UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS

ARMADAS
ESPE EXTENSIN LATACUNGA

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y
ELECTRNICA

ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN

DISEO VLSI

CONSULTA 1

ESTUDIANTE
Brayan Daniel Pila Aynuca

DOCENTE
Ing. Amparo Meythaler

ABRIL 2017 AGOSTO 2017

Elaborar un listado de las caractersticas de cada una de las

familias de los circuitos integrados:
FAMILIA RTL LGICA RESISTENCIA TRANSISTOR
Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes
2. Capacidad de salida: 4 0 5 salidas.
3. Retardo o demora en la propagacin: 50ns
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido
6. Lgica de la corriente

FAMILIA DTL LGICA DIODO TRANSISTOR

Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes:
V OH (min) : 4,8 V ; V OL(max) :0,2V ; V IH (min) :1,5 V ; V IL (max ) : 1,2V
2. Capacidad de salida: Limitada a 8 por el fabricante
3. Retardo o demora en la propagacin: 30ns
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido
6. Lgica de la corriente

FAMILIA TTL LGICA TRANSISTOR A TRANSISTOR

Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes:
V OH (min) :2,4 V ; V OL(max) :0,4 V ; V IH (min) : 2 V ; V IL (max ) : 0,8V
2. Capacidad de salida: 10
3. Retardo o demora en la propagacin: 9ns
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido: 1V
6. Lgica de la corriente

FAMILIA HTL LGICA DE ALTO UMBRAL

Se caracteriza por tener una alta inmunidad al ruido.
Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes:
V OH (min) :15 V ; V OL(max) :8,5 V ; V IH (min) : 6,5 V ; V IL (max ) : 0V
2. Capacidad de salida: 10 salidas
3. Retardo o demora en la propagacin: 150ns
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido: alta
6. Lgica de la corriente

FAMILIA ECL LGICA EMISOR ACOPLADOR

Los transistores nunca se saturan, esto hace que la velocidad de
conmutacin sea muy alta.
Caractersticas:
 1. Voltajes y corrientes
2. Capacidad de salida
3. Retardo o demora en la propagacin: 2ns
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido
6. Lgica de la corriente

FAMILIA I2 L LGICA DE INYECCIN INTEGRADA

Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes
2. Capacidad de salida
3. Retardo o demora en la propagacin
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido: alta
6. Lgica de la corriente

FAMILIA PMOS

Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes
2. Capacidad de salida
3. Retardo o demora en la propagacin
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido
6. Lgica de la corriente

FAMILIA NMOS

Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes
2. Capacidad de salida
3. Retardo o demora en la propagacin
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido
6. Lgica de la corriente

FAMILIA CMOS ESTRUCTURAS SEMICONDUCTOR-OXIDO-METAL

COMPLEMENTARIAS
Caractersticas:
1. Voltajes y corrientes
2. Capacidad de salida
3. Retardo o demora en la propagacin
4. Requisitos de energa
5. Inmunidad al ruido
6. Lgica de la corriente