo colisiones entre vecinos, tambien sera un valor
universal para todos los semiconductores. Si miramos la tabla 18.2 y comparamos los
valores experimentales con nuestra prediccion te orica, vemos que los valores experi-
mentales resultan al menos un orden de magnitud mayores.
Se puede pensar en el proceso inverso. Se toman los valores experimentales de
las movilidades, y con ellos se calcula 0 . Entonces se puede estimar la distancia que
el portador debe viajar entre colisi on y colision. Tomemos por ejemplo el valor de
la movilidad de los electrones para el InSb. La distancia recorrida entre colisi on y
colision resulta del orden de 5 106 m. Como la distancia entre atomos de la red
es a0 , esta distancia corresponde a 10000 distancias interatomicas. Esto es realmente
increble, ya que antes de chocar el electr
on pasa 10000 atomos sin colisionar con ellos.
No podramos encontrar explicacion alguna si los portadores fueran partculas
como bolas de billar. Sin embargo, una de la principales ideas de la mec anica cu
antica
es que se puede asociar a cada partcula un comportamiento ondulatorio. Bajo ciertas
condiciones, cualquier tipo de onda se puede propagar sin ser refractada en un medio
que contiene centros de refraccion. La condici on principal es que esos centros esten
colocados en una red peri odica. Cualquier ligera desviacion de este espaciamiento ideal
Semiconductor InSb Ge GaAs GaP

2
n (m /Vs) 8 0,39 1 0,05
p (m2 /Vs) 0,07 0,19 0,04 0,01
Tabla 18.2. Movilidades experimentales de electrones y huecos para distintos semiconduc-

tores a temperatura ambiente T = 300 K.
Movimiento de electrones y huecos 229
(el cambio de distancia entre los centros, la presencia de otro centro con diferentes
propiedades o incluso la ausencia de alguno) provocan la colisi on de la onda. Por
tanto 0 denota el tiempo entre colisiones del portador con cualquier distorsion de
la red ideal del cristal. Se puede aprender mucho sobre las causas de esta distorsion
estudiando la dependencia de la movilidad con la temperatura.
Masa efectiva
Hemos supuesto que la masa del portador entre colisiones es igual a la masa del
electron libre en el vaco. Ahora sabemos que las cosas no son tan simples. En el tiem-
po que transcurre entre dos colisiones, los portadores sienten el campo creado por los
iones y los electrones de valencia, ademas del externo, ya que viajan a traves de mu-
chas distancias interat omicas. Por consiguiente, se puede preguntar si las ecuaciones
derivadas anteriormente tienen sentido.
La respuesta a esta cuestione necesita un tratamiento cuantico. Sin embargo
todo el razonamiento es v alido salvo que en las expresiones donde aparece la masa
del electron en el vaco m, esta se debe sustituir por una masa efectiva m para el
electron o el hueco. Este cambio reeja la inuencia del campo creado por la red sobre
el portador que se mueve por ella. En la tabla 18.3 vemos que los valores son bastante
diferentes de los de la masa del electr on libre, y por ello las movilidades tambien lo
son.
Portadores calientes
Nos queda un u ltimo aspecto a discutir. Hemos asumido que el campo externo era lo
sucientemente debil para no alterar el movimiento termico del portador de manera
signicativa. Pero que ocurre si el campo externo no es debil?
El campo necesario para hacer que la velocidad de arrastre de los electrones va sea
igual a la velocidad termica vT a temperatura ambiente es del orden de 5 105 V/m.
Si el campo aplicado al semiconductor es tan grande que la velocidad de arrastre se
aproxima a la termica, se dice que los portadores estan calientes. En este regimen, su
interaccion con la red es diferente de lo discutido hasta ahora, y el tiempo de colisi
on
0 , la masa efectiva m , y consecuentemente la movilidad empiezan a depender del
campo externo aplicado. Esencialmente, lo que ocurre es que un portador que ha
adquirido tal cantidad de energa entre colision y colisi
on la transere pr
acticamente
totalmente a la red en la colision siguiente. Bajo tales condiciones, tenemos que
1/|E|, va = cte. (18.14)
Semiconductor InSb Ge GaAs GaP

me /m 0,013 0,12 0,07 0,35
mh /m 0,18 0,28 0,45 0,86
Tabla 18.3. Raz on entre la masa efectiva de portadores en diversos semiconductores y la

on en el vaco m = 9,1 1031 kg.
masa del electr
230 Semiconductores
18.6. Difusi
on
El fen
omeno de la difusi on aparece en gases, lquidos y s
olidos. El olor de un perfume
que se derrama en una habitacion llena la casa incluso si las ventanas est an cerradas
y el radiador apagado para que el aire este en reposo. Al nal, acabamos oliendo el
perfume por toda la casa debido al proceso de difusi on. Si uno deja caer una gota de
tinta en un vaso de agua, al nal todo el liquido quedar a coloreado.
Si se recubre la supercie de un semiconductor que no contiene impurezas con una
sustancia que contiene muchas, al cabo de un tiempo se pueden encontrar impurezas
en el semiconductor en regiones bastante alejadas de la supercie de contacto. A
temperatura ambiente, el tiempo para que esto ocurra sera del orden de 10 a nos,
pero si se eleva la temperatura lo suciente, el proceso se reduce a horas e incluso
minutos (este fenomeno se usa para la introducci on de impurezas en semiconductores
desde la supercie del mismo).
Lo com un de los procesos descritos anteriormente es la penetracion espont anea
de una sustancia, sin ser afectada por otros agentes externos, desde una regi on de
mayor concentraci on a una regi
on de menor concentraci on.
Corriente de difusi
on
El proceso de difusi on es una consecuencia directa del movimiento caotico de los

atomos o moleculas. Supongamos que el perfume derramado esta encerrado en una
semiesfera imaginaria con la base en el suelo. Las moleculas del perfume pueden
atravesar esa supercie imaginaria hacia afuera y hacia adentro. Debido a sus choques
con las moleculas del aire, las moleculas del perfume se aproximan a la semiesfera y
la cruzan. Como en el interior hay menos que en el exterior, las moleculas que cruzan
hacia afuera inicialmente son m as que las que cruzan hacia adentro. El promedio es
por tanto una corriente hacia afuera de la semiesfera. Cuando la densidad se iguala
en ambos lados, la corriente se hace cero ya que sale mismo n umero de moleculas que
entra.
Resulta claro que cuento m as grande sea la diferencia de concentracion a ambos
lados, mayor ser a la corriente. Por consiguiente, esta diferencia por unidad de longitud
ser
a proporcional al ujo. Y matem aticamente, cuando nuestra semiesfera se hace
peque na, esto se expresa como la derivada espacial de la densidad. Podemos as escribir
para el ujo de corriente
dn
JD = D , (18.15)
dx
donde el signo menos se debe a que la corriente va de la regi
on de mayor concentraci
on
a la de menor. El coeciente de proporcionalidad D se llama coeciente de difusi on.
Volvamos a los semiconductores. Asumamos que una regi on de un semiconductor
posee una mayor densidad de portadores que otra. Esto puede pasar si por ejemplo
cierta parte del mismo es calentada o iluminada. Entonces, como ya hemos discutido,
los portadores se moveran por difusion de esta region a la de menor concentracion.
Pero este movimiento de portadores da lugar a una corriente electrica que vale
dn
jD = qJD = qD . (18.16)
dx
Difusi
on 231
Cuando se calcula la corriente de difusi on jD , se debe tener en cuenta la carga de los

portadores que se estan estudiando. En el caso de electrones q = e y el sentido de
la corriente de difusi
on es hacia la regi on de mayor densidad. En el caso de huecos
q = e y la corriente sera hacia las regiones de menor concentraci on.
La corriente de difusion es una corriente real, igual que la debida a la presencia de
un campo electrico externo que ya estudi abamos anteriormente: es un movimiento neto
ordenado y produce disipaci on de energa debido al efecto Joule, causa la deexi on
de una aguja imantada, etc. Para calcular esta corriente, es necesario conocer los
on de electrones Dn y de huecos Dp .
coecientes de difusi
Coeciente de difusi
on
Veamos de que cantidades microscopicas depender a el coeciente de difusi
on emplean-
do an alisis dimensional. En primer lugar, es natural suponer que dependa del camino
libre l entre colision y colision. Sabemos que si no sufriese colisiones, una molecula con
velocidad inicial vT llegara a la pared de la habitaci on en un tiempo menor al que
lo hace. De que otro par ametro podemos pensar que depende? Pues del tiempo que
tarda entre colision y colision, o si queremos, de la velocidad termica, ya que podemos
expresar el tiempo entre colisiones en funcion de vT y l.
La dimensi on del camino entre colisiones viene dada por [l] = L, y la de la
velocidad es [vT ] = L T1 . Es f acil ver que para obtener la dimensi on correcta del
coeciente de difusi on se deben multiplicar las dos cantidades. Si se calcula de forma
rigurosa el coeciente de difusi on empleando mec anica estadstica, se obtiene
1
D= l vT . (18.17)
3
Existe una relacion bastante simple entre el coeciente de difusion de cualquier tipo
de partcula y su movilidad. Se puede escribir la ecuaci
on (18.17) como
1
D= 0 vT 2 . (18.18)
3
Sustituyendo el valor de la velocidad termica en la expresion (18.9) y usando la ecua-
cion (18.11), se obtiene
kB T
D= . (18.19)
q
Se puede generalizar esta relacion entre la difusi on y la movilidad a partculas no
cargadas moviendose en un campo gravitatorio. Esto es una consecuencia de que
cualquier movimiento ordenado de partculas (debido al campo externo o a la difusi on)
esta afectado por las colisiones aleatorias entre ellas, como predijo Einstein.
Longitud de difusi
on
Vamos a discutir a continuaci on cual sera la velocidad de difusi
on, o lo que es lo
mismo, el tiempo requerido para recorrer una distancia por difusi on. Usaremos
primero el metodo dimensional como antes. Teniendo en cuenta que la respuesta debe
de depender de la distancia y del par
ametro que representaba el movimiento ca otico
232 Semiconductores
D, la combinacion de estos parametros para obtener un valor con dimensi

on de tiempo
nos da la siguiente relaci
on,

t 2 /D o Dt. (18.20)
La distancia resulta proporcional a la raz cuadrada del tiempo. Por tanto, a primera
vista parece que la difusion es un proceso lento. Sin embargo, hagamos una estimaci on
numerica para el GaAs. El tama no de los dispositivos semiconductores es a menudo
del orden de micras (106 m) o incluso menos. El tiempo que tardar a un electr
on
a temperatura ambiente en cubrir esa distancia es del orden de 4 1011 s (ver
Ejercicios). Es por ello que los procesos de difusion juegan un papel muy importante.
Existe otra manera de reobtener el resultado (18.20) que se conoce como el camino
del borracho. Una persona con alguna copa de m as sale de una bar y empieza a andar.
El camino que describe es bastante aleatorio, en zigzag, y la direccion de cada paso
bastante impredecible. El problema que se plantea es el de saber lo lejos que se
encontrar a del bar despues de haber dado N pasos, siendo de longitud l cada paso.
Este problema de camino aleatorio sirve para el caso d una molecula que colisiona
con otras moleculas, y entre colision y colision recorre una distancia l.
Resolvamos este problema en dos dimensiones (su generalizacion a m as dimensio-
nes se sigue facilmente). Supongamos que elegimos un sistema de referencia cartesiano,
con dos ejes perpendiculares x e y. Cada paso 1, 2, 3, ...i, ..., N lo descompondremos en
sus proyecciones sobre esos ejes denot andolas por xi y yi respectivamente. Estas
proyecciones, debido a la aleatoriedad del camino, pueden tener cualquier valor entre
l y l, cumpliendose necesariamente x2i + yi2 = l2 . El valor del cuadrado de la
distancia 2N despues de N pasos aleatorios sera
2N = (x1 + x2 + x3 + ...xi + ...xN )2

+(y1 + y2 + y3 + ...yi + ...yN )2 . (18.21)
Desarrollando esta expresion, se obtiene
2N = x21 + x22 + ... + y12 + y22 + ... +

+2x1 x2 + 2x1 xN + ... +
+2y2 y3 + 2y1 yN . (18.22)
Debido a la aleatoriedad, cada paso puede resultar en un xi positivo o negativo,

y lo mismo para yi . De esta manera, cuando se ha dado un n umero grande de
pasos, la suma de los productos dobles se hace cero. Por otro lado, cada par de la
suma de cuadrados x2i + yi2 es igual a l2 como apunt abamos anteriormente. Por
consiguiente, despues de un n
umero N grande de pasos, tenemos

2N = N l2 o N = l N . (18.23)
El numero de pasos de la molecula se puede estimar como el tiempo total dividi-

do entre el tiempo medio entre colisiones N t/0 . La longitud del camino entre
colisiones es l = vT 0 , y si se emplea la expresi
on (18.18), se reobtiene la relaci
on
(18.20).
Ejercicios 233
18.7. Ejercicios
1. Suponiendo que el valor del m odulo del campo electrico que mantiene unido a
los electrones en el Si se puede estimar usando la ley de Coulomb, con una carga
positiva q = 4e a una distancia a0 = 0,54 nm, demostrar que este campo es
|E| 2 1010 V/m. Con este valor, calcular la anchura de la banda prohibida
del Si dada por Eg = a0 e|E|.
Solucion: Eg 5 eV.
2. Deducir la expresi on (18.5) a partir de las ecuaciones (18.2) y (18.3).
3. Calcular cu anto vale la constante caracterstica N que aparece en la expresion
(18.5) para los semiconductores de la tabla 18.1 y obtener el valor de ni para
esos semiconductores a 100 C.
Solucion: N = 3,5056 1017 , 2,7551 1019 , 8,4979 1018 , 1,8246 1019 (cm3 ),
ni = 2,4799 1016 , 3,6997 1014 , 2,8578 109 , 4,9880 103 (cm3 ).
4. Suponer que la densidad de un cristal es de 1022 atomos por cm3 y que se trata
de una sustancia absolutamente pura, es decir, con un 0.001 % de impurezas.
Cu antos atomos intrnsecos habr a por cada atomo de impureza? Calcular la
concentracion de impurezas por cm3 .
Solucion: 105 atomos intrnsecos/atomos de impurezas, 1017 impurezas/cm3 .

5. Suponer que a 25 C la concentraci on de portadores intrnsecos para un semicon-
ductor de Si es de 1,51016 electrones y huecos por m3 . Se dopa el semiconductor
con impurezas donadoras siendo su densidad Nd = 1023 m3 . A esta tempera-
tura se puede suponer que todas las impurezas se hallan ionizadas. Calcular la
densidad de huecos en el equilibrio.
Solucion: pd = 2,25 109 m3 .
6. Suponer que en un cristal los electrones se mueven como partculas clasicas a
velocidades del orden de 105 m/s. Si la constante de red del cristal es a0 =
5 1010 m, estimar el valor de la movilidad del electron.
Solucion: 103 m2 /Vs.
7. A partir del valor experimental dado en la tabla 18.2 para el InSb, calcular
la distancia recorrida por el electr on entre colision y colision. Comparar este
resultado con la constante de red del problema anterior.
Solucion: l 5 106 m, l/a0 104 .
8. Estimar los campos electricos necesarios para hacer que los portadores negativos
en InSb y en Ge se muevan a la velocidad vT 105 m/s. Los valores de las
movilidades se pueden ver en la tabla 18.2.
Solucion: Para el InSb, |E| 1,2 104 V/m; para el Ge, |E| 2,5 105 V/m.
9. Demostrar las expresiones (18.18) y (18.19).
10. Usar el valor dado en la tabla 18.2 para obtener el coeciente de difusion electroni-
ca del GaAs. Estimar el tiempo que tarda el electr on en cubrir una distancia de
106 m, del orden del tama no del dispositivo.
Solucion: 4 1011 s.
Captulo 19
Barreras y Uniones
19.1. La barrera del borde

El conocimiento de las propiedades de volumen en los semiconductores no es suciente
para comprender el funcionamiento de diodos y transistores. En el funcionamiento de
estos dispositivos, los efectos que se producen en los bordes o supercies juegan un
papel fundamental. Empezaremos estudiando las propiedades que aparecen en las
supercies en contacto con el medio que rodea al semiconductor.
Supongamos que tenemos una pieza de semiconductor o de metal. Existe un
cierto n
umero de electrones libres en su interior (en el caso de un metal, tendramos
alrededor de 1022 electrones por centmetro c ubico) y por otro lado, pr acticamente
no hay electrones libres en el aire. Debido a la diferencia de concentraciones, debera
haber un ujo de electrones del material al aire y, al igual que un frasco de perfume
se evapora al dejarlo abierto, nuestro semiconductor debera tambien evaporarse por
difusi
on.
Se puede estimar el tiempo en que tardara un electr on en dejar el cristal como el
tiempo de difusi on t L2 /D seg
on del electr un la expresion (18.20). Para el oro (Au),
con un coeciente de difusi on de 0,80 cm2 /s a una temperatura ambiente de unos 300
K, los electrones de conducci on en una pieza de 1 cm de ancho tardaran 1,2 s en
desaparecer. Es un hecho que esta evaporaci on no tiene lugar tan rapidamente. Debe
existir por tanto una fuerza F cercana al borde que se oponga a que los electrones
abandonen el cristal, y que no existe en el interior del mismo ni afuera.
Funci
on trabajo
Supongamos que un electr on en el interior del cristal se aproxima al borde con una
energa cinetica que llamaremos Ep . Tan pronto como se acerca a la region en donde
la fuerza en el borde F empieza a actuar, el electr on empieza a perder energa cinetica
al moverse contra esta fuerza y entrar en una regi on de mayor potencial.
A mayor energa cinetica, el electron recorrera una mayor distancia x. Si tena
suciente energa cinetica, sera capaz de cruzar toda la regi
on en la que la fuerza act
ua
y escapar del cristal. La energa cinetica mnima que debe tener el electr on para que
esto ocurra se llama funci on trabajo y se designa por . La funci on trabajo es igual
a la diferencia entre la energa que tiene el electron en el exterior en reposo, y la que
tiene en reposo en el cristal, como se puede ver en la gura 19.1.
235
236 Barreras y Uniones
exterior cristal
E
Ep >
Ep <
x x
Figura 19.1. La barrera en la frontera del cristal. Si un electr

on posee suciente energa
Ep > , entonces es capaz de abandonar el cristal superando la barrera energetica represen-
tada por la funci
on trabajo .
exterior cristal
Q Q
x x
Figura 19.2. Capa dipolar en la frontera vaco-material. Si se ignora la distribuci

on de la
carga dentro de la capa dipolar, se puede aproximar la accion de esta capa como la de un
condensador.
Los primeros intentos para explicar el origen de esta barrera de potencial se deben
a Shottky y Langimur. La idea era bastante simple: tan pronto como un electr on
deja el cristal, este queda cargado positivamente, y por tanto tiende a ejercer una
fuerza de atracci on sobre los pr
oximos electrones que intentan escapar. Sin embargo,
el mecanismo que evita que los electrones escapen no es tan simple.
La mayora de los electrones no posee suciente energa cinetica para superar
la barrera de potencial en el borde y dejar el cristal. Pero debido al choque de los
electrones con la barrera, en cada momento existe una nube de carga negativa mas
all
a del contorno del cristal, mientras que dentro existe una carga positiva no com-
pensada. Se forma as una capa doble cargada seg un muestra la gura 19.2, llamada
capa dipolar, que tiende a evitar que el electron se escape.
En conjunto, la capa dipolar es neutra, es decir, la carga negativa en ella es igual a
la positiva. Un electron fuera de ella no se ver
a ni atrado ni repelido. Por el contrario,
un electron dentro de la capa se ver a repelido por la carga negativa y atrado por la
positiva. Como aproximaci on, ignorando la distribuci on de la carga dentro de la capa,
se puede considerar la acci on de la capa dipolar como la de un condensador.
Efecto fotoel
ectrico
El estudio de los fen
omenos asociados a la supercie de los cristales es muy complejo.
No se conocen todos los mecanismos que intervienen en ellos y en muchos materiales
no es posible calcular la funci
on trabajo. Sin embargo, el que no podamos calcular
La barrera del borde 237
algo no signica que no podamos medirlo. Veamos un metodo para medir la funci on
trabajo.
Si se dirige luz de longitud de onda (o color) apropiada hacia la supercie de un
metal o semiconductor, se produce una corriente debida a que los electrones empiezan
a escapar de la supercie. A mayor energa Eph de los fotones (que son las partculas
o cuantos que componen la luz), mayor velocidad de los electrones que salen de la
supercie. Este efecto fue descubierto en 1887 por Hertz y explicado en 1905 por
Einstein.
La energa del foton es absorbida por los electrones. Esa energa la emplean los
electrones en superar la barrera dada por la funci on trabajo y el resto se transforma
en energa cinetica, de modo que
mv 2
Eph = + . (19.1)
2
Si la longitud de onda aumenta, la energa Eph disminuye, y nalmente, para una
cierta energa crtica, los electrones no son capaces de dejar el cristal (v = 0). El
efecto fotoelectrico extrnseco desaparece. Esa energa crtica es evidentemente igual
a la funci
on trabajo .
Par
ametros principales
Hemos visto que aparece una barrera de potencial debida a los efectos de separacion
de carga que tienen lugar en la frontera del material. Los par ametros que caracterizan
a esta barrera son su altura, caracterizada por la funci on trabajo , su anchura, que
llamaremos X, y el campo electrico E dentro de la barrera, responsable de la fuerza
que act ua sobre los electrones. Estos par ametros son los mismos que se usan para
describir cualquier barrera energetica.
De la funcion trabajo ya hemos hablado anteriormente. Para semiconductores
y solidos en general, la altura oscila en un rango de fracciones decimales de eV a
varios eV.
Para determinar la anchura de la barrera y los valores caractersticos del campo
dentro de ella notemos primero que estos parametros estan relacionados. Si la anchura
de la barrera es X, sabemos que la cada de potencial ser a V |E|X, y que = qV .
As, para un valor de dado, el campo sera proporcional a 1/X.
Veamos como penetra el campo electrico en el interior de un semiconductor. Si
ponemos un semiconductor entre las placas de un condensador, al igual que en un
dielectrico aparecera en la supercie una carga debida a la polarizaci on. Por lo tanto,
la intensidad del campo en la frontera con el vaco o aire sera r veces mas peque
na que
en el vaco, siendo r la permitividad relativa del semiconductor. Por otro lado, en un
semiconductor, al igual que en un conductor, existe carga libre capaz de distribuirse
libremente y apantallar el campo electrico que ha penetrado en el semiconductor.
En un semiconductor tipo n, hemos visto que cuando la temperatura es su-
cientemente grande, hay una concentraci on de electrones en equilibrio n0 igual a la
concentracion de las impurezas donantes Nd que quedan cargadas positivamente al
perderlos. Mientras no existe campo externo, en cualquier elemento de volumen el
numero de iones positivos (donantes) es igual al n umero de electrones. Por tanto el
semiconductor es electricamente neutro. Ahora bien, si lo introducimos en un campo
exterior cristal
E
Em
x
0 X
Figura 19.3. Formaci on de la barrera de potencial. Se puede observar la regi
on de agota-
miento y la regi
on de electroneutralidad.
externo, estos electrones, al igual que ocurre en el caso de un metal, se moveran hacia
la parte positiva del campo, dejando detras una capa de donantes positivamente carga-
dos. La diferencia con un metal es que la concentraci on de portadores libres es mucho
menor, as que los electrones deben moverse una distancia mayor para apantallar el
campo.
En la gura 19.3 podemos ver una regi on de un semiconductor tipo n en la que
los electrones han migrado y que ha quedado cargada positivamente. Esa regi on de
anchura X sin portadores libres se llama regi on de agotamiento. Tomemos dentro de
la regi
on de agotamiento una secci on de anchura x y supongamos una densidad
volumetrica de carga uniforme igual a . Aplicando el teorema de Gauss, esta seccion
produce un campo electrico E igual a
x
|E | = , (19.2)
2r 0
A la derecha de esta seccion, el campo que crea apunta en sentido creciente de las
x. A la izquierda hacia las x negativas, y por consiguiente el cambio en el valor del
campo eletrico al atravesar esta regi
on es
x
|E| = 2|E | = . (19.3)
r 0
En el lmite x 0, en una dimensi
on, podemos escribir la expresion (19.3) como
dE
= . (19.4)
dx r 0
Esta expresion se llama ecuaci
on de Poisson.
a = eNd . Si adem
Para el semiconductor tipo n, la densidad de carga ser as
suponemos que el dopaje de nuestro semiconductor es homogeneo, es decir, el valor
de Nd es el mismo en todas partes, entonces podemos ver que la pendiente de la
Uniones p-n 239
As B
As B B
As B
Si
As
Figura 19.4. Union p-n sobre un sustrato de Si. A la derecha del cristal, se introducen
impurezas aceptoras (B). A la izquierda, impurezas donadoras (As).
gura 19.3 es constante. Si el campo tiene un valor m aximo Em en la supercie y

decrece linealmente en el interior del semiconductor, como vemos en la gura 19.3,
podemos escribir la pendiente como
dE Em
= . (19.5)
dx X
Intregrando esta ecuacion, se puede calcular la cada de potencial en esta region y
resulta V = 12 Em X, que es el area encerrada por la recta de la gura 19.3. Empleando
la expresion (19.4) se obtiene
1/2 1/2
2r 0 V 2r 0
X= = , (19.6)
eNd e2 Nd
as como el valor maximo del campo electrico,

1/2 1/2
2eNd V 2Nd
Em = = . (19.7)
r 0 r 0
En resumen, la anchura de la barrera de potencial en un semiconductor est a deter-

minada por el nivel de dopaje. Dada la altura de la barrera = e V , su anchura es
inversamente proporcional a la raz cuadrada de la concentraci
on de impurezas. Para
semiconductores debilmente dopados esta anchura puede tener el tama no de miles de
capas atomicas (decenas de micras), mientras que para semiconductores fuertemente
dopados puede ser de solo unas pocas capas atomicas (milesimas de micras).
19.2. Uniones p-n

Si un cristal semiconductor se dopa de manera que una parte sea tipo p y la otra tipo
n, se forma una union p-n como puede verse en la gura 19.4. La frontera entre esas
dos regiones posee propiedades especcas que estudiaremos.
Para obtener una uni on p-n no se puede coger un semiconductor tipo p, otro
semiconductor tipo n, y pegarlos. Una condici on esencial es que la red cristalina del
semiconductor se distorsione lo menos posible, ya que si no se alteraran las propieda-
des de conduccion en la uni
on. Durante mucho tiempo los especialistas han intentado
obtener uniones lo m as perfectas posibles. La idea para crear el tipo de uni on que
queremos es la siguiente: se toma un cristal tipo n o p y se introducen impurezas

del tipo contrario. En la parte del cristal en donde se han introducido las nuevas
impurezas el tipo de conductividad (por electrones o huecos) cambia. Esto se llama
sobrecompensacion de la impureza inicial. La uni on p-n aparece en la frontera entre la
region en donde el tipo de conductividad ha cambiado y la regi on en la que permanece
igual.
Una manera de introducir impurezas es creando aleaciones. Un disco de In se
pone sobre la supercie de un cristal de Ge, que es de tipo n. El conjunto se calien-
ta lentamente hasta alcanzar la temperatura a la que el In se funde (unos 156 C).
Cuando la temperatura de la gota de In lquido sigue aumentando, la forma de la
gota cambia y se extiende sobre la supercie a una temperatura de unos 500 C. El Ge
cristalino se disuelve en In lquido a una temperatura menor de 500 C. La disoluci on
contin ua hasta que se satura y ya no se disuelve m as Ge en In. Entonces, al bajar
la temperatura, parte del Ge precipita de la disoluci on recristalizando sobre el sus-
trato de Ge que no ha sido disuelto, enriquecido con atomos de In que act uan como
impurezas aceptoras.
Otro metodo hace uso del proceso de difusi on. Un cristal semiconductor se pone
en contacto con un gas con alta concentraci on de atomos que actuaran como donantes
o aceptores en el cristal. Como ya sabemos, en la supercie del cristal la red tiene la
mitad de los enlaces rotos, con lo cual las impurezas gaseosas son facilmente captura-
das por la supercie. Los atomos capturados empiezan un proceso de difusi on hacia
el interior del semiconductor. En un cristal ideal, a cero absoluto de temperatura, no
sera posible este movimiento atomico de difusi on. Sin embargo, no existen cristales
perfectos, ya que siempre existen defectos en el cristal y las oscilaciones termicas de
la red hacen que los iones salten y ocupen lugares vacos de la misma. La distancia a
la que llega la impureza hacia el interior depende del coeciente de difusi on, que a su
vez se puede controlar variando la temperatura. De esta manera se forma una uni on
p-n entre la region a la que no ha llegado la impureza y la regi on a la cual s lo ha
hecho.
La barrera de la uni
on
Como consecuencia de la diferencia entre el tipo de impurezas en las dos regiones de la

union p-n, aparece una barrera de energa. En condiciones normales, el semiconductor
tipo p contiene huecos cargados positivamente, y el tipo n contiene electrones. Al
unirlos, una corriente de difusi on de huecos tendra lugar desde la region de tipo p
hacia la regi
on de tipo n, y una corriente de difusi
on electronica en sentido contrario
(es por esto la importancia de que la red cristalina se deforme lo menos posible al
crear la uni
on). En una capa del semiconductor p cercana a la frontera aparecer a una
carga neta negativa, mientras que a consecuencia de la migracion de electrones, en el
semiconductor tipo n aparecera una zona con carga neta positiva. Es claro entonces
que cerca de la uni on p-n aparecera una capa doble de carga, negativa en la region p
y positiva en la regi
on n. Esto frena que mas huecos emigren a la regi
on n y electrones
a la regi
on p, lleg
andose a un equilibrio y cre
andose una barrera de potencial para los
portadores libres.
En la gura 19.5 se muestra el diagrama de bandas de una uni on p-n. Podemos
ver que para que los electrones de la banda de conducci on en la region tipo n puedan
Uniones p-n 241
p n
EC
pn
EC
EV
pn
EV
X
Figura 19.5. Formaci on de la barrera de potencial en una union p-n. La presencia de una
capa dipolar es equivalente a la existencia de una barrera energetica como las que aparecen
en el contorno del cristal. Los electrones de la capa de conduccion en la regi
on n (crculos
negros) tienen que superar esa barrera para pasar a la otra parte, mientras que los huecos
en la capa de valencia (crculos blancos) tienen que bajarla.
pasar a la regi
on tipo p, deben de superar una barrera de altura pn . Los huecos de la
regi
on p, situados en la capa de valencia, deben superar la misma barrera para pasar
de la regi
on p a la n. En este caso, gracamente sera bajar la barrera, ya que los
huecos tienen carga positiva. El valor de la altura de la barrera viene dado por
pn p n Eg . (19.8)
Puede entenderse esta aproximaci on de la siguiente manera. Un electr on en un semi-

conductor tipo p debe de superar una barrera de altura p para escapar del cristal.
En un semiconductor tipo n debera de saltar una altura n menor. Por tanto, para
pasar de una region tipo n a una tipo p, la barrera de potencial pn que debe superar
ser
a cercana a la diferencia de energas para escapar del cristal en cada regi
on.
La anchura de la barrera
Para uniones p-n en Ge, la altura tpica de la barrera es del orden de 0,7 eV, en Si de
1,2 eV, y en GaAs de 1,4 eV. Normalmente los electrones en la banda de conduccion
tienen una energa del orden de kB T y a temperatura ambienten esto equivale a 0,026
eV. Esta claro que la barrera que ven estos electrones es muy grande. Por consiguiente
la regi
on de la barrera es una region pr
acticamente vaca de portadores (electrones y
huecos) y es por ello que tiene sentido el nombre de regi on de agotamiento.
La region de agotamiento se extiende de manera desigual por la parte tipo n
y por la parte tipo p. Para la parte p de la regi on de agotamiento la densidad de
carga es = eNa , mientras que para la parte n es = eNd . Empleando los mismos
argumentos que llevan a la expresion (19.6), la anchura total de la barrera se puede
aproximar por
1/2 1/2
2r 0 pn 2r 0 pn
X = Xp + Xn = + . (19.9)
e2 Na e2 Nd
19.3. Diodos
Un diodo no es m as que un dispositivo semiconductor con una uni on p-n asimetrica,
en donde la concentraci on de impurezas Na en la regi on p es normalmente mucho
menor que la concentraci on de impurezas Nd en la regi on n. Consta pues de tres
regiones: la regi
on p, la regi
on n y la regi
on de la barrera entre ellas.
Si intentamos medir alguna corriente electrica conectando las regiones p y n a los
terminales de un ampermetro el resultado ser a nulo. En equilibrio, no puede existir
ningun transporte neto de carga a traves del diodo, ya que no se puede obtener energa
gratuitamente (en los cables que se conectan al ampermetro, si hubiera corriente,
estaramos disipando energa en forma de calor). Debido a la barrera aparece un
campo electrico que cancela la corriente de difusi on de portadores.
En el caso de la uni on existe ademas otro equilibrio. Se trata de la corriente de
saturacion js debida a los pocos portadores minoritarios. Los electrones en la banda
de conducci on en la regi
on p y los huecos en la banda de valencia en la regi on n, tan
pronto como alcanzan la region de la barrera se ven favorecidos por el campo electrico
a cruzarla. Esta corriente se ve compensada con la debida a los portadores calientes
que poseen suciente energa termica para cruzar la barrera en la otra direcci on.
19.4. Polarizaci
on inversa de un diodo
Veamos que ocurre cuando se conecta el diodo a una fuente capaz de mantener una
diferencia de potencial U0 . En relaci on con esta fuente, las tres regiones del diodo
estan conectadas en serie y se quiere conocer c omo se distribuye el voltaje aplicado
entre esas regiones.
Si conectamos la region p del diodo al polo negativo de la fuente, y la regi on
n al polo positivo como podemos ver en la gura 19.6, tenemos lo que se llama el
diodo conectado en polarizaci on inversa. La region de la barrera est
a pr
acticamente
vaca de portadores, con lo cual sera la regi
on de maxima resistencia y por lo tanto
el potencial aplicado U0 cae principalmente en esta regi on. Debido a que la direcci
on
del campo externo E0 aplicado coincide con la del campo dentro de la uni on E, el
voltaje de la fuente se a on Upn = pn /e. Como resultado, la
nade al voltaje de la uni
altura energetica de la barrera se hace igual a pn + eU0 .
Podemos ademas calcular la anchura de la barrera y el campo m aximo en ella. Si
suponemos que la barrera es muy asimetrica, podemos escribir usando las expresiones
(19.6) y (19.7),
1/2
2r 0 (Upn + U0 )
X Xn , (19.10)
eNd
1/2
2eNd (Upn + U0 )
Em = . (19.11)
r 0
Curva caracterstica
En la gura 19.7 podemos ver la curva caracterstica de un diodo polarizado inversa-
mente. En ella se representa la intensidad frente al voltaje de polarizacion. La primera
cosa que llama la atencion es la corriente de saturaci
on. Si tuvieramos una resistencia,
Polarizaci
on inversa de un diodo 243
EC p n
p n
eU0
pn I
EV U0
eU0 EC
pn EV
X
Figura 19.6. Diagrama de bandas para un diodo polarizado inversamente. Las lneas discon-
tinuas representan el caso sin voltaje aplicado, las continuas el caso de polarizaci
on inversa
mediante un voltaje U0 . La altura de la barrera aumenta la cantidad eU0 .
A I
2 Is
1
Ui U0
0
5 10 15 V
Figura 19.7. Curva caracterstica de corriente-voltaje de un diodo inversamente polarizado.
la curva caracterstica intensidad-voltaje sera una lnea recta. Sin embargo, en pola-
rizaci on inversa, con un voltaje tan pequeno como unos pocos decimales de voltio, la
corriente deja de ser dependiente del voltaje aplicado e igual a la corriente de satura-
cion. En ausencia de potencial externo, la corriente de saturaci on se compensa por la
corriente de portadores calientes, que al tener suciente energa termica son capaces
de saltar la barrera de potencial hacia el otro lado. Al a nadir una altura extra a la
barrera, estos portadores son incapaces de saltarla, con lo cual resulta una corriente
en un sentido no compensada por otra en sentido contrario. Esta corriente depende de
los portadores minoritarios y recordando la expresi on (18.8) resulta Is proporcional
a n2i .
Existe un valor maximo del campo electrico que puede soportar una uni on que
denotaremos por |Ei |. Si se sobrepasa, los electrones y huecos son capaces de adquirir
tanta energa que al colisionar con los atomos de la red generan nuevos electrones y
huecos produciendose una avalancha de portadores. Este proceso recibe el nombre de
ionizaci on por impacto. Para diodos de Si o GaAs, el valor m aximo del campo que
pueden soportar es del orden de 105 V/cm. Aunque este valor es constante para
un tipo dado de semiconductor, el valor de lo que se denomina voltaje de ruptura Ui

depende del nivel de dopaje. Si hacemos Em = |Ei | en la ecuacion (19.11), se obtiene
r 0 |Ei |2
Ui . (19.12)
2eNd
Existe otro proceso que da lugar a la llamada ruptura Zener. Si el campo electrico
en la barrera llega a ser sucientemente grande, puede liberar electrones de valencia,
produciendose entonces un ujo masivo de portadores minoritarios. Estos procesos
explican el aumento de la corriente al nal de la curva de la gura 19.7.
Los diodos Zener estan disenados para funcionar a voltajes mayores Ui . Estos
diodos son muy u tiles como reguladores de potencia, ya que el voltaje se hace inde-
pendiente de la corriente que circula por ellos.
Reactancia capacitiva
Cuando al voltaje de polarizacion inversa U0 le a
nadimos un voltaje alterno V (t) =
V1 cos(t), tal que V1 U0 , la union p-n se comporta como un condensador. La
reactancia capacitiva de la uni
on p-n se dene como la de cualquier condensador, es
decir Zc = 1/iC, siendo C la capacidad de la uni on. Podemos emplear la formula
para la capacidad de un condensador plano y estimar el valor de C como
r 0 A
C= , (19.13)
X
donde A es el area de la union y X la anchura de la barrera.
Si consideramos una uni on que ha sido polarizada inversamente, la altura de
la barrera aumenta durante medio semiperiodo del voltaje alterno, la anchura de la
misma se hace mayor, y por tanto portadores libres que antes ocupaban esa regi on son
expulsados de ella. Por el contrario, en el siguiente semiperiodo la altura de la barrera
disminuye, la anchura se hace menor, y los portadores libres del resto del circuito
ocupan parte de la regi on que se encontraba vaca de ellos cuando el potencial era
U0 . As la uni
on p-n es capaz de almacenar carga y de devolverla, permitiendo la
circulacion de corriente alterna por el circuito al que se conecte.
Es importante notar que la capacidad de la uni on depende de la anchura de la
barrera, y por tanto del voltaje aplicado. Los condensadores cuya capacidad depende
del voltaje aplicado reciben el nombre de condensadores no lineales. As la uni on
p-n se comporta como un condensador no lineal. Esta propiedad es u til en algunas
aplicaciones pero limita la operaci on de los diodos a altas frecuencias. Un ejemplo
son los circuitos de microondas en donde este comportamiento no es deseable. Una
manera de hacer la capacidad de la barrera lo menor posible es reducir su area, y es
este uno de los motivos de reducir el tama no de los diodos.
19.5. Polarizaci
on directa
En la gura 19.8 se muestra un diodo polarizado directamente. El terminal positivo
de la fuente se conecta a la region p del diodo, mientras que el terminal negativo
on n. En este caso, el campo E0 debido al voltaje externo U0 tiene sentido
a la regi
contrario al del campo en la barrera.
Polarizaci
on directa 245
p n
eU0 p n
pn
EC
I
U0
pn eU0 EC
EV
EV
X
Figura 19.8. Diagrama de bandas para un diodo polarizado directamente. Las lneas discon-
tinuas representan el caso sin voltaje aplicado, las continuas el caso de polarizaci
on directa
mediante un voltaje U0 . La altura de la barrera disminuye la cantidad eU0 .
La altura energetica de la barrera disminuye en este caso a pn eU0 como pode-

mos ver en la gura 19.8. Al introducir los diodos se ha visto que existe un equilibrio
de corriente hacia un lado y otro de la barrera que hace que el transporte neto de
carga sea nulo. Al disminuir la altura de la barrera rompemos este equilibrio. Ahora
existen mas electrones en la region n capaces ser inyectados en la regi on p debido a
que tienen suciente energa termica para ello. La concentraci on de tales electrones
viene dada por n1 N0 exp[(pn eU0 )/kB T ]. En el equilibrio, el n umero de elec-
trones que eran capaces de saltar la barrera vena dado por ns N0 exp(pn /kB T ).
Ahora existe ahora un ujo de electrones no compensado proporcional a la diferencia
n1 ns . El mismo razonamiento vale para los huecos.
Sigamos con un poco m as de detalle el destino de los portadores minoritarios
responsables de la corriente al polarizar directamente un diodo. A consecuencia de
que la barrera se hace menor, electrones de la region n se inyectan en la regi on p, y
huecos de la region p pasan a la regi on n. En los diodos, las regiones n y p suelen ser
asimetricas (ver Ejercicios). Por consiguiente la cantidad de portadores que pueden ser
inyectados por la regi on altamente dopada es mucho mayor que la cantidad inyectada
desde la region debilmente dopada. Esto es por lo que una regi on altamente dopada
de un diodo recibe el nombre de emisor y una regi on debilmente dopada el de base.
En polarizaci on inversa es la regi
on menos dopada la que determina la anchura de
la barrera segun la expresion (19.10). Supongamos que se trata de la regi on n. Si ahora
aplicamos polarizaci on directa, habra una inyecci
on masiva de huecos desde el emisor
a la regi
on n o base. Esos huecos se aniquilan cuando se difunden por la regi on de la
base con los electrones que provienen de la fuente externa U0 . En cada instante de
tiempo, la fuente externa introduce a traves de la base el mismo n umero de electrones
que huecos llegan a ella. Al mismo tiempo, para mantener el estado estacionario del
emisor, el mismo n umero de electrones sale del emisor hacia el polo positivo de la
fuente externa a traves del otro contacto metalico, dejando en el emisor el mismo
numero de huecos que haba inicialmente. Esta es la manera en que la corriente uye
A I
0.5
0.25
U0
0
0.1 0.2 V
Figura 19.9. Curva caracterstica de corriente-voltaje de un diodo directamente polarizado.
a traves de un diodo polarizado directamente.
Curva caracterstica
Con todo lo discutido vemos que, para un diodo polarizado directamente existe una
densidad de corriente electronica proporcional a la diferencia n1 ns dada por
jn n1 ns = N0 exp[(pn eU0 )/kB T ] N0 exp(pn /kB T ), (19.14)
siendo N0 una constante que depende de la concentraci on de impurezas. Los huecos

dan lugar a una contribuci on de la misma forma, con lo que la densidad de corriente
total que circula por el circuito sera la suma de ambas
j = jp + jn = js [exp(eU0 /kB T ) 1], (19.15)
donde js es una constante que depende de Np , Ne y pn . En la gura 19.9 podemos

ver la curva caracterstica de un diodo polarizado directamente. En ella se representa
la intensidad frente al voltaje de polarizacion y se puede observar efectivamente un
crecimiento exponencial de la corriente con el voltaje aplicado.
La expresion (19.15) vale tambien para el caso de polarizacion inversa conside-
rando que en este caso el voltaje aplicado es negativo. En polarizaci on directa, el
voltaje U0 se debe tomar con signo positivo, pero cuando la polarizaci on es inversa,
el voltaje cambia de signo y la corriente se satura a j = js para valores de U0 igual
a varias veces kB T /e.
El valor mnimo de la barrera

Al polarizar un diodo directamente la barrera de potencial disminuya. Para el Si
por ejemplo, con U0 1,1V , la altura de la barrera se hace cero. Que pasar a si se
aumenta este valor de U0 ? Se producir a una barrera de altura negativa? Veamos que
la respuesta es no.
Al empezar a hablar de la polarizaci on de los diodos distinguamos tres regiones
conectadas en serie: la region tipo n, la uni
on y la regi
on tipo p. Cada regi on presenta
una resistencia diferente. Se ha supuesto en toda la discusi on anterior que la diferencia
de voltaje externo U0 cae en la region de la uni
on, que se encuentra vaca de portadores
libres. Es decir, la resistencia de esa regi on es mucho mayor que la resistencia de
la regi
on n, de la region p y la de los contactos met alicos del diodo. Al polarizar
Aplicaciones de los diodos 247
directamente el diodo, con el aumento del valor de U0 la resistencia de la union llega

a ser tan pequena que una parte importante del voltaje decae en las otras regiones
(recordemos que no solo la altura, sino tambien el tamano de la barrera disminuye).
El voltaje aplicado se reparte entre todas las regiones, siendo imposible que en la
barrera se aplique un voltaje mayor que la altura inicial Upn Eg /e. Lo maximo
que se puede hacer al aumentar el valor del potencial es disminuir la altura en la
regi
on de la uni
on hasta que la cada de potencial sea muy peque na. En ese caso, la
concentracion de portadores donde sola haber una barrera se hace muy grande, al
igual que la densidad de corriente que pasa a traves del diodo.
19.6. Aplicaciones de los diodos

Las propiedades de las uniones p-n son la base del funcionamiento de multitud de
dispositivos. Dependiendo de su dise no, del material del cual estan hechos, del nivel
de dopaje de cada regi on, y del voltaje externo aplicado, los diodos tienen diversas
funciones. Se usan para recticar corriente alterna, para transformar luz solar en
corriente electrica, para generar y modicar y analizar senales electricas y luminosas,
etc. En este apartados discutiremos algunos ejemplos.
Fotodiodos
Los fotodiodos son dispositivos capaces de analizar la luz. Se usan en sistemas de
seguridad basados que disparan una alarma cuando un haz de luz se interrumpe, o que
detectan la presencia de fuego, o descubren la fuga de un gas t oxico, etc. Tambien para
controlar procesos qumicos, mantener un nivel dado de lquido, detectar partculas
nucleares o medir la temperatura. Funcionan de forma m as precisa que el ojo humano
y se basan en alguna propiedad electrica, tal como la resistencia, corriente o voltaje,
que cambia bajo iluminaci on.
Un fotodiodo es una uni on p-n inversamente polarizada. Si la energa del foton
incidente Ef es mayor que Eg (la energa de la banda prohibida), entonces cada fot on
absorbido es capaz de generar un par electr on-hueco como vimos cuando trat abamos
el efecto fotoelectrico. Si este par aparece en la regi on de la barrera, entonces se
ver
a atrado por el campo existente en ella. En la oscuridad, por efectos termicos
pueden generarse electrones y huecos. Cuando se ilumina la uni on con fotones de
energa Ef > Eg , la corriente que aparece es mucho mayor que antes, ya que el
numero de portadores creados es ahora mucho mayor. Esta fotocorriente, amplicada
y transformada por el resto de la electr onica, act
ua como alarma, se nal, etc, en las
aplicaciones.
En la gura 19.10 podemos ver el dise no fotodiodo. El contacto superior tiene la
forma de anillo. La regi on de la union dentro del anillo recibe el nombre de ventana.
Normalmente el plano de la uni on p-n est
a localizado a una distancia de alguna micras
de la supercie. El valor del voltaje U0 suele estar en el rango de 10 V a 30 V y el
valor de la regi
on de vaco (o barrera) X es de unas pocas micras. Los semiconductores
con una banda de energa prohibida peque na Eg se usan para detectar luz con una
longitud de onda grande, mientras que para crear detectores de ultravioleta Eg debe
de ser mayor.
Una de las ventajas de los fotodiodos es su r apida respuesta. Si la luz que incide
luz
ventana
1
0
0
1 1
0
0
1
p
n contactos
11111111
00000000
00000000
11111111
Figura 19.10. Diodo con uni

on p-n polarizada inversamente.
en el diodo se apaga de repente, la fotocorriente cesa tan pronto como los electrones
y huecos creados son transportados por la acci on del campo fuera de la regi on de la
barrera. Los valores tpicos del campo electrico en la union polarizada inversamente
son grandes, del orden 104 105 V/m. Cuando hemos hablado de los portadores
calientes, veamos que en tales campos electricos la velocidad de arrastre se haca del
orden de la velocidad termica, es decir de unos 107 cm/s (ver captulo 18) y se haca
independiente del campo aplicado. Por consiguiente, el tiempo que tarda en responder
el fotodiodo al cambio de iluminaci on se puede estimar como X/vs que est a en el
rango de 1010 1011 s (el fotodiodo es capaz de reaccionar en 104 millonesimas de
segundo). Esto hace posible usarlos en sistemas de comunicacion por bra optica, ya
que sirven como receptores de las senales moduladas que viajan por ellas y permiten
transmitir directamente transmitir los datos recibidos a un procesador haciendo por
ejemplo que un robot vea.
C
elula solar
En cierta manera, una celula solar no es m as que un fotodiodo sin potencial externo
aplicado. Incluso sin polarizacion, debido al potencial de barrera existe un campo, con
lo cual cualquier par creado en la celula por la acci
on de la luz incidente generar a una
corriente dirigida por el campo. Si unimos mediante una resistencia la regi on p con
la n, circulara una corriente y habremos transformado la energa luminosa en energa
electrica.
El problema de estos dispositivos es el de la eciencia. Si cada foton que incide en
la celula solar fuera capaz de crear un par electron-hueco, entonces la eciencia sera
del 100 %. Sin embargo, la eciencia de las celulas esta bastante lejos de este lmite.
La principal dicultad para aumentar la eciencia de la celula reside en el hecho de
que la luz solar consiste en una mezcla de fotones de varias energas, algunos en el
ultravioleta Ef 3 eV , y otros en la region visible e infrarroja Ef 1,5 eV. La celula
solar no es capaz por separado fotones con distintas energas de manera eciente.
Condensadores variables
Cuando cambiamos el potencial externo, la capacidad de la uni
on p-n polarizada in-
versamente vara: a mayor potencial menor capacidad. Cambiar la capacidad de un
Aplicaciones de los diodos 249
condensador resulta extremadamente u til (para sintonizar un receptor de radio por

ejemplo). Ademas el hecho de que la capacidad pueda cambiarse muy r apidamente
por medio de un potencial externo hace posible la construcci on de transformadores su-
persensibles de corriente continua en alterna, la generaci
on de senales con frecuencias
de cientos de millones de Hertz y la amplicacion de senales muy debiles .
Uno de los parametros mas importantes de un condensador variable es su coe-
ciente de cambio, denido como la razon Kc = Cmax /Cmin entre la capacidad m axima
y mnima que puede alcanzar. La m axima capacidad se consigue cuando el potencial
externo U0 se hace cero. Entonces, la cada de potencial en la uni
on es mnima e igual
a Upn . De acuerdo con las expresiones (19.13) y (19.10) resulta
1/2
qr 0 Nd
Cmax = A . (19.16)
2Upn
Por el contrario, la capacidad mnima se consigue cuando el potencial externo es
maximo, y seg
un veamos esta limitado por el voltaje de rotura Ui del dispositivo,
con lo que
1/2
qr 0 Nd qNd
Cmin = A =A . (19.17)
2Ui Ei
Por tanto el coeciente de cambio vale
1/2
r 0 Ei2
Kc = . (19.18)
2qUpn Nd
Vemos que mientras menor es el valor de la concentracion de impurezas en la regi
on
menos dopada, mayor es el coeciente de cambio. En dispositivos reales el valor de
Kc vara en el rango de 2 a 15.
Diodos emisores de luz

Los anteriores ejemplos eran aplicaciones de diodos en polarizaci on inversa. Un ejem-
plo muy importante de polarizaci on directa es el de los diodos emisores de luz (LED
son sus iniciales en ingles). Se puede decir que, en principio, cualquier diodo pola-
rizado directamente es un emisor de luz. Cuando los portadores pasan de la regi on
emisora a la base, se recombinan y en ese proceso se emite un foton. Una parte de

estos fotones se absorbe dentro del diodo, pero el resto consigue escapar. Esta es la
luz que emite el diodo.
Para disenar de forma optima un diodo emisor de luz, necesitamos que la gran
mayora de portadores se recombinen en la base y que tengan una gran probabilidad
de emitir un fot
on en este proceso. Ge y Si por ejemplo no son buenos materiales para
esto, ya que la mayora de electrones y huecos se recombinan sin emitir fotones. GaAs
y otros compuestos ternarios s, con probabilidad cercana a la unidad.
La longitud de onda de la luz radiada (el color) viene denida por la energa del
fot
on emitido. Un foton posee una energa
Ef = h = hc/, (19.19)
donde h = 6,63 1034 J s es la constante de Planck es la frecuencia, c la velocidad

de la luz, y la longitud de onda. En la mayora de los casos, la energa del fot
on es
cercana a la diferencia de energas del electr

on que pasa de la banda de conducci
on en
el emisor a la de valencia en la base, y por tanto cercana a Eg . En el caso del GaAs,
en la tabla 18.1 podemos ver que Eg = 1,4 eV, y por consiguiente, la longitud de onda
asociada con esta energa es invisible para el ojo humano. Para cambiar el color de
la luz, se introducen en la red de GaAs atomos de fosforo (P) o aluminio (Al), que
llevan a un incremento de Eg , y as se obtienen diodos que emiten luz roja.
Estos dispositivos se usan normalmente como indicadores. El exceso de informa-
cion de nuestros das hace que sean imprescindibles para resolver muchos problemas.
As nos informan si la television esta encendida o apagada, si las puertas del coche
estan cerradas, si el recibidor de ondas esta sintonizado, etc.
Diodos recticadores
Pr acticamente toda la energa electrica consumida en el mundo se genera en turbinas

de centrales en forma de corriente alterna, a las llamadas frecuencias industriales de
50 o 60 Hz. Pero en muchos casos es imposible usar esa energa en forma alterna y
mucho instrumentos necesitan de corriente continua. Es necesario recticar corrientes
y voltajes.
En el captulo dedicado a circuitos con diodos explicaremos c omo se rectica la
corriente de manera detallada, pero la idea es facil de entender: el voltaje aplicado al
diodo es alterno, cambiando su polaridad en el tiempo. Cuando el voltaje es tal que
polariza al diodo directamente, podr a circular corriente por el circuito en un sentido.
Pero al cambiar el voltaje de signo, polariza al diodo inversamente. La resistencia
aumenta mucho y pr acticamente no deja circular ninguna corriente por el circuito. La
corriente solo circula entonces en un sentido: se ha recticado.
Como anecdota, durante la II Guerra Mundial, los aliados desarrollaron la tec-
nologa del RADAR. Funcionaba con un diodo recticador: el trabajo del recticador
consista en traducir la se
nal alterna en la se nal continua necesaria para su visualiza-
cion en una pantalla. Los cristales semiconductores a menudo ardan al no ser capaces
de seguir el cambio de la se nal a altas frecuencias. Seymour Benzer descubrio que el
Germanio (Ge) poda soportar mayores frecuencias y voltajes que ning un otro ma-
terial. Fue el Ge y toda la tecnologa desarrollada para construir mejores cristales la
que llev o a la invenci
on del transistor.
19.7. Ejercicios
1. Demuestrar las expresiones (19.2) y (19.3). Ayuda: pensar en el campo que pro-
duce un condensador.
2. Obtener las expresiones (19.6) y (19.7). Para ello, tener presente que si llamamos a
la pendiente tan = dE/dx, entonces X = Em / tan (considerar la gura 19.3).
3. Para recticar alto voltaje se emplea una uni on p-n en Si, cuya concentraci on
de impurezas en la parte p es Na = 1018 cm3 , mientras que en la parte n es
de Nd = 1013 cm3 . El valor de la permitividad relativa del semiconductor es
r = 12,5 y el potencial de barrera Vpn = 1,1 V. Cual ser a la anchura de la
barrera? Comprobar que se trata de una uni on bastante asimetrica.
on: X Xn 12m.
Soluci
Ejercicios 251
4. Considerar de nuevo el problema anterior. Suponer que se aplica ahora un vol-

taje de polarizacion inversa de 1000 V. Calcula el valor maximo del campo que
atraviesa la union y la anchura de la barrera.
on: Em = 54 kV/cm, X = 370 m.
Soluci
5. En un semiconductor de permitividad relativa r = 11 determinar el voltaje de
ruptura en los casos en que Nd = 1017 cm3 y Nd = 1014 cm3 .
on: Ui = 2,7 V y Ui = 2700 V respectivamente.
Soluci
6. Cual es la longitud de onda que el ojo no puede ver en el caso del GaAs? El ojo
humano normalmente ve entre 8 107 m (rojo) y 4 107 m (violeta). Para el
GaAs, sabemos que Eg = 1,4 eV.
on: = 8 107 m (infrarrojo).
Soluci
Captulo 20
Transistores bipolares
20.1. Un poco de historia

Los laboratorios Bell, uno de los laboratorios industriales m as grandes del mundo,
pertenecan a la compa na American Telephone and Telegraph (AT&T). En 1907,
AT&T se enfrentaba con la expiraci on de la patente del telefono que haba inventado
su fundador Alexander Graham Bell. Para luchar contra la competencia que prevea,
contrato de nuevo al anterior presidente, Theodore Vail, ya retirado. La soluci on de
Vail para asegurar el negocio de la compa na fue desarrollar servicios de telefono
transcontinentales. AT&T compr o la patente del invento que en 1906 haba desarro-
llado Lee De Forest: el triodo de tubo de vaco. Este dispositivo mejorado permita
amplicar la se nal regularmente a lo largo de la lnea telefonica, con lo cual la con-
versacion poda realizarse a cualquier distancia. Pero estos tubos fallaban demasiado
y consuman demasiada potencia, perdiendose mucha en forma de calor.
En 1930, el director de investigacion de los Laboratorios Bell, Mervin Kelly, re-
conociendo la necesidad de crear un dispositivo mejor para que el negocio del telefono
siguiera creciendo, puso a un equipo a trabajar en el desarrollo de semiconductores.
Despues de la segunda guerra mundial el fsico Bill Shockley fue asignado por Kelly
como director del proyecto. Shockley contrato Walter Brattain y a John Bardeen.
Los tres ganaran el premio en 1965 por la invenci on del transistor bipolar (Bardeen
ganara mas tarde otro Nobel por explicar el mecanismo de la superconductividad).
Todos eran cientcos de primera clase trabajando en el mismo laboratorio y su crea-
cion en 1948 fue de las mas importantes que ha dado la humanidad desde la invenci on
de la rueda. En 1952 Shockley invent o el transistor de efecto campo basado en otro
principio muy diferente. Adem as fundo una compa nia en un lugar que luego sera
conocido como Silicon Valley.
20.2. Transistores bipolares

La disposici
on de un transistor bipolar es bastante simple y puede verse en la gu-
ra 20.1. Entre dos regiones p, se construye una regi
on n mas estrecha. Los nombres de
la primera regi
on p y de la region n ya los conocemos del captulo de diodos: emisor
y base. La tercera region p recibe el nombre de colector.
253
254 Transistores bipolares
emisor base colector
p n p
e c
b
Figura 20.1. Diagrama esquem
atico de un transitor bipolar p-n-p.
De manera similar, uno puede obtener un transistor de tipo n-p-n. Los principios
fsicos de un transistor de este tipo son identicos. Saber c
omo funciona un transistor
de un tipo permite f acilmente analizar el funcionamiento del otro.
La estructura de la gura 20.1 puede describirse como una uni on p-n a la que se
le ha a nadido una region p extra, o de manera alternativa como dos uniones p-n con
una base com un. Veremos como esta estructura tan simple es capaz de cumplir con
la mision de amplicar se nales electricas.
Principios de operaci
on del transistor bipolar
Para que un transistor amplique, la uni on emisor-base debe de polarizarse directa-
mente, mientras que la uni on colector-base debe de estarlo de forma inversa. Debido a
la polarizaci
on directa de la union emisor-base, el dispositivo presenta una resistencia
de entrada muy baja, mientras que la resistencia de salida sera muy alta debido a
la polarizaci
on inversa de la uni on base-colector (la palabra transistor resulta de la
contraccion TRANSfer resISTOR, y tiene en cuenta este hecho). Esto se consigue
conectando el emisor a un voltaje mayor que la base y el colector a uno menor que la
base para un transistor tipo p-n-p.
Imaginemos que la region de la base fuera muy ancha. Esto signica que la
longitud de la base, que denotaremos por Wb , ha de ser mayor que la longitud Lh
de difusi
on de los huecos en esa region. En realidad los transistores se construyen
con Wb /Lh mucho menor que la unidad, pero primero queremos entender este caso
opuesto que se muestra en la gura 20.2.
En el caso de la gura 20.2 tenemos dos diodos, y el hecho de que tengan una
base com un no afecta a su funcionamiento. Supongamos que arreglamos los contactos
de manera que el primer diodo emisor-base esta polarizado directamente y el segundo
diodo colector-base inversamente. Una peque na corriente Ic uye a traves de la uni
on
base-colector hacia este u
ltimo. Esta corriente es la de saturacion. La forman electro-
nes y huecos generados en la zona de la barrera (corriente de generacion) y portadores
minoritarios de la region p (electrones) y n (huecos). Cualquier hueco que nace en la
regi
on n a una distancia menor que la longitud de difusi on Lh tiene mucha proba-
bilidad de alcanzar la regi on de agotamiento, y si eso sucede el campo electrico lo
mandar a de la base al colector inmediatamente. Lo mismo ocurre para los electrones
en la regi
on p, con una longitud caracterstica de difusi on Le .
Ahora prestemos atencion a lo que le pasa a la uni on emisor-base polarizada
Transistores bipolares 255
Wb
Ie p Ic
p n
e c
Ib
b
Figura 20.2. Estructura p-n-p con una base ancha
directamente. El emisor siempre est a dopado mucho m as que la base, por lo que se
trata de una uni on bastante asimetrica. El mecanismo de la corriente uyendo del
emisor a la base es el mismo que hemos estudiado en el captulo 19 y se debe a la
disminuci on de la altura de la barrera. El resultado es una corriente Ie uyendo del
emisor a la base tal que Ie
Ic . El n umero neto de portadores que entran en la
base por unidad de tiempo viene dado por (Ie Ic )/e Ie /e. Cuando se alcanza el
equilibrio, este numero se ve compensado por una corriente Ib que uye de la base
al circuito. Los electrones que entran en la base procedentes del circuito externo a
traves del electrodo de la misma se aniquilan con los huecos que entran de la regi on
del emisor mayoritariamente. Cada vez que un hueco entra en la base, debido a su
movimiento caotico de difusion, acaba encontr andose con un electron, aniquil
andose
mutuamente. En la estructura con una base ancha, pr acticamente todos los huecos
se han recombinado despues de haber viajado una distancia de varias longitudes de
on Lh sin poder alcanzar la barrera del colector, y por lo tanto Ib Ie .
difusi
Pero si consideramos el mismo proceso en un transistor real con Wb /Lh 1
(fabricado con la base estrecha), los huecos estar an a una distancia de la barrera
menor que la distancia de difusi on, y por tanto parte de ellos pasar
an a la regi
on del
colector. Esto signica que Ic va a estar afectada, adem as de por las contribuciones
detalladas mas arriba, por esta corriente de huecos que uye a traves de la base
proveniente del emisor. La corriente de huecos que captura el colector depende de
la corriente de huecos que salen del emisor Ie , que a su vez depende de la corriente
que sale por la base Ib . As la corriente que uye por los tres contactos met alicos
(electrodos) de cada region son dependientes unas de otras.
Amplicaci
on de la corriente
Hemos visto que en una estructura con la base poco ancha, no todos los huecos tienen
tiempo para recombinarse con los electrones en la base, ya que son capturados por
el campo de la barrera del colector. Mientras m as pequena sea la region de la base,
mayor sera el n
umero de huecos que llegan al colector.
Sea el factor que nos da la fraccion de portadores que partiendo del emisor
llegan al colector. Nosotros lo llamaremos factor de transporte de la base. Este factor
no es mas que la probabilidad que tiene un hueco de atravesar la regi
on de la base. Es
decir, la probabilidad de supervivencia Psup cuando viaja por la base. La probabilidad
se dene como un n umero que pertenece al intervalo [0, 1]. Si vale 1 signica que con
certeza absoluta el hueco pasar
a la regi
on de la base. Si vale 0, el hueco sera aniqui-
lado. La probabilidad de sobrevivir se puede expresar tambien como la certeza de
cruzar menos la probabilidad de desaparecer Pdesap , siendo esta u ltima la fraccion de
portadores que se han quedado en el camino. Esto es
= Psup = 1 Pdesap . (20.1)
La probabilidad de desaparecer podemos calcularla de la siguiente forma. Mientras

mas tiempo pasemos en la region de la base, mas posibilidades de que un hueco sea
aniquilado y no llegue nunca a la barrera del colector. Por tanto, ser a proporcional al
tiempo Tb de viaje a traves de la base. Por otro lado, el tiempo medio entre colisiones
dado por 0 nos da en promedio cu anto tiempo puede viajar sin colisionar con otro
portador. La probabilidad de desaparecer ser a inversamente proporcional a este tiem-
po. Se escribe entonces Pdesap = Tb /0 . El tiempo que tarda un portador en recorrer
la base debido al movimiento de difusi on, seg
un la ecuaci on (18.20), viene dado por
Tb Wb2 /D. Si hacemos el cociente, resulta Tb /0 Wb2 /D0 . Dado que D = L2h /0 ,
Wb2
=1 . (20.2)
2L2h
Un par de comentarios: en la expresi on hemos sustituido por =, e introducido en el
cociente un factor 1/2. Este factor se debe a la dimensi on geometrica del problema.
Por otro lado, hemos dicho m as arriba que la probabilidad est a denida entre cero
y uno. La raz on por la que el cociente de tiempos nos vale como candidato para
la probabilidad de desaparecer es que la base es estrecha, esto es Wb /Lh 1. La
on Wb /Lh normalmente esta en el rango de 0,5 a 0,05. De esta manera, el valor
relaci
de suele estar en el rango de 0,9 a 0,009. Por tanto, s olo una peque na parte de
los portadores, de 0,001 a 0,1, se recombinan con los que entran de la base con signo
contrario (en nuestro caso electrones). Esta conclusion podemos expresarla diciendo
que la corriente de la base del transistor causa la aparicion de corriente en el emisor
y en el colector que es diez, cien, e incluso mil veces mayor.
As, si la corriente que debe ser amplicada se aplica a la base, y la se nal de
salida se registra en el emisor o colector, esta se nal estar
a amplicada. El factor
de amplicaci on, tambien llamado ganancia de corriente, se denota por y se dene
como la razon entre la corriente del colector y la de la base. Podemos escribir entonces
Ic = Ib . (20.3)
Ahora ya estamos en posicion de ver las relaciones entre las corrientes que uyen por
los tres electrodos del transistor. La corriente del colector, como bien sabemos, es una
combinaci on de dos componentes: la debida a la polarizaci on inversa, que es pequena,
y la debida a los portadores del emisor. En la mayora de los casos, esta u ltima es
muy grande, por lo que podemos suponer que es la u nica que contribuye a Ic ,
Ic Ie . (20.4)
Por otro lado, las leyes de Kirchho implican
Ie = Ib + Ic , (20.5)
La ecuacion de Ebers-Moll 257
Ic Veb
12,5
1/pendiente = 60mV/decada 25
50
Veb 0,5 1 2 I c (mA)

Figura 20.3. La corriente que circula por el colector esta controlada por la diferencia de
voltaje entre el emisor y la base. Recuerda a la curva caracterstica de un diodo pero con
una pendiente mayor.
ya que los huecos que dejan el emisor, o se recombinan en la base (Ib ), o se marchan
hacia el colector (Ic ). De esta manera se tiene

= . (20.6)
1
20.3. La ecuaci
on de Ebers-Moll
Consideremos la relacion de la corriente en el transistor con el voltaje aplicado. Seg
un
hemos visto, la corriente que sale por el colector es aproximadamente igual a la que
entra por el emisor Ic Ie . Ademas, bajo condiciones normales, la densidad de
corriente que circula por una uni on p-n polarizada directamente viene dada por ola
expresion (19.15). Por tanto, Ie esta relacionada exponencialmente con la diferencia
de potencial Veb entre el emisor y la base. Si usamos entonces la expresion (20.4), se
obtiene la ecuaci
on de Ebers-Moll,
Ic = Is [exp(eVeb /kB T ) 1]. (20.7)
La corriente de saturacion Is depende en general de la temperatura y del tipo de

transistor (densidad de portadores, tama no de las regiones, etc). Al igual que veamos
para el caso del diodo, el voltaje maximo aplicado a la uni on base-emisor no puede
hacerse arbitrariamente grande, sino aproximadamente hasta el valor de la altura de
la barrera de la uni
on p-n.
Podemos ver que la diferencia de voltaje entre el emisor y la base determina la
corriente que uye por el colector (ver la gura 20.3). A una temperatura ambiente de
20 C, se cumple que kB T /e = 25 mV. La ecuacion de Ebers-Moll puede simplicarse
entonces a
Ic Is exp(Veb /25 mV). (20.8)
Se puede comprobar que a temperatura ambiente, Ic vara en un factor de 10 cada
vez que el voltaje Veb se incrementa en 60 mV, como se puede ver en la gura 20.3.
Al igual que suceda en el caso de los diodos, la relaci
on entre el voltaje aplicado
y la corriente no es lineal. En el an
alisis de circuitos resulta u
til conocer la pendiente
Ic
caliente
frio
I1
I2
V1 V2 Veb
Figura 20.4. Dependencia con la temperatura de Ic frente a Veb .
de la curva V-I, esto es la relacion V /I entre un pequeno incremento de la corrien-

te y el incremento del voltaje asociado. Esta cantidad se conoce con el nombre de
resistencia de senal pequena, o resistencia din
amica del dispositivo. Si un dispositivo
satisface la ley de Ohm, su resistencia dinamica coincide con su resistencia ohmica. En
un transistor, a temperatura ambiente, la resistencia din amica de entrada al emisor
cuando mantenemos la base a un potencial constante resulta
25 mV
re = , (20.9)
Ic
es decir, si Ic se expresa en mA, re = (25/Ic ) . Esta resistencia act ua como si

estuviera en serie con el emisor en todos los circuitos con transistores. En la gura 20.3
podemos ver el valor de la resistencia dinamica para varios valores de la corriente que
circula por el c
atodo.
El efecto de la temperatura
La ecuacion de Ebers-Moll (20.7) sugiere a simple vista que la dependencia de Veb con
la temperatura es una funci on creciente cuando se mantiene constante la corriente Ic ,
ya que el denominador de la exponencial aumenta y por tanto lo mismo tendr a que
hacer el numerador. Este razonamiento es totalmente falso, ya que nos estamos olvi-
dando de la dependencia de Is con la temperatura. En realidad, lo que ocurre es que
Veb decrece con la temperatura 2,1 mV por grado centgrado cuando Ic se mantiene
constante. En la gura 20.4 podemos ver este efecto cuando mantenemos la corriente
del catodo igual a I1 . Al calentar el transistor, el voltaje disminuye de V2 a V1 .
Se puede entender este efecto por el hecho de que la corriente del colector, man-
teniendo Veb constante, debe de aumentar al aumentar la temperatura (ya que la
difusion aumenta y el tiempo que pasa en la base un portador se hace menor seg un
la expresion (20.2)). Cuantitativamente Ic crece aproximadamente un 9 % por grado
centgrado si se mantiene Veb constante. En la gura 20.4 podemos ver que, a V1
constante, al calentar el transistor, Ic aumenta de I2 a I1 .
Expresar el efecto de la temperatura como una variaci on de Veb a Ic constante, o
como una variaci on de Ic a Veb constante, es equivalente (ver Ejercicios). La primera
se usa mas en los calculos. La segunda es mas f
acil de comprender de manera intuitiva:
no se apaga un circuito encendiendo un fuego debajo, m as bien al contrario.
La ecuacion de Ebers-Moll 259
Ic Veb2
Veb1
Vce
Figura 20.5. Efecto Early. La curva se separa de la horizontal.
Wb
Vec
p n p c
e c e
X
Veb b Vbc
R ec
Figura 20.6. La regi on de la base que debe cruzar un portador se reduce al aumentar el
potencial entre la base y el colector. Una resistencia grande en paralelo entre el emisor y el
colector modela el efecto Early.
El efecto Early
Hemos visto que Ic esta determinada por la corriente que entra o sale a traves de la
base Ib segun la expresion (20.3), o por la diferencia de potencial Veb seg un la ecuacion
(20.7). Si se mantiene la diferencia de potencial entre la base y el emisor, la corriente
del catodo Ic debera permanecer constante. Sin embargo Ic vara, aumentando con
la la diferencia de potencial Vec entre emisor y el c atodo (gura 20.5).
La explicacion a este comportamiento reside en el hecho de que la longitud efecti-
va W de la base disminuye al aumentar la regi on vaca de portadores cuando el voltaje
Vec se incrementa. En la gura 20.6 podemos ver este efecto de manera gr aca. La
longitud efectiva de la base viene dada por W = W b X, siendo W b la anchura de
la base y X la de la barrera, que proporcional a Vbc seg un hemos demostrado ante-
riormente (ver la expresion (19.10)). Seg un la ecuacion (20.4), la corriente que circula
por el colector es proporcional a la corriente que circula por el emisor. El factor
de proporcionalidad entre ellas depende de W como muestra la expresion (20.2). Por
tanto al variar Vec = Veb + Vbc , la corriente aumenta.
Podemos estimar la pendiente de la curva dibujada en la gura 20.5 como cons-
tante cuando se ja el valor de Veb , es decir,
dIc 1
= . (20.10)
dVec Rec
Para valores tpicos, Rec esta el rango de 104 a 105 . Este efecto se suele modelar
I in I in
t t
T T
Iout Iout
t0 t
Figura 20.7. Si la senal de entrada tiene un periodo T mayor o igual que dos veces el tiempo
de subida 2t0 , entonces la se
nal de salida tiene tiempo de alcanzar su estado estacionario. Si
es al contrario, no.
en los circuitos como una resistencia en paralelo entre el emisor y el colector como
muestra la gura 20.6.
De manera equivalente a como hacamos cuando considerabamos el efecto de la
temperatura, podemos decir que a corriente Ic constante, el efecto Early se maniesta
en un incremento de Veb , dado por Veb = Vec , siendo 104 (ver Ejercicios).
20.4. La velocidad de respuesta del transistor

La velocidad de respuesta del transistor puede caracterizarse por su frecuencia lmite
fc o por el llamado tiempo de subida t0 . Si aplicamos instant aneamente un aumento
de corriente de entrada Iin a un terminal del transistor y medimos la corriente que
circula por otro terminal, habr a un incremento Iout , pero esto no ocurre instant anea-
mente. Pasa un tiempo t0 desde que se aumenta la se nal hasta que se alcanza el valor

estacionario a la salida. Este es el tiempo de subida y la frecuencia de respuesta es
fc 1/t0 .
En la gura 20.7 podemos ver que si mantenemos la se nal de entrada un tiempo
t > t0 , entonces la senal de salida puede alcanzar su m aximo valor. Es claro por
tanto que si la senal de entrada tiene un periodo T 2t0 , es decir una frecuencia
f 1/(2t0 ), entonces el transistor tendr a suciente tiempo para amplicar la se nal.
Si por el contrario f > 1/(2t0 ), entonces la senal de salida no tiene tiempo de alcanzar
su valor estacionario.
El tiempo de subida t0 depende de los par ametros fsicos del transistor y de la
conguraci on del circuito, es decir, sobre que terminal o electrodo estamos aplicando
la se
nal de entrada y de cu al estamos tomando la se nal de salida.
Base com
un
Consideremos el tiempo de subida en el caso en que la se nal se aplica al emisor y
se toma del colector. Este caso lo podemos ver dibujado en la gura 20.8 y se llama
de base comun. Se puede pensar que esta conguracion es poco u til, ya que sabemos
que la corriente en el colector es veces mas peque
na que en el emisor, y aunque
La velocidad de respuesta del transistor 261
Ic
Ie
p n p
e c
t0 t1 t1+ t 0 t
b
Figura 20.8. Se
nal de entrada aplicada al emisor y tomada del colector. Fuente de corriente.
tiene un valor cercano a la unidad (0,9 0,999), es no obstante menor que

1. En esta conguracion no hay ganancia de corriente alguna, ya que Ic = Ie .
Sin embargo, que no haya ganancia de corriente no implica que no haya ganancia de
voltaje, y por tanto ganancia de potencia (esta conguraci on se usa para fuentes de
corriente). Adem as, la gran ventaja es que esta es la conguracion que permite al
transistor trabajar a la frecuencia mas alta. Esto se debe a que el tiempo de subida
t0 es el menor posible.
Si cerramos el interruptor del emisor en t = 0, una corriente Ie empieza a entrar
en la base como consecuencia de la inyeccion de portadores. El estado estacionario,
cuando la corriente en el colector toma el valor Ic = Ie , se alcanza despues de que a
los portadores les haya dado tiempo de llegar al colector, por lo que t0 tD Wb2 /Dh .
En esta expresion Wb es la anchura de la base y Dh el coeciente de difusi on de los
huecos. Si en el instante t = t1 se interrumpe la corriente en el emisor, la corriente
en el colector cae a cero cuando los u ltimos huecos cruzan la base. Controlando la
anchura de la base Wb es posible fabricar semiconductores cuya frecuencia crtica es
de hasta 10 GHz.
Emisor com
un
En la conguraci on de emisor com un, la se
nal de entrada, segun podemos apreciar
en la gura 20.9, se aplica en la base, mientras que la se nal de salida se toma en el
colector. En este caso el transistor puede amplicar a la vez corriente y voltaje, y es
por ello por lo que esta conguraci on es de las mas usadas. Sin embargo, la velocidad
de respuesta sera veces menor.
Supongamos que en el instante t = 0, el interruptor se cierra y se establece
la corriente Ib en la base del transistor. Esto signica que un n umero igual a Ib /e
electrones por segundo empiezan a entrar en la base. Como consecuencia de que la
base empieza a cargarse negativamente, huecos del emisor empiezan a entrar en la
base para recombinarse con este exceso de carga negativa. Mientras estos huecos no
han tenido tiempo de alcanzar el colector, el n umero de huecos que dejan el emisor es
umero de electrones, con lo cual inicialmente Ie = Ib . Despues de un tiempo
igual al n
tD Wb2 /Dh , los primeros huecos inyectados desde el emisor alcanzan el colector.
Esto es an alogo a lo que ocurra en el caso de base com un, pero ahora, la corriente
del emisor va a crecer + 1 veces y la del colector veces. Veamos como ocurre esto
y cuanto tiempo se requiere.
Ic
I b
p n p
e c
Ib
b t0 t 1 t1+ t0 t
Figura 20.9. Se
nal de entrada aplicada en la base y tomada del colector.
Supongamos que = 99 y que el n umero de electrones que entran en la base

a consecuencia de Ib es de 100. Una vez que ha pasado un tiempo tD , de cada 100
huecos que se inyectan del emisor a la base, 99 son capturados por el colector y por
lo tanto s
olo uno permanece en la base. Este hueco es insuciente para neutralizar los
100 electrones que entran en la base, de modo que es necesario inyectar mas huecos
desde el emisor. Si el emisor enviara 200 huecos, 198 seran capturados por el colector
y 2 permaneceran en la base para aniquilar los electrones. La corriente del emisor
seguir
a increment andose hasta que el numero de huecos que se inyecten en la base por
unidad de tiempo sea igual al de electrones en la base m as la proporci
on capturada
Ib por el colector, esto es Ie = Ib + Ib .
Si queremos estimar el tiempo para que se alcance el estado estacionario, podemos
jarnos en el destino de los electrones en la base. Sabemos que los electrones que
entran en la base no pueden ir hacia el emisor ni hacia el colector. Por lo tanto estan
condenados a recombinarse en la base con un hueco. La vida media del exceso de
electrones en la base esta entonces relacionada con la vida media de los huecos p .
Cuando t = 0, los electrones empiezan a entrar en la base, al igual que los huecos del
emisor, pero mientras t p , no tienen tiempo de recombinarse y se almacenan en la
base. Cuando t se hace del orden de varios p , practicamente todos los electrones que
han entrado en la base han tenido tiempo de recombinarse. Luego en esta conguraci on
t0 p = L2h /Dh , siendo Lh la longitud de difusi
on de los huecos y Dh su coeciente
de difusi
on.
Establecido el estado estacionario, supongamos que en el instante t1 el interruptor
de la base se abre. La corriente de la base se reducir a inmediatamente a cero. La
corriente en el colector en principio no responde de manera apreciable, ya que la
concentracion de huecos no cambia. La corriente del emisor disminuye su valor en
una cantidad igual a Ib . A partir de entonces, mediante el proceso de recombinacion,
en un tiempo p los huecos que quedan en la base desaparecen y por tanto la corriente
del colector tambien, como se puede apreciar en la gura 20.9.
El efecto Miller
Cuando la se nal vara en el tiempo, el efecto de la capacidad de las uniones empieza
a jugar un papel importante. A altas frecuencias hay que tener esto en consideracion.
En el captulo de diodos, hemos visto el valor de esta capacidad variable y c omo se
puede controlar reduciendo el area de la uni on segun la expresion (19.13).
En el caso de un amplicador de emisor com un, la capacidad efectiva de la uni
on
Ejercicios 263
Ic Ic
Vc Vcc Vc Vcc
p n p p n p
Ie Rc Ie Rc
Vb Vb
C cb C Mil
Ib Rb Ib Rb
Vbb Vbb
Figura 20.10. El efecto Miller.
base-colector aumenta debida a la propia amplicaci on del transistor. Este incremento

efectivo de la capacidad colector-base Ccb se conoce con el nombre de efecto Miller.
En la gura 20.10 podemos ver simbolizada la capacidad colector-base mediante un
condensador. Su efecto en los circuitos se modela como un condensador conectado a
tierra desde la base con un valor efectivo igual a CMil .
Podemos ver esto analizando que le pasa al voltaje en un amplicador de emi-
sor comun. Si la corriente del emisor permanece constante, cualquier variaci on de la
corriente en la base equivale a una variaci on en sentido opuesto de la corriente del
colector, ya que por la expresi on(20.5) resulta Ib = Ic . Seg un la gura 20.10,
Ic = (Vc Vcc )/Rc e Ib = (Vb Vbb )/Rb , siendo Vcc y Vbb voltajes constantes. Resulta
entonces
Vc = Rc Vb /Rb = GVb , (20.11)
siendo G = Rc /Rb la ganancia de voltaje. Ahora bien, si queremos calcular la ca-
pacidad din
amica de la uni
on (an
aloga al concepto de resistencia dinamica discutido
anteriormente) resulta
Q Q
Ccb = = . (20.12)
(Vc Vb ) Vc Vb
Por otro lado la capacidad de un condensador conectado de la base a la tierra viene
dada por Q/Vb . Empleando las relaciones (20.11) y (20.12) se puede ver que resulta
equivalente sustituir Ccb por un condensado cuya capacidad vale
CMil = Cbc (1 + G). (20.13)
De esta manera la se
nal de entrada de la base se ve afectada o ltrada por una
capacidad amplicada.
20.5. Ejercicios
1. Demostrar la expresion (20.6). Obtener una expresion que relacione Ie con Ib en
funci
on de .
on: Ie = Ib /(1 ).
Soluci
2. Si se dene VT = kB T /e como un voltaje, comprobar que VT = 25 mV a una
temperatura de 20 C. Tiene sentido sustituir la expresi
on (20.7) por la igualdad
Ic = Is exp(eUeb /kB T ) como una buena aproximacion cuando el emisor y la base
estan polarizados directamente? Se necesitan al menos del orden de 0,6 V de

diferencia entre el emisor y la base para que la uni on este polarizada directamente.
3. Empleando la aproximaci on (20.8) a temperatura ambiente, calcular cu al ha de
ser el incremento de Ueb para duplicar la corriente del colector Ic . Calcular lo
mismo para hacerla 10 veces mayor.
Solucion: Ueb = 18 mV, 60 mV.
4. Considerando que Ic Ie , a partir de la expresion (20.8) obtener la relaci on
(20.9).
5. Demostrar que armar que Ueb cae 2,1 mV/ C a Ic constante es equivalente
a decir que Ic crece aproximadamente un 9 %/ C si se mantiene Ueb constante
cuando se vara la temperatura de un transistor, seg un muestra la gura 20.2.
Solucion: Sean T1 > T2 las temperaturas de cada curva de la gura 20.4. Em-
pleando la expresion Ic = Is (T ) exp(qUeb /kB T ), a Ic constante para cada cur-
va se encuentra que Is (T1 ) = Is (T2 ) exp(eU2 /kB T2 eU1 /kB T1 ), en donde po-
demos sustituir U2 = U1 + T . Si consideramos a continuacion el cociente
I1 /I2 = Is (T1 ) exp(eU1 /kB T1 )/Is (T1 ) exp(eU2 /kB T2 ), despues de simplicar re-
sulta I1 /I2 = exp(eT /kB T2 ). A temperatura ambiente, kB T2 /e = 25 mV, y
con = 2,1 mV/ C, cuando T = 1 C, resulta I1 /I2 9 %
6. Una posible estimaci on de la resistencia del efecto Early viene dada por
1 WX
Ie .
Rec 2L2h Ubc
Obtener esta expresi on y demostrar que Rec es del orden de 104 a 105 .
Solucion: Si mantenemos constate Ueb , podemos escribir dIc /dUec = dIc /dUbc =
(W/L2h )Ie dW/dUbc (en donde hemos tenido en cuenta la expresion (20.4)). Con-
siderando ahora que W = Wb X y la expresi on (19.10) para X se obtiene el
resultado. Teniendo en cuenta que W/Lh esta en el rango de 0,5 0,05, que X/W
es a lo maximo del mismo orden y que Ie se mide en mA y Ubc en voltios, resulta
1/Rec 104 .
7. Demostrar que si se mantiene constante la corriente Ic , resulta Ueb = Uec ,
siendo 104 .
Solucion: La corriente que circula por el colector se puede escribir como Ic =
Ie + Uec /Rec (ver la gura 20.6). Derivando en ambos lados y considerando que
d(Ie ) Ic /25mV dUeb , resulta Ueb = (25mV /Ic Rec )Uec . Ya que Ic es del
orden de mA, 1/Rec .
8. Dibujar la gr aca de Ib frente al tiempo que corresponde a la situaci
on mostrada
en la gura 20.8. Tener presente que en cada instante Ie = Ib + Ic .
9. La conguraci on de emisor com un presenta la desventaja de que es del orden
de veces mas lenta que la conguraci on de base comun. Comprobar que esto
es cierto. Para ello, obtener el cociente entre los tiempos de subida en las dos
conguraciones y usar las expresiones (20.6) y (20.2) en el cociente, siendo
100.
Solucion: El cociente resulta (Wb /Lh )2 = 2/(1 + ) 2/.
10. Obtener la expresi on (20.13) para el efecto Miller.
Captulo 21
Transistores de efecto campo
21.1. Principios b
asicos
En 1920, antes de que el primer transistor bipolar fuera inventado, Lilienfeld propuso
un dispositivo capaz de amplicar se nales. La idea se ilustra en la gura 21.1. El
dispositivo se parece a un condensador ordinario. Una de las placas es de metal y la
otra es de semiconductor.
Si se aplica un voltaje V1 entre las placas, se origina un campo electrico E1 en
el espacio entre las mismas. En la supercie interior de la otra placa, se inducir a un
campo electrico E2 = E1 /r , siendo r la permitividad relativa del semiconductor.
Sabemos que este campo penetra una cierta distancia en el material dependiendo de
la concentracion de portadores libres. Controlando el sentido del campo aplicado, esto
es la polaridad del voltaje V1 entre las placas, crearemos una zona libre de portadores
(regi
on de vaco) o por el contrario se enriquecer a de portadores. Si, como en la
gura 21.1, el semiconductor es de tipo n, entonces conectando el polo positivo de
nuestra batera al semiconductor y el negativo a la placa met alica (sera una especie
de polarizacion inversa en la cual la placa met alica juega el papel de semiconductor
tipo p) se produce entonces una regi on vaca de carga. Si cambiamos esta polaridad
(equivalente a una polarizaci on directa), entonces en la regi on del semiconductor
cercana a la placa positiva se produce un aumento de portadores libres.
La idea consiste ahora en aplicar un voltaje V0 a lo largo del semiconductor e
inducir una corriente I paralela a la placa. Si la polarizaci on es inversa, parte del
metal
V1 W
n d
V0
Figura 21.1. La idea de transistor de efecto campo propuesta por Lilienfeld.
265
266 Transistores de efecto campo
semiconductor estara ocupado por la regi on vaca de carga por lo que la resistencia
al paso de corriente electrica sera grande y la corriente que uye a lo largo del mismo
ser
a peque na. De forma inversa, si la polarizaci on es directa, parte del semiconductor
estara enriquecido con portadores libres, por lo que su resistencia disminuir a y la
corriente I aumentar a. Este truco permitira controlar la corriente que uye a lo largo
del semiconductor mediante un campo electrico perpendicular a la corriente. Por esto
se llama transistor de efecto campo.
En la pr
actica esta idea tiene un problema. Supongamos que la polaridad de V1
es negativa, produciendose por tanto una regi on de vaco cerca de la supercie del
semiconductor. Conociendo el campo electrico E2 y la concentraci on de impurezas
Nd en el semiconductor, usando las expresiones (19.6) y (19.7) podemos calcular la
anchura de esta regi on,
r 0 E2
W = . (21.1)
eNd
El campo electrico maximo que se puede alcanzar dentro del semiconductor es el de
ruptura. Para el Ge y Si es del orden de 2 a 3 105 V/cm, que corresponde al voltaje
dado por la ecuaci on (19.12). El valor mnimo de dopaje Nd que se poda conseguir
en 1920 era Nd 1018 cm3 , lo cual corresponde a un nivel de impurezas menor al
0,01 %. La premitividad relativa de estos semiconductores vale r 10. Con todo ello,
el tamano de la region de vaciado como maximo se hace del orden de 0,02m. Por otra
parte en aquellos tiempos era imposible hacer una placa de semiconductor de menos
de 50 m de espesor. El incremente maximo que se podra esperar en la resistencia
sera de un 0,04 %. Sin embargo, a pesar de que la resistencia se poda medir con
suciente precision, tal incremento no se observ o. Si se hubiera observado, aunque no
hubiera sido posible detectar amplicaci on o atenuacion de la senal aplicada, la idea
habra sido valida. Cristales mas puros y delgados llevaran al efecto deseado.
La razon de no haber observado cambios en la resistencia esta en que los atomos
cerca de la supercie no se comportan igual que en el interior del material. Se ha
visto en captulos anteriores que cada atomo en la supercie crea un estado capaz de
capturar electrones libres (captulo 19). La densidad de estos estados superciales es
del orden de 1015 cm2 . Imaginemos ahora que cambiamos la polaridad y el campo
E2 en el semiconductor lleva los electrones hacia la supercie. Para estimar cu antos
portadores libres habr a cerca de la supercie empleamos la formula del condensador
plano que da la relaci on entre la densidad de carga supercial y el campo aplicado,
= r 0 E2 . Sustituyendo los valores discutidos anteriormente y dividiendo entre la
carga del electr on se obtiene la densidad de portadores libres que debera haber en la
supercie. Si se hace este ejercicio, la densidad de electrones en la supercie resulta
del orden de 1012 cm2 . Este n umero es 1000 veces menor que la densidad de estados
superciales capaces de capturar un electr on. Por lo tanto, no existir an portadores
libres y no es extrano que nadie hubiera sido capaz de obtener alg un resultado positivo.
21.2. JFET, transistores de efecto campo de uni

on p-n.
Para deshacerse de los estados superciales se intent o sin exito combinar diferentes
geometras, tipos de semiconductores, etc. En 1952 Shockley razon o que lo que haba
que hacer era crear un electrodo que modulase la resistencia de la placa semiconduc-
tora no en la supercie, sino en su interior, en donde no existen estados superciales.
MOSFET, transistor de campo de oxido de metal. 267
V1
S G D
p
W
n d
V0
Figura 21.2. Transistor de efecto campo de canal n. Vemos la fuente S, la puerta G y el

drenaje D.
La gura 21.2 ilustra la idea de Shockley. Sobre un sustrato de tipo n se crea una
region de tipo p. En el interior de la placa, a una profundidad que se puede controlar,
se crea una uni on p-n. La regi on p se dopa mucho m as que la regi
on n por lo que la
region de vaco se localiza principalmente en la regi on n. Si se polariza inversamente
la union, entonces la region de vaco que tiene una resistencia bastante grande penetra
mas y crece con el campo en el interior de la regi on. El canal por el que puede uir la
corriente electrica ID se estrecha y la corriente ID disminuye. Hemos conseguido de
esta forma regular la corriente mediante un campo perpendicular a la misma.
Estos transistores se fabrican con tecnologa plana. Los tres electrodos de contacto
estan sobre la misma cara. Los dos que sirven para transmitir la corriente a lo largo
del semiconductor reciben el nombre de fuente (source en ingles) y drenaje (drain).
El electrodo al cual se le aplica el voltaje que modula la resistencia recibe el nombre
de puerta (gate).
El transistor que representamos en la gura 21.2 se llama de canal n, ya que la
corriente se controla en la region de agotamiento o vaciado de anchura W que aparece
en el semiconductor dopado negativamente. De forma an aloga se puede construir un
transistor de efecto campo de canal p.
21.3. MOSFET, transistor de campo de o

xido de metal.
Varios anos despues de la creacion del transistor tipo JFET, la tecnologa fue capaz de
ganar una batalla que haba durado m as de 30 a
nos. Se encontr
o el semiconductor, el
material dielectrico y el metodo de aplicarlo sobre el semiconductor de tal manera que
la densidad de estados superciales no fuera mayor que 1010 cm2 , es decir 100000
veces menos que en un semiconductor tpico. Por n la idea de Lilienfeld poda llevarse
actica. El semiconductor resulto Si y el dielectrico oxido de silicio SiO2 .
a la pr
En la gura 21.3 podemos ver esquematicamente como se hacen estos transistores.
Sobre un sustrato poco dopado, con impurezas contrarias al canal que transmitir a la
corriente, se deposita una capa delgada de Si con la concentraci on de impurezas
necesarias. Esta capa constituye el canal. Entonces la supercie es oxidada y mediante
un proceso litogr aco parte de este oxido se remueve cre andose ventanas en la capa
de oxido. En esas ventanas se depositan los electrodos que formar an la fuente y el
drenaje. Por u ltimo sobre la parte de oxido que permanece se deposita el electrodo
que hara de puerta.
SiO2 SiO2
S G D S G D
canal n n n
p p
(a) (b)
Figura 21.3. Diferentes tipos de MOSFETs de canal n. (a) NMOS de canal permanente,
(b) NMOS de canal inducido.
Dos de los tipos mas importantes de transistores MOSFET se muestran en la

gura 21.3. Ambos son transistores de canal tipo n (NMOS) con sustrato tipo p. Sin
embargo en el segundo no existe inicialmente un canal. El primero recibe el nombre
de canal permanente, depletion mode, o normally-on. El segundo se llama de canal
inducido, enhancement mode o normally-o.
Las uniones p-n se hace mas profunda en las cercanas de la fuente y el drenaje. En
el NMOS de canal permanente, podemos considerarlas como dos regiones separadas,
conectadas en serie por el canal. Cuando no se aplica ning un voltaje en la puerta,
existe una conductancia distinta de cero denida por la longitud del canal, su anchura
y su conductividad. Es claro por lo que recibe el nombre de transistor de tipo on, ya
que deja pasar cierta corriente en este estado. Si se aplica un volaje positivo a la
puerta, la conductancia del canal aumentar a. Si por el contrario se polariza al reves
la puerta, entonces disminuir a hasta que todo el ancho del canal se vaca de portadores
libres, y por tanto su conductancia se hace cero. El voltaje aplicado que hace que la
conductancia se anule recibe el nombre de pinch o VP .
En el NMOS de canal inducido no hay ning un canal entre la fuente S y el drenaje
D cuando no se conecta la puerta G a un voltaje. El nombre de transistor de canal
apagado en modo normal (normally-o channel) est a por tanto justicado. Cuando
se conecta un voltaje positivo relativamente peque no a la puerta, una region vaca de
huecos empezara a aparecer entre la fuente y el drenaje, justo debajo de la capa de
oxido. Los huecos tienden a abandonar esa regi
on mientras que por el contrario los
electrones se veran atrados por ella. Inicialmente esto no afecta apenas la corriente
que va de la fuente al drenaje y permanece pr acticamente igual a cero. Sin embargo, si
continuamos aumentando el voltaje en la puerta, nalmente se producir a una inversion
del tipo de conductividad, no siendo por huecos sino por electrones. El voltaje en el
on tiene lugar recibe el nombre de voltaje de disparo o threshold VT . La
que esta inversi
principal ventaja de estos dispositivos es que si no hay voltaje en la puerta, al no existir
practicamente corriente, no se consume potencia incluso habiendo una diferencia de
voltaje entre la puerta y el drenaje.
21.4. Curvas universales caractersticas de los FET

Hemos visto que existen dos grandes familias de FET: aqullos en los que la puerta
forma una uni
on p-n (JFET) y aquellos en los que est
a aislada mediante una sepa-
Curvas universales caractersticas de los FET 269
log ID
ID (on)
I DSS ID (on)
PMOS
enhancement 1mA NMOS enhancement
JFET
de canal n 1 JFET de canal p
VP VP VGS
5 3 VT 0 VT +3 +5
Figura 21.4. Curvas caracterticas de los transistores de efecto campo. El eje de abscisas
representa voltios.
raci
on de oxido (MOSFET). Dentro de cada familia, el canal que conduce puede ser
tipo n o tipo p. Por u ltimo, dependiendo del dopado del canal, el modo puede ser
depletion, en el que el FET conduce hasta que se aplica un voltaje para hacer que
no conduzca, o enhancement, en el que el FET no conduce hasta que no se aplica un
voltaje a la puerta. De todas las posibilidades, los JFET solo se construyen en modo
depletion, mientras que los MOSFET vienen en todos los tipos salvo el de canal p en
modo depletion que no se fabrica.
Afortunadamente no hay recordar las propiedades de los cinco tipos de FET que
existen, ya que estas son basicamente las mismas y se resumen en la gura 21.4. Un
tipo de FET conduce hasta que se hace algo para disminuir su conductancia vaciando
el canal de conduccion (depletion). El comportamiento de estos transistores se resume
en las curvas para los JFET mostradas en la gura 21.4, v alidas tambien para algunos
MOSFET. Si la diferencia de voltaje entre la puerta y la fuente se hace cero VGS = 0,
la corriente que circula por el drenaje ID = IDSS es casi maxima (IDSS signica la
corriente que circula por el drenaje cuando cortocircuitamos -shortcircuit- la fuente
con la puerta). Para disminuir esta corriente hace falta aplicar entre la puerta y la
fuente una diferencia de voltaje como si fueramos a polarizar un diodo de manera
inversa. Como explicabamos antes, al alcanzar el voltaje de apagado o pinch-o VP
el transistor se apaga.
El otro tipo de FET est a dise
nado de manera que no conduce a menos que se
aplique un campo que sea capaz de crear un canal de conduccion. Estos transistores
son los NMOS y PMOS, modo enhancement, cuyas curvas caractersticas se muestran
tambien en la gura 21.4. El voltaje mnimo capaz de crear el canal es VT (voltaje de
disparo o threshold). En este caso la polarizaci on es directa. Es por ello por lo que
un JFET no puede funcionar de esta forma, ya que la uni on p-n entre la puerta y la
fuente, polarizada directamente, se hara conductora.
Detalles del funcionamiento de los FET

Se puede pensar que los FET act uan como una resistencia que se puede cambiar a
voluntad por medio del voltaje aplicado a la puerta. Para analizar su funcionamiento
mas detenidamente tomaremos un JFET de canal n como ejemplo. Cuando no se
aplica voltaje alguno a la puerta, la anchura del canal es m
axima. La resistencia del
ID mA
3 0
0,3
2
0,6
1
1 2 VDS
Figura 21.5. Curvas caractersticas de corriente-voltaje de un FET para diversos valores de

VGS . Lneas discontinuas representan el caso cuando el canal es considerado una resistencia
controlada por el voltaje de la puerta. Abscisa en voltios.
canal se puede calcular como R0 = L/A = L/(dd0 ), siendo A la seccion transversal

del canal, producto de la anchura d y el espesor d0 , y = 1/ su resistividad seg
un la
expresion (18.11). Si se aplica un voltaje VDS entre la fuente y el drenaje, se obtiene
una corriente ID = VDS /R0 .
Si aplicamos ahora un voltaje inverso a la puerta VG = V1 , como en la gura 21.2,
la anchura del canal se reducir a una cantidad W dada por la ecuaci on (21.1), y
la resistencia del canal sera ahora R1 = L/[d0 (d W )]. La corriente por tanto
disminuira a ID = VDS /R1 . Si continuamos aumentando el voltaje VG , la resistencia
se har
a enorme y la corriente sera nula. Esto se puede ver en la gura 21.5, en donde a
medida que crece la resistencia la pendiente de las lneas discontinuas se hace menor.
En la gura 21.5 se observa la dependencia real de la corriente con el voltaje,
dada por las lneas continuas. Se puede ver que cuando VDS es peque no la curva
coincide con el modelo de resistencia constante descrito, pero cuando aumenta la
curva caracterstica se satura. La intensidad ID se hace independiente del valor de
VDS . A mayor voltaje en la puerta, menor resulta la corriente de saturacion Is y
menor el voltaje VDS = Vs al cual se alcanza la saturaci on. Normalmente los FET
operan en el regimen de saturacion.
Tratemos de explicar este comportamiento. En nuestro razonamiento anterior
suponamos que al aplicar un voltaje sobre la puerta, la anchura del canal se reduca
de la misma manera a lo largo de todo el canal. Sin embargo, esto no es del todo
cierto. Cerca de la fuente, la anchura del canal es m
axima, mientras que en el drenaje
la anchura se hace mnima (la regi on de vaciado crece). En la gura 21.6 vemos de
nuevo un JEFT de canal n. Un peque no voltaje VGS polariza inversamente la puerta.
Entre la fuente y el drenaje se aplican distintos voltajes como muestra la gura. La
puerta es metalica y por tanto se halla a un potencial constante VG , pero no ocurre lo
mismo con el canal. El canal no puede ser equipotencial ya que al aplicar una diferencia
de potencial entre la fuente y el drenaje VDS hay una corriente. En el punto 1 de la
gura, el potencial del canal es pr
acticamente igual al potencial de la fuente, es decir
a Vc3 VDS y en el punto
Vc1 = VS . En el punto 3, cercano al drenaje, el potencial ser
2 tendra un valor intermedio. En el punto 1, la diferencia de potencial entre el canal
a igual a la diferencia de la placa y la fuente, esto es VGS , y por tanto
y la placa ser
Principales par
ametros de los FET 271
VGS VGS VGS
S G D S G D S G D
p p p
n n n
1 2 3
V1 V2 V3
Figura 21.6. Efecto de saturaci

on de corriente en los FETs (V1 < V2 < V3 ). La regi
on libre
de portadores aumenta y el canal se va haciendo m as estrecho.
la anchura de la regi
on libre de portadores coincide con la calculada anteriormente,
1/2
20 VGS
W1 = . (21.2)
eNd
Sin embargo, en el punto 3 la diferencia de potencial entre el canal y la placa resulta

ser VGS + VDS . En este punto la anchura de la regi
on sin portadores ser a maxima,
1/2
20 (VGS + VDS )
W3 = . (21.3)
eNd
Por consiguiente cuando se aplica un voltaje VDS entre la fuente y el drenaje, el canal
se distorsiona, siendo maximo en la fuente y mnimo en el drenaje. Cuanto mayor es
el voltaje aplicado, mayor la distorsi
on. El canal empieza a hacerse m as peque no en
todos los puntos excepto muy cerca de la fuente. Recordando que cuanto m as estrecho
es el canal, mayor es su resistencia al paso de corriente, podemos ver que la curva
caracterstica empieza a tender hacia la saturaci
on. Cuando se llega a la saturacion,
practicamente la regi
on vaca corta el canal. Tambien se explica de esta manera la
dependencia con VGS .
21.5. Principales par

ametros de los FET
La propiedad de amplicar de los transistores de efecto campo es com un a los transis-
tores bipolares (BT). Sin embargo los principios en los que se basa son diferentes. En
los BT la corriente de entrada circula a traves de una de la uniones p-n directamente
polarizada. Por lo tanto, la resistencia de entrada de estos transistores no es demasia-
do alta, oscilando entre varios ohmios y kilo ohmios. En los FET el voltaje de entrada
VG se aplica a la puerta, polarizando de manera inversa una uni on p-n (JFET), o in-
cluso a una region aislante de SiO2 (MOSFET). Por lo tanto la resistencia de entrada
de los FET es del orden de los giga ohmios en muchos casos.
Uno de los par ametros mas importantes de un transistor es el coeciente de
ganancia. En los bipolares este par ametro vena dado por la ganancia de corriente
denida por la expresi on (20.3). En un transistor FET, el coeciente de ganancia se
dene por medio de la transconductancia S, denida como la raz on entre el cambio
de la corriente en el drenaje ID y el cambio de voltaje VG aplicado en la puerta,

ID
S= . (21.4)
VG
La transconductancia depende del dise no del transistor y de su regimen de operaci on.
En el caso general, la ecuaci on que da su valor en funcion de estos parametros es bas-
tante complicada. Si miramos de nuevo la gura 21.5, se puede ver que si cambiamos
el voltaje de la puerta, pasamos de una curva a otra. La diferencia entre las dos curvas
es maxima si el transistor funciona en el regimen de saturaci on. La transconductan-
cia en este regimen tambien lo sera (normalmente se usan estos transistores en este
regimen).
Cuando analiz abamos la velocidad de respuesta de un transistor bipolar, vimos
que estaba convenientemente caracterizada por el tiempo de subida t0 . Despues de
cambiar la se nal de entrada, el nuevo valor de la salida se estableca despues de
transcurrido ese tiempo. El tiempo mnimo posible para los transistores bipolares se
obtena en la conguraci on llamada de base com un, y era el tiempo que necesitaban
los portadores para pasar del emisor al colector cruzando la base. De forma an aloga,
la velocidad de respuesta en los FET viene determinada por el tiempo que tardan
los portadores para pasar de la fuente al drenaje. En este caso t0 = L/v, siendo L la
longitud de la puerta y v la velocidad media de los portadores libres a lo largo del
canal. Recordemos que esta velocidad depende del campo en el canal (ver la ecuaci on
(18.10)). Se han fabricado FET en los que el campo electrico a lo largo del canal es
tan alto que v = vs 107 cm/s (vs es la velocidad de saturaci on o la que llevan los
portadores calientes, ver seccion 18.5). Existen transistores de efecto campo hechos
de GaAs capaces de responder a frecuencias de unos 100 GHz.
Discutida la enorme resistencia que presentan los FET a la corriente de entrada
veamos ahora su capacidad. Recordemos que la puerta es obviamente un condensador
plano, cuya capacidad viene dada por la expresi on (19.13). En un MOSFET, un valor
caracterstico para el espesor de la capa de oxido es 0,1 m y para la permitividad
relativa r = 4. El area de la puerta A se calcula f
acilmente a partir de sus dimensiones.
La longitud con la presente tecnologa va de 0,25 a 0,1 m, mientras que la anchura
va de 10 a 200 m. La impedancia capacitiva de entrada entonces se hace del orden
de 0,05 a 1 pF.
21.6. Ejercicios
1. Obtener la expresi on (21.1) empleando (19.6) y (19.7). Tomar Em = 3107 V/m,
18 3
Nd = 10 cm y = 10, y calcular la anchura de la regi on de vaciado.
Solucion: W 0,02 m.
2. Dibujar la estructura b asica de un JEFT de canal p.
3. Dibujar la estructura b asica de un PMOS de canal inducido.
4. Explicar las curvas caractersticas mostradas en la gura 21.4.
5. La resistencia es inversamente proporcional al area de la supercie transversal a
la direccion de la corriente. Si la anchura d del canal disminuye una cantidad W =
0,02 m, siendo inicialmente igual a 50 m, calcular el porcentaje de incremento
en la resistencia.
Solucion: R 1/d implica que R/R = d/d = W/d = 0,04 %.
Captulo 22
Circuitos con diodos
22.1. Curva caracterstica I-V para un diodo

Hemos visto circuitos con elementos pasivos y lineales. Pasivos en el sentido de que
la potencia de una se nal que pasa por ellos no aumenta, y lineales en lo que respecta
a su respuesta en amplitud. Existen otros dispositivos con comportamiento no lineal
pasivo, por ejemplo los diodos, y no lineal activo, como los transistores. Debido al
caracter no lineal, no obedecen la ley de Ohm, y tampoco tienen un equivalente de
Thevenin, aunque bajo ciertas circunstancias su comportamiento se pueda aproximar
al de los elementos lineales. En este captulo nos ocuparemos de circuitos no lineales
pasivos.
Los diodos se representan mediante el smbolo dibujado en la gura 22.1, en donde
la echa indica el sentido de la corriente en polarizacion directa. La relaci
on entre el
voltaje aplicado a sus terminales y la corriente que circula por el puede resumirse
en la gura 22.2, seg un vimos en el captulo 19. Podemos ver que si una corriente
de 10 mA circula del anodo al c atodo en un diodo, la diferencia de potencial entre
ellos sera de 0,6 V, que es la cada de voltaje en polarizacion directa. La corriente
inversa, con valores tpicos de nanoamperios, no suele tener consecuencia alguna hasta
que se llega a la region de ruptura, tpicamente situada en torno a los 75 V. Salvo
los diodos Zener, dise nados para operar en la zona de ruptura (se alcanza a voltajes
mucho menores siendo 5,6 V un valor tpico), en la mayora de las aplicaciones se
puede considerar el diodo como una v alvula de una sola direcci
on, la marcada por la
A
20 m
10 m
100 50 V
1 1 2
A C
2
Figura 22.1. Smbolo de diodo empleado Figura 22.2. Curva caracterstica I-V
en un circuito. La letra A es el
anodo y la para un diodo. N
otese el cambio en las
C el c
atodo. escalas.
273
274 Circuitos con diodos
0.6
Vout
Vin
V
Rload
Figura 22.3. Circuito recticador de me- Figura 22.4. Se nales de entrada (lnea dis-
dia onda. continua) y salida (continua) del recticador.
echa, que deja pasar corriente en un s

olo sentido, manteniendo en sus extremos una
cada de unos 0,6 V.
22.2. Recticaci
on
Un recticador convierte corriente alterna en corriente continua. Esta es una de las
funciones m as simples y mas importantes de los diodos, tanto es as que se les conoce
con el nombre de recticadores. El circuito de la gura 22.3 es un recticador de media
onda. La se nal alterna de entrada normalmente es la salida de un transformador.
Considerndo el diodo como un conductor de una sola direcci on, es f
acil comprender
la gura 22.4, en donde se muestra el voltaje a la salida y a la entrada del diodo.
Para una se nal armonica que es mucho mayor que el voltaje de saturaci on en
polarizacion directa (unos 0,6 V tpicamente para diodos de silicio), podemos ver que
solo la mitad de la se
nal de entrada es aprovechada, de ah el nombre de recticador
de media onda. Vemos ademas que el diodo aten ua la se
nal ya que mantiene una
cada de voltaje entre sus terminales. La salida no es propiamente una se nal continua,
sino una alterna sin la parte negativa. Para mejorarla necesitaremos ltrarla como
veremos, pero antes nos gustara aprovechar el resto de la se nal de entrada.
Puente de recticaci
on de onda completa
Este circuito esta pensado para aprovechar la parte negativa de la se nal de entrada y
podemos verlo en la gura 22.5. La gura 22.7 explica su comportaminto. Tanto para
la parte positiva como para la parte negativa de la se nal de entrada, en cada instante
dos diodos estan conectados en serie con esta. En la gura 22.6 se puede ver el voltaje
de salida. Como antes, la senal de salida se anula antes que la de entreda debido al
voltaje de cada directa de 0,6 V. En este caso, es el doble al estar conectados dos
diodos en serie.
22.3. Fuente de voltaje no regulada

Los circuitos anteriores nos dan una salida que es continua s
olo en lo que respecta a la
polaridad, pero presentan mucho rizado. Se denomina rizado a la variaci on peri
odica
Fuente de voltaje no regulada 275
V
D A
C B Rload
t
Figura 22.5. Puente recticador de onda Figura 22.6. Voltaje a la salida de un

completa. puente recticador.
A D
C Rload B Rload
Figura 22.7. Circuito efectivo para cada mitad del ciclo.
del voltaje respecto a su valor estacionario. Para suavizar la variaci

on mostrada en la
gura 22.6 se pasa la senal de salida con un ltro pasa-baja, como en el circuito de
la gura 22.8. En realidad, debido a que los diodos solo permiten el paso de corriente
en una direccion del condensador, el ltro hace de dispositivo de almacenamiento de
energa.
En la gura 22.9 hemos dibujado la salida al anadir el condensador. Podemos
ver que el rizado se ha reducido de manera considerable, aunque a un existe alguna
on mostrada como amplitud pico-pico Vpp . Es por ello que tenemos una fuente
variaci
no regulada.
Para elegir el condensador vamos a analizar el comportamiento en el dominio
temporal usando aproximacionees. Resolver el problema de manera exacta no da
mejor criterio porque la tolerancia es normalmente de un 20 % y muchas cargas no son
resistivas. Sea Il la corriente que sale del puente. Si la carga es resistiva, esta corriente
no permanecera constante, sino que decae de manera exponencial cada mitad de ciclo.
Esto podemos verlo en la gura 22.10, en donde el voltaje decae exponencialmente en
el intervalo de tiempo en que la se nal que sale del puente se hace pr acticamente cero.
La primera suposici on que haremos sera que la corriente Il permanece constante e igual
a Vmax /R. Supondremos el tiempo en el que decae el rizado es igual al semiperiodo
de la senal que sale del puente, que coincide con el semiperiodo de la se nal alterna
a recticar, t = 1/(2f ). Notemos que si el recticador fuera de media onda sera
t = 1/f . Con todo ello, lo que estamos haciendo es sustituir la curva continua
por la recta mostrada en la gura 22.10. Escribiendo la relaci on entre el voltaje y la
V
Vpp
R
C Rload
t
Figura 22.8. Filtrado de la fuente de voltaje Figura 22.9. Voltaje de salida despues
continua. de pasar por el ltro. Vpp es una medida
del rizado que queda.
intensidad en un condensador,
V
Il = C , (22.1)
t
con lo cual identicando la amplitud pico-pico de rizado Vpp con V , este calculo
aproximado nos da
Vmax
Vpp = . (22.2)
2f RC
Podemos de este modo elegir el valor apropiado del condensador conocido el valor de
Vpp que la aplicaci
on tolera.
V
Figura 22.10. Estimaci on del rizado. En el intervalo en el que el voltaje que sale del
puente (lnea discontinua), se hace cero, la se
nal decae exponencialmente (lnea continua).
Suponiendo que Il permanece constante, el voltaje estara descrito en ese intervalo por la
lnea recta.
Circuito regulador con diodo Zener 277
V
Vin Vout 0.6V

I
Vzener
zona a evitar
Figura 22.11. Circuito regulador median- Figura 22.12. Curva caracterstica V-I
te Zener. Vin puede ser el voltaje con riza- para un Zener. La pendiente da la impe-
do de una fuente no regulada. A la salida, dancia din
amica.
Vout = Vzener .
22.4. Circuito regulador con diodo Zener

En el captulo de uniones p-n, mencion abamos brevemente los diodos Zener cuando
discutamos los mecanismos de ruptura en polarizacion inversa. Estos diodos son
capaces de disipar suciente potencia en forma de calor de manera que no se destruyen
por calentamiento y por tanto pueden trabajar en regimen de ruptura cuando se
polarizan inversamente. Esta propiedad los hace u tiles como reguladores de voltaje.
Tienen algunas limitaciones, tales como que la supresi on del rizado no es completa y
que el voltaje de salida no es facilmente ajustable.
En la gura 22.11 podemos ver el esquema del circuito regulador (el diodo Zener
se representa con el mismo smbolo que el resto de diodos salvo que la raya perpen-
dicular a la echa no es horizontal, recordando la caracterstica I-V que presentan).
La senal de salida, por ejemplo de una fuente no regulada, pasa a traves del divisor
compuesto por una resistencia y un Zener. En la gura 22.12 podemos ver la curva
caracterstica del diodo Zener, pero con los ejes cambiados, es decir V-I de manera
que la pendiente en cada punto nos da la resistencia dinamica, es decir Rdin = dV /dI.
Veamos como este circuito es capaz de reducir el rizado. La intensidad que circula
vendra dada por I = (Vin Vout )/R, y por tanto para cualquier variacion de la misma
podemos escribir
Vin Vout
I = . (22.3)
R
Por otro lado, de la curva V-I del Zener podemos aproximar, para un incremento
sucientemente peque no,
Rdin
Vout = Rdin I = (Vin Vout ), (22.4)
R
por lo que nalmente se obtiene
Rdin
Vout = Vin . (22.5)
R + Rdin
As el circuito se comporta como un divisor de voltaje con el diodo reemplazado por
una resistencia igual a la resistencia din
amica del Zener a la corriente en que opera.
Queremos que Vout sea cero, con lo que tomaremos el valor de R de manera que
Vout
V
0.6
Figura 22.13. Circuito limitador. Figura 22.14. Salida del circuito limita-
dor.
el Zener opere en una zona donde la curva se hace lo m as horizontal posible, ya que
entonces Rdin 0. Como el Zener esta polarizado inversamente, esto sucede cuando
Vout = Vzener , seg
un puede verse en la gura 22.12, y normalmente I = 10 mA.
22.5. Limitadores
Los diodos se usan como elementos de proteccion para muchos circuitos, ya que al
limitar el voltaje evitan que se da
nen. Casi todos los circuitos integrados llevan diodos
como proteccion para evitar el efecto de descargas producidas por carga estatica
generada al manipularlos.
El primer circuito limitador que mostramos se parece mucho al recticador, aun-
que en este caso la impedancia de salida esta dominada por la resistencia (es por ello
por lo que no se usa para recticar), como se puede ver empleando la expresi on del
divisor de voltaje. El circuito puede verse en la gura 22.13 junto con la salida que
ofrecera para una senal de entrada arm
onica. El diodo se encuentra polarizado nega-
tivamente y por tanto es como si no estuviera hasta que la se nal alcanza un valor de
0,6 V, para el cual la polarizacion cambia y el diodo se hace conductor, manteniendo
una diferencia de potencial constante entre sus terminales.
5.6
+5V
V
Vout 0.6
Figura 22.15. Circuito limitador de vol- Figura 22.16. Salida del circuito limita-
taje superior e inferior. dor de voltaje superior e inferior.
Ejercicios 279
Mostramos en la gura 22.15 otro limitador. La se

nal de salida en este caso puede
verse en la gura 22.16.
22.6. Ejercicios
1. Explicar c omo act
ua un diodo para recticar la corriente.
2. Explicar la acci on de un ltro con condensador en un circuito recticador.
3. Considerar el circuito mostrado en la gura 22.8. La fuente de corriente alterna
da una amplitud de 12 V a 50 Hz. Se trata de elegir los valores de R y C de
manera que la carga reciba 10 V con menos de 0,1 V de rizado y una intensidad
maxima de 0,1 mA. Tener tambien en cuenta la cada de 0,6 V de los diodos.
Solucion: Vpp = Iload /(2f C), con Iload = 0,1 mA. Por tanto C = 0,1 F. Vm =
Vdc + Vpp /2, con Vdc = 10 V, Vm = (V0 0,6)Rload /(Rload + R), siendo Rload =
Vdc /Iload , y V0 = 12 V. Luego R 14 k.
4. Demostrar que el diodo Zener del circuito de la gura 22.11 tiene que ser capaz
de disipar una potencia igual a

Vin Vout
Pzener = Iout Vzener ,
R
siendo Iout la intensidad de salida al conectar una carga.

5. Explicar la salida mostrada en la gura 22.16 para el circuito de la gura 22.15.
Captulo 23
Circuitos con transistores
23.1. Amplicador de corriente

En este captulo veremos circuitos en los que intervienen dispositivos no lineales ac-
tivos, en particular transistores bipolares. Muchos de estos circuitos pueden hacerse
con transistores de efecto campo, en algunos casos mejorando los resultados, en otros
no.
En las aplicaciones, el funcionamiento de un transistor se puede entender como
una especie de valvula que permite controlar el ujo de corriente cuando intenta que
pasa a traves de el como podemos ver en la gura 23.1.
Lo transistores de union bipolar son de dos tipos: n-p-n y p-n-p. Resumiremos
el funcionamiento de los transistores n-p-n mediante cuatro reglas (para los p-n-p
simplemente hay que cambiar las polaridades):
1. El colector debe ser mas positivo que el emisor, esto es VC > VE .

2. Si se consideran la uni
on base-emisor y la union base-colector como dos diodos,
segun podemos ver en la gura 23.2, entonces el diodo base-emisor debe estar
polarizado directamente y el diodo base-colector debe estarlo inversamente. Esto
es, VB = VE + 0,6 y VC > VB .
3. Un transistor se estropea si se superan sus valores m aximos de IC , IB , VCE y
VBE .
4. Cuando las reglas anteriores se cumplen, entonces
IC = IB . (23.1)
IC
control
IB
IA
Figura 23.1. Modelo simple de transistor n-p-n como una v

alvula.
281
282 Circuitos con transistores
C
IC
B
Figura 23.2. C
omo un ohmnmetro vera a un transistor n-p-n.
Conviene hacer unos comentarios antes de proseguir. La corriente del colector cuando
se cumplen estas reglas no es debida a la conducci on del diodo, ya que se tratara de
un diodo polarizado inversamente, sino que es una propiedad del funcionamiento del
transistor. La expresi
on (23.1) determina la utilidad del transistor como amplicador
de corriente. Ademas, aplicando las leyes de Kirchho, IE = (1 + )IB . Dado
1,
normalmente del orden de 100, una buena aproximaci on es IC IE .
23.2. Interruptor
Ademas de poder usarse como amplicador de corriente, un transistor puede usarse
como interruptor. Este uso es muy importante en electr onica digital, siendo la base
de todos los circuitos digitales, ya sean memorias, puertas logicas, etc.
Un interruptor presenta dos estados: encendido y apagado. Por ejemplo, el inte-
rruptor mec anico de la pared enciende las luces o las apaga en virtud de su posici on.
Cuando esta apagado, un interruptor no permite el paso de la corriente, mientras que
cuando se enciende, la diferencia de potencial entre sus terminales se anula. Aunque
los transistores no son capaces de alcanzar estos estados ideales, ya que en su estado
encendido existe una peque na diferencia de voltaje, y en su estado apagado se permite
el paso de una peque na corriente, s que pueden usarse como interruptor con ciertas
ventajas: pueden controlarse electr onicamente en lugar de mecanicamente, pueden
hacerse extremadamente peque nos (caben mas de cien mil en un centmetro cuadrado
de silicio usando tecnicas de litografa), son muy baratos de producir y funcionan a
mucha mas velocidad (pueden encenderse y apagarse millones de veces por segundo).
Todo esto ha permitido el gran desarrollo de la electronica digital.
Empezaremos discutiendo el comportamiento del circuito de la gura 23.3. Se
trata de un transistor en estado saturado. Cuando el interruptor mec anico esta abierto,
no hay corriente en la base, y por tanto en virtud de la regla 4 no existe corriente en
el colector y la bombilla esta apagada, lo cual equivale a que VC = +10 V. Si cerramos
el interruptor, el voltaje de la base valdr a VB = 0,6 V ya que la uni on base-emisor se
polariza directamente. La cada de potencial en la resistencia de 1 k conectada a la
base sera de 9,4 V, por lo que IB = 9,4 mA. Queremos calcular la corriente IC que
circula por el colector. Si = 100 para el transistor, la regla 4 nos dara IC = 940 mA.
Este razonamiento esta mal porque no podemos aplicar la regla 4 si no se cumplen las
otras reglas, y en este caso no lo hacen: la regla 1 no se cumple. Si realmente circulara
IC = 940 mA por el colector, aparte de fundir la bombilla, VC sera negativo y por
tanto VC < VE . Un transistor no puede hacer esto, y el resultado es lo que se llama
saturacion.
Interruptor 283
+10V
10V
0.1A
1k
Figura 23.3. Transistor en estado saturado.
Lo maximo que puede hacer el transistor es llevar VC tan cerca de VE como

permita la uni on base-colector que debe de mantenerse polarizada inversamente seg un
la regla 2. Cuando entre la base y el colector hay una diferencia de unos 0,4 V el diodo
entra en polarizaci on directa (el diodo base-colector se trata de un diodo mas grande
que el diodo base-emisor, por lo que el voltaje de que podemos llamar de encendido
es menor que los 0,6 V tpicos). Por lo tanto, cuando VCE = VC VE 0,2 V,
parte de la corriente del colector se ve disminuida por la conducci on base-colector. La
bombilla tendra entre sus terminales aproximadamente los 10 V y por ella circulara
una corriente de 0,1 A.
El siguiente smil nos ayudar a a comprender que es lo que pasa y cuales son los
lmites del transistor. Imaginemos un hombrecito como en la gura 23.4 cuya tarea es
mantener IC = IB . En los ampermetros de la base y el colector puede ver el valor
de la corriente que circula por cada terminal y s olo puede ajustar una resistencia
variable. Puede dejar el circuito abierto (transistor apagado) o ir disminuyendo la
resistencia (transistor en la regi on activa). El hombrecito realiza su tarea hasta el
momento en el que el diodo de la base al emisor empieza a funcionar, porque parte de
la corriente escapa a su control. En ese instante el transistor ha pasado de la regi on
activa a saturarse y en esa region IC < IB .
En la gura 23.5 podemos ver las curvas caractersticas del transistor. La inten-
sidad que entra en la base se mantiene constante en cada caso, y se representa IC
B C IC
I B2
I B1
E VCE
Figura 23.4. El funcionamiento de un Figura 23.5. Curvas caractersticas para

transistor en un circuito. un transistor.
+V
R1 R2
T1A
AB
A
T1B T2
B
Figura 23.6. Puerta NAND usando transistores bipolares (TTL).
frente a la diferencia de voltaje VCE entre el colector y el emisor. El resultado describe

lo que hemos expresado. Observamos que cuando VCE disminuye, dejamos la region
activa en donde IC = IB es aproximadamente constante (se dice que el transistor
esta en estado OFF o apagado como interruptor), para entrar en una regi on en donde
IC comienza a decrecer, es decir, la regi
on de saturaci on (transistor ON o encendido).
Puerta l
ogica NAND
Veamos una aplicaci on de todo esto. Se trata de implementar la puerta logica NAND.
Esta puerta funciona del siguiente modo: si A y B son las entradas, cuyos valores
pueden ser 0 y 1, la salida vale Z = AB, es decir lo que de el producto de A y B
inverso (por ejemplo Z = 10 = 0 = 1). La importancia de esta puerta es que cualquier
otra funci on l
ogica puede construirse a partir de ella.
La puerta se puede ver en la gura 23.6. Se conoce como l ogica de transistor-
transistor (TTL), ya que se usan transistores para implementarla. El funcionamiento
es facil de entender. Si el voltaje en A y B es alto, entonces toda la corriente que uye
a traves de R1 pasa al transistor T2 a traves del diodo base-colector (la union base
emisor de T1A y T1B se encuentra polarizada inversamente por lo que no podemos
aplicar las reglas). Ya que a T2 llega una corriente sucientemente alta, entra en
saturaci on (pasa a estado encendido), y por tanto el voltaje a la salida Vout tiene un
nivel bajo. Sin embargo, si una de las se nales de entrada es baja, el correspondiente
transistor entra en funcionamiento robando parte de la corriente que llega a la base del
transistor T2 . En esta situaci on, el transistor T2 funciona en el regimen de apagado,
y por tanto Vout +V (salida alta). Realmente el circuito mostrado tiene algunos
puntos debiles en cuanto a dise no pero ilustra la idea de c
omo funcionan los circuitos
digitales.
23.3. Seguidor de emisor

En la gura 23.7 tenemos otro circuito b asico: un seguidor de emisor. Recibe este
nombre porque el terminal de salida es el emisor, que transmite el voltaje de entrada
aplicado a la base. Si con los voltajes aplicados, el transistor cumple las reglas men-
Seguidor de emisor 285
V+
Vin
Vout
R
V
Figura 23.7. Seguidor de emisor.
cionadas anteriormente, en virtud de la segunda tendremos que Vout Vin 0,6 V.

Es decir, la salida es una replica de la senal de entrada (salvo 0.6 V), siempre que
Vin > V + 0,6 V, para que la uni on base-emisor permanezca polarizada directamente.
A primera vista este circuito puede parecer poco u til hasta que uno se da cuenta
que la impedancia de entrada es mucho mayor que la de salida: un seguidor de emisor
tiene ganancia de corriente, aunque no de voltaje, y por tanto ganancia de potencia.
Esto implica que si acoplamos dos circuitos con un seguidor de emisor, el segundo
circuito requiere menos potencia de la se nal de entrada del primero que si lo excitase
directamente esta senal. O dicho de otro modo: una se nal con impedancia interna dada
(en el sentido de Thevenin) puede excitar una circuito de impedancia comparable o
incluso menor sin perdida de amplitud por el efecto del divisor de voltaje asociado.
Lo que hemos discutido es muy importante. Signica que podemos conseguir que
la impedancia de la carga Zin siempre parezca mucho mayor que la de la se nal que la
va a alimentar Zout , esto es Zout Zin . Por tanto podemos dise nar nuestros circuitos
de manera independiente y luego unirlos sin afectar el funcionamiento de cada parte

como veamos en el captulo 14. Esta es toda la mision que tiene un seguidor: cambiar
las impedancias. Calculemos cu ales son estas impedancias y como cambian.
Si hacemos un cambio en el voltaje de la base VB , el cambio correspondiente
en el emisor sera VE = VB . Entonces el cambio en la corriente del emisor valdr a
IE = VB /R, (23.2)
y por lo tanto tendremos
IE VB
IB = = . (23.3)
+1 R( + 1)
Podemos entonces identicar la resistencia que ve la se

nal en la base Rin como
VB /IB , y seg
un la ecuacion (23.3) escribir
Rin = ( + 1)R, (23.4)
con lo que la impedancia de la carga R es vista por la se

nal que la va a excitar
aumentada por un factor ( + 1) del orden de 100.
VCC
C1 R1
RTh Q1 CL
R2
t RL
RE
Figura 23.8. El seguidor de emisor, ali- Figura 23.9. Un seguidor de emisor de

mentado con una fuente unica VCC , no es corriente alterna. Un divisor de voltaje es
capaz de generar voltajes negativos a la aplicado a la base para mover el voltaje
salida. de posici
on.
Por otro lado, la impedancia de salida Rout de un seguidor de emisor cuando se

alimenta con una fuente de voltaje V en la base de impedancia interna Rsource , vale
Rsource
Rout = . (23.5)
+1
Se puede ver esto de la siguiente forma. Sea I1 = IE = (1 + )IB la corriente que sale
del emisor, e I2 = VE /R la que circula por la resistencia de carga. Si aplicamos un
incremento de voltaje V al emisor, la corriente en la base Ib = [V (Ve +0,6)]/Rsource
se incrementa la cantidad V /Rsource e I2 se incrementa V /R. Resulta entonces
Iout = I2 I1 = V [1/R + (1 + )/Rsource ]. En la pr actica, el segundo sumando
domina, con lo que obtenemos la ecuacion (23.5). Es por ello que la salida ve una
impedancia de entrada mucho menor que la que se tiene.
Seguidor de emisor balanceado

Cuando se emplea un seguidor de emisor para acoplar dos circuitos, normalmente
podemos conectar el primer circuito directamente a la base del seguidor. Sin embargo,
hay casos en los que la se nal de entrada no esta bien acondicionada para que el
transistor opere en la region activa (la regi
on en la que se cumplen las 4 reglas, con
el diodo base-emisor en conducci on y el potencial del colector varias decenas de veces
mayor que el potencial del emisor para un transistor n-p-n). Un ejemplo tpico de
esto ocurre al acoplar a traves de un condensador una se nal externa de audio a un
amplicador de alta delidad. En este caso, el promedio de la se nal es cero y un
seguidor alimentado con una fuente de voltaje u nica, con la resistencia del emisor
conectada a tierra, dara una salida como la mostrada en la gura 23.8.
Es necesario mover el voltaje de la base para que durante todo el tiempo pueda
uir corriente por el colector incluso cuando la se
nal de entrada se hace negativa. En
la gura 23.9 podemos ver un ejemplo. En este caso, se elige un divisor dado por las
resistencias R1 y R2 para poner la base a un voltaje igual a VCC /2 cuando no existe
se
nal de entrada. De esta manera, la se nal que proviene del condensador C1 puede
hacerse tan negativa como la mitad del voltaje del colector menos 0,6 V.
Fuente de corriente 287
El proceso de seleccionar los voltajes de operacion de un circuito cuando no se

aplica ninguna se nal se conoce como establecer el punto de quiescencia. En este caso,
el punto de quiescencia se elige de manera que permita el maximo barrido simetrico
de la se
nal sin cortar la parte de arriba o de abajo de la misma (clipping). Los valores
para R1 y R2 deberan ser tales que aplicando nuestro criterio general, hagamos la
impedancia que mira al divisor (R1 en paralelo con R2 ) menor que la que mira a la
base, esto es
R1 ||R2 RE . (23.6)
Es una buena eleccion tomar R1 ||R2 RE /10.
Imaginemos que queremos emplear un seguidor para se nales de audio (frecuencias
comprendidas entre 20 Hz y 20 kHz), como el que podemos ver en la gura 23.9.
Tenemos una fuente que proporciona un voltaje VCC = +15 V, y la corriente de
quiescencia ha de ser 1 mA. Primero tenemos que elegir VE para permitir el barrido
nal (es equivalente a elegir VB salvo la diferencia de 0,6 V).
simetrico maximo de la se
Haremos por tanto VE = VCC /2 = 7,5 V, y para que la corriente de quiescencia valga
1 mA, elegimos RE = 7,5 k. Dado que VB = VE + 0,6 = 8,1 V, la raz on de R1 a R2 es
1/1,17. El criterio dado por la ecuacion (23.6) requiere que la resistencia en paralelo
formada por R1 y R2 valga 75 k o menos, con lo cual podemos tomar R1 = 130 k
y R2 = 150 k. Tenemos que elegir ahora el valor de C1 . El condensador C1 forma
un ltro pasa alta con la impedancia compuesta por la asociaci on en paralelo del
seguidor Rin y del divisor R1 ||R2 (una eleccion de caminos signica una asociaci on
en paralelo). Si suponemos que la impedancia de carga RL es mayor que RE , la
impedancia del seguidor vendr a dada por RE , con lo cual valdr a Rin = 750 k. El
divisor equivale a 70 k aproximadamente, con lo que el conjunto da una resistencia
total de unos 63 k. Como queremos que el punto de 3 dB este por debajo de la
frecuencia mas baja de interes, que es 20 Hz, obtenemos C1 = 1/(2f R) = 0,13 F
o mayor. Por u ltimo, CL forma tambien un ltro pasa alta con la resistencia RL y
RE . Como es seguro suponer que RL no sera menor que RE , el valor del punto de
3 dB vendr a dado por CL = 1,1 F. Debido a que se trata de dos ltros en cascada,
para evitar gran atenuaci on de la amplitud de la se nal (6 dB en este caso) a la
menor frecuencia de interes, los valores de los condensadores deberan aumentarse:
C1 = 0,5 F y CL = 3,5 F podran ser dos buenas elecciones.
23.4. Fuente de corriente

Cuando en el captulo 15 veamos maneras de cargar un condensador, hablamos de
una fuente de corriente como un dispositivo capaz de mantener una corriente cons-
tante. A menudo tambien se usa una fuente de corriente para excitar o controlar el
comportamiento de los transistores. Veremos ahora como podemos fabricar tal dispo-
sitivo.
La forma mas simple de obtener una fuente de corriente es empleando una resis-
tencia R y una fuente de voltaje V como podemos ver en la gura 23.10. Si elegimos
R
Rload (con lo cual Vload V ), entonces la corriente de salida ser
a aproximada-
mente I V /R. Sin embargo, esta fuente es bastante mala porque hay que disipar
mucha potencia en R y ademas no es facil obtener un valor de I determinado.
Afortunadamente, el transistor nos permite fabricar una fuente mucho mejor. En
la gura 23.11 podemos ver c omo. Si aplicamos a la base un voltaje VB > 0,6 V, de
+VCC
carga
V Vload VB
+ R
Rload RE
Figura 23.10. Una posible fuente de Figura 23.11. Fuente de corriente usan-
corriente. do un transistor.
manera que la base-emisor conduce, entonces tenemos
IE = VE /RE = (VB 0,6)/RE , (23.7)
y ya que IC IE cuando es lo sucientemente grande, resulta
IC (VB 0,6)/RE , (23.8)
en tanto se cumplan las cuatro reglas que hemos establecido para el funcionamiento
del transistor. Mientras sea VC > VE tendremos que la corriente IC es independiente
de la carga conectada al colector. Ademas, variando VB podemos obtener el valor que
queramos de la corriente dentro de un cierto rango. Una fuente de corriente puede
alimentar la carga de manera constante solo en un cierto rango de voltajes, hasta que
el transistor se satura. Este rango de voltajes se llama de compliance o adecuacion.
23.5. Amplicador de emisor com

un
El circuito que vamos a ver muestra ganancia de voltaje a su salida. Funciona por
tanto como un amplicador de voltaje. Podemos ver el diagrama del mismo en la
gura 23.12. Es facil comprender su funcionamiento conociendo c omo lo hacen el
seguidor y la fuente de corriente. Seg
un hemos visto, cualquier variacion de voltaje
VB en la base produce una variaci on en la corriente del emisor
IE = VE /RE = VB /RE , (23.9)
y si es grande, se produce practicamente la misma variaci

on en la corriente del
colector IC IE , con lo cual resulta
RC
VC = IC RC = VB . (23.10)
RE
As, la variaci
on de voltaje en la base causa una variaci on de voltaje en el colector,
con una ganancia igual a la raz on de las resistencias. Si RC > RE obtenemos una
amplicaci nal. El signo negativo, debido al sentido de la corriente (VC =
on de la se
Amplicador de emisor com
un 289
VCC
R1 RC
in out
C
R2 RE
Figura 23.12. Amplicador de emisor com

un degenerado.
VCC IC RC ), implica que una variaci on positiva en la entrada resulta en una variaci
on
negativa a la salida, es decir, un desfase de 180 para una se nal alterna.
Este circuito recibe el nombre de amplicador de emisor com un degenerado. De
emisor com un porque la entrada y salida son los otros terminales del transistor, y
degenerado porque, seg un las reglas dadas del funcionamiento del transistor, si RE
fuese igual a cero la ganancia sera innita. Para ver que sucede realmente en este
caso, tendremos que modicar la regla 4, dada por la expresi on (23.1), y sustituirla
por la ecuaci
on de Ebers-Moll (23.11).
La impedancia de entrada del amplicador puede determinarse f acilmente. La
nal de entrada ve en paralelo las resistencias del divisor (R1 , R2 ) y la impedancia
se
que mira a la base RE , siendo esta u ltima normalmente mucho mayor que las otras.
El condensador C forma entonces un ltro pasa alta con el divisor. La impedancia
de salida, por otro lado, es la asociaci on de RC en paralelo con la impedancia que
mira hacia el colector. Si nos olvidamos de RC , tenemos una fuente de corriente muy
estable, con lo que la impedancia que mira hacia el colector sera muy grande. Por
tanto la asociacion en paralelo estara dominada b asicamente por RC .
Transconductancia
Podemos ver el amplicador de otra forma. Imaginemos que lo separamos en dos

partes como muestra la gura 23.13. Una parte es una fuente de corriente controlada
por el voltaje aplicado a la base. Esta fuente puede verse como un transconductor, en
donde se convierte voltaje a corriente, con una ganancia dada por 1/RE .
La segunda parte del circuito es la resistencia de carga del colector RC . Esta
resistencia puede verse como algo que convierte corriente en voltaje. Esto lo hace con
una ganancia dada por RC . Cuando se conectan las dos partes juntas, la ganancia
total resulta de multiplicar las ganancias de las dos partes RC /RE . Esta manera
de pensar permite analizar el funcionamiento de secciones de manera independiente
incluso para diferentes dispositivos como los FET.
VCC
R1 RC
in out
C
R2 RE
Figura 23.13. Amplicador de emisor com

un degenerado visto como un transconductor.
23.6. La ecuaci
on de Ebers-Moll aplicada
Cuando resumamos el funcionamiento del transistor mediante cuatro reglas, lo trataba-
mos como un amplicador de corriente, con su circuito de entrada comport andose
como un diodo. Esto nos ha sido bastante u til para poder analizar los circuitos que
hemos visto hasta ahora. Sin embargo, para comprender otras aplicaciones, es ne-
cesario considerar el transistor como un transconductor cuya corriente del colector
esta determinada por la diferencia de voltaje entre la base y el emisor, empleando
para ello la ecuacion de Ebers-Moll que veamos en el captulo 20.
El comportamiento del transistor en un circuito lo describiremos entonces por
las tres primeras reglas que ya conocemos, modicando la cuarta. Para transistores
n-p-n (para los p-n-p simplemente hay que cambiar las polaridades) se tiene que:
1. El colector debe de ser m as positivo que el emisor, esto es VC > VE .

2. Si se consideran la union base-emisor y la union base-colector como dos diodos,
seg
un podemos ver en la gura 23.2, entonces las cosas estan dispuestas de manera
que la base-emisor esta pol arizada directamente y la base-colector inversamente.
Esto es, VB = VE + 0,6 V y VC > VB .
3. Un transistor tiene valores m aximos para IC , IB , VCE y VBE que no pueden
sobrepasarse sin el coste de un nuevo transistor.
4. Cuando las reglas anteriores se cumplen, entonces
IC = IS exp(eVBE /kB T ). (23.11)
IS es la corriente de saturaci
on. La corriente que circula por la base tambien
depende de VBE , y vale IB = IC /.
De la ecuacion de Ebers-Moll se pueden obtener algunos par ametros que hay que
tener presente a la hora de dise
nar circuitos (ver captulo 20):
Primero, a temperatura ambiente de unos 20 C, para incrementar IC en un factor

de 10 tendremos que incrementar el voltaje VBE en unos 60 mV, o equivalente-
mente, IC = IC0 exp(VBE /25 mV).
La ecuacion de Ebers-Moll aplicada 291
+15 V
+10 V
1 mA
50 RC 5,1 k
Vin Vin
RE 7.5 k
Figura 23.14. Seguidor de emisor. Figura 23.15. Amplicador.
Segundo, la impedancia intrnseca que mira al emisor habr

a de tenerse en cuenta.
Esta impedancia act ua como una resistencia en serie con el emisor en todos los
circuitos y vale rE = 25 mV/IC .
Tercero, la dependencia de VBE con la temperatura, que resulta en un decremento
de 2,1 mV/ C. Tambien el efecto Early, dado como el cambio VBE = VCE ,
con = 0,0001 a IC constante.
Seguidor de emisor revisado
Consideremos de nuevo el seguidor mostrado en la gura 23.14. Cuando discutimos su

funcionamiento, vimos que la impedancia de salida Rout vena dada por la asociaci on
en paralelo de RE con la de la fuente, en este caso 50 dividida por seg un la
expresion (23.5).
Sin embargo, incluso con la impedancia de la fuente igual a cero, la impedancia de
salida del seguidor seguira siendo distinta de cero, ya que hay que tener en cuenta la
resistencia intrnseca dada por rE . As, resulta Rout = RE ||(50 / + rE ) 25 , con
rE dominando la asociaci on. Por lo tanto, una primera consecuencia de la modicaci on
de la cuarta regla es que la impedancia de salida tiene un mnimo distinto de cero.
Por otro lado, la ganancia del seguidor ser a ligeramente menor que la unidad,
debido al efecto del divisor entre RE (que podemos considerar como la carga) y rE .
En este caso, resultara Vout /Vin = 0,993, pero en otros casos la variaci on puede se
mucho mayor del 1 %.
Amplicador de emisor com

un revisado
Revisemos ahora el amplicador. En la gura 23.15 podemos ver un amplicador

de emisor com un en el que RE se ha hecho cero. Este caso recibe el nombre de
amplicador con emisor conectado a tierra, o simplemente de emisor com un (sera el
caso no degenerado). Aparentemente la ganancia de este amplicador sera innita,
ya que a esto es a lo que tiende el lmite RC /RE de la expresion (23.10) cuando RE
disminuye. Sin embargo, la resistencia intrnseca del emisor impone una cota superior
a la ganancia G, resultando Gmax = RC /rE . Para evaluar rE necesitamos el valor
de IC . En el caso mostrado en la gura 23.15, si especicamos IC en el punto de
Vin Vout
t t
T T
Figura 23.16. Durante el periodo de la senal triangular, la variaci

on de IC no es lineal, con
lo que la se
nal de salida se distorsiona.
quiescencia, con Vout centrado, resulta G = 200. Se trata de una ganancia bastante
grande, pero esto se tiene a expensas de otros efectos no deseados.
El primer efecto no deseado para el amplicador de emisor conectado a tierra es
el de la no linealidad. Si se alimenta con una se nal diente de sierra el circuito de la
gura 23.15, empleando la expresion erefeq:rule4m para la intensidad, el voltaje a la
salida quedara distorsionado como se puede apreciar en la gura 23.16. Otro efecto
es que la impedancia de entrada en este caso valdra Zin = (25 mV/IC ), con lo cual
su variacion ser
a no lineal y la se
nal acabar
a conteniendo esta no linealidad debido al
efecto divisor de voltaje.
Por u ltimo, para este amplicador es difcil programar su punto de quiescencia
para acomodar la se nal de entrada. El voltaje adecuado, de acuerdo con la regla
(23.11), para una IC dada de quiescencia, cambia con la temperatura haciendose
bastante inestable. Un peque no cambio en la temperatura a VBE constante hara que
la corriente del colector se incrementase, entrando en la regi on de saturacion.
23.7. Ejercicios
1. En el circuito mostrado en la gura 23.3, cuanto valdra VC si realmente circulara
por el colector una corriente IC = 940 mA?
on: VC = 84 V.
Soluci
2. Demostrar que el voltaje de salida que entrega un seguidor de emisor de resis-
tencia R como el de la gura 23.7, a un circuito de resistencia RL cuando se
alimenta con una fuente de voltaje Vs de impedancia interna Rs vale
Rin RL
Vout = Vs ,
(Rs + Rin )(Rout + RL )
siendo Rin y Rout las resistencias de entrada y salida del seguidor de emisor dadas
por las expresiones (23.4) y (23.5).
on: La fuente entrega un voltaje debido al efecto divisor igual a Vin =
Soluci
Rin /(Rs + Rin ), y este voltaje pasa por el divisor de la salida. El voltaje de
salida resulta Vin RL /(Rout + RL ).
3. Se tiene una fuente regulada de +15 V. Se trata de usar un seguidor, con el
voltaje de la base jado por un divisor, de manera que se alimente un circuito
con +5 V. El circuito puede consumir una corriente m axima de 25 mA. Elegir
los valores de las resistencias del divisor de manera que el voltaje de salida no
caiga mas del 5 %.
Soluci
on: Si conectamos directamente el emisor al circuito, entonces R vendr a da-
do por el cociente VE /IE . El valor mnimo que se obtiene es R = 0,2 k. La razon
Ejercicios 293
de las resistencias para el divisor ha de ser 1/0,6 (VB = 5,6 V). Para que la cada
no sea mayor que el 5 %, la razon entre la resistencia equivalente de Thevenin del
divisor y la impedancia de entrada del transistor, aproximadamente igual a R,
valdr a 19. Por tanto, la asociacion en paralelo de las resistencias del divisor debe
de ser menor que 19 0,2 105 . Con estos datos podemos elegir R1 = 100 k
y R2 = 60 k.
4. Dise nar un seguidor de emisor como el de la gura 23.9, con una sola fuente
de voltaje VCC = +15 V, que permita a la fuente de voltaje alterno de unos
100 Hz, con una resistencia RT h = 10 k, alimentar una carga de RL = 4,7
k y CL = 1F, sin atenuar la se nal m as del 10 % y con la intensidad de
quiescencia igual a 0,5 mA. Antes de empezar, merece la pena pensar la utilidad
de este circuito. Este circuito no amplica el voltaje de la fuente y produce algo
de atenuacion en la se nal, sin embargo, cu anta atenuacion se producira si una
fuente de 10 k alimentara directamente una carga de 4,7 k?
Soluci on: Sin este circuito, la atenuaci
on de la se
nal de entrada sera del orden del
70 %. Elegimos RE = 7,5/0,5 = 15 k para centrar VE . El divisor lo elegimos de
manera que en la base, en condiciones de quiescencia VB VE = 7,5 V (ignorar
la cada de voltaje del diodo equivale a un error del 4 %, que est a dentro del 10 %
de lmite), es decir R1 = R2 . Como la asociacion en paralelo del divisor ha de ser
Rin (base a DC)/10, con Rin 1,5 M, podemos hacer R1 = 270 lo cual nos
da una asociaci on en paralelo de 135 k. C1 = 1/(2f R ) tal que f3dB 100 Hz,

y R = RT h (bias)||Rin (base a AC) = 135||375 k. Nota: a diferencia de antes, la
corriente AC pasa a traves de la carga RL por lo que Rin = (RE ||RL ) = 375
k. R 100 k ya que 3 135 es menor que 375 y podemos suponer que
135 equivale a la asociacion de 3 resistencias en paralelo de 375, con lo cual R
es aproximadamente equivalente a la asociacion en paralelo de 4 resitencias de
375 k, es decir 375/4 k . Resulta C1 0,016F. C1 = 0,02F sera mas que
suciente.
5. Se desea tener una fuente de corriente constante dentro de un 1 %, para un voltaje
de carga comprendido en el rango de 0 a 10 V. Cu al ha de ser el valor de una
fuente de voltaje Vs en serie con una resitencia para lograr esto? Suponer que se
desea una corriente de 1 mA. Cuanta potencia se disipara en la resistencia en
serie y cuanta en el circuito de carga?
Soluci on: Vs = 10/0,01 1000 V ya que Vs 10 V = 0,99 Vs . En la resistencia
en serie P = 0,99 W, mientras que en la carga P = 0,01 W.
6. Se disponen de dos fuentes reguladas de voltaje de +5 y +15 V respectivamente.
Dise nar una fuente de 5 mA de corriente usando un transistor n-p-n conectando
los +5 V a su base. Cual sera su compliance?
Soluci on: RE = 1 k, compliance de +15 a +4,6 V.
7. En la gura 23.12, sean los valores VCC = +20 V, RE = 1,0 k y RC = 10 k. Se
quiere que la corriente de quiescencia del colector valga 1,0 mA. Elegir los valores
de R1 y R2 , as como el del condensador C para que forme un ltro pasa alta
con el punto de 3 dB a 200 Hz. Cu anto vale la ganancia de este amplicador?
Soluci on: El voltaje en la base debe valer 1,6 V y como la asociacion en paralelo
del divisor debe ser RE /10, se puede tomar R1 = 110 k y R2 = 10 k.
Por u ltimo, C 1/(2f R1 ||R2 ), con lo que C = 0,1 F. La ganancia es G =
RC /RE = 10.
Referencias
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Wunsch A D 1997, Variable compleja con aplicaciones 2a Ed. (Addison-Wesley).
295
Indice alfabetico 297
Indice alfab
etico
Atomo, 36 Celula solar, 248

n
ucleo, 36 Calor Joule, 91
Camino libre, 231
Accion a distancia, 41 Campo electrico, 41
Aceleracion, 9 densidad de energa, 78
angular, 15 discontinuidad, 66
componentes intrnsecas, 12 en un conductor, 66
gravitatoria, 15, 19 en un dielectrico, 70
normal, 13 energa, 77
tangencial, 13 Campo magnetico, 95, 109
Aislante, 37 inducido, 139
Amortiguamiento remanente, 133
coeciente, 82 Cantidad de movimiento, 17
Ampère Capa dipolar, 236
ley, 119, 151 Capacidad, 73, 74, 183
Ampère-Maxwell Carga
ley, 151 por contacto, 37
Amperio, 86 por fricci
on, 37
Analisis dimensional, 2 por inducci on, 38
Anion, 36 Carga electrica, 33
Antiferromagnetismo, 131 de polarizacion, 72
Autoinduccion, 141 de prueba, 41, 46
Autoinductancia, 142, 190 densidad lineal, 45
densidad supercial, 60
Bohr densidad volumetrica, 56
magneton, 126 distribucion continua, 43
Banda, 218 distribucion discreta, 35, 42
de conduccion, 219 libre, 72
de valencia, 219 propiedades, 33
diagrama, 219 Cati on, 36
prohibida, 219 Centro de carga, 38
Batera, 90 Centro de masas, 25
Biot-Savert Ciclo de histeresis, 133
ley, 111 Circuito, 83
Bobina, 140 amplicador, 288, 291
Bolzmann carga de un condensador, 185
constante, 220 de carga, 145, 179
298 Indice alfabetico
descarga de un condensador, 186 Cristal

diferenciador, 188 constante reticular, 218
divisor de corriente, 177, 180 red, 217
divisor de voltaje, 167, 173 Culombio, 33
equivalente de Norton, 176
equivalente de Thevenin, 173 Decibelio, 198
ltro de paso de banda, 212 Derivada, 8
ltro de trampa, 214 Desplazamiento, 7
ltro pasa alta, 208 Diamagnetismo, 128
ltro pasa baja, 209 Dielectrico, 36
fuente, 179 constante, 73
fuente de corriente, 287 Diferencia de potencial, 48, 49
fuente no regulada, 274 Difusion, 230
integrador, 187 coeciente, 231
interruptor, 282 corriente, 230
limitador, 278 longitud, 231
puente de Wheatstone, 168 Dimensiones, 2
Diodo, 242
puerta logica NAND, 284
base, 245
punto de quiescencia, 287
emisor, 245
reactivo, 199
emisor de luz, 249
recticador de media onda, 274
polarizaci on inversa, 242
recticador de onda completa, 274
recticador, 250
regulador, 277
Zener, 244
resonante, 212
Dipolo electrico, 50, 51, 71
seguidor balanceado, 286
Dominio magnetico, 131
seguidor de emisor, 284, 291
Circulacion, 119 Ebers-Moll
Condensador, 46, 62, 74 ecuacion, 257, 290
asociacion en paralelo, 184 Efecto
asociacion en serie, 184 de pantalla, 66
variable, 248 de puntas, 70
Conductancia, 167 Early, 259, 264
Conductividad electrica, 36, 84 fotoelectrico, 236
Conductor, 36, 65 Hall, 103
Corriente, 81 Meissner, 130
alterna, 81, 195 Eje principal, 28
continua, 81 Electron, 36
de conducci on, 81 libre, 37
de desplazamiento, 152 Electron-voltio, 219
de magnetizacion, 127 Electroim an, 117
de saturacion, 242 Electrost atica, 34
densidad, 84 Energa, 22
inducida, 135 cinetica, 22
intensidad, 86 electrica, 76
Coulomb magnetica, 142
constante, 34 potencial, 23
ley, 34 potencial electrostatica, 47
principio de conservaci on, 24 Gr

acas de Bode, 210
Equilibrio
mecanico, 17 Henry, 141
Equilibrio electrost
atico, 38, 65, 83 Herzio, 145
tiempo de relajacion, 83 Hueco, 103, 220
Espectro, 160
Espira de corriente, 103, 113 Iman, 95
elemental, 114
Factor giromagnetico, 126 Impedancia, 200, 204
Faraday de entrada, 179
jaula, 66 de salida, 175, 179
ley, 137, 150 Induccion, 135
Faradio, 73 mutua, 141
Fase, 195 Inductancia, 141
diferencia, 196 Inductor, 142, 190
Fasor, 200 Inercia, 17
Ferromagnetismo, 131 Integral, 10
Flujo Integral
electrico, 53 de intercambio, 131
magnetico, 117 Interacciones fundamentales, 18
Fot
on, 237 debil, 19
energa, 249 electromagnetica, 18
Fotodiodo, 247 fuerte, 19
Fourier gravitatoria, 18
teorema, 195 Ion, 36
Frecuencia, 145, 154, 195 Ionizacion, 70
angular, 145, 154 por impacto, 243
de resonancia, 213
Fuente, 164 Julio, 19
de corriente, 176
de fem, 88 Kelvin
de voltaje, 88 unidad, 220
Fuente de corriente, 287 Kirchho
Fuerza, 17 leyes, 164
conservativa, 23
electrostatica, 34 Lneas de campo, 42, 95
magnetica, 96 Lenz
Fuerza electromotriz, 88 ley, 139
de movimiento, 135
inducida, 135 M
odulo, 202
Funcion Magnetizacion, 126
de respuesta, 208 Magnitud, 1
de transferencia, 208 escalar, 3
Funcion trabajo, 235 vectorial, 3
Masa, 17
Gauss de la Tierra, 19
ley, 54, 117, 149 Maxwell
Generador, 88, 137, 143 ecuaciones, 149
ecuaciones en el vaco, 156 transversal, 153

Momento vector, 155
angular, 25, 125 velocidad de propagaci
on, 153
de inercia, 29
de torsion, 29 Paramagnetismo, 130
de torsion magnetico, 103 Partcula
dipolar, 71 libre, 18
espn, 126 puntual, 2
lineal, 17 Periodo, 15, 145, 154, 195
magnetico, 105, 125 de ciclotron, 99
Monopolo, 118 Permeabilidad, 109, 128
Motor electrico, 106 relativa, 128
Movilidad, 227 Permitividad, 35, 73
Movimiento relativa, 73
circular, 13 Peso, 19
circular uniforme, 15 Planck
ecuacion, 18 constante, 249
helicoidad, 100 constante normalizada, 126
ondulatorio, 152 Poisson
periodico, 15 ecuacion, 238
termico, 226 Polarizacion, 38, 71
uniforme, 10 Polo
uniformemente acelerado, 10, 12 norte, 95
Multmetro, 169, 177 sur, 95
VOM, 169 Potencia, 22
de una fuente, 91
N
ucleo ferromagnetico, 117 disipada, 92, 166
N
umero complejo, 201 factor, 205
Neutron, 36 media, 197, 205
Newton Potencial electrostatico, 47, 50
constante, 18 origen, 49
leyes, 17 Principio de superposici on, 35
unidad, 17 Principio de superposici on, 50
Producto
Ohm escalar, 20
ley, 87, 165, 203 vectorial, 26
Ohmio, 85 Proton, 36
Onda, 153
amplitud, 153 Radiacion, 155
arm onica, 153 Radio
electromagnetica, 155 de curvatura, 13, 70
escalar, 153 de la Tierra, 19
frente, 153 Reactancia, 200
longitud, 153 de un condensador, 204
longitudinal, 153 de un inductor, 204
monocromatica, 156 Region de agotamiento, 238
numero, 153 Resistencia, 87, 165
plana, 155 asociacion en paralelo, 167
asociacion en serie, 166 magnetica, 127

de carga, 173
din
amica, 258 Temperatura
equivalente, 166 de Curie, 132
interna, 90 Teorema trabajo-energa, 23
shunt, 170 Tesla
Resistencia dielectrica, 70 unidad, 96
Resistividad, 85 Tiempo de colision, 228
Resonacia, 212 Tierra
Resonancia conexion, 38
factor de calidad, 213 potencial, 167
Rotacion plana, 28 Tokamak, 122
Ruptura dielectrica, 70 Toroide, 121
Ruptura Zener, 244 Trabajo, 19
Transformador, 191
S
olido rgido, 25 Transistor
Semiconductor, 37, 218 ampicaci on, 255
extrnseco, 223 amplicador, 281
impureza aceptora, 224 base, 253
impureza donadora, 223 base com un, 260
intrnseco, 220 bipolar, 253
colector, 253
masa efectiva, 229
de efecto campo, 266
portador caliente, 229
efecto Miller, 262
portador mayoritario, 225
emisor, 253
portador minoritario, 226
emisor com un, 261
tipo n, 224
ganancia de corriente, 256
tipo p, 225
JFET, 267, 269
Se
nal
MOSFET, 267
amplitud, 195
NMOS, 268, 269
arm onica, 195
PMOS, 269
ruido, 207
saturacion, 282
valor ecaz, 198
transconductancia, 271, 289
Siemen, 85
TTL, 284
Simetra
velocidad de respuesta, 260
cilndrica, 59
Trayectoria, 7
esferica, 57
plana, 61 Uni
on p-n, 239
Sistema internacional, 1 barrera, 240
Sistema de referencia, 4 regi
on de agotamiento, 241
inercial, 17 Unidades, 1
Solenoide, 115
Superconductor, 87 Valor de pico, 144
Supercie Vatio, 22, 91
equipotencial, 50 Vector, 3
gaussiana, 56 de posicion, 6
Susceptibilidad de Poynting, 162
electrica, 73 direcci
on, 4
modulo, 3
normal, 13
opuesto, 4
sentido, 4
tangente, 12
unitario, 4
Velocidad, 7
angular, 14, 29
de arrastre, 82
de la luz, 109, 160
Voltaje
ganancia, 198
Voltio, 42
Weber, 118

Electromagnetismo, Circuitos y Semiconductores

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ELECTROMAGNETISMO, CIRCUITOS Y

A mis chicas Maite, Ainhoa, Cristina y Luca,

1. Cinem atica y vectores 1

11.Inducci on electromagn etica 135

16.6. Potencia en circuitos reactivos 205

22.6. Ejercicios 279

Este libro esta pensado para impartir un curso introductorio de Electromag-

1.1. Unidades del Sistema Internacional

Magnitud Unidad Smbolo

Tabla 1.1. Magnitudes y unidades fundamentales en el Sistema Internacional.

Prejo Signicado Smbolo

Tabla 1.2. Algunos m

los prejos que se utilizan para indicar multiplos y subm

1.2. Magnitudes escalares y vectoriales

Tabla 1.3. Dimensiones fundamentales.

dimensiones del cuerpo tienen importancia en el movimiento. Este es el caso de un

Figura 1.2. Metodo gr aco para hallar

P y el punto extremo Q. Lo denotaremos por |a| o simplemente a.

Figura 1.3. El sistema de referencia de

i se conoce con el nombre de eje x, la que determina el vector j se llama eje y, y la

Lo primero es colocar el origen de a en el punto O.

pa = (pax ) i + (pay ) j + (paz ) k. (1.2)

La suma de los vectores a y b es un vector que tiene por componentes

a + b = (ax + bx ) i + (ay + by ) j + (az + bz ) k. (1.3)

Tambien podemos escribir la resta de dos vectores como

Figura 1.5. Vector de posici

Figura 1.6. Trayectoria de una partcula puntual en 3 dimensiones. En general, la trayectoria

1.4. Vector velocidad

r(t) = x(t)i + y(t)j + z(t)k, (1.14)

Tabla 1.4. Derivadas de algunas funciones elementales. En estas expresiones, c y n son

Conviene recordar algunas propiedades de las derivadas de funciones reales.

La derivada de una constante es igual a cero. La derivada de una constante c

1.5. Vector aceleraci

Por su denici on en el SI es 1 m s2 . Las leyes de Newton

Si el vector velocidad no cambia con el tiempo, es decir, si es constante, entonces

dv = a(t) dt. (1.22)

y la suma se conoce con el nombre de integral.

Tabla 1.5. Integrales indenidas de algunas funciones elementales. En estas expresiones, c

de modo que integrar un vector en coordenadas cartesianas es una simple composicion

donde c es una constante. En el caso de una integral denida, lo que se tiene es

La tabla 1.5 muestra las integrales de algunas funciones elementales.

Figura 1.7. Vectores velocidad y aceleraci on en un punto P de la trayectoria de una partcu-

1.6. Componentes intrnsecas de la aceleraci

donde v es el modulo de la velocidad. Es importante notar que ut cambia de un punto

en donde at y an reciben el nombre de componentes intrnsecas de la aceleracion; at

Figura 1.8. Componentes intrnsecas de la aceleraci

R. Podemos escribir el vector de posicion de la partcula en todo instante de tiempo

ut = sen i + cos j, (1.39)

La velocidad se obtiene derivando la expresi

La cantidad d/dt se llama aceleraci on angular y su unidad es 1 rad s2 .

r(t) = r(t + T ), (1.48)

es decir, cuando pasa un tiempo igual a T , la partcula vuelve al mismo punto. El

y cuya velocidad inicial es v0 paralela a la supercie de la Tierra. Calcular su

2.1. Leyes de Newton

cuya unidad es 1 kg m s1 . La fuerza debe de ser una magnitud vectorial, y se

La interaccion gravitatoria es, seg

de los atomos. Del mismo modo, es la responsable de la aparici on de fuerzas de

siendo MT = 5,98 1024 kg la masa de la Tierra y RT = 6,37 106 m el radio medio

La unidad SI de trabajo es el julio, denido como 1 J = 1 N m.

Figura 2.1. El producto escalar de dos vectores es un n

Producto escalar de dos vectores