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UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL


CARRERA DE ELECTRNICA Y COMUNICACIONES
OPTATIVA II (MICROONDAS)

UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO


Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electrnica e Industrial
Carrera de Electrnica y Comunicaciones
Optativa II (MICROONDAS)

Modos de operacin del Diodo Gunn

Curso: Octavo Electrnica A

Alumno:
Balarezo Juan Carlos

Docente: Ing. Marco Jurado

AMBATO ECUADOR
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CARRERA DE ELECTRNICA Y COMUNICACIONES
OPTATIVA II (MICROONDAS)

Modo de acumulacin de carga

Se considera ahora un dispositivo Gunn con un producto nl sub-crtico (nl <10 ^ 12cm ^ 2).
Una capa de acumulacin comienza en el ctodo, se propaga hacia el nodo y desaparece
en el nodo. El campo en el ctodo luego se eleva, permitiendo la formacin de otra capa
de acumulacin, y luego se repite indefinidamente. Este modo de oscilacin tiene una
eficiencia baja, pero se puede sacar ventaja de la resistencia negativa exhibida por el
dispositivo en una banda de frecuencia cerca del recproco del tiempo de trnsito de
electrones y sus armnicos. En este modo, el dispositivo puede por lo tanto funcionar como
un amplificador estable. La frecuencia de la ganancia mxima de dicho amplificador
aumenta con la intensidad del campo elctrico aplicada. Las mediciones muestran que se
puede obtener resistencia negativa sobre una banda de frecuencia mayor de una octava.

Una pequea fluctuacin en el ctodo


genera un exceso local de electrones
que va aumentando a medida que es
arrastrado hacia el nodo (figura c).
El campo en el dispositivo va
cambiando, como consecuencia de la
discontinuidad generada por la zona
de acumulacin de electrones (figura
b). Dado que la carga debe
conservarse, la inestabilidad se
desarrolla a partir de los electrones
que entran por el ctodo y que se van
acumulando. Los electrones se
acumulan porque, al ser transferidos
al mnimo 2, se ralentizan. La
acumulacin de carga en el
dispositivo hace disminuir la
corriente en el circuito exterior
(figura d). En el punto 6 la corriente
vuelve a aumentar por la llegada de
los electrones de la zona de
acumulacin al nodo. La zona de
acumulacin desaparece y el
dispositivo vuelve al punto de trabajo
1, de manera que se puede iniciar una
nueva inestabilidad. La frecuencia de
trabajo estar, bsicamente,
determinada por el tiempo de
trnsito.
Figura 1. Mdulo de acumulacin de carga
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Modo de acumulacin de espacio-carga limitado (LSA)


( )

En el modo de carga de espacio limitado, el punto de funcionamiento dinmico est situado


en las regiones de resistencia positiva durante la mayor parte del perodo de oscilacin. El
modo LSA asume grandes oscilaciones dinmicas alrededor del punto de funcionamiento.
Una tensin de alta frecuencia, de gran amplitud reduce el campo elctrico durante el ciclo
a un valor ligeramente inferior a que suprime la formacin de dipolos. La frecuencia
debe ser lo suficientemente alta para evitar la formacin de dipolos (es decir, no debe haber
suficiente tiempo para la formacin de dipolos). El campo elctrico a travs del dispositivo
se eleva por encima, y cae hacia abajo, el umbral tan rpidamente que la distribucin de la
carga espacial no tiene suficiente tiempo para formar. Sin embargo, la resistencia media en
un ciclo debe ser negativa y para cumplir esta condicin, el campo elctrico no debe caer a
valores mucho menores que , lo que requiere una carga espacial limitada. El diodo se
comporta como una impedancia de parte real negativa sin producir pulsos. La frecuencia de
oscilacin viene determinada por el circuito externo.
La operacin en modo LSA produce una eficiencia mucho mayor que la obtenida a partir
del trnsito dipolar. Adems, no hay lmite de tiempo de trnsito en la frecuencia mxima
de oscilacin.

Figura 2. Mdulo de acumulacin de espacio-carga limitado (LSA)

Modo de dominio extinguido ( )

En dispositivos con un producto nl supercrtico, es posible obtener frecuencias de


oscilacin ms altas que el recproco de la frecuencia de tiempo de trnsito mediante el
enfriamiento de la capa de dipolo usando un circuito resonante. La tensin de oscilacin del
circuito resonante se aade a la tensin de polarizacin que reduce la tensin total durante
sus semiciclos negativos. La anchura de la capa de dipolo se reduce durante lo que es,
efectivamente, estos perodos de sesgo reducido. El enfriamiento de la capa de dipolos se
produce cuando la tensin de polarizacin se reduce por debajo del valor umbral .
Cuando la tensin de polarizacin efectiva aumenta por encima de este umbral (durante los
semiciclos positivos de la tensin oscilante), se forma una nueva capa de dipolo, repitiendo
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el proceso indefinidamente. Por lo tanto, las oscilaciones se producen a la frecuencia del


circuito resonante en lugar del recproco de la frecuencia del tiempo de trnsito. Si el factor
de calidad del circuito de carga es alto, la amplitud en el terminal del diodo puede ser tan
alta como la tensin de polarizacin. Durante la oposicin del signo el campo elctrico
disminuir a un valor muy bajo y los dipolos desaparecern durante parte del ciclo. Si los
dipolos desaparecen antes de alcanzar el nodo, la frecuencia de oscilacin ser mayor que
la frecuencia de trnsito . Si el campo elctrico es bajo, el dipolo puede recorrer toda la
longitud l del dispositivo, con la aparicin de un nuevo dipolo retrasado. Esto dara lugar a
una frecuencia de oscilacin menor que . La eficiencia en este modo de oscilacin es
mucho mayor que la obtenida en el modo de capa de dipolo de tiempo de trnsito.

Figura 3. Modo de dominio extinguido

Modo de dominio retrasado ( )

Aqu el tiempo de trnsito se elige de tal manera que el dominio se recoge cuando el campo
aplicado es menor que el campo crtico( ). El dominio siguiente slo puede formarse
cuando el campo alcanza de nuevo el valor umbral. En este caso el periodo de oscilacin es
mayor que el tiempo de trnsito. La Eficiencia de este modo es de alrededor del 20%. Este
modo tambin se conoce como modo inhibido.

Figura 4. Modo de dominio retrasado


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Referencias:

[1] Kumar S. & Monojit M., Microwave Semiconductor Devices, Prentice Hall of India,
2006, pg. 112-113.

[2] Ian A. Glover,S. Pennock & Peter Shepherd, Microwave Devices, Circuits and
Subsystems for Communications Engineering, John Wiley & Sons, Ltd, 2005, pg. 55-57.

[3] Prasad G. & Laxmi V., Microwave Devices and Circuit Design, Prentice Hall of
India, 2008, pg. 310

[4] Dispositivos Emisores de Microondas (Dispositivos Gunn) disponible en:


http://www.uv.es/elecfis/ef/Lecc10.pdf