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TOPICOS
DE ESTADO SOLIDO
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I. SEMICONDUCTORES
Los semi conductores son elementos que se comportan como un condutor o como un aislante,
dependiendo de diversos factores, como ser el campo electrico o magnetico, la presi
on, la radiaci
on
que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Desde el un punto de vista formal se pueden consideramos a los semiconductores como aisladores
pero con una brecha de banda peque na, por lo que podemos imaginarnos una situacion en la que
tenemos dos bandas:
Figura 2
La banda de abajo esta completamente llena y la banda de arriba completamente vaca por
lo tanto va haber una brecha de energa pequena(Eg ), al decir peque
na se refiere a valores entre
0 < Eg < 2 o 3 eV , dependiendo de las propiedades de cada semiconductor.
Como se ha mencionado la brecha de los aisladores es peque na dando como resultado varias
consecuencia. Una de las principales es que a menor temperatura va haber una mayor excitabilidad
o concentraci
on de electrones en la banda de arriba y una ausencia de electrones de la banda de
abajo.
En de acuerdo a la temperatura final podemos relacionar estos eventos en las bandas con la
distribuci
on de Fermi-Dirac, esta establece que la ocupacion del estado es igual a:
2
F (E ) = (EEf )/KB T
1+e
Donde el 2 del numerador indica que la ocupacion total es de dos electrones (spin up y spin
Down), Ef energia de Fermi.
La siguiente grafica corresponden a la Funci
on de Fermy Dirac versus energa, donde E(f) es
energa de Fermi.
2
Figura 3
2 2
F (E ) = = 2 =1
1+e(0)/KB T
La otra propiedad de esta distribucion que podemos obtener es que el ancho de este decaimiento es
del orden de KB T , esto implica que entre mas alta es la temperatura m as alargada es la distribucion
y entre mas peque na es la temperatura m as corta es la distribucion y entre mas se aproxime la
funci
on a T sera igual a cero, de est
a forma se va pareciendo a la funcion step.
3
Figura 4
Figura 5
4
distribuci
on de Fermi- Dirac se vera de esta forma , donde la Energa de Fermi estara en alg
un
lugar en el centro y la distribuci
on se vera as:
Figura 6
Una consideracion importante que tenemos que hacer en este punto, claramente el n umero de
electrones que hay en esta deplecion en la banda de conduccion es el numero de electrones que
fueron desplegados de la banda de valencia, ese peque
no n
umero tienen que ser exactamente iguales
a los que abandonaron la banda de valencia los que se movieron hacia la banda superior porque solo
tienen un numero limitado con los electrones con los que pueden jugar , por lo tanto el numero de
5
Figura 7
electrones de la banda de valencia tienen que ser exactamente iguales a los electrones que se han
movido a la banda de conduccion as que el numero de electrones desplegados tienen que ser iguales
a los numero de electrones que se han movido a la banda de valencia.
por definicion, claramente la posicion del nivel de Fermi si lo muevo hacia arriba voy a aumentar
el n
umero de ocupacion y si hago lo contrario , por lo tanto la conclusion que podemos sacar de
aqu que la posicion de esta energa Fermi no es algo arbitrario sino que tiene que ser posicionada
en el lugar exacta donde me dara el mismo n umero electrones de arriba con el mismo n umero de
electrones que se han movido de la banda de valencia que esta abajo, este es el criterio que tendre que
usar para el posicionamiento de energa de Fermi ya que los electrones tendran que ser iguales a los
que se unieron a la banda de conduccion con los que abandonaron la banda de valencia, as que
posicionamos donde los electrones en la parte de arriba sea exactamente igual al n umero de abajo.
uno puede ingenuamente creer que el punto exacto va a ser el punto de en medio a la mitad
porque esta distribucion es simetrica en el punto medio en el punto de la energa de Fermi as que uno
puede llegar a pensar que si el nivel de Fermi lo ponemos exactamente en el medio automaticamente
me dara un numero igual de electrones en la banda de conduccion arriba y la banda de valencia
abajo que se han movido.
Esto es solo parcialmente verdad como argumento y la razon es porque el n umero de estados que
tengo en la banda de conduccion arriba puede ser diferente al espectro de electrones disponibles que
hay en la banda de valencia, recuerden que la forma en que contamos los estados fue asumiendo
que haba una distribuci
on uniforme de los espacios, as que la distribucion es uniforme en caso de
espacio, pero si suponemos que la distribucion en lugar de ser como en esta grafica sea de esta otra
forma, si va habra un grosor diferente en la punto.
esto es solo parcialmente verdad como argumento y la razon es porque el n umero de estados que
tengo en la banda de conduccion arriba puede ser diferente al espectro de electrones disponibles que
hay en la banda de valencia, recuerden que la forma en que contamos los estados fue asumiendo
que haba una distribuci
on uniforme de los espacios, as que la distribucion es uniforme en caso de
espacio, pero si suponemos que la distribucion en lugar de ser como en esta grafica sea de esta otra
forma, si va habra un grosor diferente en la punto.
Si asumimos que en el eje k la distribucion es igual, va a ver menos estados disponibles para
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transferir entonces el punto que hay que recordar aqu es que los estados estan igualmente distribuidos
en caso espacio, pero si miro la distribuci on en el eje vertical en el eje de energa es el espacio que
tengo en la banda lo que me determinara la disponibilidad de los estados, podemos observar que
esta banda est a bastante inclinada y va a ver un menor n umero de estado disponible en el mismo
intervalo de energa si tomamos por ejemplo el mismo grosos en la variable k voy a tener el mismo
numero de estados los que estaran localizados en una ventana muy peque na de energa y abajo los
estados van a estar si tomamos la misma distribucion en el eje K los estados estaran localizado en
una ventana mas grande de energa, entonces cuando hago el conteo no tengo que ver solamente a la
distribucion de Fermi- Dirac si no que tambien tengo que considerar que esta distribucion de Fermi-
Dirac cuenta la distribuci on de los estados pero tambien tienen que considerar que en este caso en
particular hay mas estados disponibles arriba que abajo en este caso el nivel de la energa de fermi
no debe ser exactamente en el medio, podra estar cerca del medio de la brecha pero no exactamente
en el punto medio entre la banda de conduccion y la banda de valencia, porque la forma en lo que
estan distribuido los estados entre las dos banda pueden ser diferentes y tener diferentes densidades
de estado.
Basado en el hecho que la densidad en el caso espacio es uniforme, cuando ven las ventanas de
energa realmente depende de que tan inclinada va estar la banda de valencia para saber cuantos
estados estaran disponibles as que esto es solo una forma de decir que la posicion del nivel de
energa de Fermi es determinado por la neutralidad de la carga y la concentracion y n umero de
electrones, pero no necesariamente debe estar localizado en el medio de las brechas debido a las
diferencias que pueden haber en las formas de las banda de conduccion y las bandas de valencias.
Basado en el hecho que la densidad en el caso espacio es uniforme, cuando ven las ventanas de
energa realmente depende de que tan inclinada va estar la banda de valencia para saber cuantos
estados estaran disponibles as que esto es solo una forma de decir que la posici
on del nivel de energa
de Fermi es determinado por la neutralidad de la carga y la concentracion y n umero de electrones,
pero no necesariamente debe estar localizado en el medio de las brechas debido a las diferencias
que pueden haber en las formas de las banda de conduccion y las bandas de valencias, As que esta
posicion estara cerca del medio la brecha pero no necesariamente en el centro de la brecha. pero
tambien podemos contar cuanto electrones tenemos y cuantos se han movido, porque despues de
todo si estas muy distanciado en terminos de KB T en terminos del Ef de la lnea de energa Fermi.
Piensen que ese exponencial es bien grande por lo que la energa es mas grande que la energa de
fermi en unidades de KB T esta funcion se convierte en e(EEf )/KB T as que esencialmente es una
funcion exponencial de la lnea Ef con la constante de cada dad por KB T la ocupacion aqu arriba
se puedo medir facilmente y puede se calculada facilmente tomando valores similares.
Los n umeros de electrones perdidos o desplazados de la banda de valencia ser a igual al n
umero
de electrones de la banda de conduccion , debido que la funcion es simetrica esos dos n
umeros deben
de ser identicos pero en ese caso solo estaba dando un ejemplo dando un valor 2 pero que en realidad
un monton de factores son los que contribuyen en este valor final, uno de ellos es la densidad de
estados.
Ahorita solo voy a enfocar mi an
alisis en el inicio de la banda de conduccion el resto va a decaer
exponencialmente as que puedo hacer un aproximado de energa en un lado le llamaremos Ec en
7
el lado de conduccion, energa de conducion y en el lado de abajo lo llamaremos Ev en la banda
de Valencia, as que el valor de electrones seria E elevado a las unidades de KB T solamente estoy
tomando el inicio del decaimiento porque el resto va a caer exponencialmente as que mas que todo
estara localizado en la orilla de la decada y similarmente en la banda de valencia los electrones
estar
an localizados en la parte superior de la banda de valencia .
Solamente se tomando el inicio del decaimiento porque el resto va a caer exponencialmente
as que mas que todo estara localizado en la orilla de la decada y similarmente en la banda de
valencia los electrones estar
an localizados en la parte superior de la banda de valencia.
as que el n
umero de electrones en la banda de conducci
on ser
a encontrado atraves de la f
ormula:
e(EEf )/KB T aproximadamente e ( Eg /2KB T )
sin embargo si Ef esta localizado cerca del medio de la brecha por lo tanto la diferencia entre la
energa de conduccion es c y la diferencia con la energa de Fermi va a ser una mitad del espacio
brecha de banda en unidades de 2 KB T .
aproximadamente porque se que la energa del Fermi esta cerca del medio por lo tanto la diferencia
1
de la banda de conduccion y la energa de Fermi es aproximadamente del espacio de banda as que
2
el resultado que el numero de electrones en la banda de conduccion toma este interesante valor
tomando en consideracion el 2 ya que estamos hablando de unidades Fermianas y tomando en cuenta
que la energa de Fermi estara situada cerca del centro, debido a compensaciones de carga y el hecho
que habra un n umero igual de electrones desplegados como los agregados en la parte superior en la
banda de conduccion y claro este n umero que tomamos en la banda de conduccion tiene que ser
igual al n
umero de electrones tomados de la banda de valencia por contracci on eso tienen que ser
una igualdad.
entones ahora es claro porque clasificamos esos sistemas de semiconductores entre una brecha que
esta entre cero y 2 o 3 eV porque si este numero es 25 meV y 2 veces KB T es decir 2 veces 25meV ,
as que si tomamos el silicio traves que es 1.1 eV la bracha de energa es de 1.1 eV entonces en el
caso del cilocon sera e1.1/0.05 utilizando electrovoltios en ambos asi que esto sera aproximadamente
e 22 8
lo que es 10 .
este n
umero es el numero que sera promovido en la banda de valencia debido a la temperatura .
uno podra pensar que este es un n
umero peque no pero de hecho esto es detectable y si tenemos un
numero dado de electrones que han sido promovidos hacia arriba, se comportaran como electrones
libres porque esto se comporta como una banda ocupada no vaca donde los electrones estan colocados
al fondo de la banda de electrones libres por lo que se comportara como un sistema de metal o
un metal pero claro ser a un n
umero peque no de electrones , no como un alcaloide mono atomico
donde hay un electron por celula aqu hay un aproximado de un 108 menos electrones pero son
mesurables se pueden medir.
lo que hace a este sistema interesante es que las conducciones son extremadamente bajas y que por
eso es que se les llama semiconductores porque su nivel de conduccion es muy bajo , pero al mismo
tiempo es extremadamente dependiente a la temperatura porque puede cambiar la temperatura en
un 10 porciento la cambiamos de 300 a 330 es decir que de de 30 a 60 estoy cambiando la Kbt en
un 10 porciento as que vamos a ir de 25 a un 28 este cambiara en un 10 porciento y este n umero
sera aumentado en un 10 porciento en realidad esta aumentando la temperatura ese n umero va a
disminuir si es 10porciento pasa de -22 a -20 y este -8 sera -7 entonces a cambiar la temperatura por
30 h e sido capaz de cambiar el n
umero de electrones que se han movido y que se han excitado en este
lado de la banda en un orden de magnitud , eso significa tambien que ha cambiado la conductividad
8
y que ha aumentado un orden de magnitud al haber cambiado la temperatura a un 10 porciento 30 .
Entones la resistividad de un sistema como este aun si tiene un sistema de resistencia muy alto y
un nivel de conduccion muy bajo es extremadamente sensible a la temperatura as que peque nos
cambios de temperatura puede cambiar la conductividad por varios ordenes de magnitud lo que es
una de las propiedades muy importantes de este sistema.
La razon porque estas propiedades son muy importantes, es por el hecho es que la electronica
actual est
a basado no solo en los valores de conduccion sino que uno puede cambiar el valor de esta
conduccion de estos electrones de forma que uno puede convertir y crear circuitos y esto es porque
estos responden a cualquier manipulacion externa que podamos aplicar ya sea por temperatura o un
campo magnetico , un transistor o lo que sea la electronica actual esta basa en la habilidad de los
materiales de poder cambia la conductividad.
El hecho de que estos materiales sean extremadamente sensibles por temperatura los hicieron con
una propiedad muy interesantes pero claro esta no es la u nica razon del porque los semiconductoes
son interesantes , sino que tambien la electr
onica actual no est
a basad en este tipo de conductividad
pequena pero detectable lo unico malo es que son muy peque no para uso practico.
Todo lo que se ha explicado hasta aqu ha sido de forma intrnseca relacionado por los cambios
de temperatura y solo por ese cambio. Entonces la conductividad que se ha presentado que es
extremadamente peque na se conoce como la teora intrnseca de los semiconductores la conductividad
intrnseca porque son cargadores que son los electrones que son excitados y movidos justamente por
la temperatura a traves del espacio de temperatura hacia la distribucion de Fermi-Dirac.
Otra propiedad de los semiconductores es:
Los semiconductores tambien son interesantes porque pueden ser dopados, dopar semiconductores
significa artificialmente agregar cargadores as que supongamos que tenemos atomos de silicio
cristalino es decir cristales de silicio.
El silicio tienen una valencia de 4 as que nos olvidamos de los estados de la corteza, entonces
nos enfocamos en los electrones de valencia lo que significa que tienen una carga nuclear de +4,
cada uno de estos van a tener una carga de +4 en el n ucleo, entonces estan atrayendo electrones en
todos estos lados, un campo de Coulomb con esta carga de +4 y un n umero de electrones que es
cuatro veces el numero de atomos que tiene el sistema, entonces podemos pensar en 4 moleculas de
silicio cargando cuatro electrones, es irrelevante decir que este cuatro provienen de una molecula de
silicio y los otros cuatro de la otra molecula de silicio si en realidad funciona por ejemplo el teorema
de bloque donde las funciones estan completamente des localizadas extendiendose a lo largo de
todo el cristal. En la imagen 7 se representan los electrones solo para recordar el n umero total de
electrones que hay por atomo pero de hecho cada uno de los electrones estan situados en pocos iones
completamente des localizados en el sistema debido al teorema de bloque as que hay que tener en
mente cuando hacemos este tipo de representaciones que no es visualmente correcto solo es para
prop osito de representacion as que removeremos esto despues de saber lo que dice el teorema de
bloque, va a ver en promedio cuatro electrones, puestos aqu y cuatro electrones puestos en otra
molecula pero en realidad est an situados en todo el cristal. reemplazamos un atomo de silicio con un
atomo de Aluminio y de hecho si se puede hacer, se puede hacer crecer el cristal para ponerle cada
tanto un poco de aluminio en el reactor entonces va a ver en cada tanto una cantidad de aluminio
sustituto.
9
Figura 8
Figura 9
10
El aluminio esta situado a la par del silicio por lo que comparten propiedades qumicas a menos
localmente as que la posicion mas estable, si ponemos un poco al cristal, tiene que ponerse en
lugares sustituibles, es decir en lugares donde no hay silicio y el aluminio viene a ocupar dicho
espacio pero claro el aluminio no es +4.
Figura 10
Ya que hay que moverse un poco a la izquierda en la tabla peri odica as que el aluminio es
+ 3 electrones de valencia y al mismo tiempo carga 3 electrones as que en otras palabras estoy
sustituyendo un atomo con +4 de carga nuclear y 4 electrones de valencia, los reemplazamos con
un atomo de una carga nuclear de +3 y solo 3 electrones de valencia entonces podramos tratar de
resolver el problemas de un atomo de aluminio incrustado en una estructura de cristal de silicio.
pero entonces no podramos usar el teorema de bloque porque hemos perdido completamente
esta propiedad al introducir una impureza entonces la teora de estados impuros es excluyente
con el teorema de bloque porque peri odicamente segun la tabla periodica estamos introduciendo
una impureza, pero sin embargo en este tipo de problema tratamos de aproximar el problema de
reemplazar un atomo de silicon por una de aluminio de una forma perturbadora . Los cristales de
silicio son los que cristalizan la estructura de Diamante lo que forma una estructura fcc dos atomos
por unidad celular, pero por propositos visuales lo representamos en un cuadrado de dos dimensiones.
Discutiremos otro ejemplo en el que consideramos otro tipo de reemplazo otro similar a este pero
en lugar de reemplazarlo por un atomo de aluminio vamos a usar Fosforo (P).
el fosforo esta al lado derecho de la tabla periodica as que tiene un electron de mas y un numero
mas de carga nuclear as que van a ser +5 y 5 electrones el problemas es similar y de hecho es
simetrico y ademas se pueden introducir unas cantidades de fosforo al reactor para el crecimiento
del cristal de silicio, puedo tener una peque na cantidad de fosforo sustituyendo lo que es un atomo
de silicio mientras crece el cristal el caso del silic
on por fosforo y luego vamos a regresar al aluminio
para analizarlo de un punto de esta per turbativo.
La adicion del fosforo significa el reemplazo del silicio por fosforo el cual es equivalente a decir
que tenemos un cristal ideal
11
Figura 11
Figura 12
12
al agregar una carga adicional a uno de los potenciales de coulomb
Figura 13
Figura 14
si hacemos eso pasara lo mismo con la adicion de un atomo de fosforo entonces en lugar de
agregar fosforo podemos decir que el sistema est a hecho con atomos de silicio pero por sobre eso
estoy perturbando al sistema al agregarle una carga mas al potencial del sistema del silicio y al
agregar un electron mas al sistema y debido a la discusion anteriormente no es necesario decir que
la adici
on de este electron esta necesariamente vinculada al potencial de carga a la perturbaci
on de
energa porque se que estos electrones pueden ir a cualquier lado , si se encuentra el sistema mas
bajo de estado, entonces no podemos decir que esta carga pertenece a este atomo por el teorema de
bloque este
atomo est a des localizado por lo que puede ir a cualquier lado.
Hay dos cosas m as por discutir cuando se le adicionan al sistema del Silicio la perturbacion
asumiendo que sabemos como resolver la problematica, crearemos dos perturbaciones al agrega el
+1 electr
on, entonces discutiremos la carga de +1 , como se va alterar la estructura de mi banda al
agregar una carga de +1 a uno de los atomos de silicio bueno en realidad hay que hacer el calculo,
13
supongamos que esta es la adicion sin el +1, habr an dos pequenos cambios a las bandas en la teora
de perturbaci on podra decir que cada uno de estos estados va a ser modificado y afectado un poco,
as que este estado se podra mover un poco, as que cambia la estructura de la banda debido a la
perturbacion asumiendo que se puede llevar a cabo, as que los puntos mas cambiados seran los
mas cercanos al centro a los limites de las bandas, porque cerca de este punto podran haber ciertos
estados de energa arriba o abajo de ese punto, en conclusion el fondo de la banda de conduccion y
de la parte superior de la banda de valencia podran cambiar un poco debido a la perturbacion, los
cuales son puntos de interes, se puede usar la teora de perturbacion pero se sabe que habran ciertos
cambios en cualquier lado pero particularmente en las zonas cercanas al centro as que mis primeros
estados de disponibilidad podran estar por debajo de la lnea en la banda de conduccion o mas
arriba de la banda de valencia.
Hay una segunda consecuencia, es necesario colocar un electron en alg un lado , entonces Donde
se coloca? el numero de estados sera exactamente el mismo si creo en la teora de perturbacion,
as que el u
nico estado en el que se puede colocar un electr
on es en el fondo de la banda de conduccion
y esta es la razon por la que se puede suponer que habran unos cabios en las zonas cerca de los
lmites de la banda de conducci on. Al cual estamos agregando una carga de +1 y un electro pero en
realidad no es un movimiento de intercambio de electrones ya que estamos agregando electrones y
cargas a una carga ya existente y aun n umero de electrones ya dados que son el n umero de electrones
que contienen los atomos del silicio, as que el problema puede ser solucionado analticamente con la
teora de perturbacion ya que el problema sera muy similar a la soluci on del problema del Hidrogeno,
pero tomamos encuentra que estos dos elementos o propiedades no existen en el vacio como en el
caso del problema del Hidrogeno entonces podemos comparar para entender . Es similar a la teora
del atomo de hidrogeno, es el mismo problema agregado a un problema existente al silicio quien ya
tiene la densidad de cargas, entonces en si la problematica aqu si se introduce un atoo de fosforo
voy a posicionar un electr on en algun lugar de su zona al fondo de la banda de conduccion.
Al agregar un atomo de Hidrogeno se le introduce un electron y por lo tanto se introduce un
pequeno cambio a las estructuras de las bandas, as que para hacer una peque na aproximacion
obviaremos realmente haremos cambios en la adicion de un electron en esta banda de conduccion, el
fosforo tambien es llamado donador porque dona una electr on a la banda de discusion, entonces
que pasa con el Al, el argumento va ser exactamente lo opuesto en lugar de agregar una carga de
+1 estoy agregando una carga de ? 1 o por lo menos tengo que remover un poco de atracci on de
coulomb en ese lugar y al mismo tiempo necesito remover un electr on de mi sistema porque tengo
que ir de 4 a 3 ahora entonces la consecuencia en la estructura de las bandas es que va a ver un
cambio en las posiciones de la energa debido a la extraccion de ese electron y que cambie un poco
el potencial de coulomb pero para la primera aproximar vamos obviar eso tambien.
Lo que se ha hecho es remover un electron de la parte m as alta de estabilidad de la banda as que
el aluminio lo cual va a dar un electron que sera removido de la parte superior de la banda de
valencia as que lo que va a ser el aluminio es que me va a dar una estructura de bandas que va a ser
muy similar a la del silicon con la unica diferencia de que va a ver un electron menos entonces ahora
es claro de que esto se esta convirtiendo en un organismo bien efectivo para poder jugar y para
poder jugar con lo que son los mensajeros los cargadores en mi sistema en la consideracion previa
cuando est abamos viendo el sistema intrnseco no haba nada que pudiera hacer mas que mover
electrones de la banda de valencia a la banda de conducci on as que el numero de electrones de la
banda de conduccion siempre era igual al n umero de electrones movidos de la banda de conduccion
no haba otra posibilidad no haba una forma de quitar o agregar electrones extras, pero ahora que
ya introduje el termino de poder dopar ya sea introduciendo aluminio o fosforo o cualquier otra
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impureza as estoy anadiendo la posibilidad de quitar o agregar electrones solamente al jugar con el
numero de impurezas que a nado o quito as que puedo ingeniar puedo contraer el sistema del cristal
de silicio, de esta forma si quiero una cantidad grande de electrones en la banda de conducci on
simplemente lo que tengo que hacer es agregar un numero grande de atomos de fosforo cuando estoy
creciendo el cristal de electron y si quiero tener un sistema numero grande de electrones que han
sido desplazados pero sin ning un electron en la banda de conduccion entonces solo tengo que hacer
el mismo juego con atomos de aluminio de esta forma puedo jugar con esta concentracion porque
cada atomo esta contribuyendo con un electron.
Este tipo de dopaje es el dopaje n porque estoy introducci
on de cargas negativas porque estoy
usando cargas positivas se llama dopaje p, aunque realmente no son positivas, son electrones que
est
an desplazados los cuales puedo tratar como positivas.
As que si uno compra un cristal de silicon a una compa na, la compa na tienen que decir las
concentraciones de dopaje y el tipo de dopaje y de hecho es mucho mas difcil crecer un tipo de
cristal que no ha sido dopado porque tienes que estar bastante pendiente cuando crece el cristal
no se ha introducido ninguna impureza tiene que estar limpio, por ejemplo el oxigeno puede ser
considerado un donado porque esta al lado derecho de la tabla peri odica por ejemplo a la hora de
estar creciendo el cristal tiene que tenerse presiones muy bajas de oxigeno pero siempre el oxigeno
siempre esta en el ambiente por lo tanto se va considerar dopaje de tipo n de cargas negativas de
esta forma se puede concluir que es difcil cultiva o hacer crecer cristales que son completamente
puros o limpios que no tengan ning un tipo de dopaje.
Los atomos que se le suelen agregar a un cristal para doping de tipo N por lo general suelen ser
de valencia cinco, como el arsenico y el fosforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad
electrica, ya que el atomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electr on no ligado,
a diferencia de los atomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para
separarlo del atomo sera menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o
del semiconductor original).
La figura 2 representa esquematicamente el dopaje de Silicio por el arsenio (dopaje N). En el
caso del arsenio, se dona un electr
on.
De igual forma Los atomos que se le suelen agregar a un cristal para doping de tipo P suelen
ser de valencia tres, como el aluminio, el indio o el galio. Nuevamente, el atomo introducido es
neutro, por lo que no modificara la neutralidad electrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres
15
Figura 15: Los
atomos donantes han creado un donante con enrga Ed justo por debajo del nivel de la
banda de conduccion. Cuando la temperatura es lo suficientemente grande, todo los atomos
donantes se ionizan y sus electrones liberados ser
an liberados de la nivel de Ed en la banda de
conducci
on.
electrones en su u
ltima capa de valencia.
La figura 3 representa esquem aticamente el dopaje de silicio por el boro(dopaje P).En el caso del
boro le falta un electr
on, y por lo tanto, hay un hueco donado por el electron.
Las impurezas crean niveles de energa dentro de la banda prohibida en los semiconductores. (a)
muestra un nivel de energa del donante, mientras que (b) es un nivel causado por aceptores.
Uno de los avances mas importantes es la union P-N, se forman a traves dopaje de un se-
miconductor con dos tipos de atomos de impurezas, llamado donante y aceptor de atomos. Por
ejemplo, un sustrato de silicio dopado por ejemplo, de manera uniforme, con el donante arsenico
(As), posteriormente se dopa con la boro aceptor (B), en algunas regiones, para formar uniones PN.
No prestaremos atencion de los metodos de fabricacion de uniones PN, pero es importante tener en
cuenta que tienen una fuerte influencia en la distribuci
on espacial de iones en la estructura cristalina
del silicio.
Por lo tanto la union P-N es un cristal semiconductor en el que el concentracion de impurezas
vara solo a lo largo de una direcci
on dada (tomado como el eje x) y solo en una peque na region
(tomada al alrededor de x=0). Para negativo x el cristal tiene una preponderancia de impurezas
aceptores (es decir, es de tipo p), mientras que para el positivo x tiene un preponderancia de
impurezas donantes (es decir, es de tipo n). La manera en la que las densidades de los donantes y
aceptadores Nd (x) y Na (x) varan con la posicion se llama el profile de dopaje. El termino union
se utiliza para referirse tanto al dispositivo como un todo y, mas especficamente, a la region de
16
Figura 16: Para las impurezas aceptadoras, que crean un nivel de energa Ea justo por encima de la parte
superior de la banda de valencia. En este caso los electrones pueden ser f acilmente liberados
de la banda de valencia en estados vacantes en EA, dejando detr as de agujeros en la banda de
valencia que puede tomar parte en la conducci
on. Como con el movimiento de Ed, la temperatura
ambiente es suficientemente alta para causar que los electrones se transfieren en EA.
Figura 17
17
on sobre x = 0 en la que el profile de dopaje es no uniforme.
transici
Como veremos mas adelante, la falta de uniformidad en las concentraciones de impurezas induce
una falta de uniformidad en las densidades nc (x) y pv (x) de los electrones de la banda de conduccion
y agujeros banda de valencia, que a su vez da lugar a un potencial (x). La region en la que estas
densidades son portadoras no uniforme que se conoce como la capa de agotamiento (region de carga
espacial) La capa de agotamiento se puede extender durante un intervalo de aproximadamente 102
a 104 A alrededor de la (generalmente m as estrecha) region de transici
on en la que el profile de
dopaje vara, como veremos a continuacion. Dentro de la capa de agotamiento, excepto cerca de
sus lmites, la densidad total de portadores es mucho menor que en las regiones homogeneas m as
lejos de la regi
on de transici
on. La existencia de una capa de agotamiento es uno de las propiedades
fundamentales de la p-n de conexiones. Una de nuestras principales preocupaciones sera la de explicar
por las que una capa de este tipo es inducida por la variacion en las concentraciones de impurezas, y
c
omo su estructura cambia con la aplicacion de un potencial externo V.
Observemos que cuando se unen inmediatamente la uni on N-P los electrones de una peque na
on de energa Ec entre la frontera que comparte el material N y material P, se moveran hacia
regi
la region de energa Ev . Esto proceso creara una distribucion de carga, en la region N habra un
exceso de carga negativa y en la region P habra un exceso de carga positiva debido a que ambas
regiones estaban electricamente neutras. Asumiendo que esto suceda la region N, electricamente
negativa, y la regi
on P electricamente positiva creara una cada de potencial debido a la diferencia
de carga en ambas regiones. Como se muestra en la figura. La region de energa Ev se movera hacia
arriba al mismo nivel de la energa Ec , que es cuando no exista mas transferencia de energa, en
otras palabras si se conecta ambas lneas de la bandas de valencia y de las bandas de conduccion, se
creara el potencial electrostatico.
V. POLARIZACION INVERSA
Si una batera esta conectada a la union P-N de modo que el terminal positivo de la batera
es unido a la del lado N y el terminal negativo a la del lado P, se dice que la uni on P-N esta en
condiciones de polarizacion inversa. Para que la Corriente inversa fluya, los electrones tendran a
fluir a partir de entonces del lado P. Mientras tanto, tendran agujeros que fluya desde P a N. Esto
conduce a los donantes y aceptores ionizados a estar m as presente que en la condici
on inicial, que a
su vez conduce a un aumento en el tama no de la region de agotamiento. Carga de estos iones no
compensados adicionales crea un voltaje que se suma a la tension de la union, como se muestra en
la Figura. Casi no hay corriente que fluya a traves de la union debido a que el aumento de tama no
de la tension de la union act
ua como una mayor barrera de potencial a la difusi on de portadores
mayoritarios. La resistencia de una polarizacion inversa de union P-N,por lo tanto, es muy alta.
Por el contrario, si una batera esta conectada de otra forma, en otras palabras, con el terminal
positivo conectado al lado P, como se muestra en la figura . La union se dice que es polarizado. En
este caso el circuito externo suministrara mayora portadores a ambos lados de la union, por lo que
los agujeros se anadiran en el lado P y los electrones en el lado N. Algunas de estos portadores
adicionales neutralizaran los iones no compensados en la region de agotamiento, haciendo que
disminuyen de tama no que es cuando la union es imparcial. La reduccion en el tama no de la regi
on
de agotamiento reduce la correspondiente barrera de potencial a traves de la uni on, lo que permite
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una corriente de difusion grande de portadores mayoritarios fluya. Como en el caso de polarizaci on
inversa, la corriente de deriva de portadores minoritarios sigue siendo similar a la de la union inicial.
Figura 18
VII. BIBLIOGRAFIA
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