Está en la página 1de 721

K2Z2 e

Electrnica de potencia

Circuitos, dispositivos
y aplicaciones
Segunda edicin

MUHAMMAD H. RASHID
Ph.D., Fellow lEE
Professor of Electrical Engineering
Purdue University at Fort Wayne

TRADUCCION:
ING. GABRIEL SANCHEZ GARCIA
Ingeniero Mecnico Electricista-UNAM

-~;-~A-'-P--O-"-'L'- -J-;~-;'l;~'~;"'.~('
~
REVISION TECNICA: I '_..."~1:4, ". ; .... ,'"li~, ,_:,:

ING. JOSE ANTONIO TORRES HERNANDEZII Dl;:" fJ 1,(;::';'( ~ r;:


Ingeniero en Electrnica 8IBUOI1~';'";.t\. r",:n' L
LATACtij';fft,A
Universidad La Salle. A.C.
No.. l.6.a~.f'~ ."
~L
Ii
Pre-0o.:...... """D.aCio~ "~1'~' il J
~..~..~

.. _"_~ .....~~..........
_~" .., . , ,_......
'"w_..."._ _._ . ~.....
, ' .

PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.


MEXICO NUEVA YORK BOGOTA LONDRES SYDNEY
PARIS MUNICH TORONTO NUEVA DELHI TOKIO
SINGAPUR RIO DE JANEIRO ZURICH
~.

EDICION EN ESPAOL

PRESIDENTE DE LA DIVISION
LATINO AMERICANA DE SIMON & SCHUSTER RAYMUNDO CRUZADO GONZALEZ
DIRECTOR GENERAL: MOISES PEREZ ZA VALA
DIRECTOR DE EDICIONES: ALBERTO SIERRA OCHOA
GERENTE DIVISION UNIVERSITARIA: ENRIQUE IVAN GARCIA HERNANDEZ
GERENTE EDITORIAL: JOSE TOMAS PEREZ BONILLA
EDITOR: LUIS GERARDO CEDEO PLASCENCIA
GERENTE DE EDICIONES: JULIAN ESCAMILLA LIQUIDANO
SUPERVISOR DE TRADUCCION: TOAQUIN RAMOS SANTALLA
SUPERVISOR DE PRODUCCION: ENRIQUE GARCIA CARMONA

EDIC/ON EN INGLES:

Publisher: Alan Apt


Production Editor: Mona Pompili
Cover Designer: Wanda Lubelska Design
Copy Editor: Barbara Zeiders
Prepress Buyer: Linda Behrens
Manufacturing Buyer: Dave Dickey
Supplements Editor: Alice Dworkin
Editorial Assistant: SherIey McGuire

RASHlD: ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS,


D/SPOSITJ\iOS y APLICACIONES 2/Ed.

Traducido del ingls de la obra: Power Electronics Circuits, Devices, and Applications
All Rights Reserved. Authorized translation from english
language edition published by Prentice Hall Inc.
Todos los Derechos Reservados. Traduccin autorizada de la
edicin en ingls publicada por Prentice Hall Inc.
All Rights Reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form
or by any means, electronic or mechanical, incIuding photocopying recording or by any
information storage retrieval system, without permission in writing from the publisher.
Proihibida la reproduccin total o parcial de esta obra, por cualquier medio o mtodo
sin.autorizacin por escrito del editor.
Derechos reservados 1995'respecto a la primera edicin en espaol publicada por
PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.
Enrique Jacob 20, Col. El Conde
53500 Naucalpan de Jurez, Edo. de Mxico.
ISBN 9688805866
Miembro de la'Cmara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nm. 1524
..
o,
LITOGRAFICA INGRAMEX.SA DE C.V.
Original English Language Edition Pablished by Prentice Hall Inc. CENTENO No. 112-1
Copyright 1993 COL. GRANJAS ESM!RAUIA

All Rights Reserved


ISBN O13678996X -
MEXICO OtilO. D.F.

O
ti"
D

Impreso en Mxico/Printed in Mexico


I"/."~'''''
",
S
V)
c~
t......__J

o
o
.....:.)

A mis padres. mi esposa Ftima


y mis hijos,
Faeza, Farzana y Hasan

-.,.

o
......... "-,...

e'
'.,;"'"
O
. ~"(
v
()
e

(:1.

o j

.o
en
co
~ .

."....... --------------------------
Prefacio

El libro Electrnica de potencia est concebido como libro de texto para el curso sobre "electrni-
ca de potencia/convertidores estticos de potencia" para estudiantes intermedios y avanzados en
ingeniera elctrica y electrnica. Tambin se podr utilizar como libro de texto para estudiantes
graduados, y podr considerarse como libro de referencia para ingenieros practicantes involucra-
dos en el diseo y en las aplicaciones de la electrnica de potencia. Los prerrequisitos seran cur-
sos sobre electrnica bsica y circuitos elctricos bsicos. El contenido de Electrnica de potencia
sobrepasa el alcance de un curso de un semestre. Para un curso elemental, los captulos 1 alll de-
bern ser suficientes para dar una slida base de la electrnica de potencia. Los captulos 11 al 16
debern dejarse para otros cursos, o bien incluirse en un curso de graduados.
El tiempo que se asigna normalmente a un curso sobre electrnica de potencia en una curri-
cula tpica de subgraduados es un semestre. La electrnica de potencia se ha desarrollado ya a tal
punto que en un curso de un solo semestre resulta difcil cubrir completamente el tema. Los fun-
damentos de la electrnica de potencia estn bien establecidos y no cambian con r.apidez.Sin em-
bargo, las caractersticas de los dispositivos mejoran en forma continua y aparecen otros nuevos.
Electrnica de potencia, mediante el mtodo de anlisis emprico, cubre primero las tcnicas de
conversin y las caractersticas de los dispositivos y despus sus aplicaciones. Hace nfasis en los
principios fundamentales de la conversin de potencia. Esta edicin de electrnica de potencia es
una revisin completa de su primera edicin, que (i) utiliza mtodos de anlisis empricos, en vez
de mtodo deductivos, (ii) introduce lo ms avanzado y de actualidad en tcnicas de modulacin,
(iii) presenta un nuevo captulo sobre "Inversores de pulso resonante" y cubre las tcnicas corres-
pondientes de avanzada, (iv) integra el software estndar de la industria, SPICE, y los ejemplos de
diseo que se verifican mediante la simulacin SPICE, (v) analiza convertidores con cargas RL, y
(vi) ha corregido errores tipogrficos y expandido secciones y/o prrafos a fin de aadir explica-
ciones. El libro est dividido en cinco partes:
1. Introduccin-captulo 1
2. Tcnicas de conmutacin del SCR y tcnicas de conversin de pot.encia-captulos 3, 5,6,
7,9, 10y 11

vii

,~--------------------------------~---
3. Dispositivos-captulos 2, 4 Y 8
4. Aplicaciones-captulos 12,13,14 Y 15
5. Protecciones-captulo 6

Los temas como los referentes a los circuitos trifsicos, circuitos magnticos, funciones de con-
mutacin de convertidores, anlisis transitorios en cd y anlisis de Fourier se incluyen en los
apndices.
La electrnica de potencia se ocupa de la aplicacin de la electrnica de estado slido para
el control y la conversin de la potencia elctrica. Las tcnicas de conversin requieren de la con-
mutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Los circuitos electrnicos de bajo nivel,
que por lo comn estn formados por circuitos integrados y de componentes discretos, generan las
sefiales de compuerta requeridas para los dispositivos de potencia. Tanto los circuitos integrados
como los componentes discretos se han ido reemplazando por los microprocesadores.
Un dispositivo de potencia ideal no debera presentar limitaciones de conmutacin, en tr-
minos del tiempo de activacin, el tiempo de desactivacin y las capacidades de manejo de co-
rriente y de voltaje, o conectarse ni al desconectarse. La tecnologa de los semiconductores de
potencia est desarrollando rpidamente dispositivos de potencia de conmutacin rpida, con l-
mites crecientes de voltaje y de corriente. Dispositivos de conmutacin de potencia como los TBJ
de potencia, los MOSFET, SIT, lGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO y otros, estn encontran-
do crecientes aplicaciones en una amplia gama de productos. Con dispositivos de conmutacin
ms rpidos disponibles, las aplicaciones de los microprocesadores modernos en la sntesis de las
estrategias de control de los dispositivos de potencia manejados por compuerta para cumplir con
las especificaciones de conversin, han ampliado el mbito de la electrnica de potencia. La revo-
lucin de la electrnica de potencia ha ganado un gran impulso, desde fines de los aos ochenta y
principios de los aos noventa. En el curso de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia
conformar la forma y el estado de la electricidad en algn lugar entre su generacin y todos sus
usuarios. Las aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia an estn pendientes de ser
exploradas por completo, pero en este libro hemos hecho toda suerte de esfuerzos para cubrir tan-
tas aplicaciones como nos ha sido'posible.

Muhammad H. Rashid
Fort Wayne, Indiana

viii Prefacio
Reconocimientos

Muchas personas han contribuido a esta edicin y han hecho sugerencias basadas en sus experien-
cias como profesores o como estudiantes en el saln de clase. Me gustara dar las gracias a las si-
guientes personas por sus comentarios y sugerencias:

Mazen Abdcl-Salam-Universidad del Petrleo y los Minerales King Fahd Arabia Saudita
Ashoka K. S. Bhat-Universidad de Victoria, Canad
Fred Brockhurst-Instituto de Tecnologa Rose-Hulman
Joseph M. Crowlcy-Universidad de Illinois, Urbana-Champaign
Mehrad Ehsani-Universidad Texas A&M
Alexander E. Emanuel-Instituto Politcnico de Worcester
George Gela-Universidad Estatal de Ohio
Herman W. Hill-Universidad de Ohio
Wahid Hubbi-Instituto de Tecnologa de New Jersey
Marrija Ilic-Spong-Universidad de Illinois, Urbana-Champaign
Shahidul I. Khan-Universidad de Concordia, Canad
Peter Lauritzen-Universidad de Washington
Jack Lawler-Universidad de Tennessee
Arthur R. Miles-Universidad Estatal del Norte North Dakota
Mehdat M. Morcas-Universidad Estatal de Kansas
Hassan Moghbelli-Universidad Calumct de Purdue
H. Ramezani-Ferdowsi-Universidad de Mashhad, Irn

Ha sido muy placentero poder trabajar con el editor, Alan Apt, y con la editora de desarrollo, 50n-
dra Chvez. Finalmente, me gustara agradecer a mi familia por su cario, paciencia y compren-
sin.

ix
Contenido

CAPITULO 1 INTRODUCCION 1
1-1 Aplicaciones de la electrnica de potencia,
1-2 Historia de la electrnica de potencia, 2
1-3 Dispositivos semiconductores de potencia, 5
1-4 Caractersticas de control de los dispositivos de potencia, 10
1-5 Tipos de circuitos electrnicos de potencia, 12
1-6 Diseo de equipo de electrnica de potencia, 15
1-7 Efectos perifricos, 15
1-8 Mdulos de potencia, 16
1-9 Mdulos inteligentes, 17
1-10 Publicaciones peridicas y conferencias sobre electrnica de potencia, 17
Resumen, 18
Referencias, 18
Preguntas de repaso, 19

xi
CAPITULO 2 DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA 20
2-1 Introduccin, 20
2-2 Caractersticas de diodos, 20
2-3 Caractersticas de la recuperacin inversa, 23
2-4 Tipos de diodos de potencia, 25
2-4.1 Diodos de uso general, 25
2-4.2 Diodos de recuperacin rpida, 25
2-4.3 Diodos Schottky, 26
2-5 Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa, 27
2-6 Diodos conectados en serie, 29
2-7 Diodos conectados en paralelo, 31
2-8 Modelo SPice de diodo, 32
Resumen, 34
Referencias, 35
Preguntas de repaso, 35
Problemas, 35

CAPITULO 3 CIRCUITOS CON DIODOS Y CIRCUITOS RECTIFICADORES 37


3-1 Introduccin, 37
3-2 Diodos con cargas RC y RL, 37
3-3 Diodos con cargas LC y RLC, 40
3-4 Diodos de marcha libre, 46
3-5 Recuperacin de la energa atrapada con un diodo, 48
3-6 Rectificadores monofsicos de media onda, 51
3-7 Parmetros de rendimiento, 52
3-8 Rectificadores monofsicos de onda completa, 59
3-9 Rectificador monofsico de onda completa con carga RL, 63
3-10 Rectificadores multifase en estrella, 67
3-11 Rectificadores trifsicos en puente, 71
3-12 Rectificador trifsico con carga RL, 74
3-13 Diseo de circuitos rectificadores, 76
3-14 Voltajede salida con filtro LC, 85
3-15 Efectos de las inductancias de la fuente y de la carga, 88
Resumen, 90
Referencias, 91
Preguntas de repaso, 91
Problemas, 91

CAPITULO 4 TIRISTORES 96
4-1 Introduccin, 96
4-2 Caractersticas de los tiristores, 96

xii Contenido
4-3 Modelo de tiristor de dos transistores, 98
4-4 Activacin del tiristor, 100
4-5 Proteccin contra ditdt, 102
4-6 Proteccin contra dvldt, 103
4-7 Desactivacin del tiristor, 105
4-8 Tipos de tiristores, 106
4-8.1 Tiristores de control de fase, 107
4-8.2 Tiristores de conmutacin rpida, 107
4-8.3 Tiristores de desactivado por compuerta, 108
4-8.4 Tiristores de triodo bidireccional, 109
4-8.5 Tiristores de conduccin inversa, 110
4-8.6 Tiristores de induccin esttica, 111
4-8.7 Rectificadores controlados de silicio fotoactivados por luz, 111
4-8.8 Tiristores controlados por FET, 112
4-8.9 Tiristor controlados por MaS, 112
4-9 Operacin en serie de tiristores, 114
4-10 Operacin en paralelo de tristores, 117
4-11 Circuitos de disparo de tiristor, 118
4-12 Transistor monounin, 120
4-13 Transistor monounin programable, 123
4-14 Modelo SPice para el tiristor, 124
Resumen, 126
Referencias, 127
Preguntas de repaso, 128
Problemas, 128

CAPITULO 5 RECTIFICADORESCONTROLADOS 130


5-1 Introduccin, 130
5-2 Principio de operacin del convertidor controlado por fase, 131
5-3 Semiconvertidores monofsicos, 133
5-3.1 Semiconvertidor monofsico con carga RL, 136
5-4 Convertidores monofsicos completos, 138
5-4.1 Convertidor monofsico completo con carga RL, 141
5-5 Convertidores monofsicos duales, 143
5-6 Convertidores monofsicos en serie, 145
5-7 Convertidores trifsicos de media onda, 150
5-8 Semiconvertidores trifsicos, 153
5-8.1 Semiconvertidores trifsicos con carga RL, 157
5-9 Convertidores trifsicos completos, 158
5-9.1 Convertidor trifsico completo con carga RL, 164
5-10 Convertidores trifsicos duales, 165

Contenido xiii

~~,----------------------------------
5-11 Mejoras al factor de potencia, 167
5-11.1 Control del ngulo de extincin, 167
5-11.2 Control del ngulo simtrico, 169
5-11.3 Control por modulacin del ancho de pulso, 172
5-11.4 Modulacin senoidal del ancho de pulso, 175
5-12 Diseo de circuitos convertidores, 176
5-13 Efectos de las inductancias de carga y de alimentacin, 182
5-14 Circuitos de disparo, 184
Resumen, 184
Referencias, 186
Preguntas de repaso, 186
Problemas, 187

CAPITULO 6 CONTROLADORES DE VOLTAJE CA 190


6-1 Introduccin, 190
6-2 Principio del control de abrir y cerrar, 191
6-3 Principio del control de fase, 193 .
6-4 Controladores bidireccionales monofsicos con cargas resistivas, 195
6-5 Controladores monofsico con cargas inductivas, 198
6-6 Controladores trifsicos de media onda, 201
6-7 Controladores trifsicos de onda completa, 206
6-8 Controladores trifsicos bidireccionales conectados en delta, 210
6-9 Cambiadores de derivaciones de un transformador monofsico, 214
6-10 Cicloconvertidores, 218
6-10.1 Cicloconvertidores monofsicos, 219
6-10.2 Cicloconvertidores trifsicos, 221
6-10.3 Reduccin de armnicas de salida, 222
6-11 Controladores de voltaje de ca con control PWM, 225
6-12 Diseo de circuitos de controladores de voltaje ca, 226
6-13 Efectos de las inductancias en alimentacin yen la carga, 233
Resumen, 234
Referencias, 234
Preguntas de repaso, 235
Problemas, 236

CAPITULO 7 TECNICAS DE CONMUTACION DE TIRISTORES 239


7-1 Introduccin, 239
7-2 Conmutacin natural, 240
7-3 Conmutacin forzada, 240
7-3.1 Autoconmutacion, 241
7-3.2 Conmutacin por impulso, 243

xiv Contenido
7-3.3 Conmutacin por pulso resonante, 246
7-3.4 Conmutacin complementaria, 250
7-3.5 Conmutacinporpulsoextemo,251
7-3.6 Conmutacin del lado de la carga, 252
7-3.7 Conmutacin del lado de la lnea, 252
7-4 Diseo de circuitos de conmutacin, 254
7-5 Modelo SPice del tiristor de cd, 256
7-6 Capacitares de conmutacin, 259
Resumen, 259
Referencias, 260
Preguntas de repaso. 260
Problemas, 260

CAPITULO 8 TRANSISTORES DE POTENCIA 262


8-1 Introduccin. 262
8-2 Transistores de unin bipolar. 263
8-2.1 Caractersticas en rgimen permanente, 263
8-2.2 Caractersticas de conmutacin, 267
8-2.3 Lmites de conmutacin, 274
8-2.4 Control de la excitacin de la base, 276
8-3 MOSFET de potencia, 280
8-3.1 Caractersticas en rgimen permanente, 280
8-3.2 Caractersticas de conmutacin, 284
8-3.3 Excitacin de compuerta, 285
8-4 SIT, 286
8-5 IGBT, 287
8-6 Operacin en serie y en paralelo. 289
8-7 Limitaciones por di/de y dvldt, 291
8-8 Aislamiento de las excitaciones de compuerta y de base, 294
8-8.1 Transformadores de pulso, 295
8-8.2 Acopladores pticos, 295
8-9 Modelos SPice, 296
Resumen, 299
Referencias, 299
Preguntas de repaso, 300
Problemas, 301

CAPITULO 9 PULSADORES DE CD 303


9-1 Introduccin, 303
9-2 Principio de la operacin reductora, 303
9-3 Pulsador reductor con carga RL, 306

Contenido xv
.>

9-4 Principio de operacin elevadora, 309


9-5' Parmetros de rendimiento, 312
9-6 Clasificacin de pulsadores, 312
9-7 Reguladores en modo conmutado, 316
9-7.1 Reguladores reductores, 317
9-7.2 Reguladores elevadores, 320
9-7.3 Reguladores reductores-elevadores, 323
9-7.4 Reguladores Ck, 326
9-7.5 Limitaciones de la conversin en un paso, 330
9-8 Circuitos pulsadores con tiristores, 331
9-8.1 Pulsadores conmutados por impulso, 331
9-8.2 Efectos de las inductancias de la alimentacin y de la carga, 336
9-8.3 Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso, 337
9-8.4 Pulsadores de pulso resonante, 338
9-9 Diseo de un circuito pulsador, 342
9-10 Consideraciones magnticas, 350
Resumen, 351
Referencias, 351
Preguntas de repaso, 352
Problemas, 353

CAPITULO 10 INVERSORES DE MODULACION DE ANCHO DE PULSO 356


10-1 Introduccin, 356
10-2 Principio de operacin, 357
10-3 Parmetros de rendimiento, 359
10-4 Inversores monofsicos en puente, 360
10-5 Inversores trifsicos, 364
10-5.1 Conduccin a 180, 364
10-5.2 Conduccin a 120, 370
10-6 Control de voltaje de inversores monofsicos, 372
10-6.1 Modulacin de un solo ancho de pulso, 372
10-6.2 Modulacin varios anchos de pulso, 374
10-6.3 MOdulacinsenoidal del ancho de pulso, 376
10-6.4 Modulacin senoidal modificada del ancho de pulso, 378
10-6.5 Control por desplazamiento de fase, 380
10-7 Control de voltaje en inversores trifsicos, 381
10-8 Tcnicas avanzadas de modulacin, 382
10-9 Reduccin de armnicas, 387
10-10 Inversores con tiristor por conmutacin forzada, 390
10-10.1 Inversores con conmutacin auxiliar, 391
10-10.2 Inversores de conmutacin complementaria, 393

xvi Contenido
10-11 Inversores de fuente de corriente, 400
10-12 Inversor de enlace de cd variable, 402
10-13 Diseo de circuitos inversores, 404
10-14 Consideraciones magnticas, 410
Resumen, 410
Referencias, 410
Preguntas de repaso, 411
Problemas, 412

CAPITULO 11 CONVERTIDORES DE PULSO RESONANTE 414


11-1 Introduccin, 414
11-2 Inversores resonantes en serie, 415
11-2.1 Inversores resonantes en serie con interruptores unidireccionales, 415
11-2.2 Inversores resonantes en serie con interruptores bidireccionales, 422
11-2.3 Respuesta de frecuencia para cargas en serie, 428
11-2.4 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo, 431
11-2.5 Respuesta de frecuencia para cargas en serie-paralelo, 433
11-3 Inversores resonantes en paralelo, 434
11-4 Inversor resonante de clase E, 439
11-5 Rectificador resonante de clase E, 443
11-6 Convertidores resonantes de conmutacin a corriente cero, 446
11-6.1 Convertidor resonante ZCS de tipo L, 446
11-6.2 Convertidor resonante ZCS de tipo M, 451
11-7 Convertidores resonantes de conmutacin a voltaje cero, 451
11-8 Convertidores resonantes de conmutacin a voltaje cero en dos cuadrantes, 454
11-9 Inversores resonantes de enlace cd, 457
Resumen, 460
Referencias, 461
Preguntas de repaso, 462
Problemas, 462

CAPITULO 12 INTERRUPTORESESTATICOS 464


12-1 Introduccin, 464
12-2 Interruptores monofsicos de ca, 464
12-3 Interruptores trifsicos de ca, 467
12-4 Interruptores inversores trifsicos, 469
12-5 Interruptores de ca para transferencia de bus, 470
12-6 Interruptores de cd, 471
12-7 Relevadores de estado slido, 472
12-8 Diseo de interruptores estticos, 474
Resumen, 474

Contenido xvii
Referencias, 475
Preguntas de repaso, 475
Problemas, 475

CAPITULO 13 FUENTES DE PODER 477


13-1 Introduccin, 477
13-2 Fuentes de poder de cd, 478
13-2.1 Fuentes de poder de cd en modo de conmutacin, 478
13-2.2 Fuentes de poder de cd resonantes, 481
13-2.3 Fuentes de poder bidireccionales de ca, 481
13-3 Fuentes de poder de ca, 483
13-3.1 Fuentes de poder de ca en modo interrumpido, 485
13-3.2 Fuentes de poder de ca resonantes, 486
13-3.3 Fuentes de poder de ca bidireccionales, 486
13-4 Conversiones multietapas, 487
13-5 Acondicionamiento del factor de potencia, 487
13-6 Consideraciones magnticas, 488
Resumen, 490
Referencias, 490
Preguntas de repaso, 491
Problemas, 491

CAPITULO 14 PROPULSORESDE CD 493


14-1 Introduccin, 493
14-2 Caractersticas bsicas de los motores de cd, 494
14-3 Modos de operacin, 498
14-4 Propulsores monofsicos, 501
14-4.1 Propulsores de convertidor de media onda monofsico, 501
14-4.2 Propulsores de semiconvertidor monofsico, 503
14-4.3 Propulsores de convertidor completo monofsico, 504
14-':.4 Propulsores de convertidor dual monofsico, 505
14-5 Propulsores trifsicos, 508
14-5.1 Propulsores de convertidor trifsico de media onda, 509
14-5.2 Propulsores de semiconvertidor trifsico, 509
14-5.3 Propulsores de convertidor trifsico completo, 509
14-5.4 Propulsores de convertidor trifsico dual, 510
14-6 Propulsores de pulsador, 513
14-6.1 Principio de control de potencia, 514
14-6.2 Principio de control de freno regenerativo, 515
14-6.3 Principio de control de freno reosttico, 518
14-5.4 Principio de control combinado de freno regenerativo y reosttico, 519

xviii Contenido
14-6.5 Propulsores pulsadores de dos y uatro cuadrantes, 520
14-6.6 Pulsadores multifase, 522
14-7 Control en lazo cerrado de los propulsores-de cd, 524
14-7.1 Funcin de transferencia en lazo abierto, 524
14-7.2 Funcin de transferencia en lazo cerrado, 528
14-7.3 Control en lazo por seguimiento de fase, 533
14-7.4 Control por microcomputadora de propulsores de cd, 534
Resumen, 535
Re ferences , 536
Preguntas de repaso, 536
Problemas, 537

CAPITULO 15 PROPULSORESDE CA 541


15-1 Introduccin, 541
15-2 Propulsores de motores de induccin, 542
15-2.1 Caractersticas de rendimiento, 543
15-2.2 Control del voltaje del estator, 549
15-2.3 Control del voltaje del rotor, 552
15-2.4 Control por frecuencia, 559
15-2.5 Control de voltaje y de frecuencia, 561
15-2.6 Control de corriente, 563
15-2.7 Control de voltaje, corriente, y frecuencia, 566
15-2.8 Control en lazo cerrado de motores de induccin, 568
15-3 Propulsores de motores sncronos, 573
15-3.1 Motores de rotor cilndrico, 575
15-3.2 Motores de polos salientes, 578
15-3.3 Motores de reluctancia, 579
15-3.4 Motores de imn permanente, 580
15-3.5 Motores de reluctancia conmutada, 581
15-3.6 Control en lazo cerrado de motores sncronos, 582
15-3.7 Propulsores de motor de cd y ca sin escobillas, 582
Resumen, 586
Referencias, 587
Preguntas de repaso, 588
Problemas, 588

CAPITULO 16 PROTECCIONDE DISPOSITIVOS V CIRCUITOS 591


16-1 Introduccin, 591
16-2 Enfriamiento y disipadores de calor, 591
16-3 Circuitos de apoyo, 597
16-4 Transitorios de recuperacin inversa, 597

Contenido xix
16-5 Transitorios del lado de alimentacin y del lado de carga, 603
16-6 Proteccin de voltaje mediante diodos de selenio y varistores de xido metlico, 606 -
16-7 Protecciones de corriente, 607
16-7.1 Cmo utilizar los fusibles, 608
16-7.2 Corriente de falla con fuente de ca, 615
16-7.3 Corriente de falla con fuente de cd, 617
Resumen, 620
Referencias, 620
Preguntas de repaso, 620
Problemas, 621

APENDICE A CIRCUITOS TRIFASICOS 624

APENDICE B CIRCUITOS MAGNETICOS 628

APENDICEC FUNCIONES DE CONMUTACION DE LOS CONVERTIDORES 633

APENDICE D ANALlSIS DE TRANSITORIOS EN CD 639

APENDICE E ANALlSIS DE FOURIER 643

APENDICE F LISTADO DE PROGRAMAS DE COMPUTO


EN IBM-PC BASICA 646

APENDICE G HOJAS DE DATOS 656

BIBLlOGRAFIA 695

INDICE 697

xx Contenido
Introduccin

,-, APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los sistemas de
traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un
temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente di-
recta variable para el control de los motores e impulsores. La electrnica de potencia ha revolu-
cionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores
elctricos.
La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se en-
carga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la genera-
cin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y
circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objeti-
vos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la
electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. En la figura 1-1
se muestra la interrelacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control.
La electrnica de potencia se basa, en primer trmino, en la conmutacin de dispositivos se-
miconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia,
las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de po-
tencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores-mi-
crocomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control
para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno
utiliza (1) semiconductores de potencia, que pueden compararse con el msculo, y (2) microelec-
trnica, que tiene el poder y la inteligencia del cerebro.
La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y
se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de
calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes de alimentacin, sistemas de propul-
sin de vehculos y sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingls).

1
Potencia

Control
Analgico I Digital

Equipo de
Electrnica
potencia
Dispositivos I Circuitos
Esttica I Giratoria
Electrnica

Figura 1-1 Relacin de la electrnica de potencia con la energa. la electr-


nica y el control.

Resulta difcil trazar los lmites de las aplicaciones de la electrnica de potencia; en especial con
las tendencias actuales en el desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores. el
lmite superior est an indefinido. En la tabla l.l se muestran algunas de las aplicaciones de la
electrnica de potencia.

1-2 HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

La historia de la electrnica de potencia empez en el ao 1900. con la introduccin del rectifica-


dor de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el
rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada. el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos
dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica inicia en 1948 con la invencin del transistor de silicio en
los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardccn, Brauain y Schockley. La mayor parte de
las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los
aos, la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. El
siguiente gran parteaguas, en 1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la inven-
cin del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de
silicio (SCR por sus siglas en ingls).
La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial
por General Elcctric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de poten-
cia. Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de
potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de la microelectrnica nos dio la capacidad de

2 Introduccin Cap. 1
TABLA 1.1 ALGUNAS APLICACIONES DE LA ELECTRONICADE POTENCIA
Abre puertas elctricos Fuentes de alimentacin para radar/sonar
Acondicionamiento del aire Transito masivo
Alarmas Minera
Alarmas contra robo Control de hornos
Amplificadores de audio Controles de motor
Arrancadores para turbinas de gas Circuitos de televisin
Atenuadores Fuentes de alimentacin
Atenuadores luminosos Compensacin de voltamperios reactivos
Calderas Perforacin de pozos petroleros
Calefaccin por induccin Generadores ultrasnicos
Cargador de batera Propulsores motores
Centelladores luminosos Mquinas dispensadoras automticas
Charolas para calentar alimentos Interruptores estticos
Cobijas elctricas Bombas y compresores
Computadoras Fongrafos
Conductores Fotocopias
Controles de calor Controles de seales de trnsito
Controles lineales de motor de induccin Transmisores de muy baja frecuencia
Corriente directa de alto voltaje (HYDC) Dcflcctorcs de televisin
Crisoles Trenes de laminacin
Electrodepsito electromecnico Sistemas de seguridad
Electrodomsticos Trenes miniatura
Electroimanes Amplificadores de radio frecuencia
Elevadores Fuentes de alimentacin de energa solar
Estibadores Rclcvadores estticos
Excitadores de generador Controles de temperatura
Exhibidores Prensas de impresin
Fuentes de alimentacin para aeronaves flalastras para lmpara de arco de mercurio
Fuentes de alimentacin para laser Fuentes de alimentacin no interrumpibles
Grabaciones magnticas Soldadura
Gras y tomos Material fotogrfico
Herramientas elctricas Lavadoras
Herramientas manuales de potencia Juguetes
Hornos de cemento Produccin de papel
Ignicin electrnica Sistemas servo
Iluminacin de alta frecuencia Trenes
Juegos Arranque de mquinas sncronas
Licuadoras Proyectores de cinc
Locomotoras Reguladores de voltaje
Mezcladores de alimento Fuentes de poder para aplicaciones espaciales
Molinos Temporizadores
Precipitadores electrostticos Mquinas de coser
Procesos qumicos Aceleradores de partculas
Publicidad Magnetos o electroimanes
Puertas de cochera automticas Fibras sintticas
Pulsador Rclcvadorcs de estado slido
Relevadores de enganche Aspiradoras de vaco
Secadoras de ropa Transponadores de personas
Secadoras elctricos Unidad superficial de rango
Sopladores Barra de control de reactor nuclear
Vehculos elctricos Reguladores
Ventiladores Contactores de estado slido
Ventiladores elctricos Refrigeradores

Fuente: Ref. 5

Sec.1-2 Historia de la electrnica de potencia 3


<U
<U

'"
Vl
<U

~
<U
-
Oj
"O
,~
s'"
'"
o
8

4
procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la electr-
nica de potencia nos est dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de ener-
ga con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la electrnica de potencia, que es el
msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro. se han descubierto muchas aplicaciones po-
tenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la
electrnica de potencia formar y condicionar la electricidad, en alguna parte de la lnea de trans-
misin, entre el punto de generacin y todos los usuarios. La revolucin de la electrnica de po-
tencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90. En la figura 1.2 se
muestra la historia cronolgica de la electrnica de potencia.

'-3 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de
1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970,
los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de la energa
en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semi-
conductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en
cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura
de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada
(IGBT) y transistores de induccin estticos (SIn. Los tiristores se pueden subdividir en ocho ti-
pos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (e) tiristor desactivado
por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico
(SITH), (f) tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATI), (g) rectificador controlado
de silicio fotoactivado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS (MCn. Los transistores de
induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial,
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recupera-
cin rpida) y Schouky, Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la
especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo
de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 us. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales
para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos termi-
nales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un
tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumen-
ta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el -
voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo
de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.4 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de
nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. En la figura 1-3 aparecen varias configura-
ciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce
como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de
hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno.
Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo.y una compuerta. Cuando una pequea
corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hada el ctodo, el tiristor conduce, siempre y
cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est
en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor contina
conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es

Seco '-3 Dispositivos semiconductores de potencia 5


..,-',
\_J

I,~
,~,
tt i, .11
Figura 1-3 Varias configuraciones de
diodos de uso general. (Cortesa de Po-
wercx, Inc.)

muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el
potencial del nodo sea igualo menor que el potencial del ctodo. Los tiristores conmutados en l-
nea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmuta-
dos en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de
conmutacin. En la figura 1-4 se muestran varias configuraciones de tiristores de control de fase (o
de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja.
Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de
hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los iiristorcs de bloqueo inverso de alta ve-
locidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 IlS con un tiristor de
1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el ins-
tante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito
de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especi-
ficado, sin activarse [2]. Los RCT Y los GA TI se utilizan en gran medida para la interrupcin de
alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un ti-

Figura 1-4 Varias configuraciones de


tiristor. (Cortesa de Powerex, Ine.)

6 Introduccin Cap. 1
ristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000 J

(y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 us, Los GATT estn dispo-
nibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 us, Los LASCR, que se fabri-
can hasta 6000 V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 us, son adecuados para
sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente alter-
na de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de ca-
lor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de
los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de
compuerta. El flujo de corriente a travs de LnTRIAC se puede controlar en cualquier direccin.
Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan me-
diante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la apli-
cacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin.
Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponi-
bles hasta 4000 V, 3(XlO A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200
V, 300 A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una fre-
cuencia de varios cientos de kilohcrtz y ms all del rango de frecuencia de los GTO. En la figura
1-5 se muestran varias configuraciones de GTO. Un MCT se puede "activar" mediante un peque-
o pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo), y desactivar median-
te un pulso pequeo de voltaje positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de
desactivacin es muy alta. Los MCT estn disponibles hasta 1000 V, 100 A.
Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a
frecuencias menores que 10 kHz y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de
hasta 1200 V, 400 A. Las diferentes configuraciones de los transistores bipolares de potencia apa-
recen en la figura 8-2. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo
general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la
base de un transistor NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo
suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se
conservar activado, siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La
cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excita-

Figura 1-5 Tiristores desactivados por com-


puerta. (Cortesa de Intemational Rectifiers.)

Seco '-3 Dispositivos semiconductores de potencia 7


cin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desacti-
vado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn
disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un
rango de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diferentes MOSFET de potencia de distin-
tos tamaos aparecen en la figura 8-21. Los IGBT son transistores de potencia controlados por
voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET.
Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BlT.
Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los
IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.
Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Es, en esencia, la versin en
estado slido del tubo de vaco triodo, y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de
bajo ruido, baja distorsin y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activacin y desactivacin
son muy cortos, tpicamente de 0.25 J.lS. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada de
voltaje limitan sus aplicaciones para conversiones de energa de uso general. La especificacin de
uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200 V, 300 A, Y la velocidad de interrupcin
puede ser tan alta como 100 kHz. Los SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta
frecuencia (es decir audio, VHFIUHF, y amplificadores de microondas). Las especificaciones de
los dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla l.2,
donde el voltaje activo es la cada del voltaje de estado activo del dispositivo a la corriente especi-
ficada. En la tabla 1.3 aparecen las caractersticas v-i y los smbolos de los dispositivos semicon-
ductores de potencia comnmente utilizados.

TABLA 1.2 ESPECIFICACIONESDE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA


Especificacin Alta Tiempo de Resistencia en
de voltaje/ frecuencia conmutacin estado activo
Tipo corriente (Hz) (us) (Q)
Diodos Uso general 5000 V/5000 A Ik 100 0.16m
Alta velocidad 3000 V/1000 A 10k 2-5 1m
Schottky 40 V/fIJ A 20k 0.23 10m
Tiristores desactivados De bloqueo inverso 5000 V/5000A Ik 200 0.25m
en forma forzada Alta velocidad 1200 V/1500 A 10k 20 0.47m
Bloqueo inverso 2500 V/400 A 5k 40 2.16m
Conduccin inversa 2500 V/1000 A 5k 40 2.1m
GATT 12ooV/400 A 20k 8 2.24m
Disparo lumnico 6000 V/1500 A 400 200-400 0.53m
TRIAC 1200 V!300 A 400 200-400 3.57m
Tiristores desactivados GTO 4500 V!3000 A 10k 15 2.5m
automticamente SITH 4000 V/2200 A 20k 6.5 5.75m
Transistores de Individual 400 V/250 A 20k 9 4m
potencia 400 V/40 A 20k 6 31m
630 V/50 A 25k 1.7 15m
Darlington 1200 V/400 A 10k 30 10m
SIT 1200 V!300 A 100k 0.55 1.2
MOSFET de potencia Individual 500 V/8.6 A 100k 0.7 0.6
1000 V/4.7 A 100k 0.9 2
,
500 V/50 A 100k 0.6 O.4m
IGBT Individual 1200 V/400 A 20k 2.3 60m
MCT Individual 600 V/fIJ A 20k 2.2 18m
Fuente: Ref. 3.

8 Introduccin Cap. 1
TABLA 1.3 CARACTERISTICAS y SIMBOLOS DE ALGUNOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Dispositivos Smbolos Caractersticas

A lo K
Diodo o ~
o

l VAK I r
1_
Tiristor o
lA

~G o
1",

O
DiSrO de compuerta

VAK
A K
(
G

51TH A~ K

GTO o
1", Df=G o
A K
(
MCT

1... _ Disparo de compuerta

TAIAC o
A
Disparo de
compuerta
t -7 -_ O -
V
Al!

A
LASCA o--

e~B Icf.C
NPNBJT
.Ie
E
IC ,,...---- YaSn
IGBT J
II-----Vr
Vas1

0'--------- VCS
lo
r----- VGSO
MOSFET
de canal N.
/1------
11-----VoSn
Vas, >VoSn

OL..--------Vos

~:
lo
,..----YGS1. OY
SIT }-,----VGSl < VGSn
1------ VoSn
O'---------Vos
Las hojas de datos para un diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT y MCT se dan en el
apndice G. En la figura 1-6 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispo-
sitivos de potencia. Un supcrdispositivo de potencia debera (1) tener un voltaje activo igual a ce-
ro, (2) soportar un voltaje fuera de conduccin infinito, (3) manejar una corriente infinita, y (4)
"activarse" y "desactivarse" en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una velocidad de conmuta-
cin infinita.

100M Rango adual de productos


______ P~n futuro de desarroHo

10M

1M

<
~ l00K Robot.mquina soldador.
"c:I
1
:2
u
1 10K
Q.
1
CJ

lK

100

10

Frecuencia de operacin (Hz)

Figura 1-6 Aplicaciones de los dispositivos de potencia. (Cortesa de Powerex, Inc.)

'4 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante la


aplicacin de seales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de los
transistores bipolares). La salida requerida se obtiene mediante la variacin del tiempo de conduc-
cin de estos dispositivos de conmutacin. En la figura 1-7 se muestran los voltajes de salida y las
caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia de uso comn. Una vez
que un tiristor est en modo de conduccin, la seal de la compuerta ya sea positiva o negativa no
tiene efecto; esto aparece en la figura 1-7a. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia est
en modo de conduccin normal, existe una pequea cada de voltaje a travs del mismo. En las
formas de onda de voltaje de salida de la figura 1-7, estas cadas de voltaje se consideran despee-
ciables y, a menos que se especifique lo contrario, esta suposicin se conservar a travs de los
captulos siguientes.

10 Introduccin Cap. 1
+
r_:~_~
__!J g
n I

Tiristor

1 vJ..__"
(a) Tiristor interruptor
. t

51TH

r
A ~K

A
+ . - -- - - - -~
K +

J'
GTO

Iv,
[,
A~..c-K R v
MCTTG

1, T
(bi Interruptor GTO/MCT/SITH (en el caso de MCT, la polaridad de Vg se invierte como se muestra)

r t,
L,
T

+ R

I~ 'X'
(e) Transistor interruptor
t,
[,
T

~~:.Tf
+ 0-0--------,

+W S t,

[, l'
V. ~
A

t,
[,
T
(d) Interruptor MOSFET/IGBT

Figura 1-7 Caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia.

Seco '-4 Caractersticasde control de los dispositivos de potencia 11

' ... ;,-,;'.0.<;;..1....,. _


Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar a partir de:

1. Activacin y desactivacin sin control (por ejemplo diodo)


2. Activacin controlada y desactivacin sin control (por ejemplo SCR)
3. Caractersticas de activacin y desactivacin controladas (por ejemplo BJT, MOSFET,
GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT)
4. Requisito de seal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT)
5. Requisito de pulso en la compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT)
6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO)
7. Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT)
8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT)
9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH,
SIT, diodo)

'-5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOSDE POTENCIA

Para el control de la potencia elctrica o del acondicionamiento de la misma, es necesario conver-


tir la potencia de una forma a otra, las caractersticas de interrupcin de los dispositivos de poten-
cia permiten dicha conversin. Los convertidores de potencia estticos llevan a cabo estas
funciones de conversin de potencia. Un convertidor se puede considerar como una matriz de
conmutacin. Los circuitos electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos:

1. Rectificadores de diodos
2. Convertidores ca-ed (rectificadores controlados)
3. Convertidores ca-ed (controladores de voltaje de ca)
4. Convertidores ca-ed (pulsadores de cd)
5. Convertidores cd-ca (inversores)
6. Interruptores estticos

Los dispositivos de los convertidores siguientes se utilizan nicamente para ilustrar los prin-
cipios bsicos. La accin de interrupcin de un convertidor puede ser llevada" cabo por ms de
un dispositivo. La seleccin de un dispositivo en particular depender del voltaje, la corriente y
los requisitos de velocidad del convertidor.

Rectificadores. Un circuito rectificador por diodos convierte el voltaje de ca en un vol-


taje fijo de cd como se muestra en la figura 1-8. El voltaje de entrada al rectificador puede ser mo-
nofsico o trifsico.

Convertidores ca-ed, Un convertidor monofsico con dos tiristores de conmutacin


natural aparece en la figura 1-9. El valor promedio del voltaje de salida se puede controlar varian-
do el tiempo de conduccin de los tiristores o el ngulo de retraso de disparo, a. La entrada puede

12 Introduccin Cap. 1
Diodo D,
.----___,,...~--___,
J +lv.=vmsenwt

_ Resistenciade carga
AlimentacJ
deca]
,} R

.,
Diodo D,
(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda de voltaje

Figura 1-8 Circuito rectificador monofsico.

ser una fuente mono o trifsica. Estos convertidores tambin se conocen como rectificadores con-
trolados.

Convertidores ca-ca. Estos convertidores se utilizan para obtener un voltaje de salida


de corriente alterna variable a partir de una fuente de corriente alterna fija, la figura 1-10 muestra
un convertidor monofsico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla mediante la variacin
del tiempo de conduccin de un TRIAC o el ngulo de retraso de disparo, a. Estos tipos de con-
vertidores tambin se conocen como controladores de voltaje de ca.

Convertidores cd-cd, Un convertidor cd-cd tambin se conoce como un pulsador o


un regulador de conmutacin. en la figura 1-11 aparece un pulsador de transistor. El voltaje pro-
medio de salida se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin t. del transistor Q. Si
o
T es el periodo de corte, entonces t = oT. se conoce como el ciclo de trabajo del pulsador. '

v.

Tiristor T,
-;;-1
1
I
+ 1 V.=Vmsenwt -Vm -t-------
- Resistencia de carga
R

+ v~~
wt
1_1 lT 2"
a
Tiristor T,
(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda de voltaje
Figura 1-9 Convertidor monofsico ca-ed.

Seco'-5 Tipos de circuitos electrnicos de potencia 13


2ft

TRIAC

+ + I
I
I
Alimentacin Resistencia O 1'-__LJ...J..J,..L.JL.U..I...l.!--T-n'TT"1rT'T"""""~_ wt
de ca
V. = Vm sen rot de carga R ~I
a
2"

(al Diagrama de circuito (bl Formas de onda de voltaje

Figura 1-10 Convertidor monofsico ca-ca.

Convertidores cd-ca. Un convertidor de cd a ca tambin se conoce como un inversor.


Un inversor monofsico de transistor se muestra en la figura 1-12. Si los transistores MI y M2 con-
ducen durante medio periodo, y M3 YM4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida tiene
una forma alterna. El voltaje de salida puede ser controlado variando el tiempo de conduccin de
los transistores.

Interruptores estticos. Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados
como interruptores estticos o contactares, la alimentacin a estos interruptores puede ser de ca o
de cd y se conocen como interruptores estticos de ca o interruptores de cd.

+-------,

V.

Alimentacin
decd
Vo

(al Diagrama de circuito (bl Formas de onda del voltaje

Figura 1.11 Convertidor de cd-cd.

14 Introduccin Cap. 1
f"'V~
f~~--,-
+
T

T T
I I
Alimentacin
Vo 2"
V, 1-------., .-- de cd

V.
O~-----~~T~------~T-+
2"
- V, - '-- -~

(b) Formas de onda de voltaje (a) Diagrama de circuito

Figura 1-12 Convertidor monofsico cd-ca.

'-6 DISEO DE UN EOUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

El diseo de un equipo de electrnica de potencia se puede dividir en cuatro partes:

1. Diseo de los circuitos de potencia


2. Proteccin de los dispositivos de potencia
3. Determinacin de la estrategia de control
4. Diseo de los circuitos lgicos y de mando

En los captulos siguientes, se describen y analizan varios tipos de circuitos electrnicos de


potencia, En el anlisis se supone que los dispositivos de potencia son interruptores ideales, a me-
nos que se indique lo contrario, desprecindose los efectos de la inductancia de dispersin de cir-
cuito, la resistencia del circuito y la inductancia de la fuente. Los dispositivos y circuitos de
potencia prcticos difieren de estas condiciones ideales quedando los diseos de los circuitos tam-
bin afectados. Sin embargo, en las primeras etapas del diseo, resulta muy til el anlisis simpli-
ficado del circuito para comprender la operacin del mismo y para establecer las caractersticas y
la estrategia de control.
Antes de elaborar un prototipo, el diseador deber investigar los efectos de los parmetros
del circuito (y las imperfecciones de los dispositivos) modificando el diseo, si es necesario. Slo
despus de que se haya construido y probado el prototipo, el diseador podr confiar en la validez
del mismo y podr estimar con ms exactitud algunos de los parmetros de circuito (por ejemplo
la inductancia de dispersin).

'-7 EFECTOSPERIFERlCOS

Las operaciones de los convertidores de potencia se basan principalmente en la conmutacin de


dispositivos semiconductores de potencia; y como resultado, los convertidores introducen armni-
cas de corriente y de voltaje en el sistema de alimentacin y en la salida de los convertidores.

Seco 1-7 Efectos perifricos 15

c.o=.~ _
Estas pueden originar problemas de distorsin del voltaje de salida, generacin de armnicas en el
sistema de alimentacin e interferencia con circuitos de comunicacin y sealizacin. Normal-
mente es necesario introducir filtros en la salida y en la entrada de un sistema convertidor, para re-
ducir a una magnitud aceptable el nivel de armnicas. En la figura 1-13 se muestra el diagrama de
bloque de un convertidor de potencia generalizado. La aplicacin de la electrnica de potencia pa-
ra alimentar cargas electrnicas sensibles presenta un reto sobre temas de calidad de la potencia y
presenta problemas y preocupaciones que deben ser resueltas por los investigadores. Las cantida-
des de entrada y de salida de los convertidores pueden ser ca o cd. Factores tales como la distor-
sin armnica total (THD), el factor de desplazamiento (HF) y el factor de potencia de entrada
(IPF) son medidas de la calidad de una forma de onda. A fin de determinar estos factores, es nece-
sario encontrar el contenido armnico de las formas de onda. Para evaluar el rendimiento de un
convertidor, los voltajes/corrientes de entrada y de salida de un convertidor se expresan en series
de Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se juzga por la calidad de sus formas de onda
de voltaje y de corriente.

..
Fuente de Filtro de
entrada r---- Convertidor de
potencia r---- Filtro de
salida
Salida
potencia

+
Generador de
seal de control de
con mutacin

Figura 1-13 Sistema convertidor de potencia generalizado.

La estrategia de control para los convertidores de potencia juega un papel importante en la


generacin de armnicas y en la distorsin de la forma de onda de salida, y puede guiarse a fin de
minimizar o reducir estos problemas. Los convertidores de potencia pueden causar interferencia
de radio frecuencia, debido a radiacin electromagntica, y los circuitos de mando generar seales
errneas. Esta interferencia se puede evitar mediante un blindaje aterrizado.

18 MODULOS DE POTENCIA

Los dispositivos de potencia estn disponibles como unidades individuales o como mdulos. A
menudo un convertidor de potencia requiere de dos, cuatro o seis dispositivos, dependiendo de su
topologa. Los mdulos de potencia con dual (en configuracin de medio puente), quad (en puente
completo), o seis (trifsicos) estn disponibles para prcticamente todos los tipos de dispositivos
de potencia. Los mdulos ofrecen las ventajas de menores prdidas en estado activo, altas caracte-
rsticas de interrupcin de voltaje y corriente y una velocidad ms alta que la de los dispositivos
convencionales. Algunos mdulos incluyen circuitera para la proteccin de transitorios y de la
excitacin de compuerta.

16 Introduccin Cap. 1
1-9 MODULOS INTELIGENTES

Los circuitos de excitacin de compuerta estn disponibles comercialmente para excitar dispositi-
vos individuales o mdulos. Los mdulos inteligentes, que representan el estado ms avanzado de
la electrnica de potencia, integran el mdulo de potencia junto con el circuito perifrico. El cir-
cuito perifrico est formado por un aislamiento de entrada/salida de una interfaz con el sistema
de la seal y el sistema de alto voltaje, un circuito de excitacin, un circuito de proteccin y de
diagnstico (para evitar una corriente excesiva, corto circuito, carga abierta, sobrecalentamiento y
voltaje excesivo), control por microcomputadora y una alimentacin de energa de control. Los
usuarios slo necesitan conectar fuentes de alimentacin externas (flotantes). Un modelo inteli-
gente tambin se conoce como potencia inteligente. Estos mdulos se utilizan cada vez ms en la
electrnica de potencia [8]. Los siguientes son algunos fabricantes de dispositivos y de mdulos:

Advanced Power Technology


Brown Boveri
Fuji Electric/Collmer Semiconductor, lnc.
Harris Corp.
Hitachi Ltd.
International Rectifier
Marconi Electronic Devices, lnc.
Mitsubishi Elcctric
Motorola, lnc.
National Scmiconductors, lnc.
Nihon Intcrnational Electronics Corp.
Power lntegrations, Inc.
Powerex,lnc.
PowerTech, lnc.
RCA Corp.
Semikron lnternational
Siliconix, lnc.
Tokin,lnc.
Tokyo Denki
Toshiba Corp.
Unitrode Integrated Circuits
Westcode Semiconductors Ltd,

1-10 PUBLICACIONES PERIODICAS y CONFERENCIAS SOBRE


LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Existen muchas publicaciones peridicas y conferencias profesionales en los cuales se hacen p-


blicos los desarrollos nuevos. Algunos de ellos son:

Seco 1-10 Publicaciones peridicas y conferencias sobre la electrnica de potencia 17


IEEE Transactions on Industrial Electronics
IEEE Transactions on lndustry Applications
IEEE Transactions on Power Delivery
IEEE Transactions on Power Electronics
lEE Proceedings on Elcctric Power
Journal of Electrical Machinery and Power Systems
Applied Powcr Elcctronics Conference (APEC)
European Power Elcctronics Conference (EPEC)
IEEE Industrial Electronics Conference (IECON)
IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (lAS)
Intcmational Confcrcncc on Elcctrical Machines (ICEM)
Intemational Power Electronics Conference (IPEC)
Power Conversion Intelligent Motion (PCIM)
Power Electronics Spccialist Conference (PESC)

RESUMEN

Conforme se desarrolla la tecnologa de los dispositivos semiconductores de potencia y los circui-


tos integrados, se ampla el potencial para la aplicacin de la electrnica de potencia. Ya existen
muchos dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles; sin embargo, con-
tina el desarrollo en esta direccin. Los convertidores de potencia se agrupan por lo general en
seis categoras: (1) rectificadores, (2) convertidores ca-ed, (3) convertidores de ca-ca, (4) converti-
dores cd-cd, (5) convertidores cd-ca y (6) interruptores estticos. El diseo de los circuitos de la
electrnica de potencia requiere del diseo de los circuitos de potencia y de control. Las armni-
cas de voltaje y de corriente generadas por los convertidores de potencia se pueden reducir (o mi-
nimizar) con una eleccin apropiada de la estrategia de control.

REFERENCIAS

1. R. G. Ho, "Historical rcvicw, prcscnt status and fu- tional Semiconductor Power Con verter Conference,
ture prspects". lruernational Power Electronics 1982, pp. 1-19.
Conference, Tokio, 1983, pp. 6-18. 5. R. G. I-Iolt, Semiconductor Power Electronics. New
York: Van Nostrand Reinhold Company, Inc., 1986.
2. General Electric, D. R. Grafharn y F. R. Goldcn, cds.,
SCR Manual, 6th cd. Englcwood Cliffs. N.J.: Prcnti- 6. T. M. Jahns, "Designing intclligent muscle into in-
ce HaIJ, 1982. dustrial motion control", IEEE Transactions on In-
dustrial Electronics, Vol. IE37, No. 5 1990, pp.
3. F. Harashima, "Statc of thc art on powcr clcctronics 329-341.
and eleetrical drivcs in Japan", 3rd IFlle Symposium 7. R. K. Bosc, "Reccnt advances in power electronics,
on Conirol in Power Electronics and Electrical Dri- IEEE Transactlons Power Electronics, Vol. PE7, No.
vers, Lausannc, Suiza, 1983, tutorial session and sur- 1,1992, pp. 2-16.
vey papers, pp. 23-33.
8. R. K. Rose, Modern Power Electronics: Evolution,
4. B. R. Pelly, "Powcr semiconductor dcviccs: a status Technology, and /vpplications, Nueva York: IEEE
review", IEEE lndustry Applications Society Interna- Prcss, 1992.

18 Introduccin Cap. 1
PREGUNTAS DE REPASO

L-L Qu es electrnica de potencia? 1-16. Cules son los pasos incluidos en el diseo de un
}-2. Cules son los diversos tipos de tiristorcs? equipo de electrnica de potencia?
1-17. Cules son los efectos perifricos del equipo elec-
}-3. Qu es un circuito de conmutacin?
trnico de potencia?
}-4. Cules son las condiciones para que un tiristor
1-18. Cules son las diferencias entre las caractersticas
conduzca?
de compuerta de los GTO y los tiristores?
}-5. Cmo se puede desactivar un iiristor en conduc-
1-19. Cules son las diferencias entre las caractersticas
cin?
de compuerta de tiristores y transistores?
}-6. Qu es conmutacin de lnea? 120. Cules son las diferencias en las caractersticas de
}-7. Qu es conmutacin forzada? compuerta de los TBI y los MOSFET?
}-8. Cul es la diferencia entre un tiristor y un 1-21. Cul es la caracterstica de compuerta de un
TRIAC? 1GBT?
}-9. Cul es la caracterstica de compuerta de un 1-22. Cul es la caracterstica de compuerta de un
GTO? MCT?
}-}o. Cul es el tiempo de desactivacin de un tiristor? 1-23. Cul es la caracterstica de compuerta de un SIT?

}-11. Qu es un convertidor? 1-24. Cules son las diferencias entre un TBI y los
IGBT?
}-12. Cul es el principio de conversin de ca-ed?
1-25. Cules son las diferencias entre los MCT y los
}-13. Cul es el principio de conversin de ca-ca? GTO? .
}-}4. Cul es el principio de conversin de cd-cd? 1-26. Cules son las diferencias entre los S1TH y los
}-15. Cul es el principio de conversin de cd-ca? GTO?

Cap. 1 Preguntas de repaso 19


Diodos semiconductores de potencia

21 INTRODUCCION

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los circuitos electrni-
cos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones,
como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los reguladores conmutados, in-
versin de carga de capacitores y transferencia de energa entre componentes, aislamiento de vol-
taje, retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa
atrapada.
Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que los diodos de potencia son in-
terruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren de las caractersticas ideales y tie-
nen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin pn.
Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energa, el
voltaje y la corriente, que los diodos de seal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o velocidad
de conmutacin) es baja en comparacin con los diodos de seal.

22 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS

Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales, por lo general, una unin
pn est formada por aleacin, difusin y crecimiento cpitaxial. Las tcnicas modernas de control
en los procesos de difusin y epitaxiales permiten obtener las caractersticas deseadas para el dis-
positivo. En la figura 2-1 aparece un corte transversal de una unin pn y un smbolo de diodo.
Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo tiene
polarizacin directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccin tiene una cada de
voltaje directa relativamente pequea a travs de s mismo; la magnitud de esta cada de voltaje
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin. Cuando el potencial del c-
todo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo tiene polarizacin inversa. Bajo con-

20
Anodo Ctodo Anodo Ctodo
-".--11 p I n [f---....
1, ,
.....
O,

v v
+ " - 1, -
+
~----~II~----~ ~-----ll,f---~_'
a) Unin pn (b) Simbolo de diodo Figura 2-1 Smbolo de diodo y unin pa.

diciones de polarizacin inversa, fluye una pequea corriente inversa (tambin conocida como co-
rriente defuga) en el rango de los micras o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente
en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha o zener. En la figura 2-2a se
muestran las caractersticas v-i de un diodo en rgimen permanente. Para fines prcticos, un diodo
se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la figura 2-2b.
Las caractersticas v-i mostradas en la figura 2-2a se pueden expresar mediante una ecua-
cin conocida como la ecuacin Schockley de diodo, y est dada por
lo = l,(eV"!,,v - 1) (2-1)

donde ID = corriente a travs del diodo, A


VD = voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al ctodo, V
1, = corriente de fuga (o corriente de saturacin inversa), tpicamente en el rango entre 10-6
y 10-15 A
n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de idealidad, cuyo
valor vara de 1 a 2.

El coeficiente de emisin n depende del material y de la construccin fsica del diodo. En el caso
de los diodos de germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el valor predicho de
n es 2, pero en la mayor parle de los diodos de silicio reales, el valor de n cae entre 1.1 y1.8.
En la ecuacin (2-1), Vr es una constante llamada voltaje trmico y est dada por
(2-2)
q

ID

VD
v o v

Corriente
de fuga
inversa

(a) Prcticao real (b) Ideal

Figura 2-2 Caractersticas v-i del diodo.

Sec.2-2 Caractersticas de los diodos 21


donde q = carga del electrn: 1.6022 x 10-1\1 culombios (C)
T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273 + "C)
k = constante de Boltzmann: 1.3806 x 10-23 J/K

A una temperatura de unin de 25 oC, la ecuacin (2-2) da

v _ kT _ 1.3806 x 10-23 x (273 + 25) ~


T - q - 1.6022 X IO-IY ~ 25.8 mY

A una temperatura especificada, la corriente de fuga I, es una constante para un diodo dado. La
caracterstica del diodo de la figura 2-2a se puede dividir en tres regiones:

Regin de polarizacin directa, donde VD > O


Regin de polarizacin inversa, donde VD < O
Regin de ruptura, donde VD < - VIX

Regin de polarizacin directa. En la regin de polarizacin directa, VD > O. La co-


rriente del diodo lo es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico
VTD (tpicamente 0.7 Y). El diodo conduce totalmente si Vo es mayor que este valor VTD, que se
conoce como el voltaje umhral, voltaje de corte, o voltaje de activacin. Por lo tanto, el voltaje
umbral es un voltaje al cual el diodo conduce totalmente.
Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD = 0.1 Y, n = I Y VT = 25.8 mY. De la ecua-
cin (2-1) podemos encontrar que la corriente correspondiente al diodo ID es

lo = I,('\'I>/I>\', - 1) = l,l('()I/IIX()()2'~J - 1] = 1,(48.23 - 1)

'" 48.231$ con 2.1 % de error


Por lo tanto, para VD > 0.1 Y, que es por 10 general el caso, ID i., y la ecuacin (2-1) se puede
aproximar, dentro de un error de 2.1 %, a
(2-3)

Regin de polarizacin inversa. En la regin de polarizacin inversa, VD < O. Si VD


es negativo y IVD 1 VT, cosa que ocurre para VD < -0.1, el trmino de la exponencial de la ecua-
cin (2-1) se vuelve desprcciablemcnte pequeo en comparacin conla unidad, y la corriente del
diodo ID se vuelve

(2-4)

lo que indica que la corriente del diodo lo en la direccin inversa es constante y es igual a l;

Regin de ruptura. En la regin de ruptura, el voltaje inverso es alto, por lo general


mayor que 1000 Y. La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado conocido co-
mo voltaje de ruptura, VBR. La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo cambio en
el voltaje inverso ms all de VBR La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siem-
pre y cuando la disipacin de la potencia est dentro del "nivel seguro" especificado en la hoja de
datos del fabricante. A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de la ruptura,
a fin de mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.

22 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


Ejemplo 21

La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es VD = 1.2 Va ID = 300 A. Suponiendo que


n = 2 y VT = 25.8 mV, encuentre la corriente de saturacin Is'
Solucin Aplicando la ecuacin (2-1), podemos encontrar la corriente de fuga (o corriente de
saturacin) I.n a partir de
300 = IAel.2/(2 x 258 x lo-') -1]

lo que nos da Is = 2.38371 X 10-&A.

23 CARACTERISTICAS DE LA RECUPERACIONINVERSA

La corriente de un diodo de unin con polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores
mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se
reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicacin de un vol-
taje inverso), el diodo contina conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen
almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minori-
tarios requieren de un cierto tiempo para rccombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este
tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En la figura 2-3 se muestran dos
caractersticas de recuperacin inversa de diodos de unin. El ms comn es el tipo de recupera-
cin suave. El tiempo de recuperacin inversa se denomina l" y se mide a partir del cruce del cero
inicial de la corriente del diodo con el 25% de la corriente inversa mxima (o de pico), [RR. Irr est
formado por dos componentes, la y lb. la est generado por el almacenamiento de carga en la regin
de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pi-
co, [RR. tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La re-
lacin Mla se conoce corno esfactor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse
por el tiempo total de recuperacin t.; y por el valor pico de la corriente inversa [RR.
tr,. = la + lb (2-5)
La corriente inversa pico se puede expresar en di/di inversa como,
di
I/lR = la -- (2,6)
dI

IRR - - -_:_.: I lb

(a) Recuperacin suave (b) Recuperacin abrupta

Figura 2-3 Caractersticas de recuperacin inversa.

Sec.2-3 Caractersticas de la recuperacin inversa 23


El tiempo de recuperacin inversa Ir" puede definirse como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la conduccin directa a la
condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20% de
su valor inverso pico iRR t.; depende de la temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento
de la corriente directa y de la corriente directa antes de la conmutacin.
La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a
travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin
de bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la co-
rriente de recuperacin inversa.
La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de re-
cuperacin, es aproximadamente

(2-7)

o bien
(2-8)

Igualando la ecuacin (2-6) con la ecuacin (2-8) nos da


2QRR
(2-9)
tr,.f" = di/ dt
Si lb es despreciable en comparacin con la, que por lo general es el caso, 1" == la, y la ecuacin (2-9)
se convierte en

(2-10)

(2-11)

Se puede notar, de las ecuaciones (2-10) y (2-11), que el tiempo de recuperacin inversa 1"
y la corriente de recuperacin inversa pico IRlI dependen de la carga de almacenamiento QRR y de
ditdt inverso (o rcaplicado), La carga de almacenamiento depende de la corriente directa del diodo
IF La corriente de recuperacin inversa pico 11111,la carga inversa QRR y el factor de suavidad son
todos de inters para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en
las hojas de especificacin de diodos.
Si un diodo est en una condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga debi-
da a los portadores minoritarios. En ese caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo
a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, cono-
cido como el tiempo de recuperacin directa (o de activacin), antes de que los portadores mayo-
ritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin de la
corriente directa es alta, y la corriente directa est concentrada en una pequea superficie de la
unin, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la velocidad de
elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin.

24 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


Ejemplo 2-2
=
El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es t 3 S Y la velocidad del decremento o de la
reduccin de la corriente del diodo es ditdt = 30 A/s. Determine (a) la carga de almacenamiento
QRR y (b) la corriente inversa pico IRR.
Solucin t.; = 3s y diidt = 30 A/s.
(a) De la ecuacin (12-10),
I di ,
QRR = 2: dr r~r = 0.5 x 30 AIfJ.s x (3 x 10-1>)' = 135 fJ.C

(b) De la ecuacin (2-11)

IRR = V2Q /ili


di
dI = Y2 x 135 x IO-' x 30 x 10 (, = 90 A

2-4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Idealmente, un diodo no debera tener tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el costo de
fabricacin de un diodo semejante aumentara. En muchas aplicaciones, no son de importancia los
efectos del tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos poco costosos. Dependien-
do de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se
pueden clasificar en tres categoras. Las caractersticas y las limitaciones prcticas de cada uno de
estos tipos restringen sus aplicaciones.

1. Diodos estndar o de uso general


2. Diodos de recuperacin rpida
3. Diodos Schottky
2-4.1 Diodos de uso general
Los diodos de rectificacin de uso general tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente
alto, tpicamente de 25 us, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de
recuperacin no es crtico (por ejemplo, en rectificadores de diodos y convertidores para una baja
frecuencia de entrada, de hasta 1 kHz, y en convertidores conmutados en lnea). Estos diodos cu-
bren especificaciones de corriente desde menos de uno hasta varios miles de amperios, con espe-
cificaciones de voltaje desde 50 V hasta alrededor de 5 kV. Estos diodos generalmente se fabrican
por difusin. Sin embargo, los rectificadores de tipo de aleacin usados en las fuentes de alimeri-
tacin para mquinas de soldadura son muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones pue-
den llegar hasta 300 A Y1000 V.
2-4.2 Diodos de recuperacin rpida
Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor
que 5 us, Se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recupe-
racin es a menudo de importancia crica. Estos diodos cubren especificaciones de corriente, des-
de menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 V hasta
aproximadamente 3 kV.
Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacin rpida por
lo general se fabrican por difusin y cltiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o

Sec.2-4 Tipos de diodos de potencia 25 I


I
platino. Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los diodos cpitaxiales proporcionan
velocidades de conmutacin mayores que las de los diodos de difusin. Los diodos epitaxiales tie-
nen la base ms angosta, lo que permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como 50 ns.
En la figura 2-4 se muestran diodos de recuperacin rpida de varios tamaos.

2-4.3 Diodos Schottky

En un diodo Schouky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga


de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una "barrera de potencial" con un contacto en-
tre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada cpitaxial de silicio de tipo n se deposita
una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn. La accin
rectificadora slo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores
minoritarios en exceso para rccombinar. El efecto de recuperacin se debe nicamente a la auto-
capacitancia de la unin semiconductora.
La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente
de unin pn. Dado que se debe slo a la capacitancia de la unin, bsicamente es independiente de
la di/dt inversa. Un diodo Schouky tiene una salida de voltaje directa relativamente baja.
La corriente de fuga de un diodo Schouky es mayor que la de un diodo de unin pn. Un dio-
do Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativa-
mente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo general
limitado a 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schouky varan de 1 a 300 A.
Los diodos Schouky son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo volta-
je en corriente directa. Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja co-
rriente para una eficiencia mayor. En la figura 2-5 se muestran rectificadores Schottky de 20 y de
30 A duales.

Figura 2-4 Diodos de recuperacin r-


pida. (Cortesa de Powcrex, Inc.)

26 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


Figura 2-5 Rectificadores centrales Schottky de 20 y
de 30 A duales. (Cortesa de International Rectifier.)

2-5 EFECTOSDEL TIEMPO DE RECUPERACIONDIRECTA E INVERSA

La importancia de estos parmetros se puede explicar con la figura 2-6a. Si el interruptor, SW, se
cierra en 1 = O y se mantiene cerrado el tiempo suficiente, una corriente en rgimen permanente lo =
Vs IR fluir a travs de la carga y el diodo en marcha libre D. quedar con polarizacin inversa. Si

+0---_---<>
sw D,
R
v.
L

(a) Diagrama de circuito

il
lo

o 7 I

7
10

o I
1, 12

i2
10 ------ - --

o 1,
1,
Debido a la
_ recuperacin
inversa de Dm
Figura 2-6 Circuito pulsador sin inductor
(b) Formas de onda Iimitante di/di.

Sec.2-5 Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa 27

~.:):'
....,
....
"",--"
...
"'
..
I,;::~"'''''---------------------
el interruptor se desconecta en 1:: 11,el diodo D conducir y la corriente de carga circular a tra-
vs de Dm. Ahora, si el interruptor se vuelve a conectar en el tiempo I = 12, el diodo Dm se compor-
tar como si estuviera en corto circuito. La velocidad de elevacin de la corriente directa del
interruptor (y del diodo DI), y la velocidad de reduccin de la corriente directa en el diodo Dm se-
ran muy altas, tendiendo al infinito. De acuerdo con la ecuacin (2-11), la corriente de pico inver-
sa del diodo D podra ser muy alta, y los diodos DI YDm podran daarse. En la figura 2-6b se
muestran las diversas formas de onda para las corrientes de diodos. Este problema por lo general
se resuelve conectando un inductor lirnitante di/di, L" tal y como aparece en la figura 2-7a. Los
diodos reales o prcticos requieren de un cierto tiempo de activacin, antes de que toda la superfi-
cie de la unin se haga conductora, di/di debe mantenerse bajo, para alcanzar el lmite de tiempo
de activacin. Este tiempo a veces se conoce como tiempo de recuperacin directa trf.
La velocidad de elevacin de la corriente a travs del diodo DI, que debera ser la misma
que la velocidad de reduccin de la corriente a travs del diodo Dm, es
di
= (2-12)
dt

+ i, sw o,
R

v,
L

(a) Oiagrama de circuito

iL
10----

- - - -~---------.

(b) Formas de onda

Figura 2-7 Circuito pulsador con inductor lirnitante ditdt.

28 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


Si t., es el tiempo de recuperacin inversa de Dm, la corriente de pico inversa de Dm es

di i;V,
IRR = t, dt (2-13)
L.,
y la corriente de pico a travs del inductor L, sera
t., V,
lp = lo + IRR = lo + t, L, (2-14)

Cuando la corriente del inductor se convierte en p, el diodo D se desconecta o desactiva repenti-


namente (suponiendo una recuperacin abrupta) y rompe la trayectoria del flujo de corriente. En
razn de una carga altamente inductiva, la corriente de carga no puede cambiar rpidamente de lo
a lp. La energa excedente almacenada en L, inducira un alto voltaje inverso a travs de Dm, Y esto
podra daar al diodo Dm. La energa almacenada excedente resultante de un tiempo de recupera-
cin inverso se calcula a partir de
WR = ~L,[(lo + IRR)2 - I~] (2-15)

WR = zL..
1 [( t"VI)2
lo + T
.1
- lo2] (2-16) -

Las formas de onda de las varias corrientes se muestran en la figura 2-7b. Esta energa excedente
se puede transferir del inductor L, a un capacitor C; que se conecta a travs del diodo Dm. El valor
de c,. se puede determinar a partir de

o bien
e = 2WR (2-17)
I V~

donde Ve es el voltaje inverso permisible del diodo.


Una resistencia R; que se muestra en la figura 2-7a con lneas punteadas, se conecta en se-
rie con el capacitor, para amortiguar cualquier oscilacin transitoria. La ecuacin (2-17) es aproxi-
mada y no toma en consideracin los efectos de L, y de R, durante los transitorios de la
transferencia de energa. El diseo de c,. y de R, se analiza en la seccin 15-4.

26 DIODOS CONECTADOS EN SERIE

En muchas aplicaciones de alto voltaje (es decir, en lneas de transmisin HVDC), un diodo co-
mercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los diodos
se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.
Consideremos dos diodos conectados en serie, tal y como se muestra en la figura 2-8a. En la
prctica, las caractersticas v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a tolerancias en su
proceso de produccin. En la figura 2-11b se muestran dos caractersticas v-i para tales diodos.
En condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y la
cada de voltaje directa de cada diodo debera ser prcticamente la misma. Sin embargo, en la
condicin de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como re-
sultado, los voltajes de bloqueo variarn en forma significativa.

Sec.2-6 Diodos conectados en serie 29

.,,~.'" ,.(' ..'"0\.;# ;...... _


--l. +

D,
V. -ro- v
+
, - - - -l.
/
/
/

I
+ 1,

(a) Diagrama de circuito (b) Caracterstica v-i

Figura 2-8 Dos diodos conectados en serie con polarizacin inversa.

Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en la figura 2-9a, es obligar a
que se comparta el mismo voltaje conectando una resistencia a travs de cada diodo. Debido a es-
ta distribucin de voltajes iguales, la corriente de fuga de cada diodo sera diferente mostrndose,
esto en la figura 2-9b. En vista de que la corriente de fuga total debe ser compartida por un diodo
y su resistencia,

(2-18)

= =
Pero IRI = VDtlRI e IRZ VmjR2 VDl/R2. La ecuacin 2-18 proporciona la relacin entre R y R2
para una distribucin de voltaje igual, en la forma
VDI ~ VOl
1.\'1 + -R = 1"2
. + -Rz (2-19)

Si las resistencias son iguales, R = R 1 = R2 Ylos dos voltajes del diodo seran ligeramente distin-
tos, dependiendo de las similitudes entre las dos caractersticas v-i.

i _-1, +
IR' S O,
A, l.,
V.-r-
..
1.2
A2 O2 1,
IR2

(a) Diagrama de circuito (b) Caracterstica v-i

Figura 2-9 Diodos conectados en serie. con caractersticas de distribucin de voltaje


en rgimen permanente.

30 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


Los valores de VD! y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-20) y (2-21):

1
JI
+ VD!
R
= 1J2 + VRD2 (2-20)

VD! + VD2 = Vs (2-21)


La distribucin del voltaje bajo condiciones transitorias (es decir, debido a cargas en conmuta-
cin, aplicaciones iniciales de un voltaje de entrada) se lleva a cabo conectando capacitores a tra-
vs de cada diodo, lo que se muestra en la figura 2-10. R, limita la velocidad de elevacin del
voltaje de bloqueo.

A.
R, O,
Distribucin e, f Distribucin
de voltaje en de voltaje
estado pero
manente O2 c.1 en
transitoria.
Figura 2-10 Diodos en serie con redes de
R2
A, distribucin de voltaje bajo condiciones de r-
gimen permanente y transitoria.

2-7 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO

En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de
conduccin de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin
de corriente de los diodos estara de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas. Se
puede obtener una distribucin uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales (por
ejemplo en las terminales), o conectando resistencias de distribucin de corriente (cosa que puede
no ser prctica debido a perdidas de energa); lo anterior se muestra en la,figura 2-1l. Es posible
minimizar este problema seleccionando diodos con cadas de voltaje directas iguales o diodos del
mismo tipo. Dado que los diodos estn conectados en paralelo, los voltajes de bloqueo inverso de
cada diodo seran los mismos.
Las resistencias de la figura 2-11a ayudarn a la reparticin de corriente en condiciones de
rgimen permanente. La reparticin de la corriente bajo condiciones dinmicas se puede llevar a
cabo mediante la conexin de inductores acoplados, tal y como se muestra en la figura 2-11b. Si

1
Iv
+

I
'--__ ---' 1-
__ L
(a) Estado permanente (b) Reparticin dinmica Figura 2-11 Diodos conectados en paralelo.

Sec.2-7 Diodos conectados en paralelo 31


se eleva la corriente a travs de D, el L ditdt a travs de L aumenta, y se induce un voltaje co-
rrespondiente de polaridad opuesta a travs del inductor L2 El resultado es una trayectoria de baja
impedancia a travs del diodo D2 y la corriente se transfiere a D2 Los inductores generaran picos
de voltaje y podran resultar costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.

28 MODELO SPICE DE DIODO

El modelo SPice de un diodo aparece en la figura 2-12a. La corriente de diodo ID, que depende de
su voltaje, est representada por una fuente de corriente. R, es la resistencia en serie, y se debe a la
resistencia del semiconductor. R; tambin conocido como resistencia del cuerpo, depende de la

Rs
A

o, ~ Vo Co

K
(a) Diodo (b) Modelo SPice

A
A

Rs

VD Ro Co

v~l
K
Figura 2-12 Modelo de diodo SPice,
(e) Modelo de pequea seal (d) Modelo esttico con diodo de polarizacin inversa.

32 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


cantidad de dopados. Los modelos de pequea seal y estticos que se generan mediante SPice
aparecen en la figura 2-12b y e, respectivamente. Cd es una funcin no lineal del voltaje de diodo
=
VD y es igual a Cd dqd1dvD, donde qd es la carga de la capa de agotamiento. SPice genera los pa-
rmetros de pequea seal a partir del punto de operacin.
El enunciado del modelo SPice de un diodo tiene la forma general

.MODEL ONAME o (r]=Vl p2=v2 r3=v3 PN=VN)

DNAME es el nombre del modelo y puede empezar con cualquier carcter; pero el tamao de esta
palabra por lo general se limita a ocho caracteres. D es el smbolo del tipo para diodos. PI, P2, ...
y VI, V2, ... son los parmetros de modelo y sus valores, respectivamente.

Ejemplo 2-3

Dos diodos que se muestran en la figura 2-9a estn conectados en serie, un voltaje total de VD =
5 k V. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son 1.1'1 = 30 mA e Is2 = 35 mA. (a) En-
cuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del voltaje son iguales, RI = R2 =
=
R 100 kQ. (b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R! y R2, si los voltajes del
diodo son Iguales, V/) I = VfJ2 = V/)/2. (e) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte
(a). Los parmetros del modelo PSpice son: B V = 3K VeIS = 30 mA para el diodo DI, e IS 35 =
mA para el diodo D2.
Solucin (a) 1st = 30 mA,Is2 = 35 mA, RI = R2 = R = lOO kQ. V{) V[)t + V{)2 o bien VD2= VD =
- V[)I' De la ecuacin (2-19),

/"'1 + -VD! =
t.,,+-
Vm
R _. R

Sustituyendo VJ)2 = V[) - V/)I' y resolviendo para encontrar el voltaje del diodo DI, obtenemos

VD R
VDI = "2 + 1(/'2 - I,)
(2-22)
5 kV 100 k!1
= -2- + -2- (35 x 10-' - 30 x 10-') = 2750 V

=
Y VD2= Vi) - V[)! 5 kV - 2750 2250 V. =
=
(b) 1st 30 mA,Is2 =
35 mA, y VDt VD2 VD/2 = = = 2.5 kV. De la ecuacin, (2-19)

VD! Vm
/JI +~ = 1.,2 + R2
que nos da la resistencia R2 para un valor conocido R, como

R - YD!RI (2-23)
2 - VD! '1 #(/s2 - l, )

Suponiendo que RI = 100 kU, obtenemos

2.5 kV x lOO k!1


125 k
R2 = 2.5 kV - 100 k!1 x (35 x 10-3 - 30 x 10-.1)

Sec.2-8 Modelo SPice de Diodo 33

.. ' ..' "~'N"">ri'''. .


(c) El circuito del diodo para la simulacin PSpice aparece en la figura 2-13. La lista del archi-
vo de circuito es como sigue:

Example 2-3 Diode Voltaje-Sharing Circuit


VS 1 O DC 5KV
R 1 2 0.01
Rl 2 3 100K
R2 3 O 100K
DI 3 2 MODI
D2 O 3 MOD2
.MODEL MODI D (IS~30MA BV~3KV) Diode model parameters
.MODEL MOD2 O (IS~35MA BV~3KV) Oiode model parameters
.OP Dc operating point analysis
.END

Los resultados de la simulacin PSpice son

NAME 01 02
ID -3.00E-02 101 -30 mA -3.50E-02 102 -35 mA
VD -2.75E+03 VOl -2750 V -2.25E+03 V02 -2250 V
REQ 1.OOE+12 ROl 1 GQ 1.00E+12 R02 1 GQ

R 2

R,
100 kn
+
v; 5 kV

R2
100 ka
Figura 2-13 Circuito de diodo par e,
O la simulacin PSpice del ejemplo 2-3.

RESUMEN

Las caractersticas de los diodos prcticos difieren de las de los diodos ideales. El tiempo de recu-
peracin inversa juega un papel significativo, especialmente en aplicaciones de interrupcin de al-
ta velocidad. Los diodos se pueden clasificar en tres tipos: (1) diodos de uso general, (2) diodos
de recuperacin rpida y (3) diodos Schouky, Aunque un diodo Schottky se comporte como un
diodo de unin pn, no existe unin fsica; y como consecuencia, un diodo Schottky es un disposi-
tivo de portadores mayoritarios. Por otra parte, un diodo de unin pn es un diodo de portadores
tanto mayoritarios como minoritarios.
Si para aumentar la capacidad del voltaje de bloqueo los diodos se conectan en serie, se re-
quieren de redes de reparticin de voltaje bajo condiciones de rgimen permanente y transitorio.
Cuando los diodos se conectan en paralelo, para aumentar la capacidad de conduccin de corrien-
te, tambin requieren de elementos de reparticin de corriente.

34 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


REFERENCIAS

1. M. S. Ghausi, Electronic Devices and Circuits. 4. P. W. Tuinenga, SPICE: A Guide to Circuit Simu-
Nueva York: Holt, Rinehart and Winston, 1985, p. lation and Analysis Using PSpice. Englewood
672. Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1992.
2. P. R. Gray y R. G. Meyer, Analysis and Design 01 5. PSpice Manual. Irvine, Calif.: MicroSim Corpora-
Analog lntegrated Circuits. Nueva York: John tion, 1992.
Wiley & Sons, Inc., 1984, p. 1.
3. M. H. Rashid, SPICElar Circuits and Electronics
Using PSpice. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice
Hall,1990.

PREGUNTAS DE REPASO

21. Cules son los tipos de diodos de potencia? 211. Cules son las diferencias principales entre los
22. Qu es la corriente de fuga de los diodos? diodos de unin pn y los diodos Schottky?

23. Qu es el tiempo de recuperacin inversa de 212. Cules son las limitaciones de los diodos
los diodos? Schouky?

24. Qu es la corriente de recuperacin inversa de 2 13. Cul es el tiempo de recuperacin inversa tpi-
los diodos? co de los diodos de uso general?

25. Qu es el factor de suavidad de los diodos? 2 14. Cul es el tiempo de recuperacin inversa tpi-
co de los diodos de recuperacin rpida?
26. Cules son los tipos de recuperacin de los
215. Cules son los problemas de los diodos conec-
diodos?
tados en serie, y cules son las soluciones posi-
27. Cul es la causa del tiempo de recuperacin bles?
inversa de un diodo de unin pn?
216. Cules son los problemas de los diodos conec-
28. Cul es el efecto del tiempo de recuperacin tados en paralelo, y cules son las soluciones
inversa? posibles?
29. Por qu es necesario utilizar diodos de recupe- 2 17. Si dos diodos estn conectados en serie con
racin rpida para conversin de alta velocidad? igual reparticin de voltaje, por qu difieren las
210. Qu es el tiempo de recuperacin directo? corrientes de fuga de los diodos?

PROBLEMAS

2-1. El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es Determine (a) el coeficiente de emisin n, y (b)
t.; '" 5 us, y la velocidad de reduccin de la co- la corriente de fuga Is.
rriente del diodo es ditdt = 80 A/.Ls.Si el factor
=
de suavidad es SF 0.5, determine (a) la carga de 23. Dos diodos estn conectados en serie y el voltaje
almacenamiento QRR, y (b) la corriente inversa a travs de cada uno de ellos se mantiene igual
pico IRR. mediante la conexin de una resistencia de distri-
22. Los valores medidos de un diodo a una tempera-
=
bucin de voltaje, de tal forma que VD! V02 =
tura de 25 OCson =
2000 V Y R 1 100 kil. Las caractersticas v-i de
los diodos aparecen en la figura P2-3. Determine
VD = 1.0 V a ID = 50 A las corrientes de fuga de cada diodo y la resisten-
= 1.5 V a ID = 600 A cia R2 a travs del diodo D2.

Problemas 35
150

100

50
2200 2000 1600 1200 800 400 200
11
2 3
5mA

lOmA
.,-
/'
/ 15mA
/
/' 20mA
/
/ 25mA
/
/
JOmA
I

Figura 1'2-3

2-4. Dos diodos estn conectados en paralelo siendo =


resistencia es v 2.5 V. Determine los valores de
la cada de voltaje directa a travs de cada uno de las resistencias Rt y R2 si la corriente se comparte
ellos de 1.5 V. Las caractersticas v-i de los dio- en forma ideal entre ambos diodos.
dos aparecen en la figura P2-3. Determine l~sco- 2-6. Dos diodos estn conectados en serie, como apa-
rrientes directas a travs de cada diodo. '. rece en la figura 2-9a. La resistencia a travs de
\
2-5. Dos diodos estn conectados en paralelo, corno se los diodos es RI = R2 = 10 kil. El voltaje de en-
muestra en la figura 2-11 a, con resistencias dd re- trada de corriente directa es 5kV. Las corrientes
particin de corriente. Las caractersticas v-i se de fuga son IsI = 25 mA e Is2 = 40 mA. Determi-
muestran en la figura P2-3. La corriente total es ne el voltaje a travs de los diodos.
Ir = 200 A. El voltaje a travs de un diodo y su

36 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2


Circuitos de diodos y rectificadores

3-1 INTRODUCCION

Los diodos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la electrnica yen los circuitos de in-
geniera elctrica. Los diodos tambin son ampliamente utilizados en los circuitos de electrnica
de potencia para la conversin de energa elctrica. En este captulo se analizan algunos circuitos
de diodos de uso comn en la electrnica de potencia para el procesamiento de la energa. Se hace
una introduccin a las aplicaciones de los diodos para la conversin de energa de ca a.cd. Los
convertidores de ca a cd se conocen comnmente como rectificadores, los rectificadores de dio-
dos entregan a la salida un potencial fijo de corriente directa. Para simplificar, los diodos sern
considerados como ideales. Por "ideales" queremos decir que el tiempo de recuperacin inversa
t., Yla cada de voltaje directo VD son despreciables. Esto es, t., = Oy VD = O.

3-2 DIODOS CON CARGAS Re y RL

La figura 3-1a muestra un circuito de diodos con una carga Re. Cuando se cierra el interruptor S
en t = O,la corriente de carga i, que fluye a travs del capacitor, se puede determinar a partir de

VJ '" VR + Ve '" VR +~ f id! + vJt '" O) (3-1 )

VR = Ri (3-2)

Con la condicin inicial vc(t = O)= O,la solucin de la ecuacin (3-1) (misma que se resuelve en
el apndice 0.1) da la corriente de carga i como

(l) = V, e-tiRe (3-3)


R

37
+ -- ... '---t:t---,

. v.
R 1~
__
. _CT E
(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda

Figura 3-1 Circuito de diodo con carga Re.

El voltaje del capacitor Ve es

(3-4)

donde 't = Re es la constante de tiempo de una carga Re. La velocidad de cambio en el voltaje del
capacitor es
do; V, _ me
-=-el (3-5)
dt Re

y la velocidad de cambio inicial del voltaje del capacitor (cuando t = O) se obtiene a partir de la
ecuacin (3-5):
dv'l
dt I~O
V.I
== Re
(3-6)

En la figura 3-2a aparece un circuito de diodo con una carga RL. Cuando el interruptor SI se
cierra en t = 0, la corriente i a travs del inductor aumenta y se expresa como
. di
V\ = VL + VR
dt + R i
=, L ~ (3-7)

$, O,
+

v.
A _E I

(a) Diagrama de circuito


L

l~ (b) Formas de onda


Figura 3-2 Circuito de diodo con carga RL.

38 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Con la condicin inicial i(t = O) = O, la solucin de la ecuacin (3-7) (que se resuelve en el apndi-
ce D.2) da
V, (1 - e-I
i(t) = -'- R'[
I ) (3-8)
R

La velocidad de cambio de esta corriente se puede obtener a partir de la ecuacin (3-8), como sigue
di V, (3-9)
- = --'-e-IRIL
dt L
y la velocidad inicial de elevacin de la corriente (en t = O) se obtiene de la ecuacin (3-9):
di V, (3-10)
d! I~(J = L
El voltaje VL a travs del inductor es

(3-11)

cuando L/R = 't es la constante de tiempo de una carga RL.


Las formas de onda para el voltaje VL Y para la corriente aparecen en la figura 3-2b. Si t
L/R, el voltaje a travs del inductor tiende a cero y su corriente alcanza un valor en rgimen perma-
nente de I, = ViRo Si en ese momento se intenta abrir el interruptor SI, la energa almacenada en el
inductor (=0.5U2) se transformar en un alto voltaje inverso a travs del interruptor y del diodo. Esta
energa se disipar en forma de chispas en el interruptor, y es probable que el diodo D se dae en es-
te proceso. Para resolver una situacin como sta, se conecta un diodo comnmente conocido como
diodo de marcha libre a travs de la carga inductiva, tal y como se ve en la figura 3-8a.
Nota. Dado que la corriente i en las figuras 3-1a y 3-2a es unidireccional y no tiende a cam-
biar de polaridad, los diodos no afectan la operacin del circuito.
Elern lo 3-1
=
Un circuito de diodo aparece en la figura 3-3a con R 44 n y C = 0.1 .tF.El capacitor tiene un
voltaje inicial, Vo = 220 V. Si el interruptor SI se cierra en t = O,determine (a) la corriente pico del
=
diodo, (b) la energa disipada en la resistencia R y (e) el voltaje del capacitor en el tiempo t 2 us,
Solucin Las formas de onda se muestran en la figura 3-3b.
(a) Se puede utilizar la ecuacin (3-3) con Vs = Vosiendo la corriente de pico del diodo lp

(b) La energa W disipada es


W = 0.5cvfi
= 0.5 x 0.1 x 10-6 x 2202 = 0.00242 J = 2.42 mT
(e) Para RC = 44 x 0.1 = 4.4 us y 1 = 11 = 2 us, e,1voltaje del capacitor es

v,(t = 2 /-Ls) = Voe-IIRC = 220 x e-2/44 = 139.64 V

Nota. Como la corriente es unidireccional, el diodo no afecta la operacin del circuito.

Sec.3-2 Diodos con cargas Rey RL 39

"-'." ~" -_.....------------------


..".,,~-~~"""',_.
S,

R ..I

E"
e :v. E I
(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda

Figura 3-3 Circuito de diodo con carga Re.

3-3 U.pOS CON CARGAS LC y RLC

Un circuito de diodo con carga LC aparece en la figura 3-4a. Cuando se cierra el interruptor SI en
1 = O, la corriente de carga i del capacitor se expresa como

V,
di
= L dt + e1 f 1
.
dt + uc(t = O) (3- 12)

Con condiciones iniciales i(l = O) = O y vc( = O) = O, se puede resolver la ecuacin (3-12) en fun-
cin de la corriente i del capacitor como (vea el apndice D.3)

i(t) = V, -Ji sen wt (3-13)

= 1(1 sen wt (3- 14)

donde (O = I/.JLC y la corriente de pico Ip es

1(1 = v. \JIffLC (3-15)

+---
s,
o,

2V,
'~b, Ve
1,/2 111
t
I

V. t

CIL
t t, -1Iv'LC
I
O 1,."c::;:::;'__~_--7I_- ...
-~.---------------------~ 1.o14---t, -- 1
...

(a) Diagramas de circuito (b) Formas de onda

Figura 3-4 Circuito de diodo con carga Le.

40 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


La velocidad de elevacin de la corriente se obtiene a partir de la ecuacin (3-13) como

di V, '
dt = i
cos wt (3-16)

y la ecuacin (3-16) da la velocidad inicial de elevacin de la corriente (en (= O) como

dil V.I
dt r =O = L (3-17)

El voltaje Ve a travs del capacitor se puede deducir como

uc(t) = e1 Jo(r i dt = V,(I - cos wt) (3-18)

En un momento I = 11 = 7t .,, Le, la corriente del diodo i cae hasta cero y el capacitor se carga hasta
2Vs En la figura 3-4b se muestran las formas de onda para el voltaje VL Y la corriente i.
Ejemplo 3-2
Un circuito de diodo con una carga Le se muestra en la figura 3-5a, el capacitor tiene un voltaje
inicial Vo = 220 V, capacitancia e = 20 ..Fe inductancia L = 80 ..B.Si el interruptor St se cierra
en 1= O, determine (a) la corriente de pico a travs del diodo, (b) el tiempo de conduccin del
diodo y (e) el voltaje del capacitor en rgimen permanente.
Solucin (a) Utilizando la ley de voltaje de Kirchhoff(KVL Kirchhoffs Voltage Law), podemos
escribir la ecuacin de la corriente ide la siguiente forma
di
L dt + e1 J i dt + uc(t = O) = O
y la corriente i con condiciones iniciales i(1 = O) = OY ve(l = O) = -Yo se resuelve como
i(t) = v, .Ji sen wt

donde ro = 1/" Le = 10 6/" 20 x 80 = 25,000 rad/s. La corriente de pico lp es


fe rm
t, = voVI = 220 V8 = 110 A

. 5,

1 O, I tI. 1t..JLC
Or-----~----~~--.t
~ C_~:~Vo 1:
ia] Diagrama de circuito (b) Formas de onda

Figura 3-5 Circuito del diodo con carga LC.

Sec.3-3 Diodos con cargas RCy RLC 41


(b) En t = tI = 1t -Jli;, la corriente del diodo se convierte en cero y el tiempo de conduc-
cin del diodo tI es
ti = 7T vrc = 7T Y20 x 80 = 125.66 fJ-S

(e) Se puede demostrar fcilmente que el voltaje del capacitor es

uc(t) = el Jo(t i dt - Va = - Va cos wt

Para t = tI = 125.66 us, vc(t = tl)= -220 cos 1t = 220 V.


En la figura 3-6 aparece un circuito de diodo con carga RLC. Si el interruptor SI se cierra en
t = 0, podemos utilizar la ley KVL para escribir la ecuacin de la corriente de carga i como

di + R'1 + 1
L dt e f . d t + uc(t = O) = V,
I (3-19)

con condiciones iniciales i(t = O)y vc(t = 0)= vo. Al diferenciar la ecuacin (3-19) y dividir ambos
miembros entre L, obtenemos
(3-20)

Bajo condiciones de rgimen permanente, el capacitor est cargado al voltaje fuente Vs, siendo co-
rriente de rgimen permanente cero. Tambin en la ecuacin (3-20) es cero la componente forzada
de la corriente. La corriente se debe al componente natural.
La ecuacin caracterstica en el dominio de Laplace de s es
R
S2 +- S + -_1 = O (3-21)
L LC
las races de la ecuacin cuadrtica (3-21) estn dadas por

SI,2 = (3-22)
LC
Definamos dos propiedades importantes de un circuito de segundo orden: el factor de amortigua-
miento,
R
a=- (3-23)
2L
y lafrecuencia de resonancia,
I
Wo = --_- (3-24)
vrc
s, R
+ - ---.a---_~~N'-----,
o,
L

__
__
v.

--,e j- Figura 36 Circuito de diodo con carga RLC.

42 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Sustituyendo estos valores en la ecuacin (3-22), obtenemos

SI,2 = -a Va2 - W5 (3-25)


La solucin en funcin de la corriente, que depender de los valores de c. y de roo, seguira alguno
de tres casos posibles.

Caso 1. Si a = 0)0, las races son iguales, SI = S2, Y el circuito se conoce como crtica-
mente amortiguado. La solucin ser de la forma
(3-26)
Caso 2. Si a > roo, las races sern reales y el circuito se dice que estar sobreamorti-
guado. La solucin toma la forma
(3-27)

Caso 3. Si a < 0)0, las races sern complejas y el circuito se dice que estar subamorti-
guado. Las races son
(3-28)

donde O)r se conoce como lafrecuencia de resonancia (o la frecuencia resonante amortigua-


da) y ro, = '1/ ffit - (1'. La solucin toma la forma
jet) = e-ar(AI cos wrt + A2 sen wrt) (3-29)
que es una sinusoide amortiguada o de decaimiento.

Nota. Las constantes Al y A2 se pueden determinar a partir de las condiciones iniciales del
circuito. La relacin a/O)o se conoce comnmente como la relacin de amortiguamiento, O. Por lo
general, los circuitos electrnicos de potencia estn subamortiguados, de forma que la corriente
del circuito se hace prcticamente sinusoidal, a fin de tener una salida de corriente alterna y/o de-
sactivar un dispositivo semiconductor de potencia.

Ejemplo 3-3
El circuito RLC de segundo orden de la figura 3-6 tiene el voltaje fuente Vs 220 V, una induc- =
= =
tancia L 2 mH, una capacitancia C 0.05 ~F y una resistencia R 160 n. El valor inicial de =
= =
voltaje del capacitor es Vo O. Si el interruptor SI se cierra en t O, determine (a) una expresin
para la corriente i(t) y (b) el tiempo de conduccin del diodo. (e) Dibuje un esbozo de i(t). (d)
Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea i para R = 50 n, 160 n y 320 n.
Solucin (a) De la ecuacin ~3-23), a = R/2L = 160 x 103/(2 x 2) 40,000 rad/s, y de la ecua- =
=
cin (3-24), Wo 1/'1/ Le = 10 rad/s.
os, = ViOlO - 16 X 108 = 91,652 rad/s
Dado que (1 < Wo, se trata de un circuito subamortiguado, y la solucin es de la forma
jet) = e-arCA I COS wrt + Al sen w,.t)

En t:: =
O, i(t:::: O) OYesto da Al = O.La solucin se convierte en
jet) = e-arA2 sen w,.t

Sec.3-3 Diodos con cargas LC y RLC 43

,"i"'''r!''!).oI,ot''' _
La derivada de i(l) se convierte en

di
-dt -- w t cos w,. tA 2 e-al - a sen J,. lA 2e =at

Cuando el interruptor se cierra en 1= 0, el capacitar ofrece una baja impedancia y el inductor una
alta impedancia. La velocidad inicial de elevacin de la corriente est limitada nicamente por el
inductor L. Por lo tanto, en t = 0, el dildt del circuito es V./L. Por lo tanto,

dil
dt 1_0 = w,.A2 =
V,
L
lo que nos da la constante en la forma,
V, 220 x 1000
1.2
J,L 91,652 x 2

La expresin final para la corriente i(t) es


i(f) = 1.2 se~ (91,652t)(-'-40(lO()1 A

(b) El tiempo de conduccin del diodo ti se obtiene cuando t = O. Esto es,


1T .
W,.tl = 1T o ti = 91,652 = 14.27 fLS
(e) El esbozo de la forma de onda de la corriente aparece en la figura 3-7.
(d) El circuito correspondiente a la simulacin PSpice [3] se muestra en la figura 3-8. La lista del
archivo de circuito es como sigue:
Example 3-3 KLC Circuit With Diode
.PARAM VALU 160 Define parameter VALU
.STEP PARAM VALU LIST 50 160 320 Vary parameter VALU
VS 1 O PWL (O O INS 220V 1MS 220V) Picewise linear
R 2 3 ( VALU ) Variable resistance
L 3 2MH
e O 0.05UF
01 2 DMOD Diode with model DMOD
.MODEL DMOD O (IS=2.22E-15 BV~1800V) Diode model parameters
.TRAN O.lUS 60US Transient analysis
.PROBE Graphics postprocessor
.END

El trazo PSpice de la corriente I(R) a travs de la resistencia R aparece en la figura 3-9.

i,amp
1.2

Figura 3-7 Forma de onda de corriente para el


ejemplo 3-3.

44 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


0.051lF

(a) Circuito

Vs

220 V

o 1 ns 1 ms t, ms
(b) Voltaje de entrada Figura 3-8 Circuito RLC para simulacin PSpice.

Example 3-3 ARLC Circuit with a Diode


Date/Time run: 07/17/92 15: 45: 11 Temperature: 27.0
1.0A+-------~--~~--~--------+_------~--------~--------+

O.SA

O.6A

O.4A

O.2A

20us aous, 40uS i 50us 60us

Figura 3-9 Graficaciones para el ejemplo 3-3.

Sec.3-3 Diodos con cargas LC y RLC 45


3-4 DIODOS DE MARCHA LIBRE

Si el interruptor SI de la figura 3-2a se cierra durante el tiempo ti, se establece una corriente a tra-
vs de la carga; si entonces se abre el interruptor, se debe encontrar una trayectoria para la corriente
de la carga inductiva. Esto se efecta normalmente conectando un diodo Dm tal y como aparece en
la figura 3-lOa, este diodo usualmente se llama diodo de marcha libre. La operacin del circuito se
puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando el interruptor se cierra en t = O, y el modo
2 empieza cuando se abre el interruptor. Los circuitos equivalentes para cada uno de los modos
aparecen en la figura 2-1 Ob. i I e i2 se definen como las corrientes instantneas correspondientes a
los modos 1 y 2, respectivamente. tI y /2 son las duraciones correspondientes de dichos modos.

Modo 1. Durante este modo, la corriente del diodo il, que es similar a la de la ecuacin
(3-8), es
(3-30)

Cuando el interruptor se abre en / = /1 (al final de este modo), la corriente de dicho momento se
convierte en
11 = /1'( t = ti ) = V, (1 -
Ji e': R/L ) (3-31)

s, O,
+ - '---01-_-..,

v.
R

L
+ Di' L OL11,
V.

R
'2

R
Modo 1 Modo 2

(a) Diagrama de circuito (b) Circuitos equivalentes

(e) Formas de onda

Figura 310 Circuito con diodo de marcha libre.

46 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Si el tiempo t] es lo suficientemente largo, la corriente llega al valor de rgimen permanente y una
corriente /s = V2/R fluye a travs de la carga.
Modo 2. Este modo empieza cuando se abre el interruptor y la corriente de carga em-
pieza a fluir a travs del diodo de marcha libre Dm. Si redefinimos el origen del tiempo al princi-
pio de este modo, la corriente a travs del diodo de marcha libre se encuentra a partir de
di,
O =L dt + Ri2 (3-32)

con la condicin inicial i2(t = O) = /1. La solucin correspondiente a la ecuacin (3-32) da la co-
rriente libre i = i2 como
(3-33 )

esta corriente decae en forma exponencial hasta cero en el momento t = ti. siempre y cuando 12
L/R. Las formas de onda de las corrientes aparecen en la figura 3-lOc.

Elern lo 3-4
En la figura 3-1Oa, la resistencia es despreciable (R = O), el voltaje de fuente es Vs 200 V, Y la =
=
inductancia de carga es L 220 .tH.(a) Dibuje la forma de onda de la corriente de carga si el in-
terruptor se cierra durante un tiempo t] = 100 .tsy a continuacin se abre. (b) Determine la ener-
ga almacenada en el inductor de carga.
Solucin (a) El diagrama del circuito aparece en la figura 3-11 a con una corriente inicial cero.
Cuando el interruptor se cierra en I = O, la corriente de carga aumenta en forma lineal y se expre-
sa de la forma
(t) = '2 t

Y en t = ti.l =
Vst]/L =
220 x 100/220 100 A. =
(b) Cuando el interruptor SI se abre en un tiempo / = /1, la corriente de carga empieza a
fluir a travs del diodo Dm. Dado que en el circuito no hay ningn elemento disipativo (resisti-
vo), la corriente de carga se mantiene constante en lo = 100 A, Y la energa almacenada en el in-
=
ductor ser de 0.5 L1~ 1.1 J. Las formas de onda de la corriente aparecen en la figura 3-11b.

t~--
~.~:k7! v =:>
I

~0
I t,

+-

t
O I t,
v.

:t~"3
L
i,

I
t,
(a) Diagrama de circuitos (b) Formas de onda
Figura 3-11 Circuito del diodo con carga L.

Sec.3-4 Diodos de marcha libre 47


35 RECUPERACION DE LA ENERGIA ATRAPADA CON UN DIODO

En el circuito ideal sin prdidas de la figura 3-11a, la energa almacenada en el inductor queda
atrapada, dado que en el circuito no existe resistencia. En un circuito real es deseable mejorar la
eficiencia devolviendo esa energa almacenada a la fuente de alimentacin. Esto se puede llevar a
cabo si se agrega al inductor un segundo bobinado y se conecta un diodo DI, tal y como aparece
en la figura 3-12a. El inductor se comporta como un transformador. El secundario del transforma-
dor se conecta de tal forma que si VI es positivo, V2 es negativo con respecto a VI y viceversa. El
bobinado secundario, que facilita el retorno de la energa almacenada a la fuente va el diodo DI,
se conoce como bobinado de retroalimentacin. Suponiendo un transformador con una inductan-
cia magnetizante Lm, el circuito equivalente es como el que aparece en la figura 3-12b.

o, i2
+
S, i,
+

v,
v. 11

(a) Diagrama de circuito

S1 ail N
+_--_...0 ~2

i2
iia
i, +
- 1:0
v. v,
I ~! V2


+ :=:-v
Transformador
ideal
(b) Circuito equivalente

+-

+
en modo 1
v,

(c) Circuito equivalente

Figura 3-12 Circuito con un diodo de recuperacin de energa.

48 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Si el diodo y el voltaje secundario (voltaje de la fuente) se refieren al lado primario del
transformador, el circuito equivalente es como se muestra en la figura 3-12c. i e iz definen las co-
rrientes primaria y secundaria del transformador, respectivamente.
La relacin de vueltas de un transformador ideal se define como
N2
a=- (3-34)
N,
La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se cierra el
interruptor SI en 1 = O y el modo 2 empieza al abrirse el interruptor. Los circuitos equivalentes pa-
ra los modos correspondientes aparecen en la figura 3-13a. /1 y '12 son las duraciones de los modos
1 y 2, respectivamente.

Modo 1. Durante este modo, el interruptor S1 est cerrado en / = O.El diodo D tiene po-
larizacin inversa y la corriente a travs del diodo (corriente secundaria) es ah = 0, o bien, h = O.
Utilizando el KVL de la figura 3-13a para el modo 1, V.I' = (VD - V.I')/a, yeso nos da el voltaje inver-
so del diodo como
VD = V,(I + a) (3-35)

Suponiendo que no existe una corriente inicial en el circuito, la corriente primaria es la nusma que
la corriente t, del interruptor, y se expresa como
di,
V,. = i.; dt (3-36)

lo que da
V
i,(l) = is(t) = -L" t 0-37)
1/1

Este modo es vlido para O s 1 s II Y termina cuando el interruptor se abre en t = tI. Al final de es-
te modo, la corriente en el primario se conviene en

lo = LV, t, (3-38)
In

Modo 2. Durante este modo se abre el interruptor, se invierte el voltaje a travs del in-
ductor y el diodo DI se polariza directamente. Fluye una corriente a travs del secundario del trans-
formador y la energa almacenada en el inductor se regresa a la fuente. Utilizando la ley KVL y
redefiniendo el origen del tiempo al principio de este modo, la corriente primaria se expresa como
d
L _1, V
+ s: = O (3-39)
m dt a
con la condicin inicial i(t = O) = lo, y podemos despejar la corriente como
V,
,(t) = - _'aLm t + lo (3-40)

Sec.3-5 Recuperacin de la energa atrapada con un diodo 49


o
+------.......
---. aiz-
+
VD
VDI.
v, +

Modo 1 Modo 2
(al Circuito equivalente

v,~----..,
O~-------;------------r-__'
- V,Ja - - - - - ~-----~

Vz
aVe ------,

O~---4------~I--
-v.
I
I
V.(1 + a) 1----------, ~

V. - - -
-- - - - - - - -
v.
O~------~------------h---.
(b) Formas de onda

Figura 3-13 Circuitos y formas de onda equivalentes.

50 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Se puede calcular el tiempo de conduccin del diodo D a partir de la condicin i(1 = (2) = Ode la
ecuacin (3-40) y es
aLm10
tz = -- = at, (3-41)
V,
El modo 2 es vlido para O :s; ( :s; (2. Al final de este modo en 1 = (2, toda la energa almacenada en
el inductor Lm ha sido devuelta a la fuente. Las diversas formas de onda para a = 10/6 correspon-
dientes a los voltajes aparecen en la figura 3-13b.
Ejemplo 3-5
Para el circuito de recuperacin de la energa de la figura 3-12a, la inductancia magnetizante del trans-
formador es L", = 250 .R, NI = 10 YN2 = 100. Las inductancias de fuga y la resistencia del transfor-
mador son despreciables. El voltaje de la fuente es Vs = 220 V Y no existe corriente inicial en el
circuito. Si se cierra el interruptor S durante un tiempo I = 50 .lS y despus se abre, (a) determine el
voltaje inverso del diodo DI, (b) calcule el valor pico de la corriente en el primario, (c) calcule el valor
pico de la corriente en el secundario, (d) determine el tiempo de conduccin del diodo D y (e) deter-
mine la energa suministrada por la fuente.
Solucin La relacin de vueltas es a = N2fN = 100/10 = 10.
(a) De la ecuacin (3-35), el voltaje inverso del diodo es
VD '" VAl + a) ==

(b) De la ecuacin (3-3R), el valor pico de la corriente primaria,


l V, 50
o == Lm t, = 220 x 250 == 44 A

(e) El valor pico de la corriente secundaria 10= lo/a 44/10 4.4 A. = =


(d) De la ecuacin (3-41), el tiempo de conduccin del diodo es

aLm~ 10
t: = --
V,
= 250 x 44 x -
220
== 500 .tS

(e) La energa de fuente,


{I,. {I, V, 1 V2
W = J,o VI dt == J,o VS -
Lm
t dt = -2 _1.
L",
d
Utilizando la ecuacin (3-38), obtenemos

W = 0.5Lml~= 0.5 x 250 x 10-6 x 442 = 0.242 J = 242 mJ

36 RECTIFICADORESMONOFASICOS DE MEDIA ONDA

Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una seal unidirec-
cional. Los diodos se usan extensamente en los rectificadores. Un rectificador monofsico de me-
dia onda es el tipo ms sencillo, pero no se utiliza normalmente en aplicaciones industriales. Sin
embargo, resulta til para comprender el principio de la operacin de los rectificadores. En la fi-
gura 3-14a aparece el diagrama de circuito con una carga resistiva. Durante el medio ciclo positi-
vo del voltaje de entrada, el diodo DI conduce y el voltaje de entrada aparece a travs de la carga.

Sec.3-6 Rectificadores monofsicos de media onda 51


+
Vo

__l~ i. o,
...

j 1:.. v.;.. n tot

(a) Diagrama de circuito


R

r (b) Formas de onda

Figura 3-14 Rectificador monofsico de media onda.

Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el diodo est en condicin de bloqueo y el
voltaje de salida es cero. Las formas de onda para los voltajes de entrada y de salida se muestran
. en la figura3-14b.

3-7 PARAMETROS DE RENDIMIENTO

Aunque el voltaje de salida, tal y corno aparece en la figura 3-14b, es cd, es discontinuo y contie-
ne armnicas. Un rectificador es un procesador de potencia que debe proporcionar una salida de
cd con una cantidad mnima de contenido armnico. Al mismo tiempo, deber mantener la co-
rriente de entrada tan sinusoidal corno sea posible y en fase con l voltaje de entrada, de tal forma
que el factor de potencia est cercano a la unidad. La calidad del procesamiento de energa de un
rectificador requiere de la determinacin del contenido armnico de la corriente de entrada, del
voltaje de salida y de la corriente de salida. Utilizaremos las expansiones de la serie de Fourier pa-
ra encontrar el contenido armnico de voltajes y corrientes. Hay distintos tipos de circuitos de rec-
tificadores y los rendimientos de un rectificador se evalan normalmente en funcin de los
parmetros siguientes:

El valor promedio del voltaje de salida (o de carga), Vcd


El valor promedio de la corriente de salida (de carga), 1cd
La salida de potencia en cd,
(3-42)

El valor medio cuadrtico (rms) del voltaje de salida, Vrms


El valor medio cuadrtico (rms) de la corriente de salida, Irms

52 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


La potencia de salida en ca
(3-43)

La eficiencia (o relacin de rectificacin) de un rectificador, que es una cifra de mrito y


, nos permite comparar la efectividad, se define como
Ped
r =- (3-44)
Pea

El voltaje de salida se puede determinar como formado de dos componentes: (1) el valor cd
y (2) la componente de ca u ondulatoria.
El valor efectivo (rms) de la componente de ca del voltaje de salida es
(3-45)

Elfactor deforma, que es una medida de la forma del voltaje de salida, es


FF = Vrms (3-46)
Ved

El factor de componente ondulatoria, que es una medida del contenido de la componente


ondulatoria, se define como
RF = Vea
(3-47)
Ved

Sustituyendo la ecuacin (3-45) en la (3-47), el factor de la componente ondulatoria se puede ex-


presarcomo
RF = ~(Vrms)2
TI"'" - l = YFP - l (3-48)
Ved

Elfactor de utilizacin del transformador se define como


TUF = Ped (3-49)
V,/,
donde Vs e I, son el voltaje y la corriente media cuadrtrica (rms) del secundario del transforma-
dor, respectivamente. Veamos las formas de onda que se muestran la figura 3-15, donde v. es el

Corriente de entrada
is

Corriente fundamental

Figura 3-15 Formas de onda del voltaje y corriente de entrada.

Sec.3-7 Parmetros de rendimiento 53


voltaje de entrada sinusoidal, i, es la corriente de entrada instantnea, e isl es el componente fun-
damental.
Si <l> es el ngulo entre las componentes fundamentales de la corriente y el voltaje de entra-
da, <l> se llama el ngulo de desplazamiento. El factor de desplazamiento se define como
DF = cos <P (3-50)
Elfactor armnico de la corriente de entrada se define como

HF = ( /2., __ /2)112
.11 = [(/)2~ 1] 1/2
(3-5 1)
l~t 1,1
donde lsl es la componente fundamental de la corriente de entrada I; Tanto IsI como I, se expre-
san aqu en valores rms. ElfaclOr de potencia de entrada se define como
V,I,1 1.11
PF = VJ, cos <P = T; cos <P (3-52)

A menudo resulta de inters el factor de cresta CF, que resulta una medida de la corriente de
entrada pico Is(pico) en comparacin con su valor rms Is, a fin de establecer las especificaciones de
corriente de pico de dispositivos y componentes. El CF de la corriente de entrada se define me-
diante
CF = ls(pico)
(3-53)
t,

Notas
1. El factor armnico HF es una medida de la distorsin de una forma de onda y tambin se
conoce como distorsin armnica total (THD).
2. Si la corriente de entrada I, es puramente sinusoidal, IsI :::I, Y el factor de potencia PF es
igual al factor de desplazamiento DF. El ngulo de desplazamiento <p se convierte en el n-
gulo de impedancia e = tan-'(wL!R) en el caso de una carga RL.
3. El factor de desplazamiento DF a menudo se conoce como el factor de potencia de despla-
zamiento (DPF).
4. Un rectificador ideal debera tener TI= 100%, Vea = O, RF = O, TUF::: 1, HF = THD::: 0, y
PF::: DPF= 1.

Ejemplo 36
El rectificador de la figura 3-14a tiene una carga resistiva pura igual a R. Determine (a) la efi-
ciencia, (b) el factor de forma, Ce)el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utiliza-
cin de transformacin, Ce)el voltaje inverso pico (PIV) del diodo Dt y (f) el valor CF de la
corriente de entrada.
Solucin El voltaje de salida promedio Vdc se define como
1 (T
Ved = T Jo VL(t) dt

Debemos notar de la figura 3.14b que VLCI) ::: O para T/2 :s; I:S; T. Por lo tanto, tenemos

Ved:::
1
T Jo
(T/2
Vm sen wt dI::: wr" ( cos 2
- V wT \
- 1)

54 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Pero la frecuencia de la fuente es f = 1([ Y (1) = 2rtf. Por lo tanto,

Ved = V", = O.318Vm


11"
(3-54)
1 _Ved_O.318V",
ea= R - R

El valor medio cuadrtico (rms) de una forma de onda peridica se define como

1 (T ] 1/2
Vrms = [ T Jo vi(t) dt

Para un voltaje sinusoidal de valor VL(/) = Vmsenw/ para


salida es
:5 t :5 T/2, el valor rms del voltaje de

1 fT/2 ] 1/2
Vrros = [ T o (V", senw/)2 dt = fV = O.5V",
(3-55)
1 - Vrros_ O.5V",
rros-R--R-

De la ecuacin (3-42), Ped = (O.318Vm)2/R, y de la ecuacin (3-43), Pea = (0.5V m)2/R.


(a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia r = (O.318V ml/(0.5V m)2 = 40.5%.
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.5VmlO.318V m = 1.57 es decir 157%.
(e) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF -.fT:57'- 1 = 1.21 es =
decir 121%.
(d) El voltaje rrns del secundario del transformador es

1
Vs = [ T
fro (V", sen e.r)? dt ] 1/2
= ~V = O.707Vn (3-56)

El valor rms de la corriente del secundario del transformador es la misma que la carga:

La especificacin en vol/amperios (VA) del transformador, VA = Vi. = 0.707 Vm X 0.5 VmIR.


De la ecuacin (3-49), TUF = Pe./(V. Is) = 0.3182/(0.707 x 0.5)= 0.286.
(e) El voltaje de bloqueo inverso pico PV Vm' =
=
(f) Is(pieo) =
Vm IR e Is O.5Vm /R. El factor de cresta CF de la corriente de entrada es CF =
I.(pico'!!. = 1/0.5 = 2.

Nota. IrruF = 1/0.286 = 3.496, lo que significa que el transformador debe ser 3.496 veces
mayor de lo que tendra que ser para proporcionar energa a partir de un voltaje de ca puro. Este
rectificador tiene un alto factor de componente ondulatoria, 121%; una eficiencia baja, 40.5%; y
un TUF pobre, 0.286. Adems, el transformador tiene que conducir cd, y esto da como resultado
un problema de saturacin en el ncleo del transformador,
Veamos el circuito que se muestra en la figura 3-14a con una carga RL tal Ycomo aparece en
la figura 3-100. Debido a la carga inductiva, el periodo de conduccin del diodo Di se extender
ms all de los 1800 hasta que la corriente se haga cero en (l)t = 1t + . Las formas de onda de la

Sec.3-7 Parmetros de rendimientos 55

",
,... ....... ,-----------------------
+
I~I
+

VD

VI= Vmsen mt
o~--------+-~~----~~wt
n 2ft

D, conduce

(al Diagrama de circuito lb) Formas de onda

(el formas de onda

Figura 3-16 Rectificador de media onda con carga RL.

y del voltaje aparecen en la figura 3-16b. Debe hacerse notar que el VL promedio del inductor es
cero.
v,
Ved = 21T
(1T+0"
Jo sen wt d(wt) = 2; [-cos
V
wt]+(]
(3-57)
Vm
=-
21T
[1 - COS(1T + 0')]

La corriente de carga promedio es led = Ved/R.


De la ecuacin (3-57) se puede notar que es posible aumentar el voltaje promedio (y la co-
rriente) haciendo que (J = O,lo que es posible aadiendo un diodo de marcha libre Dm. tal y como
aparece en la figura 3-16a con lneas punteadas. El efecto de este diodo es evitar que aparezca un
voltaje negativo a travs de la carga; y como resultado, aumenta la energfa magntica almacenada.
En t = tI = 1t/(J), la corriente proveniente de DI se transfiere a Dm, proceso conocido como conmu-
tacin de diodos. En la figura 3-16c se muestran las formas de onda. Dependiendo de la constante

56 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


de tiempo, la corriente de la carga puede resultar discontinua. Con una carga resistiva, la corriente
it: ser discontinua y continua con una carga muy inductiva. La continuidad de la corriente de car-
ga depender de su constante de tiempo 't = roL/R.
Si la salida se conecta a una batera, el rectificador se puede utilizar como cargador de bate-
ras. Esto se muestra en la figura 3-17a. Para Vs > E, el diodo DI conduce. Se puede encontrar el
ngulo a cuando el diodo inicia la conduccin, a partir de la condicin
Vmsena=E
lo que nos da
E
a =sen-I- (3-58)
Vm
El diodo DI se desactivar cuando v, < E en
{3=-1T-a

n: 1 R o,

'v

(a) Circuito

v. = Vm sen eot

o
wt
,,
I

,
Vs- E
,,
I

,,
O
wt

wt
(b) Formas de onda Figura 3-17 Cargador de bateras.

Sec.3-7 Parmetros de rendimientos 57

_ .,_----------------------
,"","'.. ......
La corriente de carga it, que se muestra en la figura 3-17b, se puede determinar a partir de
Vs - E Vrn sen rol - E
it.= R = R para u x un x B

Ejemplo 3-7
El voltaje de batera de la figura 3-17a es E = 12 Vy su capacidad es 100 W-h. La corriente pro-
medio de carga deber ser Icd = 5 A. El voltaje de entrada primario es Vp = 220 V, 60 Hz tenien-
=
do el transformador una relacin de vueltas n 2: 1. Calcule (a) el ngulo de conduccin del o
diodo, (b) la resistencia limitadora de corriente R, (e) la especificacin de potencia PR de R, (d)
el tiempo de carga h en horas, (e) la eficiencia del rectificador", y (f) el voltaje de pico inverso
PIV del diodo.
Solucin E = 12 V, Vp = 220 V, Vs = Vf," = 120/2 = 60 V, Y v, = -./2 Vs = -./2 x 60 = 84.85 V.
(a) De la ecuacin (3-58), a = sen- (12/84.85) = 8.13, o bien 0.1419 rad. J3 = 180 - 8.13 =
171.87. El ngulo de conduccin es 0= J3 - a= 171.87 - 8.13 163.74. =
(b) La corriente de carga promedio Icd es
l J!3 Vm sen wt - E l
Ide = 27T " R d(wt) = 27TR (2Vm cos a + 2Ea - 7TE)
(3-59)
l
= 27TR (2Vm cos a + 2Ea - 7TE)
lo que nos da
1
R =-2 I (2Vrn cos a + 2Ea - 7TE)
Jt cd
l '
= 27TX 5 (2 x 84.85 x cos 8.13 + 2 x 12 x 0.1419 - 7Tx 12) = 4.26
0 n

(e) La corriente rms en la batera Inn. es

12 = .L J!3 (Vrn sen wt - E)" d( )


rrns 27T" R2 wt

= 27TR2
1 [(V~l
T + E2) (7T- 2a ) + V~, sen2a
T - 4VmE cos a ] (3-60)

= 67.4
o bien Inn = -./67.4 = 8.2 A. La especificacin de potencia de Res PR = 8.22 x 4.26 = 286.4 W.
(d) La potencia entregada Pcd a la batera es
Pcd = El cd = 12 x 5 = 60 W

hPcd = 100 o

Ce)La eficiencia del rectificador" es

" = Potencia entregada a la batera = -::-_P_C;:.:d,-::-_ = ~~6_0~:-- = 17.32%


potencia de entrada total P cd + PR 60 + 286.4
(f) El voltaje de pico inverso PIV del diodo es
PIV = Vm + E

= 84.85 + 12 = 96.85 V

58 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Ejemplo 3-8
El rectificadormonofsico de media onda de la figura 3-14a est conectado a una fuente Vs =
120 V, 60 Hz. Exprese en series de Fourier el voltaje de salida instantneo VL(t).
Solucin El voltaje de salida del rectificador VL se puede describir mediante una serie de Fou-
rier como
VL(t) = Vro +
,,~1.2, '.
(a" sen wt + b, cos wt)

l (2" l (17 V
Ved = Jo VL d(wt) = 217' Jo Vn sen wt d(wt) = ;;'
217'

a" f2" f"


= -17'1 o VL sen nwt d(wt) = -17'1 o V", sen .rot sen nit d(rot)
Vrn
2
para n = 1

=0 para n = 2, 4, 6, ...

b; = -1 f21T VL cos nwt d(wt) = -1 f" Vnsen wt cos nwt d(wt)


17'0 17'0

Vn 1 + (-1)"
= --;- 1 _ n2 para n = 2, 3, 4, ...
= O para n = 1

Sustituyendo an y bn, el voltaje de salida instntaneo se convierte en


V", V",
VL( t ) = - + -2 senwt
zv, 2 V",
- -3- cos 2wt + -
2V
cos 4wt - _'" cos 6wt + (3-61)
17' 17' 1517' 3517'
donde Vm = {2 x 120 = 169.7 Vy ro = 2p x 60 = 377 rad/s,

38 RECTIFICADORESMONOFASICOS DE ONDA COMPLETA

En la figura 3-18a aparece un circuito rectificador de onda completa con un transformador de de-
rivacin central. Cada mitad del transformador con un diodo asociado acta como si fuera un rec-
tificador de media onda. La salida de un rectificador de onda completa aparece en la figura 31gb.
Dado que a travs del transformador no fluye corriente directa, no hay problema por saturacin en
el ncleo de este mismo transformador. El voltaje de salida promedio es
V 2 (T/2 2Vm
cd = T Jo Vm sen wt dt = --;;;-= O.6366Vm (3-62)

En vez de utilizar un transformador con toma o derivacin central, podemos utilizar cuatro dio-
dos, como se muestra en la figura 3-19a. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, se
suministra potencia a la carga a travs de los diodos DI y D2. Durante el ciclo negativo, los diodos
D3 y D4 conducirn. La forma de onda del voltaje de salida aparece en la figura 3-19b y es similar
a la de la figura 3-18b. El voltaje de pico inverso de un diodo es solo Vm Este circuito se conoce
como rectificador puente, y es de uso comn en aplicaciones industriales.

Sec.3-8 Rectificadores monofsicos de onda completa 59


+
liD,
v.t\7\
O .. 2 .. .. ""
l' I liD '
O, 01------*----...,.-..,....,-=2-11-"'1

I~I
+ -
-2Vm

(a) Diagrama de circuito (b) Formas de-onda

Figura 3-18 Rectificador de onda completa con transformador con derivacin central.

I
I
-Vm - - - -~-

iL v.~
--

0t7v7
+ +
+
O, 03 ",1

v. R III ~211 .""


O2
-V -
m 1103.V~ VOh V1)2

(a) Diagrama de circuito (b) Forma de onda

Figura 3-19 Rectificador puente de onda completa.

60 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Ejemplo 3-9
Si el rectificador de la figura 3-18a tiene una carga resistiva pura de valor R, determine (a) la efi-
ciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin
del transformador, (e) el voltaje de pico inverso (PI V) del diodo D y (f) el CF de la corriente de
entrada.
Solucin De la ecuacin (3-62), el voltaje promedio de salida es

Ved = 2V", = 0.6366Vm


1T

y la corriente promedio de carga es


1 - Ved _ 0.6366Vm
cd- 1<. - R

El valor rms del voltaje de salida es


fT/2 ] 1/2
Vrms
2
= [T o (Vm sen wt)2 dt = v0
V
= 0.707V",

1 = Vrms 0.707 VIII


rrns R R
=
De la ecuacin (3-42), Ped (0.6366V mY''/R,y de la ecuacin (3-43), Pea (0.707Vm)2/R. =
(a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia" = (0.6366V mY/(0.707Vm)"" = 81%
(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.707V mI0.6366V m = 1.11.
(e) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = ... 1.1P -1 = 0.482, o
bien 48.2%.
(d) El voltaje rms del secundario del transformador Vs = Vm/"'-2 = 0.707Vm El valor rms
=
de la corriente del secundario del transformador ls 0.5Vm IR. La especificacin en volts-ampe-
res (VA) del transformador, VA = 2 Vsls = 2 x 0.707 Vm x 0.5Vm/R. De la ecuacin (3-49),
0.63662
TUF = 2 x 0.707 x 0.5 = 0.5732 = 57.32%

(e) El voltaje de bloqueo de pico inverso PIV 2 Vm' =


(f) ls(pico)= Vm/R e ls = O.707Vm/R. El factor de cresta CF de la corriente de entrada es CF
= ls(pieo)lls= 1/0.707 =rz.

Nota. El rendimiento de un rectificador de onda completa represenLa una mejora significati-


va en comparacin con el de un rectificador de media onda.

Ejemplo 3-10
El rectificador de la figura 3-18a tiene una carga RL. Utilice el mtodo de las series de Fourier
para obtener expresiones del voltaje de salida VL(I).
Solucin El voltaje de salida del rectificador puede ser representado por una serie de Fourier
(misma que se ver en el apndice E) de la forma
-c

UL(t) = Ved + (a
n=2,4, ...
n cos wt + b; sen nwt)

Sec,3-8 Rectificadores monofsicos de onda completa 61


donde
I (21T 2 (1T 2V
V ro = 27T Jo UL(t) d(wt) = 27T Jo Vm sen wt d(wt) = 7Tm

I (21T 2 ("
a; = ;: Jo UL cos nwt d(wt) = ;: Jo Vm sen wt cos nwt d(wt)

= 4Vm
7T
i:
,,=2.4 ....
-1
(n - I)(n + 1)

I (21T 2 (1T
b, = ;: Jo UL sen nwt d(wt) = ;: Jo Vm sen wt sen nwt d(wt) = O
Sustituyendo los valores de an y b.; la expresin del voltaje de salida es

2Vm 4 V", 4Vm 4V17


UL ()t = --;- - 37T cos 2wt - 157T cos 4wt - 35; cos 6wt - . (3-63)

Nota. La salida de un rectificador de onda completa contiene slo armnicas pares. La se-
gunda armnica es la ms dominante y su frecuencia es 2f(= 120 Hz). El voltaje de salida de la
ecuacin (3-63) se puede deducir mediante la multiplicacin espectral de la funcin de conmuta-
cin, esto queda explicado en el apndice C.
Ejemplo 3-11
Un rectificador puente monofsico, que alimenta una carga inductiva muy alta, como sera un
motor de cd, aparece en la figura 3-20a. La relacin de vueltas del transformador es la unidad. La
carga es tal que el motor utiliza una corriente de armadura libre de oscilaciones la tal y como

-Vm
Componente fundamental
l
l. ....__,.-"'--_;./~.--,
,
r- ,,
'. -

O 1'-----"1-----...,..--
" 2.. ...
'! /
1
-l. '" /"
Vp

.. Q)t
o
(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda

Figura 3-20 Rectificador puente de onda completa con carga de motor cd.

62 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


aparece en la figura 3-20b. Determine (a) el factor armnico HF de la corriente de entrada y (b)
el factor de potencia de entrada PF del rectificador,
Solucin Normalmente, un motor de cd es altamente inductivo y acta como un filtro en la re-
duccin de la corriente de componente ondulatoria de la carga.
(a) Las formas de onda de la corriente y del voltaje de entrada del rectificador aparecen en
la figura 3-20b. La corriente de entrada se puede expresar en una serie de Fourier, como

il(t) = lcd+
11=

1,3 ....
(a" cos noit + bn sen nwt)

donde
1 (27T. 1 (27T
Ide = 21T Jo ll(t) d(wt) = 21T Jo 1(1 d(wt) =O

a; '" -
1 f27T .
ll(t) COS nwt d(wt) = -
2 f7T 1(1 cos nwt d(wt) = O
1TO 1TO

1 f27T .. 2 f7T 41
b; = - ll(t) sen nwt d(wt) == - 1(1 sen nwt diiot} = ---...!!
1T o 1T o nn

Sustituyendo los valores de afl Y hn, la expresin correspondiente a la corriente de entrada es

.( )
lit =~
4(/ (Sen wt sen 3wt sen 5wt
-1-+--3-+--5-+'"
. )
v" (3-64)

El valor rms de la componente fundamental de la corriente de entrada es


4/"
IsI = ,;:; = 0.901"
1T v2
El valor rms de la corriente de entrada es

De la ecuacin (3-51),

HF = THD '"
1)2
[( 0.90 - 1
]1/2
= 0.4843 o 48.43%

(b) El ngulo de desplazamiento 11> = O Y el factor de desplazamiento DF = cos = 1. De la


11>
ecuacin (3-52), el factor de potencia PF = (/ s /l.,)cos 11> :: 0.90 (en atraso).

39 RECTIFICADORMONOFASICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL

Con una carga resistiva, la comente de carga tiene una forma idntica al voltaje de salida. En la prc-
tica, la mayor parte de las cargas son en cierta cantidad inductivas, la corriente de carga depende de
los valores de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. Esto aparece en la figura 3-21a.
Se aade una batera de vol~e E para poder desarrollar ecuaciones de tipo general. Si el voltaje de
entrada es Vs = Vm sen rot = .., 2 Vs sen rot, la corriente de carga h se puede deducir de

L :~ + Ri + E = v2 V, sen wt

Sec.3-8 Rectificador monofsico de onda completa con carga RL 63


+

(Ot

E
Imin

o 9 1t 1t 1t+9 21t (Ot


"2
(a) Circuito (b) Formas de onda

Figura 3-21 Rectificador de puente completo con carga RL.

que tiene una solucin de la forma

=
v2V
Tsen(W( - 8) + Ale-(RIL)I - RE (3-65)

donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (roL)2]1f2, y el ngulo de impedancia e = tan-\roL/R).


Caso 1: corriente de carga continua. La constante Al en la ecuacin (3-65) se pue-
de determinar a partir de la condicin: en rot = 1t, it: = 11.

A
I
= (1 I
+ E _ v2 V_, sen
R Z
8) e(RIL)(1Tlw)

Si sustituimos de Al en la ecuacin (3-65), obtenemos

i -
L-
v2Z V_, sen(w( _ 8) + (1 I
+ E _ v2 Vs sen
R Z
8) e(RIL)(1Tlw-l)

Bajo una condicin de rgimen permanente, iL(rot = O) = h(rot = 1t). Esto significa que, iL(rot = O)
= 11. Aplicandoesta condicin, obtenemos el valor de 11 como
v2 V_, I + e-(RIL)(1Tlw) E
11 = -Z- sen 8 l _ e-(RIL)(1Tlw) - R para II ;::: O (3-66)

el cual, despus de sustituirse en la ecuacin (3-66) y de simplificarse, nos da

= v2Z Vs fsen(W( _ 8)
~
+ 1-
.2
e-(RIL)(rrlwl
sen 8 e-(RILl/]
R
E
(3-67)
para O :$; rol s 1t e ti. c:: O

64 Circuitos de diodos V rectificadores Cap. 3


La corriente rms del diodo se puede encontrar de la ecuacin (3-67) como
1 (w
Ir = [ 27T Jo ii d(wt)
]In
y entonces, la corriente rms de salida se puede determinar mediante la combinacin de las corrien-
tes rms de cada diodo como

Tambin se puede encontrar la corriente promedio del diodo a partir de la ecuacin (3-67) como
1 (w
Id = 27T Jo lt. d(wt)

Caso 2: corriente de carga discontinua. La corriente de carga fluye slo durante el


perodo ex::; WI s b. Los diodos empiezan a conducir en WI =
a, dado por
E
O' = sen-I -
V",
En w = ex, i(w1) = O Y la ecuacin (3-65) nos da

Al = E
[R v'2 V,
- -z-sen(a - 8) 1 r/ R/L )(aw)
/

que, despus de sustituirse en la ecuacin (3-65), proporciona la corriente de carga

.
IL
v'2
= -- V, sen(wt - 8) + [E- - --
v'2 V, sen(a - 8) ] R1L1(a/w-1) (3-68)
Z R Z
En WI = p, la corriente cae a cero, e i(wT = P) = O. Esto es

v'2 V, sen(3 - 8)
-_.
Z
+ [E- - -_.
R
v'2 V, sen(a
Z
- 8) ] /
e(R L)(a-/3I/w =
p se puede determinar de esta ecuacin trascendental mediante un mtodo de solucin iterativo
(prueba y error), que se analiza en la seccin 6-5. Inicie con ~ 0, e incremente su valor en canti-=
dades muy pequeas, hasta que el lado izquierdo de esta ecuacin se convierta en cero.
La corriente rms del diodo se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-68) como

1,. = [ 27Tlf/3 ir d(wt)


a
]112

La corriente promedio del diodo tambin se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-68) como

Id = 2~ f: it. d(wt)

Ejemplo 3]2 *
El rectificador de onda completa monofsico de la figl!ra.3-2la tiene L = 6.5 rnH, R = 2.5 n, y E =
10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a 60 Hz. (a) Determine (1) la comente de carga en rgi-
=
men permanente 11en WI O, (2) la corriente promedio del diodo Id, (3) la corriente rms del diodo

Sec.3-9 Rectificador monofsico de onda completa con carga RL 65


Ir y (4) la corriente nns de salida Irm~' (b) Utilice PSpice para graficar la corriente de salida instant-
=
nea i_,. Suponga los parmetros de diodo IS 2.22E-15, BV = 1800 V.
Solucin No se sabe si la corriente de carga es continua o discontinua. Supongamos que la co-
rriente de carga es continua y procedamos con la solucin. Si la hiptesis no es correcta, la co-
rriente de carga ser cero y entonces pasaremos al caso discontinuo correspondiente.
= = = =
(a) R 2.5 n, L = 6.5 roR, f 60 Hz, W 21t X 60 377 rad/s, Vs 120 V, Z [R2 + = =
(wL)2]tl2 = =
3.5 n y e tan-\WL!R) = 44,43l!.

(1) La corriente de carga en rgimen permanente en wt O, 11 = = 32.8 A. Dado que 11 > O, la


corriente de carga es continua y la hiptesis es correcta.
(2) La integracin numrica de lt: de la ecuacin (3-67) nos da una corriente promedio de dio-
do/d= 19.61 A.
(3) Mediante la integracin numrica de il entre los lmites wt = O Y1t, obtenemos la corriente
nns del diodo Ir = 28.5 A.
(4) La corriente nns de salida I nns = "2 Ir = " 2 x 28.50 = 40.3 A.

Notas
1. lt:tiene un valor mnimo de 25.2 A en wt = 25.5 y un valor mximo de 51.46 A en W( =
=
125.25. h se convierte en 27.41 A en W( = e y en 48.2 A en W( e + 1t. Por 10 tanto, el
valor mximo de lt: ocurre aproximadamente en W( e. =
2. La conmutacin de los diodos hace que las ecuaciones de las corrientes sean no lineales.
Un mtodo numrico de solucin de las corrientes de diodo es ms eficaz que las tcnicas
clsicas. Para resolver en funcin de 1" Id e Ir se utiliza un programa de computadora que
hace uso de la integracin numrica. Se recomienda a los estudiantes que verifiquen los re-
sultados de este ejemplo y que valoricen la utilidad de la solucin numrica, especialmente
en la resolucin de ecuaciones no lineales de circuitos de diodos.

(b) El rectificador puente monofsico para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-22.
La lista de archivo de circuito es corno sigue:

Example 3-12 Single-Phase Bridge Rectifier with RL load


VS 1 O SIN (O 169. 7V 60HZ)
L '2 3 6.:'MH
R 3 4 2. J
VX 4 5 DC JO\l Voltaje source to measure the output current
Di 2 Dl'-':OD ; Dode Model
D2 5 O DMOD
D3 O 2 DMOD
D4 5 DMCD
.MODEL DMOD D(lS=2.22E-15 HV"lHOOV) Diode model parameters
.TRAN lUS 32MS 16.667MS Transient analysis
.PROBE Graphics postprocessor
.END

La graficacin PSpice de la corriente de salida instarunea ic se muestra en la figura 3-23,


que da 11 = 31.83 A.

66 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Example 3-12 Single-Phase Bridge-Rectifier a with R-L load
Date/Time run: 07/17/92 15: 53: 17 Tempcrature: 27.0
60A +--.---t-- -1----+--.----1-------4----+----+----+
: I
- t- - - - - - -" - - - - - - - - - -:.~-.::.;:- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
: /" I <,
40A
___.. :,/
/~( ___j \I .-----~-../
:;; _ ~ _
: I
20A +--'------4----+-----+--'---+------l----,--
@JI (VXl
200V +--.----+----+---.--1-1--+.---+--- -+----1----+

100V
,: _../
_..__..-' ---------- : ~ :.

OV
iV
i
:
....
,/
' :
:~/
I /
-100V 1------1----+-_..J....---1
. -..--.-1----1-- t---+
16ms 1Bms 20ms 22ms 24ms 26ms 2Bms 30ms 32ms
r:J V (3. 4)
Time

Figura 3-23 Graficas de PSpice para el ejemplo 3-12.

310 RECTIFICADORESMULTIFASE EN ESTRELLA

Hemos visto en la ecuacin (3-62) que el voltaje promedio de salida que se podra obtener de los
rectificadores de onda completa monofsicos es O.6366V~. Estos rectificadores se utilizan en
aplicaciones hasta un nivel de potencia de 15 kW. Para salidas de potencia mayores, se utilizan
los rectificadores trifsicos y mulufsicos. Las series de Fourier de los voltajes de salida dados
por la ecuacin (3-63) indican que las salidas contienen armnicas, la frecuencia de la componen-
te fundamental es el doble de la frecuencia de la fuente (2f). En la prctica es comn utilizar un

Sec.3-10 Rectificadores multifase en estrella 67


filtro para reducir el nivel de armnicas en la carga; el tamao del filtro se reduce con el aumento
de la frecuencia de las armnicas. Adems de la mayor salida de potencia de los rectificadores
multifase, tambin aumenta la frecuencia fundamental de las armnicas y resulta q veces la fre-
cuencia fuente (qf). Este rectificador se conoce como un rectificador estrella.
El circuito rectificador de la figura 3-18a se puede extender a varias fases mediante embobi-
nados multifase en el secundario del transformador, tal y como se muestra en la figura 3-24a. Este
cirbuito se puede considerar como q rectificadores monofsicos de media onda y es del tipo de
media onda. El diodo de orden k conducir durante el periodo cuando el voltaje de la fase k sea
mayor que el de las dems fases. Las formas de onda para voltajes y corrientes aparecen en la fi-
gura 3-24b. El perodo de conduccin de cada diodo es 2rc/q.
De la figura 3-24b se puede notar que la corriente que fluye a travs del embobinado secun-
dario es unidireccional y contiene una componente de cd. Slo el embobinado secundario lleva
corriente en un momento determinado y, como resultado, el primario debe estar conectado en del-

3 DJ
q
iL +

4 D.
LI ___ R Vl
- - --ct--
Dq

---
(a) Diagrama de circuito

v v, V2 v3 V.
Vm

(jI
O

-V",

V",

020n 03
O (jt
.!!.
q
~ ~
q q

(b) Formas de ondas

Figura 3-24 Rectificadores multifase.

68 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


ta, a fin de eliminar la componente de cd del lado de la entrada del transformador. Esto minimiza
el contenido armnico de la corriente de lnea primaria.
Si suponemos una onda coseno desde nlq hasta 2rc/q, el voltaje promedio de salida para un
rectificador de q fases est dado por

Ved
2
= 27r/q Jo
(1Tt"
V", COS wl d(wt) =
q
V", -; sen q7r (3-69)

(3-70)

Vm [ - q (7r- + -1 sen-27r)JI/2
27r q 2 a

Si la carga es resistiva pura, la corriente de pico a travs del diodo es 1m = Vm /R pudindose encontrar
el valor rms de la corriente del diodo (o de una corriente secundaria de transformador) como
2 (1Tlq JI/2
I, = [ 27r Jo l~n cos- wt d(wt)
(3-71)

= t; [_1_ (~ + ~ sen _27r_)] 1/2 = _V_rm_,


27r q .. q _ R
Ejemplo 313
Un rectificador trifsico en estrella tiene una carga puramente resistiva con R ohms. Determine
(a) la eficiencia, (b) el factor de forma, (e) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de
utilizacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso Pl V de cada diodo (f) la corriente pi-
co a travs del diodo, si el rectificador entrega Ide= 30 A a un voltaje de salida de Vde= 140 V.
Solucin Para un rectificador trifsico q = 3 en las ecuaciones (3-69), (3-70) Y(3-71).
=
(a) De la ecuacin (3-69), Ved= 0.827 Vm e led 0.827 Vm/R. De la ecuacin (3-70), Vnns =
=
0.84068 Vm e Inns 0.84068 Vm IR. De la ecuacin (3-42), Pro = (O.827Vm)2{R, de la ecuacin (3-43),
=
P ca (0.84068V m)2R y de la ecuacin (3-44) la eficiencia
__ (0.827V"y _ o
r - (0.84068V Y - 96.77%
I1

(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF 0.84068/0.827= 1.0165, o bien =


101.65%.
(e) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = ..J 1.0165' - 1 =
=
0.1824 18.24%.
(d) De la ecuacin (3-56), el voltaje rrns del secundario del transformador, Vs 0.707 Vm. =
De la ecuacin (3-71), la corriente rms del secundario del transformador,

1s = O 48541 "" 0.4854 VIII


. m R

La especificacin en volts-arnpcrcs (VA) del transformador para q 3 es =


.. 0.4854 v,
VA = 3V,l, = 3 x 0.707Vm x R

De la ecuacin (3-49) 0.8272


TUF = 3 x 0.707 x 0.4854 '" 0.6643

Seo. 310 Rectificadores multifase en estrella 69


(e) El voltaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje lnea a lnea en
el secundario. En el apndice A se analizan los circuitos trifsicos. El voltaje lnea a lnea es "3
veces el voltaje de fase y, por lo tanto, PIY = -{3 V m'
(1) La corriente promedio a travs de cada diodo es

2 J"'I<!
Id = -21m cos wt d(wt) = 1m-1 sen-tt (3-72)
TrO tt q

Para q = 3, Id = 0.2757/m. La corriente promedio a travs de cada diodo es Id = 30/3 = 10 A dan-


do esto la corriente pico como l = 10/0.2757 36.27 A. =
Ejemplo 314
(a) Exprese el voltaje de salida del rectificador de q fases de la figura 3-24a en series de Fourier.
=
(b) Si q = 6, Vm = 170 Y, Yla frecuencia de alimentacin es f 60 Hz, determine el valor rms de
la armnica dominante y su frecuencia.
Solucin (a) Las formas de onda para q pulsos se muestran en la figura 3-24b, siendo la fre-
cuencia de salida q veces la componente fundamental (qf). Para encontrar las constantes de la
serie de Fourier, integremos desde -rt/q hasta rt/q donde las constantes son
b; = O

1
a; = -/-
f"'lq Vm cos wt cos nwt d(wt)
tt q -",1'1

= qVm {senfir:_=-_l)Tr/q]+ sen [(n + llTr/ql}


tt n-l n+l
qVm (n + I)sen[(n - I)Tr/q] + (n - l)sen[(n + I)Tr/q]
= ~ n2 - l

Despus de simplificar y usar las relaciones trigonomtricas, obtenemos


sen(A + B) = senA cos B + cos A senB
y
sen (A - B) = sen A cos B - cos A sen B

obtenemos

a = 2q V ni ( nsen- nTr cos --


tt ntt
- cos -sen- Tr) (3-73)
Il Tr(n2 - 1) q q q q

En el caso del rectificador con q pulsos por ciclo, las armnicas del voltaje de salida son: la de
orden q, la de orden 2q, la de orden 3q, la de orden 4q, la ecuacin (3-73) es vlida para n = O,
=
1q, 2q, 3q. El trmino seno(n1t/q) = sen 1t O Y la ecuacin (3-73) se convierte
-2qVm ( nTr Tr)
a; = tt (on: - 1) cos -sen-
q q

la componente en cd se encuentra haciendo que n = O Y es


ao q tr
Ved =-
2 = Vm -tr sen -q (3-74)

que es el mismo que el de la ecuacin (3-69). La serie de Fourier del voltaje de salida ve se ex-
presa como

70 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


UL(I) = (;0 + a" cos nwf
1/..::.4.2'1....

Sustituyendo el valor de an, obtenemos

q 2
UL = Vm :; sen q1T ( 1 - ,,:,{5,/
"...
... ~ cos q cos nwt
n1T )
(3-75)

(b) Para q = 6, el voltaje de salida se expresa como

UL(t) = O.9549Vm
22
(1 + 35 cos 6wt - 143 cos 12wf + . ..) (3-76)

La sexta armnica es la dominante. El valor rms de un voltaje sinusoidal es 1/-.[2 veces su mag-
nitud de pico, y el rms de la sexta armnica es V6 = 0.9549 Vm x 2/(35 x ../2) = 6.56 A siendo su
= =
frecuencia J6 6J 360 Hz.

3-11 RECTIFICADORESTRIFASICOS EN PUENTE

Un rectificador trifsico en puente como el que se muestra en la figura 3-25 es de uso comn en
aplicaciones de alta energa. Este es un rectificador de onda completa. Puede operar sin O con
transformador y genera componentes ondulatorias de seis pulsos en el voltaje de salida. Los dio-
dos estn numerados en orden de secuencia de conduccin, cada uno de ellos conduce durante
120. La secuencia de la conduccin de los diodos es 12, 23, 34,45, 56 y 61. El par de diodos co-
nectados entre el par de lneas de alimentacin que tengan la diferencia de potencial instantneo
ms alto de lnea a lnea sern los que conduzcan. En una fuente conectada en estrella trifsica el
voltaje de lnea a lnea es ../3veces el voltaje de fase. Las formas de onda y los tiempos de con-
duccin de los diodos aparecen en la figura 3-26.
El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de
2 (11'/6, r;
Ved = 21T/6 Jo V3 Vm cos wt d(wt)
(3-77)

= 3 v3 Vm = 1.654V/II
1T

Primario Secundario

+
a

Figura 3-25 Rectificador puente trifsico.

Sec.3-" Rectificadores trifsicos en puente 71


,"

Diodos l. 56
..61-1---1-
..1 12 23
..l 34 45
..~~I
activados
Vcb Vab Vac Vbc Vba Vea
..f3 Vm
O
o>t
-~3Vm
VL

~3Vm

O
1t 2lt 1t 41t 5lt 21t rot
3 3 3 3
ia
"3Vm
R

-"3Vm
R

lt lt
3

Figura 3-26 Formas de onda y tiempos de conduccin de los diodos.

donde Vm es el voltaje de fase pico. El voltaje rms de salida es


2 f '6 ] 1/2
Vrms = [ 21T/6 Jo'" 3 V?n cos- wt d(wt)
(3-78)
3 9
+ -;-
\13)112 v, =
(2 1.6554Vm

Si la carga es puramente resistiva, la corriente pico a travs de un diodo es 1m= {3Vm/R y el va-
lor rms de la corriente del diodo es

Ir = [2: Jo"/6 I~, cos? wt d(wt) J 1/2

= I [1. (~ + !sen 21T)] 1/2 (3-79)


1T 6 2
m 6
= O.5518/m

72 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


el valor rms de la corriente secundaria del transformador, es
8 (/6 ] 1/2
1" = [ 21T Jo" I~n cos? wt d(wt)

2 (1T l 21T)] 1/2


= t; [ -; 6" + '2 sen 6 (3-80)

= O.78041m
donde 1m es la corriente de lnea pico en el secundario.

Ejemplo 3-15
Un rectificador trifsico en puente tiene una carga puramente resistiva de valor R. Determine (a)
la eficiencia, (b) el factor de forma, (e) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utili-
zacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso (PIV) de cada diodo y (f) la corriente pi-
=
co a travs de un diodo. El rectificador entrega led 60 A a un voltaje de salida de Ved 280.7 V =
la frecuencia de la fuente es 60 Hz.
Solucin (a) De la ecuacin (3-77), Ved = 1.654 Vm e led = 1.654Vm/R. De la ecuacin (3-78),
Vnns = 1.6554 v, e/rms = 1.6554Vm/R. De la ecuacin (3-42), Ped (l.654Vm)2/R, de la ecuacin =
(3-43), Pea = (1.6554Vm)2/R, y de la ecuacin (3-44) la eficiencia es
(l.654VmJ2 9(
11 = (1.6554Vn,)2 = 99.83 o

(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF 1.6554/1.654 = = 1.0008 = 100.08%.


(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = " 1.0008 -1 = 0.04 = 4%.
2

(d) De la ecuacin (3-57), el voltaje rms del secundario del transformador, cdVs =
0.707Vm
De la ecuacin (3-80), la corriente rms del secundario del transformador es

1, = 0.78041m = 0.7804 x v3 ;'


La especificacin en volt-ampercs del transformador es
r: Vm
VA = 3V,J, = 3 x 0.707Vm x 0.7804 x v s R
De la ecuacin (3-49)
TUF = 1.6542 = 0.9542
3 x v3 x 0.707 x 0.7804
(e) De la ecuacin (3-77), el voltaje de lnea pico a neutro es Vm 280.7/1.654 169.7 V. = =
El voltaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje en el secundario de l-
=
nea a lnea, PIV .f3vm=.f3 x 169.7 293.9 V. =
(f) La corriente promedio a travs de cada diodo es
4 (11'/6 2 1T
Id = = 21T Jo L cos wt d(wt) = L; ;: sen '6 = 0.3l83/m
La corriente promedio a travs de cada diodo es Id = 60/3 = 20 A, Ypor lo tanto la corriente pico
= =
es 1m 20/0.3183 62.83 A.
Nota. Este rectificador tiene un rendimiento considerablemente mayor que el rectificador
muhifase de la figura 3-24 con seis pulsos.

Sec.3-11 Rectificadores trifsicos en puente 73


3-12 RECTIFICADOR TRIFASICO EN PUENTE CON CARGA RL

Se pueden aplicar las ecuaciones que se han deducido en la seccin 3-9 para determinar la co-
rriente de carga de un rectificador trifsico con carga RL (similar al de la figura 3-17a). De la figu-
ra 3-26 se puede notar que el voltaje de salida se convierte en
7T 27T
Vuh = V2 V(/h sen wt para "3 :5 wt :5 "3
donde Vah es el voltaje rrns de entrada de lnea a lnea. La corriente de carga ti. se puede encontrar
a partir de

L ~~ + RiL + E = V2 V"h sen wt

que tiene una solucin de la forma


.
IL =
V2ZV"h sen(wt - O) + Ale-(
R
ILlr - RE (3-81)

donde la impedancia de carga Z = [R2 + (WL)2]l/2 y el ngulo de impedancia de la carga es e =


tan-1(wLlR). La constante Al de la ecuacin (3-81) se puede determinar a partir de la condicin:
= =
en wt re/3, it. h.
E
Al = [I1 + R - V2ZVuh sen (7T
"3 - O) ] eIR1L)(",/3w)

La sustitucin de A 1 en la ecuacin (3-81) da como resultado

i -
L-
V2ZVuh sen(wt _ O) + [/1 + !iR _ V2ZV(/h sen (!3 - O)] eIRILlI",I",-r) (3-82)

=
En condicin de estado permanente, i_(co/ = 2re/3) h(w{ = re/3).Esto significa que h(wt = 2re/3)=
11. Aplicando esta condicin obtenemos el valor de 1) como

1 -
V2 Vuhsen (27T/3- e) - sen(7T/3 - O)e-1R1L)(rr/J",1 E
- - para I1 ;::: O
(3-83)
1 - Z 1 - e-(RIL)(rr/3",1 R

que, despus de sustituirse en la ecuacin (3-82) y simplificarse, nos da

IL
. = V2 V(/h [(
sen wt -
Ll.)
u + sen(27T/3- 8) - sen(7T/3- O)
e-IRILlr
]
Z 1 - e-(RIL)(rr/",1
E
para 7T/3:5 wt :5 27T/3 e iL;::: O (3-84)
R

La corriente rms del diodo se puede determinar a partir de la ecuacin (3-84) como

2 J2"'/3
Ir = [ -27T Tr/J iL d(wt) ] 1/2

74 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


y entonces la corriente rms de salida se puede determinar combinando las corrientes rms de cada
diodo como

La corriente promedio de cada diodo tambin se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-84) como

2 J211/3
1" = -27T ,,/3
ii. d(wt)

Ejemplo 3-16 *
=
El rectificador de onda completa trifsico de la figura 3-25a tiene una carga de L 1.5 rnH, R 2.5 n =
y E = 10 Y. El voltaje de entrada de lnea a lnea es Vah = 208 Y, 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente
=
de carga en rgimen permanente 11 en lt 1tf3, (2) la corriente promedio del diodo Id, (3) la corriente
rrns del diodo 1" (4) la comente rrns de salida lnns' (b) Utilice PSpice para graficar la corriente instan-
=
tnea de salida h.,. Suponga los parmetros de diodo IS 2.22E-15, BY 1800 Y. =
Solucin (a) R = 2.5 n, L = 1.5 rnH, f = 60 Hz, (1) = 21t X 60 = 377 rad/s, Vah = 208 V, Z = [R2
+ (I)L)2]112 = 2.56 n, y 9 = tan-1(I)LlR)= 12.74.

(1) La corriente de carga en rgimen permanente en (1)( = 1t/3, 11 = 105.85 A.


(2) La integracin numrica de iL en la ecuacin (3-84) da la corriente promedio del diodo co-
mo Id = 36.27 A. Dado de que 11 > O, la corriente de carga es continua.
il =
(3) Mediante la integracin numrica de entre los lmites (1)( 1t/3 Y 21t/3, obtenemos la co-
=
rriente rms del diodo, como 1, 62.71 A.
(4) La corriente rms de salida Inns = DI, = D x 62.71 = 108.62 A.
(b) El rectificador trifsico en puente para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-27.
La lista del archivo de circuito es como sigue:

Example 3-16 Three_Phase Bridge Rectifier With RL load


VAN 8 O SIN (O 169.7V 60HZ)
VBN 2 O SIN (O 169.7V 60HZ O O 120DEG)
VCN 3 O SIN (O 169.7V 60HZ O O 120DEG)
L 6 7 1.5MH
R 4 6 2.5
VX 7 5 DC 10V Voltaje source to measure the output current
VY 8 1 DC OV Voltaje source to measure the input current
DI 1 4 DMOD Diode model
D3 2 4 DMOD
D5 3 4 DMOD
D2 5 3 DMOD
04 5 1 DMOD
06 5 2 DMOD
.MODEL DMOD O (I5=2.22E-15 BV=1800V) Diode model parameters
.TRAN 10U5 25M5 16.667M5 10U5 Transient analysis
.PROBE Graphics postprocessor
.options ITL5=O abstol = 1.000n reltol .01 vntol = 1.000m
.END

La graficacin PSpice de la corriente instantnea de salida te se muestra en la figura 3-28


=
que nos da 11 104.89 A.

Sec.3-12 Rectificador trifsico en puente con carga RL 75


4 iL

+
03 05 R

2 VL

3
06 02
Vx

Figura 3-27 Rectificador trifsico en puente para la simulacin PSpice.

Example 3-16 Three-Phase Bridge Rectifier with RL load .


Oate/Time run: 07/17/92 16:02:36 Temperature: 27.0

.,
10BA .,, .
.
,
104A
.,
"

.,
100A+-----~----~~----~-
@jr(VX)
300V~----~------:~----~----~-~

:::: .~: ;
,.
2~OV+------+------~----~----~'+-----~-------~----~----~----~+
16ms 17ms 18ms 19ms 20ms 21ms 22ms 23ms 24ms 25ms
a V (4,71
Time

Figura 3-28 Graficacin PSpice para el ejemplo 3-16.

313 DISEO DE CIRCUITOS RECTIFICADORES

El diseo de un rectificador significa determinar las especificaciones de los diodos semiconductores.


Las especificaciones de los diodos se llenan normalmente en trminos de la corriente promedio, la
corriente nns, la corriente pico y el voltaje de pico inverso. No existen procedimientos estndar para
el diseo, pero es necesario determinar las formas de la corriente y del voltaje del diodo.

76 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Le
-
Le

~. [ [. [,
+

1 v
R
C.:r= R
C.:=
[. R

(a) (b) (e)

Figura 3-29 Filtros de corriente directa.

Rectificador

Figura3-30 Filtros de corriente alterna.

En las ecuaciones (3-61), (3-63) y (3-76) hemos notado que la salida de los rectificadores
contiene armnicas. Se pueden utilizar filtros para suavizar la salida de voltaje en cd del rectifica-
dor, que se conocen comofiltros de cd. Los filtros de cd normalmente son de tipo L, C y LC, tal y
como se muestra en la figura 3-29. Debido a la accin de rectificacin. la corriente de entrada del
rectificador tambin contiene armnicas, para eliminar algunas de las armnicas del sistema de
alimentacin de energa se utiliza un filtro de ca. El filtro de ca es, por lo regular, de tipo Le. tal y
como se muestra en la figura 3-30. Normalmente, es necesario determinar las magnitudes y las
frecuencias de las armnicas para el diseo del filtro. Mediante ejemplos se explican los pasos ne-
cesarios en el diseo de rectificadores y filtros.
Ejemplo 3-17
Un rectificador trifsico en puente alimenta una carga altamente inductiva, de tal forma que la
=
corriente promedio de carga es lcd 60 A, el contenido de las componentes ondulatorias es des-
preciable. Determine las especificaciones de los diodos, si el voltaje de lnea a neutro de la ali-
mentacin, conectada en estrella, es 120 V a 60 Hz.
Solucin Las corrientes a travs de los diodos aparecen en la figura 3-31. La corriente prome-
dio de un diodo Id = 60/3 = 20 A. La corriente rms es

Ir = [-2171' J",,13 Hdd(wt)]1/2 = ,le; = 34.64 A


V 3
El voltaje de pico inverso, PIV = >13' Vm = >13 X nX 120 = 294 V.
Nota. El factor de >12' se utiliza para convertir el valor de rrns a valor pico.
Ejemplo 318
La corriente a travs de un diodo aparece en la figura 3-32. Determine (a) la corriente rms y (b)
=
la corriente promedio del diodo, si 11 = lOO S, 12 350 S, 13 = 500 S, f = 250 Hz, i, 5 kHz. =
Im=450Aela =150A.

Sec.3-13 Diseo de circuitos rectificadores 77


~--- ~=~
o~_.__I __ -...&...I_---+-_--+ wI
n 2" '! 4" 511 2"
"3 "3 "3 "3
,.---:--, l ,
O~----~----~------+-----~----------------.wl
. I I I I
'el) I I , I
'O~--:---:---I : I
~----~----~------~-----+I------~'----------~
IcM
~ __ ..1.I __ I
..... ,....- __ ,.-_--, l'

I I
O~----+-----_+-------------L------..__I----...L..--.
1: I wt
,.1-----.,:
id5 I I

O~---....L....----___rl------------------'------...L..--.
wl
I
I I
iete

~------'l
I

O~-----------L------------------------~--_wt
r
Figura 3-31 Corriente a travs de los diodos.

Solucin (a) El valor rrns se define como

I = [~J~Ia; senw,t)2 dt + ~ J:;' I~dtr2


(3-85)
= (/;1 + 1;2)1/2

donde ws= 2rcfs = 31,415.93 rad/s, ti = rc/ws= 100 ms, yT= l/f.

Irl
1 (11
= [ T Jo (1m senwst)2 dt
] 1/2
= 1m
r;
V2'
(3-86)
= 50.31 A

(3-87)
= 29.05 A

Figura 3-32 Forma de onda de corriente

78 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Sustituyendo las ecuaciones (3-86) y (3-87) en la ecuacin (3-85), el valor rms es

/~Jtl 2 ] 1/2
I = [-2- + 1,J(tl - t2)
(3-88)
= (50.312 + 29.052)1/2 = 58.09 A
(b) La corriente promedio se encuentra a partir de

Id = [~to: sen oi.r) dt +~ J:,' la dt]


= IJI + Id2
donde

Idl = -T1 JI, (1m sen w., t) dt


1m!
= ---; (3-89)
o 7TJs

(3-90)

Por lo tanto, la corriente promedio se convierte en

Icd = 1m! + 1,J(t) - t2) = 7.16 + 5.63 = 12.79 A


7TJs

Ejemplo 3-19
El rectificador monofsico en puente est alimentado de una fuente a 12 V, 60 Hz. La resistencia
de carga es R = 500 n. Calcule el valor de un inductor en serie que limitar la corriente rrns de
componente ondulatoria 1"" a menos del 5% de I~d.
Solucin La impedancia de carga

Z =R + j(nwL) = YR2 + (nwL)2 ~ (3-91)


y
nwL
(Jn = tan"! --
R (3-92)

y la corriente instantnea es

h(t) = Icd - 4Vm [-31 cos(2wt - (J2) + 115 cos(4wt - (J4)... ] (3-93)
7TYR2 + (nwL)2
donde

1ed
= Ved = 2Vm
R 7TR
La ecuacin (3-93) da el valor rrns de la corriente de componente ondulatoria como

Considerando nicamente la armnica de orden ms bajo (n = 2), tenemos


1 - 4Vm (1)
ca - Y27T YR2 + (2wL)2 '3

Sec.3-13 Diseo de circuitos rectificadores 79


Usando el valor de led Y despus de simplificar, el factor de componente ondulatoria es

RF = lea = 0.4714 = 005


led VI + (2wLlR)2 .
Para R = 500 Q Y f = 60 Hz, el valor de inductancia se obtiene como 0.47142 = 0.052 [1 + (4 x
60 x nL/5002)] y esto da un valor de L = 6.22 H.
De la ecuacin (3-93) podemos notar que una inductancia en la carga ofrece una alta impe-
dancia para las corrientes armnicas y acta como filtro para reducirlas. Sin embargo, esta induc-
tancia introduce un retraso de la corriente de carga con respecto al voltaje de entrada; en el caso
de un rectificador de media onda monofsico, se requiere de un diodo de marcha libre para per-
mitir una trayectoria para esta corriente inductiva.

Ejemplo 3-20
Un rectificador monofsico en puente es alimentado a partir de una fuente de 120 V 60 Hz. La
=
resistencia de la carga es R 500 Q. (a) Disee un filtro C, de tal forma que el factor de compo-
nente ondulatoria del voltaje de salida sea menor de 5%. (b) Con el valor del capacitor C de la
parte (a), calcule el voltaje promedio de la carga Vcd-
Solucin Cuando el voltaje instantneo Vs de la figura 3-33 es ms alto que el voltaje instant-
neo del capacitor Ve, los diodos (DI y D2 O D3 Y D4) conducen; entonces el capacitor se carga de
la alimentacin. Si el voltaje instantneo de alimentacin Vs baja por debajo del voltaje instant-
neo del capacitor Ve, los diodos (DI y D2 O D3 y D4) tienen polarizacin negativa y el capacitor
Ce descarga a travs de la resistencia de carga R. El voltaje del capacitor Ve vara entre un mni-
mo Ve(mn) y un mximo Ve(mx)' Esto se muestra en la figura 3-33b.
Supongamos que tI es el tiempo de carga y que t2 es el tiempo de descarga del capacitor
Ce. El circuito equivalente durante la carga se muestra en la figura 3-33c. El capacitor se carga
prcticamente en forma instantnea al voltaje de alimentacin vs. El capacitor Ce ser cargado al
voltaje pico de alimentacin Vm, de tal forma que ve(t = tI) Vm' En la figura 3-33d se muestra =
el circuito equivalente durante la descarga. El capacitor se descarga en forma exponencial a tra-
vs deR.

~e J te dt + vc(t == O) + Ri L =O

que, con la condicin inicial de ve(t = O) = Vm, da la corriente de descarga como

El voltaje de salida (o del capacitor) VL durante el perodo de descarga se puede determinar a par-
tir de
VL(t) = RiL = Vme-tIRC,

El voltaje de componente ondulatoria de pico a pico Vr(pp) se puede encontrar a partir de


Vr(PP) = VL(t = ti) - VL(t = t2) = Vm - Vme-t:IRC, = Vm(l - e-t:IRC,,) (3-94)
dado que e-x", 1 - x, la ecuacin (3-94) se puede simplificar a

Vr(PP) = Vm ( 1 - 1 + RCe
t2)
=
Vn.t2
RCe
v,
= 2fRCe
Por lo tanto, el voltaje promedio de carga Ved est dado por

_ Vr(PP) = Vm (3-95)
Ved = V'" 2 V", - 4jRCe

80 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Vs
+ +
Vm
Vs Ce R Vl

O wt

(a) Modelo de circuito

Vl

, --.,
1,
1 , 1
I '
"\ 11: I I
I : , 1: I
I , I I

I ,1 I
I I

Ll--~~
t11 t2
37t wt

..J._.l -~
t:I
I
2 I
,

k_':'-/- _ __::~",,"""';"'___""::""'::::---I:__...::::!Io.....:--_~ __ ~_.V


rlpp)

lb) Formas de onda para el rectificador de onda completa

..
.
: R

lt

e) Carga (d) Descarga

Figura 3-33 Rectificador puente monofsico con filtro C.

Por 10 tanto, el voltaje de componente ondulatoria de salida en valor rms Vea se puede encontrar
en forma aproximada a partir de

y el factor de componente ondulatoria RF se puede determinar a partir de

(3-96)
V2 (4fRC, - 1)

Sec.3-13 Diseo de circuitos rectificadores 81


que se puede resolver para Ce:

C'4jR_1 (1+ _1_)


=
V2 RF
=
4 X
1
60 X 500
(1+ V2 10.05 ) X
126.2 ..tF

(b) De la ecuacin (3-95), el voltaje promedio de la carga Ved es

169.7
Ved = 169.7 - 4 X 60 X 500 X 126.2 X 10 6
169.7 - 11.21 158.49 V

Ejemplo 3-21
Un filtro LC tal y como se muestra en la figura 3-29c se utiliza para reducir el contenido de
componente ondulatoria del voltaje de salida para un rectificador monofsico de onda completa.
La resistencia de carga es R = 40 n, la inductancia de carga es L = 10 mH y la frecuencia de la
fuente es 60 Hz (es decir 377 rad/s), (a) Determine los valores Le Y Ce de tal manera que el fac-
tor de componente ondulatoria de voltaje de salida sea 10%. (b) Utilice PSpice para calcular las
componentes de Fourier del voltaje de la corriente de salida VL. Suponga parmetros de diodo
IS = IE-25, BV = 1000 V.
Solucin (a) El circuito equivalente para las armnicas aparece en la figura 3-34. Para facilitar
el paso de la corriente de componente ondulatoria de la armnica de rango n a travs del capaci-
tor del filtro, la impedancia de la carga debe ser mucho mayor que la del capacitor. Esto es,

YR2 + (nwL)2 _1_


nwC,
Esta condicin generalmente queda satisfecha mediante la relacin

y R2 + (nwL)2 = __!Q_ (3-97)


nwC,
y bajo esta condicin, el efecto de la carga ser despreciable. El valor rms de la componente ar-
mnica de rango n, que aparecer en la salida, se puede encontrar utilizando la regla del divisor
de voltaje, y se expresa como

I -1/(nwCe)
Von =- (nwL,) -1I(nwCe)
I =IVII
-1
(nw)2LeCe -
I
I VII
(3-98)

La cantidad total de voltaje de componente ondulatoria debida a todas las armnicas es


oc ) 1/2
Vea =( L V~n (3-99)
n=2.4.6 ...

Para un valor especificado de Vea Y con el valor de Ce correspondiente de la ecuacin (3-97), se


puede calcular el valor de Le. Podemos simplificar el clculo considerando slo la armnica do-
minante. De la ecuacin (3-63) encontramos que la segunda armnica es la dominante y su valor
rms es V2 = 4Vm/(3{2n) y el valor de cd, Ved = 2Vm/n.

R
Xc. _1_ C.
nwC.
L. Figura 334 Circuito equivalente para
armnicas.

82 Circuitos de diodos y rectificadores Cap.3


Para n = 2, las ecuaciones (3-98) y (3-99) dan

Vea = Vo2 = I(2W)2e~,_1IV2


El valor del capacitor Ce se calcula a partir de
10
VR2 + (2wL)2 =--
2wC,
o bien
C = 10 = 326 F
'47TfVR2+(47TfL)2 .t

A partir de la ecuacin (3-47), el factor de componente ondulatoria se define como

RF - Vea _ Vo2 _ J:. 1 _


- Ved - Ved - Vdc (47Tf)2LeCe - 1 -
V21 1
3 [(47Tf)2L,C, - 1]
I =O 1
.

O = =
bien, (41tf)2L.ce - 1 4.714 Y Le 30.83 rnH.
(b) El rectificador monofsico en puente para la simulacin PSpice aparece en la figura
3-35. La lista del archivo del circuito es como sigue:

Example 3-21 Single-Phase Bridge Rectlfler with Le Filter


~S 1 o SIN (O 169.7V 60HZ)
LE 3 8 30.83MH
e 7 326UF
Rx 8 7 80M Used to converge the solution
L 5 6 10MH
R 7 5 40
VX 6 DC OV Voltaje source to measure the output current
Vy 1 2 DC OV Voltaje source to measure the input current
DI 2 3 DMOD ; Diode Models
D2 4 o DMOD
D3 o 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 ; Diode model parameters
.TRAN IOUS 50MS 33MS Transient analysis
.FOUR 120HZ V (6,5) Fourier analysis of output voltaje
.options ITL5=0 abstol = 1.000n reltol .01 vntol = 1.000m
.END

3261lF

Figura 3-35 Puente rectificador monofsico para la simulacin PSpice.

Sec.3-13 Diseo de circuitos rectificadores 83


Los resultados de la simulacin PSpice para el voltaje de salida V(6,5) son como sigue:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V (6,5)


OC COMPONENT = 1.140973E+02
HARMONIC FREQUENCY FOlJRIER NOHMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.200E+02 1.304E+Ol 1.OOOE+OO 1.038E+02 O.OOOE+OO
2 2.400E+02 6.496E-Ol 4.981E-02 1.236E+02 1.988E+Ol
3 3.600E+02 2.277E-Ol 1.746E-02 9.226E+Ol -1.150E+OI
4 4.800E+02 1.566E-Ol 1.20IE-02 4.875E+OI -5.50IE+OI
5 6.000E+02 1.274E-Ol 9.767E-03 2.232E+OI -8.144E+Ol
6 7.200E+02 1.020E-OI 7.822E-03 8.358E+OO -9.540E+OI
7 8.400E+02 8.272E-02 6.J4JE-OJ 1.997E+OO -1.018E+02
8 9.600E+02 6.982E-02 5.354E-03 -1.061E+OO -1.048E+02
9 1.080E+03 6.01SE-02 4.612E-03 -3.436E+OO -1.072E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION S.636070E+OO PERCENT

lo que verifica el diseo.

Ejemplo 322
Un filtro de entrada Le, tal y como aparece en la figura 330, se utiliza para reducir las armni-
cas de corriente de entrada de un rectificador de onda completa monofsico de la figura 3-20a.
La corriente de carga est libre de componentes ondulatorias y su valor promedio es la. Si la fre-
cuencia de alimentacin es J:= 60 Hz (o 377 rad/s), determine la frecuencia de resonancia del fil-
tro, de tal forma que la corriente armnica total de entrada quede reducida al 1% de la
componente fundamental.
Solucin El circuito equivalente a la componente armnica de orden n aparece en la figura 3-36.
El valor rrns de la corriente armnica de orden n que aparece en la alimentacin se obtiene utili-
zando la regla de divisor de corriente

1,,, = I 1/(nwC,)
(nwL) - lI(nwC;)
I I I
1" = (nw)2LC - I 1"
I (3-100)

donde 1/1 es el valor rms de la corriente armnica de orden n. La cantidad total de corriente ar-
mnica en la lnea de alimentacin es
" 1/2
h= ( I~,,)
n=2.J ..

y el factor armnico de corriente de entrada (con el filtro instalado) es

r=-
111
t, = [ " (1)I
"=2.3....
..2!!.
1
2 ] 1/2
(3-101 )

L,

Xc'" -Le.
nw , e,
Figura 336 Circuito equivalente para corriente
armnica.

84 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


=
De la ecuacin (3-64),14 4Ia/..f21t el" = 4Ia/("2 n1t) para n = 3, 5, 7, ... De las ecuaciones
(3-100) y (3-101) obtenemos

,2 = n=3~7 ... (/;;'f = 11_3~.ln2[(nw)2LC; - IPI /1


(3-102)

Esto se puede resolver para el valor de LICj. Para simplificar los clculos, si consideramos nica-
= =
mente la tercera armnica, 3[(3 x 2 x 1t X 60)2 LICj - 1] 1/0.01 100, o bien, LICj 26.84 X =
10-6 Y la frecuencia del filtro es IN LjCj = 193.02 rad/s, o sea 30.72 Hz. Suponiendo que C sea
=
= 1500 !lF, obtenemos que Lj 17.893 mH.
Nota. El filtro de corriente alterna se sintoniza por lo general con la frecuencia armnica in-
volucrada, pero requiere de un diseo cuidadoso, para evitar cualquier posibilidad de resonancia con
el sistema de energa. La frecuencia de resonancia de la corriente de tercera armnica es 377 x 3 =
1131 rad/s.

3-14 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO Le

El circuito equivalente de un rectificador de onda completa con un filtro LC aparece en la figura


3-37a. Suponga que el valor de Ce es muy grande, de tal forma que su voltaje est libre de compo-
nentes ondulatorias con un valor medio de VO(ed). Le es la inductancia total, incluyendo la induc-
tancia de fuente o de lnea, y se coloca generalmente del lado de la entrada, para que acte como
una inductancia de corriente alterna ms que un filtro de corriente directa:
Si Vedes menor que V m, la corriente i empezar a fluir en el ngulo e, que est dado por
Ved = VIII sena
queda
a = sen' Ved = sen-Ix
V m

Vm
Vcd 1--:1----4-~I:..--1_-_+-

o rot

o a p a rot
(b) Circuito equivalente

Figura 3-37 Voltaje de salida con filtro Le.

Sec.3-14 Voltaje de salida con filtro Le 85


donde x = VcJV m. La corriente de salida h est dada por
di
Le dt = v'n sen wt - Ved

que se puede resolver en funcin de IL

h 1
= -L Jw' (Vm sen wt - Ved) d(wt)
e "

= -v, (COS ex - COS wt ) - - Ved ( wl - ex) para' wt 2: ex (3-103)


t; t;

El valor de rol = ~ en el cual la corriente h baja hasta cero se puede encontrar a partir de la condi-
cin it: (rol = ~).
cos (3 + x{3 = cos ex + xex (3-104)
La ecuacin (3-104) se puede resolver en funcin de ~ mediante iteracin. Una vez que se cono-
cen los valores de ex. y de ~, a partir de la ecuacin (3-103), se puede determinar la corriente pro-
medio de carga led. Para Ved = O,la corriente pico que puede tluir a travs del rectificador es Ipk =
V",/wLe. Normalizando led con respecto a Ipk obtenemos

Icd = wLe/ed
lpk v,
= 2.
27T"
r v,
wLe li. d(wt) (3-105)

TABLA 3-1 CORRIENTEDE CARGA NORMALIZADA

x Irms/lpk ex. p
(%) (%) (grados) (grados)
o 36.34 47.62 o 180
5 30.29 42.03 2.97 150.62
10 25.50 37.06 5.74 139.74
15 21.50 32.58 8.63 131.88
20 18.09 28.52 11.54 125.79
25 15.15 24.83 14.48 120.48
30 12.62 21.48 17.46 116.21
35 10.42 18.43 20.49 112.24
40 8.53 15.67 23.58 108.83
45 6.89 13.17 26.74 105.99
50 5.48 10.91 30.00 103.25
55 4.28 8.89 33.37 100.87
60 3.27 7.10 36.87 98.87
65 2.42 5.51 40.54 97.04
70 1.72 4.13 44.43 95.43
75 1.16 2.95 48.59 94.09
80 0.72 1.96 53.13 92.88
85 0.39 1.17 58.21 91.71
90 0.17 0.56 64.16 90.91
95 0.()4 0.16 71.81 90.56
100 O O 90.00 90.00

86 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


Normalizando Irms con respecto a lpk obtenemos
i.; _
- -
wLe1rms _- [2 -
Jil (wLe
--IL
. )2 d( wt )]112 (3-106)
Ipk v'n 27T a v,
Dado que exy ~ dependen de la relacin de voltaje x, las ecuaciones (3-105) y (3-106) tambin de-
penden nicamente de x. La tabla 3-1 muestra los valores de las relaciones lcJ/pk y de IrmJlpk en
funcin de la relacin de voltaje x.
Ejemplo 3-23 *
El voltaje nns de entrada al circuito de la figura 3-37a es 120 V, 60 Hz. (a) Si el voltaje de salida en
corriente directa es Ved= 100 Valed = 10 A, determine los valores de la inductancia Le, <X, ~, e
Irrns. (b) Si led = 5 A Y Le = 6.5 rnH, utilice la tabla 3-1 para determinar los valores de Ved,<X, ~, e
Irms'
Solucin (J)=21tx60=377rad/s, Vs= 120 V, Vm=.,[2x 120= 169.7V.
(a) La relacin de voltaje x = Ved/Vm esto es = 100/169.7 = 58.93%; ex. = sen-1 (x) = 36.1.
Resolviendo la ecuacin (3-104) en funcin de ~, obtenemos un valor de ~ = 99.35. La ecua-
cin (3-105) da la relacin de corriente leJ/pk = 3.464%. De ah Ipk leJO.03464 = 288.67 A. El =
valor requerido de inductancia es
V 169.7
Le = (wl:d = 377 X 288.67 = 1.56 mH
La ecuacin (3-106) da la relacin de corriente Irrns/lpk 7.466%. De ah Inns = 0.07466 X Ipk = =
=
0.07466 x 288.67 21.55 A.
(b) Le = 6.5 rnH,/pk = Vm/(J)Le)= 169.7/(377 x 6.5 rnH) = 69.25 A.
led 5
y = Ipk = 69.25 = 7.22%

Utilizando la interpolacin lineal, obtenemos


+ (XII + 1 - xn)(y - YII)
X = XII Yn+ 1 - Yn

= 40 (45 - 40)(7.22 - 8.53) = 43 99~


+ 6.89 - 8.53 . o

Ved = xVm = 0.4399 x 169.7 = 74.66 V


a = all + (an+1 - an)(y - Yn)

= 2358 (26.74 - 23.58)(7.22 - 8.53) = 26 10


. + 6.89 - 8.53 .

{3 = {3n + ({3n+ 1 - {3n)(Y - Yn)


Yn+1 - Yn

= 0883 005.99 - 108.83)(7.22 - 8.53) = 10656


1 . + 6.89 - 8.53 .

Z = [rms = ZII + (ZII+ 1 - Zn)(Y - y,}


lpk YII+1 - YII

= 1567 (13.17 - 15.67)(7.22 - 8.53) = 13 67~


. + 6.89 - 8.53 . o

Por 10tanto,/rms = 0.1367 x lpk = 0,1367 x 69.25 = 9.47 A.

Sec.3-14 Voltaje de salida con filtro Le 87


3-15 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y DE LA CARGA

En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los rectificadores,
se supuso que la fuente no tena ni inductancias ni resistencias. Pero en un transformador y en una
alimentacin real, stas estn siempre presentes por lo que los rendimientos de los rectificadores
se modifican ligeramente. El efecto de la inductancia de la fuente, que es ms significativa que la
de la resistencia, se puede explicar haciendo referencia a la figura 3-38.
El diodo con el voltaje ms positivo conducir. Consideremos el punto (l)t = 1t donde los vol-
tajes Vac y Vbc son iguales, tal y como se muestra en la figura 3-38. La corriente Icd sigue todava
fluyendo a travs del diodo DI. Debido a la inductancia LI, la corriente no puede bajar a cero de in-
mediato, y la transferencia de corriente no puede ser instantnea. La corriente idl se reduce, resul-
tando en un voltaje inducido a travs de L, de valor +VL1, y el voltaje de salida se convierte en VL =
Vea + VL. Al mismo tiempo, la corriente a travs de D3, iss aumenta desde cero, induciendo un vol-
taje igual a travs de L2, de valor -VL2, el voltaje de salida se convierte en VL = Vbc -VL2. El resultado
es que los voltajes de nodo de los diodos DI y D3 son iguales; y ambos diodos conducen durante
un cierto perodo, que se conoce como ngulo f..l de conmutacin (o de superposicin). Esta trans-
ferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacin. La reactancia correspon-
diente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacin.
L3
C
03 05
id5
i03

06 D7

(a) Diagrama de circuito

v
v"" - - - - - -

~r J
os

X
"
3
I id1

2"
3'
X
"t-;1
J
4..
3'
id3

lb) Formas de onda


I
I
I

A,
5..
3'
ios

2..
wt

Figura 3-38 Rectificador puente trifsico, con inductancias de fuente.

88 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


un cierto perodo, que se conoce como ngulo 11de conmutacin (o de superposicin). Esta trans-
ferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacin. La reactancia correspon-
diente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacin.
El efecto de esta superposicin es reducir el voltaje promedio de salida de los convertidores.
El voltaje a travs de L2 es
di
UL2 = L2 dt (3-107)

Suponiendo una elevacin lineal de corriente i desde O hasta Icd (o una constante di/di = t:.i./t:.I),
podemos escribir la ecuacin (3-107) como
UL2 t:.t = L2 t:.i (3-108)
esto se repite seis veces en el caso de un puente rectificador trifsico. Utilizando la ecuacin (3-108),
la reduccin promedio de voltaje debida a las inductanciasde conmutacin es

Vx == T1 2(ULI + UL2 + UU) t:.t == 2f(L1 + L2 + L3) /).1


.
(3-109)

Si todas las inductancias son iguales, y Le es = L, = L2 = L3, la ecuacin (3-109) se convierte en


V, = 6f L,./cd (3-110)
donde f es la frecuencia de alimentacin en hcrtz.

Ejemplo 3-24
Un puente rectificador trifsico es alimentado a partir de una fuente conectada en estrella de
208V 60Hz. La corriente promedio de carga es de 60 A Y tiene una componente ondulatoria des-
preciable. Calcule la reduccin porcentual del voltaje de salida debida a la conmutacin si la in-
ductancia de lnea por fase es 0.5 mH.
=
Solucin Le 0.5 mH, Vs 20SN3 = = = =
l20V, f 60 Hz, lcd 60 A Y Vm {2 X 120 169.7 V. = =
De la ecuacin (3-77), Ved = 1.654 X 169.7 = 280.7 V. La ecuacin (3-110) da la reduccin de vol-
taje de salida,
100
Vx = 6 X 60 x 0.5 X 10-3 X 60 = 10.8 V o, 10.8 x 280.7 = 3.85%

y el voltaje de salida efectivo es (280.7 - 10.8) = 266.9 V.

~Jemplo 3-25
Los diodos de un rectificador de onda completa monofsico de la figura 3-19a tienen un tiempo
de recuperacin inverso t., = 50 ms y el voltaje rms de entrada es Vs = 120 V. Determine el efec-
to del tiempo de recuperacin inversa sobre el vohjc promedio de salida si la frecuencia de la
alimentacin es (a) fs = 2 kHz, y (b) fs = 60 Hz.
Solucin El tiempo de recuperacin inversa debera afectar el voltaje de salida del rectifica-
dor. En el rectificador de onda completa de la figura 3-19a, el diodo DI no estar desactivado
en wt = n; ms bien, seguir conduciendo hasta que t = x/ro + t.; Como resultado del tiempo de
recuperacin inversa, el voltaje promedio de salida se reducir y la forma del voltaje de salida
aparece como se muestra en la figura 3-39.

Sec.3-14 Voltaje de salida con filtros Le 89


Figura 3-39 Efecto del tiempo de recuperacin inversa sobre el voltaje de salida.

Si el voltaje de entrada es v::; Vm scnox ::; ..J2Vs senox, la reduccin promedio de salida es

V rr = -2ToJI" Vm sen wt dt = -2VTm [


---cosw wt]I"O
(3-111)
v,
=-(1-coswtrr )
1T
Vm = V2 Vs = V2 X 120 = 169.7 V

Sin tiempo de recuperacin inversa, la ecuacin (3-62) da el voltaje promedio de salida Ved =
0.6366V m::; 108.03 V.
=
(a) Para t.; = 50 us y fs 2000 Hz, la reduccin del voltaje promedio de salida es

Vrr = Vm (l - cos 21TI,trr)


1T
= 0.061 Vm = 10.3 V or 9.51% of Vdc

(b) Para t.; = 50 J.lsy fs = 60 Hz, la reduccin del voltaje de salida de corriente directa es

Vrr = Vm (1 - cos 21Tfstrr) = 5.65 X 10-5 Vm


1T
= 9.6 X 10-3 V o 8.88 x 10-3% of Vdc

Nota. El efecto de 1" es significativo para una fuente de alta frecuencia, en el caso de una
fuente normal de 60 Hz, este efecto se puede considerar despreciable.

RESUMEN

En este captulo hemos visto las aplicaciones de los diodos semiconductores de potencia en accin
de marcha libre, recuperando energa a partir de cargas inductivas yen la conversin de seales de
corriente alterna a corriente directa, Existen tipos distintos de rectificadores, dependiendo de las
conexiones de los diodos y del transformador de entrada. Se definieron los parmetros de rendi-
miento de los rectificadores y se mostr que los rendimientos de los rectificadores varan segn
sus tipos. Los rectificadores generan armnicas en la carga y en la lnea de alimentacin, estas ar-
mnicas se pueden reducir mediante filtros. Los rcndirnietos de los rectificadores tambin son
influidos por las inductancias de fuente y de carga.

90 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


REFERENCIAS

1. J. Schaefer, Rectifier Circuits: Theory and Design. 3. M. H. Rashid, SPICE for Power Eleetronics and
Nueva York: John Wilcy & Sons, Inc., 1975. Electric Power. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice
2. R. W. Lee, Power Con verter Handbook: Theory, Hall, 1993.
Design, and Application. Pctcrborough, Ont.: Ca-
nadian General Electric, 1979.

PREGUNTAS DE REPASO

3-1. Cul es la constante de tiempo en un circuito 3-17. Qu es el factor de desfase?


RL? 3-1M. Qu es el factor de potencia de entrada?
3-2. Cul es la constante de tiempo en un circuito 3-19. Qu es el factor de armnicas?
RC? 3-20. Cul es la diferencia entre un rectificador de
3-3. Cul es la frecuencia de resonancia en un cir- media onda y uno de onda completa?
cuito LC? 3-21. Cul es el voltaje de salida en cd de un rectifi-
3-4. Qu es el factor de amortiguacin en un circui- cador monofsico de media onda?
toRLC? 3-22. Cul es el voltaje de salida en cd de un rectifi-
3-5. Cul es la diferencia entre frecuencia de reso- cador de onda completa monofsico?
nancia y frecuencia de amortiguacin de un cir- 3-23. Qu es la frecuencia fundamental del voltaje de
cuitoRLC? salida de un rectificador monofsico de onda
3-6. Qu es un diodo de marcha libre y cul es su completa?
uso? 3.24. Cules son las ventajas de un rectificador trif-
3-7. Qu es la energa atrapada en un inductor'! sico sobre uno monofsico?
3-8. Cmo se puede recuperar la energa atrapada, 3-25. Cu,les son las desventajas de un rectificador
mediante un diodo? multifase de media onda?
3-9. Qu es relacin de vueltas en un transforma- 3-26. Cules son las ventajas de un puente rectifica-
dor? dor trifsico sobre un rectificador en estrella de
seis fases?
3-10. Qu es un rectificador? Cul es la diferencia
3-27. Cules son los objetivos de los filtros en los
entre un rectificador y un convertidor?
circuitos de rectificacin?
3-11. Qu es la condicin de bloqueo de un diodo?
3-2M. Cules son las diferencias entre los filtros de ca
3-12. Cules son los parmetros de rendimiento de y los de cd?
un rectificador?
3-29. Cules son los efectos de las inductancias de la
3-13. Cul es el significado del factor de forma de un fuente sobre el voltaje de salida de un rectifica-
rectificador? dor?
3-14. Cul es el significado del factor de componente 3-30. ,Cules son los efectos de las inductancias de
ondulatoria de un rect ificador? carga sobre la salida de un rectificador
3-15. Qu es la eficiencia de la rectificacin? 3.31. Qu es la conmutacin de diodos?
3-16. Cul es el significado del factor de utilizacin 3.32. Qu es el ngulo de conmutacin de un rectifi-
del transformador? cador?

PROBLEMAS

3-1. En la figura P3-1 aparecen las formas de onda pccificaciones promedio, rms y pico de este ca-
de corriente de un capacitor. Determine las es- pacitor.

Problemas 91

.' "::";~"'r!:'''~",' _
i,A
500
1, = 100"S f = 250Hz
12= 300,,5
13- 500,,5
Or-----~--------~--------~~----~---12

-200
Figura P31

3-2. Las formas de onda de la corriente que fluye a Determine las especificaciones de corriente pro-
travs de un diodo aparecen en la figura P3-2. medio, rrns y pico del diodo.

i,A
300---- t, = =
100,,5,12 200"s,
=
13= 400,,5, l. 8001'5,Is - 1ms
f - 200Hz

0L_------I,------~t2------~13------~tL.------~----~~1----.
T. T

Figura 1'3-2

3-3. Un circuito de diodo se muestra en la figura P3- 35. Si el inductor del circuito de la figura 3-4 tiene
=
3 con R = 22 n y e 10 j.lF. Si el interruptor SI una corriente inicial de lo, determine la expre-
=
se cierra en t O,determine la expresin para el sin para el voltaje a travs del capacitor.
voltaje a travs del capacitor y la energa perdi- 36. Si el interruptor 51 de la figura P3-6 se cierra en
da en el circuito. =
I O, determine la expresin para (a) la corrien-
te que fluye a travs del interruptor (I) y (b) la
e R velocidad de elevacin de la corriente di/di. (e)
Dibuje esbozos de i(t) y de ditdt. (d) Cul es el
valor de di/di inicial? Para la figura P3-6 en-
cuentre slo aitdi inicial.
37. El circuito de segundo orden de la figura 3-6 tie-
Figura 1'3-3 =
ne un voltaje de fuente Vs 220V, una induc-
3-4. Un circuito de diodo aparece en la figura P3-4
=
tancia L 5 mH, una capacitancia e = 10 j.lF Y
con R = 10 n, L = 5 mH y Vs = 220 V. Si fluye
una resistencia R = 22 n. El voltaje inicial del
una corriente de carga de lOA a travs del di 0-
=
capacitor es Vo 50 V. Si el interruptor se cierra
do de marcha libre Dm y el interruptor SI se cie-
=
en t 0, determine (a) una expresin para el va-
lor de la corriente y (b) el tiempo de conduccin
rra en t = 0, determine la expresin de la
del diodo. (e) Dibuje un esbozo de i(t).
corriente i a travs del interruptor.
38. Para el circuito de recuperacin de energa de la
figura 3-12a, la inductancia rnagnetizante del
S, =
transformador es Lm 150 j.lH, NI =
10 Y N2 =

}- Om
A

L !10A
200. Las inductancias de fuga y las resistencias
del transformador son despreciables. El voltaje
=
de fuente es Vs 200 V Y en el circuito no exis-
te corriente inicial. Si durante un tiempo 11 =
Figura P34 100 us se cierra el interruptor SI y a continua-

92 Circuitos de diodos y rectificadores Cap,3


5, R
___.,

~.
+
+

o
v,
lO V. L

(a) (b) (e)

+l~~l
._ e T- VO
'~lvs
_

~----------------~~--~
R .. O.5Q

(d) (e)

Figura 1>3-6

cin se abre, (a) determine el voltaje inverso del el voltaje promedio-de salida del rectificador si
diodo DI, (b) calcule la corriente pico del pri- las inductancias de fuente son despreciables.
mario, (e) calcule la corriente pico del secunda- 3-14. Repita el problema 3-13 si la induetancia de
rio, (d) determine el tiempo durante el cual el fuente por fase (incluyendo la inductancia de fu-
diodo DI conduce y (e) determine la energa ga del transformador es) Le = 0.5 rnH.
proporcionada por la fuente. 3-15. El puente rectificador monofsico de la figura
3-9. Un puente rectificador monofsico tiene una 3-19a se necesita para alimentar un voltaje
carga puramente resistiva R = 10 n, el voltaje promedio de Ved = 400 V a una carga resistiva R
pico de alimentacin Vm = 170 V Y la frecuencia = Ion. Determine las especificaciones del vol-
de alimentacin f = 60 Hz. Determine el voltaje taje y de corriente de los diodos y del transfor-
promedio de salida del rectificador, si la induc- mador.
tancia de la fuente es despreciable. 3-16. Se requiere de un puente rectificador trifsico
3-10. Repita el problema 3-9 si la inductancia de la para alimentar un voltaje promedio de Ved = 750
fuente por fase (incluyendo la inductancia de fu- V en una corriente libre de componente undula-
ga del transformador) es Le = 0.5 mH. =
toria de led 9000 A. El primario y el secundario
3-11. Un rectificador de seis fases en estrella tiene del transformador estn conectados en estrella.
una carga puramente resistiva R = 10 n, un vol- Determine las especificaciones de voltaje y de
taje pico de alimentacin Vm = 170 V Y la fre- corriente para los diodos y el transformador.
cuencia de alimentacin f = 60 Hz. Determine 3-17. El rectificador monofsico de la figura 3-18a
el voltaje promedio de salida del rectificador, si tiene una carga RL. Si el voltaje pico de entrada
la inductancia de fuente es despreciable. es Vm = 170 V, la frecuencia de entrada f = 60
3-12. Repita el problema 3-11 si la inductancia de =
Hz, y la resistencia de carga R 15 n, determi-
fuente por fase (incluyendo la inductancia de fu- ne la inductancia de carga L para limitar la ar-
ga del transformador) es Le = 0.5 mH. mnica de corriente de carga a un 4% del valor
3-13. Un puente rectificador trifsico tiene una carga promedio led.
puramente resistiva R = lOO n y est alimenta- 3-18. El rectificador trifsico estrella de la figura 3-24a
do a partir de una fuente de 280- V 60-Hz. El tiene una carga RL. Si el voltaje pico en el secun-
primario y el secundario del transformador de dario por fase es Vm = 170 V a 60 Hz y la resisten-
entrada estn conectados en estrella. Determine =
cia de carga es R 15 n, determine la inductancia

Problemas 93
de carga L para limitar las armnicas de corriente Irmg (b) Si Icd = 15 A Y L. = 6.5 mH, utilice la ta-
de la carga a 2% del valor promedio ledo bla 3-1 para calcular los valores de Ved, a, e Inn s-
319. El voltaje de batera de la figura 3-17a es E =20 325. El rectificador monofsico de la figura 3-18a
V Y su capacidad es 200 W -h, La corriente de tiene una carga resistiva R, y un capacitor C est
=
carga promedio deber ser Icd 10 A. El voltaje conectado a travs de la carga. La corriente pro-
=
de entrada en el primario es Vp 120 V, 60 Hz medio de carga es led. Suponiendo que el tiempo
teniendo el transformador una relacin de vuel- de carga del capacitor es despreciable en com-
=
tas n 2: 1. Calcule (a) el ngulo de conduccin paracin con el de descarga, determine las ar-
a del diodo, (b) la resistencia limitadora de co- mnicas del voltaje rms de salida, Vea.
rriente R, (e) la especificacin de potencia PR de 3-26. El filtro LC que se muestra en la figura 3-29c es
R, (d) el tiempo de carga h en horas, (e) la efi- utilizado para reducir el contenido de compo-
ciencia 1'\ de rectificador y (f) el voltaje de pico nente ondulatoria del voltaje de salida en un rec-
inverso PIV del diodo. tificador estrella de seis fases. La resistencia de
320. El rectificador monofsico de onda completa de carga es R = 20 n, la inductancia de carga es L
la figura 3-21a tiene una L = 4.5 mH, R = 5 n y = 5 mH, Y la frecuencia de la fuente es 60 Hz.
E = 20 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a Determine los parmetros del filtro L. y C., de
60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga tal manera que el factor de componente ondula-
=
en rgimen permanente 11 a (ll( O, (2) la co- toria del voltaje de salida sea 5%.
rriente promedio del diodo Id, (3) la corriente 3-27. El puente rectificador trifsico de la figura 3-25a
rms del diodo Ir, Y (4) la corriente de salida rrns tiene una carga RL y es alimentado a partir de
Inn8 (b) Utilice PSpice para graficar la corriente una fuente conectada en estrella. (a) Use el m-
instantnea de salida L. Suponga los parmetros todo de las series de Fourier para obtener expre-
=
de diodo ts 2.22E-15, BV=1800V. siones para el voltaje de salida VL(t) Y de la
corriente de carga LU). (b) Si el voltaje pico de
321. El rectificador trifsico de onda completa de la
=
figura 3-25a tiene una carga L 2.5 mH, R = =
fase es Vm 170 V a 60 Hz y la resistencia de
=
5 n y E 20 V. El voltaje de entrada, lnea a
=
carga es R 200 n, determine la inductancia de
carga L para limitar la corriente de componente
lnea, es Vab = 208 V, 60 Hz. (a) Determine (1)
ondulatoria a 2% del valor promedio led.
la corriente de carga en rgimen permanente 11 a
(llt = 1C(3, (2) la corriente promedio de diodo h
3-28. El rectificador monofsico de media onda de la
(3) la corriente rms de diodo Ir Y (4) la corriente figura 3-16a tiene un diodo de marcha libre y
rms de salida Irrns (b) Utilice PSpice para grafi- una corriente promedio de carga, libre de com-
car la corriente instantnea de salida L. Suponga ponente ondulatoria, la. (a) Dibuje las formas de
los parmetros de diodo IS =
2. 22E-15, onda para las corrientes en DI, Dm, y el primario
BV=18ooV. del transformador, (b) exprese la corriente del
primario en series de Fourier y (e) determine el
322. Un puente rectificador monofsico est alimen-
factor de potencia de entrada PF y el factor ar-
tado desde una fuente de 120 V, 60 Hz. La resis-
mnico HF de la corriente de entrada del rectifi-
=
tencia de carga es R 200 n. (a) Disee un filtro cador. Suponga una relacin de vueltas del
C, de tal forma que el factor de componente on-
transformador igual a la unidad.
dulatoria del voltaje de salida sea menor del 5%.
3-29. El rectificador monofsico de onda completa de
(b) Con el valor del capacitor e de la parte (a),
la figura 3-18a tiene una corriente promedio de
calcule el voltaje promedio de la carga Vcd-
carga, libre de componente ondulatoria, la. (a)
323. Repita el problema 3-22 para un rectificador Dibuje las formas de onda de las corrientes en
monofsico de media onda. DI, D2 y el primario del transformador, (b) ex-
324. El voltaje rms de entrada al circuito de la figura prese la corriente del primario en series de Fou-
3-33a es 120 V, 60 Hz. (a) Si el voltaje de salida rier y (e) determine el factor de potencia de
=
de corriente directa es Ved 48 Valed =
25 A, entrada PF y el factor armnico HF de la co-
determine los valores de la induciancia Le, IX, ~ e rriente de entrada al rectificador. Suponga una

94 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3


relacin de vueltas del transformador igual a la transformador igual a la unidad. (a) Dibuje las
unidad. formas de onda para las corrientes en DI. D3. Ds
330. El rectificador multifase en estrella de la figura y la corriente de fase en el secundario del trans-
3-24a tiene tres pulsos proporcionando una co- formador. (b) exprese la corriente de fase en el
rriente promedio de carga, libre de componente secundario en series de Fourier y (e) determine
ondulatoria, la. El primario y el secundario del el factor de potencia de entrada PF y del factor
transformador estn conectados en estrella. Su- armnico HF de la corriente de entrada.
ponga Una relacin de vueltas del transformador 3-34. Repita el problema 3-33 si el primario del trans-
igual a la unidad. (a) Dibuje las formas de onda formador est conectado en delta y el secunda-
para las corrientes en DI, Di, D3 Y en el prima- rio en estrella.
rio del transformador; (b) exprese la corriente 3-35. Repita el problema 3-33 si tanto el primario co-
en el primario en series de Fourier y (e) determi- mo el secundario del transformador estn conec-
ne el factor de potencia de entrada PF y el factor tados en delta.
armnico HF de la corriente de entrada.
3-36. Un circuito de diodos se muestra en la figura
3-31. Repita el problema 3-30 si el primario del trans- P3-36, donde la corriente de carga est fluyendo
formador est conectado en delta y el secunda- a travs del diodo Dm. Si Se cierra el interruptor
rio en estrella. =
SI en t O; determine (a) expresiones para vc(t).
332. El rectificador multifase en estrella de la figura ic(t) e id(t); (b) el tiempo ti donde el diodo DI
3-24a tiene seis pulsos proporcionando una co- deja de Conducir; (e) el tiempo tq donde el volta-
rriente promedio de carga, libre de componente je a travs del capacitor se convierte en Cero y
ondulatoria, la. El primario del transformador (d) el tiempo requerido para que el capacitor se
est conectado en delta y el secundario en estre- recargue al voltaje de alimentacin Va.
lla. Suponga una relacin de vueltas del trans-
formador igual a la unidad. (a) Dibuje las
formas de onda para las corrientes en DI, D2, D3
Y el primario del transformador, (b) exprese la
corriente en el primario en series de Fourier (e)
determine el factor de potencia de entrada PF y
el factor armnico HF de la corriente de entrada.
333. El puente rectificador trifsico de la figura 3-25a
proporciona una corriente de carga, libre de
v, 1 1

componente ondulatoria, la. El primario y el se-


cundario del transformador estn conectados en
estrella. Suponga una relacin de vueltas del Figura P336.

Sec.3-2 Historv of Power Electronics 95


Los tiristores

4-' INTRODUCCION

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de dispositivos semiconductores de potencia. Los


tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

4-2 CARACTERISTICAS DE lOS TIRISTORES

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones
pn. Tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. La figura 4-1 muestra el smbolo del tiristor
y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones JI y h tie-
nen polarizacin directa o positiva. La unin Ji tienen polarizacin inversa, y slo fluir una pe-
quea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de
bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de fuga corriente de estado
inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande,
la unin ]z polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalan-
cha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones JI
y h ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres
uniones, que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo
est en estado de conduccin o activado. La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las
cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1 V. En el estado activo, la corriente del nodo est li-
mitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la figura 4-2a.

96
Figura 4-1 Snbolo del tiristor y
tres uniones pn.

La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche Iu a
fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario,
al reducirse el voltaje del nodo a ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, h,es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de
la compuerta. En la figura 4-2b aparece una caracterstica v-i comn de un tiristor.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay
control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin Ji no existe una
capa de agotamiento debida a movimientos libres de los portadores. Sin embargo, si se reduce la
corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH.
se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin Ji debida al nmero reducido de porta-
dores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden

Caida directa de voltaje


(en conduccin)
Corriente de
enganche Voltaje
Voltaje de ruptura
inverso Corriente de directa
de ruptura

/
Veo VAK

Corriente Corriente
de fuga de fuga
inversa directa

(a) Circuito (b) Caracteristicas v-i

Figura 4-2 Circuito tiristor y caractersticas v-i.

Sec.4-2 Caractersticas de los tiristores 97


h. Esto significa que h > IH. La co-
de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche,
rriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado
de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin h tiene polariza-
cin directa, pero las uniones JI y 13 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos co-
nectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente inversa, IR, fluir a travs del
dispositivo.
Un tiristor se puede activar aumentando el voltaje directo de VAK ms all de VBO, pero esta
forma de activarlo puede ser destructiva. En la prctica, el voltaje directo se mantiene por debajo
de VBO y el tiristor se activa mediante la aplicacin de un voltaje positivo entre la compuerta y el
ctodo. Esto se muestra en la figura 4-2b con lneas punteadas. Una vez activado el tiristor me-
diante una seal de compuerta y una vez que la corriente del nodo es mayor que la corriente de
mantenimiento, el dispositivo contina conduciendo, debido a una retroalimentacin positiva, aun
si se elimina la seal de compuerta. Un tiristor es un dispositivo de enganche.

4-3 MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES

La accin regenerativa o de enganche debida a la retroalimentacin directa se puede demostrar


mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos
transistores complementarios, un transistor pnp, QI, y otro npn, Q2, tal y como se muestra en la
figura 4-3a.
La corriente del colector le de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emi-
sor le y la corriente de fuga de la unin colector-base leso, como
le = ah + leso (4-1)
la ganancia de corriente de base comn se define como o == ldte. Para el transistor QI, la corrien-
te del emisor es la corriente del nodo l s, y la corriente del colector les se puede determinar a par-
tir de la ecuacin (4-1):
(4-2)

G
la

K
(a) Estructura bsica (b) Circuito equivalente

Figura 4-3 Modelo de tiristor de dos transistores.

98 Los tiristores Cap. 4


donde al es la ganancia de corriente y ICBOl es la corriente de fuga para Ql. En forma similar. pa-
ra el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es
(4-3)
donde a2 es la ganancia de corriente y ICB02 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al com-
binar l CJ e l C2. obtenemos
(4-4)
Pero para una corriente de compuerta igual a IG.1K = lA + IG resolviendo la ecuacin (4-4) en fun-
cin de lA obtenemos
l - a2fe + feBO I + ICB02
A - 1 - (a, + 0.2) (4-5)

La ganancia de corriente al vara con la corriente del emisor lA = le: y a2 vara con IK::: lA
+ IG. Una variacin tpica de la ganancia de corriente a con la corriente del emisor lE se muestra
en la figura 4-4. Si la corriente de compuerta IG se incrementa en forma repentina. digamos desde
Ohasta 1 mA, la corriente del nodo lA aumenta inmediatamente, lo que incrementar an ms a
al Y a2. a2 depender tanto de lA como de IG. El aumento en los valores de al Yde a2 incremen-
tara an ms a lA. Por lo tanto. existe un efecto regenerativo o de retroalimentacin positiva. Si
(al + (2) tiende a la unidad, el denominador de la ecuacin (4-5) se acerca a O;esto dar como re-
sultado un valor grande de la corriente del nodo ls, y el tiristor se activar con una pequea co-
rriente de compuerta.
Bajo condiciones transitorias, las capacitancias de las uniones pn, como aparecen en la figura
4-5, influirn en las caractersticas del tiristor. Si el tiristor est en un estado de bloqueo, un voltaje
de crecimiento rpido aplicado a travs del dispositivo causara un flujo alto de corriente a travs
de los capacitores de la unin. La corriente a travs del capacitar Cj2 se puede expresar como
. _ d(qj2) _ d ) _ V dC)1. C dV)1.
JI. - dt - dt (CJI.VJI. - JI. dt + j2 dt (4-6)

donde CJ'2 y Vj2 son la capacitancia y el voltaje de la unin Ju respectivamente. QJ'2 es la carga de
la unin. Si la velocidad de elevacin del voltaje dvldt es grande. entonces iJ'2 tambin ser grande

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

O+- -r --r --, ,-_le(mA)


10-4 10- ,

Figura 4-4 Variacin tpica de ganancia de corriente con la corriente del emisor.

Sec.4-3 Modelo de tiristor de dos transistores 99

.::"~:.~"")v."". _
A
Ir

G 'G

I~ Figura 4-5 Modelo transitorio de un


K tiristor de dos transistores.

dando esto como resultado corrientes de fuga incrementadas Icsov e Iceoi- De acuerdo con la
ecuacin (4-5), valores lo suficientemente altos de lcsoi y de Icsoz pueden causar que (al + (2)
tienda a la unidad dando como resultado una activacin indeseable del tiristor. Sin embargo, una
corriente grande a travs de los capacitores de unin tambin puede daar al dispositivo.

4-4 ACTIVACION DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.

Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habr un aumento en el nmero de pa-


res electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que al Y a2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (al + (2) puede tender a la unidad y el ti-
ristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general
se evita.

Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarn los pares
electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra al permi-
tir que sta llegue a los discos de silicio.

Alto voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura di-
recto VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo
de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt. Se puede notar de la ecuacin (4-6) que si la velocidad de elevacin del voltaje
nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para ac-
tivar el tiristor. Un valor allo de corriente de carga puede daar el tiristor; por lo que el dispositivo

100 Los tiristores Cap. 4


Figura 4-6 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

debe protegerse contra un dvldt alto. Los fabricantes especifican el dvldt mximo permisible de
los tiristores.

Corriente de compuerta. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una


corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las termi-
nales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el
voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la figura 4-6.
La figura 4-7 muestra la forma de onda de la corriente del nodo, inmediatamente despus
de la aplicacin de la seal de compuerta. Existe un retraso conocido como tiempo de activacin
ton entre la aplicacin de la seal de compuerta y la conduccin de un tiristor. ton se define como
el intervalo de tiempo entre el 10% de la corriente de compuerta de rgimen permanente (0.11G) Y
el 90% de la corriente activa del tiristor en rgimen permanente (0.9fT). ton es la suma del tiempo
de retraso td y el tiempo de elevacin t.. td se define como el intervalo de tiempo entre el 10% de
la corriente de compuerta (O.1IG) y el 10% de la corriente activa del tiristor (O.liT). tr es el tiempo
requerido para que la corriente del nodo se eleve del 10% del estado activo (O.lIT) al 90% de la
corriente en estado activo (0.9IT).Estos tiempos se ilustran en la figura 4-7.

iT
IT - - - - - - =-;...;::::~::...;-=-,---
O.91r - - - - - - - -

O.lIT - - --
O~-~+-----~--------------~
io
lo - - - - .... -,.--...,----

o.u

Figura 4-7 Caractersticasde activacin.

Sec.4-4 Activacin del tiristor 101


Se deben tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseo de un circuito de control de
compuerta:
1. La seal de compuerta debe eliminarse despus de activarse el tiristor. Una seal conti-
nua de compuerta aumentara la prdida de potencia en la unin de la compuerta.
2. Mientras el tiristor est con polarizacin inversa, no debe haber seal de compuerta; de
lo contrario, el tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada.
3. El ancho del pulso de la compuerta le debe ser mayor que el tiempo requerido para que
la corriente del nodo se eleve al valor de corriente de mantenimiento IH. En la prctica, el ancho
del pulso te por lo general se disea mayor que el tiempo de activacin Ion del tiristor.

Ejemplo 4-1
=
La capacitancia de una unin con polarizacin inversa h en un tiristor es Cj2 20pF Y se puede
suponer independiente del voltaje en estado desactivado. El valor limitante de la corriente de car-
ga para activar el tiristor es de 16 mA. Determine el valor crtico de dvldt.
Solucin Cj2 = 20pF e iJ'2 = 16 mA. Dado que d(Cj2)/dt = O, podemos encontrar el valor crtico
de dvldt a partir de la ecuacin (4-6):
dv i12 16 X 10-3
dt = Cn = 20 x 10 12 = 800 V/..s

45 PROTECCIONCONTRA di! dt

Un tiristor requiere de un tiempo mnimo para dispersar la conduccin de la corriente en forma


uniforme a travs de las uniones. Si la velocidad de elevacin de la corriente del nodo es muy al-
ta en comparacin con la velocidad de dispersin del proceso de activacin, aparecer un punto de
calentamiento, debido a una alta densidad de corriente, por lo que el dispositivo puede fallar, de-
bido a una temperatura excesiva.
Los dispositivos prcticos deben protegerse contra un di/dI alto. Como ejemplo, considere-
mos el circuito de la figura 4-8. Bajo una operacin de rgimen permanente, Dm conduce cuando
el tiristor TI est desactivado. Si TI se dispara cuando Dm an est conduciendo, dildt puede resul-
tar muy alto y solamente limitado por la inductancia dispersa del circuito.

T,
+

v.

Figura 48 Circuito pulsador con inductores lirnitantes de diidt.

102 Los tiristores Cap. 4


En la prctica, ddi se limita al aadir un inductor en serie Ls, tal y como aparece en la figu-
ra 4-8. El dildt directo es
di V,
(4-7)
dt L"
donde L; es la inductancia en serie, que incluye cualquier inductancia dispersa.

4-6 PROTECCIONCONTRA dv/dt

Si el interruptor SI de la figura 4-9a se cierra en 1 = O, se aplicar un escaln de voltaje a travs del


tiristor TI por lo que dvtdt puede ser lo suficientemente alto para activar el dispositivo. El dvldt se
puede limitar conectando el capacitor C; como aparece en la figura 4-9a. Cuando el tiristor TI se
active, la corriente de descarga del capacitor estar limitada por el resistor R; como aparece en la
figura 4-9b.
Con un circuito RC conocido como circuito de freno, el voltaje a travs del tiristor se eleva-
r en forma exponencial, como se muestra en la figura 4-9c, y el circuito dvldt puede encontrarse
aproximadamente a partir de
du O.632Vs O.632V,
(4-8)
dt = T u.e,
El valor de la constante de tiempo del freno l' = RsCs se puede determinar de la ecuacin (4-8)
a partir de un valor conocido dvldt, El valor de R, se encuentra a partir de la corriente de des-
carga/m.

R ., =~/TD (4-9)

A
+
o-- ....._--..~_..,
5, +
C,
O.632~.~ ~ =~
I
v. Cs
T, v, T, I
I
I
I
-
0----_---' OL-_~I~._T~ __
(a) (b) (e)

+
~ ~--~-~-,
S, +
0-0
5,
D. T,

T, v.
v, R

(d) (e)

Figura 4-9 Circuitos de proteccin dvtdt,

Sec.4-6 Proteccin contra dv/dt 103


Es posible utilizar ms de una resistencia para dv/dt y para la descarga, tal y como aparece en la
figura 4-9d. dv/dt queda limitado por R y por Cs. (R + R2) limita la corriente de descarga, de mo-
do que
V,
1m = R, + Rz (4-10)

La carga puede formar un circuito en serie con la red de freno, tal y como se muestra en la figura
.4-ge. De las ecuaciones (3-23) y (3-24), la relacin de amortiguacin 5 de una ecuacin de segun-
do orden es
o_~ _ Rs + R ~ C., (4-11)
_ Wo _ 2 Ls + L
donde L, es la inductancia dispersa, y L YR son la inductancia y la resistencia de la carga, respec-
tivamente.
A fin de limitar el excedente de voltaje pico aplicado a travs del tiristor, la relacin de
amortiguacin se utiliza en el rango de 0.5 a 1.0. Si la inductancia de la carga es alta, que por lo
general es el caso, R, puede ser alto y C, puede ser peque'lo,para reterer el valor deseado de la re-
lacin de amortiguacin. Un valor alto de R, reducir la corriente de descarga y un valor bajo de
C; reducir la prdida del circuito de freno. Los circuitos de la figura 4-9 debern ser totalmente
analizados a fin de determinar el valor requerido de la relacin de amortiguacin para limitar
dvldt a un valor deseado. Una vez conocida la relacin de amortiguacin, se pueden determinar R,
y Cs. Por lo general, se utiliza la misma red RC o de freno, tanto para la proteccin dvldt como pa-
ra suprimir el voltaje transitorio debido al tiempo de recuperacin inversa. En la seccin 15-4 se
analiza la supresin del voltaje transitorio.

Ejemplo 42
El voltaje de entrada de la figura 4-ge es Vs = 200 V con una resistencia de carga R = 5U. Las in-
ductancias de carga y dispersas son despreciablesy el tiristor es operado a una frecuencia de fs
= 2 kHz. Si el dvldt requerido es 100 V/).lsy la corrientede descarga debe limitarse a 100 A, de-
termine (a) los valores de Rs YCs, (b) la prdidaen el circuito de freno y (e) la especificacinde
potencia de la resistenciadel circuitode freno.
Solucin dvidt = 100 V/).ls,IrD = 100 A, R = 5U, L = L, = O,Y Vs = 200 V.
(a) A partir de la figura 4-ge, la corriente de carga del capacitor del circuito de freno se
puede expresarde la siguienteforma
Vs = (R,. + R)i + ~, J i dt + UJI = O)

Con la condicininicial vc(t = O)= O,la corrientede carga se encuentracomo


iCe) = -_._V, e=Ir (4-12)
R, +R
donde 't = (Rs + R)Cs. El voltaje directo a travs del tiristores
RV
ur(l) = V, - __ s_ e:" (4-13)
R.\ + R
= = = =
En t O,vr(O) v, - RV)(Rs + R) Yen t 't, vr('t) Vs - O.368RVs/(Rs + R):
du ur(r) - ur(O) 0.632RV, )

dI = T = C,(R, + R)2 (4-14)

104 Los tiristores Cap. 4


De la ecuacin 4-9, R, = Vs/ITD = 200/100 = 2U. La ecuacin 4-14 da
0.632 x 5 x 200 X 10-6 = O 129 F
C., = (2 + W x 100 . M

(b) La prdida del circuito de freno es


r, = 0.5Cs V;fs
(4-15)
= 0.5 x 0.129 x 10-6 x 2002 X 2000 = 5.2 W
(e) Suponiendo que toda la energa almacenada en es se disipa nicamente en Rs, la espe-
cificacin de potencia de la resistencia del circuito de freno es 5.2 W.

4-' DESACTIVACION DEL TIRISTOR

Un tiristor que est en estado activo se puede desactivar reduciendo la corriente directa a un ni-
vel por debajo de la corriente de mantenimiento 1". Existen varias tcnicas paradesactivar un ti-
ristor, y se analizan en el captulo 7. En todas las tcnicas de conmutacin, la corriente del nodo
se mantiene por debajo de la corriente de mantenimiento durante un tiempo lo suficientemente
largo, de tal manera que todos los portadores en exceso en las cuatro capas sean barridos o re-
combinados.
Debido a las dos uniones pn exteriores JI y Js. las caractersticas de desactivacin deberan
ser similares a las de un diodo, con la exhibicin de un tiempo de recuperacin inverso (" y una
corriente de recuperacin de pico inverso IRR./RR puede ser mucho mayor que la corriente de blo-
queo inversa normal, IR. En un circuito convertidor, conmutado por lnea, en el que el voltaje de
entrada es alterno, como se muestra en la figura 4-1Oa, aparece un voltaje inverso a travs del ti-
ristor inmediatamente despus de que la corriente directa pasa a travs de un valor cero. Este vol-
taje inverso acelerar el proceso de desactivacin, al barrer los portadores en exceso de las
uniones pn JI Y Js. Para calcular t e/ RR son aplicables las ecuaciones (2-6) y (2-7).
La unin pn interior Ji requerir de un tiempo conocido como tiempo de recombinacin (rc
para recombinar los portadores en exceso. Un voltaje inverso negativo reducira dicho tiempo de
recombinacin. (rc depende de la magnitud del voltaje inverso. Las caractersticas de desactiva-
cin se muestran en las figuras 4-1Oa y b para un circuito conmutado por lnea y para un circuito
de conmutacin forzada, respectivamente.
El tiempo de desactivacin (q es la suma del tiempo de recuperacin inverso t.; Y el tiem-
po de recombinacin (re' Al final de la desactivacin, se desarrolla una capa de agotamiento a
travs d la unin Jz. y el tiristor recupera su capacidad de soportar voltaje directo. En todas las
tcnicas de conmutacin del captulo 7, se aplica un voltaje inverso a travs del tiristor durante
el proceso de desactivacin.
El tiempo de desactivacin l q es el valor mnimo del intervalo de tiempo entre el instante en
que la corriente de activacin se ha reducido a cero y el instante en que el tiristor es capaz de so-
portar un voltaje directo sin activarse. tq depende del valor pico de la corriente de estado activo y
del voltaje instantneo de estado activo.
La carga recuperada inversa QRR es la cantidad de carga que debe recuperarse durante el
proceso de desactivacin. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de
la corriente de recuperacin inversa. El valor de QRR depende de la velocidad de reduccin de la

Sec.4-7 Desactivacin del tiristor 105

~".>",,
....
_-----------------------
v
T, on

I
O~~----~r---------r.172n~------~--
I"W
IT
I Corriente I
de fuga I
I

I:v:-::-I
v
1'-___JL----"....:.....-,.---.....y.7"'""-"-----.. wl
2!..1 2.
w w
I-tq-I
(a) Circuito tiristor conmutado por lnea

T20n
:. 1 I

O
iT
1m

+ Corriente
de fuga

I
v. I I
-vo - - -
-I~~II
,._tq __...

(b) Circuito tiristor de conmutacin forzada

Figura 4-10 Caractersticas de desactivacin.

corriente de estado activo y del valor pico de la corriente de estado activo, antes de la desactiva-
cin. QRR causa una correspondiente prdida de energa dentro del dispositivo .

\8 TIPOS DE TIRISTORES

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor, Para controlar el dildt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

106 Los tiristores Cap. 4


Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y de desactivacin, en
general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:

1. Tiristores de control de fase (SCR)


2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR)
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO)
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC)
S. Tiristores de conduccin inversa (RCT)
6. Tiristores de induccin esttica (SITH)
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

4-8.1 Tiristores de control de fase

Este tipo de tiristores por lo general opera a la frecuencia de lnea, y se desactiva por conmutacin
natural. El tiempo de desactivacin, tq, es del orden de 50 a 100j..ls.Esto es muy adecuado en espe-
cial para las aplicaciones de conmutaciones a baja velocidad. Tambin se les conoce como tiristo-
res convertidores. Dado que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado y fabricado de
silicio, tambin se conoce como un rectificador controlado de silicio (SCR).
El voltaje en estado activo, VT, por lo comn vara desde aproximadamente 1.15 V para 600
V, hasta 2.5 V para dispositivos de 4OO0-V;y para un tiristor de 5500-A 12OO-Ves tpicamente.
1.25 V. Los tiristores modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un ti-
ristor auxiliar TA mediante una seal de compuerta, y de all la salida amplificada de TA se aplica
como seal de compuerta al tiristor principal TM. Esto se muestra en la figura 4-11. La compuerta
amplificadora permite caractersticas altamente dinmicas con dvldt tpicas de 1000 V/j..lsy ditdt
de 500 A/j..ls,simplificando el diseo de los circuitos para reducir el inductor limitante dildt y los
circuitos de proteccin dv/dt.

4-8.2 Tiristores de conmutacin rpida

Estos se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada (por
ejemplo, pulsadores en el captulo 9 e inversores en el captulo 10). Tienen un tiempo corto de de-
sactivacin, por lo general de 5 a 50 us, dependiendo del rango de voltaje. La cada directa en es-
tado activo vara aproximadamente en funcin inversa del tiempo de desactivacin tq. Este tipo de
tiristor tambin se conoce como tiristor inversor.
Estos tiristores tienen un dvldt alto, tpicamente de 1000 V/j..lS,y un dildt de 1000 Nj..lS.La
desactivacin rpida y el di/di alto son muy importantes para reducir el tamao y el peso de los

R Anodo

Compuerta Figura 4-11 Tiristor de compuerta


Ctodo amplificadora.

Sec.4-8 Tipos de tiristores 107


componentes de conmutacin o reactivos del circuito 4. El voltaje en estado activo de un tiristor
de 2200 A 1800 V es por lo comn de 1.7 V. Los tiristores inversores con una muy limitada capa-
cidad de bloqueo inverso, tpicamente de 10 V, Y un tiempo de desactivacin muy corto, entre 3 y
5 1lS,se conocen comnmente como tiristores asimtricos (ASCR). En la figura 4-12 se muestran
tiristores de conmutacin rpida de varios tamaos.

4-8.3 Tiristores de desactivacin por compuerta

Un tiristor de desactivacin por compuerta (GTO), al igual que un SCR, puede activarse mediante
la aplicacin de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una
seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se puede construir con es-
pecificaciones de corriente y voltaje similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su
compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. Los GTO tie-
nen varias ventajas sobre los SCR: (1) la eliminacin de los componentes auxiliares en la conmu-
tacin forzada, que da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen; (2) la reduccin
del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la con-
mutacin; (3) una desactivacin ms rpida, que permite frecuencias de conmutacin ms altas; y
(4) una eficiencia mejorada de los convertidores.
En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transisto-
res bipolares: (1) una ms alta capacidad de voltaje de bloqueo; (2) una relacin alta de corriente
de pico controlable a corriente promedio; (3) una relacin alta de corriente de pulsacin pico a co-
rriente promedio, tpicamente de 10:1; (4) una ganancia alta en estado activo (corriente del nodo
dividida entre la corriente de la compuerta) tpicamente 600; y (5) una seal de compuerta pulsada
de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO pasa a una saturacin ms
profunda debido a la accin rcgcncrativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse de
saturacin.
Un GTO tiene una ganancia baja durante el desactivamiento, tpicamente de 6, y para desac-
tivarse requiere de un pulso de corriente negativa relativamente alto. Tiene un voltaje en estado
activo ms alto que el de los SeR. El voltaje en estado activo de un GTO tpico de 550 A 1200 V
es de 3-4 V. Un GTO de 160 A 200 V del tipo 160PFf aparece en la figura 4-13, las uniones de
este GTO se muestran en la figura 4.14.

Figura 4-12 Tiristores de conmuta-


cin rpida. (Cortesa de Powerex,
Inc.)

108 Los tiristores Cap. 4


Figura 4-13 Un GTO de 160 A 200 V.
(Cortesa de Intemational Rectifier.)

La corriente pico en estado activo controlable Irco es el valor pico de la corriente activa
que puede desconectarse por control de compuerta. El voltaje en estado desactivado se reaplica en
forma inmediata despus de la desactivacin y el dvldt reaplicado se limita nicamente a la capa-
citancia del circuito de frenado. Una vez desactivado un GTO, la corriente de carga lt, que es des-
viada y carga al capacitor de circuito de freno, determina el dvtdt reaplicado.
dv h
dI e
donde es es la capacitancia del circuito de frenado.
48.4 Tiristores de trio do bidireccional

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase


de corriente alterna (por ejemplo, controladores de voltaje de ca del captulo 6). Se puede conside-

Figura 414 Uniones del GTO de


160 A de la figura 4-13. (Cortesa de
Intemational Rectifier.)

Sec.4-8 Tipos de tiristores 109


rar como si fueran dos SCR conectados en antiparalclo, con una conexin de compuerta comn,
como se muestra en la figura 4-15a. Las caractersticas v-i aparecen en la figura 4-15c.
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales
como nodo y ctodo. Si la terminal MT2es positiva con respecto a la terminal MTl, el TRIAC se
puede activar aplicando una seal de compuerta positiva entre la compuerta G y la terminal MTl.
Si la terminal MT2es negativa con respecto a la terminal MT, se activar al aplicar una seal ne-
gativa a la compuerta, entre la compuerta G y la terminal MTl. No es necesario que estn presen-
tes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola
seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro,
el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante 1+ (voltaje y corriente de compuerta positivos) o
en el cuadrante m- (voltaje y corriente de compuerta negativos).

4-8.5 Tiristores de conduccin inversa

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR,


con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para me-
jorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de blo-
queo inverso del SCR a 1 o 2 V por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin
embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30 V debido al vol-
taje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

MT,

T,
MdC
MT2
(a) Equivalente del TRIAC
L T2
(b) Simbolo del TRIAC

Estado activo
Cuadrante 11
Cuadrante I (MT2 + ve)
IGdisparado

Estado desactivado

IGdisparado
Cuadrante IV
Cuadrante 111
(MT2-V.)

Estado activo -1

cl Caractersticas vi

Figura 4-15 Caractersticas de un TRIAC.

110 Los tiristores Cap. 4


Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito;
puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra
eri la figura 4-16. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de blo-
queo directo vara de 400 a 2000 V Yla especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje
de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40 V. Dado que para un dispositivo determinado est pre-
establecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del
diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

8 Figura 4-16 Tiristor de conduccin inversa.

4-8.6 Tiristores de induccin esttica

Las caractersticas de un SITH son similares a las de un MOSFET del captulo 8. Por lo general,
un SITH es activado al aplicrselo un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales,
y desactivado al aplicrselo un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de
portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo
as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y co-
rriente ms altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dvtdt y
di/di. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 IlS. La especificacin de voltaje puede al-
canzar hasta 2500 V Yla de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente
sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactu-
ra pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.

4-8.7 Rectificadores controlados de silicio activados por luz

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz.
Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo
la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LEO
y para cumplir con altas capacidades de dildt y dvldt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin
de cd de alto voltaje (HVOC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes re-
activos (VAR).Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso
y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto
como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede negar
tan alto como 4 kV a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW. El
di/di tpico es 250 A/ls y el dvtdt puede ser tan alto como 2000 V/)ls.

Sec.4-8 Tipos de tiristores 111


4-8.8 Tiristores controlados por FET

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en


la figura 4-17. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3 V,
se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de con-
mutacin, un ditdt alto y un dvldt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede de-
sactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico
debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de
control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

4-8.9 Tiristores controlados por MOS

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de
cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. En la figura 4-18a aparece un diagrama esque-
mtico de una celda MCT. El circuito equivalente se muestra en la figura 4-18b y el smbolo co-
rrespondiente en la 4-18c. La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN QI y
un transistor PNP Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de
canal p MI Yun MOSFET de canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las
seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un
voltaje negativo VeA. Un canal p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, ha-
ciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente SI del MOSFET MI del
canal p) a travs del canal p hacia la base p BI de QI (que es drenaje DI del MOSFET MI del ca-
nal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn QI. A
continuacin, el emisor n+ El de Q inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (yen el
colector n e) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n 82, de tal forma que se ac-
tive el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VeA de compuerta negativa activa al
MOSFET M del canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.
Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VeA.
Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente
electrones de la base n 82 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del
emisor n+ fuertemente contaminado de Q (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n~. Este flujo
de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-

Anodo

J R
Figura 4-17 Tiristor controlado por
Ctodo FET.

112 Los tiristores Cap. 4


Anodo

Compuerta

MOSFET de
canal p M,

Ctodo'

(al Diagrama esquemtico

Anodo

Anodo

com~)
Ctodo Ctodo

(bl Circuito equivalente (cl Smbolo

Figura 418 Diagrama esquemtico de circuito equivalente correspondiente a los MCf.

Sec.48 Tipos de tiristores 113


emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B l de QI (y el
colector p C2de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p BI hace que se desac-
tive el transistor NPN Q, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de
compuerta VCA desva la corriente que excita la base de QI, desactivando por lo tanto el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es me-
nor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su co-
rriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para
valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos
de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes
mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin,
la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsado-
res, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de
encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.
Un MCT tiene (1) una baja cada de voltaje directo durante la conduccin; (2) un tiempo de
activado rpido, tpicamente 0.4 IJ.s,y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25 IJ.s,para
un MCT de 300 A, 500 V; (3) bajas prdidas de conmutacin; (4) una baja capacidad de bloqueo
de voltaje inverso y (5) una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes
altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede
excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin conti-
nua a fin de evitar ambigedad de estado.

Ejemplo 4-3
Un tiristor conduce una corriente, tal y como se muestra en la figura 4-19, y el pulso de corriente
=
se repite con una frecuencia fs 50 Hz. Determine la corriente promedio en estado activo fr.
= =
Solucin I p ltt 1000A, T llfs = = = =
l/50 = 20 ms, y 11 12 5 us, La corriente promedio en
estado activo es
1
Ir = 20,000 [0.5 x 5 x 1000 + (20,000 - 2 x 5) x 1000 + 0.5 x 5 x 1000]

= 999.5 A
iT(A)
1000 - - - --_----11-------,..

5,",5
---------------20ms--------------~--.
Figura 4-19 Forma de onda de corriente del tiristor.

4-9 .OPERACION EN SERIE DE TIRISTORES

Para aplicaciones de alto voltaje, es posible conectar dos o ms tiristores en serie, a fin de propor-
cionar la especificacin de voltaje. Sin embargo, debido a la diversidad en la produccin, las ca-
ractersticas de los tiristoresdel mismo tipo no son idnticas. En la figura 4-20 se muestran las

114 Los tiristores Cap. 4


f r- Estado activo

fL _ T2 T,
-_-:..---'-_1-
- zzr Estado inactivo

o
l.

Figura 4-20 Caractersticas en esta-


do inactivo de dos tiristores,

caractersticas en estado no activo de dos tiristores. Para la misma corriente en estado inactivo, los
voltajes difieren.
En el caso de los diodos, slo se tienen que compartir los voltajes de bloqueo inverso, en
tanto que tratndose de los tiristores, se requieren redes de distribucin de voltaje, tanto para con-
diciones inversas, como para condiciones de inactividad. La distribucin del voltaje se lleva a ca-
bo, por lo comn, conectando resistencias a travs de cada tiristor, tal y como se muestra en la
figura 4-21. Para voltajes compartidos iguales, las corrientes de estado inactivo difieren, tal y co-
mo se muestra en la figura 4-22. Supongamos que en la cadena existen ns tiristores. La corriente
en estado inactivo del tiristor T es 1D Ylas de los dems tiristores son iguales, de tal forma que
ID2 = ID3 = IDII e ID] < ID2. Dado que el tiristor T en estado inactivo tiene la corriente ms baja, TI
compartir un mayor voltaje.
Si I es la corriente de la resistencia R a travs de T y las corrientes de las dems resisten-
cias son iguales, de tal manera que lz = 13 = 1", la reparticin de corriente en estado inactivo es
!1ID = IDI - ID2 = Ir - [z - Ir + I1 = I1 - [z o [z = 11 - !11D
El voltaje a travs de T es VD] = RI. Utilizando las leyes de voltaje de Kirchhoff obtenemos
Vs = VD! + (n, - 1)[zR = VD! + t, - 1)(I1 - !1ID)R
= V DI + tn, - 1)1R - tn, - l)R !1ID (4-16)

== ns V DI - tn, - l)R !11D


Resolviendo la ecuacin (4-16) en funcin del voltaje VD] a travs de T obtenemos
Vs + (ns - l)R !1lD
VD =~--~~--~--~
ns
(4-17)

u
r, R, C, R, c~ R,
IT

Ir lo,
v"
T, 102 T2
./'
-/
r,
-vo,~ -V02~
+
+
R R R
Figura 4-21 Tres tiristores conectados en serie.

Sec.4-9 Operacin en serie de tiristores 115


Estado inactivo
Figura 4-22 Corrientes de fuga di-
recta en el caso de una distribucin
o igual del voltaje.

VDI resultar mximo cuando ID sea mximo. Para IDI = Oy MD = 1D2, la ecuacin (4-17) propor-
ciona el voltaje en rgimen permanente'en el peor de los casos a travs de TI,
- V, + (n, - l)RID2
VDS(rnax) - (4-18)
n,
Durante la desactivacin, las diferencias en la carga almacenada causan diferencias en la
distribucin del voltaje inverso, tal y como aparece en la figura 4-23. El tiristor con menos carga
recuperada (o con menos tiempo de recuperacin inversa) se enfrentar al voltaje transitorio ms
alto. Las capacitancias de unin, que controlan las distribuciones de voltaje transitorias, no sern
adecuadas y, por lo general, ser necesario conectar un capacitor el a travs de cada tiristor, tal y
como aparece en la figura 4-21. R limita la corriente de descarga. Por lo general, se utiliza la mis-
ma red Re. tanto para la comparticin de voltaje transitorio, como para la proteccin de dvldt.
El voltaje transitorio a travs de T se puede determinar a partir de la ecuacin (4-17) apli-
cando la relacin de la diferencia de voltajes

~V = R MD :: Q2 - QI ~Q (4-19)
el =~

iT
IT
VOl + V02 = V.

VOl

o
1
1
1 1
1
-v. - - - +- -+ - -1- t-
V02 1 1 I
o

Figura 4-23 Tiempo de recuperacin


inversa y distribucin de voltaje.

116 Los tiristores Cap. 4


donde Q es la carga almacenada de TI, YQ2 es la carga de los dems tiristores, de tal forma que
Q2 = Q3 = Qn y QI < Q2. Sustituyendo la ecuacin (4-19) en la ecuacin (4-17) obtenemos

VDI = .L [V s + (n, - e1) dQ] (4-20)


ns 1

La comparticin de voltaje transitorio, en el peor caso ocurrir cuando Q = O y ~Q = Q2 es


1 [ (n, - l)Q2]
VDT(mx) = -
n,
V, + e1 (4-21)

Un factor de reduccin de especificacin, que se utiliza normalmente para aumentar la confiabili-


dad de la cadena, se define como
DRF = 1_ V, (4-22)
n, VOS (max)

Ejemplo 4-4
En una cadena se utilizan diez tiristores para soportar un voltaje de cd Vs = 15 kV. La corriente
de fuga mxima y las diferencias de carga de recuperacin de los tiristores son 10 mA y 150 JlC,
respectivamente. Cada tiristor tiene una resistencia de distribucin de voltaje R 56 k.Q y una =
capacitancia el = 0.5 JlF. Determine (a) la distribucin de voltaje mxima en rgimen permanen-
te VOS(max), (b) el factor de reduccin de especificacin de voltaje en rgimen permanente, Ce) la
comparticin de voltaje transitorio mximo VOT(max) y (d) el factor de reduccin de especifica-
cin de voltaje transitorio.
= = = =
Solucin ns 10, Vs 15 k V, Mo 102 10 mA, y Q Q2 50 JlC. = =
Ca)De la ecuacin (4-18), la distribucin de voltaje mximo de rgimen permanente es
15,000 + (lO - 1) x 56 x JO) x 10 X 10-3
VDS(mx) = 10 = 2004 V

(e) De la ecuacin (4-22), el factor de reduccin de especificacin en rgimen permanente es


15,000
DRF = 1 - 10 x 2004 = 25.15%

(c) De la ecuacin (4-21), la comparticin mxima del voltaje transitorio es


_ 15,000 + (lO - 1) x 150 x 10-6/(0.5 x 10-6) _ 1770 V
VDT(mx) - 10'-

(d) De la ecuacin (4-22) el factor de reduccin de especificacin transitorio es


15,000
DRF = 1 - 10 x 1770 = 15.25%

4-10 OPERACION EN PARALELO DE TIRISTORES

Cuando los tiristores se conectan en paralelo, la corriente de la carga no se comparte en forma


igual, debido a diferencias en sus caractersticas. Si un tiristor conduce ms corriente que los
dems, aumenta su disipacin de potencia, incrementando por lo tanto la temperatura de la
unin y reduciendo su resistencia interna. Esto, a su vez, aumentar la distribucin de corriente
y puede daar al tiristor. Esta fuga trmica puede evitarse si se instala un disipador de calor co-

Sec.4-10 Operacin en paralelo de tiristores 117


mn, tal y como se analiza en el captulo 15, de forma que todas las unidades operen a la misma
temperatura.
Una pequea resistencia, como se muestra en la figura 4-24, puede conectarse en serie con
cada tiristor, para forzar una distribucin igual de corriente, pero existir una prdida considerable
de potencia en las resistencias en serie. Una solucin comn para la reparticin de corriente en los
tiristores es la utilizacin de inductores acoplados magnticamente, como se muestra en la figura
4-24b. Si aumenta la corriente a travs del tiristor TI, se inducir un voltaje de polaridad opuesta
en los embobinados del tiristor T2 y se reducir la impedancia a travs de la trayectoria de T2, in-
crementando por lo tanto el flujo de corriente a travs de T2.

R, 1,

(a) Distribucin esttica de corriente (b) Distribucin dinmica de corriente

Figura 4-24 Distribucin de corriente en los tiristores.

4-11 CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTOR

En los convertidores de tiristor, aparecen diferentes potenciales en las distintas terminales. El cir-
cuito de potencia est sujeto a un alto voltaje, por lo general mayor de 100 Y, Y el circuito de
compuerta se mantiene a un bajo voltaje, tpicamente de 12 a 30 Y. Se requiere de un circuito ais-
lante entre el tiristor individual y su circuito generador de impulso de compuerta. El aislamiento
se puede llevar a cabo ya:sea mediante transformadores de pulso, o mediante acopladores pticos.
Un acoplador ptico podra ser un fototransistor o un foto SCR, tal y como se muestra en la figura
4-25. Un pequeo pulso a la entrada de un diodo de emisor de luz infrarroja (lLED), DI, activa el
foto SCR TI, Y dispara el tiristor de potencia h. Este tipo de aislamiento requiere de una fuente
de alimentacin de energa por separado Vcc, y aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.
En la figura 4-26a aparece un sencillo arreglo de aislamiento con transformadores de pulso.
Cuando se aplica un pulso de voltaje adecuado en la base del transistor conmutador Q, el transis-
tor se satura y el voltaje de cd Vcc aparece a travs del primario del transformador, produciendo un

R, r-- -,, Ir
I

} D,

,Jr- G
k R
L R
Foto SeR

Figura 4-25 Aislador acoplado por foto SeR.

118 Los tiristores Cap. 4


G
G

"IIE II~N ~ 2
Voltajede
compuerta

K OCJ- t
R R K -

R,

(a) Pulso corto (b) Pulso largo

R,

} e,

(e) Gp-,eradorde tren de pulsos (d) Tren de pulsos con mecanismo de tiempo y lgica ANO

Figura 4-26 Aislamiento por transformador de pulso.

voltaje pulsado sobre el secundario del transformador, el cual es aplicado entre la compuerta del
tiristor y su ctodo. Cuando se elimina el pulso de la base del transistor Q, el transistor se desac-
tiva apareciendo un voltaje de polaridad opuesta inducido en el primario del transformador por lo
que el diodo de marcha libre Dm conduce. La corriente debida a la energa magntica del transfor-
mador se reduce desde Dm hasta cero. Durante esta reduccin transitoria, un voltaje inverso co-
rrespondiente se induce en el secundario. El ancho del pulso se puede hacer ms largo,
conectando un capacitor C a travs de la resistencia R, tal y como se muestra en la figura 4-26b.
El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se saturar, limitando
por lo tanto el ancho del pulso. Este tipo de aislamiento es adecuado para pulsos tpicamente de
50 us a 100 J..lS.
En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el perodo de conduccin de un
tiristor depende del factor de potencia de la carga; por lo tanto, el inicio de la conduccin del tiris-
tor no queda bien definido. En esta situacin, a menudo resulta necesario disparar los tiristores en
forma continua. Sin embargo, una conmutacin continua aumenta las prdidas del tirstor, Se pue-
de obtener un tren de pulsos, cosa que resulta preferible. mediante un embobinado auxiliar, tal y
como se muestra en la figura 4-26c. Cuando se activa el transistor Q, tambin se induce un volta-
je en el embobinado auxiliar N3 en la base del transistor Q, de tal forma que el diodo DI queda
con polarizacin inversa y Q se desactiva. Entretanto, el capacitor C se carga a travs de R y
vuelve a activar a Q. Este proceso de activacin y desactivacin continuar siempre que exista
una seal de entrada VI al circuito aislador. En vez de utilizar el embobinado auxiliar como oscila-

Sec.4-" Circuitos de disparo de tiristor 119


dor de bloqueo, se podra generar un tren de pulsos mediante una compuerta lgica AND con un
oscilador (o un mecanismo de tiempo), tal y como se muestra en la figura 4-26d. En la prctica, la
compuerta AND no puede excitar directamente al transistor QI, y normalmente se conecta una
etapa intermedia antes del transistor.
La salida de los circuitos de compuerta de las figuras 4-25 o 4-26 normalmente se conecta
entre compuerta y ctodo, junto con otros componentes de proteccin de compuerta, tal y como
aparece en la figura 4-27. La resistencia Rg de la figura 4-27a aumenta la capacidad dvldt del tiris-
tor, reduce el tiempo de desactivacin y aumenta las corrientes de mantenimiento y de enganche.
El capacitor eg de la figura 4-27b elimina los componentes de ruido de alta frecuencia, aumenta la
capacidad dvldt y el tiempo de retraso de la compuerta. El diodo Dg de la figura 4-27c protege la
compuerta de un voltaje negativo. Sin embargo, para SCR asimtricos, es deseable tener cierta
cantidad de voltaje negativo de compuerta, para mejorar la capacidad dvidt y tambin para reducir
el tiempo de desactivacin. Todas estas caractersticas se pueden combinar, tal y como se muestra
en la figura 4-27d, en la que el diodo DI permite slo pulsos positivos, RI amortigua cualquier os-
cilacin transitoria y limita la corriente de compuerta.

Ij" Ij"
IT
'7 T, G T, G G R,
G
O,
Rg
o/9
9 9
K
K K K

(a) (b) (e) 'Id)

Figura 4-27 Circuitos de proteccin de compuerta.

4-12 TRANSISTOR MONOUNION

El transistor monounin (UJT) se utiliza comnmente para generar seales de disparo en los SCR.
En la figura 4-28a aparece un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, cono-
cidas como emisor E, base uno 81 y base dos 82. Entre 81 y 82 la monounin tiene las caracters-
ticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de
4.7 a 9.1 kQ). Las caractersticas estticas de un UJT se muestran en la figura 4-28b.
Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs la re-
sistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del
circuito de carga es 'tI = RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capaci-
tor Ve, llega al voltaje pico, Vp, se activa el UJT y el capacitor e se descarga a travs de RBI a una
velocidad determinada por la constante de tiempo 't2 = ROle. 't2 es mucho menor que 'tI. Cuando
el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el
UJT y se repite el ciclo de carga. Las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo apa-
recen en la figura 4-28c.
La forma de onda del voltaje de disparo VBI es idntica a la corriente de descarga del capa-
citor el. El voltaje de disparo Vm debe disearse lo suficientemente grande como para activar al

120 Los tiristores Cap. 4


VE
Vs '1 = RC
Vp

R RB2

lE E Vv
82 +
O T 2T
VBB
+ VB1
B,
C VE + Vp -----_---
RB' VB'

o T 2T
(a) Circuito (c) Formas de onda

.__!- Regin
de corte
Regin de
resistencia ---
negativa
Regin de
saturacin -
Punto de pico

-1 -lEO ()lA)
Ip lv 50 mA

(b) Caractersticas estticas

Figura 4-28 Circuito de disparo UIT.

seR. El perodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y es-


t dado por
1 1 (4-23)
T=-=RCln--
f 1 - r

Sec.4-12 Transistor monounin 121


donde el parmetro 11se conoce como la relacin intrnseca de equilibrio. El valor de 11est entre
0.51 y 0.82.
La resistencia R est limitada a un valor entre 3 kn y 3 Mn. El lmite superior de R est de-
terminado por el requisito de que la recta de carga formada por R, y v, intersecte a las caractersti-
cas del dispositivo a la derecha del punto de pico, pero a la izquierda del punto de valle. Si la recta
de carga no cae a la derecha del punto de pico, el UGT no se activa. Esta condicin se satisface si
Vs-1 pR > v; Esto es,
v, - Vp
(4-24)
R < 1
p

En el punto de valle le = Iv y VE = Vv de tal forma que la condicin del lmite inferior de R para
asegurar la desactivacin es Vs -Iv R < Vv. Esto es,

R > V, ~ Vv (4-25)

El rango recomendado de voltaje de alimentacin Vs es de 10 a 35 V. Para valores fijos de TI,el


voltaje pico Vp vara con el voltaje entre las dos bases, VRO. Vp est dado por
Vp == TlVBB + VD(= 0.5 V) = TlVs + VD(= 0.5 V) (4-26)

donde VD es la cada de voltaje directa de un diodo. El ancho tg del pulso de disparo es


tg = RBlC (4-27)

En general, RBl est limitado a un valor por debajo de 100 n, aunque en algunas aplicacio-
nes es posible tener valores de 2 a 3 kn. Por lo general, una resistencia RB2 se conecta en serie
con la base dos, para compensar la reduccin de Vp debida al aumento de la temperatura, y para
proteger al UJT de un posible desbocamiento trmico. La resistencia RB2 tiene un valor de 100 n
o mayor, y se puede determinar en forma aproximada a partir de
104 (4-28)
RB2 =-
TI Vs

Ejemplo 4-5
Disee el circuito de disparo de la figura 4-28a. Los parmetros del UJT son Vs 30 V, 11 0.51,= =
= = =
Ip 10 IlA, V, 3.5 V e l ; 10 mA. La frecuencia de oscilacin es ! 60 Hz, y el ancho del=
=
pulso de disparo tg 50 ms.
Solucin T = 1/! = 1/60 Hz = 16.67 ms. De la ecuacin (4-26), Vp = 0.51 x 30 + 0.5 15.8 V. =
=
Si suponemos que e 0.5 ..tF. De las Ecuaciones (4-24) y (4-25), los valores lmitantes de R son

R < 301~:~.8 = 1.42Mil

30 - 3.5
R > 10 mA = 2.65 kil

De la ecuacin (4-23), 16.67 ms = R x 0.5 fJ.Fx In[l/(l - 0.51 )], lo que da un valor de R =
46.7 kO, que cae dentro de los valores limitantes. El voltaje de compuerta pico V8l Vp 15.8 V. = =

122 Los tiristores Cap. 4


De la ecuacin (4-27),
RBI = !..s. = 50 .;_S = 100 n
e 0.5 .;_F
y de la ecuacin (4-28),
1Q4
RB2 = 0.51 x 30 = 654 n

4-13 TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la figura 4-29a.
Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la figura
4-29b. El voltaje de compuerta Va se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo
de voltaje R y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp En el caso del UJT, Vp est fijo para
un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd. Pero el Vp de un PUT puede variar al modifi-
car el valor del divisor resistivo R y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de
compuerta Va, el dispositivo se conservar en su estado inactivo. Si VA excede el voltaje de com-
puerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se acti-
var. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle 1" dependen de la impedancia
equivalente en la compuerta Ra = RR2f(R + R2) y del voltaje de alimentacin de cd Vs En gene-
ral, R" est limitado a un valor por debajo de 100 n.
Vp est dado por

v, = RI + R2 V, (4-29)

que da la relacin intrnseca como

(4-30)

",Vs

R R,
Anodo

Anodo Compuerta

+ PUT
...

VA e + R2 VG

(a) Smbolo (b) Circuito

Figura 4-29 Circuito de disparo para un PUTo

Sec.4-13 Transistor monounin programable 123


R Y e controlan la frecuencia, junto con R y R2. El perodo de oscilacin T est dado en forma
aproximada por

T = -1 = RC In V". = RC In 1 (Rz)+ - (4-31)


f V, - v, R
La corriente de compuerta le en el valle est dada por
V,
le = (1 - 7)) R~ (4-32)

donde Re = RR2f(R + R2). R YR2 se pueden determinar a partir de


R = Re (4-33)
7)

- Re (4-34)
R 2---
1-7)

~jemplo 46
Disee el circuito de disparo de la figura 4-29b. Los parmetros del PUT son Vs::: 30 Vele::: 1
mA. La frecuencia de oscilacin es !::: 60 Hz. El ancho del pulso es tg ::: 50 ms y el voltaje de
pico de disparo es VRk::: 10 V.
Solucin T::: 1/! ::: 1/60 Hz ::: 16.67 ms. El voltaje pico de disparo VRk::: Vp::: 10 V. Sea C :::
0.5 .tF. De la ecuacin (4-27), Rk ::: tg/C ::: 50 .ts/0.5 .tF ::: 100 Q. De la ecuacin (4-30), TI =
VpNs = 10/30 ::: 113.De la ecuacin (4-31), 16.67 ms = R x 0.5 .tFx In[30/(30 - 10)]10 que da R
= =
= 82.2 kQ. Para le 1 mA, la ecuacin (4-32) da un valor Re (1 - ',,) x 30/1 mA 20 kQ. De =
la ecuacin (4-33),
Re 3
R = -
1)
= 20 k x -
1
= 60 k
De la ecuacin (4-34),

R2 =
R
_G_ = 20 k x - = 30 kD
3
1-1) 2

414 MODELO SPICE DE ilRISTOR

Supongamos que el tiristor, tal y como se muestra en la figura 430a, es operado a partir de una
fuente de alimentacin de corriente alterna. Este tiristor deber tener las siguientes caractersticas.

1. Deber conmutarse al estado activo, con la aplicacin de un pequeo voltaje positivo en la


compuerta, siempre y cuando el voltaje nodo a ctodo sea positivo.
2. Deber mantenerse en estado activo, en tanto fluya corriente en el nodo.
3. Deber conmutarse al estado inactivo cuando la corriente del nodo pase por cero en la di~
reccin negativa.

La accin de conmutacin del tiristor se puede representar en un modelo mediante un inte-


rruptor controlado por voltaje y una fuente de corriente polinomial [14]. Esto aparece en la figura

124 Los tiristores Cap. 4


la Anodo
.. O
'1 A

Compuerta '9

G
3
V
SI 50V
+ y
R

2 Anodo
Or
OV
A

G
Rr er
Compuerta
K
------0
Ctodo

(a) Circuito de tiristor (b) Modelo de tlnstor

Figura 4-30 Modelo SPICE de tiristor.

4-30b. El proceso de activacin se explica en los pasos siguientes:


1. Para un voltaje de compuerta positivo Vg entre los nodos 3 y 2, la corriente de compuerta es
Ig = I(VX) = Vg/Rc.
2. La corriente de compuerta Ig activa la fuente de corriente FI produciendo una corriente de
valor Fg = PIIg = PI/(VX), de tal forma que FI = Fg + Fa.
3. La fuente de corriente Fg produce un voltaje de rpido crecimiento VR a travs de la resis-
tencia Rr.
4. Conforme VR se incrementa sobre cero, la resistencia Rs del interruptor controlado por vol-
taje SI se reduce desde ROFF hasta RON.
5. Conforme la resistencia Rs del interruptor SI se reduce, la corriente del nodo la = I(VY) au-
menta, siempre que el voltaje nodo a ctodo sea positivo. Esta corriente creciente del no-
do la produce una corriente Fa = P2/a = P2/(VY). Esto da como resultado un valor
incrementado de voltaje VR.
6. Esto produce una condicin regenerativa, que lleva rpidamente al interruptor a una baja re-
sistencia (estado activo). El interruptor se mantiene activo aun cuando el voltaje de la com-
puerta Vg se elimine.
7. La corriente del nodo la contina fluyendo, siempre que sea positiva y que el interruptor se
mantenga en estado activo.

Durante la desactivacin, la corriente de compuerta es nula e l g O. Esto es, Fg 0, F = = =


Fg + Fa = Fa. La operacin de desactivacin se puede explicar mediante los pasos siguientes:

1. Conforme se hace negativa la corriente del nodo la, se invierte la corriente F, siempre que

Sec.4-14 Modelo Spice de tiristor 125


ya no est presente el voltaje de la compuerta Vg
2. Con un F negativo, el capacitar CT se descarga a travs de la fuente de corriente F y de la
resistencia RT.
3. Con la cada de voltaje VR a un bajo nivel, la resistencia Rs del interruptor S se incrementa
desde un valor bajo (RON) hasta uno alto (ROFF).
4. Esta es, otra vez, una condicin regenerativa, con la resistencia del interruptor excitada rpi-
damente a un valor ROFF, conforme el voltaje VR tienda a cero.

Este modelo funciona bien en un circuito convertidor, en el cual la corriente del tiristor cae
a cero por s misma, debido a las caractersticas naturales de la corriente. Pero para un convertidor
de onda completa ca-ed con una corriente de carga continua analizada en el captulo 5, la corrien-
te del tiristor se desva a otro tiristor y este modelo puede no dar la salida real. Este problema se
puede remediar aadiendo el diodo DT, tal y como aparece en la figura 4-30b. El diodo impide
cualquier flujo de corriente inverso a travs del tiristor, debido al disparo de otro tiristor dentro del
circuito.
Este modelo de tiristor se puede utilizar como un subcircuito. El interruptor SI es controlado
por el voltaje de control VR conectado entre los nodos 6 y 2. El interruptor y/o los parmetros del
diodo pueden ajustarse para obtener la cada deseada activa del tiristar. Utilizaremos los parme-
tros de diodo IS=2.2E-15, BV=1800V, TT=O, y los parmetros de interruptor RON=O.0125,
ROFF=lOE+5, VON=O.5 V, VOFF=OV. La definicin del subcircuito para el modelo de tiristor
SCR se puede describir como sigue:

* Subcircuit for ac thyristor model


.SUBCKT SCR 1 2 3 2
* model anode cathode +control -control
* name voltage voltaje
SI 1 5 6 2 smod ; Voltage-controlled switch
RG 3 4 50
VX 4 2 DC OV
VY 5 7 DC ov
DT 7 2 DMOD Switch diode
RT 6 2 1
CT 6 2 10UF
Fl 2 6 POLY (2) VX VY O 50 11
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.0125 ROFF=10E+5 VON=0.5v VOFF=OV) ; Switch model
.MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1800V TT=O) Diode model parameters
.ENDS SCR ; Ends subcircuit definition

RESUMEN

Existen nueve tipos de tristores. Slo los GTO, SITH y MCT son dispositivos de desactivacin
por compuerta. Cada uno de los tipos tiene ventajas y desventajas. Las caractersticas de los tiris-
tares reales difieren en forma significativa de las de los dispositivos ideales. Aunque existen va-
rios procedimientos para activar los tiristorcs, el control de la compuerta es el que resulta ms

126 Los tiristores Cap. 4


dvldt alto. Debido a la carga recuperada, algo de energa se almacena en el dildt y en inductores
dispersos; los dispositivos deben protegerse de esta energa almacenada. Las prdidas de conmu-
tacin de los GTO son mucho ms altas que las de los SeR normales. Los componentes del cir-
cuito de freno del GTO resultan crticos para su rendimiento.
Debido a diferencias en las caractersticas de tiristores de un mismo tipo, las operaciones en
serie y en paralelo requieren de redes para reparticin de voltaje y de corriente, a fin de proteger-
los bajo condiciones de regmenes permanente y transitorio. Es obligatorio un procedimiento de
aislamiento entre el circuito de potencia y los circuitos de compuerta. El aislamiento por transfor-
mador de pulso es simple, pero eficaz. En el caso de las cargas inductivas, un tren de pulsos redu-
ce las prdidas de tiristor y se utiliza normalmente para disparar dispositivos, en vez de un pulso
continuo. Los UJT y los PUT se utilizan para la generacin de pulsos de disparo.

REFERENCIAS

1. General Electric, D. R. Grafharn y F. B. Golden, tion thyristor". IEEE Transactions on lndustry


eds., SCR Manual, 6a ed. Englewood Cliffs. N. J.: Applications, Vol. IA22, No. 6, 1986, pp. 1000-
Prentice Hall, 1982. 1006.
2. D. Grant y A. Honda, Applying International 9. V. A. K. Temple, "MOS controlled thyristors: a
Rectifier's Gate Turn-Off Thyristors, Application class of power devices", IEEE Transactions on
Note AN-315A. El Segundo, Calif.: Intemational Electron Devices, Vol. ED33, No. 10, 1986, pp.
Rectifier. 1609-1618.
3. C. K. Chu, P. B. Spisak, y D. A. Walczak, "High 10. T. M. Jahns, R. W. De Donker, J. W. A. Wilson,
power asymmetrical thyristors". IEEE lndustry V. A. K. Temple y S. L. Watrous "Circuir utiliza-
Applications Society Conference Record, 1985, tion characteristics or MOS-controlled thyris-
pp. 267-272. tors". Conference Record of the IEEE-lAS
4. O. Hashimoto, H. Kirihata, M. Watanabe, A. Nis- Annual Meeting, San Diego, Octubre 1989, pp.
hiura y S. Tagami, "Turn-en and turn-off charac- 1248-1254.
teristics of a 4.5-KV 3000-A gate turrr-off 11. J. L. Hudgins, D. F. Blanco, S. Menhart y W. M.
thyristor". IEEE Transactions on lndustry App/i- Portnoy, "Cornparison of the MCT and MOSFET
cations, Vol. IA22, No. 3, 1986, pp. 478-482. for high frequency inverter". Conference Record
5. O. Hashimoto, Y. Takahashi, M. Watanabe, O. of the IEEE-lAS Annual Meeting, San. Diego, Oc-
Yamada y T. Fujihira, "2.5kV, 2000-A monolit- tubre 1989, pp. 1255-1259.
hic gate turn-off thyristor". IEEE Industry Appli-
12. General Electric Company, SCR Manual: Gate
cations Society Conference Record, 1986, pp.
Trigger Characteristics, Ratings, and Methods,
388-392.
6a ed. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall,
6. E. Y. Ho y P. C. Sen, "Effect of gate drive on 1982.
GTO thyristor characterisrcs". IEEE Transac-
13. Transistor Manual, Unijunction Transistor Cir-
tions on Industrial Electronics, Vol. IE33, No. 3,
cuits, 7a ed. Publication 450.37. Syracuse, N. Y.:
1986, pp. 325-331.
General Electric Company, 1964.
7. H. Fukui, H. Amano y H. Miya, "Paralleling of
gate turn-off thyristors". IEEE lndustry Applica- 14. L. J. Giacoletto, "Simple SCR and TRIAC PSpice
tions Society Conference Record, 1982, pp. 741- cornputer models". IEEE Transactions on Indus-
746. trial Electronics, Vol. IE36, No. 3, 1989, pp.
451-455.
8. Y. Nakamura, H. Tadano, M. Takigawa, I. Igaras-
hi y J. Nishizawa, "Very high speed static induc-

Cap. 4 Referencias 127


PREGUNTAS DE REPASO

4-1. Qu es la caracterstica v-i de los tiristores? 4-20. Cules son las ventajas y las desventajas de los
4-2. Qu es la condicin inactiva de los tiristores? RCT?
4-3. Qu es la condicin activa de los tiristores? 4-21. Cules son las ventajas y las desventajas de los
4-4. Qu es la corriente de enganche entre tiris- LASCR?
tores? 4-22. Qu es una red de freno?
4-5. Qu es la corriente de mantenimiento de los 4-23. Cules son las consideraciones de diseo para
tiristores? las redes de freno?
4-6. Cul es el modelo del tiristor con dos transis- 4-24. Cul es la tcnica comn para la reparticin de
tores? voltaje en tiristores conectados en serie?
4-7. Cules son los procedimientos para activar
4,25. Cules son las tcnicas comunes para la repar-
tiristores?
ticin de corriente entre tiristores conectados en
48. Cul es el tiempo de activacin de los tiris- paralelo?
tores?
4-26. Cul es el efecto del tiempo de recuperacin
4-9. Cul es el objeto de la proteccin dildtt
inverso sobre la reparticin del voltaje transito-
4-10. Cul es mtodo comn de proteccin diidt! rio de los tiristores conectados en paralelo?
4-11. Cul es el objeto de la proteccin dvldt'l
4-27. Cul es el factor de reduccin de la especifica-
4-12. Cul es el mtodo comn de proteccin dv/dt? cin o decaimiento de los tiristores conectados
4-13. Cul es el tiempo de desactivacin de los tiris- en serie?
tores?
4-28. Qu es un UJT?
414. Cules son los tipos de tiristores?
4-29. Cul es el voltaje pico de un UJT?
415. Qu es un SCR?
4~16. Cul es la diferencia entre un SCR y un 4-30. Cul es el voltaje del punto de valle de un
UJT?
TRIAC?
4-17. Cul es la caracterstica de desactivacin de los 4-31. Cul es la relacin de equilibrio intrnseca de
tiristores? un UJT?
4-18. Cules son las ventajas y las desventajas de los 432. Qu es un PUT?
OTO? 4-33. Cules son las ventajas de un PUT sobre un
4-19. Cules son las ventajas y las desventajas de los UJT?
SITH?

PROBLEMAS

4-1. La capacitancia de unin de un tiristor puede su- 4-3. En la figura P4-3 aparece un circuito de tiristor.
ponerse independiente del voltaje en estado =
La capacitancia de unin del tiristor es CJ2 15
inactivo. El valor Iirnitante de la corriente de pF Y se puede suponer independiente del voltaje
carga para activar el tiristor es 12 mA. Si el va- en estado inactivo. El valor limitante de la co-
lor crtico de dvldt es 800 V/Ils, determine la ca- rriente de carga para activar el tiristor es 5 mA Y
pacitancia de la unin.
4-2. La capacitancia de unin de un tiristor es CJ2 =
20 pF Y se puede suponer independiente del vol-
taje en estado inactivo. El valor lirnitante de la
corriente de carga para activar el tiristor es 15
mA. Si se conecta un capacitor de 0.01 IlF a tra-
vs del tiristor, determine el valor crtico de
dvldt. Figura P4-3

128 Los tiristores Cap. 4


el valor crtico de dvldt es 200 y /)ls. Determine (a) los valores de R, Y Cs, y (b) el dvidt mxi-
el valor de la capacitancia C, tal que el tiristor mo.
no se activa debido a dv/dt. 45. Repita el problema 4-4 si el voltaje de entrada
44. El voltaje de entrada en la figura 4-ge es Vs = =
es de ca, Vs 179 sen 377t.
=
200 Y, con una resistencia de carga de R la Q 46. Un tiristor conduce una corriente como aparece
=
Y una inductancia de carga de L 50 )lH. Si la en la figura P4-6. La frecuencia de conmutacin
relacin de amortiguacin es 0.7 y la corriente es f s = 50 Hz. Determine la corriente promedio
de descarga del capacitor es de 5 A, determine en estado activo fr.

ir

5~ 5~
._--~--------~---20ms----------------_'

Figura P46

47. Una cadena de tiristores se conecta en serie para un urrstor es VTl = 1.0 a 600 A Y la de los
=
soportar un voltaje de cd Vs 15 k V, La corrien- =
otros tiristores es VT2 1.5 V a 300 A. Deter-
te de fuga mxima y las diferencias de carga de mine los valores de las resistencias en serie
recuperacin de los tiristores son 10 mA y 150 necesarias para obligar a la comparticin de
)lC, respectivamente. Un factor de reduccin de corriente con una diferencia del 10%. El volta-
especificacin o decaimiento del 20% ha sido =
je total v 2.5 V.
aplicado a la distribucin en rgimen de estado 49. Disee el circuito de disparo de la figura 4-28a.
permanente y de voltaje transitorio de los tiristo- Los parmetros del UJT son Vs = 20 V, 11 =
res. Si la comparticin mxima de voltaje de r- =
0.66, Ip la )lA, Vv = 2.5 Ve l; =
10 mA. La
gimen permanente es 1000 V, determine (a) la frecuencia de oscilacin es f = 1 kHz, y el an-
resistencia R de comparticin de voltaje en rgi- =
cho del pulso de compuerta es tg 40 us,
men permanente de cada tiristor y (b) la capaci- 410. Disee el circuito de disparo de la figura 4-29b.
tancia Cl del voltaje transitorio de cada tiristor, =
Los parmetros del PUT son Vs 20 Vele =
48. Dos tiristores estn conectados en paralelo pa- 1.5 mA. La frecuencia de oscilacin es f =
ra convertir una corriente de carga total lt: = 1 kHz. El ancho del pulso es tg = 40 us, y el
600 A. La cada de voltaje en estado activo de =
pulso pico de disparo es VRs 8 V.

Cap. 4 Problemas 129


Los rectificadores controlados

51 INTRODUCCION

En el captulo 3 vimos que los diodos rectificadores slo suministran un voltaje de salida fijo. Pa-
ra obtener voltajes de salida controlados, se utilizan uristores de control de fase en vez de diodos.
Es posible modificar el voltaje de salida de los rectificadores a tiristores controlando el retraso o
ngulo de disparo de los mismos. Un tiristor de control de fase se activa aplicndole un pulso cor-
to a su compuerta y se desactiva debido a la conmutacin natural o de lnea; en el caso de una
carga altamente inductiva, se desactiva mediante el disparo de otro tiristor del rectificador durante
el medio ciclo negativo del voltaje de entrada.
Estos rectificadores controlados por fase son sencillos y menos costosos y, en general, su
eficiencia es superior al 95%. Dado que estos rectificadores controlados convierten ca en cd, se
conocen tambin como convertidores ca-ed, y se utilizan en forma extensa en aplicaciones indus-
triales, especialmente en propulsores de velocidad variable, con potencias desde fraccionarias has-
ta niveles de megawats.
Los convertidores de control de fase se pueden clasificar en dos tipos, dependiendo de la
fuente de alimentacin: (1) convertidores monofsicos y (2) convertidores trifsicos. Cada tipo se
puede subdividir en (a) semiconvertidor, (b) convertidor completo y (c) convertidor dual. Un se-
miconvenidor es un convertidor de un cuadrante, y tiene una misma polaridad de voltaje y de co-
rriente de salida. Un convertidor completo es un convertidor de dos cuadrantes, la polaridad de su
voltaje de salida puede ser positiva o negativa. Sin embargo, la corriente de salida del convertidor
completo slo tiene una polaridad. Un convertidor dual puede operar en cuatro cuadrantes, y tanto
su voltaje como su corriente de salida pueden ser positivos o negativos. En algunas aplicaciones,
los convertidores se conectan en serie, a fin de que operen a voltajes ms altos y para mejorar el
factor de potencia de entrada.
Para analizar el rendimiento de los convertidores controlados por fase con carga RL se pue-
de aplicar el mtodo de las series de Fourier, similar al de los rectificadores con diodos. Sin em-
bargo, a fin de simplificar el anlisis, se puede suponer que la inductancia de carga es lo
suficientemente alta como para que la corriente de carga se considere continua y tenga una com-
ponente ondulatoria despreciable.

130
5-2 PRINCIPIO DE OPERACION DEL CONVERTIDOR CONTROLADO POR FASE

Consideremos el circuito de la figura S-la, con carga resistiva. Durante el medio ciclo positivo del
voltaje de entrada, el nodo del tiristor es positivo con respecto al ctodo por lo que se dice que el
tiristor tiene polarizacin directa. Cuando el tiristor TI se dispara, en rol = a el tiristor TIO
conduce, apareciendo a travs de la carga el voltaje de entrada. Cuando en el voltaje de entrada
=
empieza a hacerse negativo, rot 1t, el nodo del tiristor es negativo con respecto al ctodo y se
dice que el tiristor TI tiene polarizacin inversa; por lo que se desactiva. El tiempo desde que el
voltaje de entrada empieza a hacerse positivo hasta que se dispara el tiristor en rot = a, se llama
ngulo de retraso o de disparo a.
La figura S-lb muestra la regin de operacin del convertidor, donde el voltaje y la corrien-
te de salida tienen una sola polaridad. La figura S-lc muestra las formas de onda de los voltajes de
entrada, y de salida, asi como de la corriente de carga y del voltaje a travs de TI. por lo general,
este convertidor no se utiliza en aplicaciones industriales, porque su salida tiene un alto contenido
de componentes ondulatorias, de bajas frecuencia. Si i, es la frecuencia de la alimentacin de en-
trada, la frecuencia ms baja del voltaje de salida de la componente ondulatoria es fs.

- v.
1+ Vn -1 Vm
VI
T,_,o

JI }_vmR'.' [.
jo
",t
R

(a' Circuito

O ",t
v
2"
Voe I
jo
l
l
jo
loe I
O (1,11
Ir 2"
1 " I
l
V1
(b) Cuadrante I
I
",1
"

(e) Formas de onda

Figura 5-1 Convertidor monofsico de tiristor, con carga resistiva.

Sec.5-2 Principio de operacin del convertidor controlado por fase 131

,-,,,~""""-----------------------_.
Si Vm es el voltaje pico de entrada, el voltaje promedio de salida Ved puede determinarse a
partir de
1 f1T VIIl
Ved = 27T o Vm sen wt d(wt) = 27T [-cos wt]~
(5-1)
V IIl
= 27T (l + cos a)

y Vedpuede variar desde V",/n hasta O, al variar a desde O hasta n. El voltaje promedio de salida
=
se hace mximo cuando a O y el voltaje de salida mximo Vdm es

Vdm -- V7Tm (5-2)

Normalizando el voltaje de salida con respecto a Vdm el voltaje de salida normalizado sera
Ved
Vn = -V = 0.5(1 + cos a) (5-3)
dm

El voltaje de salida rms est dado por

V rms = [2~ 1: V~ sen? wt d(wt) f2 = [~; 1: (l - cos 2wt) d(wt) f2 (5-4)


;'

_-v, [1
_ - (7T-a+-- sen 2a)] 1/2
2 7T 2

Ejemplo s-I
Si el convertidor de la figura 5-la tiene W1acarga puramente resistiva R y el ngulo de retraso es
=
a. n/2, determine (a) la eficiencia de la rectificacin, (b) el factor de forma FF, (e) el factor de
componente ondulatoria RF, (d) el factor de utilizacin del transformador TUF y (e) el voltaje de
pico inverso PIV del tiristor TI'
Solucin =
El ngulo de retraso, a. n/2. De la ecuacin (5-1), Ved = 0.1592V m e led =
0.1592VmlR. De la ecuacin (5-3), Vn = 0.5 pu. De la ecuacin (5-4) Vnns= 0.3536Vm e lnns =
0.3536VmlR. De la ecuacin (3-42), Ped = Vedlcd = (O.1592Vm)21Ry de la ecuacin (3-43), Pea =
=
Vnnslnns (0.3536Vm) IR.
2

(a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de la rectificacin


(0.1592Vm)2
7) = (0.3536V",)2 = 20.27%

(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma

FF = 0.3536V", = 2 221 222.1%


0.1592Vm o

(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = (2.2212 _ 1)1/2 =


1.983 es decir 198.3%.
(d) El voltaje rms del secundario del transformador, Vs vmlfl = = 0.707Vm. El valor rms
de la corriente del secundario del transformador es la misma que la de la =
carga, ls 0.3536V mlR.
La clasificacin en volt-amperes (VA) del transformador, VA = Vis = O.707Vm I O.3536VmlR.
De la ecuacin (3-49)

132 Los rectificadores controlados Cap. 5


0.15922
TUF = 0.707 x 0.3536 = 0.1014 y TF = 9.86

(e) El voltaje de pico inverso PIV = Vm


Nota. El rendimiento del convertidor se degrada en el rango inferior del ngulo de re-
traso ex.

53 SEMICONVERTIDORES MONOFASICOS

La disposicin del circuito de un semiconvertidor monofsico aparece en la figura 5-2a, con una
carga altamente inductiva. La corriente de carga se supone continua y libre de componentes ondu-
latorias. Durante el medio ciclo positivo, el tiristor TI tiene polarizacin directa. Cuando el tiristor
=
TI se dispara en rol ex, la carga se conecta a la alimentacin de entrada a travs de TI y D2 durante
el perodo ex :,,; rol :,,; 1t. Durante el perodo 1t :,,;rol :,,; (1t + ex), el voltaje de entrada es negativo y el
diodo de marcha libre Dm tiene polarizacin directa. D conduce para proporcionar la continuidad
de corriente de la carga inductiva. La corriente de carga se transfiere de TI y D2 a Dm, y el tiristor
TI as como el diodo D2 se desactivan. Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el ti-
ristor T2 queda con polarizacin directa y el disparo del tiristor T2 en rol = 1t + ex invierte la polari-
zacin de Dm. El diodo Dm se desactiva y la carga se conecta a la alimentacin a travs de T2 y DI.
La figura 5-2b muestra la regin de operacin del convertidor, donde tanto el voltaje como
la corriente de salida tienen polaridad positiva. La figura 5-2c muestra las formas de onda para el
voltaje de entrada, el voltaje de salida, la corriente de entrada y las corrientes a travs de TI, T2,
DI Y D2. Este convertidor tiene un mejor factor de potencia, debido a la operacin del diodo de
marcha libre y es de uso comn en aplicaciones hasta de 15 kW, donde la operacin en un cua-
drante es todava aceptable.
El voltaje promedio de salida se puede encontrar a partir de

2
Vdc = 217 f" V
a m sen wt d(wt ) = 2V m
217 [-cos wt]~
(5-5)

= V m (1 + cos a)
17

y Ved puede modificarse o variar, desde 2V m/1t hasta O al variar ex desde O hasta 1t. El voltaje pro-
medio mximo de salida es Vdm = 2V m/1t y el voltaje promedio de salida normalizado es

v, = VVdC = 0.5(1
dm
+ cos a) (5-6)

El voltaje de salida rms se determina a partir de

2 J ]1/2 2 f"
[V2;',,''0 ]1/2
Vrms = [ 217 : v~sen? wt d(wt) = - cos 2wt) d(wt)
(5-7)

Sec.5-3 Semi convertidores monofsicos 133


v.
io -l.
T2
in '1
Vo
R
...1
L 2"
O2 Om

io. i02 iOm

(al Circuito

o
in
l.

O
in

io O
iD.
l.

O
i02
(bl Cuadrante
O
l. i.

O
io
l.

O
iOm
l.

O a

(el Formas de onda

Figura 5-2 Semiconvertidormonofsico.


Ejemplo 5-2
El semiconvertidorde la figura 5-2a est conectado a una alimentacinde 120 V 60 Hz. La co-
rriente de carga la se puede suponer continua y su contenido de componentes ondulatoriasdes-
preciable. La relacin de vueltas del transformador es la unidad. (a) Exprese la corriente de
entrada en un~ serie de Fourier; determine el factor armnico de la corriente de entrada HF, el
factor de desplazamientoDF, y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso es
(1= rc/2,calcule Ved, VII' V rms- HF, DF y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-2c y la co-
rriente de entrada instantnease puede expresarcon una serie de Fourier de la forma

i,(t) = Ide + 2:" (a/l cos nwt + b; sen nwt) (5-8)


,,= 1,2,..,

134 Los rectificadores controlados Cap. 5


donde

lro = -211T f21T


o:
(,(t) d(wt) = -211T [f"
o
1" d(wt) - J21T
a-r o
1" d(wt) 1= O
a" = -1 f217 is(t) cos nwt d(wt)
'TT a

= -7l'I [f1Tu 1" COS ruot d(wt) - J2'" 1" cos


+o
1i
nwt d(wt) ]

2/"
= - -sen na para 11 = 1, 3, 5, .
1l'TT

=O para 11 = 2, 4, 6, .

b; = -l f2" i,(t) sen ru: d(wt)


'TT "

= -1T'I [f"a 1" sen ntt d(wt) - J2" 17'+0


1" sen nwt d(wt) ]

21
= _" (1 + cos na) para n = 1, 3, 5, . . .
n'TT

=O para 11 = 2, 4, 6 ....

Dado que Icd = O, la ecuacin (5-8) se puede escribir como

is(t) = : v1 I"sen(nwt + 1J,,) (5-9)


11= 1.3,)" ..

donde

(5-10)

El valor rms de la componente armnica de orden n de la corriente de entrada se deduce como

__ 1_ 2 I 2 1/2 _. 2\12 1(/ . na


/", - , .:; (a" + J Il) - cos 2 (5-11)
v2 1l'TT

De la ecuacin (5-11), el valor rms de la corriente fundamental es

1
,
1 = 2v1
'TT
1" cos ~
2

La corriente de entrada rms se puede calcular a partir de la ecuacin (5-11) como


x 1/1
/, = (
u=
I,,~)
1,2, ...

Is tambin se puede determinar directamente a partir de

1, = [2~ 1: 1;' d(wt)] 1/2 = 1" (1 _ ;) 1/2

Sec.5-3 Semiconvertidores monofsicos 135


De la ecuacin (3-51), HF = [(Is1/sli - 1]1/2, o bien

HF = [ 1T(1T - 0:) _ 1]1/2


(5-12)
4(1 + cos a)

De las Ecuaciones (3-50) y (5-10),

DF = cos 4J1 = cos - ~ (5- 13)


2

De la ecuacin (3-52),
/sl o: V2 (1 + cos 0:)
(5-14)
PF = T; cos 2" = [1T(1T - 0:)]1/2

=
(b) o. = 1C/2 Y Vm {2 x 120 = 169.7 V. De la ecuacin (5-5), Ved (Vml1C)(1 + cos 0.) = =
=
54.02 V, de la ecuacin (5-6), VII 0.5 pu, y de la ecuacin (5-7),

Vrms =
Vm [1;:
V2 ( 1T - o: + -2-
sen 20:)] 1/2
= 84.57 V

t; = 2V; /" cos 0.6366/"


=

I, = la ( 1 - ;:
0:) 1/2
= 0.70711"

HF = [(2/ - t = 1 2 0.4835 O 48.35%

4J1 = -
1T
4" y DF = cos - 4"1T = 0.7071
[si o: 6
PF = T; cos 2" = 0.636 (atrasado)

Nota. Los parmetros de rendimiento del convertidor dependen del ngulo de retraso 0..

5-3.1 Semi convertidor monofsico con carga RL

En la prctica, una carga tiene una inductancia finita. La corriente de carga depende de los valores
de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. La operacin del convertidor se puede
dividir en dos modos: modo 1 y modo 2.

Modo 1. Este modo es vlido para O ::; (J)t ::;e, durante el cual conduce el diodo de mar-
cha libre Dm. La corriente de carga it: durante el modo 1 queda descrita por
dhl .
LTt + RILI + E= O (5-15)

misma que, con la condicin inicial hl(J)t = O) = It en el estado de rgimen permanente, da

para irl 2: O (5-16)

136 Los rectificadores controlados Cap. 5


Al final de este modo en w( = ex, la corriente de carga se convierte en lu: es decir

(5-17)

Modo 2. Este modo es vlido para ex :5 (J)( :5 1t, donde el tiristor TI conduce. Si 'Vs = ...J2Vs
sen Wt es el voltaje de entrada, la corriente de carga iL2 durante el modo 2 se puede encontrar
mediante
diL2 , r,;
L dt + R1LZ + E = v 2 V,. sen wt (5-18)

cuya solucin es de la forma

iLZ V2 v, sen(wt
= -- - (J) + Ale- '(R/L) I - -
E para iLZ ;::: O
Z R
donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (WL)2]1/2 y el ngulo de la impedancia de la carga
e = tan-1(wL/R).
La constante A" que se puede determinar a partir de la condicin inicial: en W( = ex, iL2 =
ILl, se encuentra como

La sustitucin de Al da como resultado


ii: =~ V, sen(wt - (J) - ~ + [Irl +~ - ~ V, sen - (J)] e(R/L)(a/w-1)

para ir2 2! O (5-19)


Al final del modo 2 en la condicin de rgimen permanente: hz(wt 1t) = = lu- Al aplicar esta con-
dicin a la ecuacin (5-16) y resolviendo en funcin de It. obtenemos
V2 V, sen(7T - (J) - sen(a - (J)e(R/L)(a-7T)/w E
ha = -Z-- . 1 - e (RIL)(7T/W) - R
paralLo~ O y e:5 ex:51t (5-20)

La corriente rms de un tiristor se puede determinar a partir de la ecuacin (5-19) como


1 J7T ] 1/2
IR = [ 27T " {i,2 d(wt)

La corriente promedio de un tiristor tambin se puede determinar de la ecuacin (5-19) como

lA = 1
27Tf" i
e L2 d(wt)

La corriente de salida rms puede encontrarse de las ecuaciones (5-16) y (5-19) como
1/2

Irms =
1
[ 27T Jo" 2
iLI d(wt) + 27T
1
Li
" 2
LZ d(wt) ]

Sec.5-3 Semi convertidores monofsicos 137


La corriente de salida promedio se puede encontrar de las ecuaciones (5-16) y (5-19) como

Ide = -21
7T
la i
O
L1 d(wt) + -2I7T f1T iL2 d(wt)

Ejemplo 5-3*
El semiconvertidormonofsicode la figura 5-2a tiene una carga RL con L = 6.5 rnH, R = 2.5 n y
E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. Determine(a) la corrientede carga
lt en rot = OYla corrientede carga lis en rot = a = 60, (b) la corrientepromedio del tiristor lA,
(e) la corrienterms del tiristorIR, (d) la corrienterms de salida Irrns,y (e) la corrientepromedio de
salida led.
Solucin R = 2.5 n, L = 6.5 rnH, f = 60 Hz, ro = 21tx 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, e = tan-1
(roLlR) = 44.43 YZ = 3.5 n,
0

(a) La corrientede carga en rgimen permanenteen rot = O,lt = 29.77 A. La corriente de


carga en rgimenpermanenteen rot = a,lu = 7.6 A.
(b) La integracinnumrica de iL2 en la ecuacin (5-19), da como resultado la corriente
promediodel tiristorcomo lA = 11.42A.
(e) De la integracinnumrica de it2 entre los lmites (J)I = a hasta 1t,obtenemos la co-
rriente rms del tiristorcomo lA = 20.59 A.
(d) La corrienterms de salida Irrns = 30.92 A.
Ce)La corrientepromediode salida led = 28.45 A.

5-4 CONVERTIDORES MONOFASICOS COMPLETOS

El arreglo de circuito de un convertidor monofsico completo aparece en la figura 5-3a con una
carga altamente inductiva, de tal forma que la corriente de carga es continua y libre de componen-
tes ondulatorias. Durante el medio ciclo positivo, los tiristores TI y T2 tienen polarizacin directa;
cuando en wt = exestos dos tiristores se disparan simultneamente, la carga se conecta a la alimen-
tacin de entrada a travs de TI y T2. Debido a la carga inductiva, los tiristores TI y T2 seguirn
conduciendo ms all de wt = 1t,aun cuando el voltaje de entrada sea negativo. Durante el medio
ciclo negativo del voltaje de entrada, los tiristores T3 y T4 tienen una polarizacin directa; el dis-
paro de los tiristores T3 y T4 aplicar el voltaje de alimentacin a travs de los tiristores TI y T2
como un voltaje de bloqueo inverso. Debido a la conmutacin natural O de lnea, TI y T2 se de-
sactivarn y la'corriente de carga ser transferida de TI y T2 a T3 y T4. En la figura 5-3b se mues-
tran las regiones de operacin del convertidor y en la figura 5-3c aparecen las formas de onda para
el voltaje de entrada, el voltaje de salida y las corrientes de entrada y salida.
Durante el perodo que va desde exhasta 1t,el voltaje de entrada Vs y la corriente de entrada
is son positivos; la potencia fluye de la alimentacin a la carga. Se dice que el convertidor se opera
en modo de rectificacin. Durante el perodo de 1thasta 1t+ ex,el voltaje de entrada Vs es negativo
y la corriente de entrada is es positiva; existiendo un flujo inverso de potencia, de la carga hacia la
alimentacin. Se dice que el convertidor se opera en modo de inversin. Este convertidor es de
uso extenso en aplicaciones industriales hasta 15 kW. Dependiendo del valor de ex,el voltaje pro-
medio de salida puede resultar positivo o negativo y permite la operacin en dos cuadrantes.

138 Los rectificadores controlados Cap. 5


T,. T2 T3 T.
i.

'1 A v=Vmsenrot

vJl 1: Vo
l wt

(a) Circuito

io
Ide
io
l.
I Corriente de carga
w,
(b) Cuadrante
O
t, , " 2"

O
ni"" 2" w,
ft

-l.
(e) Formas de onda

Figura 5-3 Convertidor monofsico completo.

El voltaje promedio de salida se puede determinar a partir de


2 f1T+a 2Vm
Ved = - V sen wt d(wt) = -- [-cos wt]"+"
27T" m 27T "
(5-21)
2Vm
= --COS
7T
ex

y variando a desde O hasta 1t se puede variar Ved desde 2V",/1t hasta -2V",/1t. El voltaje promedio
de salida mximo es V dm = 2V",/1t y el voltaje promedio de salida normalizado es
Ved
V n = -Vdm = cos. ex (5-22)

El valor rms del voltaje de salida est dado por

2 f"+<>
Vrms = [ 27T e v~sen? wt d(wt)
] 1/2 = [V2;2 f"+"
e (1 - cos 2wt) d(wt)
] 1/2
(5-23)

Sec.5-4 Convertidores monofsicos completos 139

,;...;,..- -----------------------------
Con una carga puramente resistiva, los tiristores TI y T2 conducirn desde (l hasta 7t, y los
tiristores T3 y T4 conducirn desde (l + 7t hasta 27t.El voltaje instantneo de salida ser similar a
los de los semiconvertidores de la figura 5-2b. Las ecuaciones (5-5) y (5-7) son aplicables para
determinar los voltajes de salida rrns y promedio.

Ejemplo 54
Para un ngulo de retraso de (J. = rr.!3, repita el ejemplo 5-2 para el convertidor completo monof-
sico de la figura 5-3a.
Solucin (a) La forma de onda de la corriente de entrada aparece en la figura 5-3c y la corrien-
te instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma

i,.(t) = Icd + L (an cos nwt + h sen nwt)


ll
1/=1,2,,,

donde

Icd = 2~ I~1T+" ,(t) d(wt) = 2~ [t+" i, d(wt) - I~::" 1" d(wt) J=O

a; = -l J21T+" ,(t) cos nwt d(wt)


11' "

= -l [J1T+a 1" cos nwt d(wt) - I21T+" 1" cos nwt d(wt) J
rr a rr+a

= - -4/" sen na para n = 1, 3, 5, . . .


n11'

= O para n = 2, 4, ...

b; = -1 J21T+<X (t) sen nwt d(wt)


11' a

= -rrl [f1T+" a
1" sen nwt d(wt) - I21T+a 1" sen nwt
rr+a
d(wt) ]

= 4/"
-n11' cos na para n = l. 3, 5, .

= O para n = 2, 4, ...

Dado que lro = O, la corriente de entrada se puede escribir en la forma


ce

At) = L Y2 IlIsen(wt + 4J,')


11=1.3.5 ....

donde

4J = tan- I -b =
11
all

ll
+ na (524)

y cn es el ngulo de desplazamiento de la corriente de la armnica de orden n. El valor rms de la


corriente de entrada de la armnica de orden n es

I
JI,
= _1_ (a2 + h')'/'
Vz 11 11
=~
Y2 n11' = 2Y2
n 11'
(, (5-25)

140 Los rectificadores controlados Cap. 5


y el valor rms de la corriente fundamental es

I1 = 2V2 lo
s 7T

El valor rms de la corriente de entrada se puede calcular a partir de la ecuacin (5-25), como
" ) 1/2
t, = (
11=
L
1,3,5" ..
I~II

Is tambin se puede determinar directamente a partir de

}__s__ = [2~t+" 1;'d(wt)r 2 =_~a


De la ecuacin (3-51) se puede encontrar el factor armnico con

HF = [(2Y - I r 2 = 0.483 o 48,3%

De las ecuaciones (3-50) y (5-24), el factor de desplazamiento

DF = cos 1J1 = cos - a (5-26)

De la ecuacin (3-52) se encuentra el factor de potencia como

t; 2V2 cos a
PF = - cos -a = -- (5-27)
I, 7T

eb) ex = 1t/3.
zv, cos
= - 7T =
Ved a 54,02 V y VII = 0.5 pu

Vm
Vrms = V2 = Vs = 120 V

lsl = (2V2~) = 0,90032/(/ y I, = la

HF = [(2Y - Ir = 0.4834 O 48,34%

-7T
y DF = cos -a = cos '3 = 0,5

PF = ji cos -a = 0.45 (atrasado)


s '

Nota. La componente fundamental de la corriente de entrada es siempre 90.03% de la Yel


factor armnico se mantiene constante en 48.34%.

5-4.1 Convertidor monofsico completo con carga RL

La operacin del convertidor de la figura 5-3a se puede dividir en dos modos idnticos: modo 1,
cuando TI y T2 conducen, y modo 2 cuando T3 y T4 conducen. Las corrientes de salida durante es-

Sec.5-4 Convertidores monofsicos completos 141

..i........
tos modos son similares, y por tanto es necesario slo considerar un modo para encontrar la
corriente de salida h .
El modo 1 es vlido para o. $; (1)1 s (o. + n). Si el voltaje de entrada es v, = {2Vs sen (l)t, la
ecuacin (5-18) se puede resolver con la condicin inicial: en (1)1 = 0., ii. = ha. La ecuacin (4-19)
dalLo como
. v2V,
IL = -- Z E
sen(wt - 8) - -
R (5-28)
+ [I + -E - v2V s sen(a - 8) ] e(RII.)(alw-1)
Lo R Z

Al final del modo 1 en la condicin de rgimen permanente h(I)t = 1t + 0.) = Lu = lu- Aplicando
esta condicin a la ecuacin (5-28) y resolviendo en funcin de lu, obtenemos
v2 V, -sen(a - (})- sen(a - (})e-(RIL)(1T)/w E
i: = ILI = -Z-- 1- e-(RIL)(1Tlw) R
paraILo:2 O (5-29)
El valor crtico de o. en el cual lose convierte en cero se puede resolver para valores conocidos de
e, R, L, E y Vs mediante un mtodo iterativo. La corriente rms o eficaz de un tiristor se puede en-
contrar a partir de la ecuacin (5-28) como
1
IR = [ 27T"
f"+"'7 ti. d(wl) ]1/2

La corriente rms de salida se puede entonces determinar a partir de


I,ms = (6 + 1~)1/2 = v2 IR
Le corriente promedio de un tiristor tambin se puede encontrar de la ecuacin (5-28) como

lA = 27T"
1 f"+" te d(wt)

La corriente promedio de salida se puede determinar a partir de


Ide = lA + lA = 21A

Ejemplo 5-5*
El convertidorcompleto monofsicode la figura 5-3a tiene una carga RL con L = 6.5 rnH, R =
0.5 Q y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a (rms) 60 Hz. Determine (a) la corriente
de carga lt a rol = a = 60'\ (b) la corriente promediodel tiristor lA, (e) la corrienterms del tiris-
tor IR, (d) la corrienterms de salida Inns Y(e) la corrientepromediode salida ledo
Solucin a = 60, R = 0.5 n, L = 6.5 rnH, f = 60 Hz, ro = 21tx 60 = 377 rad/s, Vs 120 V Y e =
tan-1(roL!R)= 78.47.
(a) La corrientede carga en rgimenpermanenteen rol = a, Lo = 49.34 A.
(b) La integracinnumrica de te en la ecuacin (5-28), resulta en la corriente promedio
del tiristorcomo lA = 44.05 A.
(e) Mediante la integracinnumricade i t entre los lmites rol = a hasta 1t+ a, obtenemos
la corrienterms del tiristorcomo IR = 63.71 A.
(d) La corrienterms de salidaIrms = {2IR = {2x 63.71 = 90.1 A.
(e) La corrientepromediode salida led = 21A 2 x 44.04 88.1 A.= =
142 Los rectificadores controlados Cap. 5
5-5 CONVERTIDORES MONOFASICOS DUALES

Vimos en la seccin 5-4 que los convertidores monofsicos completos con cargas inductivas slo
permiten la operacin en dos cuadrantes. Si se conectan dos de estos convertidores completos es-
palda con espalda, tal y como aparece en la figura 5-4a, se pueden invertir tanto el voltaje de sali-
da como la corriente de carga. El sistema permitir una operacin en cuatro cuadrantes,
llamndose le convertidor dual. Los convertidores duales son de uso comn en propulsores de ve-
locidad variable de alta potencia. Si al Y a2 son los ngulos de retraso de los convertidores 1 y 2,
respectivamente, los voltajes promedio de salida correspondientes son Vedl y Vcd2. Los ngulos de
retraso se controlan de tal forma que un convertidor funciona como rectificador y el otro converti-
dor funciona como inversor; pero ambos convertidores producen el mismo voltaje promedio de
salida. En la figura 5-4b se muestran las formas de onda de salida de los dos convertidores, en los
que los dos voltajes promedio de salida son los mismos. En la figura 5-4c aparecen las caracters-
ticas v-i de un convertidor dual.
, De la ecuacin (5-21), los voltajes promedio de salida son
2Vm
Vedl = -- cos al (5-30)
1T

(5-31 )

Dado que un convertidor rectifica y el otro invierte,

Vedl = -Vcd2 o bien, cos a2 = -cos al = cos(1t - al)

Y, por lo tanto,

a2 = 1t - al (5-32)

Dado que los voltajes instantneos de salida de los dos convertidores estn fuera de fase, existir
una diferencia instantnea de voltaje que dar como resultado una corriente circulante entre am-
bos convertidores. Esta corriente circulante no fluir a travs de la carga y por lo general estar li-
mitada por un reactor de corriente circulante L, tal y como se muestra en la figura 5-4a.
Si Vol Y Vo2 son los voltajes de salida instantneos de los convertidores 1 y 2, respectivamen-
te, la corriente circulante puede determinarse integrando la diferencia de voltaje instantneo a par-
=
tir de rol 21t - al. Dado que los dos voltajes promedio de salida son iguales y opuestos durante
=
el intervalo (J)t 1t + al hasta 21t - al, su contribucin a la corriente circulante instantnea ir es
cero.

ir = -L
1 JWI VI d(wt) = -L1 JWI{ . (Vol + V(2) d(wt)
w r 21T-Ct'1 ) r ..17'-(.X1

v, [JWI
= -L - sen wt d(wt) - JWI sen wt d(wt)] (5-33)
(JJ r 21T-al 21T-al

2Vm
= -L (cos wt - cos a)
w I

Sec.5-5 Convertidores monofsicos duales 143


h i,
2
----..

'\
+
o
-
~ T, T3 + T
~ T2'
lb
a \ a

b
E Vo'
Carga V02
] b

'\ ~ T4
(
'\ Tz
Vo

2. T3' J T,'
- - + 1\ :-.
(a) Circuito

--~~~~~~~~io
-Ide lde

-Vm sen eot

Salida del (e) Cuadrante


convertidor 1

Vm sen eot

-V",sen oot

Salida del
convertidor 2
~-----4--~~----?t---r----
...
wl

Vm sen rol

v,(t) Vol + vo2

Corriente circulanle

(b) Formas de onda

Figura 5-4 Convertidor monofsico dual.

144 Los rectificadores controlados Cap. 5


=
La corriente circulante instantnea depende del ngulo de retraso. Para al 0, su magnitud se ha-
ce mnima cuando W( = nn, n = 0, 2, 4 ..., Y mxima cuando 0Jl = n1t, n = 1,3,5, ... Si la corriente
pico de carga es p, uno de los convertidores que controla el flujo de potencia puede llevar una co-
rriente de pico de (lp + 4 VmfwLr).
Los convertidores duales pueden operarse con o sin corriente circulante. En caso de opera-
cin sin corriente circulante, slo opera un convertidor a la vez llevando la corriente de carga; es-
tando el otro convertidor totalmente bloqueado debido a pulsos de compuerta. Sin embargo, la
operacin con corriente circulante tiene las siguientes ventajas:

1. La corriente circulante mantiene conduccin continua en ambos convertidores sobre todo el


rango de control, independiente de la carga.
2. Dado que un convertidor siempre opera como rectificador y el otro como un inversor, el flu-
jo de potencia es posible en cualquier direccin y en cualquier momento.
3. Dado que ambos convertidores estn en conduccin continua, es ms rpido el tiempo de
respuesta para pasar de una operacin de un cuadrante a otra.

Ejemplo 56
El convertidor dual monofsico de la figura 5-4 se opera a partir de una alimentacin de 120-V
60-Hz la resistencia de carga es R = 10 n. La inductancia circulante es Le = 40 mH; los ngulos
de retraso son al :: 60 y a2 = 120. Calcule la corriente de pico circulante y la corriente de pico
del convertidor 1.
= = = =
Solucin ro 21t X 60 377 rad/s, al = 60, Vm "2x 120 169.7 V, f 60 Hz, y L, 40 = =
ml-l, Para W( =- 21tY al = 1t!3, la ecuacin (5-33) nos da la corriente de pico circulante.

2Vn 169.7 5
l,.(max) = wL,. (1 - cos (XI) "" 377 x 0.04 = 11.2 A

La corriente de pico de carga lp = 169.71/10 = 16.97 A. La corriente de pico del convertidor 1 es


(16.97 + 11.25) = 28.22 A.

56 CONVERTIDORES MONOFASICOS EN SERIE

En el caso de las aplicaciones en alto voltaje, se pueden conectar dos O ms convertidores en serie
para compartir el voltaje y mejorar el factor de potencia. En la figura 5-5a aparecen dos semicon-
vertidores conectados en serie. Cada secundario tiene el mismo nmero de vueltas, la relacin de
vueltas entre el primario y el secundario es Np/Ns =
2. Si al Y az son los ngulos de retraso del
convertidor 1 y del convertidor 2, respectivamente, el voltaje mximo de salida Vdm se obtiene
= =
cuando al a2 O.

de salida desde
En sistemas de dos convertidores, uno de los convertidores se opera para obtener un voltaje
hasta Vdml2 y el otro se pasa por alto a travs de su diodo de marcha libre. Para
tener un voltaje de salida a partir de Vdml2 hasta Vdm, uno de los convertidores est totalmente acti-
=
vo (en el ngulo de retraso al O) siendo ngulo de retraso del otro convertidor, a2, se modifica.
En la figura 5-5b se muestra el voltaje de salida, las corrientes de entrada a los convertidores y la

Sec.5-6 Convertidores monofsicos en serie 145


v

i1
l.

O
(al Circuito "
-l.
i2
l.

-l.

IJ:;!

(e) Cuadrante

-l.
l.
~io Corriente de carga ",t
O

(b) Forma de onda

Figura 5-5 Scmiconvertidores monofsicos en serie.

corriente de entrada desde la alimentacin cuando ambos convertidores estn operando con una
carga altamente inductiva.
De la ecuacin (5-5), los voltajes promedio de salida de los dos semiconvertidores son

Vedl = -V7Tm (l + COS (XI


)

Ved2 = -V7Tm (1 + cos (X2


)

El voltaje de salida resultante de los convertidores es

Ved = Vedl + Ved2 Vm (2 + COS


= _._ (XI + COS (X2
) (5-34)
7T

146 Los rectificadores controlados Cap. 5


El voltaje promedio mximo de salida para al = 0.2 = O es Vm = 4V m/7t. Si el convertidor 1 est
operando: 0:5; al :5; 7t Y 0.2 = 7t, entonces
Vm
Ved = Ved! + Ved2 = -1T (1 + cOS al) (5-35)

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Ved
Vn = -V = 0.25(1 + cos a) (5-36)
dm

Si ambos convertidores estn operando: al = O y O :5; 0.2 ~ 7t, entonces


Vm
Ved = Ved! + Ved2 = -
. 1T
(3 + COS a2) (5-37)

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Ved
Vn = -V' - = 0.25(3 + cos a2) (5-38)
dm

La figura 5-6a muestra dos convertidores completos conectados en serie, la relacin de vueltas en-
tre el primario y el secundario es Np/Ns = 2. Debido a que no existen diodos de marcha libre, no es
posible pasar por alto uno de los convertidores, y ambos convertidores deben operar al mismo
tiempo.
En modo de rectificacin, un convertidor est totalmente avanzado (al = O) y el ngulo de
retraso del otro convertidor, 0.2, vara desde O hasta 7t, a fin de controlar el voltaje de salida de co-
rriente directa. En la figura 5-6b se muestra el voltaje de entrada, los voltajes de salida, las co-
rrientes de entrada de los convertidores y la corriente de entrada de alimentacin. Comparando la
figura 5-6b con la figura 5~2b,podemos notar que la corriente de entrada desde la alimentacin es
similar a la de un semiconvertidor. Como resultado, el factor de potencia del convertidor mejora,
pero el factor de potencia es menor que en el caso de una serie de semiconvertidores.
En modo inversor, un convertidor est totalmente retrasado, 0.2 = 7t, Y el ngulo de retraso
del otro convertidor, al, vara desde O hasta 7t para controlar el voltaje promedio de salida. En la
figura 5-6d se muestran las caractersticas v-i de los convertidores completos en serie..
De la ecuacin (521) los voltajes promedio de salida de dos convertidores completos son
2Vm
Ved! = --1T cos al

2Vm
Ved2 = --1T cos a2

El voltaje promedio de salida resultante es


2Vm )
Ved = Ved! + Ved2 = --
1T
(cos al + cos a2 (5-39)

El voltaje promedio de salida mximo para 0.1 = 0.2 = O es Vdm = 4 Vdm/7t. En modo de rectificacin,
0.1 ::::O y O ~ 0.2 S n; entonces

(5-40)

Sec.5-6 Convertidores monofsicos en serie 147


+

+
+
i.
T\ io -l.
wt

Vol

Vp
:) v

Carga
"'1

wl

\
Np

V02

",1

T~) l.
i,
It

O ",1
(a) Circuito " 2"
-l.
Vol
i2
l.

",1 ",1
O

wl
l.

",1
wt
-l.
l.
Corriente de earga
O wt

i, (b) Formas de onda


n + ~1
wl
" 2"

i2 ------ Vo
I
2" wt
O 02. rr

io
i. leIe

O ",1

(e) Formas de onda (d) Cuadrante

Figura 5-6 Convertidores monofsicos completos.

148 Los rectificadores controlados Cap. 5


y el voltaje de salida de cd normalizado es

VII = Ved = 0.5(1 + cos (\'2) (5-41 )


Vdm
En modo de inversin, Os al s 1t Yaz ::; zr;entonces
2Vm
v:ed = v:cdl + v:ed2 = --
11'
(cos (\'1 - l) (5-42)

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Ved
VII = -V = 0.5(cos (\'1 - l) (5-43)
dm

Ejemplo 5-7
La corriente de carga (con un valor promedio la) de los convertidores completos en serie de la fi-
gura 5-6a es continua y el contenido de la componente ondulatoria es despreciable. La relacin
de vueltas del transformador es N p/Ns = 2. Los convertidores operan en modo de rectificacin de
tal forma que al = O Y 0'2vara desde O hasta n. (a) Exprese la corriente de alimentacin de en-
trada en series de Fourier, determine el factor armnico de la corriente de entrada HF, el factor
de desplazamiento DF y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso es <X2 =
=
n/2 y el voltaje pico de entrada es Vm 162 V, calcule Vcd- VII' Vrms- HF, DF, Y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-6b, y la co-
rriente instantnea de alimentacin de entrada se puede expresar con una serie de Fourier en la
forma

is(t) = L Vz In sen (nwt t


+ CPII) (5-44)
11= 1.2 ...

donde <" = -na2l2. La ecuacin (5-11) da el valor rms de la corriente de entrada de la armnica
de orden n

I Sil
-
- ~
4/" no;
cos -2 - ---
_ 2Vz la cos n(X2
-2 (5-45)
v2 ntt ntt
El valor rms de la corriente fundamental es

I 1= 2Vz 1" COS (X2 (5-46)


S 11' 2
La corriente rms de entrada se determina como

I, = 1" I( _ ;)112
" (5-47)

De la ecuacin (3-51).

11'(11' - (2) ]1/2


HF = [
4(1 + cos (2)
- I (5-48)

De la ecuacin (3-50)
a2
DF = COS CPI = COS - -
2
(5-49)

Sec.5-6 Convertidores monofsicos en serie 149

.,;;~'~"'-'----------------------
De la ecuacin (3-52)
I" 0:2 v'2 (1 + COS 0:2) (5-50)
PF == -1.\ cos -2 ==, [(1T 7T -
"~)ll/'-
a2y

(b) al = OY a2 = re/2. Partiendo de la ecuacin (5-41),

Ved == (2 X 1!2) (1 + cosi) == 103.13 V

De la ecuacin (5-42), VII = 0.5 pu y, por lo tanto,

, = -22
V~ms
1T
f" co
,
(2V",)- sen 2 wt d (wt)

Vrms == v'2 Vm [~ (1T - 0:2 + sen220:2) r 2 == Vm == 162 V

2 v'2 1T
y I, = 0.7071/"
1,11 = 1" -- 1T cos -4 == 0.6366/"

HF = [ l'
I,d
(_J:.)- ~ 1J 1/2
= 0.4835 o 48.35%

111 = - -
1T
4
y OF = cos (- ) == 0.7071
PF = 1;1, cos(~11I) == 0.6366 (atrasado)

Nota. El rendimiento de los convertidores completos en serie es igual al de los semiconver-


tidores monofsicos.

57 CONVERTIDORES TRIFASICOS DE MEDIA ONDA

Los convertidores trifsicos ~millistra!!,_!lnvoltaje de salida ms alto, y adems la frecuencia de


las componentes ondulatorias del voltajede"salida s nUlyoren comparacin con loSconvertidores
CoiOCOSec uenera,cCjiiisiios -de' fIltrdi' paraSiiV~coiTeteyervonaJe-
,,_rT!-.!1_Qm~i~<J.s.
de carga ~ ms sencillos. Por estas razones,\JQ~ccnvertidores trifsicos ~~':1._Q~,--tn~-
cin en propulsores de velocidad wariablerdc alta potencia, Se puedii conectar tres COnvertidores
monofslsd'e iTIdla-;da d"Cla figura 5'~la,similar a un convertidor trifsico de media onda,
como se muestra en la figura 5-73.
=
Cuando el tiristor TI se dispara en rol Tr/6+ a, el voltaje de fase v"" aparece a travs de la
=
carga, en tanto no sea disparado el urstor T2 en ()l 5re/6+ a. Cuando el tristor T2 es disparado,
el tiristor TI queda con polarizacin inversa, dado que el voltaje de lnea a lnea, V.,, (= v"" - Vbn),
es negativo y entonces TI se desactiva. El voltaje de fase Vbn aparece a travs de la carga hasta que
el tiristor T3 se dispara en rol = 3rc/2 + a. Al dispararse T3, T2 se desactiva y Ven aparece a travs de
la carga hasta que TI se vuelve a disparar al iniciar el siguiente ciclo. La figura 57b muestra las
caractersticas v-i de la carga y ste es un convertidor de dos cuadrantes. La figura 57c muestra
los voltajes de entrada, el voltaje de salida y la corriente a travs del tiristor TI en el caso de una
carga altamente inductiva. En el caso de una carga resistiva ya> rc/6. la corriente de carga sera

150 Los rectificadores controlados Cap. 5


a
i.1= in T,

b
n ib T2 +

ic e VO

T3

(a) Circuito (b) Cuadrante

T3 T,
Activado
-2.-_!!.-I...l.1

Van = Vm sen oot

Vo

t +a
io I
: Corriente de carga
I
l. ~--._----~----------~--------
I
O r---~--~~------~----~----~--+wt
iT, " I
I
'.
O
" a
e+
(e) Para cargas inductivas

Figura 5-7 Convertidor trifsico de media onda.

discontinua y cada tiristor se autoconmutara, al invertirse la polaridad de su voltaje de fase, La


frecuencia del voltaje de la componente ondulatoria de salida es 3fs. Normalmente no se utiliza en
sistemas prcticos este convertidor, porque las componentes de alimentacin contienen compo-
nentes de cd.
Si el voltaje de fase es VQJI = Viii sen rol, el voltaje promedio de salida para una corriente de
carga continua es

Ved =
3
-2
J5Tr/6+Ci
v; sen wt d(wt) =
3\13
2
Vm
cos a (S-51)
1T' Tr/6+" 1T'

Sec.5-7 Convertidores trifsicos de media onda 151


donde V". es el voltaje pico de fase. El mximo voltaje promedio de salida, que ocurre en el ngu-
lo de retraso, ex= O es
V - 3v3 Vm
dm - 21T
y el voltaje promedio de salida normalizado es
Ved
Vn = - = cos a (5-52)
Vclm
El voltaje de salida rms se determina a partir de

3 [f5"/6+" 2 ] 1/2
Vrms = [ -2 Vm sen- wt d(wt)
1T "/6+,, (5-53)
1 v3 )112
= v3 Vm ("6 + 81T cos 2a
En caso de una carga resistiva y de ex;;::rc/6:

3
Ved = -2 J"
1T ,,/6+a
3 v, [ 1 +
Vm sen wt d(wt) = -2-
1T
cos (1T)]
-6 + a (5-5 la)

Vn= vVcd
dm
=,~[1
v3
+cos(~+a)] (5-52a)

Vrms = 3 "f
[ -21T ttlir+a V;n sen2 wt d(wt) ]In
5 a 1 (1T
= v3 V [ - - - + - sen -
m 24 417" 81T 3
+ 2a )] 1/2
(5-53a)

Ejemplo 5-8*
El convertidor trifsico de media onda de la figura 5-7a es operado a partir de una alimentacin
conectada en estrella de 208 V 60 Hz la resistencia de la carga es R 10 Q. Si se requiere obte- =
ner un voltaje promedio de salida del 50% del voltaje de salida mximo posible, calcule (a) el
ngulo de retraso ex, (b) las corrientes promedio y rms de salida, (e) las corrientes promedio y
rms de tiristor, (d) la eficiencia de rectificacin, (e) el factor de utilizacin del transformador
TUF y (f) el factor de potencia de entrada PF.
Solucin =
El voltaje de fase es Vs 208/D = 120.1 V, Vm = {"2,Vs = 169.83 V, VII = 0.5, Y
R = 10 Q. El voltaje de salida mximo es

Vdm
= 3\13 Vm
217
= 3\133 x 169.83
217
= 14045 V

=
El voltaje promedio de salida, Vro 0.5 x 140.45 70.23 V. =
(a) Para una carga resistiva, la corriente de carga es continua si <X ::; 1t/6, la ecuacin (5-52)
=
nos da que VII :2: cos(1t/6) 86.6%. Con una carga resistiva y una salida del 50%, la corriente de
=
carga es discontinua. A partir de la ecuacin (5-52a), 0.5 (l/{"'J) [1 + cos(rc/6 + <X)), lo que da
el ngulo de retraso <X = 67.7.
(b) La corriente promedio de salida, Icd Vcd/R =
70.23/10 =
702 A. De la ecuacin =
=
(5-53a), Vnns 94.74 V Y la corriente rms de carga Inns 94.74/10 9.47 A. = =

152 Los rectificadores controlados Cap. 5


(e) La corriente promedio de un tiristor, lA = IdJ3 = 7.02/3 = 2.34 A Y la corriente media
cuadrtica de un tiristor IR = InnJ.J3 = 9.47/-3 = 5.47 A.
=
(d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es 70.23 x 7.02 (94.74 x 9.47) =
54.95%.
(e) La corriente rms de la lnea de entrada es la misma que la corriente rms del tiristor, y la
especificacin de volt-amperes de entrada, VI = 3Vjs = 3 _ 120.1 x 5.47 = 1970.84 W. De la
ecuacin (3-49), TUF = 70.23 x 7.02/1970.84 = 0.25 es decir 25%.
(f) La potencia de salida, Po = 2nnsR = 9.472 X 10:; 896.81 W. El factor de potencia de en-
trada, PF = 896.81/1970.84 = 0.455 (atrasado).

Nota. Debido al ngulo de retraso, ex, la componente fundamental de la corriente de lnea


de entrada tambin est retrasada con respecto al voltaje de fase de entrada.

5-8 SEMICONVERTIDORES TRIFASICOS

Los semiconvertidores trifsicos se utilizan en aplicaciones industriales hasta el nivel de 120 kW,
en los que se requiere de una operacin de un cuadrante. Conforme aumenta el ngulo de retraso
se reduce el factor de potencia de este convertidor, aunque es mejor que el de los convertidores
trifsicos de media onda. En la figura 5-8a se muestra un semiconvertidor trifsico con una carga
altamente inductiva, la corriente de carga tiene un contenido de componentes ondulatorias despre-
ciable.
La figura 5-8b muestra las formas de onda de los voltajes de entrada, del voltaje de salida,
de la corriente de entrada y de la corriente a travs de los tiristores y diodos. La frecuencia del
voltaje de salida es 3fs. El ngulo de retraso, ex, se puede variar desde O hasta 1t. Durante el
perodo 1t/6 ::;ro( < 71t/6, el tiristor TI tiene polarizacin directa o positiva. Si TI se dispara en rol =
(1t/6 + ex), TI y DI conducen y el voltaje de lnea a lnea Vea aparecer a travs de la carga. En ex =
1t/6, Vea empieza a ser negativo y el diodo de marcha libre Dm conduce. La corriente de carga con-
tinuar fluyendo a travs de Dm, y TI Y DI se desactivarn.
Si no existe un diodo de marcha libre, TI contina conduciendo hasta que el tiristor T2 se
dispara en rol = 51t/6 + ex y la accin de marcha libre a travs de TI y D2. Si ex ::; 1t/3, cada tiristor
conduce durante 21t/3 y el diodo de marcha libre D no conduce. La formas de onda de un semi-
convertidor trifsico con ex ::; 1t/3 se muestran en la figura 5-9.
Si definimos los tres voltajes dcllnea a neutro como sigue:
Van = V", sen wt
Vhn = Vm sen(wt _ 2;)
Ven = Vm sen (wt + 2;),
Los voltajes lnea a lnea correspondientes son

Vae = Van - Ven = V3 V", sen (wt - ~)


Vha = Vhn - Van = V3 Vm sen (wt _ 5;)

Sec.5-8 Semiconvertidores trifsicos 153


a
, T,
,
~ Tz
\
T3
lo .1.
+

- l.

\n bt v.o lb
IT2
ir3
j)Dm Carga
altamente
( e t Vc le
Inductiva

10m
02 03 O,
102 103 ID,

(a) Circuito

'~ctivado

__ _J __ van

.. I
I
O~~++~~--~--~~~~~~--~--~HH-rrr~~----~~t+++~~~--~wt

o
iTl. ID,

O
IT2. i02

O ~-----------+----------------~--~----------~~----------------~wt ~ +a
6
IT3.103 I
O
10m

O
i I,

(b) Formas de onda para a = 90'

Figura 5-8 Serniconvertidor trifsico.

-'~---------------------------------------------------~~~---------~~---~~
'154 Los rectificadores controlados Cap. 5
T,D3 T2D, T3D2 T,D3
Activado 1:3 D3"1--1__
._T_,_D_'-.I_.
__
"....4_T_2_D2_..-j_4_T_3_D_l--Jo-1
v

(l)t

(l)t

o 1t 1t (l)t
in ~+a ~'+a:
'6 6 "2 6. :
la r---~-----------; ,,
O
1t (l)t
i02 !!-+a
'6, 6,
la
,,,
,
O
(l)t
in
la

O
i03 ~+a: '0:+(1: (l)t
6, :
la , 6: , r:------------~---,
,,
,
O
n (l)t
iT3
2"
la

io,
O~--~--------------~------~~-+--------~-----
'6
1t (l)t
la

o
ia
~-r--~~----------~~------~--~--------~----'_
n n (l)t
la
'6 2"

~+a (l)t
6
-la

Figura 5-9 Scmconvertidor trifsico para (1~ rc/3.

Sec.5-8 Semi convertidores trifsicos 155


Veb = Ven - Vhn = \13 Vm sen (wt + ~)

Vah = van - Vhn = \13 Vm sen (wt + ~)

donde Vm es el voltaje pico de fase de una alimentacin conectada en estrella.


Para a. ~ n/3 y un voltaje discontinuo de salida: el voltaje promedio de salida se determina a
partir de

Ved
3
= -21T J77T/6
Vac d(wt) 3 J77T/6
= -2 r:
V3 Vm
( 1T)
sen wt - -6 d(wt)
7T/6+" 1T 7T/60 (X
(5-54)

= 21T Vm (1 +
3\13 COS a )

El mximo voltaje promedio de salida que ocurre a un ngulo de retraso a. = Oes Vdm = 3{3 Vm/n
y el voltaje promedio de salida normalizado es
Ved
Vn =- = 0.5(1 + cos a) (5-55)
v.,
El voltaje rms de salida se determina a partir de

Vrms
_ [321T
-
J77T/6
7T/6+" 3V m sen
2 2 (
wt
_~)
6 d(wt)
] 1/2

(5-56)

3 ( 1 )] 1/2
= \13 Vm [ 41T 1T - a + "2 sen 2a

Para a. .:;n/3, y un voltaje de salida continuo:

ved == -231T [J7T/2


Vah
d( wt) + J57T/6+<>
Vae d(wt) ] = 3\1321T v, (1 + cos o)
<-< (5-54a)
7T/6+<> 7T/2

Ved
Vil =V = 0.5( 1 + cos a) (5-55a)
dm

3 J7T/2
Vrms = [ -2
1T 7T/6+"
V~h d(wt) + J57T/6+"
7T/2
V;c d(wt)
] 1/2

(5-56a)
3 (21T )] 1/2
= \13 Vm [ 41T "3 + \13 cos- a

Ejemplo 5-9
Repita el Ejemplo 5-8 para el semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a.
Solucin El voltaje de fase es Vs 208/"3 = 120.1 V, Vm ,f}Ys = 169.83, Vn = = = 0.5 y R = 10
n. El voltaje de salida mximo es .

Vd = 3V3 Vn = 3V3 x 169.83 = 280.9 V


m 7T 7T

El voltaje promedio de salida Ved = 0.5 X 208.9 = 140.45 V.

156 Los rectificadores controlados Cap. 5


(a) Para ex. ~ rt/3 y la ecuacin (5-55), obtenemos VII ~ (1 + cos rt/3)/2 75%. Con una car- =
ga resistiva y una salida del 50%, el voltaje de salida es discontinuo. De la ecuacin (5-55), 0.5 =
0.5/(1 + cos ) lo que nos da un ngulo de retraso ex. 90. =
(b) La corriente promedio de salida Icd Vcd/R = =
140.45/10 = 14.05 A. De la ecuacin
(5-56),

Vrms = V3 x 169.83 [:17' (17' - i + 0.5 sen 2 x 90) ] 1/2 = 180.13 V

=
Y la corriente de carga rrns lnns 180.13/10 18.01 A. =
(e) La corriente promedio de un tiristor lA Icd/3 14.05/3 = = = 14.68 A Y la corriente rms de
=
un tiristor IR InnJ{3 =
18.01/~3 10.4 A. =
(d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es
140.45 x 14.05
TI = 180.13 x 18.01 = 0.608 o 60.8%
(e) Dado que un tiristor conduce durante 2rt/3, la corriente de lnea rms de entrada es ls =
=
lrms ~ -213 14.71 A. La especificacin en volt-amperes de entrada, VI 3VJs 3 x 120.1 x = =
= =
14.71 5300. De la ecuacin (3-49), TUF 140.45 x 14.05/5300 0.372. =
=
(f) La potencia de salida Po = Pnns R = 18.01' x 10 3243.6 W. El factor de potencia de
entrada es PF = 3243.6/5300 = 0.612 (atrasado).

Nota. El factor de potencia es mejor que el de los convertidores trifsicos de media onda.

5-8.1 Semiconvertidores trifsicos con carga RL

El voltaje de salida del semi convertidor trifsico de la figura 5-8a ser continuo o discontinuo de-
pendiendo del valor del ngulo de retraso a. En cualquier caso la forma de onda de salida se pue-
de dividir en dos intervalos.

Caso 1: voltaje de salida continuo. Para a ::;rt/3, la forma de onda del voltaje de
salida aparece en la figura 5-9.
Intervalo 1 para rt/6 + a ~ rol ~ rt/2: conducen el tiristor TI y el diodo D3. El voltaje de sali-
da se convierte en
7r 7r
Va = Vab = v2 Vab sen (wt + ~) para '6 + el! ::5 wt ::5 '2
donde Vab es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. La corriente de carga tu durante el intervalo 1
se puede determinar a partir de

L
dhl.
dt + RlL1 + E = rx .(
v 2 Vab sen wt
7r)
+ '6
=
con las condiciones lmite Ll(rol = rt/6 + a) lt e iLl(rol = rt/2) lu. =
Intervalo 2 para rt/2 s rot::; 5rc/6 + a: conducen el tiristor TI y el diodo DI. El voltaje de sa-
lida se convierte en

Vo = Val' = v2 V(lC sen (wt ~~)

Sec.5-8 Semiconvertidores trifsicos 157


La corriente de carga iL2 durante el intervalo 2 se puede determinar a partir de

diL2. + RIL2 + E
L dt =
~ ;:;- 7T)
v 2 V,/(' sen ( wt - 6"

con las condiciones lmite iL2((J.)( = rc/2)= fu e L2(ro( = 5rc/6+ a) = Ii.

Caso 2: voltaje de salida discontinuo. Para a ~ rc/3, la forma de onda del voltaje
de salida se muestra en la figura 5-8b.
Intervalo 1para rc/2~ rot ~ rc/6 + a: conduce el diodo Dm. El voltaje de salida es cero, Vo =
O para rc/2~ ex ~ rc/6 + a. La corriente de carga iLl durante el intervalo 1 se puede determinar a
partir de
di., . 7T 7T
L dt + RILl +E = O para 2" :S wt :S 6" + a
con las condiciones lmite L,(wt = rc/2)= fr.", e iu(ro( = rc/6+ a) = fu.
Intervalo 2 para rc/6 + a s ro( s 7rc/6:conducen el tiristor T, y el diodo DI. El voltaje de sa-
lida se convierte en
7T 77T
V(/ = Vac = v2 Vac sen (wt - i) para 6" + a :S wt :S '6
donde Vca es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. La corriente de carga iL2 durante el intervalo 2
se puede determinar a partir de
diL2. + RlL2 + E = v;:;- 7T) 7T 77T
L dt 2 Vac sen ( wt - 6" para 6" + a :S wt :S '6
con las condiciones lmite 1L2(WI = rc/6+ a) = lt: e h2(W( = 7rc/6) = lu-

59 CONVERTIDORES TRIFASICOS COMPLETOS

Los convertidores trifsicos se utilizan ampliamente en aplicaciones industriales hasta el nivel de


220 kW, en las que se requiere de una operacin en dos cuadrantes. En la figura 5-l0a se muestra
un circuito de convertidor completo, con una carga inductiva alta. Este circuito se conoce como
puente trifsico. Los tiristores se disparan a intervalos de rc/3.La fr~ncia d[ voltaje de la com-
ponente ondulat~~iade saj<Jaes 6j; siendo la necesidad de "{iltrajemenor~quelade1OSco-verti-
.dores trifSicos'semi y de meda ondi:-"lt =-1i16"+a:;-eur'slor'T'ya conduce y' eIlistorr;- se
-activa~-Durteel interva'(rc/6'+'0,) s rol s (rc/2+ a) conducen los tiristores TI y T6 y a travs de
la carga aparece el voltaje lnea a lnea Vab(= Van - Vbn). En rol = rc/2 + a, el tiristor T2 se dispara y
el tiristor T6 de inmediato invierte su polaridad. T6 se desactiva debido a la conmutacin natural.
Durante el intervalo (rc/2+ a) ::;ex ::;(5rc/6+ a), los tiristores TI y T2 conducen y el voltaje de l-
nea a lnea, Vca, aparece a travs de la carga. Si los tiristores se numeran tal y como se muestra en
la figura 5-10a, la secuencia de disparo es 12,23,34,45,56 y 61. En la figura 5-10b aparecen las
formas de onda para el voltaje de entrada, para el voltaje de salida, para la corriente de entrada y
las corrientes a travs de los tiristores.

158 Los rectificadores controlados Cap. 5


o CAlt
+0
in + l.

O CAlt

ilO
" +0
6" .!! + o
6
+ l.

O CAlt

il i,

O CAlt
"
6" +0 .!.11I. +.,
6
io
l.
Corriente de carga
O wt
lb) Formas de onda a .lr/3

Figura 5-10 Convertidor trifsico completo.

Sec.5-9 Convertidores trifsicos completos 159


Si los voltajes de lnea a neutro se definen como

Van = Vm sen wt
Vhn = Vm sen (wt _ 2;)

Ven = v, sen(wt + 2;)


los voltajes lnea a lnea correspondientes son

Vah = Van - Vhn = Y3 Vm sen (wt + i)


Vhe = Vhn - Ven = Y3 v, sen (wt - ~)
Vea = Ven - Van = Y3 Vm sen (wt + ~)
El voltaje promedio de salida se determina a partir de

Ved = -'TT3 J"12+'"


"16+,,
Vah d(wt) = -
3 J"I2+"
'TT ,,16+a Y3 Vmsen ('TT)
wt + -6 d(wt}

El mximo voltaje promedio de salida, para el ngulo de retraso ex= Oes

V
dm -
- 3Y3'TT Vm

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Ved
Vn = -Vdm = COS ex (S-58)

El valor rms del voltaje de salida se determina a partir de

Vrms = [ ;.3 J"12+"


"16+,,
('TT)]
3 V~ sen? wt + 6" d(wt}
112
(5-59)
1 3Y3 )112
= Y3 Vm ( "2 + 4'TT COS 2a:

En la figura 5-1 Obse muestran las formas de onda para ex= re/3. Para ex> re/3, el voltaje ins-
tantneo de salida v, tendr una parte negativa. Dado que la corriente a travs de los tiristores no
puede ser negativa, la corriente de carga ser siempre positiva. Por lo tanto, en el caso de una car-
ga resistiva, el voltaje de carga instantneo no puede ser negativo, y el convertidor completo se
comportar como un semiconvertidor.

160 Los rectificadores controlados Cap. 5


Un puente trifsico.origina un voltai~.J1.e._sallila_deseis pul~s.._Eara_.apli.caciQn~~9~l_ta po-
tencial. 9QIDoJatransmisin .de ca d.~..aIto v()l,,il<yJ.propuls.iqn.<le 1ll0t9r~.s4ecd, se requiere nor-
-malmente de una salida.Q~_lf.'pulsos para rcduc:irJ.~ C:9mponentesondulatorias de-sailda 'y para
a~-mentarlifrecuenci; de las nl"islnas;'Paraproducir una salldaefecdva de 12'plss sepuede'
'combinar dbs-ptietes'oe seisJulsos en serie o en paralelo. En la figura 5-11 se presentan dos con-
figuraciones. Mediante la conexin de uno de los secundarios en estrella (Y) y el otro en delta (.1)
es posible obtener un desplazamiento de fase de 30 entre los embobinados secundarios.

Ejemplo 5-10
Repita el ejemplo 5-8 para el convertidor completo trifsico de la figura S-lOa.
Solucin El voltaje de fase es Vs = 208/-1 3 = 120.1 V, Vm = {2Vs = 169.83, Vn = 0.5, Y R = 10
Q. El voltaje mximo de salida Vdm = 3 {3 V mire= 3-1"3 x 169.83/re = 280.9 V. El voltaje prome-
dio de salida Ved = 0.5 x 280.9 = 140.45 V.
(a) De la ecuacin (5-58), 0.5 = cos a, y el ngulo de retraso a = 60.
(b) La corriente promedio de salida Icd = VcctlR = 140.45/10 = 14.05 A. De la ecuacin
(5-59),

Vrm, = Y3 1 3Y3
x 169.83 [ 2 + 41T cos(2 x 60)
] 1/2 = 159.29 V

y la corriente nns Inns = 159.29/10 = 15.93 A.


(c) La corriente promedio del tiristor lA lal/3 14.05/3= = = 4.68 A Y la corriente nns de un
= =
tiristor IR 1rrrJ3" 2/6 15.93" 2/6 = 9.2 A.
(d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es

= 140.45 x 14.05 = O 778 o 77.8%


r 159.29 x 15.93 .

= =
(e) La corriente de lnea de entrada nns Is Irrns " 4/6 13 A Y la clasificacin de volt-arn-
= = =
peres de entrada, VI 3VJs 3 x 120.1 x 13 4683.9 W. De la ecuacin (3-49), TUF 140.45 =
x 14.05/4683.9 = 0.421.
=
(f) La potencia de salida Po 2rrnsR = 15.932 x 10 = 2537.6 W. El factor de potencia PF =
2537.6/4683.9 = 0.542 (atrasado).

Nota. El factor de potencia es menor que el de los semiconvertidores trifsicos, pero mayor
que el de los convertidores trifsicos de media onda.

Ejemplo 511
La corriente de carga del convertidor completo trifsico de la figura 5-lOa es continua con un
contenido de componentes ondulatorias despreciable. (a) Exprese la corriente de entrada en se-
ries de Fourier, determinando el factor armnico HF de la corriente de entrada, el factor de des-
plazamiento DF y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso o. = 1C/3,calcule
V"' HF, DF y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-10b y la co-
rriente instantnea de entrada de una fase puede expresarse en una serie de Fourier de la forma

i,.(t) = Ide + (an cos nwt + b; sen nwt)


n~ 1.2 ...

Sec.5-9 Convertidores trifsicos completos 161


(a) Serie

(b) Paralelo

Figura S}} Configuraciones para una salida de 12 pulsos.

162 Los rectificadores controlados Cap. 5


donde

I ]21T.
a., = loo = 21T' o ls(t) d(wt) = O

a" = -
I ]21T i,(t) cos nwt d(wt)
1T' o

= -'I [JI1T/6+" 1" cos nwt d(wt) - JI 11T/6+" 1" cos nwt d(wt) J
1T' 1T/6+" 71T/6+"

= - _41a sen -n1T' sen na para n = 1, 3, 5, . . .


n1T' 3
= O para n = 2, 4, 6, .

I ]271'
b; = - i,(t) sen nwt d(wt)
1T' o

= -I [JI1T/6+a
- 1" sen nwt d(wt) - JII1T/6+a
1" sen nwt d(wt) J
1T rr/6+a 71(/6+a.

41 n1T'
= _" sen -3 cos na para n = 1, 3, 5, . . .
n1T'

=O para n = 2, 4, 6, ...
Dado que Icd = O, la corriente de entrada se puede escribir como

iJt) = _ v2 1", sen(nwt + ep,,)


/1= 1.3.5 ...

donde

ep/1 = tan- l -a" = = rux (5-60)


b"
El valor rms de la corriente de la ensima armnica de entrada est dado por

l en -- _1_'( 2
_ r.:; a" +"b2)1/2 _- 2v2 1" n1T'
sen -3 (5-61)
. v2 n1T'

El valor rms de la corriente fundamental es

Isl
V6
= -1" = 0.7797/"
1T'

La corriente rms de entrada

t, = [ -221T' J51T/6+"
,,/6+0<
I~ d(wt)
] 1/2 ~
= 1" '3 = 0.8165/"

HF = [(;:Y - Ir = [(f - Ir = 0.3108 O' 31.08%

DF = cos epi = cos -a

PF = Isl
t,
COS - a = ~1T' COS a = 0.9549 DF

Sec.5-9 Convertidores trifsicos completos 163


(b) Para o. = 1t/3, Vn = cos(1t/3) = 0.5 pu, HF = 31.08%, DF = cos 60 = 0.5, y PF = 0.478 (atrs).

Nota. Si comparamos el factor de potencia con el del ejemplo 5-8, donde la carga es pura-
mente resistiva, podremos notar que el factor de potencia de entrada depende del factor de poten-
cia de la carga.

5-9.1 Convertidor trifsico completo con carga RL

De la figura 5-10b, el voltaje de salida es


7T 7T
u" = Uah = v'2 Vah sen (wt + ~) para 6" + o: :S wt :S 2" + o:

7T ,27T
= v'2 Vah sen wt' para 3" + o: :S wt :S 3 + o:
=
donde (J)l' (J)l + 1t/6, Y Vah es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. Seleccionando Vab como el
voltaje de referencia de tiempo, se puede encontrar la corriente de carga i a partir de
7T ,27T
diL + R'IL + E = ';;-2V
L dt V L ah sen w t' para 3" + o: :S wt :S 3 + o:
cuya solucin a partir de la ecuacin (3-81) es

. = v'2 Vab sen(wt


tt.
,
- (J) -
E
-
Z R (5-62)

+ [ 1 + -E - v'2 V"b - + o: -
sen (7T)] (J efRILJI(1TI3+Q.)lw-t ,1
LI R Z 3
donde Z = [R2 + (J)L)2]l/2y e = tan" (J)LlR). En una condicin de rgimen permanente, h(J)( =
2Te/3 + ex) = h(J)' = 1t/3 + ex) = lu. Aplicando esta condicin a la ecuacin (5-62), obtenemos el
valor de lu como
v'2 Vab sen(27T/3 + o: - (J) - sen(7T/3 + o: - (J)e-(RIL)f1T13w)
lu = Z 1_ e-(RIL)(1T13w)
(5-63)
E
para hl 2: O
R

Ejemplo 512*
El convertidor completo trifsico de la figura 5-10a tiene una carga L = 1.5 rnH, R = 2.5 n y E =
=
10 V. El voltaje de entrada. lnea a lnea es Vab 208 V (rms), 60 Hz, El ngulo de retraso es o. =
Te/3. Determine (a) la corriente de carga de rgimen permanente lt: en rol' = 1t/3 + o. (o tambin
rol = 1t/6 + 0.), (b) la corriente promedio del tiristor lA, (e) la corriente rms del tiristor IR, (d) la
corriente rms de salida Irrns y (e) la corriente promedio de salida led.
= = = =
Solucin o. 1t/3, R 2.5 n, L 1.5 mH, f 60 Hz, ro 21t x 60 377 rad/s, Vab 208 V, = = =
= =
Z [R2 + (roL)2]l/2 256 n y 9 tan-1(roLJR)= 12,74. =
(a) La corriente de carga en rgimen permanente en rol' 1t/3 + 0., tu 20.49 A. = =
(b) La integracin numrica de iL en la ecuacin (3-62), entre los lmites ro!' = 1t/3 + o.
hasta 21t/3 + 0., proporciona la corriente promedio del tiristor, lA 17.42 A. =

164 Los rectificadores controlados Cap. 5


(c) Mediante la integracin numrica de 'f., entre los lmites rol' = re/3+ n hasta 2re/3+ e,
obtenemosla corrienterms del tiristorIR = 31.32 A.
= =
(d) La corrienterms de salida Irrm ...J3JR -{3x 31.32 = 54.25 A.
(e) La corrientepromediode salida lro = 3/A = 3 x 17.42= 52.26 A.

5-10 CONVERTIDORES TRIFASICOS DUALES

En muchos propulsores de velocidad variable se requiere normalmente de una operacin en los


cuatro cuadrantes, y en aplicaciones hasta el nivel de los 2000 kW se utilizan en forma extensa
convertidores trifsicos duales. En la fgura 5-12a se muestran convertidores trifsicos duales en
los que dos convertidores trifsicos estn conectados espalda con espalda. Vimos en la seccin
5-5 que debido a diferencias instantneas de voltaje entre los voltajes de salida de los convertido-
res, fluye una corriente circulante a travs de los convertidores. La corriente circulante est por lo
general limitada por el reactor circulante, L" tal y como se muestra en la figura 5-12a. Los dos
convertidores estn controlados de tal forma que si al es el ngulo de retraso del convertidor 1, el
ngulo de retraso del convertidor 2 es a2 = re- al. En la figura 5-10b se muestran las formas de
onda de los voltajes de entrada, los voltajes de salida y el voltaje a travs del inductor L; La ope-
racin de cada convertidor es idntica a la de un convertidor trifsico completo. Durante el inter-
valo (re/6 + al) :5: rol :5: (re/2 + al), el voltaje lnea a lnea Vab aparece a travs de la salida del
convertidor 1 y Vbc aparece a travs del convertidor 2.
Si los voltajes lnea a neutro se definen como

V"n = VI/1 sen wt


Vhn = VIII sen (wt _ 2;)

Ven = V,,, sen (wt + 2;)


los voltajes correspondientes lnea a lnea son

V"h = Viln - Vhn = V3 Vm sen (wt + ~)

Vhe = Vhn - Vcn = V3 V,,, sen (wt - ~)


Vea = Ven - Viln = V3 Vm sen (wt + 5;)
Si Vol Y Vo2 son los voltajes de salida de los convertidores 1 y 2, respectivamente, el voltaje instan-
tneo a travs del inductor durante el intervalo (re/6+ al) :5: rol:5: (re/2+ al) ser
VI' = Vol + Vo2 = Vah - Vhc

= V3 v, [ sen (wt + ~) - sen (wt - ~) ] (5-64)

= 3Vm cos (wt - ~)

Sec.5-10 Convertidores trifsicos duales 165


b. b.
ic 2 2
++v- + v-
-t- -j-
r, io

a ~

Tz
+

(a) Circuito

Activado

~ __~ ~ ~ -L.~ L- -L ~ ~wt

._-------------+I.---q~2--+I~ Voltaje del inductor

(b) Formas de onda

Figura 5-12 Convertidor trifsico dual.

166 Los rectificadores controlados Cap. 5


La corriente circulante se puede determinar a partir de

.
1,.(1) = -L
I fWI
V,. d(wt) = l fWI
-L 3 VIII cos
(7T)
wt - -6 d(wt)
W l' "!('dul W r rr/6-ful
(5-65)

= 3wL
VII7r [
sen (7T)
wt - 6" - sen al ]

La corriente circulante depende del ngulo de retraso al Y de la inductancia L; Esta corriente se


hace mxima cuando (1)( = 21t/3 y al = O. Aun en ausencia de cualquier carga externa, los conver-
tidores estaran activados continuamente debido a la corriente circulante como resultado de un
voltaje de componente ondulatoria a travs del inductor. Esto permite una inversin suave de la
corriente de carga durante el paso de una operacin de un cuadrante a otro proporcionando res-
puestas dinmicas rpidas, especialmente en el caso de propulsiones de motores elctricos.

5-11 MEJORAS AL FACTOR DE POTENCIA

El factor de potencia de los convertidores controlados por fase depende del ngulo de retraso a, y
es por lo general bajo, especialmente en rangos bajos del voltaje de salida. Estos convertidores ge-
neran armnicas en la alimentacin. Las conmutaciones forzadas pueden mejorar el factor de po-
tencia de entrada y reducir los niveles de armnicas. Estas tcnicas de conmutacin forzada son
cada vez ms atractivas para la conversin de ca a cd. Con los adelantos tecnolgicos en dispositi-
vos semiconductores de potencia (por ejemplo los tiristores con desactivacin por compuerta) la
conmutacin forzada se puede poner en operacin en sistemas prcticos. En esta seccin se anali-
zarn las tcnicas bsicas de la conmutacin forzada para convertidores de ca a cd, que se pueden
clasificar como sigue:

1. Control del ngulo d~ extinci:


2. Control del ngulo simtrico
3. Modulacin del ancho de pulso
4. Modulacin senoidal del ancho de pulso

5-11.1 Control del ngulo de extincin

En la figura 5-13a se muestra un semiconvertidor monofsico, en el que los tiristores TI y T2 han


sido reemplazados por los interruptores SI y S2. Las acciones de conmutacin de SI y S2 pueden
llevarse a cabo por tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). Las caractersticas de los
GTO son tales que un GTO se puede activar mediante la aplicacin de un corto pulso positivo a
su compuerta, como en el caso de los tiristores normales, y se puede desactivar mediante un corto
pulso negativo a su compuerta.
En el control del ngulo de extincin, el interruptr SI es activado en (1)( O y desactiva- =
do mediante conmutacin forzada en (1)( = 1t - ~. El interruptor S2 es activado en (1)( 1t Y de- =
=
sactivado en (1)( (21t - ~). El voltaje de salida se controla mediante la variacin del ngulo de
extincin, ~. En la figura 5-13b se muestran las formas de onda para el voltaje de entrada, el
voltaje de salida, la corriente de entrada y la corriente a travs de los tiristores interruptores.

Sec.5-11 Mejoras al factor de potencia 167


y. = Vm sen rot

wt
iTl
l.

O wt
in l.
in

r- ~_,,
wt
-, +1 O
. Sl:-~ 1 5
i\21
1
1
io l.
iam
..wt
'-_ _..J L_ ....J Yo O
+
t y. i.
in
Om l Carga J
i.

01 ~ O2

iOM I.~---------------------------- Corriente de carga


- ol--------------------wt
(a) Circuito (b) Formas de onda

Figura 5-13 Scmiconvertidor monofsico de conmutacin forzada.

La componente fundamental de la corriente de entrada est adelantada respecto al voltaje de en-


trada, y el factor de desplazamiento (as como el factor de potencia) esta en adelanto. En algunas
aplicaciones, esta caracterstica puede ser conveniente para simular una carga capacitiva y com-
pensar por cadas de voltaje en lnea.
El voltaje promedio de salida se determina a partir de

Ved = -22 1"-13 Vm sen wt d(wt) = -v, (1 + cos {3) (5-66)


~ o ~
y Vcd se puede variar desde 2V mire hasta O, variando P de O hasta re. El voltaje rms de salida est
dado por

2 ("-il ] 1/2
Vrms = [ 2~ Jo V~nsen? wt d(wt)
(5-67)
_
_- Vm [1- ( ~-f3+-- sen 2f3)]1/2
v'2 tt 2
En la figura 5-l4a aparece un convertidor monofsico completo, en el que los tiristores TI,
T2, T3 Y T4 han sido reemplazados por interruptores de conmutacin forzada SI, S2, S3 y S4. Cada
uno de los interruptores conduce durante 180. Los interruptores SI y S2 estn ambos activos des-
de rol = Ohasta rol = re- p y proporcionan potencia a la carga durante el medio ciclo positivo de

168 Los rectificadores controlados Cap. 5


voltaje de entrada. En forma similar, los interruptores 53 y 54 estn activos desde ro( 1t hasta ex = =
1t _ ~ y proporcionan potencia a la carga durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada.
En caso de cargas inductivas, debe proporcionarse una trayectoria de marcha libre para la corrien-
te de carga mediante los interruptores 5,54 o bien 5352 La secuencia de disparo sera 12, 14,43 Y
32. En la figura 5-14b se puede observar las formas de onda para el voltaje de entrada, para el vol-
taje de salida, para la corriente de entrada y para las corrientes a travs de los interruptores. Cada
interruptor conduce durante 1800 operndose este convertidor como un semiconvertidor. La ac-
cin de marcha libre se lleva a cabo a travs de dos de los interruptores de un mismo brazo. Los
voltajes de salida promedio y rms se expresan en las ecuaciones (5-66) y (5-67), respectivamente.
El rendimiento de los convertidores semi y completos con control de ngulo de extincin es
similar a los de control de ngulo de fase, excepto porque el factor de potencia es adelantado. En
el caso del control por ngulo de fase, el factor de potencia es atrasado.

5-11.2 Control del ngulo simtrico

El control del ngulo simtrico permite la operacin en un cuadrante, en la figura 5-13a se mues-
tra un semiconvertidor monofsico con interruptores S, y 52 de conmutacin forzada. El interrup-

v.
S, S2 I S, s, I S,S3 1s3s21
Vm
_- V. = Vm sen eor

in

in
o f-i.-T2--...J...------L-_,:..---.L...--wl
r-
,) -,IS ~-iS 1+ iQ=.I
f-'->---,I.

+
o-t -t '.I c.~.I
_V._it_L..I-TI-\,_-,_I_' _~_- ...

r- ..,
O~--~----~-------'_-~
2" - fJ 1 ,

I "'l 'S
I I
~ -f-_J
1.1-------------- Corriente de carga

(a) Circuito
O~---------------~ (b) Formas de onda

Figura 5-14 Convertidor monofsico completo de conmutacin forzada.

Sec.5-11 Mejoras al factor de potencia 169

'.",";" ..;;.".,,,--...... _---------------------~~-----------


tor SI se activa en wt = (1t - ~)/2 y se desactiva en Wt = (1t + ~)/2. El interruptor S2 se activa en Wt
= (31t - ~)/2 y se desactiva en Wt = (31t + ~)l2. El voltaje de salida es controlado mediante la va-
riacin del ngulo de conduccin ~. Las seales de compuerta son generadas al comparar las on-
das semisenoidales con una seal de cd, tal y como se muestra en la figura 5-15b. La figura S-ISa
muestra las formas de onda del voltaje de entrada, del voltaje de salida, de la corriente de entrada
y de la corriente a travs de los interruptores. La componente fundamental de la corriente de en-
trada est en fase con el voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento es la unidad. De tal for-
ma, el factor de potencia queda mejorado.
El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de
2 f(lT+/3)/2 2Vm f3
V cd = -27T' Vm sen wt d(wt) = -,-7T' sen -2 (5-68)
(lT-{3)/2

y al variar ~ desde 1t hasta O, se puede variar Ved desde 2V"J1t hasta O. El voltaje rms de salida est
dado por

Vrms
_ [l_
- 2
f(lT+{3)/2 2 2
V", sen wt d(wt)
] 1/2
7T' (lT-{3)/2
(5-69)
V [l ] 1/2
= ~ -; (f3 + sen f3)
Ejemplo 5-13
El convertidor completo monofsico de la figura 5-14a se opera con control de ngulo simtrico.
La corriente de carga con un valor promedio de la es continua, siendo la componente ondulatoria
despreciable. (a) Exprese la corriente de entrada del convertidor con una serie de Fourier y deter-
mine el factor armnico HF de la corriente de entrada, el factor de desplazamiento DF y el factor
de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de conduccin es b 1t/3 Y el voltaje pico de entrada =
es V",= 169.83 V, calcule Ved, Vrms- HF, DF Y PF.
Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura S-ISa, y la co-
rriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma

s(t) = Ide + :" (a" cos nwt + b, sen nwt)


ti= 1.2" ..

donde

a = Icd = -2l1T [J(lT+{3)/2


(,,-{j)/2
1" d(wt) -
Ji3"+{3)/2
13,,-{3l/2
, 1" d(wt)
]
== O

an = -I f2rr i,(t) cos nwt d(wt) = O


7T' o '

b, == -
l J21r s(t) sen nwt d(wt) = -4/" sen-n{3
2 para n = 1, 3, . . .
1T o n1T

=O para n = 2, 4, ...

Dado que lro = O, la corriente de entrada se puede escribir


,(t) = :" v2 1" sen(nwt + 1J,,) (5-70)
,,= 1.3.5""

170 Los rectificadores controlados Cap. 5


Vs

Vm

o
wt
Vo

Vm

o
wt
isl

o
wt
is2

o 1t 21t wt
is
sI

o ,,
,(J)t
io

la
Corriente de carga

O
wt
(a)
V
v,
Ve
A,
-Ac
'1
O wt

O wt
(b)

Figura 5-15 Control del ngulo simtrico.

Sec.5-11 Mejoras al factor de potencia 171

..<.l'.#"'
..... """ .... _
donde

cp = tan- 1 -al/
1/ hl/
= O (5-71)

El valor rms de la corriente de entrada de la ensima armnica est dado por

__ 1_
ISIl - ,
2 2 1/2
;;- (al/ + h,,)
_
-
2\12 1(/ sen nf3
2 (5-72)
v2 ntt
El valor rms de la corriente fundamental es

1,1 =
.
2\12
n
1(/sen!i2 (5-73)

La corriente rms de entrada se encuentra como

I,=I(/~ (5-74)

HF = [ (1"1
1 )2
- 1
]1/2
=
[n4(f31 - cos f3) -
]1/2
(5-75)

DF = cos ePI = l (5-76)

PF = (~) DF = 2\12 sen!i (5-77)


1, V3; 2
(b) ~ :: n/3 y DF:: 1.0. De la ecuacin (5-68)

169.83) tt
Ved = (2 X -n- sen '6 = 54.06 V

De la ecuacin (5-69),

1.11 = 1(/ ~ ( 2\12) sen '6tt = 0.45021"


15 = t,~ = 0.5774(,

HF = [ e,J -
I 1 ]
1 '-
1"
= 0.803 o 80.3%

PF = I;,1 = 0.7797 (atrasado)

Nota. El factor de potencia ha mejorado en forma significativa, aun ms alto que el del con-
vertidor monofsico completo en serie de la figura 5-6a. Sin embargo, el factor armnico ha au-
mentado.

5-11.3 Control por modulacin del ancho de pulso

Si se controla el voltaje de salida de los convertidores monofsicos semi o completos, mediante la


variacin del ngulo de retraso, el ngulo de extincin o el ngulo simtrico, slo habr un pulso

172 Los rectificadores controlados Cap. 5


por cada medio ciclo en la corriente de entrada del convertidor, como resultado la armnica de
menor orden ser la tercera. Resulta difcil filtrar una corriente armnica de orden menor. En el
control por modulacin del ancho de pulso (PWM), los conmutadores del convertidor se cierran
y se abren varias veces durante medio ciclo, el voltaje de salida se controla variando el ancho de
los pulsos. Las seales de compuerta se generan comparando una onda triangular con una
seal de corriente directa, tal y como se muestra en la figura 5-16b. La figura 5-16a muestra el
voltaje de entrada, el voltaje de salida y la corriente de entrada. Se pueden eliminar o reducir
armnicas de orden menor, si se selecciona el nmero de pulsos por medio ciclo. Sin embargo, al
aumentar el nmero de pulsos aumentar tambin el nmero de armnicas de orden ms alto, que
se podrn filtrar con facilidad.
Se puede determinar el voltaje de salida y los parmetros de rendimiento del convertidor en
dos pasos: (1) considerando slo un par de pulsos, tales que si uno de ellos inicia en ro( = al y ter-
mina en ro( = al + 01, el otro empieza en ro( = 1t + al y termina en ro( = (1t + al + 01), Y (2) combi-
nando los efectos de todos los pares. Si el pulso de orden m se inicia en ro( = am, y su ancho es Om,
el voltaje promedio de salida debido a un nmero p de pulsos se encuentra a partir de

Ved = ~ [2
';:1 27T
J"",Hm
u"' Vm sen wt d(wt)
]
(5-78)

= -v'n f
L.,; [cos am - cosro., + om )]
7T 111=1

Si la corriente de carga con un valor promedio de la es continua y tiene una componente ondulato-
ria despreciable, la corriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de
la forma
ce

(,(t) = Icd +
II~
1.3....
ta; cos rut + b; sen nw() (5-79)

En vista de la simetra de la forma de onda de la corriente de entrada, no existirn armnicas pa-


res, e Icd deber ser O y los coeficientes de la ecuacin (5-79) son

1 (27T
a; = ;. Jo (,(t) cos ruat d(w()

= ~ [1
L.,; -
J"mH", la cos nost d(w) - - 1 J7T+"",H",+ la cos non d(w() ] =O
m=1 11' (tm 7T 11' am

b; i
= -7T1 o27T ,(t)
.
sen non d(wt) (5-80)

=
f
:21
[1;. J"m+8m
a.; la sen non d(wt) -;.
1 J7T+a.,+~;,
7Th", la sen nost d(wt)
]

21 p .
= _0
n7T
2: [cos na.; -
m=1
eos n(am + om)] para n = 1, 3, 5, . .

sse.s-i Mejoras al factor de potencia 173


v

wt

Vo

OP-~~~~~~-L~~~~~~~~U- _
(l)t
S1

!t',, : 2!t 31t (l)t

!t: !t + {1m :2!t 3.1t (ot

la ,1---------------------
corrtente ;de;ca;rga

o~----------------------------------- (l)t
(.a)

11: mt
Vg2

o
lb)

Figura 5-16 Control por modulacin de ancho de pulso.

174 Los rectificadores controlados Cap. 5


La ecuacin (5-79) se puede reescribir
oc

i".(t) = v'2 In sen(nwt + <Pn) (5-81 )


11=i,3 ....

5-11.4 Modulacin senoidal del ancho de pulso

Para controlar el voltaje de salida se puede variar el ancho de los pulsos. Si cada medio ciclo exis-
ten p pulsos de igual ancho, el ancho mximo de un pulso es re/p. Sin embargo, el ancho de los
pulsos puede ser diferente. Es posible seleccionar el ancho de los pulsos, de forma que ciertas ar-
mnicas sean eliminadas. Existen distintos mtodos para variar el ancho de los pulsos, siendo el
ms comn la modulacin senoidal del ancho de pulso (SPWM). En el control senoidal PWM, tal
y como se muestra en la figura 5-17, se generan los anchos de pulso comparando un voltaje de re-
ferencia triangular Vr de amplitud A, y de frecuencia ir, con un voltaje semisenoidal portador Ve
de amplitud variable Ae y de frecuencia 2is. El voltaje senoidal Ve est en fase con el voltaje de
fase de entrada Vs y tiene dos veces la frecuencia de la alimentacin i; El ancho de los pulsos (y
el voltaje de salida) vara al modificar la amplitud Ae o el ndice de modulacin M desde Ohasta 1.

v Seal portadora
A,
v,

",1
6", I
in I + l.
I
O wl
n
16m I 2" 3"

Corriente de carga

O~------------------------------------------_'wl
Figura 517 Control senoidal del ancho de pulso.

sse.s-i Mejoras al factor de potencia 175

\
El ndice de modulacin se define como
A,
M=-A,. (5-82)
. En un control con modulacin senoidal del ancho de pulso, el factor de desplazamiento es la
unidad y el factor de potencia se mejora. Las armnicas de orden menor se eliminan o se reducen.
Por ejemplo, con cuatro pulsos por medio ciclo, la armnica de orden ms reducido es la quinta; y
con seis pulsos por medio ciclo, la armnica de orden menor es la sptima. Se pueden utilizar pro-
gramas de computadora para evaluar los rendimientos del control PWM uniforme y PWM senoi-
dal, respectivamente.

5-12 DISEO DE CIRCUITOS CONVERTIDORES

Para disear circuitos convertidores es necesario determinar las especificaciones de los tiristores y
diodos. Los tiristores y los diodos se especifican mediante la corriente promedio, la corriente rms,
la corriente de pico y el voltaje de pico inverso. En el caso de los rectificadores controlados, las
especificaciones de corriente de los dispositivos dependen del ngulo de retraso (o de control).
Las especificaciones de los dispositivos de potencia deben disearse para la condicin del peor
caso, que ocurre cuando el convertidor entrega el voltaje de salida promedio mximo Vdm-
La salida de los convertidores contiene armnicas que dependen del ngulo de control (o de
retraso) y en la condicin de peor caso generalmente prevalecen bajo la condicin de voltaje de
salida mnima. Se deben disear los filtros de entrada y de salida bajo condiciones de voltaje m-
nimas de salida. En el diseo de convertidores y de filtros los pasos necesarios son similares a los
del diseo de circuitos de rectificadores de la seccin 3-13.
Ejemplo 5-14
Un convertidor trifsico completo se opera a partir de una alimentacin de 230- V 60-Hz. La car-
=
ga es altamente inductiva y la corriente promedio de carga es la 150 A con un contenido de
=
componente ondulatoria despreciable. Si el ngulo de retraso es a re/3, determine las especifi-
caciones de los tiristores.
Solucin Las formas de onda para las corrientes de tiristor se muestran en la figura (5-lOb), Vs
= 230/...[3= 132.79 V, Vm = 187.79 V ya = re/3. De la ecuacin (5-57), Ved = 3({31t) X 187.79
X cos(1t/3) = 155.3 V. La potencia de salida Pcd = 155.3 X 150 = 23,295 W. La corriente prome-
dio a travs del tiristor lA = 150/3 = 50 A. La corriente rms a travs de un tiristor IR = 150{26 =
86..6 A. La corriente de pico a travs de un tiristor IpT = 150 A. El voltaje de pico inverso es la
amplitud pico del voltaje de lnea a lnea PIV =" 3 Vm =" 3 x 187.79 = 325.27 V.
Ejemplo 515*
Un convertidor monofsico, completo tal como el que se muestra en la figura 5-18, utiliza el
control de ngulo de retraso siendo alimentado con 120-V 60-Hz. (a) Utilice el mtodo de las se-
ries de Fourier para obtener expresiones para el voltaje de salida vo(t) y la corriente de carga io(t}
como una funcin del ngulo de retraso a. (b) Si a = re/3, E = 10 V, L = 20 mH y R = 10 n, de-
termine el valor rms de la corriente armnica de menor orden en la carga. (c) Si en la parte (b) se
conecta un capacitor de filtro a travs de la carga, determine el valor del capacitor, necesario pa-
ra reducir la corriente armnica de menor orden al 10% del valor que tendra sin el capacitor. (d)
Utilice PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga as como para calcular la
distorsin armnica total (THD) de la corriente de carga y el factor de potencia de entrada (PF)
con el capacitor de filtro de salida de la parte (e).

176 Los rectificadores controlados Cap. 5


+
R

E
Figura 5-18 Convertidor monofsico
completo con carga RL.

Solucin (a) La forma de onda para el voltaje de salida aparece en la figura 5-3c. La frecuencia
del voltaje de salida es dos veces la de la alimentacin principal. El voltaje instantneo de salida
se puede espaciar ~n una serie de Fourier de la forma

uo(t) = Ved + L (all cos nwt + h; sen nwt) (5-83 )


11=2,4"..

donde
I J27T+<> 2Vm
Ved = -2 Vm sen wt d(wt) = -- cos a
~ <> ~

2 J7T+<> 2Vm [cos(n + I)a' cos(n - )a]


a; = -tt e
V", sen wt cos nwt d(wt) = --
tt n
+ 1 -
n
- 1

b; =;:
2 J7T+<>
e V", senwt sennwt d(wt) = --;-
2Vm lsen(n + )a sen(n -
n + I - n - 1
l)a]
La impedancia total

Z=R + j(nwL) = [R2 + (nwL)2] 1/2 ~

yen = tan -1 (nroL!R). Dividiendo vo(t) de la ecuacin (5-83) entre la impedancia de la carga Z y
simplificando los trminos del seno y el coseno obtenemos la corriente instantnea de carga
como
x

io(t) = led + L v'2 1 11 sen(nwt + <Pn - 8 11) (5-84)


11=2,4 ....

donde led = (Ved - E)/R, q,n = tan-1(a,./bn), y


1 = _1_ (a~ + b~)1/2
11 v'2 V R2 + (nwL)2

(b) Si ex= rc!3,E = 10 V, L = 20 mH, R = IOn, ro = 2rc x 60 = 377 rad/s, Vm = {2 x 120 =


169.71 Vy Ved = 54.02 V.
1
de
= 54.02 - 10
10
= 440
.
A

al = -0.833, b, = -0.866, <PI = 223.9, 81 = 56.45


a2 = 0.433, b2 = -0.173, <P2 = 111.79,82 = 71.65
a3 = -0.029, b3 = 0.297, <P3 = -5S, 83 = 77.53

Sec.5-12 Diseo de circuitos convertidores 177


R

nwL
Figura 519 Circuito equivalente
para armnicas.

iL(t) = 4.4 + 7T[R2 }~~L)2J1/2 [1.2sen(2wt + 223.9 - 56.45)


+ 0.47sen(4wt + 111.79 - 71.65) + 0.3sen(6wt - 5.5" - 77.53) + ... ]

= 4.4 + 7T[10~: ~~:5':~)2]1/2[1.2sen(2wt + 167.45)


+ 0.47sen(4wt + 40.14) + 0.3sen(6wt - 80.03) + ... ] (585)

La segunda armnica es la menor y su valor rrns es


2 x 169.71 (1.2)
[z = 7T[102+ (7.54 X 2)2]112 V2 = 5.07 A

(e) La figura 5-19 muestra el circuito equivalente para las armnicas. Utilizando la regla
del divisor de corrientes, la corriente de armnicas a travs de la carga est dada por
i, lI(nwC)
T" = {R2 + [nwL - 1/(nwC)]2}'/2
Para n = 2 Y = 377,
(J)

t, 1/(2 x 377C)
T" = {102 + [2 x 7.54 - 1/(2 x 377C)J2}'/2= 0.1

=
Yesto da e -fJ70 IlF o bien 793 IlP. Por lo tanto, e 793 IlF. =
(d) El voltaje de pico de la alimentacin Vm = 169.7 V. Para <XI = 60, el retraso de tiempo
11 = (60/360) x (1000/60 Hz) x 1000 = 2777.78 Ils y el retraso de tiempo 12 = (240/360) x
=
(1000/60 Hz) x 1000 11,111.1 us. El circuito del convertidor total monofsico para la simula-
cin PSpice aparece en la figura 5-20a. Los voltajes de compuerta VgI, Vg2, Vg3 y Vg4 para los

Vg'. vg2

2 1",: 1001.15
10 V T: 16.67 ms
Iw 1, = 1, = 1 ns

79311F R
O
t, T T t
vg3. Vg. 2
10 V
,
,
,
, - - - - r- ... _~..,,,
lQV t",
....

O
3 1, T 1, T I
2
(a) Circuito (b) Voltajes de compuerta

Figura 520 Convertidor monofsico completo para la simulacin PSpice

178 Los rectificadores controlados Cap. 5


tiristores se muestran en la figura 5-20b. La definicin de su circuito para el modelo de tiristor
SeR se describi en la seccin 4-14.
La lista del archivo de circuito es la siguiente:

Example 5-15 Single-Phase Full Converter


VS 10 O SIN (O 169.7V 60HZ)
Vg1 6 O PULSE (OV 10V 2777.8US 1NS 1NS 100US 16666.7US)
Vg2 7 O PULSE (OV 10V 2777.8us 1NS 1NS 100US 16666.7US)
Vg3 8 O PULSE (OV 10v 11111.1us lNS lNS 100US 16666.7US)
Vg4 9 O PULSE (OV 10V 11111.1US 1NS lNS 100US 16666.7US)
R 2 4 10
L 5 20MH
C 2 11 793UF
RX 11 3 0.1 ..; Added to help convergence
VX 5 3 DC 10V ; Load battery vo1tage
VY 10 1 DC OV ;Voltage source to measure supply current
* Subcircuit calls for thyristor model
XT1 2 6 2 SCR Thyristor T1
XT3 O 2 8 2 SCR Thyristor T3
XT2 3 O 7 O SCR Thyristor T2
XT4 3 1 9 SCR Thyristor T4
* Subcircuit SCR which is missing ~ be inserted
.TRAN IDUS 35MS 16.67MS Transient analysis
.PROBE Graphics postprocessor
.options abstol 1.00u reltol 1.0 m vntol = 0.1 ITL5=10000
.FOUR 120HZ (VX) Fourier analysis
.END

Las graficas de PSpice para el voltaje de salida V(2,3) y de la corriente de carga I(VX) se
muestran en la figura 5-21.

Las componentes Fourier de la corriente de carga son:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VX)


OC COMPONENT = 1.147163E+01
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.200E+02 2.136E+00 1.000E+00 -1.132E+02 O.OOOE+OO
2 2.400E+02 4.917E-01 2.302E-01 1.738E+02 2.871E+02
3 3.600E+02 1.823E-01 8.533E-02 1.199E+02 2.332E+02
4 4.800E+02 9.933E-02 4.650E-02 7.794E+01 1.912E+02
5 6.000E+02 7.140E-02 3.342E-02 2.501E+01 1.382E+02
6 7.200E+02 4.339E-02 2.031E-02 -3.260E+01 8.063E+01
7 8.400E+02 2.642E-02 1.237E-02 -7.200E+01 4.123E+Ol
8 9.600E+02 2.248E-02 1.052E-02 -1.126E+02 6.192E+01
9 1.080E+03 2.012E-02 9.420E-03 -1.594E+02 -4.617E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.535750E+01 PERCENT

Para encontrar el factor de potencia de entrada, necesitamos encontrar los componentes de


Fourier de la corriente de entrada, que son los mismos que los de la corriente a travs de la fuen-
te de VY.

Sec.5-12 Diseo de circuitos convertidores 179

'f;.;.:'.:$'o''~'~_"''''
.:.r#JI,~~ ---
Example 5-14 Single-Phase Full-Canverter
Date/Timerun: 07/17/92 16:20:56 Temperature:27.0
14A+---------------+------- __ ------+_------~------+_------------~
,
------------r----~-
12A ,,
,
,
10A ,,
,
I
_ -'- -- J ..._ ...... - -- .... _- --- ---- ---- 1 - ... ---- ---- ...... --- --- ......... -- .......

BA+-------------~-------L------4_------~------~------------_+
@j[ (VX)
200V+-------------~------_r------4_------_r------~------------_+

150V

100V

50v+-------------~-------L------4_------~----~r_------------_+
15ms 20ms 25ms 30ms 35ms
o V (2.31
Time

Figura 5-21 Graficas de SPice para el ejemplo 5-14.

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE 1 (VY)


DC COMPONENT ~ 1.013355E-02
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 6.000E+01 2.202E+01 1.000E+00 5.801E+01 O.OOOE+OO
2 1.200E+02 2.073E-02 9.415E-04 4.033E+01 -1.768E+01
3 1.800E+02 1.958E+01 8.890E-01 -3.935E+00 6.194E+01
2.400E+02 2.167E-02 9.841E-04 -1.159E+01 -6.960E+01
5 3.000E+02 1. 613E+01 7.323E-01 -5.968E+01 -1.177E+02
6 3.600E+02 2.218E02 1. 007E-03 -6.575E+01 -1.238E+02
7 4.200E+02 1.375E+01 6.243E-01 -1.077E+02 -1.657E+02
8 4.800E+02 2.178E-02 9.891E-04 -1.202E+02 -1.783E+02
9 5.400E+02 1.317E+01 5.983E-01 -1.542E+02 -2.122E+02
TOTAL HARMONIC DSTORTION ~ 1.440281E+02 PERCENT

Distorsin total de la corriente de entrada, THD = 144% = 1.44


Angulo de desplazamiento, <1>1 = SR.OIo

Factor de desplazamiento, DF = cos <1>1 = cos(-58.01) = 0.53 (atrasado)


1 1
PF = ;,1 cos <PI = (1 + (%THD/IOJ211/2 COS cf>1 (5-86)

1
(1 + 1.442 )1/2 X 0.53 = 0.302 (atrasado)

180 Los rectificadores controlados Cap. 5


Notas

1. Los anlisis arriba efectuados son vlidos nicamente si el ngulo de retraso exes mayor que
1lQ, que est dado por

- -1 __ - -1 _1_0_ - 3 380
ao - sen V", - sen 169.71 - .

2. Debido al capacitor de filtro C, una alta corriente de carga pico fluye de la alimentacin, y
el THD de la corriente de entrada tiene un alto valor de 144%.
3. Sin el capacitor C. la corriente de carga se hace discontinua, la corriente de carga pico de la
segunda armnica es 12(pico) = 5.845 A, Icd es 6.257 A, el TDH de la corriente de carga es
14.75% y la distorsin armnica total de la corriente de entrada es 15.66%.
4. Por lo comn se utiliza un filtro LC para limitar la corriente pico de alimentacin; esto se
ilustra en el ejemplo 15-15

Ejemplo 15-16*
El circuito equivalente del convertidor monofsico completo con un filtro LC aparece en la figu-
ra 5-22a. El voltaje de entrada es 120 Y (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a = rc!3.El voltaje
de salida de cd es Ved = 100 Y en Icd = 10 A. Determine los valores de la inductancia Le, 13 Y las
corrientes rms del inductor Inns'
Solucin ro = 2rc x 60 = 377 rad/s, Ved= 100 Y, Vs = 120 V, Vm =...J"2 x 120 = 169.7 V, Ved=
100 V. La relacin de voltaje x = VeJVm = 100/169.7 = 58.93%. Supongamos que el valor de Ce
es muy grande, de tal forma que su voltaje est libre de componentes ondulatorias con un valor
promedio de Ved.Le es la inductancia total, incluyendo la inductancia de alimentacin o de lnea.
=
Si Vedes menor que Vm y el tiristor T se dispara en rot a > no, la corriente de carga ic empezar
a fluir. Para Vs = Ved= Vm sen no, ao est dado por
V
ao = sen-I VdC = sen " x = 36.1
ni

Utilizando la ecuacin (3-103), la corriente de carga it: est dada por

. = -L
lL
Vdc
Vm ( cos ex - cos ost ) - -L (
w! - ex ) para w! 2: ex (5-87)
W e W e

Se puede determinar el valor de (l)( = 13, donde la corriente lt: cae a cero, a partir de la condicin
=
iL(ro! = 13) O. Esto es

cos ex - cos (3 - x({3 - ex) = O (5-88)

Resolviendo la ecuacin (5-88) en funcin de 13 mediante iteracin, obtenemos que 13 97. Uti- =
lizando la ecuacin (3-105), obtenemos la relacin de corrientes promedio normalizadas,/ed/1pk
= 1.865%. Por lo tanto, Ipk = led/0.OI865 = 536.2 A. El valor requerido de inductancia es
v, 169.7
Le = W/pk = 377 X 536.2 = 0.84 mH

Utilizando la ecuacin (3-106), obtenemos la relacin de corrientes rrns normalizadas IrrnJ/pk =


= =
4.835%. Por lo tanto, Irms 0.04835 X Ipk 0.04835 x 536.2 25.92 A. =

Sec.5-12 Diseo de circuitos convertidores 181


+

+lv\
o Jt
lo
C
v =
Ved

(a) Circuito

Vi

-----;1%~ ,?~
----/---~W,.------II--~~'\Y&
I
I :~
'~~.)' I
I :
'
:wa
'~
I ,>
I~
I
l'
' ,
I : ~ I ' :,
I :\ I ':\
I : \1 :\

o <XQ lX

Figura 5-22 Circuito equivalente


(b) Formas de onda con filtro Le.

513 EFECTOSDE LAS INDUCTANCIAS DE CARGA y DE ALlMENTACION

Podemos notar, a partir de la ecuacin (5-85), que las armnicas de la corriente de carga dependen
de las inductancias de la misma. En el ejemplo S-lO se calcula el factor de potencia de entrada pa-
ra una carga puramente resistiva, y en el ejemplo 5-11 para una carga altamente inductiva. Tam-
bin podemos notar que el factor de potencia de entrada depende del factor de potencia de la
carga.
En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los conver-
tidores, hemos supuesto que la alimentacin no tiene inductancias ni resistencias. Normalmente,
los valores de las resistencias de lnea son pequeos y se puede despreciar. La cantidad de cada
de voltaje debida a las inductancias de la alimentacin es similar a la de los rectificadores, y no se
modifica debido al control de fase. La ecuacin (3-107) se aplica al clculo de la cada de voltaje
debida a la reactancia de conmutacin de lnea Le. Si todas las inductancias de lnea son iguales, la
ecuacin (3-110) proporciona la cada de voltaje como V6x = 6fLclcd para el caso de un converti-
dor trifsico completo.
En condiciones normales de operacin, la cada de voltaje no depende del ngulo de retraso
(11. Sin embargo, el ngulo de conmutacin (o de traslape) I!vara con el ngulo de retraso. Con-

182 Los rectificadores controlados Cap. 5


forme aumenta el ngulo de retraso. el ngulo de traslape se hace ms pequeo. Esto queda ilus-
trado en la figura 5-23. La integral de volt-tiempo se muestra en las reas rayadas como IcdLe. y es
independiente de los voltajes. Conforme aumenta el voltaje de fase de conmutacin. se hace ms
pequeo el tiempo requerido para la conmutacin. pero los "volts-segundos" se conservan.

l'
l'
o~~~--~L-~~~~LL~'--~ __
HI- HI-
I ~
l' : l'

la.o o ~ ~ -l 1- Figura 5-23 Relacin entre el ngulo


" .. 300
de retraso y el ngulo de traslape.

Si Vx es la cada de voltaje promedio por conmutacin debida a traslape y Vy es la reduccin


promedio de voltaje debida al control del ngulo de fase. el voltaje promedio de salida para un n-
gulo de retraso de exes
(5-89)
y
(5-90)
donde Vdm = mximo voltaje promedio posible de salida. El voltaje promedio de salida con el n-
gulo de traslape f.l y dos conmutaciones es
Vcd(o.+ u) = Vcd(o.= O) - 2Vx - Vy = Vdm - 2Vx - Vy (5-91)
Sustituyendo Vy de la ecuacin (5-90) en la ecuacin (5-91) podemos escribir la cada de voltaje
debida al traslape como
(5-92)
El ngulo de traslape f.l se puede determinar a partir de la ecuacin (5-92) para valores conocidos
de la corriente de carga 1cd- la inductancia de conmutacin Le Yel ngulo de retraso 0.. Debe no-
tarse que la ecuacin (5-92) slo es aplicable para un convertidor monofsico completo.

Ejemplo 5-17*
Un convertidor trifsico completo est alimentado desde una alimentacin de 230 V 60 Hz. La
corriente de carga es continua y tiene una componente ondulatoria despreciable. Si la corriente
= =
promedio de carga 1cd ISO A Y la induetancia de conmutacin Le 0.1 ml-l, determine el ngu-
lo de traslape cuando (a) ex= 10. (b) ex;: 30 Y (e) o. 60. =
Solucin V", = fi x 230/.J} = 187.79 V Y V11m = 3.J3' V",/1t= 310.61 V. De la ecuacin (5-57).
=
VC<j(0.) 310.6 cos o. y
Vcd(ex + 11) = 310.61 cos (o. + 11)

Sec.5-13 Efectos de las inductancias de carga y de alimentacin 183


Para un convertidor trifsico completo, se puede modificar la ecuacin (5-92) a
6Vx = 6fJcdLc = Vcd(o.) - Vcd1 + u)
(5-93)
6x 60x 150x 0.1 x 10-3 = 310.61[cos o. -cos1+ j.i)]

=
(a) Para o. = 10, j.i 4.66.
(b) Para (1 = 30, j.i = 1.94.
= =
(e) Para o. 60, j.i 1.14.

Ejemplo 5.18
La corriente de mantenimiento de los tiristores del convertidor monofsico completo de la figura
5-3a es fH = 500 mA y el tiempo de retraso es td = 1.5 us, El convertidor est alimentado con 120
V 60 Hz y tiene una carga L = 10 mH y R = 10 n. El convertidor se opera con un ngulo de re-
traso de (1 = 30. Determine el valor mnimo del ancho del pulso de compuerta, te.
Solucin f H = 500 mA = 0.5 A, td = 1.5 us, (1 = 30 = rt/6, L = 10 mH y R = 10 n. El valor ins-
tantneo del voltaje de entrada es vit) = Vm sen rot, donde Vm= "Tx 120 = 169.7 V.
Para rot = 0.,
tr
VI = V,(wl = a) = 169.7 X sen 6" = 84.85 V

La velocidad de incremento de la corriente del nodo dudt en el momento del disparo es aproxi-
madamente
di VI 84.85
dI = L = 10 x 10 3 = 8485 A/s

Si se supone que diidt es constante durante un corto perodo despus del disparo de la compuer-
ta, el tiempo 11 requerido para que se eleve la corriente del nodo al nivel de la corriente de man-
tenimiento se calcula a partir de tI x (di/dI) =
fll, es decir, tI x 8485 =
0.5 y esto nos da ti =
0.5/8485 = 58.93 ..LS.Por lo tanto, el ancho mnimo del pulso de compuerta es
te = tI + Id = 58.93 + 1.5 = 60.43 ..Ls

5-14 CIRCUITOS DE DISPARO

La generacin de sei'ialesde disparo para los tiristores de convertidores de ca a cd requiere (1) de


la deteccin del cruce por cero del voltaje de entrada, (2) del desplazamiento apropiado de fase
de las sei'iales, (3) de la formacin del pulso para generar pulsos de corta duracin y (4) del aisla-
miento del pulso a travs de transformadores de pulso o de acopladores pticos. El diagrama de
bloques para un circuito de disparo de un convertidor monofsico completo aparece en la figura
5-24.

RESUMEN

En este captulo hemos visto que el voltaje promedio de salida (y la potencia de salida) de los con-
vertidores de ca-ed puede controlarse variando el tiempo de conduccin de los dispositivos de po-
tencia. Dependiendo de los tipos de alimentacin, los convertidores pueden ser monofsicos o
trifsicos. Para cada uno de estos tipos de alimentacin, pueden ser de media onda, semi o com-

184 Los rectificadores controlados Cap. 5


+

+ Vcc
Transformadores
de pulso

11e:
Detector de cruce
por cero
Formacin II Vg2

y amplificacin
del pulso

Seal de
IIG
le:
control de ___
entrada

I
- VCC

Figura 5-24 Diagrama de bloques para un circuito de disparo de tiristor.

pletos. Los convertidores semi o completos se usan extensivamente en aplicaciones prcticas.


Aunque los semiconvertidores resultan con un mejor factor de potencia de entrada que los conver-
tidores completos, estos convertidores slo son adecuados-para la operacin en un solo cuadrante.
Los convertidores completos y los convertidores duales permiten operaciones en dos y en cuatro
cuadrantes, respectivamente. Los convertidores trifsicos normalmente se utilizan en aplicaciones
de alta potencia siendo la frecuencia de las componentes ondulatorias de salida mayor.
El factor de potencia de entrada, que depende de la carga, se puede mejorar, y la especifica-
cin de voltaje puede aumentarse mediante la conexin en serie de los convertidores. Con conmu-

Cap. 5 Resumen 185


taciones forzadas, se puede mejorar an ms el factor de potencia y ciertas armnicas de bajo or-
den pueden reducirse o eliminarse.
La corriente de carga puede ser continua o discontinua dependiendo de la constante del
tiempo de carga y el ngulo de retraso. Para el anlisis de los convertidores se utiliza el mtodo de
las' series de Fourier. Sin embargo, se pueden utilizar otras tcnicas (por ejemplo el enfoque de la
funcin de transferencia o la multiplicacin espectral de la funcin de conmutacin) para el anli-
sis de circuitos de conmutacin de potencia. El control del ngulo de retraso no afecta la cada de
voltaje debida a inductancias de conmutacin, y esta cada de voltaje es la misma que la de los
rectificadores de diodo normales.

REFERENCIAS

1. P. C. Sen, Thyristor DC Drives. Nueva York: Wi- Applications, Bruselas, octubre 16-18, 1985, pp.
ley-Interscience, 1981. 2.263-2.266.
2. P. C. Sen y S. R. Doradla, "Evaluation of control 5. P. D. Ziogas y P. Photiadis, "An exact output cu-
schemes for tiristor controlled de motora", IEEE rrent analysis of ideal static PWM inverters". IEEE
Transactions on Industrial Electronics and Control Transactions on lndustry Applications, Vol. IAl19,
lnstrumentation, Vol. IECI25, No. 3, 1978, pp. No. 2, 1983,pp. 281-295.
247-255. 6. M. H. Rashid y A. 1. Maswood, "Analysis of
3. P. D. Ziogas, "Optimum voltage and harmonic con- 3-phase ac-cd converters under unbalanced supply
trol PWM techniques for 3-phase static UPS sys- conditions", IEEE lndustry Applications Confer-
terns". IEEE Transactions on lndustry Appllcations, ence Record, 1985, pp. 1190-1194.
Vol. lA 16, No. 4,1980, pp. 542-546. 7. A. D. Wilcox, Engineering Design for Electrical
4. M. H. Rashid y M. Aboudina, "Analysis of forced- Engineers. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall,
conunutated techniques for ac-cd converters", 1st 1990; captulo 10, "Power module", by M. H.
European Conference on Power Electronics and Rashid.

PREGUNTAS DE REPASO

51. Qu es una conmutacin natural o de lnea? 510. Por qu es mejor el factor de potencia de los
52. Qu es un rectificador controlado? semi convertidores que el de los convertidores
53. Qu es un convertidor? completos?
54. Qu es el control del ngulo de retraso de los 511. Cul es la causa de la corriente circulante en
convertidores? los convertidores duales?
SS. Qu es un semiconvertidor? Dibuje dos circui- 512. Por qu se requiere de un inductor de corriente
tos semi convertidores. circulante en los convertidores duales?
56. Qu es un convertidor completo? Dibuje dos
513. Cules son las ventajas y las desventajas de los
circuitos de convertidor completo.
convertidores en serie?
57. Qu es un convertidor dual? Dibuje dos circui-
tos de convertidor dual. 514. Cmo est relacionado el ngulo de retraso de
58. Cul es el principio de control de fase? un convertidor con el ngulo de retraso de otro
59. Cules son los efectos de eliminar el diodo de convertidor en un sistema dual?
marcha libre en los semiconvertidores monof- 515. Cul es el modo de inversin de los converti-
sicos? dores?

186 Los rectificadores controlados Cap. 5


516. Cul es el modo de rectificacin de los conver- 525. Qu es el control de modulacin del ancho de
tidores? pulso de los convertidores?
517. Cul es la frecuencia de la armnica de orden 5-26. Qu es el control por modulacin senoidal del
menor en serniconvertidores trifsicos? ancho de pulso de un convertidor?
518. Cul es la frecuencia de la armnica de orden 527. Qu es el ndice de modulacin?
menor en los convertidores completos trifsi- 5-28. Cmo se vara el voltaje de salida de un con-
cos? vertidor de control de fase?
519. Cul es la frecuencia de la armnica de orden 5-29. Cmo se vara el voltaje de salida en un con-
menor en el semiconvertidor monofsico? vertidor con control por modulacin senoidal
520. Cmo se activan y desactivan los tiristores dis- del ancho de pulso?
parados por compuerta? 5-30. Depende el ngulo de conmutaci-Sn del nculo
521. Cmo se activa y se desactiva un tiristor de de retraso de los convertidores?
control de fase? 5-31. Depende la cada de voltaje debida a inductan-
522. Qu es la conmutacin forzada? Cules son cias de conmutacin, del ngulo de retraso de
las ventajas de la conmutacin forzada para los los convertidores?
convertidores de ca-ed? 5-32. Depende el factor de potencia de entrada de los
523.. Qu es el control del ngulo de extincin de los convertidores del factor de potencia de la carga?
convertidores? 5-.33. Dependen del ngulo de retraso los voltajes de
524. Qu es el control del ngulo simtrico de los Las componentes ondulatorias de salida de los
convertidores? convertidores?

'pROBtEMAS

5-1. El convertidor monofsico de media onda de =


tera E 20 V. (a) Exprese el voltaje instant-
la figura S-la se opera a partir de una alimen- neo de salida con una serie de Fourier, y (b) de-
tacin de 120 V 60-Hz. Si la carga resistiva es termine el valor rms de la corriente de la
=
R 10 Y el ngulo de retraso es (l 1[/3, de-= armnica de salida de orden menor.
termine fa) la eficiencia, (b) el factor de for- 5-4. El semiconvertidor monofsico de la figura S-2a
ma, {e} el factor de componente ondulatoria, se opera a partir de una alimentacin de 120 V
(d) el factor de utilizacin del transformador y 60 Hz. La corriente de carga con un valor pro-
(e) el voltaje de pico inverso (PIV) del tiristor medio de la es continua, con un contenido des-
TI preciable de componentes ondulatorias. La
52. El convertidor monofsico de media onda de relacin de vueltas del transformador es la uni-
la figura S-la se opera a partir de una alimen- =
dad. Si el ngulo de retraso es (l rr.(3, calcule
tacin de 120 V 60 Hz componente resistiva (a) el factor armnico de la corriente de entrada,
=
de la carga es R 10 n. Si el voltaje promedio (b) el factor de desplazamiento y (e) el factor de
de salida es 2S% del voltaje promedio de sali- potencia de entrada.
da mximo posible, calcule (a) el ngulo de 55. Repita el problema 5-2 para un semiconvertidor
retraso, (b) las corrientes rms y promedio de monofsico de la figura 5-2a.
salida, (e) las corrientes promedio y rms del ti- 56. El semiconvertidor monofsico de la figura S-2a
ristor y (d) el factor de potencia de entrada. se opera a partir de una alimentacin de 120 V
53. El semiconvertidor monofsico de la figura 5- 60 Hz. La carga consiste en una resistencia co-
la es alimentado a partir de una alimentacin =
nectada en serie R 10 n, una inductancia L =
de 120 V 60 Hz y un diodo de marcha libre se =
5 mH y un voltaje de batera E 20 V. (a) Ex-
conecta a travs de la carga. La carga consiste prese el voltaje de salida con una serie de Fou-
en una resistencia formada en serie, R 10 n, = rier y (b) determine el valor rms de la corriente
=
una inductancia L 5 mH y un voltaje de ba- armnica de salida de orden menor.

Cap. 5 Problemas 187

'. ": ..~ .' - '. "


57. Repita el problema 5-4 para un convertidor mo- 516. El convertidor trifsico de media onda de la fi-
nofsico completo de la figura 5-3a. gura 5-7a se opera a partir de una alimentacin
58. Repita el problema 5-2 para un convertidor mo- trifsica conectada en estrella de 220 Y, 60 Hz,
nofsico completo de la figura 5-3a. =
la resistencia de la carga es R 10 n. Si el vol-
59. Repita el problema 5-6 para el convertidor mo- taje promedio de salida es 25% del mximo vol-
nofsico completo de la figura 5-3a. taje promedio de salida posible, calcule (a) el
510. El convertidor dual de la figura 5-4a se opera a ngulo de retraso, (b) las corrientes de salida
partir de una alimentacin de 120 Y 60 Hz y rms y promedio, (e) las corrientes promedio y
entrega una corriente promedio libre de compo- rms de los tiristores, (d) la eficiencia de rectifi-
=
nentes ondulatorias de lcd 20 A. La inductan- cacin, (e) el factor de utilizacin del transfor-
cia circulante es L, = 5 mH y los ngulos de mador y (f) el factor de potencia de entrada.
= =
retraso son al 30 y a2 150. Calcule la co- 517. El convertidor trifsico de media onda de la fi-
rriente circulante pico y la corriente de pico del gura 7-7a se opera a partir de una alimentacin
convertidor 1. conectada en estrella de 220 Y 60 Hz, y un dio-
511. El semi convertidor monofsico en serie de la do de marcha libre se conecta a travs de la car-
figura 5-5a se opera a partir de una alimenta- ga. La carga est formada por una resistencia
cin de 120 Y 60 Hz la resistencia de la carga conectada en serie R = IOn, una inductancia L
es R = 10 n. Si el voltaje promedio de salida es = 5 mH Y un voltaje de batera E = 20 Y. (a) Ex-
75% del voltaje promedio de salida mximo prese el voltaje instantneo de salida en series
posible, calcule (a) los ngulos de retraso de de Fourier y (b) determine el valor rms de la ar-
los convertidores, (b) las corrientes promedio y mnica de orden menor de la corriente de salida.
rms de salida, (e) las corrientes promedio rms 518. El semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a se
de los tiristores y (d) el factor de potencia de opera a partir de una alimentacin trifsica co-
entrada. nectada en estrella de 220 Y 60 Hz. La corrien-
512. El semiconvertidor monofsico en serie de la fi- te de carga, con un valor promedio la, es
gura 5-5a se opera a partir de una alimentacin de continua con un contenido de componente on-
120 y 60 Hz. La corriente de carga, que tiene un dulatoria despreciable. La relacin de vueltas
valor promedio la, es continua y el contenido de del transformador es la unidad. Si el ngulo de
componente ondulatoria es despreciable. La re- =
retraso es el 2rc{3,calcule (a) el factor armni-
lacin de vueltas del transformador es Np/Ns 2.= co de la corriente de entrada, (b) el factor de
= =
Si los ngulos de retraso son al O Y a2 rc{3, desplazamiento y (e) el factor de potencia de en-
calcule (a) el factor armnico de la corriente de trada.
entrada, (b) el factor de desplazamiento y (e) el 519. Repita el problema 5-16 para un semiconverti-
factor de potencia de entrada. dor trifsico de la figura 5-8a.
513. Repita el problema 5-11 para un convertidor 520. Repita el problema 5-19, si el voltaje promedio
monofsico completo en serie de la figura 5-6a. de salida es 90% del voltaje de salida mximo
514. Repita el problema 5-12 para un convertidor posible.
monofsico completo en serie de la figura 5-6a. 5-21. Repita el problema 5-17 para un serniconverti-
515. El convertidor monofsico de media onda de la dor trifsico de la figura 5-8a.
figura 5-7a se opera a partir de una alimentacin 5-22. Repita el problema 5-18 para un convertidor tri-
conectada en estrella de 220 y 60 Hz y un diodo fsico completo de la figura S-lOa.
de marcha libre se conecta a travs de la carga. 5-23. Repita el problema 5-16 para un convertidor tri-
La corriente de carga con un valor promedio la fsico completo de la figura 5-10a.
es continua y el contenido de componente ondu- 5-24. Repita el problema 5-17 para un convertidor tri-
latoria es despreciable. Si el ngulo de retraso el fsico completo de la figura S-lOa.
= rc{3, calcule (a) el factor armnico de la co- 5-25. El convertidor trifsico dual de la figura 5-12a
rriente de entrada, (b) el factor de desplaza- se opera a partir de una alimentacin trifsica
miento y (e) el factor de potencia de entrada. conectada en estrella de 220 Y 60 Hz la resis-

188 Los rectificadores controlados Cap. 5


tencia de la carga R = 10 n. La inductancia cir- 531. Repita el problema 5-18 si se utiliza el control
culante L, = 5 rnH Y los ngulos de retraso son de ngulo simtrico.
a = 60 y a2 = 120. Calcule la corriente de pi- 532. Repita el problema 5-18 si se utiliza el control
co circulante y la corriente pico de los converti- de ngulo de extincin.
dores. 533. El semiconvertidor monofsico de la figura
526. El semiconvertidor monofsico de la figura 5-2a 5-13a se opera con un control PWM senoidal y
=
tiene una carga RL de L 1.5 rnH, R 1.5 n y= es alimentado a partir de una fuente de 120 V 60
E = O V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V Hz. La corriente de carga con un valor promedio
(rms) a 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de la es continua, con un contenido de componente
carga lo en rot = O Y la corriente de carga I en ondulatoria despreciable. Existen cinco pulsos
=
ex = a 30, (2) la corriente promedio del tiris- por medio ciclo y los pulsos son al = 7.93, 01
tor lA, (3) la corriente rms del tiristor IR, (4) la = 5.82; a2 = 30, 02 = 16.25; a3 = 52.07,03 =
corriente rms de salida Irms Y (5) la corriente 127.93; a4 = 133.75, 04 = 16.25; Y as =
promedio de salida led. (b) Utilice SPice para =
166.25, Os 5.82. Calcule (a) el valor de Vcd Y
verificar sus resultados. de VImS, (b) el factor armnico de la corriente de
527. El convertidor monofsico completo de la figura entrada, (e) el factor de desplazamiento y (d) el
5-3a tiene una carga RL con L = 4.5 rnH, R = factor de potencia de entrada.
=
1.5 n y E 10 V. El voltaje de entrada es v, = 534. Repita el problema 5-33 para el caso de cinco
120 V a (rms) 60 Hz. (a) Determine (1) la co- pulsos por cada medio ciclo, con un ancho de
=
rriente de carga lo a rot = a 30, (2) la corrien- =
pulso igual, M 0.8.
te promedio del tiristor lA, (3) la corriente rms 535. Un semiconvertidor trifsico se opera a partir de
del tiristor IR, (4) la corriente rms de salida Irms una alimentacin trifsica conectada en estrella
y (5) la corriente promedio de salida led. (b) Uti- de 220 V 60 Hz. La corriente de carga es conti-
lice SPice para verificar sus resultados. nua y tiene una componente ondulatoria despre-
528. El convertidor completo trifsico de la figura ciable. La corriente promedio de la carga es led
=
5-10a tiene una carga L = 1.5 rnH, R 1.5 n y = 150 A Y la inductancia de conmutacin por fa-
E = O V. El voltaje de entrada lnea a lnea es se es Le = 0.5 rnH. Determine el ngulo de tras-
Vab = 208 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso = =
lape si (a) a 1C/6 Y (b) a 1C/3.
=
es a 1C/6. (a) Determine (1) la corriente de car- 536. El voltaje de entrada al circuito equivalente de
ga en rgimen permanente II en rot' = 1C/3 + a (o la figura 5-22a es 120 V (rms), 60 Hz. El ngulo
=
bien rot 1C/6 + a), (2) la corriente promedio del =
de retraso es a 1C/6. El voltaje de salida en cd
tiristor lA, (3) la corriente rms del tiristor IR. (4) = =
es Ved 75 Ven led 10 A. Determine los valo-
la corriente rms de salida I rms y (5) la corriente res de la inductancia Le, ~, Y de la corriente rms
promedio de salida led. (b) Utilice SPice para del inductor Irms'
verificar sus resultados. 537. La corriente de mantenimiento de los tiristores
529. El semiconvertidor monofsico de la figura del convertidor trifsico completo de la figura
5-13a se opera a partir de una alimentacin de 5-IOa es IH = 200 mA Y el tiempo de retraso es
120 V 60 Hz y utiliza un control de ngulo de de 2.5 us, El convertidor es alimentado a partir
extincin. La corriente de carga con un valor de una fuente trifsica conectada en estrella de
promediode la es continua y tiene un contenido =
208 V Y 60 Hz con una carga L 8 mr Y R =
de componente ondulatoria despreciable. Si el =
2 n; se opera con un ngulo de retraso a 60.
ngulo de extincin es ~ = 1C/3, calcule (a) las Determine el ancho mnimo del pulso de com-
salidas Ved y V rms- (b) el factor armnico de la puerta, te.
corriente de entrada, (e) el factor de desplaza- 538. Repita el problema 5-37 si L = O.
miento y (d) el factor de potencia de entrada.
530. Repita el problema 5-29 para un convertidor
monofsico completo de la figura 5-14a.

Cap. 5 Problemas 189


Controladores de voltaje de ca

6-1 INTRODUCCION

Si un tiristor conmutador se conecta entre la alimentacin de ca y la carga, es posible controlar el


flujo de potencia variando el valor rms del voltaje de ca aplicado a la carga; este tipo de circuito
de potencia se conoce como un controlador de voltaje de ca. Las aplicaciones ms comunes de
los controladores de voltaje de ca son: calefaccin industrial, de derivaciones de transformadores
cambio con carga, control de luces, control de la velocidad de motores de induccin polifsicos y
control de los electromagnetos de ca. Para la transferencia de potencia, normalmente se utilizan
dos tipos de control:

1. Control de abrir y cerrar


2. Control de ngulo de fase

En el control de abrir y cerrar, los tiristores conectan la carga a la fuente de ca durante unos
cuantos ciclos de voltaje de entrada y a continuacin la desconectan por unos cuantos ciclos ms.
En el control de ngulo fase, los tiristores conectan la carga a la fuente de ca durante una porcin
de cada uno de los ciclos de voltaje de entrada.
Los controladores de voltaje de ca se pueden clasificar en dos tipos: (1) controladores mo-
nofsicos y (2) controladores trifsicos. Cada uno de e