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Defectos e Imperfecciones Red Cristalina PDF
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Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones
y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas y tambin influyen
en algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la
capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin.
Tambin deben incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras, poros y las
inclusiones extraas.
DEFECTOS PUNTUALES
VACANTE
Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por la perdida de un tomo
que se encontraba en esa posicin. Puede producirse durante la solidificacin por
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse
por reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad
de los tomos. (Figura 1)
N v = N KT
Son las imperfecciones ms comunes en los cristales. Se dan hasta una por cada 10000
tomos.
Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que forman
divacantes o trivacantes.
Las vacantes pueden transladarse cambiando su posicin con sus vecinos. Este proceso es
importante en la migracin o difusin de los tomos en el estado slido, sobre todo a altas
temperaturas donde la movilidad de los tomos es mayor.
Figura 1. Vacante
DEFECTOS INSTERSTICIALES
Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posicin
que normalmente no est ocupada formando un defecto llamado Defecto intersticial .
Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los
alrededores puesto que normalmente el tomo es sustancialmente ms grande que la
posicin intersticial en la que se sita. Consecuentemente la formacin de este defecto no
es muy probable. Se pueden introducir en una estructura por radiacin. (Figura 2)
IMPUREZAS EN SLIDOS
Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas pueden generarse por
dos mecanismos:
- Sustitucin: Aqu el soluto o las impurezas reemplazan a tomos originales. Esto
se da cuando los tomos que constituyen el soluto y el solvente cumplen los
siguientes requerimientos (Reglas de Hume-Rothery):
o Los radios atmicos no difieran ms del 15%
o Las estructuras cristalinas deben ser las mismas
o Las electronegatividades deben ser similares ya que de otra manera
reaccionaran y se formaran nuevos compuestos
o Deben tener la misma valencia
- Intersticial: Aqu los tomos de las impurezas llenan los vacos o intersticios dentro
del material original. En la mayora de los materiales metlicos el
empaquetamiento atmico es alto y los intersticios son pequeos.
Consecuentemente los dimetros de los tomos que constituyen las impurezas
intersticiales deben ser sustancialmente ms pequeas que los del material original,
razn por la cual este defecto es mucho menos comn. Un ejemplo de este tipo de
impureza por sustitucin lo constituyen el carbn y el hierro. En una solucin
slida de estos dos elementos, el carbn puede sustituir al hierro en no mas del 2%.
(Figura 4)
Figura 4. Impurezas intersticiales de Carbn en hierro
DEFECTO FRENKEL
DEFECTO SCHOTTKY
Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga reemplaza otro ion de
diferente carga. Por ejemplo un ion de valencia +2 reemplaza a un ion de valencia +1. En
este caso una carga extre positiva se introduce dentro de la estructura. Para mantener un
balance de carga, se debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces inicos). Figura
7
Figura 7. Defecto por reemplazamiento por iones de diferente carga
Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una lnea. Se
crean durante la solidificacin de los slidos cristalinos o por deformacin plstica, por
condensacin de vacantes.
Hay dos tipos de dislocaciones, las de cua y las helicoidales. Tambin puede darse una
combinacin de ambas, denominada dislocacin mezcla
DISLOCACIN DE CUA
Se crea por insercin de un semiplano adicional de tomos dentro de la red. Los tomos a
lado y lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados. Los tomos por encima
de la lnea de dislocacin, que se encuentra perpendicular al plano de la pgina, en el punto
donde termina el semiplano insertado, se encuentran comprimidos y los que estn por
debajo se encuentran apartados. Esto se refleja en la leve curvatura de los planos verticales
de los tomos mas cercanos del extra semiplano. La magnitud de esta distorsin decrece
con la distancia al semiplano insertado.
DISLOCACIONES MIXTAS
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. Su vector de
Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la lnea de dislocacin, pero mantiene una
orientacin fija en el espacio. La estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta es
difcil de visualizar, pero el vector de Burgers proporciona una descripcin conveniente y
sencilla. (Figura 10)
LEY DE SCHMID
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen diferentes
estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de deslizamiento.
Suponga que se aplica una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal que es un cristal
simple o monocristal (Figura 11). Es posible ubicar el plano de deslizamiento y la
direccin del desplazamiento al aplicar la fuerza, definiendo los ngulos y . es el
ngulo entre la direccin del desplazamiento y la fuerza aplicada, y es el ngulo entre la
normal al plano de desplazamiento y la fuerza aplicada.
Para que la dislocacin se mueva en el sistema de deslizamiento, se necesita que acte una
fuerza de cizalladura en la direccin del desplazamiento, producida por la fuerza aplicada.
La resultante de esta fuerza de cizalladura, Fr, est dada por
Fr = F cos
Ao
Si esta ecuacin se divide por el rea del plano de deslizamiento, A = , se obtiene la
cos
LEY DE SCHMID,
r = cos cos
donde:
Fr
r = Es la resul tan te del esfuerzo cor tan te en la direccion del deslizamie nto
A
F
= Es el esfuerzo unidirecci onal aplicado al cilindro
Ao
Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un material en
regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente
orientacin.
SUPERFICIE EXTERNA
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina
abruptamente. Los tomos de la superficie no estan enlazados al nmero mximo de
vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico que
los tomos de las posiciones internas. Los enlaces de esos tomos supericials que no estan
satisfechos dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades de energa por
unidad de rea (J/m2 o Erg/cm2 ). Adems la superficie del material puede ser rugosa,
puede contener pequeas muescas y puede ser mucho mas reactiva que el resto del
material.
BORDES DE GRANO
Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de diferentes
orientaciones cristalogrficas en materiales policristalinos.
El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn uniformemente
separados, o sea que hay tomos que estn muy juntos causando una compresin, mientras
que otros estn separados causando tensin. De cualquier forma los limites de grano son
reas de alta energa y hace de esta regin una mas favorable para la nucleacin y el
crecimiento de precipitados
MACLAS
Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los tomos de un lado del lmite
estn localizados en una posicin que es la imagen especular de los tomos del otro lado.
Tarea: Con el fin de complementar el tema de cristalografa consulte acerca de los temas
CUASICRISTALES y FRACTALES.