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TEMA 3: DIFRACCIN DE RAYOS-X Y ESTRUCTURA

CRISTALINA

I. DISPERSIN POR ELECTRONES Y POR TOMOS

Dispersin originada por un electrn

Si un electrn se encuentra sumergido en el camino de propagacin de una onda elec-

tromagntica de rayos-X, comienza a vibrar forzadamente acoplado a los cambios pe-
ridicos del campo elctrico componente de la radiacin. Tales oscilaciones electro-
magnticas implican aceleracin y desaceleracin del electrn.

De acuerdo con la teora electromagntica clsica una carga elctrica acelerada es un

foco emisor de nuevas ondas electromagnticas y puesto que el electrn oscila en fase
con la radiacin X, esta radiacin emergente es de igual frecuencia y longitud de onda
que la radiacin original. El resultado neto es un cambio de direccin.

Si un electrn se halla en el camino de un haz de rayos-X polarizado da lugar a una ra-

diacin dispersada en un punto P del espacio, situado a una distancia r del electrn, la
intensidad del haz dispersado en relacin con la del haz original de rayos-X es igual a:

2
e2
I = I 0 2 sen 2 = I 0 K sen 2
mc r

Siendo f es el ngulo formado por el vector elctrico de la radiacin incidente y la di-

reccin desde donde se observa la dispersin (la lnea que une el electrn y el punto P).

Consideremos ahora las dos situaciones extremas

donde el haz incidente est polarizado y su vector
elctrico es a) perpendicular y b) paralelo al plano
de los vectores s y s0.

La intensidad dispersada vale:

caso a: I = KI 0 sen 2 ( 90 ) = KI 0
caso b: I = KI 0 sen 2 ( 90 2 ) = KI 0 cos 2 ( 2 )

Si el haz incidente no est polarizado puede ser tratado como compuesto de dos compo-
nentes perpendiculares de igual intensidad, polarizadas en ngulo rectos cada una de
ellas. La intensidad dispersada se obtiene mediante promedio y vale:

1 + cos 2 2
I = KI 0
2

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1 + cos 2 2
Es la llamada ecuacin de Thompson. El factor corresponde a la dependen-
2
cia de la intensidad dispersada con el ngulo de dispersin y es conocido como factor p
de polarizacin.

Es muy complicado tener como elemento dispersor a un electrn libre, suelen estar liga-
dos ms o menos dbilmente a un ncleo. Es difcil la confirmacin experimental de la
ecuacin de Thompson.

Dispersin originada por un tomo

La hiptesis de atomicidad supone que los electrones se distribuyen fundamentalmente

en los alrededores de los ncleos y, por tanto, se puede considerar sin gran error, que los
tomos son los centros difusores de radiacin. Esta hiptesis no est en perfecta concor-
dancia con la teora del enlace qumico.

Un tomo consiste en un enjambre de electrones alrededor de un ncleo positivo. Dada

la gran masa del ncleo, sus efectos dispersores son despreciables. Todos y cada uno de
los electrones de un tomo producen efectos idnticos a los sealados para un electrn
aislado, si bien el efecto conjunto es distinto, pues debido a las interacciones entre las
ondas dispersadas por cada electrn individualmente, la intensidad neta de la radiacin
dispersada depende de la direccin que se considere, decreciendo al aumentar el ngulo
entre la radiacin dispersada y la incidente.

Consideremos un volumen elemen-

tal dv que contiene r(r)dv electro-
nes en una posicin respecto a un
origen arbitrario de coordenadas
que viene dada por el vector r. Los
vectores unitarios s y s0 represen-
tan las direcciones de los haces
dispersado e incidente, respectiva-
mente. Comparando los caminos
recorridos por la onda dispersada
en el origen (p) y la que pasa en r
(p), se ve que el camino p es
r ( s 0 s ) ms largo. Como un au-

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2
mento en la longitud del camino Dr provoca una disminucin de la fase r . El des-

fase de la onda dispersada en r con respecto a la del origen es aplicando nuestros cono-
cimientos del tema anterior:

2
r ( s s0 )

La amplitud de la onda dispersada en r es proporcional a:

s s0
(r ) exp ( 2 ir R ) dv con R =

Si r(r) describe una distribucin continua de densidad electrnica, la amplitud de la

superposicin de todas las ondas dispersadas por la distribucin se obtiene por integra-
cin:

F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dv
v

La magnitud F(R) depende de la distribucin de densidad electrnica y del vector de

scattering R y se llama factor de estructura. Su mdulo es conocido como la ampli-
tud de la dispersin en la direccin definida por R. Para librarse del factor de proporcio-
nalidad, el mdulo de F(R) se expresa habitualmente como la relacin entre la amplitud
resultante de la radiacin dispersada por la distribucin r(r) entre la dispersada por un
electrn libre en el origen.

Hay dos aproximaciones en la deduccin anterior. En la primera se asume que la dife-

rencia de fases entre las ondas dispersadas en puntos diferentes solo depende de la dife-
rencia de caminos. Esta asuncin no es del todo correcta por la existencia de la disper-
sin anmala. La segunda es la supuesta conservacin de la energa en el proceso. La
intensidad del haz incidente se ve atenuado al atravesar la muestra; a este proceso se le
llama absorcin.

La magnitud F(R) es:

En general una magnitud compleja.

La intensidad de la dispersin viene dada por F(R) F*(R). Su mdulo puede ser
medido en principio experimentalmente, no as su argumento o fase.

Dispersin originada por un tomo puntual

Un tomo puntual es una idealizacin que consiste en considerar que todos los electro-
nes de un tomo se encuentran concentrados en un punto, sin extenderse ni ocupar el
ms mnimo volumen. Esta es una aproximacin bastante frecuente por su simplicidad.

La amplitud y fase de la onda difundida no depende de R porque, por definicin, no

puede haber diferencias de caminos. Si origen se hace coincidir con el tomo, la densi-
dad electrnica r(r) es una funcin d que definimos de la siguiente manera:
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(r ) = 0 r 0 y (r)dv = c
v
c

En este caso F(R), es una constante independiente de R.

F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dv = (r ) exp ( 2 ir R ) dv = (r )dv = c

v v v

Si el tomo puntual se sita a una distancia r del origen ( (r ) = (r r') ), aparece una
componente de desfase en F(R):

F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dv = (r r') exp ( 2 ir R ) dv =

v v

= exp ( 2 ir ' R ) (r r') exp ( 2 i (r r') R ) dv = c exp ( 2 ir ' R )

v
c

Dispersin originada por un conjunto de tomos puntuales

Supongamos ahora una distribucin de n tomos puntuales ocupando las posiciones r1,
r2, , rj, rn. Cada tomo contribuye al factor de estructura, por tanto tenemos una su-
ma de funciones r(r-rj) con sus correspondientes desfases.

n n
F (R ) = j (r ) exp ( 2 ir R ) dv = (r r j ) exp ( 2 ir R ) dv =
j =1 v j =1 v
n n
= exp ( 2 ir j R ) (r r j ) exp ( 2 i (r r j ) R ) dv = c j exp ( 2 ir j R )
j =1 v j =1

cj

donde los coeficientes cj dependen exclusivamente de la naturaleza del tomo j y no del

ngulo de dispersin.

Si la estructura es centrosimtrica y emplazamos el centro de simetra en el origen, el

factor de estructura es un nmero real. En efecto, conocemos que

exp(ix) = cos x + i sen x

exp(ix) + exp(ix) = 2 cos x
exp(ix) = cos x i sen x

como la estructura es centrosimtrica, si tenemos un tomo j en la posicin r, habr otro

tomo idntico en la posicin r y el factor de estructura puede expresarse como:

n/2 n/2 n/2

F (R ) = c j exp ( 2 ir j R ) + c j exp ( 2 ir j R ) = 2 c j cos ( 2 r j R )
j =1 j =1 j =1

Dispersin originada por un tomo real y por un conjunto de tomos reales.

Los tomos reales estn rodeados por distribuciones de densidad electrnica que ocupan
un cierto volumen, en este caso la funcin que describe la densidad electrnica deja de
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ser una funcin de tipo d. La radiacin es capaz de localizar tomos individuales dentro
de la molcula. La densidad electrnica de una molcula (conjunto de tomos) puede ser
tratada en buena aproximacin como la superposicin de picos de densidad electrnica
asociada a cada tomo individual (aditividad de la densidad electrnica). La expresin
de la funcin F(R), que se denomina factor de estructura, adopta la forma:

n
F (R ) =
V
j =1
0
j (r r j ) exp(2 ir R )dv =

n
=
V
j =1
0
j (r r j ) exp 2 iR (r r j ) exp(2 ir j R )dv =

n
= exp(2 ir j R ) 0j (r r j ) exp 2 iR (r r j ) dv =
V
j =1
f j0 ( R )

n
= f j0 (R ) exp(2 ir j R )
j =1

La funcin f j0 (R ) es una funcin definida en el espacio recproco que representa el

poder de difusin de un tomo y es independiente de la posicin rj del tomo:

f 0 (R ) = 0 (r ) exp(2 iR r )dv
V

Obsrvese que el valor de la funcin para R = 0 coincide con el nmero atmico del
tomo Z del tomo j.

f 0 (0) = 0 (r ) exp(2 i 0 r )dv = 0 (r )dv = Z

V V

Este valor es el mximo que puede tomar la funcin f 0 (R ) . El superndice 0 indica au-
sencia de movimiento trmico de vibracin.

Para un tomo aislado la densidad electrnica r(r) tiene simetra esfrica y por tanto es
isotrpica; por lo que el factor de forma puede escribirse como:

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sen 2 rR
f 0 (R ) = 4 r 2 0 (r ) cos ( 2 rR cos ) sen d dr = 4 r 2 0 (r )
2
dr
0 0 0 2 rR

Los factores de dispersin atmica (tambin llamados factores de forma) de tomos

neutros aislados y de iones han sido calculados por varios autores usando modelos de
mecnica cuntica para obtener densidades electrnicas aproximadas y as poder evaluar
la integral anterior. Si la densidad electrnica r(r) es conocida, tanto el factor de disper-
sin de atmica como el factor de estructura pueden ser calculados. La figura anterior
muestra la forma funcional de estos factores de dispersin para varios tomos, iones y
un in puntual.

El efecto de la vibracin atmica

Los tomos de los cristales no estn quietos, sino que vibran alrededor de sus posiciones
de equilibrio. El efecto sobre el factor de dispersin atmico es la reduccin de su valor
a ngulos de dispersin altos (lnea discontinua en la figura anterior) Esta vibracin es
tanto mayor cuanto mayor sea la temperatura a la que est el cristal por lo que la dismi-
nucin del factor de dispersin atmico se hace ms pronunciado a altas temperaturas.

Debye demostr que este efecto atenuador puede ser tenido en cuenta aproximadamente
mediante la multiplicacin del factor de forma por una funcin exponencial:

sen 2
f (R ) = f 0 (R ) exp B
2

donde B est relacionada con la amplitud vibracional cuadrtica media, u 2 , a travs de

la expresin B = 8 2 u 2 . El tratamiento de Debye fue mejorado ligeramente por Waller,
y por eso el factor exponencial es conocido como el factor Debye-Waller. Este factor
considera las vibraciones isotrpicas (iguales en las tres direcciones de vibracin en el
espacio). Es posible introducir la anisotropa en las vibraciones (elipsoides de vibracin
frente a las anteriores esferas) mediante la forma cuadrtica:

f (R ) = f 0 (R ) exp( 14 R t BR )

Donde los elementos de la matriz simtrica B son los parmetros trmicos. Las unidades
de Bij son las mismas que las de B y stas pueden ser obtenidas conociendo que el ar-
gumento de una funcin exponencial debe ser adimensional.

II. DIFRACCIN DE RAYOS-X POR CRISTALES

Dispersin originada por una red atmica monodimensional

A la interferencia de las dispersiones individuales de cada uno de los elementos del con-
junto de obstculos (en nuestro caso tomos) con el que tropieza un frente de onda se le
denomina difraccin. Si en una determinada direccin de emergencia se observa disper-
sin cooperativa procedente de varios tomos es porque entre las ondas que se emiten
en esa direccin existe concordancia de fases (interferencia constructiva).
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Este proceso ya fue analizado en el tema anterior en la seccin Ecuaciones de von

Laue. Es preciso aadir que todas las direcciones del espacio que satisfacen la ecuacin
de Laue unidimensional forman un cono coaxial con la red atmica monodimensional.
De este modo los distintos rdenes de difraccin de esta singular red forman un conjun-
to de conos coaxiales que puede ser visualizado en la siguiente figura:

Dispersin originada por una red atmica bidimensional y tridimensional

Supongamos ahora que tenemos una red bidimensional definida por dos traslaciones a,
b y el ngulo interaxial g. Hemos visto en el apartado anterior, que el lugar geomtrico
de los haces difractados por la lnea reticular OA corresponde a un cono coaxial con
dicha lnea. Del mismo modo los haces emitidos por la lnea OB correspondientes for-
man otro cono pero esta vez coaxial con OB. Las dos lneas de interseccin de los conos
sern las direcciones a lo largo de las cuales las filas reticulares OA y OB estn en fase.

El razonamiento se puede extender para una red tridimensional. Se obtiene que slo los
puntos del espacio interseccin de los tres conos, coaxiales a cada una de las tres trasla-
ciones generadoras de la red, estn en fase.

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Dispersin originada por un cristal

En los apartados anteriores se han expuesto las condiciones que gobiernan el fenmeno
de difraccin provocada por una red simple de tomos. Se hace necesario ver la relacin
que hay entre una red simple y una red real.

La figura muestra un modelo cristalino real que consiste muestra un modelo cristalino
real que consiste en un par de tomos distintos como motivo de repeticin. Cada tipo de
tomos (grises y negros) define un retculo que podemos dibujar tal como representa la
figura. De este modo, hemos conseguido descomponer la red real en dos redes simples,
idnticas en dimensiones y orientacin, pero desplazadas entre s.

Del mismo modo, cualquier modelo cristalino puede descomponerse en redes atmicas
simples, cada una de las cuales refleja los rayos-X de acuerdo con la ley de Bragg y de
forma simultnea. Debemos observar que las reflexiones originadas por los planos que
contienen los tomos negros deben estar todas ellas en fase, ya que as ha de ser segn
la ley de Bragg, y lo mismo ocurrir para las reflexiones originadas sobre los planos que
pasan por los tomos grises.

Sin embargo, las reflexiones

de ambas redes no estn en
fase entre s. Tal desfase puede
cuantificarse en funcin de la
separacin entre los planos 1 y
1 basndose en el espaciado d
como diferencia de fase de
360.

Supongamos el modelo ante-

rior, consistente en dos redes
atmicas simples y escojamos
sobre l una celdilla unidad de lados a,b y c con origen en un tomo negro. La diferen-
cia de fase entre las reflexiones que se originan en el plano que pasa por el origen y el
primer plano sucesivo de tomos negros, es de 360, lo cual equivale a una separacin
de a/h en direccin del eje a, a una separacin de b/k en direccin del eje b y a una se-
paracin de c/l en direccin del eje c.

Por tanto, con una simple proporcionalidad, podremos averiguar el desfase que existe,
en las tres direcciones, entre el plano que pasa por el origen y el primer plano definido
por los tomos grises:

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a b c
2 2 2
h k l
X a Y b Z c

en donde X, Y y Z son las distancias que separan el tomo gris del tomo del origen;
luego los desfases en las tres direcciones sern:

X Y Z
a = 2 h b = 2 k c = 2 l
a b c

y el cambio total de fase ser:

X Y Z X Y Z
= a + b + c = 2 h + 2 k + 2 l = 2 h + k + l
a b c a b c

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Normalmente en Cristalografa se suele trabajar utilizando coordenadas fracciona-

X Y Z
rias x = , y = y z = por lo que la expresin anterior se transforma en:
a b c

= 2 ( hx + ky + lz )

Como consecuencia de todo lo expuesto, se puede afirmar que una estructura cristalina
real difracta los rayos X a los mismos ngulos de Bragg que lo hara una red atmica
simple de idnticas dimensiones, pero la amplitud de la difraccin (o la intensidad) est
controlada por los desfases existentes entre las distintas redes simples en que podemos
descomponer la red real. Dicho de otro modo, las intensidades de difraccin estn
controladas por la forma del motivo estructural, pero los ngulos de difraccin
dependen exclusivamente de la red.

Conviene hacer aqu un alto y reflexionar sobre la expresin del factor de estructura
para un conjunto de tomos anteriormente descrito1:

f j (R )
n
F (R ) = f j0 (R ) exp ( 14 R t BR ) exp(2 ir j R )
la intensidad de la j =1
cada tomo posee un poder dispersor atenuacin del poder dispersor trmino de desfase debido a
reflexin va ser caracterstico que depende del nmero
proporcional al
contribucin consecuencia de las vibraciones que la posicin del tomo j no
de cada uno de electrones que tiene (su nmero de los tomos en torno a sus est sobre el origen arbitrario
cuadrado del de los tomos atmico) y del ngulo de incidencia de elegido sino desplazado un
mdulo de esta posiciones de equilibrio
la radiacin (a ngulos altos es menor vector rj respecto a ese origen.
magnitud su poder dispersor)

III. LA ECUACIN DE LA DENSIDAD ELECTRNICA.

Toda funcin peridica puede ser aproximada por una serie de Fourier. Por ejemplo
para una dimensin, la funcin f(x) de perodo T puede expresarse:

+
nx
f ( x) = C
n =
n exp 2 i
T

Los coeficientes Cn pueden hallarse sencillamente y su valor es:

1 T nx
Cn =
T 0
f ( x) exp 2 i dx
T

La densidad electrnica en un cristal es una funcin peridica y puede ser aproximada

por una serie de Fourier tridimensional:

(r ) = CR exp ( 2 iR r )
R

Para hallar los coeficientes de la serie que representa la densidad electrnica sustituimos
la densidad electrnica r(r) en la definicin de factor de estructura (marcamos los sub-

1
j j j j j
(
Recurdese que r R = r h = ( x a + y b + z c ) ha + kb + lc
* * *
) = hx j
+ ky j + lz j ; M = M ( cos + i sen ) = M exp( i ) .

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ndices con para diferenciarlos)

F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dv = CR exp ( 2 iRr ) exp ( 2 ir R ) dv =

v v R

= CR exp 2 i ( R+ R ) r dv = CR exp 2 i ( R+ R ) r dv =
v R R v

Esta ltima integral lo es de una funcin peridica extendida a su perodo, por tanto, es
nula excepto para R = -R. En tal caso:

1
F (R ) = C R dv = C RV C R = F (R )
v
V

Consecuentemente, La densidad electrnica se puede representar por:

1
(r ) = C R exp 2 i ( R r ) =
F (R ) exp ( 2 iR r ) =
R R V

1 1
= F (R ) exp ( 2 iR r ) = F (R ) exp ( 2 iR r )
R V V R

donde los sumatorios y abarcan los mismos sumandos en diferente orden.

R R
El factor de estructura F(R) es una magnitud compleja y puede expresarse como:

F (R ) = F (R ) exp ( 2 i R )

La densidad electrnica se puede rescribir como:

1
(r ) = F (R) exp 2 i ( R r R )
V R

Si conocemos la estructura de una muestra cristalina siempre es posible calcular su pa-

trn de difraccin a travs de:

n
F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dv = f j (R ) exp(2 ir j R )
v j =1

Nuestro problema es habitualmente el contrario, inferir las coordenadas atmicas a par-

tir de las medidas de intensidades de los mximos experimentales de difraccin. Des-
afortunadamente, el experimento slo nos proporciona el mdulo del factor de estructu-
ra:
F (R ) [ I (R ) ]
1
2

pero su argumento (fase) no es asequible experimentalmente (al menos hasta la fecha

de hoy). Por lo tanto, en principio, debido al desconocimiento de estas fases (aR) no es
posible inferir las posiciones atmicas de los constituyentes del cristal mediante:
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1
(r ) = F (R) exp 2 i ( R r R )
V R

A este problema en cristalografa se le conoce como el problema de las fases.

La expresin del factor de estructura corresponde a la operacin matemtica llamada

transformada de Fourier. En este caso transformamos una funcin del espacio directo
o espacio real, es decir la densidad electrnica r(r), en una funcin del espacio recpro-
co, en este caso el factor de estructura F(R).

F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dr
v

Se dice que el factor de estructura es la transformada de Fourier de la funcin densidad

electrnica. De la misma forma la densidad electrnica puede obtenerse mediante la
transformada de Fourier inversa del factor de estructura mediante la expresin siguiente,

(r ) = F (R )exp(2 ir R )dR
V*

Mediante la transformada de Fourier inversa transformamos una funcin del espacio

recproco, F(R), en una funcin del espacio real, r(r).

espacio espacio
directo recproco
variable r R
funcin r(r)
Transformada de Fourier
F(R)
Transformada de Fourier inversa

Ley de Friedel

Consideremos un cristal que no posee centro de inversin. Como se ha dicho anterior-

mente, el factor de estructura, que es una magnitud compleja, puede ser hallado median-
te:
n
F (R ) = (r ) exp ( 2 ir R ) dv = f j (R ) exp(2 ir j R ) = A + iB
v j =1

su complejo conjugado es F * (R ) = A iB y la intensidad del haz difractado por la fami-

lia de planos (h, k, l) es proporcional a:

I (R ) F (R ) F * (R ) = ( A + iB )( A iB ) = A2 + B 2

Podemos considerar por otro lado la intensidad de la del haz difractado por la familia de
planos (h, k, l). El factor de estructura es:

n
F ( R ) = (r ) exp 2 ir ( R ) dv = f j (R ) exp 2 ir j ( R ) = A iB
v j =1

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su complejo conjugado es F * ( R ) = A + iB . La intensidad es proporcional a:

I ( R ) F ( R ) F * ( R ) = ( A iB )( A + iB ) = A2 + B 2

Estos dos planos dan las mismas intensidades (al menos en primera aproximacin) y el
patrn de difraccin tiene centro de simetra, lo tenga o no el cristal. Esta es la ley de
Friedel, y como consecuencia de ella no podemos decir si un cristal tiene o no centro de
simetra, exclusivamente observando los diagramas de difraccin. La simetra puntual
del patrn de difraccin debe ser un grupo cristalogrfico centrosimtrico, estos grupos
se denominan los grupos de Laue.

Un ejemplo ilustrativo: clculo de los factores de estructura del fluoruro de sodio.

El fluoruro de sodio cristaliza en el sistema cbico. Pertenece al grupo espacial F m3m

y el parmetro de celdilla mide 4.615(2) . Se ha medido en nuestro laboratorio (no-
viembre 1990) a una temperatura de 200K, el patrn de difraccin de rayos-X
(l = 0.71073 ) de un monocristal de fluoruro de sodio. La red es cbica centrada en las
caras. Los iones Na+ y F ocupan las siguientes posiciones dentro de la celdilla unidad:

Na+ F
(0, 0, 0) (, , )
(0, , ) (, 0, 0)
(, 0, ) (0, , 0)
(, , 0) (0, 0, )

El factor de estructura para una reflexin de una sustancia cristalina vale:

n
F (R ) = f j (R ) exp(2 ir j R )
j =1

En principio vamos a suponer tomos reales por lo que podemos escribir:

n
F (h, k , l ) = f j exp 2 i (hx j + ky j + lz j )
j =1
(
donde f j = f j0 ( sen ) exp B sen 2
2
)
como conocemos las posiciones de los tomos, evaluamos el sumatorio:

F (h, k , l ) = f Na + exp [ 2 i (h 0 + k 0 + l 0) ] + f F exp [ 2 i (h 12 + k 12 + l 12 ) ] +

f Na+ exp [ 2 i (h 0 + k 12 + l 12 )] + f F exp [ 2 i (h 12 + k 0 + l 0) ] +
f Na+ exp [ 2 i (h 12 + k 0 + l 12 )] + f F exp [ 2 i (h 0 + k 12 + l 0) ] +
f Na+ exp [ 2 i (h 12 + k 12 + l 0)] + f F exp [ 2 i (h 0 + k 0 + l 12 ) ]

pero
exp(inx) = cos(nx) + i sen(nx) = (1) n + 0 = (1) n n

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por lo que el factor de estructura queda reducido a:

F (h, k , l ) = f Na + + f Na+ (1) k +l + f Na + (1) h +l + f Na+ (1) h + k +

f F (1) h + k +l + f F (1)h + f F (1) k + f F (1)l
= f Na + 1 + (1) k +l + (1) h +l + (1) h + k +
f F (1) h + k +l + (1) h + (1) k + (1)l
= f Na + 1 + (1) k +l + (1) h +l + (1) h + k +
(1) h f F (1) h + k +l (1) h + (1) h (1) h + (1) k (1) h + (1)l (1) h
= f Na + 1 + (1) k +l + (1) h +l + (1) h + k +
(1) h f F (1) k +l + 1 + (1) h + k + (1) h +l

Simplificndose la expresin a:

F (h, k , l ) = f Na+ + (1) h f F 1 + (1) k +l + (1) h +l + (1) h + k

= 4 si h , k , l son simultneamente pares o impares
= 0 en otro caso

Si examinamos el valor de los factores de estructura en funcin de los diferentes posi-

bles ndices de las reflexiones se obtiene:

F(h, k, l) F(h, k, l) F(h, k, l) F(h, k, l)

h k l H k l
terico experimental terico experimental
1 0 0 0 0 3 2 0 0 0
1 1 0 0 0 3 2 1 0 0
1 1 1 (
4 f Na+ f F ) 12.4 3 2 2 0 0
2 0 0 4( f Na +
+ fF ) 119.1 3 3 0 0 0
2 1 0 0 0 3 3 1 (
4 f Na+ f F ) 11.3
2 1 1 0 0 3 3 2 0 0
2 2 0 (
4 f Na+ + f F ) 86.2 3 3 3 (
4 f Na + f F ) 8.8
2 2 1 0 0 4 0 0 4( f Na +
+ fF ) 60.1
2 2 2 (
4 f Na+ + f F ) 77.4 4 0 0 0 0
3 0 0 0 0 4 1 0 0 0
3 1 0 0 0 4 1 1 0 0
3 1 1 (
4 f Na+ f F ) 13.8 4 2 0 (
4 f Na + + f F ) 49.4

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( ) (
Se puede observar que tanto 4 f Na+ + f F como 4 f Na+ f F no se mantienen constan- )
( ) (
tes porque f Na + = f Na0 + ( sen ) exp B sen 2 y f F = f F0 ( sen ) exp B sen 2 .
2 2
)
Generalmente, el factor de dispersin atmico se expresa mediante una funcin de nue-
ve parmetros:

4
f j0 ( sen ) = c + an exp bn ( sen )
2

n =1

Los valores de estos coeficientes fueron calculados y tabulados por Cromer y Mann.
Los valores para el flor y el sodio son los siguientes:

Coeficientes del F Coeficientes del Na

n 1 2 3 4 n 1 2 3 4
an 3.539 2.641 1.517 1.024 an 4.763 3.174 1.267 1.113
bn 10.283 4.294 0.262 26.148 bn 3.285 8.842 0.314 129.424
c 0.278 c 0.676

El valor de sen puede ser calculado a partir de la ley de Bragg, 2d hkl sen = , despe-
jando el valor de sen .

2 2 2 1 a2 0 0 h
sen 1 h h + k + l
2 2 2
1 1
= = = h t G *h = ( h k l ) 0 1
a2
0 k =
2d hkl 4 4 4 0 1 l
4a 2
0 a
2

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