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Laboratorio de Microprocesadores Las memorias

PRACTICA N0.3

NOMBRE DE LA PRCTICA

Las memorias del sistema con el Z80

OBJETIVO ESPECFICO:
Comprobar la operacin de las memorias EPROM
(donde ser cargado el programa) y RAM (donde se
leen y cargan datos)

INTRODUCCIN:
Informacin terica
Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o
corto plazo .La memoria es un componente fundamental de las computadoras
digitales y est presente en gran parte de los sistemas digitales.

M icroprocesadores

TIPOS
TIPOSDE
DEMMEM
EMORIAS
ORIAS

MEMORIA
M EMORIAPRINCIPAL
PRINCIPAL MEMORIA DE ALMACENAJE
ALAMCE N ALAM ACEN DE
SECUNDARIO RESPALDO
MEMORIA
MEM ORIADEDE MMEM
EMORIA
ORIADE
DE
LECTURA/ESCRITURA
LECTURA/ESCRITURA SOLO
SOLOLECTURA
LECTURA
RAM
RAM ( (VOLTIL)
VOLTIL) ROM
ROM(NO
(NOVOLTIL)
VOLTIL) ACCESO
ACCESO ACCESO
ACCESO
SEM I ALEATORIO
SEMI ALEATORIO SERIAL
SERIAL

Cinta
Cinta
MEMORIAS MEMORIAS DISCOS
DISCOS
ESTTICAS
ESTTICAS DINMICAS
DINMICAS MEM ORIAS M EMORIAS magntica
magntica
BORRABLE PERMANENTES Floppy
Floppy
BORRABLE PERMANENTES Burbujas
Burbujas
Duro
Duro
CD-ROM magnticas
magnticas
CD-ROM CCD
CCD
EPROM
EPROM M -ROM
M-ROM
EEPROM
EEPROM PROM
PROM
FLASH
FLASH

C arlos C anto Q .

M.C. Carlos E. Canto Quintal - 21 -


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MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de sus siglas
en ingls Random Access Memories. Se caracterizan por ser memorias de
lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de direccin que permiten
seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e independiente de la
posicin en la que se encuentre.

Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no hay
energa y se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM dinmica,
las cuales se describen en las siguientes dos secciones.

MEMORIA RAM ESTTICA

Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se
compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con
transistores MOSFET, aunque tambin existen algunas memorias pequeas
construidas con transistores bipolares.

Estructura de una celda de memoria SRAM

MEMORIA RAM DINMICA

Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memories), a
diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en
comparacin a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias
de gran capacidad.

Celda de memoria de una DRAM

La operacin de la celda es similar a la de un


interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en
alto, el transistor entra en saturacin y el dato presente
en el bus
interno de la
memoria
(columna) se
almacena en
el
condensador, durante una operacin de
escritura y se extrae en una operacin de
lectura. El inconveniente que tiene este tipo
de memorias consiste en que hay que
recargar la informacin almacenada en las
celdas, por lo cual estas celdas requieren de
circuitera adicional para cumplir esta funcin.

Sistema lectura, escritura y recarga de una celda DRAM

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Memoria Ventajas Desventajas

SRAM La velocidad de acceso es alta. Menor capacidad, debido a que cada


celda de almacenamiento requiere
Para retener los datos solo necesita estar mas transistores.
energizada.
Mayor costo por bit.
Son mas fciles de disear.
Mayor consumo de Potencia.

DRAM Mayor densidad y capacidad. La velocidad de acceso es bajar.

Menor costo por bit. Necesita recargar de la informacin.


almacenada para retenerla.
Menor consumo de potencia.
Diseo complejo.

MEMORIA ROM (READ ONLY MEMORY) O MEMORIA ROM DE MSCARA

Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM de la sigla en
ingls Read Only Memories. Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen
celdas de memoria no voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva
sin necesidad de energa. Este tipo de memoria se emplea para almacenar
informacin de forma permanente o informacin que no cambie con mucha frecuencia.

Se programan mediante mscaras. Es decir, el contenido de las celdas de memoria


se almacena durante el proceso de fabricacin para mantenerse despus de forma
irrevocable. Desde el instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip,
por lo tanto la escritura de este tipo de memorias ocurre una sola vez y queda grabado
su contenido aunque se le retire la energa.
Se usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema: en la
gestin del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema
operativo y diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida suelen ser las
tareas encargadas a los programas grabados en ROM. Estos programas forman la
llamada BIOS (Basic Input Output System).
La memoria ROM constituye lo que se ha venido llamando Firmware, es decir, el
software metido fsicamente en hardware.
El elevado coste del diseo de la mscara slo hace aconsejable el empleo de los
microcontroladores con este tipo de memoria cuando se precisan cantidades
superiores a varios miles de unidades.

Las caractersticas fundamentales de las memorias ROM son:


1. Alta densidad: la estructura de la celda bsica es muy sencilla y permite altas
integraciones.
2. No voltiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la alimentacin.
3. Costo: dado que la programacin se realiza a nivel de mscaras durante el proceso
de fabricacin, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el coste de
fabricacin se reparte en muchas unidades y el coste unitario es baja.
4. Slo lectura: nicamente son programables a nivel de mscara durante su
fabricacin.
Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.
Hay muchos tipos de ROM:

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Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS.

MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES)

Una alternativa para proyectos pequeos es el uso de una de las memorias de slo
lectura programables o PROM. Permiten que el usuario mismo pueda programar el
dispositivo, ahorrndose el alto costo de la produccin de la mscara Sus contenidos
no se construyen, como la ROM, directamente en el proceso de fabricacin, sino que
se tiene la posibilidad de que el usuario las pueda programar.
El proceso de programacin es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una
ROM normal.
Las prestaciones de las memorias
PROM son similares a las
anteriores, con la nica salvedad
del proceso de programacin. La
escritura de la memoria PROM
tiene lugar fundiendo los fusibles
necesarios por lo que la memoria
PROM solo puede ser programada
una vez.

MEMORIA EPROM (ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES)

Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la informacin se


puede borrar y volver a grabar varias veces. La programacin se efecta aplicando a
un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante
aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la
posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso
puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.

La memoria EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N


de compuerta aislada.

Una vez grabada una EPROM con la


informacin pertinente, por medio de un
dispositivo programador de memorias, la
misma es instalada en el sistema
correspondiente donde efectivamente ser
utilizada como dispositivo de lectura
solamente. Eventualmente, ante la necesidad
de realizar alguna modificacin en la
informacin contenida o bien para ser utilizada
en otra aplicacin, la EPROM es retirada del
sistema, borrada mediante la exposicin a luz ultravioleta con una longitud de onda de
2537 Angstroms (unidad de longitud por la cual 1 A = 10-10 m), programada con los

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nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a comportarse como una memoria de
lectura solamente. Para poder ser expuesta a al luz UV, para su borrado, est
encapsulada con una ventana transparente de cuarzo sobre la pastilla de la EPROM.

Una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ah que por ms


pequea que sea la eventual modificacin a realizar en su contenido, inevitablemente
se deber borrar y reprogramar en su totalidad.

Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos.

El microprocesador no puede
cambiar el contenido de la
memoria ROM. Lmpara =2537 m (Ultravioleta)
Lmparade deLuz
Luz
Ultravioleta
Ultravioletadel
deltipo
tipo
Dado que cualquier sistema germicida
germicida
microprocesador requiere de al
menos un mnimo de memoria
no voltil donde almacenar ya
sea un sistema operativo, un
programa de aplicacin, un
lenguaje intrprete, o una simple rutina de "upload", es necesario utilizar un dispositivo
que preserve su informacin de manera al menos semi-permanente. Y aqu es donde
comienzan a brillar las EPROMs.
La familia 2700

Los dispositivos EPROM de la familia 2700 contienen celdas de


almacenamiento de bits configuradas como bytes direccionables
individualmente. Habitualmente esta organizacin interna suele denominarse
como 2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x 8 para una 2764, etc.
Por razones de compatibilidad (tanto con dispositivos anteriores como con
dispositivos futuros), la gran mayora de las EPROMs se ajustan a
distribuciones de terminales o "pin-outs" estndar. Para el caso mas usual, que
es el encapsulado DIP (Dual In-Line Package) de 28 pines, el estndar utilizado
es el JEDEC-28.
Si bien en la actualidad parece haberse uniformado razonablemente, las
tensiones de programacin varan en funcin tanto del dispositivo, como del
fabricante; as nos encontramos con tensiones de programacin (Vpp) de
12,5V, 13V, 21V y 25V.
Lo mismo sucede con otros parmetros importantes que intervienen en el
proceso de grabacin de un EPROM, como es el caso de la duracin de dicho
pulso de programacin y los niveles lgicos que determinan distintos modos de
operacin.

MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)


La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente
Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal
Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta
flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.

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Se programan de forma casi idntica pero tienen la posibilidad de ser borradas


elctricamente. Esta caracterstica permite que puedan ser programadas y borradas
en el circuito.

La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la EPROM, la


cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la compuerta aislada
MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga elctrica, que es
suficiente para encender los transistores y almacenar la informacin.
El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre las
compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.

Las memorias EEPROM son memorias no voltiles y elctricamente borrables a nivel


de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone
una gran flexibilidad, pero tambin una celda de memoria ms compleja. Adems del
transistor de compuerta flotante, es preciso un segundo transistor de seleccin. El
tener 2 transistores por celda hace que las memorias EEPROM sean de baja densidad
y mayor coste. La programacin requiere de tiempos que oscilan entre 157 s y
625 s=byte.

Caractersticas Tcnicas En cuanto a la forma de


Referencia referenciar los circuitos, estas
28C64A memorias suelen comenzar
Tipo con el prefijo 28, de forma que
EEPROM CMOS la 2864 indica una memoria
Capacidad (bits)
8192 X 8
EEPROM de 64Kbytes,
Tipo de salida equivalente en cuanto a
5V patillaje y modo de operacin
Tiempos de Acceso de lectura a la UVPROM 2764.
120/150/200 ns Una ventaja adicional de este
Encapsulado tipo de memorias radica en
DIL-28 y PLCC-32
que no necesitan de una alta
tensin de grabado, sirven los
5 voltios de la tensin de
alimentacin habitual.
Ventajas de la EEPROM:
La programacin y el borrado pueden realizarse sin la necesidad de una fuente de luz
UV y unidad programadora de PROM, adems de poder hacerse en el mismo circuito
gracias a que el mecanismo de transporte de cargas, requiere corrientes muy bajas.
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de
caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.
El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en circuito donde su antepasado
inmediato requera media hora bajo luz ultravioleta externa.
El tiempo de programacin depende de un pulso por cada palabra de datos de 10 ms,
versus los 50 ms empleados por una ROM programable y borrable.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen
problemas para almacenar la informacin.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.

Aplicaciones de las Memorias EEPROM


Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario

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necesita almacenar de forma permanente algn tipo de informacin; por ejemplo en


los receptores de TV para memorizar los ajustes o los canales de recepcin.
MEMORIA FLASH

La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y


borrar elctricamente, son de alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de
bits). Alta densidad significa que se puede empaquetar en una pequea superficie del
chip, gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, ms
bits se pueden almacenar en un chip de tamao determinado. Se caracteriza por tener
alta capacidad para almacenar informacin y es de fabricacin sencilla, lo que permite
fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las
EEPROM.

Las operaciones bsicas de una memoria Flash son la programacin, la lectura y


borrado.
La programacin se efecta con la aplicacin de una tensin (generalmente de 12V o
12.75 V) a cada una de las compuertas de control, correspondiente a las celdas en las
que se desean almacenar 0s. Para almacenar 1s no es necesario aplicar tensin a las
compuertas debido a que el estado por defecto de las celdas de memoria es 1.
La lectura se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la
celda de memoria, en cuyo caso el estado lgico almacenado se deduce con base en el
cambio de estado del transistor:
Si hay un 1 almacenado, la tensin aplicada ser lo suficiente para encender el
transistor y hacer circular corriente del drenador hacia la fuente.
Si hay un 0 almacenado, la tensin aplicada no encender el transistor debido a que la
carga elctrica almacenada en la compuerta aislada.
Para determinar si el dato almacenado en la celda es un 1 un 0, se detecta la
corriente circulando por el transistor en el momento que se aplica la tensin en la
compuerta de control.
El borrado consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas en las
compuertas aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la aplicacin de una
tensin lo suficientemente negativa que desplaza las cargas como se indica en la figura.

APLICACIONES DE LA MEMORIA FLASH

Actualmente, los usos de Memoria Flash se estn incrementando rpidamente. Ya


sean cmaras digitales, Asistentes Digitales Porttiles, reproductores de msica digital
o telfonos celulares, todos necesitan una forma fcil y confiable de almacenar y
transportar informacin vital.
Se utilizan en la fabricacin de BIOS para computadoras. , generalmente conocidos
como FLASH-BIOS. La ventaja de esta tecnologa es que permite actualizar el bios
con un software proporcionado por el fabricante, sin necesidad de desmontar el chip
del circuito final, ni usar aparatos especiales.

Por esto la Memoria Flash se ha convertido en poco tiempo en una de las ms


populares tecnologas de almacenamiento de datos. Es ms flexible que un diskette y
puede almacenar hasta gigabytes de informacin. Es mucho ms rpida que un disco
duro, y a diferencia de la memoria RAM, la Memoria Flash puede retener datos aun
cuando el equipo se ha apagado.

EJEMPLO DE MEMORIA FLASH - 27F256

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La capacidad de esta
memoria es de 32K X 8 y
Caractersticas Tcnicas
como memoria Flash
Referencia
28F256
tiene la caracterstica
Tipo particular de ser borrada
FLASH EEPROM en un tiempo muy corto
Capacidad (bits) (1 seg.). El tiempo de
32768 X 8 programacin por byte es
Tipo de salida de 100 ns y el tiempo de
(5V) (Vp=12.5V) retencin de la
Tiem pos de Acceso informacin es de
90/100/120/150 ns aproximadamente 10
Encapsulado aos
DIL-28

DIFERENCIA ENTRE MEMORIAS EEPROM Y EPROM FLASH

La diferencia de las memorias flash y las EEPROM reside en su velocidad: Son ms


rpidas en trminos de programacin y borrado, aunque tambin necesitan de una
tensin de grabado del orden de 12 voltios.
Otra diferencia la encontramos en que en las EEPROM se puede borrar de forma
selectiva cualquier byte, mientras que en las memorias FLASH slo admite el borrado
total de la misma.
Por otra parte esta memorias son bastante ms baratas que las EEPROM, debido a
que utilizan una tecnologa ms sencilla y se fabrican con grandes capacidades de
almacenamiento.
Un dato puede ser significativo: el tiempo de borrado de un byte es del orden de 100
seg.

TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

MEMORIAS USADAS EN ESTA PRCTICA:

LA MEMORIA RAM 6116

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CARACTERSTICAS
24 terminales.
fabricada con la tecnologa CMOS,
Organizacin de la memoria: 2048 X 8
Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
Baja potencia en estado activo: 160 mW
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados.
Potencia de disipacin: 1 Watts
Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnologa TTL
Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo RAM 6132

LA MEMORIA EPROM 2716

Microprocesadores

Configuracin de terminales y smbolo lgico de la memoria esttica R/W


CMOS 6116
PINS DEL CHIP

A7 1 24 Vcc
CE WE OE
A6 2 23 A8
A10
A5 3 22 A9
A4 4 21 WE
Bus de A3 5 20 OE
direcciones A2 6 CMOS 19 A10
A1 7 6116 18 CE
A0 8 17 DQ7
A0 DQ0 9 16 DQ6
DQ1 10 15 DQ5
DQ2 11 14 DQ4
Datos Vss 12 13 DQ3
E/S
Nombre de los terminales
CS WE OE BUS DE DATOS
A0-A10 Entradas de VCC Potencia(+5)
1 x x TRI-STATE
Direcciones
1 1 1 TRI-STATE
CE Chip Enable WE Write Enable
0 0 1 ENTRADA
VSS Ground OE Output Enable
0 1 0 SALIDA
DQ0-DQ7 Data In/Data Out

Carlos Canto Q.
CARACTERSTICAS
Tecnologa CMOS de canal N.
24 terminales
Tiempo de acceso menor que 250 nseg.
Bajo consumo de potencia :

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Disipacin en estado activo: 525 mW mx.


Disipacin en estado inactivo: 132 mW mx.
Fuente de alimentacin de +5 Volts
Entradas y salidas compatibles con la tecnologa TTL
Capacidad de colocarse en tercer estado.

DESCRIPCIN DE LAS
Caractersticas Tcnicas TERMINALES
Referencia
27C16B A0-A10: Lineas de direcciones
Tipo D0-D7: Salida de datos
EPROM CMOS (CE)' Habilitador de la pastilla
Capacidad (bits)
(OE)' Habilitador de salidas
2048 X 8
Tipo de salida PGM Condicin de
(5V) (Vp=12.75V) programacin
Tiempos de Acceso Vcc Voltaje de alimentacin +5.0
150/250 ns Volts
Encapsulado Vss Terminal de tierra 0.0 Volts
DIL-24
Vpp Voltaje de programacin
NC No conexin

OPERACIN DE LECTURA
Para leer la memoria, la terminal Vpp se conecta a Vcc para inhibir con esto la
programacin, las entradas (OE)' y (CE)' se colocan a tierra y con estas simples
conexiones se puede leer la memoria, los datos estarn sobre las terminales D0 - D7,
quienes indican el dato direccionado por las terminales A0 - A10, cuya capacidad es
de (2K X 8), 2048 localidades de 8 bits cada una.

MODO DE PROGRAMACIN

Para programar la memoria se requieren las siguientes conexiones:


En la terminal 18 (CE/PGM) se debe depositar un pulso con una duracin Tw = 45
mseg aproximadamente, dicho pulso podr aplicrsele con un monoestable.

La terminal 20 (OE) que es el habilitador de salidas se conecta a +5.0 Volts (la


alimentacin).

La terminal 21 (VPP), voltaje de programacin se conecta a un voltaje fijo de +25.0


Volts, la memoria normalmente cuando no esta grabada contiene "unos", por lo tanto
en la operacin de grabacin se procede a depositar ceros.

Se requiere un capacitor de 0.1 uF dispuesto entre +Vcc y GND para suprimir los
estados transitorios de tensin que puedan daar al dispositivo EPROM 2716.

Se pueden programar varias EPROM 2716 en paralelo con la misma informacin,


debido a la simplicidad de los requerimientos de programacin.

CORRELACIN CON TEMAS DEL PROGRAMA VIGENTE:


Con esta prctica se cubre algunos de los aspectos de la unidad I: Microprocesadores
de 8 Bits.

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MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:


1 memoria EPROM 27XXX (la disponible)
1 memoria RAM 2016,6116 o la disponible
1 Push Button NA
10 resistencias de 2.2 K
2 LEDS
2 resistencias de 220
1 protoboard
1 Fuente de cd de 5 volts regulada
1 Analizador lgico ( o en su defecto osciloscopio multicanal)
Cmara

METODOLOGA (DESARROLLO DE LA PRCTICA):


I.-Implemente el circuito mostrado en la figura de abajo en un protoboard, tomando en cuenta
la distribucin planeada para la realizacin del sistema completo.

Microprocesadores

PRCTICA N 3: LAS MEMORIAS EPROM Y RAM


Bus de Datos (D0-D7)

RESET
RESET
YYRELOJ
RELOJ
Z80
+5V
RST 74LS32
CLK EPROM
EPROM RAM
220 220 MEMWR RAM
WR 2716 6116
2716 6116
Mem MREQ WR
MEMRD
Mem OK RD OE
RD
error CE CE

HALT
IORQ A
B
C A11
G2A
A11 74LS14 A0-A10 A0-A10

1/4 74LS244
Bus de Direcciones (A0-A15)

Manera simplificada para decodificar direcciones de memoria

Carlos Canto Q.

El Mapa de Memoria a realizar con el sistema se muestra en la siguiente figura:

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M ic r o p r o c e s a d or e s

M A P A D E M E M O R IA P R O P U E S T O P A R A E L D E L S IS T E M A

FFFFH

SSININMMEEMMOORRIAIA

1000H
0F F F H
RRAAMM
66111166
0800H
07F F H
EEPPRROOMM
22771166
0000H

C a rlo s C a n to Q .

PRACTICA NUM. 3
CONEXIN DE LAS MEMORIAS EPROM Y RAM
AL SISTEMA

BUS DE DATOS
D0-D7
BUS DE DIRECCIONES
A0-A15
A0-A10
+5V +5V

24 24
VCC 8 VCC 9
A11-A15 A0 D0
8 9 7 10
7 A0 O0 10 6 A1 D1 11
6 A1 O1 11 5 A2 D2 13
5 A2 O2 13 4 A3 D3 14
4 A3 O3 14 3 A4 D4 15
3 A4 O4 15 2 A5 D5 16
2 A5 O5 16 1 A6 D6 17
+5V 1 A6
A7
O6
O7
17 23 A7
A8
2016 D7
+5V 23
22 A8 2716 22
19 A9
19 A9 A10
16 21 A10 18
VCC VPP 20 CE
A11 1 15 18 21 OE
A12 2 A Y0 14 20 CE WE
B Y1 OE
Z80 A13 3
C Y2
Y3
13
12 12
GND
12
GND
74LS138 Y4 11
10
A14 4 Y5 9
5 G2A Y6 7
A15 G2B Y7
6
8 G1
GND
+5V

4
RD 6 MEMRD
5

MREQ 1
3 MEMW
2
WR
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

74LS32 0 0 0 0 0 X X X X X X X X X X X

SI A11=0 SELECCIONA 2716 SELECCIN SELECCIN DE LOCALIDAD


SI A11=1 SELECCIONA 2016 DE CHIP DE MEMORIA

C.CANTO

II.- Implemente un programa para generar un retardo con una duracin de 1 minuto
aproximadamente ( tome el diagrama de flujo mostrado abajo, como ejemplo).
Ensamble su programa a mano usando la tabla de instrucciones del manual del Z80.

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Una vez ensamblado crguelo, teclendolo en el buffer del programador de memorias


para despus cargarlo en la EPROM

Coloque la EPROM programada a su sistema, no olvide desenergizarlo previamente.

M ICROPRO CESADORES
Rutina generadora de retardos
DELAY
DELAY

Cont2
Cont2NN22

Cont1
Cont1NN11

Cont1
Cont1cont1-1
cont1-1

No
Cont1=0
Cont1 =0
??
si
Cont2
Cont2cont2-1
cont2-1

No
Cont2=0
Cont2=0
??
si

Ret
Ret

Carlos Canto Q.

Ejecute el programa y compruebe la duracin del retardo, con un cronmetro,


midiendo el tiempo transcurrido entre que se le aplica un RESET al Z80 y el que se
prenda el LED en la salida HALT.

III.- implemente un programa para realizar una prueba de integridad de la memoria


RAM.

Esta prueba consiste en escribir un patrn conocido (normalmente AAh, ya que consta
de 0 y 1 alternados) a cada localidad de memoria y leerla de nuevo, comparar la
lectura con el patrn previamente escrito a la memoria, si coinciden, realizar lo mismo
a la siguiente localidad, y repetir hasta que se termine con todas las localidades, si en
todos los casos lo que se lee es igual al patrn que se escribi entonces la memoria
est en buenas condiciones y se debe prender el LED en HALT.

Si al hacer la lectura de alguna localidad no coincide con el patrn escrito, nos


indica que la memoria est daada y se debe prender el LED en IORQ (basarse en el
diagrama de flujo mostrado abajo).

Como lo ms probable es que la memoria est en buenas condiciones, se sugiere


simular una falla de la memoria, quitndole la alimentacin a la RAM y despus correr
el programa de nuevo y as corroborar que el programa detecta la falla de la RAM.

M.C. Carlos E. Canto Quintal - 33 -


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Calcule el tiempo que toma su microprocesador en hacer la prueba de la RAM


completa. Ensamble su programa a mano usando la tabla de instrucciones del

MICROPROCESADORES
Rutina para checar la memoria RAM

Ram_test
Ram_test

HL
HLDireccin
Direccininicial
inicial

Apatrn
Apatrnde
deprueba
prueba

(HL)
(HL)AA

AA (HL)
(HL)

HL
HL HL-1
HL-1 Es
Es A=
A= No
patrn
patrn de
de prueba
prueba
??
si
No Es
Esltima
ltima
localidad
localidadRAM
RAM
??
si

Halt
Halt Output
Output

Carlos Canto Q.
manual del Z80.
Una vez ensamblado crguelo, teclendolo en el buffer del programador de memorias
para despus cargarlo en la EPROM

SUGERENCIA DIDCTICA:
Ejercicio 1
Disear un banco de memorias de 32 Kbytes de RAM y 32 Kbytes de ROM para un
microprocesador Z80. Se dispone de chips de 4K *8 de RAM y de 16 K * 8 de ROM
Ejercicio 2
Construir el mapa de memoria para la decodificacin implementada en la figura. En
que direcciones se acceden al primer byte de cada memoria que componen los
64K?

Ejercicio 3
Disear la
decodificacin de un
sistema que conste
de 32K de ROM y
16K de RAM.
Para la RAM se
dispone de 2 chips de
8K*8 cada uno
mientras que la ROM

M.C. Carlos E. Canto Quintal - 34 -


Laboratorio de Microprocesadores Las memorias

es un solo chip de 32K*8. Se pretende que la RAM est en lo ms alto del mapa de
m
e
m
o
r
i
a

m
i
e
n
t
r
a
s

q
ue la ROM est al principio. El resto del espacio de memoria deber ser mapeado
para cada una de las posibilidades que se muestran en las figuras.

REPORTE:
I.- Llene la tabla de abajo con el programa para generar retardo.
Usando el men de instrucciones del manual del Z80, ensamble a mano su
programa y reprtelo en la tabla, no olvide los comentarios.
II.- reporte los clculos realizados para ajustar el tiempo de retardo a 1 minuto, as
como el tiempo real obtenido con el cronmetro.

Direccin Cdigo de Ciclos de


de Etiqueta Mnemnico Operacin Reloj (T) Comentarios
memoria
0000
0001
0002
0003
0004
0005
0006
0007
0008
0009
000A
000B
000C

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Laboratorio de Microprocesadores Las memorias

TIEMPO CALCULADO

TIEMPO CRONOMETRADO

III.- complete la tabla de abajo con el programa de prueba de la RAM , ensamblando


a mano . Reporte tambin el tiempo calculado para realizar la prueba de la RAM
TIEMPO CALCULADO PARA CHEQUEO COMPLETO DE LA RAM

Direccin Cdigo de Ciclos de


de Operacin Reloj (T)
Etiqueta Mnemnico Comentarios
memoria
0000
0001
0002
0003
0004
0005
0006
0007
0008
0009
000A
000B
000C
000D
000E
000F
0010
0011
0012
0013
0014
0015
0016
0017
0018
0019

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Laboratorio de Microprocesadores Las memorias

BIBLIOGRAFA:
Manual de Zilog
Ramesh S. Gaonkar
The Z80 Microprocessor: Architecture, Interfacing, Programming,
and Design

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