02 Modelos Ps Dispositivos PDF

TEMA 2: MODELOS EN PEQUEA SEAL DE LOS
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS BSICOS
Francisco J. Franco Pelez, Germn Gonzlez Daz e Ignacio Mrtil de la Plaza
d
Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior
ri
Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.
d
a
M
e
d
se
n
la
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de
lu
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p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
1
Tema 2 Modelos en pequea seal
ndice
1. Modelos en pequea seal 3
2. El diodo 4
2.1. Modelo esencial en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2. Extensin del modelo en pequea seal del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3. El transistor BJT 7
3.1. Consideraciones generales sobre el modelo en pequea seal de los transistores . . . 7
3.2. Popularidad de los modelos h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
d
ri
3.3. Rotaciones entre modelos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
d
3.3.1. Rotaciones entre modelos con mismo nodo comn . . . . . . . . . . . . . . 12
a
3.3.2. Rotaciones entre modelos similares con distinto nodo en comn . . . . . . . 13
M
3.4. Modelo en o de Giacoletto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
e
3.5. Modelo en pequea seal del transistor bipolar a partir del modelo SPICE . . . . . . 17
d
3.5.1. Modelo de conductancias en emisor comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
se
3.5.2. Modelo hbrido en emisor comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
n
la
3.5.3. Modelos hbridos en base y colector comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

te
3.5.4. Modelos de Giacoletto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

de
lu
3.6. Extensin del modelo en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

os
p
3.6.1. Inclusin de resistencias parsitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

m
n
s
m
3.6.2. Capacidades parsitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

.e
o
alu
3.7. Frecuencia de transicin de un transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

m
C
c
de
d
4. El transistor MOSFET 24
.u
a
4.1. Modelo bsico a bajas frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

so
w
id
4.2. Parsitos en un transistor MOS. Capacidades parsitas. . . . . . . . . . . . . . . . 27

u
w
rs
4.3. Frecuencia de transicin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

ra
w
e
Pa
iv
5. El transistor JFET 30
:/
n
U
p
tt
h
Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 2

Figura 1: Ejemplo de diodo como dispositivo no lineal. Una fuente de corriente constante, IQ , ja el
punto de operacin. Las pequeas variaciones de la corriente, i, provocarn un cambio (no lineal)
en la tensin del diodo, VOU T , respecto del punto de operacin.
d
1. Modelos en pequea seal
ri
d
a
En electrnica analgica, tiene inters tanto el punto de operacin del circuito como el compor-
M
tamiento de dicho punto de operacin ante las perturbaciones. Estas perturbaciones, variables en
el tiempo, se incorporan a los circuitos en un nodo determinado y se transmiten a otros puntos de
e
d
manera inmediata. Este es el fundamento de la amplicacin pues, en el fondo, la amplicacin no
es sino la respuesta magnicada en un nodo privilegidado de un circuito, llamado salida, ante una
se
perturbacin en otro, llamado entrada.
n
la
Existen dos modos de estudiar el efecto de las perturbaciones en la salida de un circuito. En

te
de
primer lugar, podra obtenerse la relacin que existe entre el nudo de salida y el de entrada, que es
lu
donde hemos introducido la perturbacin. En general, esta funcin puede ser no lineal por lo que
os
p
m
n
se debe recurrir a una simplicacin a travs del uso de diferenciales. Realizando un desarrollo de
s
m
.e
Taylor en torno al punto de operacin:

o
alu
m
C
2 VOU T

VOU T
c
VOU T (VIN,Q + VIN ) = VOU T (VIN,Q ) + VIN + 2 (VIN )2 + . . . (1)

de
d
.u
VIN Q VIN Q
a
so
w
id
Recordemos que VOU T (VIN,Q ) no es sino VOU T,Q , o tensin de salida en el punto de operacin.
u
w
rs
Pongamos un ejemplo extremadamente sencillo. Sea el circuito de Fig. 1. Suponiendo el diodo

ra
w
e
Pa
prcticamente ideal, es fcil ver que:

iv
/
:/
n

VOU T VOU T
U
IQ + i = IS exp 1 = IS exp
p
N VT N VT
tt
h
Por lo que:
IQ + i
VOU T = N VT ln (2)
IS
Operemos con esta ecuacin para hacerla ms apropiada:

IQ + i IQ i
VOU T = N VT ln = N VT ln + N VT ln 1 + (3)
IS IS IQ

El primer trmino no es sino el valor de la tensin de salida en el punto de operacin, si no hubiera
ninguna perturbacin o pequea seal. Qu ocurre con el segundo trmino? Recordemos que, de
acuerdo con la teora de diferenciales,

X xk x2 x3
ln (1 + x) = (1)k+1 =x + ...
k=1
k 2 3
as que la expresin anterior se transformara en:
2 3
i N VT i N VT i
VOU T = VOU T,Q + N VT + ...
IQ 2 IQ 3 IQ
d
ri
N VT N VT N VT
(i)2 + (i)3 . . .
d
VOU T = VOU T,Q + i 2
(4)
IQ 2IQ 3IQ3
a
M
Esta ecuacin es muy ilustrativa. El trmino constante, como se dijo antes, es la tensin en el punto
de operacin. A continuacin, aparece un trmino lineal con la perturbacin. Como veremos ms
e
d
adelante, este trmino, que es la primera derivada en el punto de operacin, equivale al modelo en
pequea seal del diodo. Finalmente, aparecen trminos adicionales en potencias superiores.
se
En electrnica suele bastar con el clculo de los dos primeros trminos. Salvo en circunstancias
n
la
te
especiales, como al calcular la distorsin en la salida, nos basta la parte constante y la lineal de la
de
salida del circuito. La primera puede calcularse con las tcnicas mostradas en el Tema 1. La segunda
lu
os
componente de la salida puede calcularse de dos modos: En primer lugar, resolver las ecuaciones
p
m
n
no lineales y calcular la derivada o, segundo, linealizar los componentes y resolver el circuito. sta
m
.e
o
es la tcnica que vamos a utilizar, llamada modelado en pequea seal. Consiste en reemplazar
alu
m
C
cada componente por un equivalente lineal que modele la respuesta a pequeas perturbaciones tras
c
1
de
eliminar todas las fuentes constantes del circuito y resolver el circuito. La seal nal, sea cual sea el
d
.u
a
nudo o rama estudiada, ser la suma de la componente DC del punto de operacin y la perturbacin,
so
w
id
proporcional a la seal variable de entrada.

u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
2. El diodo
:/
n
U
2.1. Modelo esencial en pequea seal

tt
h
Un diodo es un tpico ejemplo de dispositivo no lineal con solo dos entradas o puertos. En este
dispositivo, la corriente que lo atraviesa, ID , es funcin de la tensin entre ambos puertos, VD .

Suponiendo el diodo ideal, puede usarse la ecuacin de Shockley:

VD
ID = IS exp 1 (5)
N VT
1 Recurdese que, en electronica, eliminar una fuente es darle valor nulo. Las fuentes de tensin son cortocircuitos
y las de corriente, abiertos.

Figura 2: Equivalente de un diodo en pequea seal.
Normalmente, el diodo se suele estudiar en zona directa por lo que la expresin anterior se reduce a:

VD
ID = IS exp (6)
N VT
d
ri
Calculemos ahora el equivalente en pequea seal. Denominaremos iD = ID y vD = VD con lo
d
que:
a

ID VD 1 ID
vD = IS exp vD = vD
M
iD = (7)
VD Q N VT N VT N VT
e
Es decir, hay una relacin lineal entre la corriente y la tensin. Esto no es sino la ecuacin que
d
gobernara una resistencia de valor
N VT
se
rD = . (8)
ID
n
la
te
Por tanto, en primera aproximacin, un diodo puede aproximarse en pequea seal como una re-
de
sistencia cuyo valor se calcular con Eq. 8 (Fig. 2). En inversa, podemos suponer directamente que
lu
os
rD = 0.
p
m
n
s
m
.e
o
2.2. Extensin del modelo en pequea seal del diodo

alu
m
C
Ocurre que el modelo descrito en el apartado anterior podra tomarse como punto de partida
de
d
.u
al que aadir nuevos fenmenos si fuera necesario. As, a la resistencia rD podran incorporarse los
a
so
w
id
siguientes elementos:
u
w
rs
Resistencia de fuga por generacin-recombinacin: Si polarizamos un diodo en inversa,

ra
w
e
Pa
iv
gran parte de la corriente de fuga se produce por fenmenos de generacin-recombinacin y no

/
:/
n
por difusin. Puede demostrarse que estas corrientes son proporcionales al valor de la anchura
U
de la zona de vaciamiento, W. Asimismo, este parmetro crece con el valor absoluto de la

tt
tensin de polarizacin inversa. Por tanto, debe producirse un incremento de la corriente de

h
fuga al aumentar la tensin inversa de polarizacin. Esto se modela como una resistencia de
nombre rL , muy elevada, situada en paralelo con rD .
Capacidades de unin y difusin: En toda unin PN aparecen dos capacidades parsitas:

Una, de gran importancia en directa, es la capacidad de difusin cuyo valor es proporcional a
la corriente que atraviesa el diodo:
ID
CD = T = rD T
N VT

Figura 3: Equivalente completo de un diodo en pequea seal, incluyendo todos los parmetros del
Apartado 2.2.
d
ri
d
siendo T el tiempo medio de trnsito, que es la media entre los tiempos de vida media de
a
los portadores minoritarios en cada una de las dos zonas. Evidentemente, esta capacidad est
M
en paralelo con rD y es despreciable en polarizacin inversa. Por otra parte, en todo diodo
e
aparece una capacidad de unin de valor
d
CJ0
se
CJ = m
VD
1+
n
VBI
la
te
de
donde CJ0 es la capacidad de unin con tensin nula, VBI el potencial de contacto de la unin
lu
y m un parmetro dependiente del tipo de unin, cuyo valor estar entre 1/3 y 1/2. A diferencia
os
p
de la anterior, esta capacidad solo tiene importancia en inversa y est en paralelo con todos
m
n
s
m
.e
los parmetros anteriores.

o
alu
m
C
Resistencia serie: Dentro de un diodo, se producen cadas de tensin entre los contactos
c
de
d
rS .
.u
y la zona de unin. Este hecho se modela fcilmente aadiendo una resistencia parsita,
a
Esta resistencia tiene gran importancia tanto en DC como en pequea seal y est en serie
so
w
id
u
con el paralelo formado por todos los dispositivos anteriores.

w
rs
ra
w
e
En consecuencia, todo diodo puede modelarse en pequea seal tal y como se muestra en Fig. 3.
Pa
iv
Este modelo puede simplicarse si el diodo est en directa, pues no tendran importancia ni CJ ni
:/
n
rL , y en inversa, donde puede prescindirse de C D , rD y rS .

U
p
tt
h

(a) (b)
Figura 4: Tensiones y corrientes en un transistor BJT, NPN (a) o PNP (b).
3. El transistor BJT
d
ri
3.1. Consideraciones generales sobre el modelo en pequea seal de
d
a
los transistores
M
A diferencia de los diodos, los transistores, sean bipolares o de efecto campo, son dispositivos en
e
2
d
los que intervienen varias corrientes y tensiones. En el caso de los transistores bipolares , debemos
hablar de las corrientes y tensiones de colector, base y emisor. En total, el estado de un transistor
se
se debe describir con seis parmetros elctricos (IC , IB , IE , VC , VB y VE ). Sin embargo, la realidad
n
la
es algo ms sencilla. En primer lugar, existe una relacin de ligadura en las corrientes debido a que
te
de
un transistor se comporta en los circuitos como un nudo y, por tanto, la suma de las corrientes
lu
entrantes es igual a la suma de las salientes. As, si aceptamos el criterio de las corrientes mostrado
os
p
m
n
en Fig. 4, se debe cumplir que:

s
m
.e
IE = IB + IC (9)
o
alu
m
C
independientemente del tipo de transistor. Por otra parte, en un transistor no nos interesan las
c
de
d
.u
tensiones absolutas en sus nudos sino la diferencia que existe entre ellos. Por ello, podemos elegir
a
so
un nico nudo como nudo de referencia y expresar las tensiones de los otros dos utilizando a este
id
u
de referencia. La eleccin realizada afecta a las ecuaciones que gobiernan el transistor y, por tanto,
rs
ra
al modelo en pequea seal. Por ello, existen tres grandes familias de modelos en pequea seal:
e
Pa
iv
Colector comn, base comn y emisor comn, dependiendo de la eleccin del colector, base o
:/
n
emisor como nudo de referencia. En cualquier caso, el nmero de tensiones implicadas se reduce a
U
2 al utilizarse un nudo como referencia.

tt
En resumen, todo transistor posee cuatro parmetros elctricos esenciales (dos corrientes y dos
h
tensiones) que modelan el comportamiento en DC y, como es presumible, en pequea seal. Las
corrientes pueden expresarse en funcin de las tensiones entre los nodos de un transistor de esta
2 El desarrollo terico que viene a continuacin podra aplicarse sin problema a los transistores de efectos campo.
Sin embargo, como veremos ms adelante, no es tan interesante al contar stos con un terminal por el que no puede
circular corriente (puerta), que hace que un transistor de efecto campo se encuentre algo ms cercano a un elemento
de dos terminales como el diodo..

Figura 5: Representacin de un transistor como una bipuerta. El nudo comn se ha dividido en dos
para facilitar la comprensin de las tensiones vk .
modo:
I = f (V , V )
C BE BC
d
I = g (V , V )
E BE BC
ri
d
Ms adelante recordaremos cuales son estas funciones f y g, que ya se esbozaron en el Tema 1.
a
Desde el punto de vista puramente matemtico, podramos operar con la expresin anterior para
M
reexpresar las dos ecuaciones cambiando los parmetros independientes y dependientes. Por ejemplo,
e
podramos buscar dos nuevas funciones fX y gX tales que:
d
se
I = f (V , I )
C X BE E
n
V = g (V , I )
la
BC X BE E
te
de
lu
que seran tambin perfectamente lcitas. Adnde llegamos entonces? Simplemente a que hay cuatro
os
p
parmetros elctricos que denen el estado de un transistor y en los que dos pueden funcionar
m
n
como variables independientes y otros dos como dependientes. En otras palabras, se pueden escoger
m
.e
o
dos parmetros Y1 e Y2 del conjunto {I1 , I2 , V1 , V2 }y expresarlo en funcin de los dos parmetros
alu
m
C
restantes, simbolizados como X1 y X2 . Es decir:

c
de
d
.u
Y = f (X , X )
1 1 1 2
so
w
id
(10)
Y = f (X , X )
u
2 2 1 2
rs
ra
w
e
Cuantas posibilidades hay? Haciendo un estudio rpido de combinaciones, se deduce que hay 6
Pa
iv
/
:/
posibilidades distintas, que desarrollaremos ms adelante. La primera conclusin de esta idea es

n
U
que al haber dos tensiones y dos corrientes, todo transistor debera poder modelarse como una
p
tt
bipuerta similar a Fig. 5, habiendo dos parmetros independientes y dos dependientes. Hay que
h
indicar, adems, que los parmetros simbolizados con el subndice 1 se conocen como de entrada
y aquellos con el subndice 2 como de salida. Continuando con el desarrllo, el modelo en pequea
seal debe ser la linealizacin de Eq. 10. Por tanto:

f1 f1
y =
1 x
X1 1
+ x
X2 2
(11)
f2 f2
y =
2 x
X1 1
+ x
X2 2

Nombre Smbolo Independientes Dependientes Ecuaciones

v1 = a11 v2 + a12 i2
Salida a v2 , i2 v1 , i1
i1 = a21 v2 + a22 i2
v2 = b11 v1 + b12 i1
Entrada b v1 , i1 v2 , i2
i2 = b21 v1 + b22 i1
i1 = m11 v1 + m12 i2
m v1 , i2 i1 , v2
v2 = m21 v1 + m22 i2
v1 = h11 i1 + h12 v2
Hbrido h i1 , v2 v1 , i2
i2 = h21 i1 + h22 v2
v1 = z11 i1 + z12 i2
Impedancias z i1 , i2 v1 , v2
v2 = z21 i1 + z22 i2
i1 = y11 v1 + y12 v2
d
Admitancias y v1 , v2 i1 , i2
i2 = y21 v1 + y22 v2
ri
d
Cuadro 1: Distintos modelos para un transistor de acuerdo con el modelo de bipuerta.
a
M
3
donde yk Yk y xk Xk . Esta expresin puede reescribirse de modo matricial :
e
d
! ! ! ! !
f1 f1
y1 X1 X2
x1 a11 a12 x1
= = (12)
se
f2 f2
y2 X1 X2
x2 a21 a22 x2
n
la
fi 4
donde aij = . Ahora es cuando tenemos que precisar qu variables sern independientes y
te
Xj
de
cuales dependientes pues eso nos denir la familia de parmetros. Las combinaciones posibles se
lu
muestran en el Cuadro 1. Se deben hacer varias puntualizaciones a esta tabla.

os
p
m
n
s
m
1. Como se ver posteriormente, el modelo de bipuerta es independiente del tipo de transistor.

.e
o
alu
En particular, da igual si el transistor BJT es NPN o PNP.

m
C
c
de
2. Cada conguracin de transistor (emisor, base o colector comn) dispone del conjunto de
d
.u
a
seis modelos de bipuerta mostrado en el Cuadro 1. Por tanto, hay 18 modelos posibles de un
so
w
id
transistor en pequea seal.

u
w
rs
ra
w
e
3. Los 18 modelos describiran al mismo transistor. Consecuentemente, cualquier sistema de

Pa
iv
ecuaciones de la ltima columna del Cuadro 1 puede transformarse en cualquier otra del
:/
n
cuadro, incluso suponiendo que la segunda est en otra conguracin de nudo comn. As,
U
los parmetros z de la conguracin de emisor comn podran obtenerse de cualquiera de

tt
los otros modelos. Por ejemplo, a partir del conjunto de parmetros h en base comn. Estos
h
procedimientos matemticos se conocen, en general, como rotaciones.
En la prctica, la inmensa mayora de las veces los problemas de respuesta en pequea seal de
transistores bipolares se resuelven utilizando los parmetros h en base, colector o emisor comn.
El resto de familias de parmetros carece de inters prctico salvo, en ocasiones, el conjunto de
3 Desde el punto de vista matemtico, la matriz no es sino la matriz diferencial o jacobiano de una funcin de Rn
m
en R .
4 Debe tenerse en cuenta que estas derivadas parciales se realizan en torno al punto de operacin del transistor

Figura 6: Equivalencia circuital del modelo de admitancias, y, de un transistor bipolar.
Nombre Entrada Salida

Base comn Emisor Colector
Colector comn Base Emisor
d
Emisor comn Base Colector
ri
Cuadro 2: Terminales de entrada y salida convencionales asociados a los distintos modelos h de un
d
transistor bipolar.
a
M
parmetros y. Este modelo es equivalente al subcircuito mostrado en Fig. 6. Los modelo h se
e
describirn con ms detalle en el siguiente apartado.
d
se
3.2. Popularidad de los modelos h
n
la
te
Es tanto el uso que se da a los modelos h que se ha convenido qu terminal funciona como
de
lu
entrada y cul de salida y se le ha dado un nombre especco a los parmetros hij , acordes con su
os
p
sentido fsico, datos que se suministran en el Cuadro 2. Recordemos que la entrada corresponde a la
m
n
parte izquierda de Fig. 5, marcada con subndice 1 y la salida a la parte derecha, cuyos trminos estn
m
.e
o
alu
marcados con un subndice 2. Por otra parte, no se suelen numerar los parmetros h como elementos
m
C
de una matriz sino con letras, como se muestra en el Cuadro 3. Estas letras tienen signicado fsico.
c
de
d
.u
As, el parmetro h11 suele estar relacionado con la impedancia de entrada del transistor bipolar en
a
hiX 5 .
so
pequea seal por lo que se lo suele denominar

id
u
Por ello, las ecuaciones del cuadro 1 se convierten las siguientes:

rs
ra
w
e
Base comn:
Pa
iv
veb = hib ie + hrb vcb

:/
n
(13)
ic = hf b ie + hob vcb
U
p
tt
Colector comn:
h
vbc = hic ib + hrc vec

(14)
ie = hf c ib + hoc vec
Emisor comn:
vbe = hie ib + hre vce
(15)
ic = hf e ib + hoe vce
5 La letra i proviene de input.

Nombre Base Comn Colector Comn Emisor Comn

h11 hib hic hie
h12 hrb hrc hre
h21 hf b hf c hf e
h22 hob hoc hoe
Cuadro 3: Notacin alternativa y ms popular de los parmetros de los modelos bipuerta en h.
d
ri
d
a
M
(a) (b)
e
d
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
(c) (d)
o
alu
m
C
Figura 7: Equivalente circuital de los modelos hbridos. (a) General, (b) base comn, (c) colector
c
de
d
comn y (d) emisor comn.

.u
a
so
w
id
Teniendo en cuenta que las ecuaciones del modelo hbrido general se pueden asociar al circuito
u
w
rs
mostrado en Fig. 7a, cada una de las tres ecuaciones anteriores se puede asociar a las guras
ra
w
e
Pa
restantes. Y aqu llegamos al objetivo de estos dos primeros apartados. A la hora de hacer el modelo
iv
/
:/
en pequea seal de un circuito con transistores BJT, estos deben reemplazarse por cualquiera
n
U
de esta tres subredes. Evidentemente, es necesario relacionar el valor de cada parmetro con las
tt
corrientes y tensiones en el punto de operacin. Sin embargo, previamente es necesario saber como
h
se relacionan los distintos modelos entre s. A n de cuentas, aunque haya 18 maneras distintas
de representar un transistor en pequea seal, todas ellas representan al mismo transistor por lo
que deben poder relacionarse entre s. Las relaciones matemticas que permiten obtener un modelo
a partir de otro se denominan rotaciones por similitud con otros problemas matemticos y se
estudiarn en el siguiente apartado.

3.3. Rotaciones entre modelos
Hay dos tipos de rotaciones. Puesto que todo modelo en pequea seal tiene dos pares de
magnitudes de entrada/salida (Cuadro 1) que dependen del terminal que se haya denido como
comn (Cuadro 2), las rotaciones sern:
1. Fijando el nodo comn, rotaciones entre modelos.
2. Fijando el modelo, rotaciones entre ese modelo con distintos nudos comunes.
En algunos casos, es necesario realizar dos pasos. Por ejemplo, para pasar del modelo h en emisor
comn al modelo z en base comn, habra que ir desde el primero al modelo h en base comn y
d
ri
desde ste al modelo z en base comn. O bien, pasar del primero al modelo z en emisor comn y de
d
ste al modelo z en base comn. Fijmonos que este comportamiento es similar a las rotaciones
a
M
fsicas ya que primero nos movemos en una direccin y despus en otra. Claro que, a diferencia
de las rotaciones fsicas, hay conmutatividad en los movimientos. Sea cual sea el camino seguido,
e
llegamos al mismo destino.
d
se
3.3.1. Rotaciones entre modelos con mismo nodo comn
n
la
te
Algunas de las rotaciones entre modelos son inmediatas pues basta con invertir la matriz de turno
de
para obtener la matriz con nuevas variables de entrada. As, por ejemplo, la matriz de impedancias,
lu
os
z, puede obtenerse facilmente si se conoce la matriz de admitancias, y, ya que:

p
m
n
!1
m
.e
! ! ! ! !
i1 y11 y12 v1 v1 y11 y12 i1
o
= =
alu
m
C
i2 y21 y22 v2 v2 y21 y22 i2

c
de
d
.u
por lo que:
a
! !1
so
w
id
z11 z12 y11 y12 yji

= zij = (1)i+j
u
z21 z22 y21 y22

rs
y11 y12

ra
y21 y22
Pa
iv
Esta relacin es perfectamente reversible. Relaciones similares existen entre los parmetros a y b y
:/
n
U
entre m y h. Desafortunadamente, en otros casos la relacin no es tan sencilla. Centrmonos en el

p
tt
clculo del paso del modelo y al modelo h ya que este cambio ser utilizado con posterioridad. En
h
caso de buscar otras relaciones, puede seguirse el mismo mtodo o consultar la bibliografa sobre el
tema.
De acuerdo con el modelo y, en la parte izquierda aparecen i1 i2 y, en la derecha, v1 y v2 . En

e
cambio, en el modelo h, en la izquierda estn v1 e i2 y, en la derecha, i1 y v2 . Nuestro objetivo ser
reorganizar las ecuaciones del modelo y de tal modo que se asemejen a las del h:
i1 = y11 v1 + y12 v2
i2 = y21 v1 + y22 v2

En primer lugar, trabajemos con la ecuacin superior. Despejando v1 se obtiene:
1 y12
v1 = i
y11 1
v
y11 2
i2 = y21 v1 + y22 v2
En la segunda ecuacin, nos interesa deshacernos de v1 en la parte de la derecha. Lo que haremos
ser, simplemente, insertar la primera ecuacin en la segunda:
v1 = y111 i1 yy12
11
v2

1 y12 y21 y21 y12
i2 = y21 y11 i1 y11 v2 + y22 v2 = y11 i1 + y22 y11
v2
d
ri
y con esto habramos completado la transformacin pues el sistema inicial se ha expresado al modo
d
de los parmetros h. En consecuencia, podemos realizar la identicacin recogida en el Cuadro 4.
a
Esta tabla es fcilmente reversible, como se muestra en el Cuadro 5.
M
Parmetro valor Parmetro valor
e
d
h11 , hi 1
y11
h12 , hr yy12
se
11
n
la
y21 y21 y12

te
h21 , hf y11
h22 , ho y22 y11
de
lu
os
p
Cuadro 4: Obtencin de parmetros h a partir de los modelos en y.

m
n
s
m
.e
o
alu

m
C
c
de
d
1
hh12
.u
y11 h11
y12
a
11
so
w
id
u
w
rs
h21 h21 h12

y21 h11
y22 h22 h11
ra
w
e
Pa
iv
Cuadro 5: Obtencin de parmetros y a partir de los modelos en h.

:/
n
U
p
tt
3.3.2. Rotaciones entre modelos similares con distinto nodo en comn

h
Por comodidad, vamos a centrarnos solo en las transformaciones que se pueden realizar entre
modelos h de base, colector o emisor comn. El procedimiento sera parecido al descrito en el
apartado anterior pero debe tenerse en cuenta una complicacin adicional: Las tensiones y corrientes
envueltas en un modelo no aparecen en el otro. As, por ejemplo, podemos ver que en el modelo h
en base comn intervienen como corrientes ie e ic en tanto que en el modelo en emisor comn ie es
reemplazada por ib . Por tanto, no basta con trasformar el sistema de ecuaciones sino que hay que

reemplazar variables. Para ello, debemos recordar que Eq. 9 se transforma en pequea seal en:
ie = ic + ib (16)
y que todas las diferencias de tensin estn relacionadas entre s. Deduzcamos, por ejemplo, como
se pasa del modelo en emisor comn al modelo en colector comn:
vbe = hie ib + hre vce

ic = hf e ib + hoe vce
Es necesario reexpresarla como
d
vbc = hic ib + hrc vec
ri
d
ie = hf c ib + hoc vec
a
M
En primer lugar, recordemos que vce = vec . Asimismo, vbe = vbc + vce = vbc vec con lo que as
podremos eliminar esta variable. Finalmente, hay que librarse de ic para lo que utilizaremos Eq. 16:
e
d
vbc vec = hie ib hre vec
se
ie ib = hf e ib hoe vec
n
la
te
Reordenando el sistema de ecuaciones:

de
lu
vbc = hie ib + (1 hre ) vec

os
p
ie = (1 + hf e ) ib hoe vec
m
n
s
m
.e
o
alu
Sin embargo, esta ecuacin an no se puede aplicar. El motivo es sencillo: De acuerdo con Eq. 16,
m
C
la corriente de emisor es saliente. Sin embargo, en el modelo en colector comn es entrante. Cmo
c
de
d
.u
podemos solucionar esto? Simplemente, redenamos la corriente de emisor del sistema anterior con
a
ie ie .
so
el cambio De este modo, el sistema de ecuaciones se convertira en:

w
id
u
w
rs
vbc = hie ib + (1 hre ) vec

ra
w
e
ie = (1 + hf e ) ib + hoe vec
Pa
iv
/
:/
n
Ahora s se puede identicar el sistema con Eq. 14 como recoge el Cuadro 6.

U
p
tt
Parmetro Valor Parmetro vValor

h
hic hie hrc 1 hre
hf c (1 + hf e ) hoc hoe
Cuadro 6: Obtencin de parmetros h en colector comn a partir de los modelos en emisor comn.
Anlogamente se podra realizar el clculo de los parmetros en base comn a partir de los

Figura 8: Modelo de Giacoletto de un transistor bipolar.
parmetros en emisor comn. Sin embargo, el razonamiento matemtico es tedioso y no se mostrar
aqu. Los resultados seran los recogidos en el Cuadro 7.
d
ri
Parmetro Valor Parmetro vValor
d
a
M
hie hie hoe
hib 1+hf e
hrb 1+hf e
hre
e
d
h hoe
hf b 1+hf ef e hob
se 1+hf e
n
Cuadro 7: Obtencin de parmetros h en base comn a partir de los modelos en emisor comn.
la
te
de
lu
Lgicamente, las relaciones de los cuadros 6 y 7 son reversibles, siendo ms sencillas en el primer
os
p
caso. Por otra parte, es posible la transformacin directa entre base y colector comn. Sin embargo,
m
n
como veremos ms adelante, es muy fcil obtener el modelo en emisor comn y relacionarlo con
m
.e
o
alu
el punto de operacin del transistor. Por ello, nos hemos centrado en obtener los otros parmetros
m
C
a partir de esta conguracin y no estudiaremos las otras posibles relaciones al no tener utilidad
c
de
d
.u
directa en la asignatura.
a
so
w
id
u
3.4. Modelo en o de Giacoletto

rs
ra
w
e
Pa
A veces, no interesa que el modelo en pequea seal del transistor tenga dos fuentes dependientes.
iv
/
:/
Para evitarlo, existe un modelo alternativo llamado en que se caracteriza por la existencia de
n
U
una impedancia que une la entrada con la salida. Esta estructura sera similar a la mostrada en Fig.
p
tt
8, donde existen tres conductancias (g , g y go ) y una transconductancia, gm . Es fcil establecer

h
una relacin entre estos parmetros y los modelos en admitancia e hbridos. As, la relacin que
existe entre este subcircuito y el modelo en admitancias se recoge en el Cuadro 8 en tanto que el
Cuadro 9 recoge las equivalencias con el modelo hbrido.
La obtencin de estas equivalencias es relativamente sencilla. Pongamos por ejemplo la obtencin
de los parmetros de Giacoletto en funcin de los parmetros del modelo de inductancias. Para ello,
examinemos el circuito de Fig. 8. En l, se puede demostrar que el valor de las corrientes i1 e i2 es,

Parmetro Valor Parmetro Valor
y11 g + g g y11 + y12
y12 g g y12
y21 gm g gm y21 y12
y22 go + g go y22 + y12
d
ri
d
Cuadro 8: Equivalencia entre modelo de Giacoletto y de admitancias.
a
M
Parmetro Valor Parmetro Valor
e
1 1hr
hi g
d
g +g se hi
g hr
hr g
n
la
g +g hi
te
de
lu
gm g hr +hf
hf gm
os
g +g hi
p
m
n
s
m
.e
go + g gg+g ho hr h1
o
i (1 + hf )
m
ho go
alu
+g
m
C
c
de
d
.u
Cuadro 9: Equivalencia entre modelo de Giacoletto e hbrido en h.

a
so
w
id
de acuerdo con la ley de las corrientes de Kircho:

u
w
rs
ra
w
e
i1 = g v1 + g (v1 v2 )
Pa
iv
i2 = go v2 + g (v2 v1 ) + gm v1
:/
n
U
Si reordenamos las ecuaciones, el anterior sistema de ecuaciones se convierte en:

tt
h
i1 = (g + g ) v1 g v2
i2 = (gm g ) v1 + (go + g ) v2
Pero esto no es sino la expresin matemtica del modelo en admitancias que conduce a las equiv-
alencias de las dos primeras columnas del Cuadro 8. El resto de equivalencias, recogidas en este
cuadro y en el Cuadro 9, se pueden demostrar de manera trivial.
Este modelo es muy popular en los textos relacionados con la electrnica por un hecho impor-

tante: Es equivalente al modelo en pequea seal de los transistores JFET y MOSFET sin efecto
sustrato haciendo, simplemente, g , g 0. De este modo, los equivalentes en pequea seal de
las distintas conguraciones pueden obtenerse para el caso bipolar y obteniendo el caso FET como
caso particular.
3.5. Modelo en pequea seal del transistor bipolar a partir del mod-
elo SPICE
3.5.1. Modelo de conductancias en emisor comn
d
Sabemos que, en DC, las ecuaciones que gobiernan un transistor bipolar NPN son:
ri
d

1 VBE VBC
IE = IS 1 + exp 1 IS exp 1
a
F NF VT NR VT
M

VBE 1 VBC
IC = IS exp 1 IS 1 + exp 1
e
NF VT R NR VT
d
En general, los transistores bipolares tienen inters en diseo analgico cuando estn en zona activa
se
directa. En estas circunstancias, la ecuacin anterior se transforma en:
n
la
te

1 VBE
de
IE = IS 1 + exp (17)
lu
F NF VT
os
p

VBE
m
n
IC = IS exp (18)
m
.e
NF VT
o
alu
m
C
Si deseamos pasar estas ecuaciones a pequea seal segn Eq. 11, podemos ver que obtendramos
c
de
un modelo de admitancias. Asimismo, nos encontramos con dos opciones: Buscar el modelo en base
d
.u
a
comn o el modelo en emisor comn. A favor del primero, est que las corrientes DC son las de
so
w
id
este modelo (ie , ic ). Sin embargo, si escogemos la segunda opcin, veramos que podemos aadir
u
w
rs
sin problemas el efecto Early, que depende de VCE . Por ello, nos inclinaremos por esta solucin.
ra
w
e
En primer lugar, eliminaremos IE con la tranformacin IB = IE IC . Asimismo, multiplicaremos

Pa
iv
/
:/
la corriente de colector por el factor Early:

n
U

IS VBE
tt
IB = exp (19)
F NF VT
h

VBE VCE
IC = IS exp 1+ (20)
NF VT VAF
Calculemos entonces los valores del modelo de admitancias en emisor comn:

IB IS VBE 1 IB
y11,e = = exp = (21)
VBE F NF VT NF VT NF VT

IB
y12,e = =0 (22)
VCE

IC VBE VCE 1 IC
y21,e = = IS exp 1+ = (23)
VBE NF VT VAF NF VT NF VT

IC VBE 1 IC
y22,e = = IS exp ' (24)
VCE NF VT VAF VAF
Realmente, el parmetro y12,e no es nulo debido a efectos de segundo orden no incluidos en el modelo
SPICE. Sin embargo, a efectos prcticos, se considerar as a partir de ahora.
En caso de trabajar con un PNP, se habran obtenido resultados idnticos. En general, no hay
diferencia entre los modelos en pequea seal de los transistores PNP y NPN salvo, claro est, la
d
ri
posicin del emisor. As, en general, el emisor de los NPN est a menos tensin absoluta que el
d
colector en tanto que, en los PNP, ocurre lo contrario. Grcamente, en un NPN el colector suele
a
estar arriba y el emisor abajo, y en los PNP ocurre al revs. Este hecho debe recordarse cuando se
M
proceda a crear el modelo en pequea seal de un circuito con transistores.
e
d
3.5.2. Modelo hbrido en emisor comn se
Eq. 21-24 nos permiten obtener los valores de los parmetros hbridos en emisor comn cuando
n
la
se combinan con el Cuadro 4. Estos resultados se muestran en el Cuadro 10.

te
de
lu

os
p
NF VT
1
yy12
m
n
hie = hre 0
s
y11 IB
m
11
.e
o
alu
m
C
y21 IC y21 y12 IC

hf e = hoe y22
c
y11 IB y11 VAF

de
d
.u
a
so
w
id
Cuadro 10: Parmetros h a partir de las corrientes en el punto de operacin, temperatura y carac-
u
tersticas propias del transistor.

rs
ra
w
e
Pa
iv
Deben tenerse en cuenta algunos hechos. En primer lugar, como se dijo antes, el parmetro hre
:/
n
es, en general, despreciable aunque no sea exactamente nulo. Por ese motivo, el modelo hbrido en
U
emisor comn es equivalente al subcircuito de Fig. 9. Por otro lado, el valor de hf e coincide con
tt
hF E , F en los transistores ideales aunque, en la realidad, puede haber alguna variacin.

h
3.5.3. Modelos hbridos en base y colector comn
Los resultados del Cuadro 10 nos permiten obtener los valores de los parmetros hbridos en el
resto de conguraciones. As, para la conguracin de colector comn se obtendra la representacin
del Cuadro 11.

Figura 9: Circuito simplicado equivalente al modelo hbrido en emisor comn.
d
NF VT
hic IB
hrc 1
ri
d
a

IC IC
hf c 1+ hoc
M
IB VAF
e
Cuadro 11: Obtencin de parmetros h en colector comn a partir del punto de operacin.
d
se
Debe resaltarse un hecho realmente importante. En emisor comn, el parmetro hre es despre-
n
ciable por lo que l.a fuente de tensin con valor hre vce no aparece en los clculos derivados de modo
la
te
que, en la entrada del transistor (base), hay una simple resistencia al nudo comn. Sin embargo,
de
lu
en este modelo jams se debe hacer esta simplicacin al ser el factor hrc prcticamente igual a
os
p
1. El subcircuito equivalente sigue siendo el mostrado en Fig. 7c. En el modelo en base comn, los
m
n
s
m
parmetros adquieren los valores mostrados en el Cuadro 12.

.e
o
alu
m
C

c
de
d
.u
hie NF VT hie hoe N VT

hib hrb hre hre 0
a
1+hf e IE 1+hf e VAF

so
w
id
u
w
rs
h hoe IB
hf b 1+hf ef e F hob
ra
1+hf e VAF
e
Pa
iv
/
:/
n
Cuadro 12: Obtencin de parmetros h en base comn a partir del punto de operacin.
U
p
tt
Para realizar las aproximaciones y dejar las ecuaciones de este modelo de un modo sencillo, se ha
h
supuesto que hf e hF E F >> 1. A semejanza del modelo en emisor comn, la salida apenas
inuye en la entrada pues hrb 0. Por ello, el circuito equivalente es igual al de Fig. 7b aunque
puede eliminarse la fuente de tensin dependiente.
3.5.4. Modelos de Giacoletto
En principio, nada excluye que se pueda denir un modelo en en emisor comn, base comn
o colector comn. Sin embargo, en la prctica, solo tiene inters el modelo de Giacoletto en emisor

Parmetro Valor
1hr 1 IB
g hi
hie
N VT
hr
g hi
0
hr +hf hf e IC
gm hi
hie
N VT
go ho hr h1
i (1 + hf ) ho =
IC
d
VAF
ri
d
Cuadro 13: Equivalencia entre los parmetros del modelo de Giacoletto e hbrido en h en congu-
a
racin de emisor comn.
M
comn. Como es lgico, en este modelo la entrada es la base y la salida el colector. De este modo,
e
d
las equivalencias son las mostradas en el Cuadro 13. se
Podemos ver que este modelo se ha reducido a una leve modicacin del modelo hbrido en
emisor comn reemplazando hie por su conductancia equivalente y en el que la fuente de corriente
n
la
te
dependiente de corriente se ha sustituido por una fuente de corriente dependiente de tensin. Sin
de
embargo, como veremos ms adelante, este modelo recobra todo su inters a altas frecuencias debido
lu
os
a la aparicin de capacidades parsitas que conectan base y colector.

p
m
n
s
m
.e
o
3.6. Extensin del modelo en pequea seal

alu
m
C
Como es bien sabido, en todo dispositivo aparecen parsitos que pueden ser incluidos en el
de
d
.u
modelo en pequea seal. Estos parsitos son, bsicamente, resistencias y capacidades parsitas.
a
so
w
id
u
w
rs
3.6.1. Inclusin de resistencias parsitas

ra
w
e
Pa
En todo transistor bipolar existen tres resistencias parsitas, cada una de ellas referida a un
iv
/
:/
terminal. As, el modelo hbrido en emisor comn se transformara en el mostrado en Fig. 10. Deben
n
U
tenerse en cuenta varios puntos.

tt
1. La geometra del colector y emisor permite modelar correctamente la resistencia parsita como
h
una resistencia simple en serie. En cambio, la resistencia de base puede dividirse en varias para
6
modelar mejor el comportamiento de sta .
2. En el caso del modelo en , la cada de tensin que controla fuente de corriente no se debe
medir entre base y emisor sino entre los extremos de g .
3. En general, la resistencia de emisor es despreciable frente a las otras.
6 Consultar el modelo SPICE completo para tener ms detalles

Figura 10: Inclusin de resistencias parsitas en el modelo hbrido en emisor comn.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
lu
Figura 11: Inclusin de capacidades parsitas en el modelo de Giacoletto en emisor comn.

os
p
m
n
3.6.2. Capacidades parsitas

m
.e
o
alu
Mayor importancia que las resistencias parsitas tienen las capacidades parsitas. Recordemos
C
que en toda unin PN pueden darse dos capacidades: Difusin, en directa, y unin, en inversa. Como
c
de
d
.u
nos estamos centrando en el BJT en activa directa, solo nos deben interesar la capacidad de difusin
a
so
w
id
en la unin BE, que se denomina C y la de unin entre base y colector, denominada C . El por
u
w
rs
qu de estos nombres surge de manera natural una vez que se incorporan al modelo de Giacoletto
ra
w
e
en emisor comn (Fig. 11). Como se ve, cada capacidad est en paralelo con la conductancia que
Pa
iv
le da el nombre.
:/
n
Lgicamente, ambas dependen del punto de operacin. As, el valor de C no es sino el de la

U
transconductancia gm multiplicada por el tiempo medio de trnsito, F . Por tanto:

tt
h
IC
C = F gm F (25)
N VT
en tanto que la capacidad de unin entre base y colector es:
CJBC,0
C = CJBC,Q = M (26)
VBC.Q
1+ VBI
Por otra parte, si se toma en cuenta el sustrato debe aadirse una nueva capacidad de unin

d
Figura 12: Inclusin de capacidades y resistencias parsitas en el modelo hbrido en emisor comn.
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
Figura 13: Inclusin de capacidades y resistencias parsitas en el modelo hbrido en base comn.
te
de
lu
entre colector y sustrato, CJC,S . En general, el sustrato estar conectado a una fuente de tensin
os
p
constante dependiendo del tipo de transistor. Esto hace que, en pequea seal, esta capacidad est
m
n
s
m
.e
conectada entre el colector y tierra como muestra Fig. 12, donde se muestra el modelo hbrido
o
alu
en emisor comn con las tres capacidades descritas. Asimismo, se han mantenido las resistencias
C
parsitas. Por otra parte, jmonos en un hecho importante. Al incorporar la capacidad de difusin,
de
d
.u
no toda la corriente de base se amplica en el colector sino solo la fraccin que circula por hie .
a
so
w
id
Por ello, se ha marcado como iBX esta fraccin de iB . Este problema no aparece en el modelo de
u
w
rs
Giacoletto al tomar diferencias de tensin como argumento.

ra
w
e
La incorporacin de las capacidades parsitas a los modelos hbridos en base o colector comn
Pa
iv
es inmediata. Basta con colocar una capacidad C entre base y emisor y otra capacidad C entre
:/
n
base y colector dondequiera que estn en el dibujo del subcircuito. As, por ejemplo, en el modelo
U
en base comn, la incorporacin de los condensadores conduce al circuito de Fig. 13. Asimismo,
tt
jmonos de que no toda la corriente de emisor se amplica sino solo una fraccin.
h
3.7. Frecuencia de transicin de un transistor bipolar
La frecuencia de transicin de un transistor bipolar, y en general la de cualquier transistor, nos
permite estimar cmo de bueno es su comportamiento en frecuencia. Evidentemente, un transistor no
deja de trabajar al rebasar la frecuencia de transicin sino que, simplemente, empezar a comportarse
peor a medida que nos vayamos aproximando a ella. Por otra parte, la frecuencia de transicin

(a)
d
ri
d
(b)
a
M
Figura 14: Clculo de la frecuencia de transicin. Circuito original (a) y equivalente en pequea seal
(b).
e
d
caracteriza al transistor, no al circuito donde se encuentre. As, existen conguraciones con peor
se
comportamiento en frecuencia que la estimada directamente a travs de la frecuencia de transicin.
n
la
Finalmente, hay que indicar que esta frecuencia est relacionada solamente con el comportamien-
te
de
to en pequea seal. Se pueden denir otras frecuencias relacionadas, por ejemplo, con la velocidad
lu
de conmutacin de los transistores en un paso de corte a saturacin o viceversa. Sin embargo, esta
os
p
frecuencia est fuera del objetivo de esta asignatura y no se estudiarn aqu.

m
n
s
m
.e
La frecuencia de transicin se calcula del siguiente modo. Imaginemos un transistor bipolar NPN
o
alu
m
C
(el caso PNP es inmediato) con emisor a tierra, colector a una fuente de alimentacin sucientemente
c
alta y cuya base est polarizada por una fuente de corriente entrante, IB , a la que se aade en
de
d
.u
a
paralelo una fuente de corriente sinusoidal de pequea seal y de frecuencia variable, iIN (s) (Fig.
so
w
id
14a). Evidentemente, aparecer una corriente de colector que, en el punto de operacin, ser IOU T =
u
w
rs
hF E IB a la que habra que aadir una perturbacin asociada a la fuente en pequea seal. Al
ra
w
e
pasar a pequea seal, el colector estara unido a tierra y la fuente de polarizacin, IB , desaparece.
Pa
iv
De este modo, se obtiene el circuito de Fig. 14b.

:/
n
U
Nuestro objetivo es, en primer lugar, determinar la relacin entre las dos corrientes en pequea
p
tt
seal, iout/iin . Para agilizar el clculo, hagamos una serie de puntualizaciones:

h
1. La tensin vbe est determinada por la corriente de entrada y un paralelo de dos condensadores,
C y C , y una conductancia, g . En general, los transistores bipolares tienen una capacidad
de difusin mucho mayor que la de unin. Por ello, vamos a despreciar C . En muchos textos,
este paso se hace a posteriori pero, por comodidad, nosotros lo vamos a hacer ahora.
2. En el paralelo formado por g y C podemos intuir que la primera ser despreciable a altas

frecuencias, que es donde est la frecuencia de transicin. En consecuencia,
iin
vbe (27)
C s
3. A travs de la conductancia go no circula corriente al estar sus extremos cortocircuitados a

tierra. Por ello, la corriente iout ser, simplemente, el valor de la fuente de corriente pues
suponemos que la fuga a travs de C es despreciable. Por tanto:
iin iout gm
iout = gm vbe = gm = (28)
C s iin C s
d
Se dene la frecuencia de transicin, fT , como aqulla en la que la ganancia en corriente tiene
ri
mdulo 1. En otras palabras:
d
a

gm gm gm
M
C sT C T = 1 T = 2fT = C
=
e
Aplicando Eq. 25:
d
1 gm 1 1
fT = = (29)
se
2 C 2 F
7
n
F
la
Donde es el tiempo medio de trnsito. En un transistor como el 2N2222, dicho parmetro

te
es del orden de 5 1010 s. En consecuencia, podemos situar su mxima frecuencia de trabajo en

de
lu
torno a 3.2 GHz.

os
p
m
n
s
m
.e
4. El transistor MOSFET
o
alu
m
C
En comparacin con el transistor bipolar, el transistor MOSFET es muy fcilmente describible

de
d
.u
en pequea seal. El motivo es que, a pesar de tener tres terminales, uno se comporta como un
a
so
w
id
abierto por lo que solo puede circular corriente entre drenador y fuente. Ciertamente, veremos que
u
w
rs
a frecuencias elevadas hay corriente a travs de la puerta pero, en primera instancia, puede obviarse
ra
w
e
la existencia de estas corrientes.

Pa
iv
Asimismo, en electrnica analgica, solo nos interesan los transistores MOSFET en saturacin.
:/
n
Carecen de inters tanto la zona de corte como la zona hmica. Este hecho simplica an ms las
U
cosas. Por otra parte, veremos que el modelo en pequea seal es vlido tanto para NMOS como
tt
para PMOS recordando, claro est, que el drenador y la fuente de ambos transistores se habrn
h
8
intercambiado .
7 No es sino el parmetro TF del modelo SPICE.
8 Insistiendo: En un NMOS, la fuente est abajo y en un PMOS, arriba.

4.1. Modelo bsico a bajas frecuencias
A bajas frecuencias, y suponiendo que trabajamos con tecnologas de longitud de canal del orden
del micrmetro, podemos describir las caractersticas DC de un transistor MOS en saturacin como:

IG = 0
(30)
I = (V V )2 (1 + V )
DS GS TH DS
Siendo un parmetro que depende de la movilidad de los portadores y de las dimensiones del
canal. Se ha supuesto que el transistor es de canal N. Esto implica que la tensin umbral, VT H ,
d
es positiva. Recordemos que, por efecto sustrato, esta tensin depende de la diferencia de tensin
ri
entre sustrato y fuente, VSB segn la expresin:
d
a
p p
VT H = VT H,0 + + VSB (31)
M
9
e
donde VT H,0 , y son parmetros tecnolgicos independientes de las tensiones aplicadas . Uti-
d
lizando la notacin tpica XY xY , se puede demostrar que:
se
iG = 0
n
la
te

de
IDS IDS IDS VT H

vGS vDS + vSB
lu
iDS = + (32)
VGS Q VDS Q VT H Q VSB Q
os
p
m
n
En el ltimo trmino de esta expresin, hemos aplicado la regla de la cadena para estudiar la inuencia
s
m
.e
de vSB . Asimismo, recordemos que el sujo Q indica, simplemente, que las derivadas se calculan
o
alu
m
C
con los valores de tensiones y corrientes del punto de operacin. Estudiamos ahora la estructura de
c
esta ecuacin. Cada trmino tiene dimensiones de corriente y, en teora de circuitos, una corriente
de
d
.u
a
igual a la suma de varias corrientes equivale a un conjunto de elementos en paralelo. De esos tres
so
w
id
elementos en paralelo, hay uno que relaciona vDS con iDS . Esto no es sino la ley que gobierna una
u
w
rs
resistencia (o conductancia) entre los nudos D y S. Esta conductancia se va a denominar gO Los

ra
w
e
otros dos solo pueden ser fuentes de corriente controladas por tensin. La primera, que es la ms
Pa
iv
importante, se llamar gm y, la segunda, gmb . As, Eq. 32 se transformara en:

:/
n
U
iDS = gm vGS + gO vDS + gmb vSB (33)

tt
h
Fig. 15 esboza como sera el equivalente circuital de un transistor MOS deducido a partir de esta
ecuacin. Ahora, la pregunta pertinente es saber cuanto vale cada uno de los parmetros. Vayamos
uno a uno:
9 Consultar la descripcin del modelo SPICE del MOS o la bibliografa de la asignatura para conocer sus signicados.

Figura 15: Equivalente bsico en pequea seal de un transisto MOS.
1. gO :
d

IDS (1 + VDS )
gO = = (VGS VT H )2 = (VGS VT H )2 IDS,Q (34)
ri
VDS Q VDS
d
a
donde IDS,Q es la corriente de drenador a fuente (o viceversa en PMOS) en el punto de
M
operacin.
e
d
2. gm : se
s
IDS
IDS,Q p p
gm = = 2 (V V ) (1 + V ) 2 2 IDS,Q (35)
n
GS T H DS
la
VGS Q
te
de
lu
En este caso, se ha despreciado el efecto de modulacin del canal para obtener una expresin
os
p
sencilla de gm .
m
n
s
m
.e
3. gmb : En este caso, la expresin es algo ms compleja. En primer lugar, se puede demostrar
o
alu
m
C
que:
IDS
c
de
= 2 (VGS VT H ) (1 + VDS ) gm
d
.u
VT H Q
a
so
w
id
y que, por otro lado,

u

VT H
rs
=
ra
p
VSB Q 2 + VSB,Q
e
Pa
iv
Por lo que:
:/
n

gmb = gm p (36)
U
2 + VSB,Q
tt
El hecho de que este parmetro sea negativo nos obliga a redenir la tensin de referencia.
h
As, podemos considerar gmb como un trmino positivo si multiplica a vBS en lugar de vSB ,
como se haba propuesto originalmente. Esta correccin ya se ha incorporado a Fig. 15. En
general, gmb vale, aproximadamente, (0,1 0,3) gm en la mayor parte de los transistores.
Por otra parte, ocurre que, en la mayora de los casos, el sustrato est conectado a una tensin
constante de modo que vBS equivale a vS . Por ello, el circuito de Fig. 15 se transforma en el de
Fig. 16. Asimismo, en los transistores discretos, se rompe la simetra entre drenador y fuente pues

Figura 16: Equivalente bsico en pequea seal de un transisto MOS suponiendo tensin de sustrato
constante.
el sustrato se cortocircuita con la fuente con lo que, a partir de ese momento VSB = 0 y no tiene
d
sentido hablar de la transconductancia gmb .
ri
d
a
4.2. Parsitos en un transistor MOS. Capacidades parsitas.
M
Hay tres tipos de parsitos en un transistor MOS. En primer lugar, y como suele ocurrir en
e
cualquier dispositivo electrnico, existen resistencias parsitas en serie con cada uno de los trminales.
d
Evidentemente, hay que descartar la resistencia parsita de puerta por intil ya que estara en serie
se
con un condensador. Sin embargo, s pueden tener importancia las resistencias parsitas de drenador
n
la
y fuente, RD y RS . Estas resistencias desempean un papel importante cuando el transistor es

te
de
atravesado por corrientes considerables como, por ejemplo, en las etapas de salida de los dispositivos
lu
CMOS.
os
p
Otra familia de parsitos de importancia son las uniones PN inversamente polarizadas que existen
m
n
s
m
.e
entre drenador/fuente y sustrato. Su modelado es sencillo pues solo hay que conectar cada terminal
o
alu
con el paralelo de una conductancia muy pequea (gSB y gDB ) y un par de capacidades de unin,
C
(CJSB y CJDB ). Son equivalentes a las estudiadas en el Apartado 2.2.

c
de
d
.u
Mayor importancia tienen los condensadores parsitos asociados al xido de puerta. As, en un
a
so
w
id
transistor MOS, pueden aparecer capacidades parsitas entre la puerta y la fuente (CGS ), el drenador
u
w
rs
(CGD ) y el sustrato (CGB ). En un transistor en saturacin, la capacidad con mayor importancia

ra
w
e
es la primera,CGS , cuyo valor es prcticamente igual a la capacidad total del xido de puerta,
Pa
iv
CGS CG = COX W L.
:/
n
Fig. 17 muestra el modelo en pequea seal de un transistor MOS incluyendo todos los parsitos
U
que se han descrito en este apartado. Por otra parte, los transistores MOS discretos carecen de
tt
sustrato pues ste se encuentra cortocirtuitado a la fuente. Por ello, el modelo original en pequea
h
seal se convierte en el de Fig. 18. Puede apreciarse que aparece una capacidad parsita entre
drenador y fuente que puede afectar fuertemente al comportamiento en frecuencia del dispositivo.
4.3. Frecuencia de transicin
A semejanza del transistor bipolar, puede denirse un parmetro, llamado frecuencia de transi-
cin , que determina el buen comportamiento de un transistor MOS en el dominio de la frecuencia.

d
ri
d
a
M
e
d
Figura 17: Equivalente en pequea seal de un transistor incluyendo parsitos.
se
n
la
te
de
lu
os
p
m
n
s
m
.e
o
alu
m
C
c
de
d
.u
a
so
w
id
u
w
rs
ra
w
e
Pa
iv
/
:/
n
U
p
tt
h
Figura 18: Equivalente en pequea seal de un transistor incluyendo parsitos.

Figura 19: Polarizacin de un transistor NMOS para calcular su frecuencia de transicin.
d
ri
d
a
M
e
d
se
n
la
te
de
Figura 20: Equivalente en pequea seal de un transistor NMOS para calcular su frecuencia de
lu
transicin.
os
p
m
n
s
m
.e
Para ello, debemos suponer que el transistor se encuentra polarizado en saturacin y que excitamos
o
alu
en pequea seal con una fuente de corriente. Este estmulo provoca una variacin en la corriente de
C
salida (Fig. 19). Evidentemente, se plantea una dicultad intrnseca de diseo pues cmo se puede
de
d
.u
polarizar en DC un transistor MOS atacando la puerta con una fuente de corriente? Sin embargo,
a
so
w
id
recordemos que esto es un experimento mental.

u
w
rs
En pequea seal, ese circuito se convierte en el de Fig. 20. En esta estructura, gran parte de
ra
w
e
los elementos pasivos estn cortocircuitados por lo que, tras eliminar estos elementos, obtendramos
Pa
iv
el circuito de Fig. 21. Operando en este circuito, se puede deducir que:

:/
n
U
iIN iIN
vGS = (37)
tt
s (CGS + CGB + CGD ) sCGS

h
Ocurre que, en general, suele predominar CGS sobre las otras capacidades por lo que se ha podido
realizar esta simplicacin. Por otro lado, si despreciamos la corriente que uye a travs de CGD :
gm iO gm 1
iO = gm vGS = iIN = (38)
sCGS iIN CGS s
En la frecuencia de transicin, fT el mdulo de esta ganancia debe hacerse 1. Esto solo es posible

Figura 21: Simplicacin del circuito de Fig. 20.
d
ri
si:
d
gm
fT = (39)
a
CGS
M

Dos hechos importantes. En primer lugar, gm IDS por lo que la frecuencia de transicin aumenta
e
con la corriente de polarizacin del dispositivo. Esto constituye una diferencia clara con el transistor
d
bipolar, en el que la frecuencia de transicin dependa solo de un parmetro tecnolgico. Por otra
se
parte, suponiendo constantes las tensiones de polarizacin de los transistores:
n
la
gm 2 (VGS VT H ) 20,5X W (VGS VT H ) 1

te
L
fT = = = 2 (40)
de
CGS CGS W LCOX L

lu
os
p
En conclusin, cuanto menor sea la longitud efectiva del canal, mayor es la frecuencia de transicin.
m
n
As, un progreso tecnolgico que haga que reduzca a la mitad la escala de integracin de un proceso
m
.e
o
alu
CMOS implica que la frecuencia de transicin se cuadriplica. Asimismo, Eq. 40 tambin nos seala
m
C
que, cuanto mayor sea la tensin de puerta-fuente, VGS , mayor es la frecuencia de transicin. Este
c
de
d
.u
parmetro est de algn modo relacionado con la tensin de alimentacin lo cual nos hace intuir
a
so
que cuanto menores sean las tensiones de alimentacin, peor comportamiento en frecuencia tienen
id
u
los dispositivos, hecho que se observa de forma habitual.

rs
ra
w
e
Pa
iv
5. El transistor JFET
:/
n
U
La descripcin del transistor JFET en pequea seal es trivial una vez explicado el transistor
tt
MOS. La razn de ello es que, en saturacin, la ecuacin que rige el comportamiento de un JFET es
h
similar a Eq. 30, con la salvedad de que en lugar de hablar de la tensin umbral, VT H , se menciona
a la tensin de pinch-o, VP . Adems, esta ltima tensin es constante para cada dispositivo pues
no hay efecto sustrato. En consecuencia, el modelo bsico en pequea seal de un JFET se reduce
a una transconductancia, gm , y una conductancia, go , y no hay ni rastro de gmb . Fig. 22 muestra en
qu se convierte un transistor JFET, sea cual sea el tipo de canal.

Figura 22: Equivalente bsico en pequea seal de un transistor JFET.
d
ri
d
a
M
e
Figura 23: Equivalente en pequea seal con parsitos de un transistor JFET.
d
se
Los valores de los parmetros del modelo en pequea seal seran:
n
la
te
s
IDS,Q
de
p p
gm = 2 (VGS VP ) (1 + VDS ) 2 2 IDS,Q (41)
lu

os
p
m
n
gO = (VGS VP )2 IDS,Q (42)

m
.e
o
alu
m
C
Los parsitos que pueden aparecer en este circuitos son bastante sencillos (Fig. 23). En primer lugar,
c
aparecern resistencias parsitas en el drenador y la fuente (RD y RS ). Tambin aparecen capaci-

de
d
.u
dades parsitas entre la puerta y los terminales del canal, ambas de tipo unin PN en inversa. Ocurre
a
so
w
id
que, en general, se supone por simplicidad que el efecto capacitivo se distribuye equitativamente
u
w
rs
entre ambos terminales. En otras palabras, CJGS = CJGD = 21 CJG donde CJG es la capacidad de
ra
w
e
unin entre puerta y canal completo.

Pa
iv
Cual es la frecuencia de transicin? Podremos utilizar Eq. 39 reemplazando CGS por su equiv-
:/
n
alente, CJG 10 . As, la frecuencia de transicin sera:

U
p
tt
gm
fT = (43)
h
CJG
Los resultados cualitativos seran similares. Se puede demostrar, por ejemplo, que la frecuencia de

transicin aumenta linealmente con IDS y con L2 , siendo L la longitud del canal del transistor.
La dependencia con la tensin de puerta-fuente es ms compleja al no ser CJG constante. Por ello,
no se discutir el caso.
10 O, ms concretamente, hemos reemplazado CGS + CGD + CGB por la capacidad total de la puerta de un JFET,
CJG en Eq. 37.

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TEMA 2: MODELOS EN PEQUEA SEAL DE LOS

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS BSICOS

Francisco J. Franco Pelez, Germn Gonzlez Daz e Ignacio Mrtil de la Plaza

1. Modelos en pequea seal 3

2.1. Modelo esencial en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.2. Extensin del modelo en pequea seal del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

3.2. Popularidad de los modelos h . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3.5.3. Modelos hbridos en base y colector comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

3.5.4. Modelos de Giacoletto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3.6. Extensin del modelo en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

3.6.1. Inclusin de resistencias parsitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

3.6.2. Capacidades parsitas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

3.7. Frecuencia de transicin de un transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

4.1. Modelo bsico a bajas frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

4.2. Parsitos en un transistor MOS. Capacidades parsitas. . . . . . . . . . . . . . . . 27

4.3. Frecuencia de transicin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 2

el tiempo, se incorporan a los circuitos en un nodo determinado y se transmiten a otros puntos de

Existen dos modos de estudiar el efecto de las perturbaciones en la salida de un circuito. En

Taylor en torno al punto de operacin:

VOU T (VIN,Q + VIN ) = VOU T (VIN,Q ) + VIN + 2 (VIN )2 + . . . (1)

Pongamos un ejemplo extremadamente sencillo. Sea el circuito de Fig. 1. Suponiendo el diodo

prcticamente ideal, es fcil ver que:

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 3

El primer trmino no es sino el valor de la tensin de salida en el punto de operacin, si no hubiera

acuerdo con la teora de diferenciales,

as que la expresin anterior se transformara en:

de operacin. A continuacin, aparece un trmino lineal con la perturbacin. Como veremos ms

proporcional a la seal variable de entrada.

2.1. Modelo esencial en pequea seal

dispositivo, la corriente que lo atraviesa, ID , es funcin de la tensin entre ambos puertos, VD .

y las de corriente, abiertos.

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 4

Figura 2: Equivalente de un diodo en pequea seal.

2.2. Extensin del modelo en pequea seal del diodo

Resistencia de fuga por generacin-recombinacin: Si polarizamos un diodo en inversa,

gran parte de la corriente de fuga se produce por fenmenos de generacin-recombinacin y no

de la zona de vaciamiento, W. Asimismo, este parmetro crece con el valor absoluto de la

tensin de polarizacin inversa. Por tanto, debe producirse un incremento de la corriente de

nombre rL , muy elevada, situada en paralelo con rD .

Capacidades de unin y difusin: En toda unin PN aparecen dos capacidades parsitas:

la corriente que atraviesa el diodo:

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 5

los parmetros anteriores.

con el paralelo formado por todos los dispositivos anteriores.

rL , y en inversa, donde puede prescindirse de C D , rD y rS .

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 6

Figura 4: Tensiones y corrientes en un transistor BJT, NPN (a) o PNP (b).

en Fig. 4, se debe cumplir que:

2 al utilizarse un nudo como referencia.

tensiones) que modelan el comportamiento en DC y, como es presumible, en pequea seal. Las

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 7

restantes, simbolizados como X1 y X2 . Es decir:

posibilidades distintas, que desarrollaremos ms adelante. La primera conclusin de esta idea es

seal debe ser la linealizacin de Eq. 10. Por tanto:

Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 8

Nombre Smbolo Independientes Dependientes Ecuaciones

muestran en el Cuadro 1. Se deben hacer varias puntualizaciones a esta tabla.

1. Como se ver posteriormente, el modelo de bipuerta es independiente del tipo de transistor.

En particular, da igual si el transistor BJT es NPN o PNP.

transistor en pequea seal.

3. Los 18 modelos describiran al mismo transistor. Consecuentemente, cualquier sistema de

los parmetros z de la conguracin de emisor comn podran obtenerse de cualquiera de

los parmetros z de la conguracin de emisor comn podran obtenerse de cualquiera de

procedimientos matemticos se conocen, en general, como rotaciones.

comn (Cuadro 2), las rotaciones sern:

Ahora s se puede identicar el sistema con Eq. 14 como recoge el Cuadro 6.

de acuerdo con la ley de las corrientes de Kircho: