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Convertidor Buck Sincrono PDF
Convertidor Buck Sincrono PDF
presentada por
Director de tesis:
Dr. Jaime E. Arau Roel
Co-Director de tesis:
Dr. Francisco V. Canales Abarca
presentada por
Director de tesis:
Co-Director de tesis:
Jurado:
Dr. Abraham Claudio Snchez - Presidente
Dr. Carlos Aguilar Castillo - Secretario
Dr. Mario Ponce Silva - Vocal
A Dios, por darme la facultad de afrontar los retos que se me han presentado. Por
permitirme vivir en este tiempo y conocer a todas las personas que me han rodeado.
A mi amiga Gisela Morales Amaro por apoyarme en esta etapa de mi vida y por
ensearme a apreciar las cosas que valen la pena.
A mis asesores, Dr. Jaime E. Arau Roel y Dr. Francisco V. Canales Abarca, por
brindarme su amistad y ayuda en el desarrollo de este proyecto de tesis.
A mis revisores, Dr. Carlos Aguilar Castillo, Dr. Abraham Claudio Snchez y Dr.
Mario Ponce Silva, por su amistad e invaluables comentarios.
A mis profesores: Dr. Jorge Hugo Calleja, Dr. Alejandro Rodrguez, M.C. Jos
Martn Gmez, Dr. Mara Cotorogea y Dr. Marco Oliver, por sus enseanzas. A la Lic.
Rosa Marina Rodrguez por su colaboracin en la revisin del documento de tesis.
A todas aquellas personas que hicieron agradable mi estancia dentro y fuera del
CENIDET.
El tiempo de uso de las aplicaciones porttiles est limitado, debido a que la energa
necesaria para el funcionamiento del dispositivo proviene de una batera. La principal
preocupacin en el campo de las aplicaciones mviles es el aumento de la autonoma
de los dispositivos. Para lograr esto es necesario el uso de convertidores de CD-CD con
alta eciencia.
The use time of portable applications is limited, due to the necessary energy for
the operation of the device comes from a battery. The main concern in the eld of the
mobile applications is the increase of the devices autonomy. For achieve this, the use of
DC-DC converters with high eciency is necessary.
The synchronous buck converter is widely used to provide a low voltage level for
supplying the CPU, peripheral, memories, etc. By means of the analysis of the power
losses in the synchronous buck converter it is possible to determine the main parameters
that inuence in the converter eciency at light load.
Notacin v
Lista de guras ix
Lista de tablas xv
1. Introduccin 1
1.1. Antecedentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.3. Justicacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4. Objetivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.5. Hiptesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.6. Metodologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
i
Contenido
2.1.1. Anlisis de CD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.1. Anlisis de CD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
5. Alternativas de solucin 57
5.1. Impulsores resonantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
ii
Contenido
Referencias 77
A. Circuitos impulsores 81
iii
Contenido
iv
Notacin
Nomenclatura
IL Rizo de corriente.
Q Incremento nito de carga.
t Incremento nito de tiempo.
Vo Rizo de voltaje.
C Capacitor.
Cdiodo Capacitancia del diodo parsito.
Cds Capacitancia de drenaje-fuente.
Cgd Capacitancia de compuerta-drenaje.
Cgs Capacitancia de compuerta-fuente.
Cin Capacitor de entrada.
Ciss Capacitancia de entrada.
Co Capacitor de salida.
Coss Capacitancia de salida.
Crss Capacitancia de transferencia inversa.
D Ciclo de trabajo.
Df w Diodo de libre circulacin.
Porcentaje de error.
Fs Frecuencia de conmutacin.
gf s Transconductancia (siemens).
I Corriente elctrica.
ID Corriente de drenaje.
IDf w Corriente promedio en el diodo Df w .
IDf w (RM S) Corriente rms en el diodo Df w .
Ig Corriente de compuerta.
IG(of f ) Corriente de la compuerta durante el apagado.
IG(on) Corriente de la compuerta durante el encendido.
IL Corriente promedio en el inductor L.
Io Corriente de salida.
IQ Corriente de alimentacin del regulador lineal.
Ireg Corriente de salida del regulador lineal.
v
Notacin
vi
Notacin
vii
Notacin
Acrnimos
BJT Transistor de Unin Bipolar.
CD-CD Corriente Directa a Corriente Directa.
CENIDET Centro Nacional de Investigacin y Desarrollo Tecnolgico.
C.I. Circuito Integrado.
CMOS Semiconductor xido-Metal Complementario.
EMI Interferencia Electromagntica.
ESR Resistencia Serie Equivalente.
GPS Sistema de Posicionamiento Global.
MCC Modo de Conduccin Continuo.
MCD Modo de Conduccin Discontinuo.
MOSFET Transistor de Efecto de Campo de Semiconductor xido-Metal.
PDA Ayudante Digital Personal.
PFM Modulacin de Frecuencia de Pulso.
PSM Modulacin de Salto de Pulso.
PWM Modulacin de Ancho de Pulso.
RS Recticador Sncrono.
SC Capacitor Conmutado.
SMPS Fuente de Alimentacin Conmutada.
ZCS Conmutacin a Corriente Cero.
ZVS Conmutacin a Voltaje Cero.
viii
Lista de guras
1.9. Eciencia medida del convertidor Buck sncrono con PWM, PSM y PFM. 9
ix
Lista de guras
entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
x
Lista de guras
xi
Lista de guras
5.5 (a). t0 t1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.5 (b). t1 t2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.5 (c). t2 t3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.5 (d). t3 t0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.8 (a). t0 t1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (b). t1 t2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (c). t2 t3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (d). t3 t4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (e). t4 t5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (f). t5 t6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (g). t6 t7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.8 (h). t7 t0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
xii
Lista de guras
5.11 (a). t0 t1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (b). t1 t2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (c). t2 t3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (d). t3 t4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (e). t4 t5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (f). t5 t6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (g). t6 t7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.11 (h). t7 t0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
y Fs = 1 MHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
xiii
Lista de guras
xiv
Lista de tablas
5.2. Especicaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
xv
Lista de tablas
xvi
Captulo 1
Introduccin
1.1. Antecedentes
1
1. Introduccin
Para obtener un consumo de energa menor, las tcnicas actuales para el diseo de
potencia baja generalmente sacrican el rendimiento de procesamiento. Por ejemplo,
la batera en los PDAs presenta una mayor duracin comparada con las computadoras
porttiles, pero tienen proporcionalmente menos rendimiento de procesamiento para
lograr esta meta [1].
La gura 1.2 muestra la grca del uso del microprocesador. Como se puede ob-
servar existen tres casos de requerimientos computacionales: el procesamiento intenso,
procesamiento bajo y el estado inactivo; en los dispositivos porttiles la mayor parte
del tiempo el sistema se encuentra inactivo.
Procesos de cmputo
intensivo y latencia corta
Velocidad mxima
del procesador
Rendimiento de
Procesamiento
Deseado
Tiempo
Sistema Inactivo Procesos de fondo
y latencia larga
2
1.2. Planteamiento del problema
1.3. Justicacin
3
1. Introduccin
1.4. Objetivo
4
1.5. Hiptesis
1.5. Hiptesis
La eciencia baja del convertidor Buck sncrono utilizado para suministrar ali-
mentacin en aplicaciones mviles en carga baja; se debe principalmente a las prdidas
por el manejo de la compuerta de los interruptores de potencia.
1.6. Metodologa
La compaa Compaq fue fundada en 1982, pero fue hasta 1988 cuando present
la primera computadora porttil alimentada con batera; el modelo SLT/286 [3]. En la
actualidad se cuenta con un gran nmero de aplicaciones mviles, tales como: handset,
handhelds, laptop, entre otros. El principal reto es incrementar el desempeo del sistema
de alimentacin, para aumentar el tiempo de uso.
En esta seccin se presenta el estado del arte sobre las topologas y las alternativas
empleadas en el diseo del sistema de alimentacin de las aplicaciones mviles.
5
1. Introduccin
R
Vin Vo
Amplificador RL
de Error
Vref
S Vo
L
+
Vin
Control
D fw C
RL
6
1.7. Estado del arte
S1 L Vo
+
Vin
Control S2 C RL
Reloj
PSM
PWM
PFM
Vo
Vref
El convertidor Buck con PWM tiene una eciencia alta en plena carga, sin embargo,
presenta una eciencia baja con corriente baja de salida.
7
1. Introduccin
La gura 1.7 muestra las formas de onda de control y el voltaje de salida para la
operacin en PFM.
Control
PFM
V+
Vo (t ) Vref
V
t
t0 t1 t0 t1
En la gura 1.8 se muestra la eciencia del convertidor Buck sncrono con y sin
skip mode [7].
8
1.7. Estado del arte
Vin = 12 Volts
100
90
80
70
Eficiencia (%)
60
50
40
30
20
MAX8632 con Skip Mode
10
MAX8632 con PWM
0
0.001 0.01 0.1 1 10
Corriente de salida (A)
El skip mode ofrece una mejora en la eciencia a carga baja pero a expensas del
ruido; sto se debe principalmente a que la frecuencia de conmutacin no es ja y es
dependiente de la corriente de salida.
El control PSM tambin presenta una eciencia ms alta que el control PWM en
carga baja, sin embargo, el rizo del voltaje de salida es un poco ms grande y debido a
la frecuencia alta de conmutacin es fcil producir ruido audible por el salto de ciclos.
En la referencia [9] proponen un circuito de control que combina las tres estrategias
de modulacin mostradas anteriormente, de esta forma obtienen una eciencia alta en
un amplio rango de carga. La gura 1.9 muestra la eciencia medida experimentalmente
del convertidor Buck sncrono para cada una de las estrategias de control, con Vin =
3.3 volts y Vo = 2 volts.
Eficiencia (%)
Figura 1.9: Eciencia medida del convertidor Buck sncrono con PWM, PSM y PFM.
Sin embargo, el circuito de control con tres modos presenta las desventajas de cada
una de las tcnicas de modulacin, como son la generacin de ruido y el incremento en
el rizo de voltaje.
9
1. Introduccin
Los convertidores sin inductores representan una alternativa para mejorar la ecien-
cia del sistema de alimentacin de los dispositivos porttiles, un ejemplo es el convertidor
de capacitor conmutado (SC) [10]. La gura 1.10 muestra un convertidor reductor de
SC para n-etapas.
SC Nn
Cn
Mn Sn N n 1
Cn 1
M n 1 Sn 1 N4
C4
+ M4 S4 N3
Vin C3
M3 S3 N2
C2
M2 S2
C1 RL
Una desventaja del uso de los convertidores de SC es que la corriente de salida que
son capaces de entregar est limitada a un rango muy bajo (250 mA mximo) y otra
10
1.8. Organizacin del documento
de las desventajas es que cada vez que se conectan los capacitores con diferente carga
se produce una corriente muy elevada que provoca prdidas.
Es evidente que no hay una solucin que proporcione una eciencia por arriba del
80 % en el rango de corriente baja. Por esta razn es necesario realizar un estudio que
identique las causas y lleve a encontrar nuevas soluciones que mejoren la eciencia del
convertidor en carga baja.
11
1. Introduccin
12
Captulo 2
E n las aplicaciones donde se requiere un nivel de voltaje bajo y una corriente alta de
salida, el convertidor Buck es ampliamente utilizado; sto se debe principalmente
a la simplicidad y el costo bajo que presenta esta topologa. En la gura 2.1 se muestra
el circuito del convertidor Buck convencional.
S Vo
L
+
Vin
Control
D fw C
RL
En aplicaciones de frecuencia alta es comn el uso del diodo Schottky como diodo
de libre circulacin Df w . El convertidor Buck tiene dos modos de operacin: el modo
de conduccin continuo (MCC) y el de conduccin discontinuo (MCD). La diferencia
radica en la corriente que circula a travs del inductor L, para la operacin en MCD
dicha corriente es cero durante un intervalo de tiempo, mientras que en MCC siempre
es continua.
13
2. Fundamentos del convertidor Buck
En la gura 2.2 se muestran las formas de onda idealizadas del convertidor Buck
convencional o tambin llamado asncrono operando en MCC.
VGS
iL
iL IL
vL Vin Vo
Vo
i2
iS
IS
i1
Vin
VDS
iD
ID
VD Vin
iC iL
2
TTs
s
22
vC
Vo
t
D Ts (1 D ) Ts
Ts
14
2.1. El convertidor Buck
Principio de Operacin
L
Vo
S L
Vo
+ Rl
+ RDS (on) Rl
Vin
RL V fr D fw RL
C + C
2.3 (a) Circuito equivalente durante ton . 2.3 (b) Circuito equivalente durante tof f .
2.1.1. Anlisis de CD
Vin + RDS(on) + Rl Io + VL + Vo = 0 (2.1)
di
L = Vin Vo RDS(on) + Rl Io (2.2)
dt
Vin Vo RDS(on) + Rl Io
iL(on) = ton (2.3)
L
15
2. Fundamentos del convertidor Buck
Vf r + VL + Rl Io + Vo = 0 (2.4)
di
L = Vo Rl Io Vf r (2.5)
dt
Vo + Rl Io + Vf r
iL(of f ) = tof f (2.6)
L
Vin Vo RDS(on) + Rl Io Vo + Rl Io + Vf r
ton = tof f (2.8)
L L
1 (1 D)
Vin RDS(on) Io = (Vo + Rl Io ) + Vf r (2.10)
D D
Vo + Rl Io + Vf r
D= (2.11)
Vin RDS(on) Io + Vf r
La gura 2.4 muestra el comportamiento del ciclo de trabajo para diferentes valores
de elementos parsitos. Se observa que para obtener un voltaje bajo en la salida del
convertidor Buck se necesita un ciclo de trabajo pequeo, sto provoca un pico de
corriente mayor en el interruptor y un incremento en las prdidas de potencia.
16
2.1. El convertidor Buck
1
Sin Elementos Parsitos
0.9 Vfr = 0.5 V, RDS(on) = Rl = 0.01 Ohm
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Ciclo de Trabajo D
El valor del inductor L est determinado por el valor del rizo de corriente1 , despe-
jando L de la ecuacin 2.3 se obtiene:
Vin Vo RDS(on) + Rl Io
L= D Fs (2.12)
iL(on)
De igual forma se puede obtener la ecuacin para determinar el valor del inductor
a partir de la ecuacin 2.6.
dVC
iC (t) = C (2.13)
dt
1
dVC = iC (t) dt (2.14)
C
Z Ts
1 2
Vo = VCmax VCmin = iC (t) dt (2.15)
C 0
17
2. Fundamentos del convertidor Buck
1 1 Ts IL IL Ts
Vo = = (2.16)
C 2 2 2 8C
(Vin Vo ) D
C= (2.17)
8 Vo Fs 2 L
VC = Vo (2.18)
Z DTs
1
IS = iS (t) dt (2.19)
Ts 0
1 1
IS = (i1 + i2 ) D Ts (2.20)
Ts 2
Z Ts
1
IL = iL (t) dt (2.21)
Ts 0
1 1 1
IL = (i1 + i2 ) D Ts + (i1 + i2 ) (1 D) Ts (2.22)
Ts 2 2
1
IL = (i1 + i2 ) (2.23)
2
18
2.1. El convertidor Buck
i1 + i2 = 2 Io (2.24)
IS = D Io (2.25)
Por otro lado, la corriente pico del interruptor se obtiene partiendo de la ecuacin
2.24. De la gura 2.2 se tiene que el rizo de corriente en el inductor es:
IL = i2 i1 (2.26)
i2 IL = 2 Io i2 (2.27)
IL
IS(pk) = i2 = Io + (2.28)
2
s 2
Z DFs
1 (i2 i1 )
IS(RM S) = i1 + t dt (2.30)
Ts 0 D Fs
19
2. Fundamentos del convertidor Buck
r
D 2
IS(RM S) = i1 + i1 i2 + i2 2 (2.31)
3
s
2 IL 2
IS(RM S) = D Io + (2.32)
12
IDf w = (1 D) Io (2.33)
La corriente pico y el voltaje mximo que debe soportar el diodo son los mismos
que en el interruptor.
La corriente RMS del diodo se determina de igual forma que en el caso del inte-
rruptor:
s
2 IL 2
IDf w (RM S) = (1 D) Io + (2.34)
12
Una de las variantes del convertidor Buck es el convertidor Buck sncrono, el cual
utiliza un interruptor controlado para sustituir al diodo de libre circulacin, con sto se
mejora la eciencia sobre todo en aplicaciones de voltaje bajo. La gura 2.5 muestra el
convertidor Buck sncrono.
L Vo
+ S1
Vin
S2
C R
20
2.2. El convertidor Buck sncrono
En la gura 2.6 se muestran las formas de onda idealizadas del convertidor Buck
sncrono operando en MCC.
TDead TDead
Ton Toff
VGS 1
VGS 2
iL
iL IL
vL Vin Vo
Vo
i2
iS
I S1
i1
Vin
VDS 1
iS2 ( Canal )
iS2 ( Diodo )
VDS 2 Vin
iC i L
2
Ts
2
vo
Vo Vo
t
D Ts (1 D ) Ts
Ts
21
2. Fundamentos del convertidor Buck
Principio de operacin
L L
S1 Vo S1 Vo
+ +
Vin
S2 RL
Vin
S2 RL
C C
2.7 (a) Circuito equivalente durante ton . 2.7 (b) Circuito equivalente durante tDead .
S1 Vo
+
Vin
S2 RL
C
22
2.3. Filtro EMI de entrada
2.2.1. Anlisis de CD
s
2 IL 2
Irms S2 = 1 D TDead(on) + TDead(of f ) Fs Io + (2.35)
12
El valor del ltro de salida LC se determina de forma anloga al diseo del con-
vertidor Buck convencional.
Controlador
La gura 2.9 muestra el modelo promediado de pequea seal del convertidor Buck
con el ltro de entrada LC incluido.
sLin + Rs
ZEM I = (2.36)
s2 Cin Lin + sCin Rs + 1
23
2. Fundamentos del convertidor Buck
1:D
Rs Lin Lo Re
+
Cin Co
RL
Vin
1 s2 Co Lo RL + s (Lo + Co RL Re ) + Re + RL
Zin = (2.37)
D2 sCo RL + 1
Zin
R L +R e
D2 L
D2
1
D2 C
Re
D2
f
1 1
2R L Co 2 Lo Co
24
2.3. Filtro EMI de entrada
25
2. Fundamentos del convertidor Buck
26
Captulo 3
Existen dos estructuras bsicas del MOSFET: el diseo de canal lateral y el vertical.
En el diseo de canal lateral las terminales de drenaje, fuente y compuerta son colocadas
en la supercie de la oblea de silicio; es idneo para la integracin pero no para obtener
rangos de alta potencia. Por otra parte, en el diseo de canal vertical el drenaje y
la fuente son colocadas en lados opuestos de la oblea; esto es conveniente para un
27
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
La gura 3.1 muestra las estructuras de canal vertical. En la gura 3.1 (a) se pre-
senta el diseo del VMOSFET, que fue el primero en comercializarse. Tiene una ranura
en forma de V en la regin de compuerta.
La gura 3.1 (b) muestra el diseo DMOSFET el cual reemplaz al VMOSFET de-
bido a que este ltimo presentaba problemas de estabilidad en la fabricacin y tambin
requera un campo elctrico alto. El DMOSFET tiene una estructura de doble difusin
con una regin base P y una regin N+ de fuente.
Por ltimo, en la gura 3.1 (c) se muestra el diseo UMOSFET, ste tiene una
ranura en forma de U en la regin de compuerta. Presenta una densidad de canal ms
alta que reduce la resistencia de encendido (RDS(on) ) comparado con el VMOSFET y el
DMOSFET. El UMOSFET se disea con el proceso de grabacin conocido como trench
[14], [15].
28
3.1. El MOSFET de potencia
La gura 3.2 muestra el circuito equivalente del MOSFET con todos sus elementos
parsitos.
Drenaje
LD
Cgd
Cds
Lg Rg
D
Compuerta
R DS( ON )
Cgs
LS
Fuente
Existen tres regiones donde puede operar el MOSFET las cuales son: la regin
hmica, donde la resistencia es constante; la regin de saturacin o regin activa donde
la corriente es constante y la regin de corte, que se obtiene cuando el voltaje de
compuerta es menor al voltaje de umbral (VGS(th) ). En la gura 3.3 se muestra las
curvas caracterstica del MOSFET.
29
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
Regin
iD hmica
Regin Activa
VGS 5
VGS 4
VGS 3
VGS 2
VGS1
Regin de Corte
VDS
VGS < VGS(th) BVDSS
Caractersticas de compuerta
La gura 3.4 muestra las formas de onda de los voltajes de compuerta VGS , de
Drenaje-Fuente VDS , y la corriente de drenaje ID , durante el encendido. Se puede
observar que la corriente empieza a crecer slo despus de que se alcanz el valor del
voltaje de umbral VGS(th) . Durante el intervalo t3 se tiene un comportamiento constante
en VGS debido a que el MOSFET se encuentra en la regin activa donde ID es igual a
la corriente de salida Io .
Qg
Q gs Qgd
Q gs1 Qgs2
VDS
ID ( t )
VGS ( t )
2
VGP
1
VGS ( th )
VDS ( t )
t
t1 t2 t3 t4
30
3.2. Distribucin de las prdidas de potencia
La capacitancia Cgd vara con respecto a las variaciones en los voltajes de compuerta
y de drenaje, por lo que se tienen diferentes valores de Cgd para cada constante de
tiempo.
31
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
Las prdidas de potencia por conduccin se determinan por la corriente rms que
circula a travs del canal-n del MOSFET superior S1 y la resistencia de encendido
RDS(on) [18]. Las prdidas de conduccin en S1 son:
VDS
ID ( t )
VDS ( t )
Qg
Q gs Q gd
VGS ( t )
Qgs1 Qgs2
QSW
VGP
VGS ( th )
IG (t)
t
t1 t2 t3 t4
32
3.3. Prdidas de potencia en el MOSFET superior
Vin Io
PSW S1 (on) = (t2 + t3 ) Fs (3.5)
2
Q
I= (3.6)
t
Por lo tanto los tiempos de carga t2 y t3 , se pueden aproximar por medio de:
Qx
tx = (3.7)
Ig
Como se puede observar en la gura 3.5, la carga QSW cubre el intervalo de tiempo
en el que ocurren las prdidas de potencia (t2 + t3 ). Algunos fabricantes incluyen en las
chas tcnicas del MOSFET el parmetro QSW , en caso de no contar con este parmetro
una buena aproximacin es [19]:
Qgs
QSW Qgd + (3.8)
2
dID
gf s = (3.9)
dVGS
33
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
ID = VGS VGS(th) gf s (3.10)
Io
VGP VGS(th) + (3.11)
gf s
Cgd
R gH
Cds D
RG Rg
R gL R DS( ON )
Cgs
Impulsor
VDD VGP
IG(on) = (3.12)
RgH + RG + Rg
QSW
t2 + t3 = (3.13)
IG(on)
Vin Io QSW
PSW S1 (on) = Fs (3.14)
2 IG(on)
34
3.3. Prdidas de potencia en el MOSFET superior
VGP
IG(of f ) = (3.15)
RgL + RG + Rg
Vin Io QSW
PSW S1 (of f ) = Fs (3.16)
2 IG(of f )
Vin Io QSW 1 1
PSW S1 = + Fs (3.17)
2 IG(on) IG(of f )
PG RgH
PDriverS1 (on) = (3.20)
2 (RgH + RG + Rg )
PG RgL
PDriverS1 (of f ) = (3.21)
2 (RgL + RG + Rg )
35
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
1 1
PCoss S1 = Qoss Vin Fs Coss Vin 2 Fs (3.22)
2 2
VGS(S1 )
VGS(S2 )
ID(S2 )
t
Durante los tiempos muertos la corriente del inductor circula a travs del diodo
parsito del MOSFET inferior, por lo tanto, la prdida de conduccin a travs del canal
del MOSFET inferior es:
36
3.4. Prdidas de potencia en el MOSFET inferior
Por otra parte, las prdidas de potencias originadas por la conduccin del diodo
parsito son:
PDiodo = Vf r Io TDead(on) + TDead(of f ) Fs (3.24)
La gura 3.8 muestra el tiempo de retardo generado por medio de tres enfoques de
control.
VDS (S 2
)
Retardo Fijo
Retardo Adaptivo
Retardo Predictivo
En un ciclo de conmutacin existen dos tiempos muertos, lo cual indica que el diodo
parsito del MOSFET S2 se enciende y se apaga en ambas ocasiones. Sin embargo, el
diodo slo presenta el fenmeno de recuperacin inversa en una sola ocasin, debido
a que cuando se enciende el MOSFET S2 la corriente que circula a travs del diodo
cambia al canal del MOSFET apagando el diodo parsito. Las prdidas debidas a la
recuperacin inversa del diodo parsito del MOSFET S2 son [24]:
37
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
1 1
PQrr = Qrr Vin Fs Cdiodo Vin 2 Fs (3.25)
2 2
Las prdidas por el manejo de las cargas en la compuerta del MOSFET inferior,
se determinan de igual forma que en el MOSFET superior:
PG = Qg VDD Fs (3.26)
Las prdidas por conmutacin en S2 durante el encendido son muy pequeas, por
que opera bajo condiciones de conmutacin a voltaje cero (ZVS) y en el apagado la
corriente cambia del canal del MOSFET al diodo parsito, por lo que las prdidas
tambin son bajas [20]. En la referencia [19] proponen un mtodo para determinar las
prdidas de conmutacin en S2 .
La gura 3.9 muestra las formas de onda durante el encendido del MOSFET S2 .
0
Io R DS(on)
VDS ( t )
Vfr
Io ID ( t )
Ciss
VDD VGS ( t )
0.9 VSPEC
VGP
VGS ( th )
t
t1 t2 t3
38
3.4. Prdidas de potencia en el MOSFET inferior
Vf r + Io RDS(on)
PSW S2 (on) = t2 Vf r + t3 Io Fs (3.27)
2
VDD VDD
K2 = ln ln (3.29)
VDD VGP VDD VGS(th)
VDD VDD
K3 = ln ln (3.31)
VDD 0.9 VSP EC VDD VGP
Vf r + Io RDS(on)
PSW S2 (of f ) = t5 Vf r + t4 Io Fs (3.32)
2
39
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
0
Io R DS(on)
VDS ( t )
Vfr
ID ( t )
Io
Ciss
VDD VGS ( t )
0.9 VSPEC
VGP
VGS ( th )
t
t4 t5 t6
0.9 VSP EC
K4 = ln (3.34)
VGP
La constante K5 es:
VGP
K5 = ln (3.36)
VGS(th)
Por ltimo, las prdidas debidas a la capacitancia de salida del MOSFET S2 son:
40
3.5. Anlisis de prdidas en los capacitores
1
PCoss S2 = Qoss Vin Fs (3.37)
2
La gura 3.11 muestra las formas de onda de corriente que uye a travs del
capacitor de entrada y el capacitor de salida.
iCin Iin_AVG
iL
I pkS + Iin_AVG
iL
iCo 2
Ts
2
t
D Ts (1 D ) Ts
Ts
Por medio de las formas de onda de la gura 3.11 se puede obtener el valor rms
de la corriente en cada capacitor. La corriente rms a travs del capacitor de salida es:
IL
Irms Co = (3.39)
12
s
IL 22
Irms Cin = D (IpkS IinAV G ) + + IinAV G 2 (1 D) (3.40)
12
41
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
donde:
IL
IpkS = Io + (3.41)
2
Las prdidas de potencia en el inductor se pueden dividir en dos partes, las prdidas
por conduccin, debidas a la resistencia de los devanados y las prdidas en el ncleo
del inductor.
Las prdidas por conduccin en los inductores son el producto de la resistencia del
conductor y la corriente RMS elevada al cuadrado.
r
2 IL 2
Irms Lo = Io + (3.43)
12
Po
ILin = (3.44)
Vin
Para disminuir las prdidas por conduccin en los inductores es necesario minimizar
la resistencia serie equivalente.
42
3.7. Prdidas en el regulador lineal
Z
Pcore = Ac lm Fs H dB (3.45)
Donde Vreg e Ireg son el voltaje y la corriente de salida del regulador lineal, respec-
tivamente. El trmino PCI se reere a las prdidas internas del regulador lineal, que se
determinan por la siguiente ecuacin.
43
3. Anlisis de prdidas de potencia del convertidor Buck sncrono
44
Captulo 4
E l convertidor Buck sncrono se diseo en lazo abierto, debido a que solo se realizan
pruebas de eciencia y no de comportamiento dinmico. La tabla 4.1 muestra las
especicaciones elctricas del prototipo experimental.
45
4. Anlisis y validacin del modelo de prdidas de potencia
Bode Diagram
60
Zin (Po= 6W)
50
Zin (Po= 100mW)
ZEMI
40
30
20
Magnitude (dB)
10
10
20
30
40 1 2 3 4 5
10 10 10 10 10
Frequency (Hz)
Figura 4.1: Impedancia de entrada del convertidor Buck y de salida del ltro de entrada.
Como se observa en la gura 4.1 con los valores seleccionados no ocurre inestabi-
lidad en un amplio rango de potencia de salida. Por medio de simulacin tambin se
observ que el rizo de corriente de entrada y el rizo de voltaje son mnimos.
La gura 4.2 muestra el diagrama esquemtico del convertidor Buck sncrono im-
plementado. Al encontrarse en lazo abierto el convertidor slo es necesario modicar el
valor del potenciometro R1 para ajustar el voltaje de salida al valor deseado.
IRF7805Z
15H 3.3H
L1 IRF7805Z L2 Vo
+ C2 S1 C4
C1 S2 C3
Vin RL 1.2
8 10F 10F Volts
100F 2x10F 5 Amp
Volts
IC1 1F
C8 IC2
NCP1117 D1
TG SW BG
5V R1 BST
C5 C6 C7
Vcc
NCP1580
FB
100k
COMP GND
10F 10F
1F
46
4.1. Implementacin del prototipo experimental
4.3 (a) Vista superior, eta- 4.3 (b) Vista inferior, eta-
pa de potencia. pa de control.
4.3 (c) Fotografa, etapa de potencia. 4.3 (d) Fotografa, etapa de control.
100
90
80
Eficiencia (%)
70
60
50
40
30
0 1 2 3 4 5
Corriente de salida I0 (A)
Como se puede observar en los resultados obtenidos, se tiene una eciencia baja en
el convertidor Buck sncrono a corriente baja de salida, lo cual conrma lo planteado
en la literatura.
47
4. Anlisis y validacin del modelo de prdidas de potencia
48
4.3. Comparacin con el modelo de prdidas
100
90
80
Eficiencia (%)
70
60
50
Valor Calculado
40
Valor Medido
30
0 1 2 3 4 5
Corriente de Salida Io (A)
Para tener una medida del porcentaje de error entre los valores de eciencia medidos
y los calculados, se utiliz la ecuacin del error absoluto.
3.5
3
Error (%)
2.5
1.5
1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Corriente de Salida Io (A)
49
4. Anlisis y validacin del modelo de prdidas de potencia
Los datos presentados a continuacin se obtuvieron por medio del programa para
el clculo de prdidas. La gura 4.8 muestra las prdidas de potencia totales en cada
elemento del convertidor Buck sncrono.
400
MOSFET S1
350 MOSFET S2
Conduccin Lo
Prdidas de Potencia (mW)
150
100
50
0
0 1 2 3 4 5
Corriente de Salida I (A)
o
250 12
Prdidas en C
Prdidas en Lo o
Prdidas de Potencia (mW)
10
200 Prdidas en Cin
Prdidas en L
in
8
150
100
4
50
2
0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Corriente de Salida Io (A) Corriente de Salida Io (A)
4.9 (a) Prdidas de potencia en Lin y Lo . 4.9 (b) Prdidas de potencia en Cin y Co .
50
4.4. Distribucin de prdidas de potencia
La gura 4.9 (a) muestra las prdidas de potencia por conduccin en el inductor
de entrada y salida. La gura 4.9 (b) muestra las prdidas de potencia por conduccin
en los capacitores de salida y entrada.
Como se puede observar en las grcas de la gura 4.9, las prdidas debidas a la
conduccin por los capacitores es despreciable. Por otra parte, las prdidas de conduc-
cin en el inductor de salida Lo son considerables a valores altos de Io .
En las guras 4.10 (a) y 4.10 (b) se muestra la distribucin de las prdidas de
potencia en el MOSFET S1 , mientras que en las guras 4.10 (c) y 4.10 (d) se muestran
las prdidas de potencia para el MOSFET S2 .
60 80
Conmutacin (on) Conmutacin (on)
Conmutacin (off) Conmutacin (off)
70
50 Conduccin Conduccin
Prdidas de Potencia (mW)
Compuerta
30 40
30
20
20
10
10
0 0
0 0.5 1 1.5 2 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Corriente de Salida Io (A) Corriente de Salida Io (A)
4.10 (a) Prdidas de potencia en S1 (0 2 A). 4.10 (b) Prdidas de potencia en S1 (2 5 A).
60
Conmutacin (on) Conmutacin (on)
Conmutacin (off) Conmutacin (off)
Conduccin Conduccin
50
Compuerta Compuerta
Prdidas de Potencia (mW)
impulsor impulsor
Recuperacin Inv. Recuperacin Inv.
40 Conduccin diodo 100 Conduccin diodo
Coss Coss
30
20 50
10
0 0
0 0.5 1 1.5 2 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Corriente de Salida Io (A) Corriente de Salida Io (A)
4.10 (c) Prdidas de potencia en S2 (0 2 A). 4.10 (d) Prdidas de potencia en S2 (2 5 A).
51
4. Anlisis y validacin del modelo de prdidas de potencia
Para tener una idea ms clara de la proporcin que representan cada una de las
prdidas en el convertidor Buck sncrono, a continuacin se muestran grcas de por-
centaje para diferentes valores de corriente. En la gura 4.11 se muestra el porcentaje de
las prdidas de potencia en cada uno de los componentes del convertidor Buck sncrono,
para cuatro valores de Io .
Cin
0.16%
Co
0.00% Reg. Lineal
Lin 20.92%
Reg. Lineal 0.35% MOSFET S1
MOSFET S1 31.50%
27.51% Lo
29.43%
3.28%
Cin
0.00%
Co MOSFET S2
0.00% 43.00%
MOSFET S2
Lin
43.79%
0.00%
Lo
0.04%
4.11 (a) Prdidas para Io = 100 mA. 4.11 (b) Prdidas para Io = 1 A.
Cin Cin Reg. Lineal
0.76% 1.21% 6.34%
Co Co
0.03%
0.02%
Reg. Lineal
Lin
11.02% 2.66%
Lin
1.66%
MOSFET S1
MOSFET S1
24.06%
28.43%
Lo
15.54% Lo
24.82%
MOSFET S2
MOSFET S2 40.89%
42.57%
Se observa que para el primer caso (Io = 100 mA) la grca de porcentaje se divide
en tres partes, correspondientes a las prdidas de potencia en el regulador lineal, el
MOSFET S2 y el MOSFET S1 . El valor ms alto corresponde al MOSFET S2 , mientras
que, las prdidas por conduccin en los elementos pasivos son prcticamente cero.
52
4.4. Distribucin de prdidas de potencia
Por ltimo para el cuarto caso (Io = 5 A) las prdidas en Lo son ligeramente mayor
a S1 , mientras que las prdidas en S2 son la mayor porcin.
De acuerdo a la gura 4.11 las prdidas de potencia en los MOSFETs son predo-
minantes en todo el rango de carga. Por esta razn, en la gura 4.12 se desglosan las
prdidas del MOSFET S1 para observar la proporcin que representan.
Conmutacin
Conmutacin (off)
(on) 2%
Conduccin
2%
0.0%
Coss
6.8% Conmutacin
Coss (on)
9.6% 14%
Impulsor
24.5% Conmutacin
(off)
Impulsor
17%
34.4% Compuerta
51.7%
Compuerta
36.7% Conduccin
1.2%
Impulsor
Impulsor 9.7%
14.3%
Conmutacin (on)
25% Conmutacin (on)
28%
Compuerta
14.6%
Compuerta
21.4%
Conmutacin (off) Conduccin
30% 12.2%
Conmutacin (off)
32%
Conduccin
6.5%
En el primer caso (Io = 100 mA) se observa que la mitad de las prdidas en el
MOSFET S1 se deben al manejo de la compuerta. En segundo termino se tienen las
prdidas en el circuito impulsor, en menor proporcin estn las prdidas por la capaci-
tancia de salida Coss . Por ltimo se tienen las prdidas por conmutacin en el encendido
y apagado, mientras que, las prdidas debidas a la conduccin son insignicantes.
53
4. Anlisis y validacin del modelo de prdidas de potencia
Para el tercer caso (Io = 3 A) las prdidas de conmutacin totales son ligeramente
mayores a la mitad. En segundo termino estn las prdidas en la compuerta y el circuito
impulsor. En un ltimo plano se tienen las prdidas de conduccin y de Coss .
El cuarto caso (Io = 5 A) muestra que las prdidas de conmutacin totales abarcan
un 60 % del total de prdidas presentes en el MOSFET S1 . El porcentaje restante se
divide entre las prdidas de conduccin, compuerta, impulsor y Coss .
La gura 4.13 muestra el porcentaje de cada una de las prdidas del MOSFET S2
para cuatro valores de Io .
Conmutacin (on)
0.2% Conmutacin (off)
0.1% Conmutacin (off)
Conmutacin (on) 0.6%
Conduccin Diodo Conduccin Conduccin
1.6%
2.7% 0.1% 4.9%
Conduccin Diodo
PQrr 20.5%
Compuerta
31.4% Compuerta
35.4%
26.4%
PQrr
23.5%
Coss Impulsor
Impulsor
6.5% 17.6%
23.6%
Coss
4.9%
Conduccin
Conduccin Diodo
Conduccin Diodo 23.7%
33.3%
33.4% Conduccin
39.4%
Compuerta
14.3%
PQrr PQrr
12.7% 7.6%
Impulsor
9.5%
Coss
1.6% Compuerta
Coss Impulsor 8.6%
2.6% 5.7%
En el primer caso (Io = 100 mA) se observa un dominio por parte de las prdidas de
compuerta, recuperacin inversa del diodo parsito e impulsor. Con menor porcentaje
se encuentran las prdidas por conduccin del diodo parsito y Coss , mientras que las
prdidas de conmutacin y conduccin en el MOSFET son insignicantes.
54
4.4. Distribucin de prdidas de potencia
Por ltimo, el cuarto caso (Io = 5 A) muestra que poco ms del 70 % de las prdidas
en el MOSFET S2 se deben a la conduccin de corriente a travs del canal del MOSFET
y del diodo parsito. El porcentaje restante se divide entre las prdidas de recuperacin
inversa, compuerta, impulsor y en menor magnitud las prdidas de conmutacin y Coss .
En resumen, para un rango alto de corriente de salida, las prdidas por conmutacin
en el MOSFET superior S1 son las ms signicativas. Por otra parte, cuando se tiene
una corriente baja de salida, las prdidas por compuerta e impulsor son de mayor
proporcin. Para disminuir las prdidas en el MOSFET superior se requiere utilizar
dispositivos con muy baja capacitancia de compuerta.
100
90
80
Eficiencia (%)
70
60
50
Valor Calculado
40 Valor Calculado sin Prdidas P y P
G Driver
Valor Calculado sin Prdidas PG, PDriver y PQrr
30
0 1 2 3 4 5
Corriente de Salida Io (A)
55
4. Anlisis y validacin del modelo de prdidas de potencia
56
Captulo 5
Alternativas de solucin
En este captulo se analizan algunas soluciones para mejorar la eciencia del con-
vertidor Buck sncrono en potencia baja de salida, como el uso de impulsores resonantes,
la disminucin del voltaje de entrada y el uso del diodo Schottky.
VDD
Q
Qg
57
5. Alternativas de solucin
total suministrada por la fuente durante el encendido del MOSFET. Por otra parte,
el rea sombreada bajo la forma de onda del voltaje de la compuerta es la energa
necesaria para cargar la capacitancia de entrada Ciss y el rea en blanco sobre el voltaje
de la compuerta es la energa disipada por los componentes resistivos; tales como la
resistencia de encendido RDS(on) de los MOSFETs del impulsor, la resistencia interna
de la compuerta del MOSFET de potencia Rg y la resistencia externa de compuerta
RG , [27].
La energa total suministrada por la fuente no puede ser cambiada, al igual que
la energa necesaria para la carga de la capacitancia de entrada, slo se puede utilizar
la energa disipada por los elementos resistivos de la compuerta, con la nalidad de
recuperar parte de esa energa.
VDD
VD
S1
RG VGS
S3
S2
Ciss
Impulsor
Esta topologa es muy comn en los impulsores comerciales; las terminales de com-
puerta de ambos MOSFET estn unidas para lograr mayor velocidad. Sin embargo,
esta conguracin presenta problemas de Shoot-through, debido a que ambos MOS-
FET tienen la misma seal de control; los fabricantes han solucionado este problema
proporcionando seales separadas para los MOSFET complementarios.
58
5.1. Impulsores resonantes
VDD
VD
Impulsor
S1
Lr VGS
S3
S2
I Lr Co Ciss
S1
S2
I Lr
VDD
VGS
t
t0 t1 t2 t3 t0
La gura 5.5 muestra los circuitos equivalentes del impulsor resonante, para cada
uno de los tiempos de operacin. Antes de t0 se asume que el inductor resonante Lr ya
se cargo durante el ciclo de conmutacin anterior.
59
5. Alternativas de solucin
VDD VDD
VD VD
S1
Lr VGS Lr VGS
I Lr S3 I Lr S3
Co Ciss Co Ciss
VDD VDD
VD VD
Lr VGS Lr VGS
I Lr S3 I Lr S3
S2
Co Ciss Co Ciss
Las ecuaciones para el diseo del impulsor resonante propuesto por D. Maksimovi
se muestran a continuacin. El valor del inductor Lr se obtiene por medio de la ecuacin
5.1.
D (1 D)
Lr = (5.1)
2 Ciss Fs 2
donde:
Fs
60
5.1. Impulsores resonantes
1
Co Lr (5.2)
Fs
Lr VGS
I Lr S3
S2 D2
DS Ciss
2
Impulsor
El circuito del impulsor resonante mostrado en la gura 5.6 agrega dos diodos para
sujetar el nivel mximo y mnimo de VGS a VDD y GN D, respectivamente. Por medio
de los diodos D1 y D2 la resonancia entre Lr y Ciss se detiene cuando VGS alcanza el
valor de VDD o GN D. Estos dos diodos tambin proporcionan una trayectoria para la
recuperacin de la energa del inductor a la fuente de alimentacin.
En la gura 5.7 se muestran las formas de onda del impulsor resonante para dos ci-
clos de conmutacin. Como se observa en la grca, la corriente en el inductor resonante
Lr es discontinua.
La gura 5.8 muestra los circuitos equivalentes que describen la operacin del
impulsor resonante. A continuacin se explica la operacin del impulsor resonante.
61
5. Alternativas de solucin
S1
S2
tr tf VDD
I Lr Zo
VDD
VGS
t0 t1t2 t3 t4 t5t6 t7 t0
t1 t2 : En t1 , el voltaje VGS se incrementa por arriba del valor de VDD , sin embargo,
el diodo D1 se enciende sujetando el voltaje VGS a VDD y proporciona una trayectoria
de libre circulacin para Lr . La gura 5.8 (b) muestra el circuito equivalente para este
intervalo de tiempo.
62
5.1. Impulsores resonantes
VDD
VDD VDD
VD
VD VD
S1 S1 D1
D1
S3 S3 I Lr S3
I Lr I Lr
Ciss Ciss DS Ciss
2
S3 S3 S3
I Lr I Lr
Ciss S2 S2 D2
Ciss Ciss
DS 1
Lr VGS Lr VGS
I Lr S3 S3
D2 Ciss D2 Ciss
Las ecuaciones de diseo del impulsor resonante propuesto por [29], se muestran
a continuacin. El valor del ancho de los pulsos tr y tf se determinan por medio de la
ecuacin siguiente:
p 2%
tr = tf = Lr Ciss (5.3)
2 Fs
2
1 2 tr
Lr (5.4)
Ciss
63
5. Alternativas de solucin
El impulsor resonante propuesto por Yuhui Chen reduce las prdidas de con-
mutacin en los MOSFETs S1 y S2 . El valor del inductor resonante es pequeo, entre
100 150 nH para una frecuencia de conmutacin de 1 MHz, lo cual facilita la inte-
gracin. Tambin se reducen las prdidas por conduccin debido a que la corriente en
el Lr es discontinua.
Lr VGS
S5
S4 S3
DS 4
DS
3
Ciss
Impulsor
S1
S2
S3
S4
I Lr
VGS
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t0
64
5.1. Impulsores resonantes
La gura 5.11 muestra los circuitos equivalentes del impulsor resonante, la opera-
cin del circuito se describe por medio de ocho modos de operacin. A continuacin se
explica el funcionamiento del impulsor resonante.
S2 S2 S1
Lr S5 Lr S5 S5
S3 DS Ciss
Ciss Ciss 4
DS 2
Lr VGS Lr VGS
S5 S5
S3 S3
Ciss DS 4
Ciss
65
5. Alternativas de solucin
corriente ILr se enciende el diodo DS4 , durante este intervalo se recupera la energa
almacenada en Lr , la gura 5.11 (c) muestra el circuito equivalente para este intervalo
de tiempo. El voltaje VGS se mantiene a VDD y el MOSFET de potencia S5 se enciende
completamente.
VDD ton
Lr = (5.5)
2 ILr
Qg
Iavg = (5.6)
ton
El circuito de control para el impulsor resonante propuesto por [30] es muy simple,
gura 5.12. El circuito digital consta de 2 elementos de retardo y 6 elementos digitales.
66
5.1. Impulsores resonantes
td1
Retardo S1
S3
PWM td 2
Retardo S2
S4
Carga y descarga de
Coss, de S1 y S2
30 mW Conmutacin de S1 y
(11.7%) S2
Prdidas de
170 mW 15 mW compuerta en S3
(66.7%) (5.9%)
67
5. Alternativas de solucin
68
5.1. Impulsores resonantes
80 250
60 200
40 150
20 100
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 6
Corriente en la carga IL (A) Corriente en la carga IL (A)
5.14 (a) Prdidas de potencia para Fs = 5.14 (b) Prdidas de potencia para Fs =
350 kHz y VDD = 5 volts. 350 kHz y VDD = 12 volts.
Fs = 1 MHz y VDD = 5 volts Fs = 1 MHz y VDD = 12 volts
550 1.4
500 1.3
150 0.5
100 0.4
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
Corriente en la carga IL (A) Corriente en la carga IL (A)
5.14 (c) Prdidas de potencia para Fs = 5.14 (d) Prdidas de potencia para Fs =
1 MHz y VDD = 5 volts. 1 MHz y VDD = 12 volts.
componentes resonantes es muy grande, lo cual diculta la integracin del impulsor. Los
impulsores resonantes propuestos por Yuhui Chen y Wilson Eberle, presentan valores
pequeos en los componentes pasivos, facilitando la integracin de los mismos; sto es
de gran importancia debido a que el espacio disponible en las aplicaciones mviles es
cada vez menor.
3 Debido a que este impulsor presenta el menor valor de inductor resonante, 636 nH .
69
5. Alternativas de solucin
de conmutacin de 350 kHz, estos parmetros son los especicados en el diseo del
prototipo experimental. Las prdidas totales obtenidas para el impulsor convencional
con seales de control separadas en la simulacin fueron de 45 mW , mientras que en el
clculo del anlisis de las prdidas de potencia se obtuvo 47 mW .
Para el impulsor resonante propuesto por Yuhui Chen se obtuvieron prdidas to-
tales en el impulsor y compuerta de 16 mW , en la simulacin. Con el impulsor resonante
se reducen las prdidas de potencia del impulsor y la compuerta en un 66 %.
100
90
80
Eficiencia (%)
70
60
50
Impulsor Convencional con Control Sep.
Impulsor Resonante, V = 8 volts y V = 5 volts
40 in DD
Impulsor Resonante, Vin = VDD = 5 volts
30
0 1 2 3 4 5
Corriente de Salida Io (A)
70
5.3. Uso del diodo Schottky
90
80
Eficiencia (%)
70
60
50
Vin = 8 volts y VDD = 5 volts
Vin = VDD = 5 volts
40
Vin = VDD = 4 volts
V =V = 3 volts
in DD
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5
Corriente de Salida I (A)
o
Las prdidas en el diodo parsito del MOSFET sncrono son la suma de las pr-
didas por conduccin y las prdidas de recuperacin inversa. De acuerdo a la ecuacin
3.24, reducir el voltaje de conduccin del diodo permite disminuir las prdidas por
conduccin; al igual que disminuir los tiempos muertos.
71
5. Alternativas de solucin
iD
IF
trr
ta tb
t
Qrr
Irr
La gura 5.18 muestra la eciencia calculada del convertidor Buck sncrono, sin
diodo schottky y con diodo schottky en paralelo al MOSFET S2 .
90
80
70
Eficiencia (%)
60
50
V = 1 volts y Q = 20 nC
fr rr
40 Vfr = 0.4 volts y Qrr = 10 nC
Vfr = 0.4 volts y Qrr = 1 nC
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5
Corriente de Salida Io (A)
De acuerdo a los resultados obtenidos en la gura 5.18 el uso del diodo Schottky
conectado en paralelo al MOSFET S2 incrementa la eciencia del convertidor Buck
sncrono (para una corriente de salida de 83 mA se consigue un aumento del 3.29 %, en
el mejor caso).
En las dos ltimas secciones se analiz el efecto que presenta reducir el voltaje de
entrada y por consiguiente el voltaje del impulsor sobre la eciencia del convertidor
Buck sncrono en carga baja, as como el empleo de un diodo Schottky. En ambos casos
se consigue un aumento en la eciencia, sto de acuerdo a los resultados obtenidos en
el anlisis de prdidas de potencia.
72
Captulo 6
Para nalizar, en este captulo se presentan las conclusiones generales del docu-
mento de tesis y los trabajos futuros propuestos.
73
6. Conclusiones generales y trabajos futuros
El anlisis de las prdidas muestra que en potencia baja de salida las prdidas por
el manejo de la compuerta en los MOSFETs y la recuperacin inversa del diodo parsito
del MOSFET sncrono, son los parmetros de mayor inuencia en la eciencia baja del
convertidor.
Por otra parte debemos tener en cuenta que los impulsores resonantes son utilizados
principalmente en aplicaciones de corriente alta y no se ha encontrado alguna aplicacin
de corriente baja de salida en la literatura. En la actualidad se tienen un nmero
74
6.2. Trabajos futuros
Otras prdidas de potencia que sobresalen en carga baja, son las prdidas por la
recuperacin inversa del diodo parsito en el MOSFET sncrono, de acuerdo al modelo
de prdidas son:
1
PQrr = Qrr Vin Fs (6.2)
2
Por otra parte, el espacio reservado para el sistema de alimentacin en las apli-
75
6. Conclusiones generales y trabajos futuros
76
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79
Referencias
80
Anexo A
Circuitos impulsores
Vtemp
1
0
3
2
PARAMETERS:
U4 U1
10
20
VDD = 5
50
30
TF = 20n
{RL} PW = 1.36u {RL}
PER = 2.857u Vtemp
3
2
1
0
V4
V1
{VDD}
{VDD} 15Vdc
15Vdc V2
V3
1
0
U3
1
0
1
V1 = 0 V7 0
10
20
1
0
V2 = 5 U2 U6
FDN335N
10
20
2
1
TD = 0 U5
2
1
TF = 20n
3
Vtemp
3
2
PW = 1.34u
PER = 2.857u Vtemp
3
2
2
2
0 0
A.1 (a) Impulsor convencional. A.1 (b) Impulsor convencional con seales
de control separadas.
La gura A.2 muestra los impulsores resonantes propuestos por Yuhui Chen y
Dragan Maksimovi, respectivamente.
Por ltimo, en la gura A.3 se muestra el impulsor resonante propuesto por Wilson
Eberle.
81
Anexo A. Circuitos impulsores
PARAMETERS:
VDD = 5
1
0
RL = 1.5
1
0
U2
10
20
S1 V1 = 0 V4
10
20
V2 = 5 FDN335N
FDN335N TD = 0
V1 = 0 V3
V2 = 5 D1 TR = 20n
TD = 0 TF = 20n
50
30
TR = 20n PW = 1.24u R1
50
30
3
2
PW = 100n Vtemp
PER = 2.857u {RL} {VDD}
3
2
L1
R1 L1 1 2
V1 1 2 9uH
IRF6618 15Vdc
10m 234nH V2 V1
{VDD}
1
0
S3 R2 U1 15Vdc
2 FDN335N
1
1
0
1
0
1
0
Vtemp 10m
S2 U3
10
20
2
1
10
20
V1 = 0 V5
FDN335N V2 = 5 IRF6618
V1 = 0 V4 D2
V2 = 5 C1 TD = 1.42u
V5
3
TD = 1.38u TR = 20n
TR = 20n 10BQ015 27Vdc 10u TF = 20n
50
30
50
30
3
TF = 20n PW = 1.25u
2
3
2
2
PER = 2.857u
3
2
RL = 1.5
VDD = 5
0
0 0
A.2 (a) impulsor propuesto por Y. Chen. A.2 (b) Impulsor propuesto por D. Mak-
simovi.
VG1
PARAMETERS: U2A
FDN335N RL = 80 1
U15 FDN335N 3
1
0
0
1
U10 VDD = 12 V1 = 0 V8 2
V2 = 5
10
20
20
10
TD = 40n 74HC08
VG2 D18 VG1 TR = 20n U6A VG3
E1 TF = 20n
E2 2
+ + R1 PW = 1.38u 1
+
10BQ015 +
PER = 2.857u 0 3
50
30
30
50
- -
- - {RL}
E
74HC02
V3 Vtemp Vtemp E VG2
3
2
2
3
0
1
1
0
TD = 190n 74HC08
D19 U12 U8 TR = 20n U3A VG4
10
20
20
10
2
1
30
50
E
3
U9 FDN335N V1 = 0 V9
E V2 = 5
Vtemp FDN335N Vtemp TD = 0
3
2
2
3
TR = 20n
TF = 20n
PW = 1.38u
PER = 2.857u 0
0
82