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ING. DE TELECOMUNICACIONES
PRESENTADO POR:
DAVID FELIPE QUINTERO INCA
C.C. 1.085.283.875
TUTOR:
MARCO JOSE BARRERA
E1 E2
1.61
1.16
0.6m
Q1=
Q2= 2C
2C 1.5m
1.0m
91092106
E1 2
0.93 ; 0.37
1.61
91092106
E2 0.86 ; 0.51
1.16 2
Para la carga 2 se realiza el mismo ejercicio anteriormente detallado.
E 169440.93 ; 0.37
E 2133760.86 ; 0.51
Ca
E1x
h
1.5 m
E1x
1.61m
E 1 x0.93
Co
E1 y
h
0.6 m
E1y
1.61 m
E 1 y0.37
E 16457.92; 2569.28
E 211503.36 ; 6821.76
1.67m 1.25m
Q1=2C Q3=4C Q2=2C
E230.04
41062106
E13910 9
1.672
E132.58
Fneta 2.53 N
10. Cuando se le aplica una diferencia de potencial de 165 V a las placas
paralelas de un capacitor, stas tienen una densidad de carga superficial de
2
36 nCcm . Cul es el espaciamiento entre ellas?.
V 165 v
Q
36109
A
Realizamos el anlisis de los elementos que nos dan para la solucin del
problema como la diferencia de potencial y encontramos que la densidad de
carga superficial corresponde al cociente entre la carga y el rea de las placas.
Q3610 9 A
Q 0 A
C
V d
V 0
d donde 0 es laconstante de permitividad
Q
165 v 8.851014
d 0.04 cm
3610 9
48 mC
V
8 F
V 6000 V
EQV
V0V
0V
V
2
QV
E
2
Remplazamos para obtener la energa inicial.
48 mC1200 V
E
2
E28.8 J
Para la energa total al final remplazamos:
'
48 mCV
E
2
Q
V'
C1C 2
48 mC
V'
48 F
V ' 1000 V
48 mC1000 V
E
2
E24 J