SoLu CONES EXAMEN DE TCO ‘Bide Mayo de 2014 Tipo A 40 Guestiones de TEORIA ( punts). PuntuslGn; BIEN 0 puntos, MAL:-04 puntos, NG=O 7 trdiuo ol porto de Wabas del Wansstor MOSFET dea Tigra cuando VR =BV (Al Vos=18¥.t6s Con Vers 30) sur GA 1) Yos=3V. Ips asa(t- 0) fica) 70 PIC] Yps=25V. Ips = 1m tase: cu -Teeinbde'sy |} eu 1} Vpg=02V. pg + 192m Veneto ‘Z__Dade ol guar oroao recotado a dos rveoe eigue ol range da valores Que puoien lentes eve ‘aiéa dl sme sn enaca varia ete -"0Vy +10V(Wy2U.TV pats race dodo} WW o7V |2 1] Litamia 8 tone MELOR tan ot qe laf A ya goa ee MAYOR. = [6] Eltaout de letamiia Aes 20, [B} Ermargn de lo oe a ala Aes O8V. b> ‘I 0ua ae sete arvacone sor ol Vain NOSFET de acumulalon de canal cx FATSA? IA La Fuente ye! Drenador son zones seniconductrasataments doped de ipo N mietas que e! SubstatoesdetpoP. (8) La Puerta esta una 2 una capa muy fra de allant, oa ica uel comin por dicho terminal se ‘eonsore nua le 0) (OC), Enun vansistor MOSFET que we encueir on conducin (ks), alguna doloe ermal dl Yasir ‘sts conecado Subst sabromos quest el Drnador Ne 1D] Enuntranssir MOSFET quo se encuereeen conduct (0), dependindo de fa zona do funsonamiento,e spose puede conporrse come una resitoncia zona ines) Samo una ues de orient eaturasen ‘T._ Fara creo dea fra so ha Gods @ conagrana ons Gass aes, Won SOI ATS OSS Simao. Se pues atmar gue Dstos Ves *8V ea, = 8 MA en 2 MA ye retard de propagaciin madi de una put es de Ens. poe, = TAL Le. potencia estes proms ‘consume por ‘cada puerta NAND es ‘Son. IP] Le patencie eases promedio foneumia porta “puorla AND os 0 Se rmw. Tel La potencia estes promesio ‘Snsunda pore eon Get cco e& x ‘oom (D]_ Pare realear bs cAcuos oe a Dotncia esti pedo consume 7 {2 nocaaa conocer 8 ecuenda GaleEXAMEN DE TCO 5 de Mayo de 2014 Tipo A Ge ques coecia ura calde TIL on coecor toro oon una evade Ge un eicuta gies CMOS Simenaco 0 quel respucsta CORAECTA Familia A (TTL colector ablerto) Familia B (GMOS +9¥) a av 100yA | t6ma_[63v | 27V_| Otya | OA 18] _Esnacesario contr una esisencla de pu-up ene la sada yla alimeriacin de +. valor dela fesisencia debe enter comprandd ete D SAKE 26 47KD,, hips Boars = Pols KA, TB] Sepueden conocer drctameni, \ cI=Teec tes [Gl esrecesane pone puter 1 ania alga para compas i cee wi [D]_Esneceeare contr una resistencia de pul up ene lad ya alimrtacion de +8V Elvaor ela Tessteela debe eta comprendiso ete 2 Kal 414K. Ww. D0 oc atha, Nene ‘T,_-Se dea ooectar ene a dos farilasgcas Ay 8 (A 96) ces expeciicacnes ws dcan las abs ‘curing, Sloclonar a opt CORRECTA do ene as ue sien FA Fania B12) Vw [View [Voom [Vann [Woon [Ver [Van [Voom ZV [060 zav—|oav—|_—a3v_|_—s7v_[—trov—[_atw Toon] he ones | tae | tee Meme | tee tae wok [mk | 004 | Tom TOO pA | 100k —95mA | 05a (A Sepuede estzriaconexon dtecamente. > TR] Los nels gens son compatble yf margen de uo global so 070 [Cl _Nohay compatiacd en trsiones, po qushay qu aad un bull en color bio, nite A y B con Ui reitenda de purup au saldacanodadaa=12V. 5 [D] _ Las contents son Incompatble, pr la que hay que str ence Ay un bute ampfcador de corn, o 11 ado elegans creo saccade), apleantado an Waianae D, star anacin CORRECTA Pardes emparales: Besta: (St Up: he = 20 ns, Hol 5s, Ret: ban = 409), Putts AND y (OR (Retard: hana 208) 1A) Le frecuencia msi de tursonamiet {Bl Le trecuenca maxima de uncenamiento {c} Eloroto cumple a concn de extup para usr eovencia {b] Eloroxto no ncona bien pols felaéssexcostoe sla sald de os bistable. a Cpt ome) +a vio . 2 Wars Tigetens lems — Ww ReEXAMEN DE TCO do Mayo de 2014 Tipo A (PAGINA INTENCIONADAMENTE EN BLANCO)EXAMEN DE TCO de Mayo de 2014 TipoA [apetise: SOLA CONES Nombre: El orcuto del fgura implementa un determina fncin lca F con ransstaes NMOS. Se pe: \Nota: En zona Ghmica tiie la expresion aproximada Roy = 1A2K(Vas~ Vi) , yen seturalén ins = KiVes— ve “(Not DS ‘Parimetros transistores (Gee es (rae at ee et UDR Ly e aS cme Paen Tepes Elo J Ron = wl A ee ey =B =0V (0 ogico}: Inde etd dolor anatres ca + Din licen equa (ca MOSFET an ON a0 representa pr Roy! ele a teralon en Cy enlists etado de a warsisores av WV TA y Te SKM mm OFF Mae sus emnanss son @V Pee tont> : (vic): 5Y wp ewamd enon, wawer Vez SV PvR ette ; Ron s [25 Ke Ya teside eM F 3e0K ¢ Ron, tesa. RaeRoy giles oss (8) (08 Punto) Anatce ol fnconamiento dtc ps VCO" gio), B= BV (Ct tegeo} "paige estado de le rarsisores 1 FE pes sre > cco eletico equsnte (cade MOSFET en ON se eproteta po su Ro ycaleule a ‘Cy enF susie el ested de los vansisores. cone Ua ov > TA Orr eonoUq sv > 14 worl por TARTS «Ve Bina svEXAMEN DE TCO ‘Side Mayo de 2014 Tipo A FER eto {£) 28 Pus Anaemia dl testo pra contin de eras ogo) 1 inlgue t estac de os tanisores ‘uj el costo eteteo equivalents cada MOSFET en ON se representa por su Re) y cae ta {ensionen yen F dustigue 6 estadedeostanstoes, Thy T2 estindn ent on, AGET Us eritpazas ay R SON'S UV Pon TANTO, Spt Je Thee Gor 20K + (Ry Ron) [P) 08 Parts) Retene a tabla de verde dt crt lg ndque a uri gies F 5 Eee] FTO 1 i (F2 a+e (E] (0.28 Punic) Para con ncendo de un LED por parte del croton anteri,s ke fxquera, Clee el vst de R para conseguir una lumina asus del LED. Suponga ave Viso= 2 hen =20mA Eliostt xin tene una Ry = 50 pare una Vos a [7 De citewire, se rine our: o] dnt Vis Z| 7 (Re Ren) = sv Lge Teen J 5 Pet TANTO Roy 2 en — b ge S22 | dooska Re Cash}