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Practicas de DRX PDF
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1.- Fundamentos
IV-1
Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Figura 1.- Red plana. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y
SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
De igual modo, una red espacial puede considerarse originada por la sucesiva
aplicacin a un punto de una serie de traslaciones no coplanares definidas por los
vectores a, b y c (figura 2).
Figura 2.- Red espacial. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y
SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
IV-2
Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Uniendo entre s los puntos de una red, es posible dividir el espacio en las
mnimas secciones (paraleleppedos elementales) con simetra (figura 2). La red, por
tanto, podra considerarse generada tambin por traslaciones de uno de estos
paraleleppedos, representando cualquiera de ellos las caractersticas de la red en todos
sus aspectos. A estos paraleleppedos elementales se los denomina celdilla unidad. Si
tomamos como origen uno de sus vrtices, la celdilla unidad queda definida por las
direcciones y los mdulos de los vectores de traslacin a, b y c que definen los ejes
cristalogrficos. Entonces, para describir una celdilla unidad se necesita conocer las
longitudes a, b y c y los ngulos , y que forman entre s los tres vectores; estas seis
magnitudes reciben el nobre de parmetros de celdilla , parmetros cristalogrficos o
parmetros de red (figura 3).
Figura 3.- Parmetros cristalogrficos. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.;
MIRANDA, T. y SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
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Primitiva (tipo P): Cuando en la celdilla unidad slo existen puntos de red en los
vrtices. En este caso la red se genera aplicando las tres traslaciones a un solo punto;
por eso se dice que tiene asociado un solo punto de red, es decir, su multiplicidad es
1.
Centrada en dos caras paralelas (tipo A, B C, segn las caras en cuyos centros
estn los puntos): en la celdilla existen puntos en los vrtices y en los centros de dos
caras paralelas. Su multiplicidad es dos.
Centrada en todas las caras paralelas (tipo F): en la celdilla existen puntos en los
vrtices y en los centros de todas las caras. Su multiplicidad es 4.
Centrada en el cuerpo (tipo I): en la celdilla existen puntos en los vrtices y en el
centro del cuerpo. Su multiplicidad es 2.
IV-4
Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Figura 5.- Red bidimensional mostrando distintas familias de planos reticulares. Ntese cmo los
planos de ndices ms pequeos son los que tienen mayor espaciado y densidad de puntos
reticulares. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y SERRATOSA,
J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Figura 6.- Esquema de un tubo de rayos X de ctodo incandescente. Figura tomada de: ALBELLA,
J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de
materiales". C.S.I.C., 1993.
IV-6
Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Figura 7.- Espectro de rayos X emitido por un tubo de rayos X. La posicin de la longitud de onda
mnima slo depende de la diferencia de potencial aplicada al tubo, mientras que su intensidad total slo
depende de la diferencia de potencial y de la intensidad de corriente aplicadas. Espectro caracterstico: la
posicin de sus distintos mximos de intensidad (1, 2, ) slo dependen del elemento que forma el
nodo del tubo; su intensidad depende tambin de la diferencia de potencial y de la intensidad de
corriente aplicadas. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y
SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
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Figura 8.- Produccin del espectro caracterstico de rayos X. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.;
CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales".
C.S.I.C., 1993.
IV-8
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Figura 9.- a) transiciones electrnicas permitidas que dan lugar a las lneas ms intensas del espectro
caracterstico de rayos X; b) zonas de longitud de onda y energa en las que aparecen las distintas series
de lneas caractersticas del oro. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y
SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
IV-9
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Figura 10.- Lneas caractersticas de la serie K del hierro y de la serie L del wolframio obtenidas
experimentalmente. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.; CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y
SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales". C.S.I.C., 1993.
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Figura 11.- Fenmenos de interaccin de los rayos X con la materia. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.;
CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales".
C.S.I.C., 1993.
IV-11
Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
ondas es 2dhklsen, donde dhkl es la distancia entre los dos planos de la familia con
ndices de Miller (hkl). As tenemos
n = 2dhklsen (1)
Figura 12.- Difraccin de los rayos X por los planos de un cristal. Figura tomada de: ALBELLA, J.M.;
CINTAS, A.M.; MIRANDA, T. y SERRATOSA, J.M.: "Introduccin a la ciencia de materiales".
C.S.I.C., 1993.
IV-12
Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Es el mtodo ms general y sus aplicaciones son muy variadas; puede citarse por
ejemplo, la identificacin de sustancias cristalinas, as como el anlisis cuantitativo de
stas, el estudio de soluciones slidas metlicas, estudio de texturas, determinacin del
tamao de los cristalitos, determinacin de coeficientes de dilatacin trmica, estudios
de compuestos y reacciones a alta y baja temperatura, etc.
Este mtodo tambin es utilizado para aplicaciones de tipo ms especficamente
cristalogrficas, como pueden ser la asignacin de ndices a las reflexiones y la
determinacin de los parmetros de celdilla, que en algunos casos sencillos conducen a
la resolucin de la estructura cristalina.
En la figura 13 se muestra el tipo ms sencillo de aparato para observar la
difraccin de rayos X. Los rayos X de una sola longitud de onda chocan con una
muestra constituida por un polvo o agregado policristalino. Esta muestra debe estar
integrada por un nmero muy elevado de pequesimos fragmentos cristalinos
idealmente desorientados al azar unos respecto a otros, de forma tal que no exista
ningn tipo de correlacin en la orientacin. La muestra se sita sobre una plataforma
giratoria. Se detecta la radiacin difractada por la ionizacin que ella produce en la
cmara D. Cuando se coloca la muestra a un ngulo arbitrario con respecto al rayo X
incidente, muy poca radiacin difractada alcanza el detector, ya que es posible que a
este ngulo no haya plano de la red cristalogrfica que satisfaga la condicin de Bragg,
ec. (1), para que haya una intensidad difractada mxima. Sin embargo, a medida que se
hace rotar la muestra, algunos grupos de planos eventualmente llegan a estar alineados a
un ngulo que satisface la ecuacin (1), y una seal fuerte aparece en el detector. A
medida que se va rotando la muestra, esta seal desaparece, pero a otro ngulo puede
aparecer otra seal de difraccin cuando una nueva serie de planosde la red satisfaga la
ecuacin de Bragg. Como mestra la red de la figura 12, hay muchas series de planos
paralelos en una malla, y as la radiacin difractada se observa desde muchos ngulos.
Sin embargo, slo los planos de la redque contienen un gran nmero de tomos
reflejarn los rayos X apreciablemente, por lo cual en la prctica se observa solamente
la difraccin de los planos reticulares ms importantes.
En la figura 14 se muestra el diagrama de difraccin (difractograma) de una
muestra de cobre, obtenido con un difractmetro de rayos X.
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Con una regla milimetrada se mide el ngulo 2 (eje de abscisas) de cada reflexin,
as como su intensidad (altura), colocando ambos valores en una tabla de 5 columnas. En
la tercera columna de la tabla se colocan los valores de espaciado dhkl obtenidos, a partir de
los valores de 2, mediante la expresin de Bragg (2 d sen = n para obtener los
difractogramas se ha empleado radiacin K de Cu, = 1,5405 ). En la cuarta columna
se colocan los valores de las intensidades relativas, obtenidas como porcentaje de la ms
intensa.
Con los valores de espaciado de las tres reflexiones ms intensas se consultan las
fichas ASTM o tablas que se tengan a mano (anexo I), viendo cual es la que ms se ajusta
a nuestra sustancia problema y confirmando con el resto de las reflexiones medidas. En
general Las fichas de consulta (datos bibliogrficos, ASTM, etc.) constan de las siguientes
reas de informacin:
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
difraccin. Con los valores de espaciado de las reflexiones ms intensas y sus valores de
(hkl), se puede calcular el parmetro de celdilla medio mediante la expresin (en el caso
de celdillas cbicas)
1 / d2 = (h2 + k2 + l2 ) / a2 (2)
V = a3 (3)
2.2.2.- A partir de los difractogramas obtenidos para las muestras problema con el
difractmetro:
a) Sustancias puras:
b) Mezclas
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
1.- Introduccin
Los mtodos de difraccin y dispersin, especialmente la difraccin de rayos X,
constituyen las tcnicas ms poderosas para el estudio del estado slido de polmeros. En
general, la mayor parte de la informacin til se obtiene en polmeros que forman fibras
orientadas, son microcristalinos o estn constituidos por cristales simples (monocristales).
Los experimentos realizados con difraccin de rayos X, dan lugar a los siguientes tipos de
informacin:
I/I0 = e-l
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
Una red cristalina se puede considerar como una familia de planos que se extiende
a travs de los tomos que la forman. Estos planos se especifican cristalogrficamente
mediante un conjunto de tres nmeros (hkl), llamados ndices de Miller. La radiacin
ondulatoria incidente se supone que es reflejada por estos planos. El espaciado entre un
conjunto de planos adyacentes, dhkl, (con ndices de Miller (hkl)), se puede calcular a
partir de la relacin de Bragg:
n = 2dhklsen
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
deformacin mecnica, y este hecho puede ser puesto de manifiesto por difraccin de
rayos X.
Otra propiedad muy importante es la determinacin del grado de orientacin de
los cristales en un polmero microcristalino. Esta orientacin tiene una profunda
influencia en las propiedades del material. Por ejemplo, una buena orientacin, paralela a
la direccin de aplicacin de una fuerza externa, puede generar una alta resistencia del
material a la ruptura. La gran resistencia de las fibras de nylon se puede atribuir, en parte,
a este efecto. La cristalografa de rayos X provee una forma conveniente para la
estimacin de este efecto.
O/M(110)
Cuentas
O(200)
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
2
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
s I ( s)ds
2
Ic c
c = = 0
Ic + Ia
s I (s)ds
2
0
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
5. Experimental
Determinacin del grado de cristalinidad de una muestra de polietileno sometido a
tensin y sin tensionar.
6. BIBLIOGRAFIA.
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
ANEXO I
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Prcticas de Caracterizacin de Materiales Difraccin R-X
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