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1. Semi-conducteurs intrinsques
Un semi-conducteur est dit intrinsque lorsque il est parfaitement pure (ne contenant aucun lment
tranger).
Pour les semi-conducteurs intrinsques usuels tels que le silicium ou le germanium, les structures cristallines
sont identiques et chaque atome est entour ttradriquement par quatre autres atomes avec lesquelles il assure
des liaisons covalentes.
Pour des tempratures assez leves (de l'ordre de l'ambiante), certains lectrons assurant les liaisons
covalentes sont arrachs du fait de l'agitation thermique devenant ainsi libres de se mouvoir sous l'action d'un
champ lectrique comme
dans mtal. (a) (b)
1.1 Notion de trou Si Si Si Si Si Si Si Si
Lorsqu'une liaison
covalente entre deux atomes
se rompt sous l'effet de Si Si Si Si Si Si Si Si
l'agitation thermique,
l'lectron libr laisse sa
Si Si Si Si Si Si Si Si
place un vide appel trou qui
correspond la charge
positive du noyau non Si Si
Si Si Si Si Si Si
compense (figure 1-a).
Ainsi une paire lectron-trou
est cre.
Un lectron d'une Si Si Si Si Si
Si Si Si
liaison voisine peut venir
combler ce trou (figure 1-
b); il laisse son tours un Si Si Si Si Si Si Si Si
trou derrire lui qui peut (d)
aussi tre combl (figure Si Si
Si Si Si Si Si Si
1-c) etcOn assiste alors
un dplacement des
lectrons de valence de Si Si Si Si Si Si Si Si
trou en trou (figure 1-d).
: Mouvement de l'lectron libre
( c)
: Mouvement du trou libre quivalent
Figure 1
Pr. A.SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 2 Gnralits semi-conducteurs
On peut assimiler les dplacements de ces lectrons un dplacement de trous de charges positives +e en
sens inverse (figure 1-d).
Ces lectrons et ces trous sont appels porteurs libres.
On dsigne par :
ni la concentration en porteurs ngatifs (les lectrons),
pi la concentration en porteurs positifs (les trous).
Pour les semi-conducteurs intrinsques, on a bien ni= pi
Lorsqu'on applique un champ lectrique l'intrieur du semi-conducteur, les porteurs libres prennent un
mouvement d'ensemble:
les trous dans le sens du champ
les lectrons en sens oppos du champ.
Ce double dplacement constitue le courant lectrique.
2. Semi-conducteurs extrinsques
L'introduction en quantit trs faible de certaines impurets (appeles aussi dopants) dans un semi-
conducteur intrinsque peut augmenter considrablement le nombre de porteurs libres (lectrons ou trous)
rduisant ainsi la rsistivit du matriau du dpart. Le cristal ainsi dop est dit semi-conducteur extrinsque. Les
impurets utilises sont de valence trois ou cinq et conduisent deux types de semi-conducteurs:
- semi-conducteurs de type N (impurets de la cinquime colonne),
- semi-conducteurs de type P (impurets de la troisime colonne).
Semi-conducteur type N
Figure 3
: Ion positif fixe dans le rseau
: lectron libre majoritaire
On dit que l'on a introduit dans le silicium des centres donneurs et que le semi-conducteur est de type N.
La conduction est dite de type N car elle se fait grce un dplacement de charges ngatives.
Exemple:
Pour le silicium on a 5 1022 atomes/cm3. On le dope en introduisant 1015 atomes d'arsenic par cm3.
La densit intrinsque est de l'ordre de ni=1,5 1010 lectron/cm3.
Le nombre d'lectrons libres ne est gal au nombre d'atome d'arsenic not ND plus (+) la densit
intrinsque ni:
ne=ni+ND ND=1015cm-3
On obtient les rsultats suivants:
Silicium intrinsque Silicium extrinsque dop l'arsenic
i = 4,4 10 6 ( cm) 1 n = ene n eN D n = 0,22 ( cm) 1
i = 2,3 10 5 cm n = 4,6 cm
On notera que n (du Si extrinsque) est plus de 105 fois suprieure la conductivit i du Si pure
(intrinsque).
La concentration des lectrons libres provenant des atomes donneurs est trs importante devant celle des
porteurs intrinsques (dans ce cas les trous).
On dit que les lectrons sont porteurs majoritaires, les trous porteurs minoritaires.
Si Si Si Si Si Si
Si Si
Figure 4
Pr. A.SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 4 Gnralits semi-conducteurs
et n'assurent que trois liaisons covalentes avec les atomes du silicium voisins. On obtient ainsi dans l'ensemble du
cristal un trou (dficit en charge ngative) par impuret. Une faible nergie sera suffisante ( de l'ordre de 10 meV)
pour qu'un lectron d'une liaison voisine puisse compenser ce trou avec apparition d'un nouveau trou etc
(figure 4)
Pour des tempratures avoisinant l'ambiante, l'agitation thermique ( T=300K, Eagit.therm.=3/2 kT=40 meV)
permettra la libration d'un trou par atome d'impuret, d'o une augmentation notable de la concentration en
porteurs positifs libres par rapport au semi-conducteur intrinsque.
De ce fait, les impurets introduites sont appeles atomes accepteurs pour avoir capter un lectron. Ils
deviennent des ions ngatifs qui restent fixes dans le rseau cristallin.
Les trous sont dit porteurs majoritaires et les lectrons porteurs minoritaires.
Le semi-conducteur dop ainsi que la conduction sont dits de type P car la conduction se fait grce au
dplacement de charges positives.
Figure 5 : Ions ngatifs fixes dans le rseau
: trou libre majoritaire
Dsignons par NA la concentration en atomes accepteurs. Le nombre de trous libres pe est gal au nombre
d'atomes accepteurs NA plus (+) la densit intrinsque ni (=pi):
Pe=NA+ni NA car NA>>ni .
1 1
La rsistivit du semi-conducteur de type P est p = = .
p e p N A
Il faut noter comme remarque que les semi-conducteurs de type N et de type P sont globalement neutres.