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Las propiedades de los metales son bsicamente consecuencia del pequeo nmero de electrones de
valencia y de su carcter electropositivo. Los no metales slo requieren un pequeo nmero de
electrones para alcanzar la estructura de gas noble, por lo que en su estado elemental se combinan entre
s mediante enlaces covalentes. Adems, su electronegatividad les confiere unas caractersticas
qumicas diferentes a las de los metales, tal como se ha observado en el tema anterior. La relacin entre
comportamiento metlico/no metlico y electonegatividad explica que la barrera divisoria entre metales
y no metales forme una diagonal que va de izquierda (arriba) a derecha (abajo, figura 4.1). El
comportamiento qumico de un elemento tambin depende del estado de oxidacin que presente. As,
por ejemplo, algunos metales de transicin en altos estados de oxidacin tienen un comportamiento
qumico asociable al de los no metales (por ejemplo, formar oxoaniones).
coordinacin de una red como el nmero de vecinos ms prximos que tiene un tomo o ion dado en la
misma, el nmero de coordinacin de un empaquetamiento compacto y, por ende, el ms habitual en
los metales en condiciones normales es 12 (tabla 4.3).
Metales
1 18
Metaloides
H 2 13 14 15 16 17 He
18
No metales
Li Be B C N O F Ne
Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P S Cl Ar
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
Cs Ba Lu Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
Fr Ra Lr
Figura 4.1. Distribucin de los
3f
La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb
metales, no metales y
semimetales en la tabla
Ac Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No
peridica.
Tabla 4.2. Tipos de red cristalina habituales en los metales
Tipo de red cristalina Nmero de Coordinacin
hcp: empaquetamiento hexagonal compacto (ABAB...) 12
ccp: empaquetamiento cbico compacto (cbica centrada en las caras, ABCABC...) 12
ccc: cbica centrada en el cuerpo 8
cub: cbica simple (muy poco usual) 6
Li Be Li Elemento
13,094 4,913 13,094 Volumen molar (cm3 mol1), a 298,15 K
hcp<72 hcp<1250 hcp<72 Rango de temperatura (K) de estabilidad
ccc<PF ccc<PF ccc<PF de las formas alotrpicas de cada metal
Na Mg Al
23,932 14,082 10,061
hcp<36 hcp ccp
ccc<PF
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga
45,646 26,439 15,134 10,697 8,377 7,274 7,42 7,137 6,712 6,631 7,156 9,219 11,865
ccc ccp<510 hcp<1607 hcp<1173 ccc ccc ccc<1368 ccc<1183 hcp<661 ccp ccp hcp orto
ccc<PF ccc<PF ccc<PF ccp<1408 ccp<1663 ccp<PF (deformada)
ccc<PF ccc<PF
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn
56,200 34,07 20,017 14,106 10,895 9,443 8,644 8,222 8,334 8,918 10,335 13,078 15,851 16,391
ccc ccp<486 hcp<1733 hcp<1138 ccc ccc hcp hcp ccp ccp ccp hcp fct diam<291
hcp<878 ccc<PF ccc<PF (deformada) tcc<PE
ccc<PF
Cs Ba La-Lu Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po
70,168 38,399 13,526 10,919 9,601 8,916 8,476 8,572 9,148 10,277 14,152 17,322 18,377 21,442 23,110
ccc ccc hcp<2268 ccc ccc hcp hcp ccp ccp ccp tcc<79 hcp<503 ccp romb cub<327
ccc<PF romb<PF ccc<PF romb<PF
Fr Ra Ac-Lr
41,337
ccc
La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
22,74 20,83 20,93 20,71 20,361 20,12 29,160 20,027 19,43 19,123 18,869 18,565 18,183 25,00 17,891
hcpd<613 ccp<95 hcpd<1094 hcpd<1135 hcpd hcpd<1190 ccc hcp<1535 orto<220 hcp<1243 hcp<1239 hcp<1190 hcp<1277 hcp<270 hcp<1673
ccp<1141 hcpd<263 ccc<PF ccc<PF ccc<PF ccc<PF hcp<1589 ccp<PF ccc<PF ccc<PF ccc<PF ccp<1005 ccc<PF
ccc<PF ccp<1003 ccc<PF ccc<PF
ccc<PF
Ac Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No Lr
22,694 19,922 15,278 12,572 11,65 12,12 17,74 18,17 16,95 16,50
ccp ccp<1673 tcc<1443 orto<935 orto<553 mon<395 hcpd<923 hcpd<1550 hcpd<1200 hcpd<873 ccp
ccc<PF ccc<PF tetr<1045 tetr<850 ccp<1350 ccp<PF ccp<PF ccp<998
ccc<PF ccc<PF ccc<PF ccp<PF
Los metales en gris claro en la figura 4.2, salvo Po, cristalizan en condiciones normales en una
estructura cbica centrada en el cuerpo que, aunque no es compacta (su nmero de coordinacin es de
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 75
8) aprovecha el espacio slo un poco menos que una estructura compacta (68% frente a 74% de las
estructuras compactas).
Los metales presentan generalmente polimorfismo, es decir existen bajo distintas formas cristalinas
cuya estabilidad relativa depende de las condiciones de presin y temperatura.
T (K)
10 20
p (GPa)
El aumento de la presin favorece las estructuras compactas, ms densas. Adems, muchos de los
metales que presentan estructuras cbicas compactas a temperaturas bajas, adquieren estructuras ms
abiertas al aumentar la temperatura, debido al incremento de las vibraciones de los tomos.
Los metales destacados con un gris ms oscuro en la figura 4.2 cristalizan en sistemas que no son
cbicos, aunque a veces pueden ser consideradas como deformaciones de las redes tpicas de los
metales sealadas anteriormente. Sin embargo, las estructuras de los metales fronterizos con no metales
y metaloides pueden interpretarse como formas lmites entre las estructuras metlicas y las no
metlicas. As, se conocen tres formas del estao slido:
13,2C 232 C
!Sn "Sn Sn (lquido)
La transformacin de las lminas -Sn metlico en polvo de -Sn en ambientes fros se conoce con el
nombre de peste o enfermedad del estao. Por otra parte, el Ga presenta un enlace covalente altamente
direccional en el que cada tomo de Galio est cerca de otro (a 2,47 ) pero muy lejos del resto (2,70
). Esta situacin parece mantenerse en el metal fundido y se relaciona con su bajo punto de fusin (30
C). El bismuto presenta una estructura similar a las de otros elementos del grupo 15 pero de apariencia
metlica y brillante, y conductividad tpica de metales (ver estructuras de As y Sb en el siguiente
apartado).
Figura 4.3. A la izquierda, la estructura del yodo a 0,1 MPa ( 1 atm) y 30 GPa. Se muestran vistas a lo largo del eje
cristalogrfico a. Los tomos en gris oscuro y en gris claro estn en planos distintos. A la derecha, dependencia de las
12 distancias de contacto interatmicas con la presin.
Tabla 4.4. Radios covalentes y de van der Waals de cloro, bromo y yodo y distancias intra e intermoleculares de los
elementos en estado slido.
radios, pm distancias intramoleculares, pm distancias intermoleculares, pm
covalente van der Waals en estado gas en slido en la capa bc* entre capas
Cl 99 175 199 198 332 374
Br 114 185 228 227 331 399
I 133 198 267 272 350 427
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 77
1,21 O 1,28 O O
O O
O O O O O O
117
Los elementos no cabecera tienen mayor dificultad en formar enlaces mltiples entre s, y sus formas
ms estables son molculas discretas, cadenas o slidos covalentes con enlaces sencillos. Aunque las
molculas diatmicas de azufre S2 son estables a alta temperatura, no lo son a 25C. El azufre tiene
gran variedad de formas alotrpicas cclicas Sn, algunas de las cules se representan en la figura 4.5, o
en cadenas como la representada en la figura 4.6, siendo su forma ms estable la de molculas S8.
S8
Figura 4.5. El azufre se presenta
S18 en forma de mltiples altropos,
muchos de los cuales presentan
estructuras moleculares cclicas
incluyendo S6, S7, S8, S9, S10, S11,
S12, S13, S14, S18 y S20. La figura
muestra tres de estas estructuras
S20
cclicas.
El selenio forma tambin molculas Se8 pero tiene otra forma alotrpica similar al teluro que es
semimetlica y se conoce con el nombre de forma gris. En el selenio gris, cada tomo est unido a
otros dos mediante enlaces covalentes formando cadenas helicoidales (figura 4.7). Las distancias entre
los tomos situados en distintas cadenas (b en la figura 4.7) son, sin embargo, algo ms cortas que la
suma de radios de Van der Waals, sobre todo para Teluro (tabla 4.5). En este elemento, las distancias
dentro de las cadenas (a en la figura 4.7) son, adems, significativamente ms largas que la suma de
radios covalentes. Al aumentar la presin, este fenmeno se acenta y todas las distancias TeTe se
hacen iguales.
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Grupos 15. El nitrgeno forma molculas diatmicas en las que los tomos se encuentran unidos
mediante enlaces triples. El fsforo en vapor consiste de molculas tetradricas P4 (figura 4.8) aunque a
temperaturas altas forma molculas P2. El slido molecular formado por condensacin del vapor
contiene tambin molculas P4 y se conoce como fsforo blanco. Una segunda forma alotrpica del
fsforo es el fsforo rojo, del cual cuya estructura exacta es desconocida. La forma alotrpica ms
estable termodinmicamente es el fsforo negro, que se obtiene al calentar la variedad blanca a
presiones muy elevadas. Es un slido covalente que consiste en capas alabeadas que tienen anillos de 6
miembros con configuraciones silla y en las que cada fsforo se une covalentemente a otros tres.
Para arsnico y antimonio se conocen formas alotrpicas amarillas que contienen molculas As4 y Sb4
respectivamente. Sin embargo, las modificaciones estables de arsnico y antimonio (y tambin
bismuto!) son metlicas y estn formadas por capas alabeadas (observar que son distintas a las del
fsforo negro). Estas capas estn apiladas de manera que sobre y bajo el centro de cada anillo hay un
tomo de una capa adyacente (figura 4.9). De esta forma, cada tomo est conectado en un entorno de
octaedro distorsionado a tres tomos de la misma capa y a otros tres de otra capa diferente. Las
distancias entre tomos de distintas capas son ms cortas que la suma de radios de van der Waals (tabla
4.6).
60
(a)
Tabla 4.6. Distancias entre tomos en fsforo negro, selenio gris, teluro gris y bismuto
radios, pm distancias, pm*
Relacin b/a
covalente van der Waals en capa (a) entre capas (b)
P 110 180 222-224 359-380 > 1,62
As 122 190 252 312 1,24
Sb 143 200 291 336 1,15
Bi 152 -- 307 353 1,15
Grupo 14. La formacin de un enlace cudruple entre dos tomos de carbono no es favorable, por lo
que este elemento cabecera forma agregados de mayor tamao. Se conocen mltiples formas para el
carbono, aunque muchas de ellas son amorfas.
Diamante y grafito. Son las dos formas cristalinas comunes del carbono y tienen propiedades muy
distintas (tabla 4.7), que reflejan sus diferentes caractersticas estructurales y de enlace.
Tabla 4.7. Comparacin de las propiedades del grafito y el diamante
diamante grafito
Aislante elctrico Buen conductor elctrico
Sustancia natural ms dura conocida (usado como Blando y se exfolia con facilidad cuando est
abrasivo) parcialmente oxidado (usado como lubricante)
Incoloro (salvo cuando es coloreado por impurezas) Negro con ligero brillo metlico
El diamante presenta una estructura tridimensional cbica en la que cada tomo se une mediante
enlaces sencillos a otros cuatro tomos de C adyacentes dispuestos tetradricamente a su alrededor
(hibridacin sp3, figura 4.10). Las distancias de enlace CC son de 1,54
La estructura del grafito est formada por capas hexagonales planas en las que cada tomo de carbono
se enlaza a los tres vecinos con enlaces covalentes (figura 4.11a). Las distancias de enlace CC son de
1,41 , es decir, intermedias entre las distancias medias en enlaces sencillos (1,54 ) y dobles (1,34 )
y cercanas a las encontradas en el benceno (1,39 ). Las capas se apilan alternadamente mediante
interacciones dbiles, siendo la distancia entre capas de 3,35 (figura 4.11b). Cada tomo de carbono
se enlaza con otros tres de la misma capa, formando tres enlaces mediante una hibridacin sp2 (figura
4.11c), y contribuye con un orbital p y un electrn a un sistema de enlace que est deslocalizado en la
capa. La nube electrnica es, por ello, mvil y el grafito es conductor en direcciones paralelas a los
planos hexagonales: la conductividad en dichas direcciones es de 30 kS cm1 a 25 C y disminuye con
la temperatura, tal como se espera para un conductor. La conductividad en direccin perpendicular a las
capas es mucho ms baja (5 kS cm1 a 25 C) y crece con la temperatura, indicando semiconductividad.
80 | Qumica Inorgnica I. Curso 2012/2013 Ernesto de Jess Alcaiz
El diamante es una forma metaestable del carbono en condiciones normales ya que su modificacin
ms estable es el grafito.
C(diamante) C(grafito) Go (298 K) = 2,9 kJ/mol.
La transformacin de diamante en grafito es infinitamente lenta. El diamante es, lgicamente, ms
denso que el grafito (2,25 y 3,51 g/cm3, respectivamente) por lo que es ms estable a alta presin. De
hecho, se obtienen diamantes artificiales por aplicacin de altas presiones y temperaturas al grafito.
Fullerenos. Son un conjunto de formas alotrpicas del carbono, descubiertas en 1985, cuyo rasgo
comn es que estn formadas por molculas en forma jaulas. Se pueden obtener generando un arco
elctrico entre dos electrodos de grafito en una atmsfera de helio y condensando el carbono
evaporado, que se recristaliza despus a partir de disoluciones en benceno de color magenta. El
producto principal es el C60 (buckminsterfullereno) que tiene la forma de un baln de futbol y combina
20 hexgonos con 12 pentgonos (figura 4.12a). Este producto se puede separar por cromatografa de
otros fullerenos que se obtienen en menor cantidad, como el C70, que consta de 25 hexgonos y 12
pentgonos y cuya forma recuerda a un cacahuete.
Los nanotubos de carbono son materiales sintticos descubiertos en 1991 que estn formados por tubos
que tienen una estructura de tipo grafito plegada formando tubos cuya longitud puede llegar hasta
tamaos tan grandes como 0,1 nm. La figura 4.12 representa un nanotubo de pared sencilla, aunque
tambin los hay con paredes mltiples. Los nanotubos se obtienen cerrados en el extremo mediante la
mitad de una esfera de fullereno, aunque se puede forzar su apertura. Pueden ser conductores o
semiconductores, dependiendo de sus caractersticas estructurales.
Formas amorfas y parcialmente cristalinas del carbono. Existen otras formas del carbono que son
amorfas o slo parcialmente cristalinas, pero que tienen una gran importancia comercial. Son obtenidos
en general por descomposicin trmica de materia orgnica en ausencia (pirolisis) o de oxgeno. El
carbono negro (usado en las tintas negras o neumticos), el carbono activado (que tiene una gran
superficie activa y que se emplea como adsorbente de molculas, p.ej. contaminantes del agua, gases
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nocivos del aire, etc.) o las fibras de carbono (que se obtienen por pirolisis de fibras asflticas o
sintticas y se incorporan para dar resistencia mecnica a productos plsticos, como raquetas de tenis o
componentes de los automviles o aviones). Aunque no se conoce con certitud sud estructuras, al no
poder ser estudiadas por difraccin de rayos X de monocristal, constan de estructuras basadas en los
hexgonos del grafito.
Otros elementos del grupo. Silicio, germanio (y el estao-) tienen una estructura similar al diamante.
Grupo 13. El boro se presenta en diferentes formas cristalinas. Todas ellas se caracterizan por estar
formadas por unidades icosadricas B12 (figura 4.13a) unidas entre s en disposiciones variables. En la
figura 4.13b se representa el boro- rombodrico en el que los icosaedros se disponen
tridimensionalmente como las esferas de un empaquetamiento cbico compacto. Obsrvese que las
interacciones de un tomo de boro con sus vecinos no pueden ser interpretadas en trminos de enlaces
clsicos de dos centros y dos electrones.
En la tabla 4.3 recoge los puntos de fusin y ebullicin de los no metales. Intente interpretar las
variaciones de los mismos a la luz de las estructuras descritas en esta seccin.
A AA A
Figura 4.14. Los orbitales s de dos tomos iguales
solapan al aproximarlos dando lugar a dos orbitales
moleculares, uno enlazante y otro antienlazante. Si
situamos en una lnea y a distancia de enlace un
nmero N de tomos iguales, sus N orbitales s
solaparn dando lugar a N orbitales moleculares. El
2 Orbitales Atmicos dan 2 Orbitales Moleculares orbital de menor energa es enlazante entre todos los
tomos vecinos y el de mayor energa es antienlazante
NA AN Orbital ms antienlazante
entre todos los tomos vecinos. Entre ambos niveles de
energa, se situarn el resto de OM que tendr un
nmero de nodos intermedio entre 0 y N. La diferencia
Banda anchura de energa entre los orbitales extremos es siempre finita
de OM de banda aunque N tienda a infinito y depende fundamentalmente
de la fortaleza de la interaccin entre tomos vecinos.
Orbital ms enlazante Eso significa que la diferencia de energa entre
orbitales contiguos tiende a cero al crecer N, de forma
que en un slido real se puede considerar que forman
N Orbitales Atmicos dan N Orbitales Moleculares. una banda continua de niveles de energa. La banda
Si N es grande, los O.M. estn muy prximos que acabamos de describir est formada por orbitales s
formando una banda y se llama banda s.
Los metales son conductores electrnicos porque poseen bandas de OM parcialmente llenas (figura
4.15a). Los electrones de mayor energa se desplazarn fcilmente en el slido saltando a un orbital
vaco de energa prxima bajo la accin, por ejemplo, de un campo elctrico. Por el contrario, la banda
de valencia (banda ocupada de mayor energa) est completamente llena en un semiconductor o
aislante y separada de la banda de conduccin (banda de menor energa vaca) por una diferencia de
energa que restringe la conductividad electrnica (figuras 4.15b y c). Esta separacin de energa
(llamada discontinuidad de banda o band gap) es menor en un material semiconductor que en uno
aislante.
Energa
Energa
108
Conductor metlico
104
Conductividad (S cm1)
Superconductor
Bandas en slidos metlicos. En los metales del grupo 1, cada tomo aporta un orbital y un electrn a
la formacin de la banda s del metal, por lo que sta se llena a mitad (figura 4.18a). La banda s en los
metales del grupo 2 debera de estar completamente llena, pero se superpone con la banda p debido a
que la anchura de dichas bandas es grande en comparacin con la diferencia de energa entre los
orbitales atmicos. El resultado es una estructura de banda semillena que explica la conductividad de
los metales de dicho grupo (figura 4.18b).
Mg Mg
(tomo) (metal)
Na Na
(tomo) (metal)
p
3s s
Figura 4.18. (a) Banda semillena del sodio. (b) Si no
fuera por la superposicin de las bandas s y p, el
(a) (b) magnesio no sera conductor.
Bandas en slidos moleculares. Los no metales forman slidos que, en general, no son conductores. La
mala conductividad de las sustancias que forman slidos moleculares (sean sustancias elementales o
compuestos) es fcil de comprender: los electrones se encuentran fuertemente confinados en las
molculas y, para migrar a travs del slido, deben de atravesar las zonas de no enlace que separan a las
molculas. Sin embargo, una interpretacin de este hecho en trminos de teora de bandas ser til para
comprender mejor el papel de stas en la descripcin de las propiedades de los slidos.
Consideraremos el caso hipottico de un estado del hidrgeno compuesto por tomos todos ellos
igualmente espaciados (parte izquierda de la figura 4.19). Los orbitales s en dicha estructura generaran
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una banda llena hasta la mitad, por lo que sera esperable que el hidrgeno fuera metlico en tal estado.
Una situacin tal sera similar a la encontrada en el yodo a alta presin, que es metlico a altas
presiones. Aunque no han sido desarrolladas todava las tcnicas para alcanzar las presiones de 500
GPa que se creen necesarias para alcanzar el estado metlico del hidrgeno, se ha sido sugerido su
presencia bajo las altas presiones gravitacionales existentes en el interior de Jpiter o Saturno.
A continuacin, se puede considerar el efecto que la transformacin de las cadenas de hidrgeno
metlico en H2 slido tendra sobre la energa de los orbitales representados (parte derecha de la figura
4.19). Los orbitales centrales se separaran en energa ya que, en uno de ellos disminuira su energa (se
acercan tomos con interaccin enlazante y se alejan los de interaccin antienlazante) mientras que el
otro vera aumentada su energa (se acercan tomos con interaccin antienlazante y se alejan los de
interaccin enlazante). El resultado es que la banda de valencia del H2 slido est completamente llena
y, por tanto, no es conductor. Al mismo resultado se podra llenar partiendo de los orbitales
moleculares del hidrgeno molecular aislado ( y *, a la izquierda de la figura) y considerando la
formacin de bandas a partir de los mismos. Como la interaccin entre las molculas de H2 en el slido
es dbil, las bandas son estrechas y no solapan entre s.
Es interesante observar que la conductividad en un slido molecular como el dihidrgeno es mala
porque exige que los electrones salten de una zona de enlace (banda enlazante) a una zona de no enlace
(banda antienlazante). Esta visualizacin expresada en trminos de bandas coincide con la intuitiva que
habamos formulado al comienzo del presente subapartado.
H H H H H H H H H H H H H H H
!"
Figura 4.19. (a) Banda semillena del sodio. (b) Si no fuera por la superposicin de las bandas s y p, el magnesio no sera
conductor.
Bandas en compuestos. Hasta ahora, nos hemos referido exclusivamente a sustancias elementales,
aunque muchos de los aspectos son tambin aplicables a los slidos formados por ms de un tipo de
tomos. La presencia de tomos de diferente electronegatividad en el slido es previsible que pueda
dificultar la movilidad de los electrones. Un ejemplo extremo es el de aquellos compuestos que, por la
elevada diferencia de electronegatividad entre sus tomos constituyentes, pueden ser considerados
como inicos (Figura 4.20). En un slido inico, como el cloruro de sodio, la conduccin exige que un
electrn de un orbital p del cloruro migre a un orbital vaco s del sodio, para lo cul debe superar una
barrera importante de energa como puede observarse en la figura 4.20b.
Tabla 4.8. Diferencias de energa entre la banda de valencia y conductora a 300 K en elementos y compuestos con
estructura tipo diamante (blenda de cinc, en el caso de los compuestos)
Energa de Energa de Energa de (Diferencia de
Elemento gap (kJ/mol) enlace (kJ/mol) Compuesto gap (kJ/mol) electronegatividad)
C(diamante) 520 346 BN 620 1,0
Si 106 222 BP 210 0,2
Ge 64 188 AlP 240 0,6
-Sn 8 146 AlAs 200 0,6
GaP 220 0,4
GaAs 140 0,4
En slidos covalentes, el intervalo entre bandas puede ser pequeo cuando estn constituidos por
tomos de electronegatividad similar. La tabla 4.8 recoge, en las columnas de la derecha, las energas
de gap de algunos slidos de estequiometria AX, formados por combinacin de elementos de los
grupos 13 y 15 y que presentan estructura de tipo blenda de cinc (la estructura de la blenda de cinc es
similar a la del diamante, pero en ella el cinc y el azufre se alternan en las posiciones que ocupa el
carbono en el diamante). El efecto de la presencia de elementos de distinta electronegatividad puede
observarse comparando las energas de gap de los materiales isoelectrnicos diamante y nitruro de boro
o silicio y fosfuro de aluminio o germanio y arseniuro de galio. En los compuestos listados, puede
observarse sin embargo que la energa de gap disminuye, como es de esperar, cuando el tamao de los
tomos aumenta y la diferencia de electronegatividad disminuye. Elementos del grupo 14 como silicio
o germanio, y compuestos de los grupos 13/15, como los recogidos en la tabla 4.8, son utilizados como
semiconductores en muchas aplicaciones prcticas, tal cual o tras ser dopados para mejorar su
semiconductividad (ver prrafo siguiente).
Semiconductores extrnsecos. Los materiales que se utilizan como semiconductores tiene que tener un
nivel de pureza extremadamente elevado ya que pequeas cantidades de impurezas pueden afectar a sus
propiedades elctricas. Sin embargo, las propiedades de estos semiconductores intrnsecos pueden ser
mejoraras mediante la introduccin de una pequea proporcin de tomos que contengan un nmero
distinto de electrones al del elemento constituyente del semiconductor. Este proceso de
impurificacin controlada se conoce con el nombre de dopaje y el tipo de conductores resultantes se
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llaman extrnsecos. La concentracin de dopante necesaria es muy baja, a menudo basta con valores tan
9
bajos como de 1 tomo de dopante por cada 10 . El dopaje introduce una banda dadora, cuando el
dopante utilizado tiene ms electrones de valencia, o aceptora, cuando tiene menos electrones de
valencia. As, por ejemplo, los elementos del grupo 14, como el silicio, pueden ser dopados con
elementos del grupo 13, como galio, o del grupo 15, como fsforo (figura 4.21). En el primer caso, el
tenemos un semiconductor de tipo p (de positivo), ya que el elemento dopante introduce agujeros
electrnicos en la banda de valencia del silicio que facilitan la conduccin (figura 4.22). En el segundo
caso, la mejora de la conductividad se obtiene mediante la introducimos de electrones, por lo que estos
semiconductores son de tipo n (de negativo).
Figura 4.21. (a) Al sustituir tomos de silicio por galio en un cristal de
silicio, tenemos un electrn menos por cada tomo dopante. Los orbitales
Si Si vacos correspondientes del galio forman una banda estrecha (ya que los
tomos de Ga estn muy alejados entre s). Esta banda vaca est situada
por encima de la correspondiente llena del silicio, ya que este elemento
As es algo ms electronegativo que el galio. A T > 0 K, algunos de los
Banda
Energa
Energa
Los semiconductores formados por compuestos de los grupos 13/15 se dopan con dadores del grupo 16
o aceptores del grupo 15.
4.5 Aleaciones
Una aleacin es una combinacin de dos o ms metales, o de metales y no metales, preparados por
mezcla de los compuestos fundidos cuyo enfriamiento produce un slido que exhibe propiedades
metlicas. Las aleaciones pueden ser disoluciones homogneas slidas, en las que los tomos de un
metal estn distribuidos al azar entre los tomos del otro, o compuestos de composicin y estructura
definida. Las disoluciones slidas se clasifican como sustitucionales o intersticiales.
Disoluciones slidas sustitucionales. En una disolucin slida sustitucional, el metal soluto ocupa
algunas de las posiciones del metal disolvente (figura 4.22a y b). Estas disoluciones estn favorecidas
cuando las caractersticas de los tomos del soluto y disolvente son similares, es decir, cuando sus
radios atmicos y electronegatividades son parecidas (menos de un 15% de diferencia, en el caso de los
radios) y las estructuras en las que cristalizan los elementos son iguales (ver ejemplos en tabla 4.9).
Tabla 4.9. Formacin de disoluciones slidas sustitucionales
Radio Electronegatividad Estructura cristalina
Metal metlico () de Pauling del metal puro
Ni 1,25 1,91 ccp Se combinan en cualquier proporcin en
Cu 1,28 1,90 ccp aleaciones CuxNi1x
Na 1,86 0,93 ccc No forman disoluciones slidas (diferencia
K 2,30 0,82 ccc de radios del 20%).
Cu 1,28 1,90 ccp Son slo parcialmente miscibles. El
Zn 1,37 1,65 hcp latn tiene la estructura ccp del cobre y
composicin Cu1xZnx, donde 0 < x < 0,38.
Disoluciones slidas intersticiales. En una disolucin slida intersticial, el metal soluto ocupa algunos
de los intersticios de la estructura del metal disolvente (figura 4.22c). En empaquetamientos compactos,
los tomos del soluto pueden ocupar huecos octadricos o tetradricos. El tamao de estos huecos es
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 87
pequeo ya que el mximo radio de la esfera que tericamente puede ocupar dichos huecos es 0,414 y
0,225 veces el radio del metal, respectivamente. Por ello, los tomos del soluto son muy pequeos
(como B, C o N) y ocupan los huecos octadricos, que son los de mayor tamao. El resultado puede ser
la formacin de un compuesto de estequiometra definida (como el carburo de wolframio, WC) o lo que
sera propiamente una disolucin slida intersticial en la que los tomos pequeos se distribuyen al azar
en el disolvente (tambin llamados compuestos no estequiomtricos).
(a) (b)
Un clase importante de este tipo de materiales lo constituyen los aceros que son aleaciones de hierro
con cantidades de carbono que oscilan entre 0,03 y 1,5%. La proporcin de carbono en un acero
determina de forma muy importante sus propiedades, tal como se estudiar en la asignatura de Ciencias
de Materiales.
Compuestos intermetlicos. El trmino compuesto intermetlico ha sido utilizado con significados
variados, pero podramos definirlo como cualquier fase slida compuesta por dos o ms metales,
incluyendo opcionalmente algn no metal, que no est comprendida en las categoras discutidas en los
prrafos anteriores. Esta definicin incluira:
Aleaciones ordenadas. Las disoluciones slidas discutidas anteriormente se obtienen preferentemente
cuando la mezcla fundida se enfra rpidamente, de forma que los tomos de soluto se distribuyen
aleatoriamente en los del disolvente y la composicin de la aleacin viene dada por la de la disolucin,
dentro de los lmites de miscibilidad. Si el enfriamiento es lento, es ms probable que se obtengan
estructuras ordenadas por cristalizacin de los metales constituyentes por separado o por formacin de
compuestos intermetlicos. El latn (CuZn) es un ejemplo de compuesto intermetlico (figura 4.23a)
frente al latn descrito en la tabla 4.9. Por otra parte, los tomos metlicos de distinto tamao, como
cobre (1,28 ) y oro (1,44 ), se combinan preferencialmente en estructuras ordenadas como AuCu
(figura 4.23b) o AuCu3, ya que son ms compactas y, por ende, ms estables.
Fases de Zintl. Estn formadas por un elemento electropositivo (componente catinico) que puede ser
un metal alcalino, alcalino-trreo o lantnido, y un componente aninico formado por un elemento de
los grupos principales de moderada electronegatividad. La parte aninica cumple con los
requerimientos de los compuestos de valencia normal, es decir con la regla de octeto (figura 4.24).
88 | Qumica Inorgnica I. Curso 2012/2013 Ernesto de Jess Alcaiz
Estos compuestos no son completamente inicos (aunque son a menudo quebradizos) y suelen tener
algunas propiedades metlicas, incluyendo lustre. Ofrecen a menudo un compromiso entre las
propiedades de las cermicas y los metales cuando la dureza y/o la resistencia a las altas temperaturas
es lo suficientemente importante como para sacrificar algo de la resistencia a la fractura y facilidad de
procesado caracterstica de los metales.
(a) (b)
Figura 4.23. (a) El latn (CuZn) tiene estructura de tipo cloruro de cesio. (b) Estructura del AuCu.
(a) (b)
Figura 4.24. (a) Estructura de compuestos como o SrGa2 o MgB2. Los tomos de boro o galio en estas estructuras forman
una capa hexagonal plana, similar a la del grafito. En dichas capas, los tomos de boro o galio tienen una carga negativa, lo
que les hace isoelectrnicos con el carbono, de ah la analoga estructural. Las capas cargadas negativamente estn separadas
por capas de cationes Sr2+ o Mg2+. (b) Estructura del CaSi2. Cada silicio tiene carga 1, lo que le hace isoelectrnico con los
elementos neutros del grupo 15. La capa alabeada que se forma es similar a la descrita para el arsnico.
Obsrvese que las fases de Zintl combinan un elemento muy electropositivo con otro menos
electropositivo. En un diagrama de Ketelaar, se encuentran por encima de las verdaderas aleaciones
(figura 4.25).
Inicos
Electrolitos
Duros
3,5
3,0
2,5
INICO
2,0 Diferencia de
electronegatividad
fases 1,5
de Zintl
1,0
aleaciones COVALENTE
0,5
METLICO
0
1 1,5 2 2,5 3,0 3,5 4,0
Metales Electronegativodad media Covalentes Figura 4.25. El tringulo de Ketelaar, con
Conductores PHGLD Aislantes las zonas aproximadas de aleaciones y fases
Maleables Blandos de Zintl indicadas.
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 89
La figura 4.26 resume grficamente los tipos de compuestos que constituyen la fuente natural principal,
aunque no necesariamente nica, de cada metal. La mayora de metales nobles se extraen nativos. Las
combinaciones ms habituales del resto de metales pueden comprenderse bien en trmicos de cidos
duros y blandos. Los metales cuyos cationes son duros (grupos 1 y 2, elementos de la izquierda de los
metales de transicin, los cationes del bloque p ms pequeos o de mayor carga) se asocian
preferentemente con el oxgeno en xidos, silicatos, carbonatos o fosfatos. En cambio, los metales
cuyos cationes son blandos (elementos de la derecha de los metales de transicin, cationes del bloque p
ms grandes o de menor carga) se asocian preferentemente con el azufre en sulfuros. Esta
diferenciacin ya fue observada a principios del siglo XX por Victor Goldschmidt, uno de los padres de
1 2
Li Be 13
Na Mg 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al
Sulfuros Carbonatos
K Ca Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga 14
xidos Halogenuros
Rb Sr Zr Nb Mo Ru Rh Pd Ag Cd In Sn 15
Silicatos No combinados
Cs Ba Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi
Figura 4.26. Tipos de compuestos que constituyen las fuentes principales de los metales.
Se excluyen los metales del grupo 3 y los lantnidos.
90 | Qumica Inorgnica I. Curso 2012/2013 Ernesto de Jess Alcaiz
la geoqumica, que introdujo una clasificacin que distingua entre litfilos (elementos asociados con
oxgeno) y calcfilos (elementos asociados con azufre).
Metalurgia. La rama de la ciencia que estudia la extraccin de los metales a partir de sus menas se
denomina metalurgia. El proceso de obtencin de un metal incluye, en general, una o ms de las
siguientes etapas: a) preparacin del mineral; b) concentracin del mineral, c) tratamiento qumico del
mineral; d) reduccin a metal, e) purificacin del metal.
En muchos casos, conviven varios mtodos de obtencin de un metal, o cualquier otro elemento, y la
eleccin de uno u otro viene dada por la accesibilidad de los compuestos de partida (directamente en la
naturaleza como minerales o que puedan obtenerse eficazmente por transformacin qumica de los
mismos), criterios medioambientales, el coste econmico y la pureza requerida, as como la escala de
produccin (laboratorio o industrial, por ejemplo). En este apartado se discuten nicamente los mtodos
generales de preparacin y algunas razones que los justifican.
Preparacin del mineral. La preparacin del mineral consta de una primera etapa que es su trituracin
hasta un tamao suficientemente pequeo como para que se pueda separar la mena de la ganga. Se
distingue entre quebrantamiento (tamao de una avellana), trituracin (intermedio) y molienda (hasta
conversin en una harina).
Concentracin del mineral. La ganga hace que la ley del metal (porcentaje de metal) disminuya, por lo
que es necesario separarla de la mena. La separacin se puede realizar por gravedad, aprovechando que
la slice es menos densa que los xidos o sulfuros metlicos (por ejemplo, por flotacin en un lquido
de densidad intermedia entre la mena y la ganga), magntica (por ejemplo, en el caso de minerales
magnticos como la magnetita), electrosttica (cargando los granos y aprovechando que los materiales
ms conductores disipan ms rpidamente las cargas), o por flotacin espumante. Este ltimo mtodo
se aplica a minerales que repelen el agua por si mismos o por la unin a su superficie de surfactantes de
forma que la parte hidrfoba de los mismos quede expuesta al medio. El mineral, en forma de un polvo
fino, se mezcla con agua que contiene un poco de aceite u otro reactivo flotante en agua que recubre las
partculas. Se burbujea aire a travs de la disolucin, a la que se le ha aadido un tensoactivo
(espumante) para favorecer la formacin de espuma. Las partculas de mena mojadas de aceite
ascienden a la superficie pegadas a las burbujas de aire.
Tratamiento qumico del mineral. Antes de someter el mineral a reduccin, se transforma
qumicamente a un compuesto qumico que se reduzcan ms fcilmente mediante el proceso
seleccionado. En general, la mayora de procesos de reduccin parten de xidos o halogenuros. La
transformacin de carbonatos o hidrxidos en xidos se realiza por va trmica:
!
CaCO3(s) CaO(s) + CO2(g)
!
Mg(OH)2(s) MgO(s) + H2O(g)
mientras que los sulfuros se convierten en xidos mediante tostacin, es decir, mediante calentamiento
por debajo del punto de fusin en presencia de oxgeno del aire:
!
2 ZnS(s) + 3 O2(g) 2 ZnO(s) + 2 SO2(g)
Los silicatos se transforman en xidos por desplazamiento con xido de calcio (o cualquier xido ms
bsico) que se puede obtener in situ a partir del carbonato:
!
MSiO3(s) + CaCO3(s) CaSiO3(s) + CO2(g) + MO
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 91
Los xidos o hidrxidos pueden ser fcilmente convertidos en halogenuros por va hmeda. As, por
ejemplo, el LiCl se obtiene a partir del mineral espodumeno, LiAl(SiO3)2, mediante su conversin
previa en xido de litio mediante un proceso anlogo al descrito arriba.
!
LiAl(SiO3)2(s) + 2 CaCO3(s) 2 CaSiO3(s) + 2 CO2(g) + Li2O(s)
HCl
LiCl
En algunos casos, las fuentes naturales de un metal contienen una mezcla de metales como un nico
compuesto o como mezcla de compuestos, lo que exige pasos previos de separacin antes de la
reduccin. Un ejemplo es la obtencin del aluminio a partir de la bauxita, un xido de aluminio
impurificado con xidos de hierro, silicio o titanio, entre otros. La bauxita se purifica mediante el
proceso Bayer que se basa en las diferencias de comportamiento cido-base de dichos xidos:
Filtracin
Al(OH)3(s) Al(OH)3(s) + "SiO44(ac)"
! H2O
Al2O3(s)
Reduccin del metal. Los mtodos habituales pueden relacionarse con los potenciales de reduccin a
metal, de forma que de menor a mayor potencial, podemos distinguir entre:
a) Los metales muy activos, como el sodio o aluminio, slo pueden ser obtenidos por reduccin
electroqumica. La electrolisis debe de realizarse usualmente a partir de las sales anhidras fundidas, ya
que de lo contrario, se reducira generalmente el agua con preferencia al metal. De esta forma, se
obtienen metales como el litio, sodio, calcio, magnesio o aluminio.
Sodio: El sodio se obtiene mediante el proceso Dows en el que se electroliza NaCl fundido, en
presencia de CaCl2 que reduce el punto de fusin de 1073 K para el NaCl a 870 K para la mezcla. En el
proceso Dows se obtiene tambin cloro (ver otro mtodo complementario de obtener cloro en el
siguiente apartado). El litio se obtiene a partir de LiCl de forma anloga.
+
Ctodo: Na + 1 e Na(l)
nodo: 2 Cl Cl2(g) + 2 e
No siempre se utiliza carbono, bien porque no sea posible termodinmicamente (ver apartado diagrama
de Ellingham), bien porque se requiera el metal en un elevado estado de pureza (ver apartado de
purificacin del metal), bien porque el metal obtenido forme aleaciones con el carbono (por ejemplo, ).
En dichos casos, se emplean reductores como hidrgeno, aluminio o magnesio.
!
B2O3 + 3 Mg 2 B + 3 MgO(g) Cr2O3 + 2 Al Al2O3 + 2 Cr
La extraccin de algunos metales puede ser preferible realizarla mediante procesos hidrometalrgicos
(en disolucin acuosa) en lugar de pirometalrgicos. Las reducciones hidrometalrgicos pueden ser
igualmente electroqumicas (electrolisis en disoluciones acuosas) o qumicas (reducciones con otro
metal en disolucin acuosa). Se usan cuando el mineral que contiene el metal est en concentracin
muy baja y no se puede separar por mtodos fsicos, o est mezclado con otros, o se extrae de fuentes
solubles como el agua del mar.
c) Los metales poco activos (poco electropositivos) se reducen con facilidad. xidos como los de
plata(I) o mercurio(II) descomponen por simple calentamiento:
160 400
Ag2O 2 Ag + 1/2 O2 HgO Hg + 1/2 O2
300
Plata y mercurio se encuentran en la naturaleza como sulfuros, pero por tostacin en presencia de
oxgeno se obtiene directamente el metal en lugar del xido:
!
HgS(s) + O2(g) Hg(g) + SO2(g)
aunque la plata se obtiene a partir del sulfuro de plata por un proceso algo ms complejo.
En otros casos, la reduccin va hmeda mediante otro metal ms activo puede ser el mtodo preferido:
!
Cu2+(ac) + Fe(s) Cu(s) + Fe2+(ac)
d) Los metales menos activos (oro, platino, plata, etc.) pueden aparecer en estado libre y, por lo tanto,
no precisan de reduccin.
Diagrama de Ellingham. La termodinmica de los procesos de reduccin de xidos, cloruros, sulfuros
u otros derivados metlicos al metal en estado elemental puede ser estudiada con la ayuda de un
diagrama de Ellingham. La figura 4.27 muestra el diagrama correspondiente a una serie de xidos
metlicos, en el que se representa la variacin con la temperatura de la G por mol de oxgeno
consumido de la reaccin de formacin del xido metlico:
2 M(s) + O2(g) 2 MO(s) Gf(MO)
La variacin de la energa libre de reaccin con respecto a la temperatura es lineal, de acuerdo a la
ecuacin Gf = Hf TSf. La pendiente es positiva ya que en la formacin de un xido metlico
aumenta el orden (Sf < 0).
Los xidos situados en la parte inferior del diagrama se reducen con dificultad, mientras que los
situados en la parte superior lo hacen con facilidad. Por otra parte,
MO + M MO + M G = Gf(MO) Gf(MO)
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 93
NiO
EnergtDVOLEUHVQRUPDOHVGHIRUPDFLyQGHy[LGRVGo), kJ/mol de O2
PbO
200 &2 2
O 2
O+
2C
FeO
C + O2&22
400
MnO
ZnO SiO2
Cr2O3 2C
+O
2
&
600 2
TiO2
800
Al2O3
MgO CaO
1000
Figura 4.27. Diagrama de Ellingham
en el que se representa la variacin de
1200
la energa libre de formacin de
xidos metlicos en funcin de la
0 400 800 1200 1600 2000
temperatura, C
temperatura.
Produccin pirometalrgica de hierro. Los procesos qumicos que se producen en un alto horno se
representan esquemticamente en la Figura 4.28. El alto horno es alimentado con la mena de hierro,
como xido de hierro(III), coque (carbono impuro) y calcita (carbonato de calcio) por su parte superior
(figura 4.18). Estos slidos migran en sentido descendiente por el interior del alto horno, en el que
existe un gradiente de temperaturas desde los 200 C de la parte superior hasta los 2000 C de la parte
inferior. Por la parte inferior se inyecta aire que para quemar el carbono, transformndose a esta
temperatura en CO. Este monxido de carbono asciende por el alto horno y reduce el xido de
hierro(III) a hierro metlico segn el proceso global:
Fe2O3 + 3CO 2Fe + 3CO2
El hierro se recoge fundido en la parte inferior del alto horno (el punto de fusin del hierro puro es de
1535 C, aunque el hierro impurificado obtenido en el alto horno funde a una temperatura inferior). Sin
embargo, la reduccin del hierro ocurre en varias etapas. En la parte superior del horno, a temperaturas
de entre 200 y 700 C, el xido de hierro(III) puede ser reducido a xido de hierro(II)hierro(III):
3 Fe2O3(s) + CO(g) 2 Fe3O4(s) + CO2(g)
mena, coque y
calcita (CaCO3)
gases gases
O3
H2
)
200 &2 2
O4
O2
)H
3
+ +O
2
O4 O 200 C
Fe
3 2C 3 Fe2O3&2
Go, kJ/mol de O2
4 O 2
+ 2 Fe3O4 + CO2
300 O eO
Fe F
5
(2) e + O2
2F 3 Fe3O4&2)H2&22
(1) C + O2&22 CaCO3&D2&22
400 900 C
(3)
2C )H2&2)H&22
+O C + CO2&2
2
500 &2 1200 C
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 CaO + SiO2&D6L23
temperatura, C fusin del hierro
1800 C
aire aire
2 C + O2
caliente 2 CO caliente
(600 C)
escoria
hierro
Figura 4.28. A la derecha, se esquematiza un alto horno en el que se muestra el gradiente de temperaturas y los procesos
qumicos principales en cada una de las zonas de temperatura. A la izquierda, se representan en un diagrama de Ellingham
los procesos de oxidacin del hierro (en negro) y el carbono (en azul) relevantes para el funcionamiento de un alto horno.
de unos 850 C, la termodinmica de la reduccin del Fe3O4 formado en el proceso anterior a xido de
hierro(II) con CO es favorable [punto (2) en Figura 4.28]:
Fe3O4(s) + CO(g) 3 FeO(s) + CO2(g)
A partir de temperaturas de unos 1000 C, el xido de hierro(II) se reduce a hierro metlico, mediante
el proceso global [punto (3) en Figura 4.28]:
FeO(s) + C(s) Fe(s) + CO(g)
aunque la reaccin se produce en dos etapas, evitando las limitaciones cinticas de la reaccin entre dos
slidos:
C(s) + CO2(g) 2 CO(g) FeO(s) + CO(g) Fe(s) + CO2(g)
Ms abajo, entre 1200 y 1500 C, el hierro funde y el xido de calcio, formado ms arriba por
descomposicin trmica de la calcita, reacciona con las impurezas de dixido de silicio del la mena de
hierro para producir silicato de calcio (escoria).
Purificacin del metal. El metal obtenido en bruto mediante los procesos descritos anteriormente, debe
de ser refinado (purificado) en muchas ocasiones, al menos para ciertas aplicaciones. Por ejemplo, el
cobre o plomo obtenidos va pirometalrgica son refinados mediante un proceso electroqumico en el
que el metal se disuelve mediante oxidacin electroltica en el nodo de una clula electroltica y se
vuelve a depositar en el ctodo por reduccin (figura 4.29). El control adecuado del potencial
electroltico permite que solamente el metal deseado, y no sus impurezas, sufran el ciclo completo de
disolucin/deposicin.
Las aplicaciones en microelectrnica del silicio exigen un altsimo nivel de pureza (99,9999999%). El
silicio se obtiene en grandes cantidades, pero muy impurificado, mediante reduccin pirometalrgica
con carbono (pureza >98%):
!
SiO2(s) + 2 C(s) Si(l) + 2 CO(g)
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 95
e e
V
Ctodo nodo
Mn+
Figura 4.29. Purificacin electroltica de un
metal. El nodo est formado por el metal
Metal Metal
impurificado y el metal puro se deposita en
puro impuro
el ctodo.
Otro mtodo de purificacin del silicio consiste en el refinado por fusin por zonas. Este mtodo se
basa en que muchas impurezas no encajan en la red de un cristal del metal puro. Se utiliza una barra del
metal que se empieza a calentar por un extremo hasta que dicha zona se funde. El foco de calos se va
entonces moviendo progresivamente hacia el otro extremo para que se desplace as la zona fundida. Las
impurezas no penetran fcilmente en la red del metal que solidifica y, por tanto, van siendo arrastradas
con la zona fundida, de manera que acaban acumulndose en el otro extremo de la barra. As se obtiene
silicio con niveles de impurezas menores de 0,1 ppb.
Ctodo de
acero o cobre
Diafragma de
metal Monel (Cu/Ni)
Figura 4.30. El diseo de una clula
nodo de electroltica para la produccin de flor debe
electrolito: HF + KF fundido carbono de impedir la mezcla explosiva del flor e
hidrgeno producidos.
El cloro se puede obtener por electrlisis de NaCl fundido (se obtiene adems sodio), pero tambin de
disoluciones acuosas de NaCl si se utiliza un electrodo que genere un sobrepotencial ms alto para el
desprendimiento de cloro que de oxgeno. Este proceso es la base de la industria del cloro-alcali, en la
que se produce, adems, hidrgeno e hidrxido de sodio:
nodo: 2 Cl(ac) Cl2(g) + 2e
Ctodo: 2 H2O(l) + 2e H2(g) + 2 OH(ac)
Proceso global: 2 NaCl(ac) + 2 H2O(l) Cl2(g) + H2(g) + 2 NaOH(ac)
A escala de laboratorio, el cloro puede ser obtenido por oxidacin qumica con, por ejemplo, MnO4.
El bromo y el yodo se obtienen por oxidacin de bromuro y yoduro con cloro:
Cl2(g) + 2 X(ac) X2(g) + 2 Cl(ac)
Obtencin de azufre. El azufre nativo se ha extrado tradicionalmente mediante el mtodo de Frash que
se ilustra en la siguiente figura 4.31. Sin embargo, la produccin actual de azufre aprovecha casi
exclusivamente el sulfuro de hidrgeno que debe de ser eliminado obligatoriamente del gas natural y
petrleo que se comercializa como combustible. La extraccin del H2S se realiza mediante el proceso
Claus:
1000-1400 C
H2S(g) + 3/2 O2(g) SO2(g) + H2O(l)
200-350 C
H2S(g) + SO2(g) 3 S(l) + 2 H2O(l)
catalizador
98 | Qumica Inorgnica I. Curso 2012/2013 Ernesto de Jess Alcaiz
Obtencin de no metales y metaloides por reduccin. En muchos casos, los metales y metaloides se
obtienen mediante procesos de reduccin como los estudiados para los metales:
a) Este es el caso de aquellos no metales y metaloides menos electronegativos que se encuentran
formando combinaciones con estados de oxidacin positivos (grupo 15: fsforo, arsnico y antimonio;
grupo 14: silicio y germanio; grupo 13: boro).
b) La reduccin es tambin el paso final de la preparacin de elementos como selenio y teluro que se
encuentran en la naturaleza en estados de oxidacin negativos, pero en cuyo proceso de extraccin son
oxidados previamente, por razones prcticas, a estados de oxidacin positivos:
Cu2Se(ac) + Na2CO3(ac) + 2 O2(g) 2CuO(s) + Na2SeO3(ac) + CO2(g)
Bibliografa
Estructura de metales, aleaciones, conductores y semiconductores: Shriver (2 edicion), parte del captulo 4;
Shriver (4 edicin), parte del captulo 3; Housecroft (2 edicin), parte del captulo 5. Obtencin de
metales, diagramas de Ellingham: se puede encontrar en el captulo 5 del Shriver (2 edicion), captulo 7 del
Shriver (4 edicin), captulo 7 del Housecroft (2 edicin). Estructura y preparacin de los no metales:
existe alguna informacin en los captulos 5 del Shriver (2 edicion) y captulo 7 del Shriver (4 edicin),
pero casi toda la informacin debe de localizarse en la primera parte del captulo dedicado a la qumica de
cada uno de los grupos.
Seminarios
metales, no metales y semimetales
4.1 Traza, sobre un trozo de papel, el perfil de la tabla peridica y marca las regiones donde se encuentran
los metales, los no metales y los semimetales.
4.2 En cada uno de los siguientes pares, selecciona el elemento que esperas que presente mayor carcter
metlico: a) Li o Be, b) B o Al, c) Al o Cs, d) Sn o P, e) Ga o I.
4.3 El berilio y el aluminio forman hidrxidos anfteros. Busca alguna relacin entre su semejanza qumica
y su situacin en la tabla peridica.
Grado en Qumica. Universidad de Alcal Tema 4: Los elementos | 99
4.4 Qu tipos de estructura son los ms habituales en los metales? Dnde estn usualmente en la tabla
peridica los metales que no tienen estos tipos habituales de estructuras?
4.5 Establezca el nmero de coordinacin de una esfera en cada una de las siguientes disposiciones: (a)
cbica compacta; (b) hexagonal compacta; (c) cbica centrada en el cuerpo; (d) cbica centrada en las
caras; (e) cbica simple.
4.6 Dibuje una capa de esferas empaquetadas compactamente (capa A). En esta capa, marque las
posiciones de los centros de los tomos de la capa contigua B con el smbolo y las posiciones de los
centros de los tomos de la capa C en un empaquetamiento cbico con el smbolo .
4.7 El sodio metlico tiene una densidad de 0,970 g cm3 y una estructura cbica centrada en el cuerpo.
Determine la longitud de la arista de su celdilla unidad.
4.8 El sodio, sometido a 1 bar de presin, sufre un cambio de fase a 36 K pasando de la forma a una
forma . Una es cbica entrada en el cuerpo y la otra es hexagonal compacta. Sugiera, razonando, cul
es cul.
4.9 Los puntos de fusin de los elementos del grupo 17 aumentan conforme descendemos en el grupo. As,
a temperatura ambiente el cloro es gaseoso, el bromo es lquido y el yodo es slido. En cambio, sus
energas de disociacin disminuyen en el mismo sentido. Qu interpretacin se podra dar a este
comportamiento?
4.10 Por qu el fsforo blanco es autoinflamable al aire?
4.11 Describa y relacione la conductividad elctrica de los siguientes materiales con su estructura:
(a) grafito; (b) yodo a alta presin.
4.12 Los elementos N, O y F forman molculas diatmicas Por qu no las forma el carbono?
4.13 A qu se debe la irregular variacin de los puntos de fusin de los elementos B (2450 C), Al (660,1
C), Ga (29,78 C), In (156.17 C) y Tl (303.4 C)? Por qu los puntos de ebullicin varan de forma
regular: B (3931 C), Al (2327 C), Ga (2250 C), In (2070 C) y Tl (1453C)?
4.14 Utilizando los valores de energa de enlace y considerando las reacciones 8E(g) 4E2(g) y 8E(g)
E8(g) para E = O y E = S, demuestre que la formacin de molcula diatmicas est favorecida para
oxgeno, mientras que la formacin de ciclos lo est para el azufre.
conductores y semiconductores
4.15 a) Describa cmo vara la discontinuidad de las bandas de orbitales para los elementos carbono
(diamante), silicio, germanio y estao (gris).
b) Aumenta o disminuye la conductividad elctrica del silicio cuando su temperatura vara de 20 a 40
C?
4.16 Seala de qu tipo son probablemente los siguientes semiconductores extrnsecos: (a) Ge dopado con
As; (b) Ge dopado con Ga.
aleaciones
4.17 La aleacin intersticial carburo de silicio, WC, tiene una estructura de tipo cloruro de sodio. Descrbela
en trminos de huecos rellenos de un empaquetamiento compacto.
100 | Qumica Inorgnica I. Curso 2012/2013 Ernesto de Jess Alcaiz
4.6
" " " "
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" " " "
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4.7 Hay dos tomos de sodio por celdilla unidad. La densidad de una celdilla tiene que ser igual a la del conjunto del slido por
lo que densidad = (2 tomos/celdilla 22,99 u/tomo 1,660 1027 u/kg)/Volumen celdilla = 968 kg m3. Por tanto, el
volumen de la celdilla es de 7,885 1029 m3, por lo que la arista es de 4,29 1010 m = 4,29 .
4.8 Se esperara que el aumento de la temperatura diera lugar a una fase menos densa, es decir, que la fase fuera la cbica
centrada el cuerpo, menos compacta que la hexagonal compacta.
4.9 Los puntos de fusin estn relacionadas con la energa de las interacciones intermoleculares, mientras que las energas de
disociacin lo estn con las energas de enlace intramoleculares. Estas ltimas se espera que, en general, sean ms intensas
cuando los tomos que se enlazan son pequeos, ya que el solapamiento de los orbitales atmicos es mayor, lo que
explicara las menores energas de disociacin en las molculas de mayor tamao. Por otra parte, los halgenos forman
molculas apolares que, por tanto, interaccionen entre s mediante fuerzas de dispersin o de London que son ms intensas
para las molculas de mayor tamao, ya que la densidad electrnica es ms polarizable. Esto explica el aumento de los
puntos de fusin al aumentar el tamao del halgeno.
4.10 Ver teora.
4.11 Ver teora.
4.12 Dos tomos de carbono no se puede unir mediante un enlace cudruple. No es posible que los cuatro orbitales de valencia
disponibles en el carbono (uno s y tres p) se orienten en una misma direccin.
4.13 El punto de fusin de una sustancia se puede relacionar con la energa de la red cristalina, es decir con la energa necesaria
para separar los tomos, iones o molculas cuya organizacin genera la estructura del slido. El tipo de enlace entre estas
unidades estructurales (intermolecular, covalente, inico) y la fortaleza del mismo juegan un papel determinante en el
proceso. Por ejemplo, la variacin de los puntos de fusin de los elementos del grupo 17 se puede justificar en base a la de
las fuerzas intermoleculares que se establecen entre molculas apolares X2. Sin embargo, es difcil de establecer
comparaciones entre slidos que adopten estructuras diferentes ya que la manera en la que se organizan tomos, iones o
molculas determina tambin la estabilidad de la red slida. Los elementos del grupo 13 adoptan estructuras tridimensioanes
muy dispares, incluso en el caso de los elementos metlicos, lo que dificulta la comparacin de sus propiedades. Mientras
que aluminio y talio cristalizan en un empaquetamiento compacto tpicamente metlico, cbico y hexagonal,
102 | Qumica Inorgnica I. Curso 2012/2013 Ernesto de Jess Alcaiz
respectivamente, galio e indio adoptan empaquetamientos no compactos que explican sus anormalmente bajos puntos de
fusin. Concretamente, el bajo punto de fusin del galio se puede explicar por la particularidad de su estructura que es
ortorrmbica y tiene similitudes con la de los halgenos, en el que cada tomos de galio est rodeado de otros 12 pero con
uno de ellos a una distancia ms corta que el resto. Cuando los slidos funden, la estructura organizada del slido colapsa en
mayor o menor medida, disminuyendo las diferencias estructurales en estado lquido, lo que explica la variacin ms simple
observada en los puntos de ebullicin.
4.14 La energa de un enlace doble O=O es muy superior a la de dos enlaces sencillos OO, por lo que la formacin de molculas
diatmicas est termodinmicamente favorecida (1992 frente a 1136 kJ/mol). En cambio, la energa de un enlace doble
S=S es inferior a la de dos enlaces sencillos SS, por lo que la formacin de octaazufre est termodinmicamente favorecida
(1808 frente a 1724 kJ/mol).
4.15 (a) Todos estos elementos del grupo 14 tienen una forma alotrpica con estructura de tipo diamante, por lo que la
comparacin puede establecerse nicamente entre dichas formas alotrpicas de estructura comn. La separacin energtica
entre la banda de valencia y la conductora disminuye en las formas de estructura tipo diamante conforme aumenta el tamao
del tomo considerado (C > Si > Ge > Sn). (b) Se espera que aumente, ya que se trata de un material semiconductor.
4.16 (a) Semiconductor extrnseco de tipo n. (b) Semiconductor extrnseco de tipo p.
4.17 Los tomos del metal (wolframio) constituiran el empaquetamiento compacto cbico de esferas (ocuparan los vrtices y
centros de las caras de una celdilla cbica) mientras que los tomos de carbono ocuparan todos los huecos octadricos
(situados en los centros de las aristas y en el centro del cubo).
4.18 Cu3Au. Cbica simple.
4.19 Ver teora.
4.20 Ver teora.
4.21 BCl3 + 3/2 H2 B + 3 HCl; As2O3 + 6 H2 2 As + 3 H2O; SiO2 + 2 C Si + 2 CO
4.22 a) flor es el elemento ms oxidante; b) la oxidacin del agua a oxgeno es ms favorable; c) el cloro oxida al anin yoduro
s yodo.
4.23 El sodio formado sera oxidado por el agua o, en otras palabras, la reduccin de los protones del agua es ms favorable que
la de los cationes sodio.
4.24 a) 2 X + Cl2 2 Cl + X2 (X = Br, I); b) Recombinacin de hidrgeno y flor para dar fluoruro de hidrgeno en una
reaccin radicalaria en cadena; c) no, el yodo se encuentra en la naturaleza tambin en estados de oxidacin positivos, como
NaIO3 del que se asla el elemento por reduccin.
4.25
4.26 La oxidacin de CO a CO2 es ms favorable termodinmicamente que la del carbono a CO hasta aproximadamente 1000 K.
4.27 (a) El xido de plata a partir de unos 200 C; 2 Ag2O(s) 4 Ag(s) + O2(g). (b) El xido de magnesio, por ejemplo, a partir
de unos 1850 C; MgO(s) + C(s) Mg(s) + CO(g). (c) El xido de aluminio. (d) El xido de plomo, por ejemplo. PbO(s) +
H2(g) Pb(s) + H2O(g). (e) A partir de unos 700 C. 2 H2O(s) + C(s) Ag O 2
0
H2(g) + CO(g). (f) Un cambio en la pendiente de la recta significa un
cambio en la variacin de entropa de la reaccin. Esto sucede PbO
EnergtDVOLEUHVQRUPDOHVGHIRUPDFLyQGHy[LGRVGo), kJ/mol de O2
(419)
4.28 Debe calcular, en primer lugar, la entalpa y entropa para el proceso por 2C
+O
mol de oxgeno que reacciona, es decir, para la ecuacin ajustada de la 2
UO3 &
600 2
siguiente forma: 2/3 U(s) + O2(g) 2/3 UO3(s). La entalpa de
formacin del UO3 es la que interviene en la formacin de 1 mol de
(419)
dicho xido, por lo que H = 1224 (2/3) = 816 kJ mol1. La
800 (768)
entropa del proceso es S = (2/3) S(UO3) (2/3) S(U) S(O2) =
174,6 J K1 mol1. A continuacin, debe calcular los valores de G = Al2O3
MgO
H TS a, por ejemplo, 0, 1000 y 2000 C para poder trazar la recta
1000
correspondiente en el diagrama.
4.29 (a) ; (b); (c).
1200