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MANUAL DE PROCEDEMIENTOS DE PRCTICAS

LABORATORIO Electronica
CARRERA Ingenieria Elctrica
SEDE Quito-Campus Sur

1. DATOS INFORMATIVOS

a. MATERIA / CTEDRA RELACIONADA: Electrnica Analgica II

b. No. DE PRCTICA: 1

c. NMERO DE ESTUDIANTES POR MDULO: 3

d. NOMBRE INSTRUCTOR: Ing. Wilson Pavn Msc.

e. TIEMPO ESTIMADO: 2 horas

2. DATOS DE LA PRCTICA

a. TEMA: Amplificador de pequea seal BJT y JFET

b. OBJETIVO GENERAL:

Familiarizar al estudiante con el amplificador de pequea seal con BJT y JFET

c. OBJETIVOS ESPECIFICOS

Medir la polarizacin del amplificador de pequea seal con BJT

Observar las formas de onda en el osciloscopio del amplificador de pequea
seal con BJT
Medir la polarizacin del amplificador de pequea seal con JFET
Observar las formas de onda en el osciloscopio del amplificador de pequea
seal con JFET

d. MARCO TERICO

El trnsito bipolar de juntura (BJT) tiene como una de sus aplicaciones la

amplificacin de seales, la amplificacin es la operacin matemtica por la
cual una seal es multiplicada por una constante cuyo valor es mayor que la

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Ing. Luis Oate
Ing. Johana Celi
Fecha de Elaboracin Fecha de Revisin Nmero de Resolucin Consejo de
01-10-2013 Carrera:
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unidad, provocando el incremento n veces de la amplitud de la seal

amplificada.
La amplificacin de una seal relaciona la amplitud de la seal de entrada
con la amplitud d ela seal de salida, en el caso de la prctica la ganancia de
voltaje Av es la relacin entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada.

Vo
Av= vin

Para que el amplificador de voltaje con BJT funcione, el circuito electrnico

debe estar polarizado. En la prctica se utilizara el amplificador de emisor
comn (EC), cuya caracterstica es que adems de amplificar invierte la seal
de entrada o la desfasa 180 grados. En la figura se puede observar el circuito
de un amplificador con BJT en configuracin EC.

Figura Amplificador emisor comn

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En el amplificador en configuracin EC con BJT la ganancia de voltaje es

RcIIR
Av= re+R L
E1
La atenuacin producida por la carga
Rin
Atenuacin = Rin+Rs
La resistencia interna
Rin= R2IIR1II(re+RE1)

El transistor de efecto de campo (JFET) tambin puede ser utilizado para

amplificar seales, en la prctica se utilizara un amplificador fuente comn
(S) en el cual la seal de entrada ingresa por la compuerta (G) y la salida
amplificada se obtiene en el drenaje. La resistencia Rg mantien el valor de la
compuerta (G) en un vlaor cercano a 0 voltios y evita que la fuente AC sea
cargada por la impedancia del trnasistor.

En este tipo de amplificador la seal obtenida se invierte o se desfasa 180

grados. El amplificador con JFET tiene una impedancia de entrada muy
elevada en relacin al amplificador con BJT, sin embargo la ganancia de un
JFET es menor y puede provocar distorsion. En la figura se puede observar el
circuito de un JFET de fuente comn

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e. MARCO PROCEDIMENTAL

- Trabajo preparatorio
No ms de una hoja, 2 pginas. A mano o computador
Consultar y responder las siguientes preguntas:

1. Analizar los circuitos que sern armados en esta prctica, calcular los voltajes
y corrientes de polarizacin, la ganancia de voltaje, la resistencia interna, la
atenuacin, el valor de re.
2. Revisar la prctica del laboratorio, comprar los componentes necesarios para
la implementacin de los circuitos.

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- Trabajo en el Laboratorio:

ACTIVIDAD 1: Construya el circuito mostrado en la Figura 1.

Figura 1

1. Mida con el multmetro los valores de todas las resistencias, tenga la

precaucin de mantener apagado la fuente de alimentacin y el generador
de seales
2. Encienda la fuente de alimentacin y proceda a medir el voltaje de
polarizacin, entre VCC y tierra; el voltaje en la Resistencia de base R6, el
voltaje en colector-emisor; el voltaje emisor, el voltaje en colector,
3. Encienda el generador escoja la forma de onda senoidal, con una frecuencia
de 1 KHz y 100 mVp.

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4. Conecte el canal1 (CH1) del osciloscopio para medir el voltaje de la seal de

entrada V1 punto 1
5. Conecte el canal 2(CH2) del osciloscopio y observe la forma de onda luego
de la resistencia de 600 ohmios, punto 2.
6. Conecte el canal 2(CH2) del osciloscopio y observe la forma de onda en el
colector, punto 3
7. Conecte el canal 2(CH2) del osciloscopio y observe la forma de onda en el la
resistencia de carga punto 4

8. Construya el circuito de la figura 2

9. Mida con el multmetro los valores de todas las resistencias, tenga la

precaucin de mantener apagado la fuente de alimentacin y el generador
de seales

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10. Encienda la fuente de alimentacin y proceda a medir el voltaje de

polarizacin, entre VCC y tierra; el voltaje en la Resistencia de compuerta R3,
el voltaje en drenaje-source; el voltaje drenaje, el voltaje en source,
11. Encienda el generador escoja la forma de onda senoidal, con una frecuencia
de 1 KHz y 100 mVp.
12. Conecte el canal1 (CH1) del osciloscopio para medir el voltaje de la seal de
entrada V1 punto 1
13. Conecte el canal 2(CH2) del osciloscopio y observe la forma de onda en el
drenaje punto 2
14. Conecte el canal 2(CH2) del osciloscopio y observe la forma de onda en el la
resistencia de carga punto 3

f. RECURSOS UTILIZADOS (EQUIPOS, ACCESORIOS Y MATERIAL CONSUMIBLE)

Osciloscopio, generador de fuentes, multimetro y fuente de DC

g. REGISTRO DE RESULTADOS

Medicin valores
Voltaje de polarizacin de la fuente
Voltaje en la resistencia de colector
Voltaje en el colector
Voltaje en la resistencia de base
Corriente de colector
Forma de onda de entrada
Forma de onda de salida

a. INFORME
No ms de 4 pginas, mximo letra 12 calibri a simple espacio.
Mnimo 200 palabras en la discusin.
Partes del informe:

1.- Prctica de laboratorio, incluyendo todas las actividades realizadas.

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2.- Clculos tericos: Incluir el clculo de los de errores para las medidas realizadas,
comparada con los clculos. Adicionalmente, encontrar Para cada una de las seales de
voltaje vistas en la prctica, determinar: sus valores mximos y mnimos, y la funcin
que describe a la forma de onda.
2.- Discusin de los resultados obtenidos (importante)
Comparar los resultados con los clculos tericos. Como podemos justificar los errores?
4.- Comentarios y conclusiones.
5.- Anexos

b. BIBLIOGRAFA UTILIZADA

Boylestad,R.L.(2009).Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10/E.Pearson

Alcalde,P(2010),Electrnica Aplicada,Paraninfo.

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