Elautoméviles inconcebible hoy dia sin las unidades de control electronicas con sus sensores y actuadores, Ellas han revolucionado el mundo automowilistico, Todas ls funciones esenciales del vehiculo son controladas y reguladas electrénicamente en un espacio minimo: el mando del motor y del cambio de velocidades, los sistemas de seguridad, pero también un sinniimero de sistemas de confort ~y la “inteligencia en el automévil” sigue creciendo vertiginosamente, sin que pueda perci- birse el fn de este desarrollo, El control y regulacién electrénicos abren una multiplicidad de posibilidades. Aumentan la seguridad y el confort de marcha, Al mismo tiempo son los vehiculos cada vez mas econémicos y ‘menos contaminantes. Con la marcha triunfal de la electrOnica se ha creado un mundo de conceptos con el que nos confrontamos continuamente, Cada dia es més dificil saber exactamente que se ocultadetrés de los vocablos. El presente cuaderno de la serie de publicaciones de Bosch “Instruccién Técnica” le explicara deta- lladamente los t&rminos téenicos de la microelectrénica. Después de una breve introduccién expone los principios de la técnica de semiconductores y dilucida la accién combinada de los componentes microelectrénicos. Un préctico ejemplo de un circuito profundiza los conocimientos tedricos. A continuacidn se describe el desarrallo y la fabri- cacién de las umidades de control. El glosario final le ofrece una répida ojeada sobre los conceptos més importantes de la mictoe- lectrénica. Las funciones de los diversos sistemas electrénicos (p.ej. MED, EDC, ESP) se describen detalla- damente en titulos individuales de la serie “Instruccién Técnica’Mroelectrénica ene vehiculomelorizado Vista cnr. Microelectronica en el vehiculo motorizado La microelectronica ha revolucionado la técnica nel vehiculo motorizado. Al principio se sust- tuia la mecinica por electronica para hacer un sis- tema mis fiable, Este fue el caso p.ej-al ser supri- ‘mido el contacto del ruptor en el encendido por bobina. Sucesivamente fueron apareciendo em- pero cada ver més sistemas del automévil que no hhubieran sido posibles en ningin caso sin la apli- ‘aci6n de electronica. El motivo de este nuevo desarrollo lo consttuyeron las crecientes exigen- «ia formuladas al comportamiento de los gases ‘escape del motor de combustin (p.ej. regula cién lambda), asi como la demanda de més con- fort (pj regulacién del acondicionamiento de aire, navegacién) y seguridad (p.c. sistema de antibloqueo [ABS], airbags). Vista de conjunto Los coches de turismo y vehfculos industriales que corresponden al estado técnico actual estan dota- dos hasta el méximo de sistemas electronicos, Estos pueden clasificarse en los siguientes campos deaplicacién: # Motor con cadena cinemética, seguridad, © confort, © comunicacion y sistemas multimedia. La figura 1 oftece una vista de conjunto de la elec- trénica que se halla hy en el automvl. Muchos de los sistemas mencionados existen en el entre- tanto en serie en todo nuevo vehfculo, Algunos otros sistemas, por el contrario, estan reservados (todavia) para los automéviles de la clase superior. Los sistemas lectrnicos se tes blogues funcionales: 1 Sensores ytransmnisores de valores tebricos, © unidad(es) de control, ‘© elementos actuadores, ‘© comunicacién de unidades de control (encadenamiento) y © diagnosis electrénica, iden en los siguien- ‘Sensores y transmisores de valores teéricos Los sensores registran condiciones de funciona- miento (p.e). mimero de revoluciones del motor, velocidad de giro de las ruedas, temperatura). Ellos transforman magnitudes fisicas en sefiales eléctr- as. Los transmisores de valores tebricos (p.¢ interruptores de mando accionados por el conduc- tor) prefjan determinados valores de ajuse. Unidad de control La unidad de control procesa las informaciones de Jos sensores y transmisores de valores tedricos conforme a determinados procesos de cilculo ma- temiticos (algoritmos de control y regulacion). Activa los elementos actuadores mediante senales de sida eléctricas. La unidad de control es ade- ms el interface para otros sistemas y para la dia- gnosis del vehiculo, Elementos actuadores Los elementos actuadores convierten las seiles cléetricas de salida de la unidad de control en magnitudes mecénicas, Son ejemplos de elementos actuadores: # Las valvulas de inyeccién del motor de gasolina ° ¢ los inyectores del motor Diese, «los electromotores (p.¢j. motor elevalunas, mo- tor para el accionamiento de la mariposa en el EGAS) y el ventilador. Encadenamiento Con el aumento de la cantidad de sistemas electr6- nos crece el niimero de cables de unién necesa- ros en el vehiculo, La longitu del mazo de cables den vehiculo dela clase media es actualmente de unos 1,6 km y comprende hasta 300 enchutfes con un total de 2000 clavijas. El encadenamiento de los diversos sistemas reduce dl largo total de los cables. Mediante un bus ‘comin compuesto tinicamente de dos cables (p.ej. bus CAN) se transmiten datos que son letdos por todos los participantes enlazados en el bus. Segiin las exigencias, en un vehiculo pueden existir tam- bign buses separados para motor con cadena cine- mitica, sistemas de confort y comunicacién.(Otra ventaja del sistema de buses radica en que las seftales de sensores tinicamente han de ser evalua das por una sola unidad de control. Por ejemplo, partiendo de las distintas velocidades de giro de las ruedastransmitidas por la unidad de control ABS se puede calcular en el cuadro de instrumentos la velocidad del vehiculo, Este complicado calculo tiene en cuenta también le marcha por curvas ye posible embalamiento de las ruedas. El valor de ve- locidad se pone en el bus CAN a disposiciin de to- dos los otros participantes en el mismo (p.ej. de la unidad de control del sistema de antibloqueo para la intervencién en los frenos, dela unidad de con- ‘rol del motor para la regulacién de la velocidad de ‘marcha o de a autorradio para la adaptacion del volumen sonoro en funcion de a velocidad). Ecrriza ene acl motored two) ey oe Yi ff Ufgue

|Fabricaion de elmentos semiconductoresy circuits impress Eletoros senionductres Los fabricantes de elementos semiconductores compran su material de partida en forma de wa- fers con impurificaciones hasias estrechamente especificadas. Impurificacién por difusion A altas temperaturas, el agente impurificador puede difundirse en el cristal de silcio, Para ello se genera en la superficie del wafer una concentra- cidn determinada de étomos extrafos. A causa de la diferencia de concentracién, los étomos de im- pureza migran al interior del wafer de sic Para este proceso se exponen p.ej. de 50 2 200 wa- fers simulténeamente a combinaciones de boro o fésforo en forma de vapor dentro de un horno tu- bular a temperaturas de unos 1000°C. El boro ge- nera regiones conductivas P, mientras que por la accién del fsforo se originan regiones conducti- = vas N, Las concentraciones en la superficie, la tem- a Procaiinto para bccn | peratura y el tiempo determinan la profundidad sneer _—— de penetracién del agente impuriticador. — soez0 jens | Impurificacién por implantacién de fones (eto) ‘silie | Los étomos de un agente impurificador gaseiforme | se ionizan primero en el vacio, se aceleran a conti- ae ‘nuacién mediante alta tensién (hasta 300 kV) y se Fotoméscaras “disparan’ asf hacia el interior del semiconductor. En eso es posible una concentracién y localizacién de la impurificacién singularmente exacts, Para la integracion de los étomos de impureza y para la curacin completa de la red cristalina es necesario un tratamiento térmico ulterior. Fpitaxia Este procedimiento de impurificacion genera so- bre un sustrato monocristalino una capa de serni- conductor monocristalina impurifcada de algu- nos micrémetros de espesor. Al conduits tetra- cloruro de silcio con hidrégeno en forma de gas sobre las rodajas (wafers) de silico calentadas Maeatneaae hasta unos 1200°C dentro de un tubo de cuarzo, ‘sews se descompone el vapor y se precipita silicio mo- + nocristalino con aproximadamente Im/min, Al wade dicionarse ala cortente de as tin caitidad deB- coor stead rida de agente impurificador mezclindose con x & ella se forma entonces una “capa epitaxiada’ cuya edi fal i cconductbiidad elétrica y tipo de conductbiidad70 Fabricactn de elementos eaiconductresy culos impresos pueden distinguisse esencialmente y de modo muy abrupto dl sustrat. Fotolitografiay ténica planar Con la fovolitografia se transfiere la estructura del diseto de los elementos constitutivos con mésca- as metalica al wafer. Los datos paral fabricacién de las méscaras estin almacenados, al concluirse el disefio,en un portador de datos (p.¢j.cinta mag nética, CD). Con él se acciona un aparato de expo- sicin que transfiere las estructuras a placas foto- sréficas. Estas estructuras se reducen a continua cin por via 6ptica al tamano de aplicacion y se copian unas al lado de otras sobre las mascaras ‘metélicastantas veces como permite la superficie de los wafers empleados. Como este procedimiento es aplicable hasta tama- fios de estructuras muchisimo més pequefis que la longitud de la onda de luz utilzada, se seguira aplicando también en el futuro. Las estructuras ‘més pequenas alcanzables dependen de la longitud de onda de la fuente luminosa. Con liser de rayos ultravioletas se producen en el laboratorio ya es- tructuras de hasta 0,08 um por via fotolitogrfica (en comparacién: un cabello humano tiene un dismetro de40...60 im), Con otros métodos, como p.ej.con la litografia por rayos X 0 por haz electrénico, se pueden pro- dducirestructuras ain mucho més pequefias. sos procedimientos son empero considerablemente _més caros, puesto que con ellos slo se puede “ex- poner” IC simulténeamente sobre el wafer. Por ‘#30 se emplean slo para casos especiales, Las rodajas de silicio (wafers) se pueden oxidar fi- cilmente con oxigeno o vapor de agua. Esta capa de 6xido impide la penetracin de los étomos ex- ‘ratios al tener lugar la impurificacién, En la téc- nica planar se efectian aberturas en esta capa de 6xido, de manera que, al tener lugar la impurifica- cin, a través de esas aberturas se originan encau- ztadamente campos conductivos tipo P 0 N: El wafer se recubre con una laca especial ya contimuacién se cubre con méscaras metélicas y se expone a los rayos de luz. Después del revelado, las superfices de laca cubiertas antes por la mascara y la capa de dxido que se encuentra debajo se pue- mento voricenditoree ‘den quitar por decapado. Le posicién, tamaio y forma de las aberturas asi producidas correspon den exactamente al dseno prefijado, En las _guiente impurificacién en et horno de difusién (figura 4) o durante la implantacién de iones, los agentes eléctricamente activo tales como el boro 0 cl fsforo, penetran en el silicio solo por esas “ven- tanas” existentes en la capa de dxido y generan en Jos puntos deseados regiones impurrficadas del tipo N o P. Ahora se quita de nuevo la capa de ‘xido y el wafer est preparado para I siguiente operacién del proceso El proceso fotolitogrfico, asf como el de impurifi- caciGn, se epiten tantas veces como el mimero de capas de diferente conductiilidad que ha de rec- birel elemento semiconductor. En circuit inte- grados complejos son necesarios al respecto mas de 20 operaciones. Para unir eléctricamente unos con otros los elementos funcionales asi producidos se recubren los wafers con aluminio 0 cobre y se estructuran luego los conductores impresos meti- licos, pudiendo estar dspuestas también en este procedimiento varias capas metlicas superpuestas Tras a terminacién de este proceso de los waters se efectila la comprobacion elétrica de los diversos chips dispuestos sobre el wafer (medicion previa). Los chips que no satisfacen las especificaciones se rmarcan con puntos de color. A continuacién los wafers se separan con una sierra de diamante en chips (figura 5). Los chips capaces de funcionar se rmontan luego en cajas metéicas ode plistico y se proveen de conexiones (figura 6). Después de un cierte hermético o de su envoltura con material plistico, se efectia la comprobacién final.Fabriescion de elementos semiconductoresy creates mpresos eentos semiconductors ‘Vitor arts de ntecuoion on on eroohp asarbad con carson, amo de Siac todas no cade,2 Figuat » 1 Prosicion una Fredocin una sens Prodicin debra y pete score de decapar Sic Fgura A Soparaciny ‘estuctacon dole capa sail Soparacin do prio Estuotsitn dl pli linac doe Figur 2 3 ected fo Renda eto eistioo Fabiacion de elementos seiconductresyccltos impresos Se ler “icromecarica’ la fabrication de ee- rmentas consitutvos mecanicos pariendo de sami conductores (generaimente desl), con la ayuda do técnicas de semiconductor, Ademds de las pro- Piedades semiconductors se aprovechan también las propiedades mecéricas del silico. De ese mado se pueden ejecular funciones de sensor en un esa- 0 peqstisimo. Se empiean fas siguientes Ken oo Micromecénica volumétrica El matoral del wafor de sco se trabaja en toda su prohundidad mediante corrosion anistrope latina) ‘yon o sin paradaeloctroqulmica de la consi, ‘Se quta et material desde el ado posterior denito ea capa desicio figura 1, pos. 2) ali donde no tiene cortaco ninguna mascara para atacar por co- rrosién (1). Con este procedmiento se producen tmembranas (a) muy pequefies con espesores tp ‘os erie 5y 50 um, aberturs (b, asi como berias yypuenteclos(c}p.cj. para sensores de presion 0 Meremeectnea Micromecénica de superficie lateral portador es un wafer de sicio sobre cya _superci se forman estructura mecanicas muy pe quefias (figura 2, Primero se aplica una “capa sact- ‘ficial’ y se estroctura (A) ésta mediante procesos de semicondoctor (p ej por corosion), Encima se dos: ‘dobla una capa de polio de aprox. 10 um de 6s: sor (B) y con ayuda de una mascara de aca se realza vertcalmente por coreosién la estructura de- seada en ela (C), Ene uhima operacion del pro- 980 se quit la capa de cxdo sacifcal de deb de a capa de polisiiio mediante furur de hidro- geno gaseiforme (D), Con elo se ponen al descu bieto estructura tles como.) electrodos mov bies figura 8) para sensores de acelerecon. Bondeado de wafers Enlas operaciones de bondeado anéico y de bor- ‘deado con vito de selado ve uren dos weles fae mente uno con oo bajo elect de tension y clr, ‘calor presion, para encerar p.<. un vaco de re- forencaoprotegerestrcturas sensibies mediante Ja aplcacon de cbierts. tar meansFabricio de elamentos semizanductoresyccuts impresoe Placas convencionales de circuitos impresos a placa de circuitos impresos se ha convertido en tun elemento estructural electrnico auténomo. la ha de mostrar propiedadeselétricas y mecé- nicas exactamente determinadas. Por ejemplo, la placa de crcuitos impresos ha de resistr en el ve- hiculo ternperaturas de40.. +145°C. Las exigen- as rlativas a la compatiilidad electromagnética, las corrientes maximas yla compleidad aumentan constantemente. Al mismo tiempo las placas de circuitos impresos deben ser siempre més peque- ‘fas y de menor coste ~ y eso con ciclos de vida del producto més cortos. El material de base portador del cableado ~ es de un tejido de fibra de vidio, Este puede ser rigido 0 semirrigido. Los conductores impresos en la su- perficie se forman de una capa de cobre de 12. 70 jm (cobre de base). Segtin la aplicacion, estas superfcies e proven de plomo y estat, oro o de tun recubrimiento organico de proteccién contra la corrosién, Ejecuciones Segiin la complejidad del circuit, las placas de cir- cuitos impresos estén constituidas por varias capas (figura 1). Las placas de cicuitos impresos utilizadas enel vehiculo se componen de dos hasta ocho capas. FED Ecsta ica de cree imprece. | 1 aes cas conveniorals de crete improsos n Placa de circuitos impresos unilateral La red conductora con circuits impresos y zonas finales para soldar se encuentra sdlo en un lado del portador del cableado (a). Placa de circuitos impresos a ambos lados, no metalizada En cada lado del portador del cableado se encuen- tra una red conductora. Las dos redes conductoras no estén unidas empero una con otra (b). Placa de circuitos impresos a ambos lados, metalizada Las redes conductoras de ambas carasestin unidas una con otra a través de una capa de cobre a «cada alas paredes de los agueros (c). Placa de circuits impresos de varias capas (multilayer) Ademés de las dos capas exteriores (aqui la 14 yla 4 capa) se encuentran planos adicionales de con- ductores en el interior del portador del cableado (capas interiores).Es0s planos de conductores pueden estar unidos unos con otros de modo eléc- tricamente conductivo. Para ello, los planos de conductores respectivos estin unidos ala capa de cobre aplicada ala pared de los agujeros (d). Ropresenactneaquars 4 on condutre ing sus etn erosntados con aura auneniada Powe | | natal A anos ado, no rataleaes Aantbos tas, refalade Deeg ope (mia Conder mpraco Zonas nl para sede Pertadr de cableaco eso (apace cote laguerometaleac)4 Fious2 Eater! de beet recor en as aos conuna hela de eobre oro oa ere) Fabricacion de elementos sericonductoresyccitos imoresos Procedimientos de fabricacién Paral fabricacion de placas de crcuitos impresos se han impuesto el chapeado galvénico de la red Recubvimint total (boca Toning, Pane Pig) Paces convencenales de ceutesmgrsoe conductora (Pattern Plating) y el recubrimiento total (Panel Plating) (igura 2). Procedimientos de faticaion de placs de croutosimpresos Chapeado gaviic dare conductora (tonics sestacna, Pate Fair) ‘Taladrarlaconfiguracion de aguleros ‘Taladrar la configuracion de agujeros Se Se CCobreer quimicamente Se forma ura capa conductora fenlos ladon (2. Stim), eae ee ‘Cobrear quimicamente Se forma una capa conductora ns talacros (2..5un), L ‘plier reserva anticido fotosensile (recubir,espones revel ZZ Soci eee conic, roo at aca wanaiay eer pice ; coer, shit Catan gotekarerte sn pote Ssumdscase Cooma” Za Ze ‘alan na en Fee itpender doo soe Uae + ‘otosensibe || (cut, exper revel ‘Aplicar reserva anticido Zi z a ma ae Sacer eee + ‘utara reserva antidcdo ftosensible a Mordentado quimico dela red conductors Is supers de cobredebajo |_| ela resevaantacio no se quien Aw Mordentado quimico dela red conductors Las superies de cobre debajo ea eaorva antiéido no se quan Al [i ceironcae - cameron : Qultar ia reserva antici fotosensible (uita ie reserva antsciso | y I ‘Aplicar la mascara de paro de a soldadura ‘Aplicarla mascara de pare de a soldadura ra 1 oat q |_| Antiear proteccién de supertiie || ei or tu), plonerestao (SoPa)) ‘Aplicar proteccion de superficie (ps) oo (Au) plomorostao (Sr)Fabricecin de elements semiconductore ycreutosimpreses Pecascomercionos de cco npesos 5 Elaboracién ulterior Después de su fabricacién, la placa de circuitos ‘mpresos se equipa con componentes. También para esas operaciones de fabricacién rigen los es- tindares de calidad mis altos, para garantizar un fancionamiento seguro de las unidades de control enel vehiculo motorizado, Esta elaboracion ulte- rior se efectiasegiin la técnica de montaje por introduccién y segin la téenica de montaje en la superficie, Aplicando esta téenica, se introducen las conexio- nes de los componentes en los agujeros de ls pla- «as de circuitos impresos y se sueldan a continua cin (figura 3a). ‘Técnica de montaje en ia superficie (SMT) La téenica de montaje en la superficie SMT (Surface Mount Technology) emplea componen- tes electréicos especiales cuyas conexiones se apoyan de modo plano sobre la placa de circuitos impresos (figura 3b). Un elemento de tal clase se llama componente SMD (Surface Mounted De- vice). Otra ventaje ~ dems del aumento del espe- sor del componente —la constituye el hecho de que se puede equipar la placa de cicuitos impresos de ‘modo completamente automitico. La técnica de rmontaj en la superficie se impone por eso cada vez ms, Las méquinas automaticas de montar ele- ‘mentos alcanzan un rendimiento de dotacion de mds de 60 000 componentes por hora y, por consi- sient, logran un aumento de la productividad, Proceso de fabricacién aa laelaboracién ulterior existen diferentes pro- cedimientos, divididos con arreglo a a disposicién en el espacio de los medios de produccién y de los puestos de trabajo. Se hace una distincion entre fabricacin de taller, pool en sere yen cadena El siguiente ejemplo describe la fabricacion en cadena (figura 4). Segiin DIN 33 415, en la fabrica- cin en cadena se trata de un “desarrollo del tra- bajo organizado segin el principio de cinta conti- rua con encadenamiento rigido, que estécoordi- nado en el espacio y sujeto a una duracién del clo” En el principio de cinta continua “os diver- 806 puestos de trabajo estin dispuestos con arzeglo ala sucesiGn de las tareas’ Este principio recibe también la designacién de fabricacion en linea. En la fabricacién de la electronica de una unidad de control se desarrollan las siguientes operacio- nest Material de partida El material de partida son placas de circuitos im- presos terminadas, atin no equipadas. En general estin dispuestas una o més placas de crcuitos im- presos sobre un “itl portador” normalizado en sus medidas. Después de dotarlas de elementos, se fresan las placas de circuits impresos separindo- las de este util portador. Flown 8 Téowoa de morale por inraducoen b Tecra de manaen lasipercie © Detcion ite 1 Compnete con slr noua 2 Pinon de routae impresos 3 Componente SMD Po de lad © Fegananto% Fabricaion de elementos samiconductoresyccitos impresos Aplicacin de a pasta de soldadura La primera operacién es a aplicacion de la pasta de soldadura para los componentes SMD me- diante el método de serigrafia.0 con plantilla de serigrafia La pasta de soldadura es una mezcla de polvo de metal, fundente y otras sustancias orgéni- cas adicionales. Con ayuda de una rasqueta se oprime sobre el itil portador, haciéndola pasar por as aberturas de ls tamices o plant Montaje de elementos SMD (lado de soldadura indirecta de reflujo) ‘Una maquina automética de montar elementos coloca los componentes SMD introduciéndolos en. Ja pasta de soldaraplicada sobre el stil portador. Horno Reflow Eli portador atraviesa sobre una cinta de trans- porte un horno de soldedura indircta de refiujo (Reflow). Ali bajo el efecto del calor se funde la pasta de soldar aplicada, De ese modo queda esta- blecda la unign eléctrica y mecénica entre placa de circuitos impresos y componente. Control de posicién La camara de un sistema de visin dictamina los puntos de soldadura, Segin la evaluacién dela imagen se separa el til portador hacia un puesto de reparacién o se hace pasar autométicamente a Ja siguiente operaci6n de dotacién. Dar vuelta la placa de circuits impresos Eneesta operaciéin se da vuelta al itil portador en 180 grados,a in de que el “lado inferior” esté orientado hacia arriba y pueda ser elaborado. La dotacién del lado inferior depende del tipo del segundo procedimiento de soldadura: Enel proceimienio Reflow/Reflow se repte el pro- «eso antes descrito. Enel procedimiento Reflow/por ola aternativo, la semiconductor) remiten a otros conceptos contenidos ene presente glosari, B Abreviatura de Binary digit, es decir, némero binario, Un signo del > cfidigo binario, Bus: Union de os elementos de un ~ circuitodigi- tal mediante una linea (bus en serie) o varias li- reas (bus en paralelo). Al bus se pueden conectar suchisimos elementos de Funciones distintas, pero eléctricamente de interfaces iguales. En buses en paralelo se transmiten las “palabras” simulté- neamente (un bit en cada linea). En buses en serie se transmiten los bits uno tras ot. Byte: Sucesién indivisible (“palabra”) de ocho > bits, Gi Capacidad: Pardmetro del condensador que indica ccudnta carga eléctrica ~y por tanto energia eléc- trica puede acumular éste al estar aplicada deter- minada tension, CCD: Abreviatura de > Charge-Coupled-Devic. Central Processing Unit (CPU): Unidad central de rocesamiento del > microcontrolador. ‘Charge-Coupled-Device (CCD, es decir, unidad acoplada por carga): Sensor de imagen de silicio cen el que a uz incidente a través de un electrodo transparente genera > portadores de carga propor- Cirewitoelectéinico con cuya ayuda se procesan sefiales analogicas—en contra- posicién a > circuito digital, Las seRales analogicas pueden adoptar cualquier valor de tensién dentro de un campo determinado, Por ejemplo: tensién de la bateria,indicacién del tacémetro. Circuito digital: Circuito electbnico con cuya ayuda se procesan seals digitales~ en contrapo- sicién a> circuito analigic. Las sedaes digitales se presentan en escalones y no con progresi6n continua. Por ejemplo: reloj digital. Gircuito eléctrico: Componentes electrnicos reu- nidos formando una unidad funcional. El circuito recibe también la designacién de > hardware. Circuito integrado: Circuito electrénico com- puesto de elementos semiconductores unidos inse- parablemente unos con otros sobre un solo > chip monolitico. Circuito integrado monoltic (IC): Elemento activo de 100 funciones individuales sobre un > chip. Céddigo binario: Cédigo numérico que se com pone sélo de dos signos (Oy 1). Comunicacién: Intercambio de datos entre com- ponentes electronicos, Conduecin intrinseca: Produccién de > portado- res de carga (pares de lectr6n-hueco) libremente movibles por aportacién de calor o accién de la Juz en el silicio no impurifcado, los cuales ocasio- nan una conductbilidad intrinseca del semicon- ductor. Conductbilidad: Valor inverso de la resistencia specifica (1/= AVY). Conductor: Materiales de alta > conductibilidad eléctrica por poseer un gran ntimero de > porta dores de carga libres, Los metales son los mejores conductores‘lose y bias sobre la microelectrnic en velcle motorized Conductor N: > Semiconductor > impueificado que es conductivo negativo (N) por poseer > elee- trones de conduccién, Conductor P:> Semiconductor > impurifcado ue es conductivo positivo (P) por tener > electro- res en defect Corriente en estado de “no conduecion”: Pequetto flujo de corriente residual por portadores de carga rminoritarios en la > zona de carga espacial ensan- chada en una > dn PN con tensién externa. (CPU: Abreviatura de > Central Processing Unit, D Dieléctricos: Materiales no metilicos que, por la carencia de > portadores de carga libres, tienen wna conductbiidad eléctrica minima, (Otra designacin: aisladores. Difusi6n: Migracién de étomos, moléculas 0 > portadores de carga de un campo de alta tempera- turao concentracién a un campo de baja tempera- tura o concentracin. Esta propiedad se aprovecha para la impurifcacién de rodajas de silico con sustancias extraiias, Diodo: Elemento con una > unién PN, una cone- xin en el lado P y otra en el ado N. iodo de capacidad: » Diodo con una > zona de carga espacial en la > unién PN que actéa como tun condensador; sirve de dielétrco el material se- ‘miconductor desprovisto de > portadares de carga. iodo de tinel: > Diodo con una unién PN im- purrficada en sumo grado, En él se produce el “efecto de tine!” en sentido directo. Diodo liser: > Diodo luminoso que emitehuzlser, 0 sea, luz de igual longitud de onda (monocroma) igual posi de fase. iodo luminoso (LED): Divdo que emite luz al aplicar una tensién en sentido de paso, El LED (Light Emitting Diode) invert el efecto de foto- diode. Diodo rectficador: > Diodo que deja pasar la corrienteen un sentido (polo posiivo en el campo P) yla bloquea en el otro sentido (polo pasitivo en el campo N), actuando asi como una “valvula de corriente”. Diodo Schottky: > Diodo com una “> unin PN que es una unién conductor metélico/semicon- ductor. Los lectrones pasan mis fécilmente del si- licio N a la capa metilica que al revés y originan la ‘apa bartera Schottky pobre en electrones Diodo 2: Diodo en el que, en caso de un au- mento de la tensién en sentido inverso, a partir de determinada tensién aumenta fuertemente la ‘corriente a causa de una > disrupcién Zener ylo tuna > disrupcién en avalancha, Disrupcién en avelancha: Aumento en avalancha delos > portadores de carga por el desprendi- miento de electrones unidos de la red cristalina de ‘un semiconductor en la > zona de carga espacial a causa de alta intensidad de campo elétrica ( efecto de avalancha). Disrupcién Zener: Disrupcidn elécrica en la capa barrera de un diodo que funciona en direccion de bloqueo a causa de una subida abrupta de la» conduccién intinseea debida a una elevada intensi- dad eléctrica de campo en la > unin PN. DRAM: Abreviatura de Dynamic Random Access Memory, es decir, > memoria de escritura-lectura indica, 88 (loser tablas sobre lamiroeleténica en el vhicuo motrizado E EEPROM: Abreviatura de Electrical Erasable Pro grammable Read Only Memory es deci, > memo- ria de datos fijos que se puede borrarelétrica- mente y escribir de nuevo, La EEPROM se llama también E?PROM. Efecto de avalancha: Véase > dsrupin en avalancha, Electrén de conduccién: Electrén libremente movi, no ligado a étomos. Electrén en defecto: Vacio o carencia de electrones movil y al mismo tiempo vacio de enlace en > se- ‘miconductore cuyos étomos se mantienen unidos ppor enlaces de valencia. Conduce carga positvas Los electrones en defecto seaman también -> huecos. Elementos activos discretos: Elementos activos ‘on menos de 100 funciones individuales en un > chip. Epitaxia: Procedimiento para > impurificarroda~ jas deslicio, mediante el cual se conduce y aplica una corriente de gas formada por etracloruro de silcio, hidrégeno y agentes impurificadores sobre las todajas de slicio calentadas hasta unos 1200°C. Se forma una capa epitaxiada cuya conductbilidad clétrica se distingue claramente de a del sus- rato. EPROM: Abreviatura de Erasable Programmable Read Only Memory, es decir, > memoria de datos {fijosborrable mediante luz ultravioleta y escribible de nuevo. Esquema de conexiones: Representacion de las conexioneseléctricas con los divesos componen- tes electrOnicos de un > cireuto F ‘FET: Abreviatura de Field Effect Transistor, > transistor de efecto de campo Flash-EPROM: > Memoria de datos ffs progra rable. La Flash-EPROM se designa a menudo simplemente “Flash” Fotodiodo > Diado con tensién en sentido de “no conduc ign” que al incidir luz eleva la > corriente en es- tado de “no conduccién” (corriente fotoeléctrica) proporcionalmente ala intensidad de la luz. Fotoelemento: Elemento en el que en la > unién PN,alcontrario del > forododo, no hay apicada ninguna tensién desde fuera. Al incidir luz se ori- n> portadores de carga libres que son separa dos en la unién PN y suministran una tensin fotoelétrca Fotolitografia: Transferencia de las estructuras de un disefio de elementos mediante fotomdscaras a un > wafer. Fotorresistencia: > Resistencia semiconductora ‘cuyo valor de resistencia disminuye al incdir en lala luz. Fototransistor: > Transstoren el que la conducti- bilidad entre emisor Ey colector Cse puede variar mediante radiacion de luz sobre a base B, Otra clase de fototransstor se puede emplear como un 9 dodo luminoso. Como este fototransstor se puede conectar y desconectar con mucha raider, es muy apropiado paral fabricacion de pantallas planas. G Grado de integracién: Cantidad de elementos funcionales por > chip.H Hardware: Concepto comin para dispositivos clectr6nicos (p.¢. también los de una red, inclu sivela placa de circuitos) El hardware comprende tanto componentes mecinicos como también elec- trénicos, ast como su ensamblaje Hueco: Véase > electron en defecto, Implantacién de iones: Procedimiento muy exacto para > impurificar> wafers de silicio con agentes impurificantes gaeiformes, que se ionizan pri- mero se aceleran mediante alta tensién (hasta 300 kV) y se “disparan al interior del semi: conductor. [mputificacion: Incorporacién encauzada de sus- tancias extrafias elétricamenteeficaces en cristales purisimos semiconductores, para conseguir me- diante > eletrones de conduccin un ~ conductor tipo No mediante > eletrones en defectoun > conductor P. Impurificacion N: Incorporacién encauzada de ‘tomos extraios con 5 electrones externos(p.¢. ‘fosforo) en una rejilla de silicio. Estos atomos ex- ‘trafios suministran electrones libres (+ electrones de conduccién), puesto que para el enlace en le reji- la de silicio son necesarios sélo 4 electrones exter- nos. [Impurificacin P: Incorporacion encauzada de ‘tomos extraios con 3 electrones externos(p.¢) boro) en una rela de silico. Estos dtomos extra- fos producen huecos de electrones (~ electrones «en defecto), puesto que para el enlace completo en 1a rela de silico le falta al dtomo de boro 1 elec- iron exterior. Inductancia: Pardmetro de una bobina que indica la cantidad de energia magnética que puede acu- ular la bobina a determinada intensidad de la comtiente, Glosaioy tbls sobre a mcroeleténica en el vniculo motorzado Integracién monolitica: Disposicién comprimida de todos los componentes de un circuit, inclusive de las uniones conductoras, sobre un solo cristal de silicio (> chip). Interface: Union electronica definida entre com- pponentes y grupos constructivas electrénicos. L Layout: Disposicin de los conductores impresos y de los componentes sobre un + cirewto eléctrico, LED: Abreviatura de Light Emitting Diode, es decir, > diodo luinoso. M Magnetorresistencia: ~ Resistencia semiconduc- fora mandada por campo magnético,cuyo valor de resistencia aumenta a medida que crece la densi- dad de ajo magnético B. ‘Mando: Durante el mando se activan los elemen- tos actuadores en virtud de las magnitudes de en- trade, datos prfijados (p<. diagramas caractris- ticos) y algoritmos(secuencias de cdlculo) en la unidad de control (magnitudes de salida). A este respecto, las repercusiones no se verifican (efecto secuencialabierto). MCM: Abreviatura de Multi Chip Module > nié- dulo ruttichip “Memoria de datos fijos: Memoria de semicondue- {ores que contiene el programa para el > micro- controlador. Se puede leer pero no se puede insri- bit. El contenido de la ROM (Read Only Memory, es decir, memoria slo de lectura) se “ja al fuego” enel chip de semiconductor durante el proceso de fabricaci6n, La PROM (Programmable ROM} puede ser programada por el usuario una vez (memoria de datos fj inscribible una vez). La EPROM (Erasable PROM) se puede borrar por completo exponigndola a la luz de rayos ultravio- Jetas y se puede programar de nuevo (memoria de datos Bij de nuevo insribible) En la Flash EPROM se borra eléctricamente el contenido en- tero de la memoria o sectores individuales de ella.‘Gosarioy ables sobre a microsectrinice ene ehiculo motoiado En la EEPROM (Electrical EPROM) se puede so- breescribir cada célula de memoria por separado, ppor lo que esta memoria “permanente” se aplica principalmente como memoria de datos no volétil. ‘Memoria: Componente electrénico en el que se pueden almacenar datos. ‘Memoria de escritura-lectura dindmica (DRAM): ‘Memoria volitil de poca duracién (DRAM namic > RAM) con acceso directo a cada posicién de almacenamiento, perdiéndose el contenido al- rmacenado después de desconectarse la tension de servicio, Memoria de semiconductores: Componente para el almacenamiento de informaciones digitales me- diante el empleo de los pares de estado conduc tor/no conductor o cargado/no cargado, Las me- rmorias estan formadas de > semiconductores, Microcontrolador: Componente electrénico que tiene integrados en un > chip la + CPU, una > RAM, unidades de entrada y slid, diferentes m6- dulos periférics y, dado e caso, una > ROM o> EPROM, Con ello eel microcontrolador el com- Ponente central en citcutos controlados por mi- croordenador, Microelectrénica: Sector de la técnica que com- prende el diseno, construccién, tecnologia, pro- ducci6n y aplicacién de circuitos electrénicos muy rminiaturizados, Microordenador: Unidad constructiva consistente en os siguientes componentes: > microprocesador como unidad central CPU (Central Processing Unit), unidades de entrada ysalida, memoria de programa, memoria de datos, secuenciador y un sistema de alimentacién de corriente. “Microprocesador: Intepracion dela uniad central chip. ‘MOSFET: Abreviatura de Metal Oxide Semicon- ductor + FET. Las conexiones de un MOSFET se llaman: gate G, source S, drain D. Médulo multichip: Elemento compuesto de varios > chips unidos ente si P PC: Abreviatura de Personal Computer. Ordena~ dor pequefto y potente para oficina y “uso domés- tico" Placa de circuitos impresos hibrida: > Circuito in- tegrado en el que los conductores y los elementos pasivos estan impresos directamente sobre un sus- trato cerémico hfbrido, La placas de circuitos {mpresos hibridas son particularmente apropiadas para altas temperaturas de servicio. Portadores de carga: Portadores de carga eléctica, generalmente de una sola carga elemental, Son portadores de carga negativa los electrones de conduccién y aniones. Son portadores de carga positiva los > electrones en defecto(hhuecos), catio nes protones. Posistor: > Resibtencia semiconductoracuyo valor de resistencia disminuye a temperaturas bajas,la- mado también resistencia PTC (Positive Tempera- ture Coefficient). Programa: Reunién de instrucciones ordenadas ‘que son procesadas por el > microcontrolador.El total delas partes del programa se llama > sof- ware Programa del usuario: Programa de un miero- controlador que puede ser escrito y modificado por un usuario mediante un ~ sofiware(lenguaje levado o lenguaje ensamblador) especial Programa monitor: Un > programa a través del cual el usuario puede manejar el verdadero > pro- rama del usuario, PROM: Abreviatura de Programmable Read Only ‘Memory (-> memoria de datos fis)R RAM: Abreviatura de Random Access Memory (memoria de eseritura-ectura). Registro: Un drea de memoria integrada en la > CPU en un médulo periférico que hace posible um acceso répido de escrituray lectura, Regulacin: Una caracteristica de a regulaci6n es elefecto secuencial cerrado (circuito de regula- cién). El valor real se compara constantemente con el valor tedrico. En cuanto se reconoce una diferencia, se lleva a cabo una correcién en la acti- vacién de los elementos actuadores. Resistencia semiconductora: Elementos cuyos valores de resistencia al contrario de las resisten- cias shmicas, dependen de la tension, intensidad de cortiente y temperatura, ROM: Abreviatura de Read Only Memory (2 memoria de datos fijs) s Secuenciador: Circuito que regula todas las opera- ciones en el > microordenadoren un reticulo de tiempo prefijado. Semiconductor: Materiales cuya conductibilidad eléetrica se encuentra entre la de los > conductores (metales) yl de los + dielétrcos (aisladores). Ella puede ser variada mediante la integracién contro- Jada de sustancias extrafas léctricamente activas (> impurificacin), El silicio y el germanio son los semiconductores ms importantes. Sensor: Componente para detectar magnitudes fisicas 0 quimicas. Software: Instrucciones de aplicacion y > progra- ‘mas no operacionales para el servicio de un orde- nador. SRAM: Abreviatura de Static Random Access Memory. Sustrato: Material de base para la fabricacién de grupos constructivos electrénicos o microelectré- Glosariy tabla sobre la micoelectrnica en lveicule metorizade nico (p¢j cristal de silico, placa de circuitos im- presos,cerémica), T ‘Técnica planar: Procedimiento de fabricacién de > circuits integrados monoliticos Una capa en- mascaradora de didxido de silicio que no acepta agentes impurifcadores, se quia selectvamente de modo fotolitografico con ayuda de méscaras de trabajo. En esas aberturas se originan por > impu- rifcacién campos conductivos N y ‘Tension de difusin: Tension que se origina por > difusin de > electrones de conduccién y > electronesen defectoen la unién PN de un > semiconductor. ‘Tensién de disrupcin: Tensién en sentido de “no conduccién” de una > unién PN partir dela cual ‘un pequefio aumento de a tensién ocasiona una fuerte elevacién de la > corriente en estado de “no conduccién”. ‘Termistor: > Resistencia semiconductora cuyo va- lor de resistencia disminuye a temperaturas eleva- das, llamado también resistencia NIC (Negative Temperature Coefficient). Tiristor: Hlemento con tres > uniones PN como ‘minim, las cuales se pueden conmutar de un estado de “no conduccién” a un estado de conduc- cidn (0 viceversa). Transistor: Elemento con el que se puede mandar tuna corriente grande entre las conexiones emisor Ey colector C mediante una pequefia corriente de base B. Transistor bipolar: > Transistor con tres zonas de conductbilidad distinta (> conductor Py > con- ductor N), Est estructurado como transistor PNP © NPN, Las conexiones se llaman emisor E, base B yeolector C. ‘Transistor de efecto de campo (FET): Transistor enel que la corriente es mandada en un canal con- ductor por un campo eléctrico formado por une tensiém aplicada a través del electrodo de mando. co‘abi "Las designaciones se referen al sistema ‘umérco amricano y biténico. Para dferen- ‘as en el sistoma tric, véaoe ls os nota al margen 2) millers (sistema beiténico) 2) bition (sistema briténico) 4 nua dosignacion ‘nl sictoma numevico brténico "fon (sistema beitéico) able? iota ytbia sobre la mierelectrniea en a! vehicle motorzado u ‘Unién PN: Zona limitrofe entre un > campo con- duetivo Py un. > campo conductivo N en el mismo v Vatistor: > Resistencia semiconductora cuyo valor de resistencia disminuye a medida que aumenta la tensin, independientemente dela polaridad de sta, w Wafer: ~ Cristal semiconductor monocrstalino cortado en rodajasSirve de ase de partida para la produecién de componentes semiconductores. ‘Zona de carga espacial: Zona mal conductors, po- ‘re en portadores de carga méviles en una “> «unin PN, que se origina sin tension exterior por 1a > difusin de los > portadores de carga libres hacia el interior, en cada caso, del otro campo. od‘lose ytbla sobre ia miroelectrnica en voice motozedo A decir verdad, el cancepte se remonta alos ati Uo grisgos. Para lo la palabra “electron” signif | caba también émbar, cuya forza de atraccn sobre hios de lana 0 materiales parecidos conocia ya Talos | de Mileto hace més de 2500 anos, or su poquea masa y su carga eléctica, los elec: ‘tones y por endo también la electronica son muy rpidos. Los electrones marcaron e concepto “elec: tronic’ Lamasa de un election en un gramo es equipara- be a § ramos de poso en toda la masa do la tira La palabra “electronica” ha nacido en nuestro scl, ‘No se sabe a cencia cleta quién a uflad por primera vez. Pudo ser Si Join Ambrose Feming en 1902, uno 4 os inventoes de los tubos electénicns. Evotica de nde vane al onoapt? e Pro el primer “ingeniero electronica” ye exists el siglo pasado. Esta cegistrao en la ecicén de 1888 de “Who 's Who" dela epoca de a rena Vitoria, Oficiaimente en aquelios tiempos se lamaba "Kells Hanabook of Tiled, Landed and Offical Classes’. Este ingenioroelecronico se encuentra en ol “Royal ‘Warrant Holders", es decir entre las personas que ‘gozaron de una patente real. Que hizo? Era responsable del fncionamiento y lalimpiezs de las lamparas de gas eno! palacio real 4Y por qué Hovaba ast tulo tan bono? Porque sabia que en giego “lektron”tambsén signicaba | ‘centellea, bila lui. Fuerte "Conceptos isc de a lecvérica'— pubbestion Bosch (Gergrecion ental de "Bosch Zind”, 1988,Low concepts meen corsa con un Beha (p.0}» conducted remiten a conoopios sind: roe overwanis, Indice de voebulerio indice de vocabulario Vocabulario fn Adptcin de don 62 ‘lado > Conducted Apcaio, 62 ‘Arica CSC, #4 Argatectra de seumlaer, 38 ‘Accu de Hava 45 Araitectae memos marera $8 rgitectve memoiegieto, 22 Arata regisroregisto, 39 Argitocie RISC 4 ‘rgitocu de Yon Neurae, 45, Acwonélrorograra de sabi, 48 8 ase. 17 Bato tampén, 50 us, 5.2644 c (Capa baer Ui PA (Capaida, 12 (Chapea garico de ered conductors 1 Farcacin be placa de cutee impresos ‘Charge Couples Doves (CCD), 1 Chip iain), 88 sis Craita de cesarelo * Eemple de ciewte Groitos Ge caps digas (tbe), 78 Gets de capes qruesas (bia), 78 Cres dies, 22 Crests setae Vabrioatr, 78 resto Nos (aia), 78y sg. (igo do ong orginal 461 (cago cit, «7 (Coecierte de temper, 18 oietr, 17 Comat eecrersgratic, 6 Comglador 48 Corzrotaccn slectomagnetce. 6? Conpuetas, 28 CCondereadoarotad, 12 CCondoreadr de caps mile, 12 ‘Condersador elecolico, 12 (Condereado 12 [Conduecn ininecasericondctr 10 Conducta (lectin, 8 ‘Conduco (lice) + Conus Constanta dilotica, 12 ‘Coren en eta dono conduc Unio Pr? (Pu 38 . Desarclode incones, 82 Deearalo de uncedoe de cena 80 Deesrale al hardy 62, 64 Deserale del otras, 62 orpcin da as unciones, 62 Destvate nection Set, Artiste, 38 Development Crt» Emp de Dietco > Condueinisad Diaketico 12 iodo de tina, 15 Dido leer 31 Dido uinas, $0 Dis etic 15 Di Senay, 15 Diss 215 iodo, 14 Dispcin en avlrcha + Uni Pt Dispcin Zener Uren DMA 43 Dain, 18 E EPRON, 20 engl doin crete, 45 Sin. norte ence» npn nore 887 orto toncorecrss — Exquema de caceenes (elomple dn Coste), 82 Exquema de coneones, 85 Eralation Boars Eleoo ae cielo Escute Phase, 40F Farad, 12 ed Length srcton Set, 28 Fash EEPROM, 20 FMEA, 68 Fotododo, 30 Fotcaerata, 80, Fotolog, 70 Fetoresteni, 90 Fotorareor, 31 ° Gate 18 Gaston dol ade, 63 4 Herdware, 82 Hero 18 HusooP> inpunitacion ' Inpurtiecen > impunaco IpurtiencenP > inpuriencion Inpuiteacion, 999, Inducer, 13 Inston Decode Pho, 40 Instucton Fetch Phase, 40 Instucion Sot Aco, 98 Intron, 98 levee 24 locate Panphary 42 1 Juego de inruconas, 40 ‘ogo de reas, 40 t Layout (jompo de un cet) 88 Layout 54,65 ED, 90 Lay de Geedon Mra, 21 Linke, 48 sta de pins ljemeo do un cet) 51 sta de pees, 65 ” Nagratorostoncia 18 Maz de cable, Meicion de compatbida loot: magna, 67 Menara de esctuateciva, 27 Mears 27,41 Meany Mapped Pain, 42 Microcontoader, 34, 38 Mironleconia, 8 Indien de vocabulao Merorecérics, 72 Meroordensder do un ci, 25 Meroprocerscer 26 Model de progaracin 97 Models de hardware, 04 Masui pariicn, 42 Mone del md, 66 Mule (acs de cicuts impose), 73 ati stcton Length 92 Moti ntucton Set 36 " Non-destuctve suction Set ‘ecole, 38 ° hme 12 ‘Oparand Fetch Phase 40 ‘Operand Store Phase 40 Orderadors mano, 34 p Pana Pang» Fabreacion 8 plcas ecco impresos Pte Ping Fabian 13 pce crete impeso Perera, 98 Ppa, 4 acs. crovlosimpresoe (pescones), 73 Pac decks impresoe fabicacen, 73 se. Placa do crcuitos mereace 66 Fla de dotasen ee comporertas (ojorele de un cet, 58 hago de condones, 60 Plago de esperieacaree, 60 ates 0,43 Peseta, 16 Froceo e dato tyes 4 Proceso e npurosin, 88 9, Progama del vous 47 Pogtana monter 47 Frogaracin(emelo de un cru), 58 Progr UO, 43, PROM, 29a AS: Stora aniblaqueo ‘ADC: Analog Digi Corre: ‘ALE: Aras Lton Enable ALU: Unidad arma yogis ASIC: Appicaion Specie wgrated Grout (rcs inegrado oa & apleacion) ASR: Satan cl trasn amiesinarte ASSP: Aeplcaton Spoote Standard Product ° (CAD: Comput Aided asin (sao aio por ordonad) (CAE: Conpite Aided Erineing (nara aio por ood) (CaN: Comput Aided Manuacturng (tarcaion asst por ordered) (CCD: Chrge Coupled Device (1SC: Coreiorinsructon Set Computer (©PU: Coral Pacesing Unt (ora do procesaiano canal + micocontolado, ° ‘DAC: Dal Analog Comer ‘dk Dect Meer /O-Access e EEPROM. EectialEsabie Progienmabe Red On Merry (mora prograrable de locke 0+ rami, 9 pune boraroecicanete) EPROM: Eisele Programmable Read Ony Memory mori progr: bie de eta samen, berabe) ESP: Ropuaodn de raca de mzcha F FET: Tanitor de fected campo Pash-EPROM: Fash frsabin Proganmatie Read Ony Memory (mara soimeriedelectu, so puso tear olsreuomt rot: rade rues) indice de vocabulao Abrevatas o 4 HDL: Hardware Descipon Language Vo-Pors:n/Out Pots (orbs) Ie: igrted Grout (creuto integrate) ete Creat Tse (+ fabiaci de places de crc ineescs roost defaricais) L LED: Ligh Eiting Diode (dodo ‘urinoss) St Large Sol Itgation {CC Low Tenerature Cofred ‘male " NOS: Mel Oxide Samconducer WSL Medium Seale iegraton P PC: Fesonl Computer PROM: Programmable Read Ony rary era pogarable electra slanora) R RAN: Random Access Memory Inemora de scravalectua) RISC: Redceonatucten Set Computer ROME Reed Oy Many Inemora de ache slanente s ‘IOs: Dido de sic SMD: Surface Moetad Davie leenpanento morta on supa) ‘SMT: Sutace Mourt Tchniogy (> keri de monte en a superice) ‘SoC: Sytem onachp SSI: Sral Sea ingraion v Lu utiles v ‘VHDL: Visual Harare Osscrtion Language ‘VSI: Vory Lange Seal eatin ve: Moraconealaer